CN100369201C - 一种高密度等离子体化学气相沉淀装置 - Google Patents

一种高密度等离子体化学气相沉淀装置 Download PDF

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Abstract

本发明有关一种高密度等离子体化学气相沉淀装置，包括腔体、电子吸着盘及支撑架；所述电子吸着盘上设置有一平边，所述腔体的抽真空排气口设置在该电子吸着盘的下部；所述支撑架固定在所述腔体的侧壁上；其中所述平边与所述支撑架位于腔体的同一侧。由于平边与支撑架处于所述腔体的同一侧，平边处的排气速度较大，而支撑架会对排气起到一定的阻碍使用，所以排气速度不均匀的状况会有一定程度的改善。

Description

一种高密度等离子体化学气相沉淀装置
技术领域
本发明涉及一种芯片制造装置，尤其有关一种改善芯片膜厚度不均匀的状况的高密度等离子体化学气相沉淀装置。
背景技术
在芯片制造时，高密度等离子体化学气相沉淀(HDP-CVD)是一种经常用到的制造方法。请参阅图1所示，HDP-CVD装置的腔体4上具有抽真空排气口(图未示)，而芯片1需要设置在电子吸着盘2上，上述抽真空排气口即设置在电子吸着盘2下部的中央部分，目的是保证在整个芯片1上气流的均匀性。上述芯片1上有一处开口的缺口(Notch)11，为防止等离子体(Plasma)透过缺口11直接对电子吸着盘2表面产生破坏，因此在电子吸着盘2上设计了一个平边21，所以平边21的设计需要其能够承受较大的等离子的轰击，然而由于芯片1的缺口置于该平边21处，因此该平边21的存在，使得该处的排气速度要大于芯片1上的其他部分。这样就会产生由于排气速度的不均匀而引起的芯片1的膜厚不均匀。为了固定电子吸着盘2，在电子吸着盘2一侧设置有支撑架(电子吸着盘的Holder)3，其固定在腔体4的侧壁上，起支撑作用。然而由于支撑架3是安装在腔壁上的，其在一定程度上会起到阻碍排气的作用，从而使支撑架3处的排气速度小于其它部分。传统的高密度等离子体化学气相沉淀装置的上述平边21与支撑架3处于相反的方向。由于以上两点，会使芯片1上的膜厚均一性不好，特别是当线宽做的较小时会有较大影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种高密度等离子体化学气相沉淀装置，其能够改善芯片制造过程中膜厚的均一性问题。
为完成以上技术问题，本发明采用以下技术方案，一种高密度等离子体化学气相沉淀装置，包括腔体、电子吸着盘及支撑架，所述电子吸着盘上设置有一平边，所述腔体的抽真空排气口设置在该电子吸着盘的下部；所述支撑架固定在所述腔体的侧壁上；其中，所述平边与所述支撑架处于所述腔体的同一侧。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：由于平边与支撑架处于同一方向，平边处的排气速度较大，而支撑架会对排气起到一定的阻碍使用，所以排气速度不均匀的状况会有一定程度的改善。
附图说明
图1为现有技术的高密度等离子体化学气相沉淀装置的俯视图，其中箭头方向表示排气的路径。
图2是本发明一种高密度等离子体化学气相沉淀装置的俯视图，其中箭头方向表示排气的路径。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述。
请参阅图2所示，本发明一种高密度等离子体化学气相沉淀装置包括腔体8、电子吸着盘6及支撑架7，待处理芯片5放置在电子吸着盘6上，腔体8的抽真空排气口(图未示)设置在电子吸着盘6下部的中央部分，目的是保证在整个芯片5上气流的均匀性。上述芯片5上有一处开口的缺口(Notch)51，为防止等离子体(Plasma)透过缺口51直接对电子吸着盘6表面产生破坏，因此在电子吸着盘6上设计了一个平边61，所以平边61的设计需要其能够承受较大的等离子的轰击。另一方面，由于芯片5的缺口(Notch)51是置于该平边61处的，因此该平边61的存在，使得该处的排气速度要大于芯片5上的其他部分。这样就会产生由于排气速度的不均匀而引起的芯片5的膜厚不均匀。为了固定电子吸着盘6，在电子吸着盘6一侧设置有支撑架(电子吸着盘的Holder)7，其固定在腔体8的侧壁上，起支撑作用。然而由于支撑架7是安装在腔壁上的，其在一定程度上会起到阻碍排气的作用，从而使支撑架7处的排气速度小于其它部分。上述平边61与支撑架7设置于同一方向，即将上述平边61与支撑架7设置于腔体8的同一侧，所以上述两种对排气有影响的设置会具有一定的抵消，所以反而改善由于排气速度对膜厚度的影响，实验表明，使用这种设置，可以将成膜均一性提高0.5～1％。
综上所述，本发明完成了发明人的发明目的，由于平边与支撑架处于同一方向，平边处的排气速度较大，而支撑架会对排气起到一定的阻碍使用，所以排气速度不均匀的状况会有一定程度的改善。

Claims (3)

1.一种高密度等离子体化学气相沉淀装置，包括腔体、电子吸着盘及支撑架；所述电子吸着盘上设置有一平边，所述腔体的抽真空排气口设置在该电子吸着盘的下部；所述支撑架固定在所述腔体的侧壁上；其特征在于：所述平边与所述支撑架处于所述腔体的同一侧。
2.如权利要求1所述的高密度等离子体化学气相沉淀装置，其特征在于：用所述高密度等离子体化学气相沉淀装置进行处理的芯片上应具有一缺口。
3.如权利要求2所述的高密度等离子体化学气相沉淀装置，其特征在于：在用所述高密度等离子体化学气相沉淀装置对芯片进行处理时，所述芯片上的缺口应置于所述高密度等离子体化学气相沉淀装置的电子吸着盘的平边处。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1189859A (zh) * 1995-07-10 1998-08-05 沃特金斯·约翰逊公司 等离子体增强的化学处理反应器和方法
US6077357A (en) * 1997-05-29 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Orientless wafer processing on an electrostatic chuck

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