CN100368923C - 具有高三阶非线性极化率χ(3)的复合薄膜及其制备方法 - Google Patents
具有高三阶非线性极化率χ(3)的复合薄膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100368923C CN100368923C CNB2005100801015A CN200510080101A CN100368923C CN 100368923 C CN100368923 C CN 100368923C CN B2005100801015 A CNB2005100801015 A CN B2005100801015A CN 200510080101 A CN200510080101 A CN 200510080101A CN 100368923 C CN100368923 C CN 100368923C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- srbi
- target
- laser
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title abstract description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 29
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001093 holography Methods 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005325 percolation Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有超高三阶非线性极化率χ(3)的Ag:SrBi2Nb2O9复合薄膜,薄膜制备在脉冲激光沉积系统下进行,激光束经焦距为500mm的石英透镜聚焦,光束焦点落在旋转的Ag/SrBi2Nb2O9靶上,选用MgO或钛酸锶或石英玻璃作为基片,基片与靶材的距离控制在40mm。在不同的气氛下(本底真空抽至5-8×10-4Pa)制备Ag:SrBi2Nb2O9薄膜,标准的单光束Z扫描实验系统测量薄膜的非线性光学性质,该薄膜三阶非线性极化率的实部(|Reχ(3)|)和虚部(|Imχ(3)|)分别为8.052×10-7和1.171×10-7esu,证明薄膜具有超高的三阶非线性极化率,在非线性光学领域有广阔应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及非线性光学材料领域,特别是涉及一种具有高三阶非线性极化率x(3)的复合薄膜及其制备方法。
背景技术
非线性光学是激光出现后迅速发展起来的一门科学。自从1961年Franken首先发现晶体非线性光学(以下简称NLO)效应以来,短短三十几年时间,NLO材料的发展突飞猛进,并继续以日新月异的速度发展着。在21世纪即将实现的光电子工业(光通讯,光信息处理,存储及全息术,光计算机,激光武器,激光精密加工,激光化学,激光医学等等)中将以NLO材料为基础材料,因此NLO材料的研制仍是当今的尖端课题。
具有很高三阶非线性极化率x(3)且有很快响应速度的光学薄膜是新一代的非线性光学材料,可广泛应用于光控型位相、折射率调制器、实时全息、光相关器以及相位共轭、光相位恢复等新型光控领域。这些技术得以实现、器件得以运行的先决条件是制备具有优良性质的非线性光学材料。一直以来人们在寻求大的三阶非线性光学材料方面做了大量的理论和实验工作。研究工作主要集中在半导体、非线性有机材料和光折变材料三大类,如CdS、GaAs、KTP、BBO、LBO、BaTiO3等一大批具有优良二阶、三阶非线性光学性质的功能材料,是近几十年非线性光学材料研究的重要结果。
随着薄膜制备技术的进步和纳米微加工技术的发展,人们制备出了纳米级的低维材料,这些材料表现出许多体材料所不具备的性质,尤其是非线性光学性质。1983年,R.K.Jain和R.C.Lind研究了掺杂CdSSe半导体纳米做晶玻璃的非线性光学性质,发现其具有大的三阶光学非线性系数和较快的光学非线性响应速度,他们的这一工作开辟了非线性光学材料研究的新领域,即掺有纳米微粒(半导体或金属量子点等)的薄膜表现出优良的非线性光学性质。1985年D.Ricard等人在理论上提出了掺金属微粒的玻璃,可以大大提高材料的三阶非线性光学效应,并在实验上给予了验证。随后研究者们开始对这类材料(掺有金属纳米团簇的复合薄膜)发生兴趣,并相继用蒸发、溅射等方法制备了具有这种结构的薄膜,结果发现其非线性光学效应确实得到了很大提高,但是由于当时实验设备及条件的限制,制备出的薄膜金属浓度比较低(10-6-10-5involume fraction),得到的x(3)值较小(10-12-10-11esu),并且响应速度较慢,并未取得很大的进展。
最近几年,研究者们相继通过离子注入、Sol-gel法及磁控溅射等技术制备了较高浓度的金属纳米复合薄膜,获得了一些具有较高三阶非线性极化率x(3)的薄膜。1996年,Tanahashi等采用溅射技术制备了Au/SiO2多层膜,当Au的浓度在3%、表面等离子体共振频率为530nm时,得到xmax (3)为2×10-7esu。为进一步提高金属浓度及薄膜的三阶非线性效应,1997和1998年H.B.Liao等人采用磁控溅射装置先后制备了Au:SiO2、Au:TiO2和Au:Al2O3复合薄膜。在Au:SiO2中,当金属Au浓度在临界浓度(Percolation threshold)40%附近时,获得的xmax (3)可达2.5×10-6esu;而当Au浓度超过临界浓度以后,其光吸收特性发生了很大的改变,并且三阶非线性效应开始减弱。同时,1997年J.M.Ballesteros等人首次采用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了Cu:Al2O3薄膜,其x(3)值约为2×10-8esu。
到目前为止,许多掺有金属(主要是Au,Ag,Cu)纳米团簇的介质(主要是SiO2,其次为Al2O3,TiO2)薄膜的非线性光学性质被广泛研究,结果发现:具有这类结构的复合薄膜的三阶非线性光学效应,得到大大增强,尤其是当金属浓度在临界浓度附近时,其增强效果十分明显。
近年来,铋层状结构的铁电薄膜材料在非易失存储器件中的应用与日剧增。作为铋层状钙钛矿结构之一的SrBi2Nb2O9薄膜,由于其很高的疲劳耐久性和较好的保持力特性,而成为铁电存储器(FRAM)的有希望的候选材料之一。同时,由于SrBi2Nb2O9薄膜具较高的居里温度、低的漏电流及其好的铁电开关特性,使之在其他器件的应用中也具有潜在的价值。由于铋层状结构铁电材料具有很大的结构各相异性,所以薄膜材料的电学性能及光学性能与薄膜的晶体学取向有关,且强烈依赖于薄膜材料的基片性质、制备工艺和薄膜的后处理温度等。SrBi2Nb2O9材料作为铋层状结构铁电材料的典型代表,一直是研究者们关注的对象,其体材料和薄膜材料的铁电和电学性质研究得较为广泛,但是它的非线性光学性能至今尚无人报道。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有高三阶非线性极化率x(3)的复合薄膜。
本发明的另一目的在于提供一种制备具有高三阶非线性极化率x(3)的复合薄膜的方法。
为了实现上述目的,本发明一种具有高三阶非线性极化率x(3)的复合薄膜,该复合薄膜为:Ag:SrBi2Nb2O9复合薄膜。
为了实现上述目的,本发明一种具有高三阶非线性极化率x(3)的复合薄膜,该复合薄膜为:Ag:SrBi2Nb2O9复合薄膜。
一种制备所述具有高三阶非线性极化率x(3)的复合薄膜的方法,步骤如下:
(1)将基片清洗干净并吹干,该基片为MgO片或钛酸锶片或石英玻璃;
(2)将处理后的基片放入脉冲激光沉积(PLD)系统内;
(3)选用Ag/SrBi2Nb2O9靶材,其中Ag靶选用纯度为99.99%的金属Ag片,基片与靶材的距离为40mm;
(4)使真空沉积室内抽真空至5×10-4Pa-8×10-4Pa,通入纯度为99.99%的氮气,使气压保持在7Pa,利用脉冲激光沉积系统的准分子激光器,输出波长为308nm的激光,激光能量为400mJ,重复频率4Hz可调,脉宽20ns,激光束经焦距为500mm的石英透镜聚焦,焦点处的能量密度约为2J/cm2,光束焦点落在匀速旋转的Ag/SrBi2Nb2O9靶上,整个沉积时间为10-30分钟。
进一步,所述方法中,在步骤(4)中,将真空沉积室抽真空后,使基片温度升至700℃并保持30分钟。
进一步,所述方法中,步骤(1)中所述的基片清洗过程中,使基片在丙酮和无水乙醇中分别用超声波清洗15分钟。
本发明通过PLD技术,在基片上生长出高质量的Ag:SrBi2Nb2O9复合薄膜,利用单光束纵向扫描技术(z-scan)对样品进行测量,可以发现该样品的三阶非线性光学性质,可知Ag:SrBi2Nb2O9薄膜三阶非线性极化率的实部(|Rex(3)|)和虚部(|Imx(3)|)分别为8.052×10-7和1.171×10-7esu,Ag:SrBi2Nb2O9复合薄膜具有高三阶非线性极化率x(3)。
附图说明
图1是本发明Ag:SrBi2Nb2O9/MgO(100)复合薄膜开孔时的Z扫描图;
图2是本发明Ag:SrBi2Nb2O9/MgO(100)复合薄膜开小孔时的Z扫描图。
具体实施方式
本发明采用脉冲激光沉积技术,制备Ag/SrBi2Nb2O9薄膜。该技术主要是采用高功率的准分子激光器产生脉冲激光束照射靶材,烧蚀剥离出分子或分子团,并沉积在基片上形成薄膜,然后利用z扫描技术对薄膜的三阶非线性光学性质进行测量。
实施例1
双抛MgO(100)作为基片,基片在丙酮和无水乙醇中分别用超声波清洗15min后吹干,然后将基片放置于真空沉积室中。选用Ag/SrBi2Nb2O9靶,Ag靶选用纯度99.99%的金属Ag片,为了使Ag和SrBi2Nb2O9同时沉积,实验中把呈扇形约1mm厚的Ag片,贴在直径为30mm的SrBi2Nb2O9靶材表面,从而使得Ag和SrBi2Nb2O9得以同时沉积在基片上,通过改变Ag片与SrBi2Nb2O9的面积比例,很容易得到不同Ag浓度的复合薄膜。基片与靶材的间距约为40mm,真空度达到8×10-4Pa时,再将基片温度升至700℃,并保持30分钟以改善基片表面质量;为防止Ag氧化,沉积过程中通入N2,气压保持在7Pa;采用准分子激光器,工作气体为XeCl,激光的输出波长308nm,激光能量达400mJ,重复频率4Hz,脉宽20ns。激光束经焦距为500mm的石英透镜聚焦,光束焦点落在旋转的Ag/SrBi2Nb2O9靶上,在激光沉积过程中,Ag/SrBi2Nb2O9靶材以均匀的速度旋转,从而使得Ag和SrBi2Nb2O9同时沉积在基片上,沉积时间为10min。
利用单光束纵向扫描技术(z-scan)进行测量薄膜的非线性光学性质,光源为调Q的YAG激光器,波长0.532μm,脉宽10ns,工作频率1Hz,能量探测采用双通道能量计(Rm6600),在透镜前利用小孔限模,从而得到良好的TEM00高斯光束输出模式,样品的移动精度可达0.05mm。小孔的线性透过率S为0.1,每一实验点由10个脉冲平均得到。图1和图2分别是Ag:SrBi2Nb2O9/MgO(100)复合薄膜开孔和小孔时的Z扫描结果,其中圆圈为实验测量结果,实线为理论值。实验结果表明:金属Ag的掺入降低了SrBi2Nb2O9的结晶性,由于表面等离子体共振,薄膜在432nm处出现了强烈的线性吸收,其三阶非线性极化率的实部达到8.052×10-7esu,表现出光学自聚焦特性;虚部为1.717×10-7esu,表现出非线性饱和吸收。可以看出,金属Ag的掺入使SrBi2Nb2O9的三阶光学非线性特性得到了增强。
实施例2
选用尺寸为5×10mm2的钛酸锶片作为基片,基片在丙酮和无水乙醇中分别用超声波清洗15min后吹干,然后将基片放置于真空沉积室中。选用Ag/SrBi2Nb2O9靶,Ag靶选用纯度99.99%的金属Ag片,把呈扇形约1mm厚的Ag片,贴在直径为30mm的SrBi2Nb2O9靶材表面,基片与靶材的间距约为40mm,真空度达到5×10-4Pa时,再将基片温度升至700℃,并保持30分钟以改善基片表面质量;沉积过程中通入N2,气压保持在7Pa;采用准分子激光器,工作气体为XeCl,激光的输出波长308nm,激光能量达400mJ,重复频率4Hz,脉宽20ns。激光束经焦距为500mm的石英透镜聚焦,光束焦点落在旋转的Ag/SrBi2Nb2O9靶上,在激光沉积过程中,Ag/SrBi2Nb2O9靶材以均匀的速度旋转,从而使得Ag和SrBi2Nb2O9同时沉积在基片上,沉积时间为30min。
实验结果表明:Ag:SrBi2Nb2O9/SrTO3薄膜的三阶非线性极化率达到10-7数量级,金属Ag的掺入使SrBi2Nb2O9的三阶光学非线性特性得到了增强。
实施例3
选用尺寸为10×10mm2的石英玻璃片(SiO2)作为基片,基片在丙酮和无水乙醇中分别用超声波清洗15min后吹干;然后将基片放置于真空沉积室中。选用Ag/SrBi2Nb2O9靶,Ag靶选用纯度99.99%的金属Ag片,把呈扇形约1mm厚的Ag片,贴在直径为30mm的SrBi2Nb2O9靶材表面,基片与靶材的间距约为40mm,真空度达到6×10-4Pa时,再将基片温度升至700℃,并保持30分钟以改善基片表面质量;沉积过程中通入N2,气压保持在7Pa;采用准分子激光器,工作气体为XeCl,激光的输出波长308nm,激光能量达400mJ,重复频率4Hz,脉宽20ns。激光束经焦距为500mm的石英透镜聚焦,光束焦点落在旋转的Ag/SrBi2Nb2O9靶上,在激光沉积过程中,Ag/SrBi2Nb2O9靶材以均匀的速度旋转,从而使得Ag和SrBi2Nb2O9同时沉积在基片上,沉积时间为20min。
实验结果表明:Ag:SrBi2Nb2O9/石英薄膜的三阶非线性极化率达到10-7数量级,金属Ag的掺入使SrBi2Nb2O9的三阶光学非线性特性得到了增强。
Claims (4)
1.一种具有高三阶非线性极化率χ(3)的复合薄膜,其特征在于,该复合薄膜为:Ag:SrBi2Nb2O9复合薄膜。
2.一种制备权利要求1所述的具有高三阶非线性极化率χ(3)的复合薄膜的方法,步骤如下:
(1)将基片清洗干净并吹干,该基片为MgO片或钛酸锶片或石英玻璃;
(2)将处理后的基片放入脉冲激光沉积(PLD)系统内:
(3)选用Ag/SrBi2Nb2O9靶材,其中Ag靶选用纯度为99.99%的金属Ag片,基片与靶材的距离为40mm;
(4)使真空沉积室内抽真空至5×10-4Pa-8×10-4Pa,通入纯度为99.99%的氮气,使气压保持在7Pa,利用脉冲激光沉积系统的准分子激光器,输出波长为308nm的激光,激光能量为400mJ,重复频率4Hz可调,脉宽20ns,激光束经焦距为500mm的石英透镜聚焦,焦点处的能量密度约为2J/cm2,光束焦点落在匀速旋转的Ag/SrBi2Nb2O9靶上,整个沉积时间为10-30分钟。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在步骤(4)中,将真空沉积室抽真空后,使基片温度升至700℃并保持30分钟。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤(1)中所述的基片清洗过程中,使基片在丙酮和无水乙醇中分别用超声波清洗15分钟。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005100801015A CN100368923C (zh) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | 具有高三阶非线性极化率χ(3)的复合薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005100801015A CN100368923C (zh) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | 具有高三阶非线性极化率χ(3)的复合薄膜及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1693981A CN1693981A (zh) | 2005-11-09 |
CN100368923C true CN100368923C (zh) | 2008-02-13 |
Family
ID=35353005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005100801015A Expired - Fee Related CN100368923C (zh) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | 具有高三阶非线性极化率χ(3)的复合薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100368923C (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4946128B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-06-06 | 旭硝子株式会社 | ニオブ酸ビスマス系微粒子の製造方法 |
CN106896616A (zh) * | 2017-03-21 | 2017-06-27 | 复旦大学 | 非线性光学薄膜In2Te3的吸收调控方法及其在光限幅领域的应用 |
CN115505880B (zh) * | 2022-09-28 | 2024-03-12 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种具有周期性纳米级微裂纹结构的铌酸铋钙薄膜材料及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4795255A (en) * | 1986-10-03 | 1989-01-03 | Commissariat A L'energie Atomique | Apparatus and process for measuring non-linear order three optical characteristics in an isotropic phase |
US5023139A (en) * | 1989-04-04 | 1991-06-11 | Research Corporation Technologies, Inc. | Nonlinear optical materials |
CN1514272A (zh) * | 2002-12-31 | 2004-07-21 | 中国科学院物理研究所 | 具有缺陷态的二维光子晶体光开关及其应用 |
-
2005
- 2005-06-29 CN CNB2005100801015A patent/CN100368923C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4795255A (en) * | 1986-10-03 | 1989-01-03 | Commissariat A L'energie Atomique | Apparatus and process for measuring non-linear order three optical characteristics in an isotropic phase |
US5023139A (en) * | 1989-04-04 | 1991-06-11 | Research Corporation Technologies, Inc. | Nonlinear optical materials |
CN1514272A (zh) * | 2002-12-31 | 2004-07-21 | 中国科学院物理研究所 | 具有缺陷态的二维光子晶体光开关及其应用 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
SrBi_2Nb_2O_9的PLD制备及其非线性光学特性. 宋蕊,顾豪爽,王忠太,陈侃松,章天金.功能材料2004年增刊,第35卷. 2004 * |
掺杂Fe 对SrBi2 Nb2O9 介电性质的影响. 宋蕊,顾豪爽,陈侃松.湖北大学学报(自然科学版),第26卷第2期. 2004 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1693981A (zh) | 2005-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Ganeev et al. | Nonlinear optical characteristics of nanoparticles in suspensions and solid matrices | |
Chen et al. | Nonlinear optical properties of laser deposited CuO thin films | |
Płóciennik et al. | Optical properties of MgO thin films grown by laser ablation technique | |
Hong et al. | Daylight-induced metal–insulator transition in Ag-decorated vanadium dioxide nanorod arrays | |
Dixit et al. | Electrochromism in MoO3 nanostructured thin films | |
Yang et al. | Excimer laser deposited CuO and Cu2O films with third-order optical nonlinearities by femtosecond z-scan measurement | |
Kodeary et al. | Tunable Piezophotonic Effect on Core‐Shell Nanoparticles Prepared by Laser Ablation in Liquids under External Voltage | |
WO2019169456A1 (en) | A method of forming porous graphene-based structures | |
Xenogiannopoulou et al. | Third‐Order Nonlinear Optical Response of Gold‐Island Films | |
CN100368923C (zh) | 具有高三阶非线性极化率χ(3)的复合薄膜及其制备方法 | |
Zhao et al. | Nonlinear optical properties of lanthanum doped lead titanate thin film using Z‐scan technique | |
Uchida et al. | Improving the laser-Induced-damage tolerance characteristics of 4-dimethylamino-N-methyl-4-stilbazoliumtosylate crystals for THz wave generation by annealing | |
Muhsin et al. | A study beyond laser fluence threshold on WO3 nanoparticle, employing pulsed laser ablation in liquid | |
Firsova et al. | Femtosecond infrared laser annealing of PZT films on a metal substrate | |
Guang et al. | Large Third-Order Nonlinear Optical Susceptibility of Rh-DopedBaTiO3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition | |
KR101385235B1 (ko) | 레이저 스크라이빙 기술을 이용한 투명전도막 미세 패터닝 방법 | |
CN1295170C (zh) | 利用飞秒激光在玻璃和晶体中诱导出功能晶体材料的方法 | |
CN100495081C (zh) | 制备纳米光栅的装置和方法 | |
CN112670402B (zh) | 一种单畴四方相弛豫铁电单晶的三维极化方法和装置 | |
Jiang et al. | Nonlinear optical properties of an ultrathin film containing porphyrin and poly (phenylenevinylene) units | |
Chen et al. | Large optical nonlinearity of Au nanoparticle-dispersed Ba0. 6Sr0. 4TiO3 films prepared by pulsed laser deposition | |
Yang et al. | Optical nonlinearities in Ag/BaTiO3 multi-layer nanocomposite films | |
Li et al. | EFFECTS OF Co CONCENTRATION ON THE STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF Zn 1− x Co x S FILMS | |
Alnayli et al. | Non Linear optical properties of silver nanoparticles doped polyvinyl alcohol | |
CN110357450A (zh) | 一种金属氧化物基底及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20080213 Termination date: 20100629 |