CN100346403C - 只读信息存储介质和从其再现数据的方法 - Google Patents

Abstract

一种只读信息存储介质，包括：数据区域，其存储用户数据；引入区域；和引出区域。一种用于实现目的的图样形成在引入区域和引出区域的至少一个中。

Description

只读信息存储介质和从其再现数据的方法

                        技术领域

本发明涉及一种在其中用于数据再现所需的图样形成在引入区域和/或引出区域中，因此提高再现特性的高密度只读光学信息存储介质，以及一种从这种高密度只读光学信息存储介质再现数据的方法。

                        背景技术

通常，信息存储介质如，例如，光盘被广泛地使用在用于以非接触方式记录/再现信息的光学拾取设备中。光盘根据其信息存储容量可分类为压缩盘(CD)或数字多功能盘(DVD)。可记录的光盘的例子包括650MB的CD-R、CD-RW、4.7GB的DVD+RW、DVD-RAM(随机访问存储器)、和DVD-R/RW(可重写)。此外，正在开发具有20GB或更大的记录容量的HD-DVD。

如上所述，随着信息存储介质的容量的增加，记录在只读信息存储介质上的凹坑的长度和宽度降低。由于凹坑长度和凹坑宽度的这种减小，用于最小标记的信号变得很小，这使得测量调制度很困难。需要调制度测量来测量数据信号的记录和/或再现性能。例如，基于游程限制RLL(d，k)调制技术的调制度是I(d+1)/I(k+1)，其中，I表示在网眼图样(eye pattern)中的信号的强度。该网眼图样是示出数据信号的特性的曲线图。

在游程限制(RLL)调制技术中，基于在值为1的两个比特之间存在多少值为0的比特来执行调制。RLL(d，k)表示在两个为1的比特之间的为0的比特的最小和最大数目分别是d和k。例如，RLL(1，7)表示在两个为1的比特之间的为0的比特的最小和最大数目分别是1和7。在RLL(1，7)调制技术中，如果一个为0的比特存在于为1的两个比特之间，则数据“1010101”被记录。于是，在为1的两个比特之间的长度是2T。如果7个为0的比特存在于两个为1的比特之间，则数据“10000000100000001”被记录，因此，在两个为1的比特之间的长度是8T。于此，T表示最小标记，即最小凹坑的长度。于是，在RLL(1，7)调制技术中，以在2T和8T之间的长度的范围内的凹坑和间隔的形式来记录数据。

在RLL(2，10)调制技术中，以在3T和11T之间的长度的范围内的凹坑和间隔的形式来记录数据。

在RLL(1，7)调制技术中，调制度被测量为I₂/I₈。在RLL(2，10)调制方法中，调制度被测量为I₃/I₁₁。

图1示出传统只读信息存储介质的引入区域的结构。引入区域包括：控制数据区100a、缓冲区100b、和信息区100d。控制数据区100a存储盘有关信息和复制保护信息。信息区100d存储关于驱动器或盘的状态的信息。引入区域还包括用于存储还没有被确定但以后将被加入的数据的保留区100c。

如图1所示，传统只读信息存储介质不包括用于测量调制度的区域。因此，测量员必须直接从记录在用户数据区域中的数据的网眼图样来测量调制度。

图2示出在基于RLL(1，7)调制技术的数据记录期间用于随机信号的网眼图样。在图2中，水平轴表示时间，垂直轴表示信号的强度(I)。在相关技术中，当使用图2示出的这种网眼图样来测量调制度时，测量员将示波器的光标移动到与2T长最小凹坑相应的信号图样的波形的波峰以测量I₂，另外，将示波器的光标移动到与8T长的最大凹坑相应的信号图样的波形的波峰以测量I₈，从而测量为I₂/I₈的调制度。

然而，随着信息存储介质的记录容量的增加，最小凹坑的长度和宽度降低，于是，最小凹坑的网眼图样变得更小而更难准确地测量。因此，在这种传统调制度测量技术中，不同的测量员可能输出不同的测量结果，因此增加了错误。换言之，随着网眼图样的幅值的降低，测量员更可能将示波器光标移动到与最小凹坑的长度相应的信号图样的波形的波峰上的不同位置。因此，测量的调制度的准确度下降。随着信息存储介质的容量的增加，这个问题变得更严重。另外，随着在相邻凹坑之间的间隔的长度的降低，产生严重的串扰，这妨碍了调制度的准确测量。

在数据再现时，上述的调制度测量是必须的。在数据再现时，系统自适应过程也是必须的。用于数据再现的这些要求必须被满足以实现平稳数据再现。

                         发明内容

本发明提供一种只读信息存储介质，在其中，数据再现所需的用于实现用途的图样形成在引入区域和引出区域的至少一个中，并且通过使用该图样来提高再现特性，以及一种从该只读信息存储介质再现数据的方法。

将在接下来的描述中部分阐述本发明另外的方面和/或优点，还有一部分通过描述将是清楚的，或者可以经过本发明的实施而得知。

根据本发明的一方面，提供了一种只读信息存储介质，该介质包括：用户数据区域，其存储用户数据；引入区域；和引出区域。用于实现用途的图样形成在引入区域和引出区域的至少一个中。

该图样可以是用于当使用数据记录调制技术记录数据时测量调制度的测试图样。

可以以在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的至少一个最小凹坑和一个最大凹坑被记录在一个周期内的方式来记录测试图样。

测试图样可以包括具有与最小和最大凹坑的长度不同的长度的凹坑。

测试图样可包括在每个记录单位中交替的通过数据记录调制技术产生的凹坑中的最小凹坑和最大凹坑。

测试图样可以包括在每个记录单位中交替的第一和第二图样。第一图样可包括在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的最小凹坑和具有与最小凹坑不同的长度的凹坑，第二图样可包括在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的最大凹坑和具有与最大凹坑不同的长度的凹坑。

在测试图样的再现中，可以使用微分相位检测(DPD)方法或推挽方法来执行跟踪。

数据记录调制技术可以是RLL(d，k)调制技术。

测试图样可以产生为0的信号特性曲线图的DC和。

测试图样可包括(d+1)T凹坑的第一数据图样和(k+1)T凹坑的第二数据图样。

第一和第二数据图样的整个长度可以是(d+1)和(k+1)的最小公倍数的2n倍(n是自然数)。

图样的使用的用途可以是数据再现。

用于用途的图样可以是用于非对称测量的图样。

测试区可被包括在引入区域和引出区域中的至少一个中，并且用于用途的图样形成在测试区中。

根据本发明的另一方面，提供了一种只读信息存储介质，包括：数据区域，其存储用户数据；引入区域；引出区域。用于局部响应最大相似(PRML)自适应的图样形成在引入区域和引出区域的至少一个中。

用于PRML自适应的图样根据PRML系统的目标通道和RLL(d，k)码的d的值来变化。

当PRML(a，b，b，b，a)系统和RLL(d，k)码(其中，d是1)用于数据再现时，用于PRML自适应的图样可以包括具有2T、3T长度至少一个和从5T到(k+1)T的范围内的长度的信号。

当PRML(1，2，2，2，1)系统和RLL(d，k)码(其中，d是1)用于数据再现时，用于PRML自适应的图样可包括具有3T和具有从5T到(k+1)T范围的至少一个的长度的信号。

当PRML(a，b，b，a)系统和RLL(d，k)码(其中，d是1)用于数据再现时，用于自适应的图样可以是2T/2T/4T/4T的图样。

当PRML(a，b，a)系统和RLL(d，k)码(其中，d是1)用于数据再现时，用于PRML自适应的图样可以是每个具有3T长度的信号的图样。

当PRML系统和RLL(d，k)码用于数据再现时，用于PRML自适应的图样可以包括具有从2T到(k+1)T范围内的长度的信号中的至少一个。

根据本发明的另一方面，提供了一种从包括用于存储用户数据的用户数据区域、引入区域和引出区域的只读信息存储介质再现数据的方法。该方法包括：在引入区域和引出区域的至少一个中形成用于实现测试和自适应操作之一的图样，这两种操作是数据再现所必需的；使用该图样执行测试和自适应操作之一；和再现该数据。该图样是测试图样和自适应图样之一，其中，当该执行是执行测试操作时，该图样是测试图样，其中，当该执行是自适应操作时，该图样是自适应图样。

测试执行步骤可包括跟踪测试图样，和通过使用测试图样的信号特性曲线图来测量调制度。

根据本发明的另一方面，提供了一种从只读信息存储介质再现数据的方法，该只读信息存储介质包括：数据区域，用于存储数据；引入区域；引出区域，并且数据再现所需的用于实现用途的图样形成在引入区域和引出区域的至少一个中。该方法包括：使用该图样执行测试操作和自适应操作之一；和再现该数据。该图样是测试和自适应图样之一，其中，当该执行是执行测试操作时，该图样是测试图样，其中，当该执行是自适应操作时，该图样是自适应图样。

根据本发明的另一方面，提供了一种测量表示数据记录和/或再现性能的调制度的方法。该方法包括：读取具有可去除的DC分量的图样，并且响应读取的图样来产生数据信号；去除图样的DC分量；和使用信号特性曲线图来测量数据信号的调制度。图样形成在只读信息存储介质的引入区域和引出区域的至少一个中。

根据本发明的另一方面，提供了一种优化数据再现特性的方法。该方法包括：读取形成在包括存储数据的数据区域、引入区域和引出区域的只读信息存储介质的图样，该图样形成在引入区域和引出区域的至少一个中。该图样是用于调制度测量的图样、局部响应最大相似(PRML)自适应图样、和用于非对称测量的图样的至少一个。

                        附图说明

图1示出传统只读信息存储介质的引入区域的结构；

图2示出通过再现根据RLL(1，7)调制方法记录的数据获得的信号的网眼图样；

图3示意性地示出根据本发明实施例的只读信息存储介质的数据结构；

图4A到图4D示出用于调制度测量的图样的例子，该图样记录在包括在图3的只读信息存储介质中的测试区中；

图5A到图5C示出用于获得使用在图3的只读信息存储介质中的局部响应最大相似(PRML)系统的预期值的均衡器；

图6A示出用于单一图样的微分相位检测(DPD)信号和用于单一图样的推挽信号；

图6B示出均具有良好特性的推挽信号和射频(RF)信号；

图6C示出具有良好特性的DPD信号；和

图7是用于示出产生用于测量调制度的信号的过程的方框图。

                       具体实施方式

现在将详细地讨论本发明的实施方式，其例子在附图中示出，其中，相同标记始终指定同一部件。以下通过参考附图来描述实施例以解释本发明。

参考图3，根据本发明实施例的只读信息存储介质包括：用户数据区域20，其存储用户数据；引入区域10，其形成在用户数据区域20的内部边界以存储盘有关信息；和引出区域(未示出)，其形成在用户数据区域的外部边界。

在根据本发明的本实施例的只读信息存储介质中，用于实现用途的图样形成在引入区域10和引出区域中的至少一个中。

图样的用途在于从信息存储介质再现数据。例如，图样可以是用于调制度测量、非对称测量、和局部响应最大相似(PRML)自适应中的至少一个的图样。图样形成于引入区域10和引出区域中的至少一个的一部分中。并且，图样可形成于引入区域10的测试区10d中。此外，测试区10d还可包括在引出区域中。图样可形成于引入区域10d和引出区域二者中以提高可靠性。

引入区域10包括：控制数据区10a，其存储盘有关信息和复制保护信息；缓冲区10b；保留区10c；和信息区10e，其存储关于驱动器或盘的状态的信息。盘有关信息的例子包括：关于存储介质如可记录盘、一次写入盘和只读盘的类型的信息、关于记录层的数目的信息、关于记录速度的信息、关于盘的尺寸的信息等等。

例如，用于测量调制度的凹坑图样可形成在测试区10d中。现在将详细解释用于测量已经根据RLL(d，k)调制方法记录的数据的调制度的方法。

如上所述，RLL(d，k)调制方法是基于在为1的两个比特之间的为0的比特的最小和最大数目分别是d和k的定义。在这种情况下，至少在周期(P)内包括最小凹坑和最大凹坑的图样形成在测试区10d中。例如，在RLL(1，7)调制方法中，数据以在2T和8T之间长度范围内的凹坑和间隔的形式被记录。于是，在周期(P)内包括至少一个2T凹坑和一个8T凹坑的图样形成在测试区10d中。于此，T表示最小标记的长度。

更具体地讲，如图4A所示，在一个周期(P)内包括2T凹坑和8T凹坑的图样形成在测试区10d中。在这种情况下，周期(P)是记录单位如纠错码(ECC)块、扇区、和帧。地址记录在每个记录单位的头部。

另外，连续2T凹坑被布置在记录单位的前半部分，连续8T凹坑被布置在其后半部分。此外，2T凹坑和8T凹坑可以交替如2T/8T/2T/8T/2T/8T，或者可形成2T/2T/8T/2T/2T/8T的图样。换言之，2T和8T凹坑可以以各种方式来组合以形成图样。这时，如图4B所示，一个周期包括两个记录单位。在图4B中，2T的最小凹坑被记录在两个记录单位之一中，8T的最大凹坑被记录在另一个记录单位中。换言之，如果最小凹坑的图样被记录在一个记录单位中，则最大凹坑的图样被记录在下一个记录单位中。

另外，最小凹坑、最大凹坑、和具有与最小和最大凹坑不同的长度的凹坑的图样可形成在一个周期(P)中。与最小和最大凹坑不同的凹坑具有在最小和最大凹坑的长度之间的中间长度。例如，如图4C所示，2T、5T、和8T凹坑的图样被记录在一个周期(P)中。在这种情况下，与图4A的例子相同，周期(P)是记录单位如ECC块、扇区、或帧。

如图4D所示，通过将包括最小凹坑和具有与最小凹坑长度不同的凹坑的第一图样和包括最大凹坑和具有与最大凹坑波长不同的凹坑的第二图样交替，也可形成用于调制度测量的图样(以下，称作测试图样)。第一和第二图样的每个被记录在每个记录单位中。在这种情况下，周期(P)包括两个记录单位。每个记录单位可以是纠错码(ECC)块、扇区、或帧。因此，第一图样可记录在第n ECC块中，第二图样可记录在第(n+1)ECC块。例如，如图4D所示，两个2T凹坑和一个5T凹坑的第一图样和两个8T凹坑和一个5T凹坑的第二图样被记录在周期(P)中。

记录在测试区10d中的测试图样被构造，从而DC和变成0，因此增加信号再现的可靠性。

如上所述，包括最小凹坑和最大凹坑的测试图样至少被周期地记录在测试区10d中，通过使用用于测试图样的信号，可容易地测量调制度。存储测试图样的测试区10d可被包括在引出区域和引入区域中以测量内部和外部边界二者的再现性能。由于引出区域的结构与引入区域的结构相似，所以将不详细地描述。

替代测试图样，用于对局部响应最大相似(PRML)自适应的图样(以下，称作PRML自适应图样)可形成在测试区10d中。在PRML检测技术中，输入信号首先被预解码，从而当前和先前数据具有码元间干扰，然后预编码的输入信号被调制成目标响应。通过裴特比(viterbi)解码器，目标响应的值被解码成数据。根据PRML检测技术，通过均衡来补偿通道特性(即，失真)，并且使用裴特比解码器来实现由于抖动导致的纠错。

当RLL(d，k)码应用在PRML检测技术时，PRML自适应图样根据PRML系统的目标通道和在RLL(d，k)码中的“d”的值来变化。例如，在PRML(a，b，b，b，a)系统中，在括号中的值表示目标通道。PRML自适应图样表示可从PRML系统的目标通道获得的所有预期值，并且由从具有从(d+1)T到(k+1)T范围内的长度的信号中选择的至少一个信号形成。如果可能，由从具有在从(d+1)T到(k+1)T范围内的长度的信号中选择的具有最小长度的信号形成PRML自适应图样。

图5A示出用于获得预期值的均衡器，该预期值在RLL(d，k)码(其中，d是1)和PRML(a，b，b，b，a)系统被用于根据本发明的只读信息存储介质的情况下可表示。在下面表1中示出了获得的预期值。

输入	输出(预期值)	输入	输出(预期值)
				11111	2a+3b	-1-1-1-1-1	-2a-3b
1111-1	3b	-1-1-1-11	-3b
				111-1-1	b	-1-1-111	-b
11-1-1	-b	-1-1111	b
				11-1-11	2a-b	-1-111-1	-2a+b
1-1-1-1	-3b	-11111	3b
				1-1-111	2a-3b	-1111-1	-2a+3b
1-1-111	2a-b	-111-1-1	-2a+b

如表1所示，在RLL(d，k)码(其中，d是1)和PRML(a，b，b，b，a)系统被使用的情况下，总共可获得10个预期值。在PRML(1，2，2，2，1)系统被使用的情况下，为+8，+6，+4，+2，0，-2，-4，-6，和-8的9个预期值被获得。通过通过重复从具有2T长度、3T长度、和在5T到(k+1)T的范围内的长度的信号中选择的至少一个信号形成的PRML自适应图样可表示9个预期值。PRML自适应图样包括具有至少2T、3T、和5T的长度的信号。当3T/2T/2T/3T/5T/5T或2T/2T/3T/3T/5T/5T的重复图样被记录时，重复图样可用于当数据再现时实现对PRML(1，2，2，2，1)系统自适应的用途。使用重复图样，PRML(1，2，2，2，1)系统表示所有9个预期值。

图5B示出用于获得预期值的均衡器，该预期值在RLL(d，k)码(其中，d是1)和PRML(a，b，b，a)系统被用于根据本发明的只读信息存储介质的情况下可表示。在下面表2中示出了获得的预期值。

输入	输出(预期值)	输入	输出(预期值)
				1111	2a+2b	-1-1-1-1	-2a-2b
111-1	2b	-1-1-11	-2b
				11-1-1	0	-1-111	0

1-1-1-1	-2b	-1111	2b
				1-1-11	2a-2b	-111-1	-2a+2b

如表2所示，在RLL(d，k)码(其中d是1)和PRML(a，b，b，a)系统被使用的情况下，可表示总共7个预期值。在PRML(1，2，2，1)系统被使用的情况下，获得为+6、+4、+2、0、-2、-4、和-6的7个预期值。通过由从具有2T长度和在4T到(k+1)T范围内的长度的信号中选择的至少一个信号形成的PRML自适应图样可表示7个预期值。当数据被记录在2T 2T 4T 4T的重复图样中时，重复图样表示在PRML(1，2，2，1)系统和RLL(1，k)码被使用的情况下获得的所有7个预期值。因此，重复图样可用于当数据再现时实现对RLL(d，k)码和PRML(a，b，b，a)系统自适应的用途。换言之，通过包括2T和4T凹坑的图样可表示+6、+4、+2、0、-2、-4、和-6的所有的7个预期值。

图5C示出用于获得预期值的均衡器，该预期值在RLL(d，k)码(其中，d是1)和PRML(a，b，a)系统被用于根据本发明的本实施例的只读信息存储介质的情况下可表示。在下面表3中示出了获得的预期值。

输入	输出(预期值)
		111	2a+b
11-1	b
		1-1-1	-b
-1-1-1	-2a-b
		-1-11	-b
-111	b

如表3所示，在RLL(d，k)码(其中d是1)和PRML(a，b，a)系统被使用的情况下，可表示总共4个预期值。通过由从具有在3T到(k+1)T范围内的长度的信号中选择的至少一个信号形成的PRML自适应图样可表示4个预期值。PRML自适应图样可用于实现对RLL(d，k)码和PRML(a，b，a)系统自适应的用途。在PRML(1，2，1)系统和RLL(1，k)码被使用的情况下，获得为+4、+2、-2和-4的4个预期值。在这种情况下，通过3T凹坑的图样可表示所有4个预期值。

上述的PRML自适应图样可形成在引入区域10和引出区域(未示出)中的至少一个中。此外，该图样可形成在引入区域10的测试区10d中。

根据本发明的本实施例，用于实现用途的图样可以是用于非对称测量的图样。当RLL(d，k)码被使用时，用于非对称测量的图样至少包括a(d+1)T凹坑和a(k+1)T凹坑。

如上所述，在根据本发明的本实施例的只读信息存储介质中，用于用途如调制度测量、PRML自适应、和非对称测量的图样的至少之一形成在测试区10d中，以提高信息存储介质的再现特性。

现在将详细地描述从根据本发明的只读信息存储介质再现数据的方法。

如上所述，测试区被安装在引入区域和引出区域中的至少一个中，并且用于用途的图样形成在测试区中。当数据再现时，使用用于用途的图样，并且例如，包括用于调制度测量的图样(即，测试图样)、PRML自适应图样和用于非对称测量的图样中的至少一个。

测试图样可以是以上参考图4A到4D描述的图样中的任何一个。执行跟踪以使用由从通过数据记录调制技术产生的凹坑中选择的至少最小凹坑和最大凹坑形成的测试图样来测量调制度。

根据微分相位检测(DPD)方法或推挽方法可实现跟踪。在DPD方法中，使用聚焦在光电探测器例如象限光电探测器的光点的相位差来实现跟踪饲服。在推挽方法中，使用聚焦在光电探测器的光点的右-左(right-left)信号差来实现饲服。这些方法是公知的，所以将不再详细地描述。

当单一图样被跟踪时，使用DPD方法控制跟踪是困难的。图6A示出二者都用于由具有2T长度的凹坑和具有2T长度的间隔形成的单一图样的DPD信号和推挽信号。图6A的下部的曲线图示出DPD信号和推挽信号的放大的部分。图6B示出具有良好特性的推挽信号和通过使用推挽信号跟踪单一图样获得的射频(RF)信号。参考图6A和6B，用于单一图样的推挽信号具有良好特性。于是，最好，推挽方法使用在跟踪单一图样中。

图6C示出具有良好特性的DPD信号。与图6C相比，图6A的用于单一图样的DPD信号具有失真的三角波，从而正常的信号检测是不可能的。然而，DPD信号有利地跟踪随机图样。

因此，使用良好的检测方法，或者DPD检测方法或推挽方法，可以跟踪形成在测试区10d中的测试图样(即，用于调制度测量的图样)。

这种使用测试图样的跟踪建立信号特性曲线图，例如，网眼图样。信号特性曲线图被使用在测量调制度。根据RLL(1，7)调制技术，由2T最小凹坑和8T最大凹坑形成用于调制度测量的图样。从与2T最小凹坑相应的信号测量I_2T，从与8T最大凹坑相应的信号测量I_8T。此时，仅仅用于调制度测量的图样的信号可被检测，从而由于缺少其它信号的影响，所以最大和最小凹坑中的每个的信号的检测是容易的。

具体地讲，随着信息存储介质的记录容量的增加，最小凹坑的检测变得更困难。然而，在本发明的本实施例中，包括最小凹坑和最大凹坑的简单图样被用作用于调制度测量的图样，从而可以容易地测量调制度。随着最小凹坑的尺寸的降低，在相邻最小凹坑之间可能产生串扰。然而，根据本发明的用于调制度测量的图样包括规则布置的最小凹坑，从而串扰规则地产生。因此，尽管考虑到串扰的规则产生，但调制度还可以被测量。如果使用随机图样，则串扰在相邻凹坑之间随机地产生，从而考虑到串扰的影响，调制度测量是不可能的。

用于测量根据本发明的本实施例的只读信息存储介质的调制度的测试图样包括从使用在数据记录调制技术中的凹坑中选择的至少一个最小凹坑和一个最大凹坑，并且还被形成，从而信号特性曲线图具有为0的DC和。

根据RLL(d，k)调制方法中，以在(d+1)T和(k+1)T之间的长度的范围内的凹坑和间隔的形式来记录数据。在RLL(d，k)调制方法中，d表示最小游程，k表示最大游程。在与数据相应的信号的再现中，通过从在从调制的码的为d的最小游程到为k的最大游程的范围内的游程中选择两个特定游程来去除DC分量。例如，选择满足d≤i和j≤k的特定游程i和j。如图7所示，在调制的信号的再现中，随机比特值产生器25产生随机比特值，数据图样产生器27从随机比特值来产生第一和第二数据图样。第一和第二数据图样经过NRZI编码30产生比特流。标记32表示定时控制器。

第一和第二数据图样分别是连续(i+1)T凹坑的图样和连续(j+1)T凹坑的图样，其中，d≤i和j≤k。通过将第一和第二数据图样的整个长度设置成(i+1)和(j+1)的最小公倍数的2n(其中，n是自然数)倍可去除DC分量。

如果i是1并且j是7，则第一数据图样是2T凹坑的图样，第二数据图样是8T凹坑的图样。第一和第二数据图样的整个长度被设置成作为2T和8T的最小公倍数的8T的2n倍。如果n是1，则通过将2T凹坑重复8次以形成第一数据图样和将8T凹坑重复2次以形成第二数据图样，第一和第二数据图样的整个长度被设置成16T。如果n是2，则通过将2T凹坑重复16次以形成第一数据图样和将8T凹坑重复4次以形成第二数据图样，第一和第二数据图样的整个长度被设置成32T。如上所述，由分别根据特定游程i和j的重复凹坑形成第一和第二数据图样，并且该第一和第二数据图样的整个长度被设置成第一和第二数据图样的最小公倍数的偶数倍，从而产生为0的DC和。

第一数据图样至少包括最小凹坑，第二数据图样至少包括最大凹坑。换言之，在RLL(d，k)调制方法中，重复(d+1)T凹坑形成第一数据图样，重复(k+1)T凹坑形成第二数据图样。第一和第二数据图样的整个长度是(d+1)和(k+1)的最小公倍数的2n(n是自然数)倍。如果I表示(d+1)和(k+1)的最小公倍数，则(d+1)重复2np次，(k+1)重复2nq次。因此，p是I/(d+1)，q是I/(k+1)。上述内容被总结如表4。

	比特值	比特值的重复次数
			第一数据图样	0	2np
第二数据图样	1	2nq

当通过使用表4的图样构成测试图样来产生用于测量调制度的信号时，可获得为0的DC和。因此，调制度可被准确测量。

PRML自适应图样是如上参考图5A到图5C描述的图样中的任何一个。于是，可以从只读信息存储介质平稳地再现数据。

如上所述，用于调制度测量的图样、PRML自适应图样、和用于非对称测量的图样中的至少一个被记录在引入区域和引出区域的至少一个中。这些图样的使用使得数据再现特性优化。

                    产业上的可利用性

在根据本发明的本实施例的只读信息存储介质和从其再现数据的方法中，引入区域和引出区域的至少一个包括额外的测试区，在其中记录了用于数据再现所需的凹坑图样。因此，提高了数据再现的性能。

另外，防止由于由记录容量的增加导致的凹坑长度的降低而使得用于最小凹坑的信号测量变得困难。于是，调制度可准确地测量，因此，实现更可靠的数据再现。

在根据本发明的本实施例的数据再现方法中，用于调制度测量的测试图样形成在测试区中，可以使用关于测试图样的信号特性曲线图来测量可靠的调制度。此外，形成测试图样，从而可去除DC分量，使得调制度被更准确地测量。

此外，获得用于PRML自适应的最佳图样以容易地实现PRML自适应。因此，提高了数据再现的性能。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，但本发明不限于公开的实施例。另外，本领域的技术人员应该理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可在实施例中作出改变，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (21)

1、一种从包括用于存储用户数据的数据区域、引入区域和引出区域的只读信息存储介质再现数据的方法，包括：

在引入区域和引出区域的至少一个中形成用于实现测量操作和局部响应最大相似自适应操作之一的图样，这两种操作是数据再现所必需的；

使用该图样执行测量操作和局部响应最大相似自适应操作之一；和

再现该数据，

其中，该图样是测试图样和自适应图样之一，其中，当该执行是执行测量操作时，该图样是测试图样，其中，当该执行是自适应操作时，该图样是自适应图样。

2、如权利要求1所述的方法，其中，该测量操作包括：

跟踪测试图样；和

通过使用用于测试图样的信号特性曲线图来测量调制度。

3、如权利要求2所述的方法，其中，测试图样包括在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的至少一个最小凹坑和至少一个最大凹坑，并且该凹坑被记录在一个周期内。

4、如权利要求2所述的方法，其中，测试图样包括最小凹坑、最大凹坑、和具有与最小和最大凹坑的长度不同的长度的凹坑。

5、如权利要求3所述的方法，其中，一个周期相应于纠错码块、扇区、和帧之一。

6、如权利要求2所述的方法，其中，测试图样是在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的最小凹坑的图样和最大凹坑的图样，其中，图样交替地在每个记录单位中重复。

7、如权利要求2所述的方法，其中，测试图样包括在每个记录单位中交替的第一和第二图样，其中，第一图样包括在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的最小凹坑和具有与最小凹坑不同的长度的凹坑，第二图样包括在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的最大凹坑和具有与最大凹坑不同的长度的凹坑。

8、如权利要求2所述的方法，其中，以微分相位检测方法或推挽方法来执行该跟踪。

9、如权利要求3、6或7所述的方法，其中，数据记录调制技术是游程限制(d，k)调制技术，其中，参数d和k分别表示在为1的两个比特之间的为0的比特的最小和最大数目。

10、如权利要求9所述的方法，其中，测试图样包括至少一个具有(d+1)T长度的凹坑和至少一个具有(k+1)T长度的凹坑，并且这些凹坑被记录在一个周期内，其中，T表示最小标记的长度。

11、如权利要求9所述的方法，其中，测试图样包括至少一个具有(d+1)T长度的凹坑、至少一个具有(k+1)T长度的凹坑、和至少一个具有与(d+1)T和(k+1)T长度不同的长度的凹坑，并且这些凹坑被包括在一个周期内。

12、如权利要求10所述的方法，其中，该周期是一个和两个记录单位之一。

13、如权利要求1所述的方法，其中，测试图样产生为0的信号特性曲线图的DC和。

14、如权利要求1所述的方法，其中，测试图样包括(d+1)T凹坑的第一数据图样和(k+1)T凹坑的第二数据图样，其中，d和k分别表示在为1的两个比特之间的为0的比特的最小和最大数目，T表示最小标记的长度。

15、如权利要求14所述的方法，其中，第一和第二数据图样的整个长度是d+1和k+1的最小公倍数的2n倍，其中，n是自然数。

16、如权利要求1所述的方法，其中，该图样在形成于引入区域和引出区域的至少一个中的测试区中形成。

17、如权利要求9所述的方法，其中，图样根据局部响应最大相似系统的目标通道和游程限制(d，k)码的d的值而变化。

18、如权利要求1所述的方法，其中，该图样是用于非对称测量的图样。

19、一种测量表示数据记录和/或再现的性能的调制度的方法，包括：

读取具有可去除的DC分量的图样，并且响应该读取的图样来产生数据信号；

去除图样的DC分量；和

使用信号特性曲线图来测量数据信号的调制度，

其中，图样形成在只读信息存储介质的引入区域和引出区域的至少一个中。

20、一种优化数据再现特性的方法，包括：

读取形成在包括存储数据的数据区域、引入区域和引出区域的只读信息存储介质中的图样，该图样形成在引入区域和引出区域的至少一个中；

通过使用所述图样产生数据信号；

使用所述数据信号执行数据再现所需的操作；和

再现存储在数据区中的数据，

其中，所述执行数据再现所需的操作是调制度测量、局部响应最大相似自适应和非对称测量中的至少一个，并且所述图样是用于调制度测量的图样、局部响应最大相似自适应图样和用于非对称测量的图样中的至少一个。

21、如权利要求20所述的方法，其中，所述图样具有为0的DC和。

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