CH713453A1 - Process for producing a substrate with a boron-doped surface. - Google Patents

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CH713453A1
CH713453A1 CH00166/17A CH1662017A CH713453A1 CH 713453 A1 CH713453 A1 CH 713453A1 CH 00166/17 A CH00166/17 A CH 00166/17A CH 1662017 A CH1662017 A CH 1662017A CH 713453 A1 CH713453 A1 CH 713453A1
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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit zumindest einer, zumindest in einem Teilbereich bordotierten Oberfläche mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Substrats, das in einem vorbereitenden Schritt in eine Vakuumbehandlungsanlage eingebracht und dort, mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens mit einer borhaltigen ersten Schicht behandelt wurde; Tempern des Substrats zum Diffundieren des Bors in die Oberfläche. Wafer mit einer borhaltigen Oberfläche, hergestellt nach einem solchen Verfahren. Des Weiteren wird ein Sputterverfahren zur Abscheidung einer ersten borhaltigen Schicht oder eines Schichtsystems auf einem Substrat beansprucht, das in einer Vakuumbehandlungskammer gegenüber einem borhaltigen Träger angeordnet wird, wobei das Target eine kovalente Borverbindung umfasst und der Sputterprozess durch Anlegen einer hochfrequenten Spannung in einer Inertgas- und/oder Stickstoffatmosphäre erfolgt. Wafer mit einem auf einer ersten Oberfläche angebrachten Schichtsystem, mindestens eine borhaltige Schicht umfassend, die mit dem Sputterverfahren hergestellt wird.A process for the production of a substrate having at least one boron doped surface, at least in a subarea, comprising the following steps: providing a substrate which is introduced into a vacuum treatment plant in a preparatory step and treated there with a boron-containing first layer by means of a PVD or paCVD process has been; Annealing the substrate to diffuse the boron into the surface. Wafer with a boron-containing surface, prepared by such a process. Furthermore, a sputtering method is claimed for depositing a first boron-containing layer or a layer system on a substrate which is arranged in a vacuum treatment chamber with respect to a boron-containing support, wherein the target comprises a covalent boron compound and the sputtering process by applying a high-frequency voltage in an inert gas and / or nitrogen atmosphere takes place. A wafer having a first surface-mounted layer system comprising at least one boron-containing layer produced by the sputtering method.

Description

Beschreibung [0001] Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Substrates mit einer bordotierten Oberfläche entsprechend Anspruch 1, einen Wafer nach Anspruch 8 und 22, ein Sputterverfahren nach Anspruch 10 zur Abscheidung einer borhaltigen Schicht auf einem Substrat, sowie eine Vakuumbehandlungsanlage nach Anspruch 29 zur Durchführung des Sputterverfahrens.Description: The present application relates to a method for producing a substrate having a boron doped surface according to claim 1, to a wafer according to claim 8 and 22, to a sputtering method according to claim 10 for depositing a boron-containing layer on a substrate, and to a vacuum treatment system according to claim 29 for performing the sputtering method.

Technischer Hintergrund [0002] Siliziumsubstrate können für eine Vielzahl von Anwendungen, beispielsweise als Siliziumsubstrate in Form eines Wafers oder für eine dünnschicht Solarzelle oder für andere elektronische Bauelemente hergestellt werden. In einem Teiloder im gesamten Bereich zumindest einer Oberfläche des Siliziumsubstrats werden dazu Bereiche oder Teilbereiche erzeugt, die sich hinsichtlich der darin eingebrachten Dotanden-Elemente und/oder Dotandenkonzentrationen von Nachbarbereichen oder von der Oberfläche weiter entfernten Bereichen unterscheiden. Hierbei können Dotanden wie z.B. Phosphor verwendet werden, die negative Ladungen, d.h. Elektronen, freisetzen (n-Typ-Dotanden). Alternativ können Dotanden wie z.B. Bor eingebracht werden, die positive Ladungen, d.h. Löcher, freisetzen (p-Typ-Dotanden). Durch die damit verbundene Ausbildung eines elektrischen Potentials können je nach Anordnung unterschiedliche gewünschte Funktionen im Substrat ausgebildet werden.Background Art Silicon substrates can be made for a variety of applications, for example, as silicon substrates in the form of a wafer or for a thin film solar cell or for other electronic devices. In a part or in the entire region of at least one surface of the silicon substrate, regions or partial regions are generated for this purpose which differ with regard to the dopant elements and / or dopant concentrations introduced therein from neighboring regions or from regions further away from the surface. Here, dopants such as e.g. Phosphorus, the negative charges, i. Electrons, release (n-type dopants). Alternatively, dopants such as e.g. Boron, the positive charges, i. Holes, release (p-type dopants). Due to the associated formation of an electrical potential, different desired functions can be formed in the substrate, depending on the arrangement.

[0003] Beispielsweise umfassen Solarzellen im allgemeinen ein Siliziumsubstrat, das vordotiert sein kann (beispielsweise leicht p-dotiert), mit einem auf der Oberfläche der Vorderseite eingebrachten n-dotierten n+-Bereich. Auf der Rückseite kann dabei ein zusätzlich p-dotierter p+-Bereich vorgesehen sein.For example, solar cells generally include a silicon substrate that may be predoped (eg, slightly p-doped) with an n-doped n + region introduced on the surface of the front side. An additional p-doped p + region can be provided on the rear side.

[0004] Die Herstellung dotierter Bereiche kann beispielsweise durch Aufbringen einer phosphorpentoxidhaltigen Siliziumdioxid-Lösungen, mittels Rotationsbeschichtung (Spin-coating oderSpin-Verfahren) erfolgen, bei dem eine entsprechende Lösung zentral auf eine Oberfläche des Wafers aufgebracht und anschliessend durch Rotation verteilt wird. Im Folgenden wird das Substrat bei einer erhöhten Drehzahl und/oder thermisch getrocknet. Das Prozedere wird für die gegenüberliegende Seite mit einer komplementären, bspw. boroxidhaltigen Siliziumdioxid-Lösung wiederholt und anschliessend der beidseitig beschichtete Wafer beispielsweise bei 1010° getempert um die Diffusionsbereiche auf beiden Seiten des Wafers auszubilden. In WO 2011/061 693 A2 sowie in WO 2011/061 694 A2 wird u.a. die Herstellung einer Solarzelle mit einem wie oben beschriebenen Verfahren im Detail beschrieben. Dabei ist darauf zu achten, dass die entsprechenden Lösungen jeweils nicht Teilbereiche der gegenüberliegenden Oberfläche verunreinigen.The production of doped regions, for example, by applying a phosphorpentoxidhaltigen silicon dioxide solutions, by spin coating or Spin method), in which a corresponding solution is applied centrally on a surface of the wafer and then distributed by rotation. In the following, the substrate is dried at an increased speed and / or thermally. The procedure is repeated for the opposite side with a complementary, for example boron oxide-containing silicon dioxide solution, and then the wafer coated on both sides is tempered, for example, at 1010 ° in order to form the diffusion regions on both sides of the wafer. In WO 2011/061 693 A2 as well as in WO 2011/061 694 A2 u.a. the production of a solar cell with a method as described above in detail. It is important to ensure that the respective solutions do not contaminate parts of the opposite surface.

[0005] Entsprechende Spin-verfahren benötigen eine Vielzahl von Prozessschritten und sind bezüglich der Wahl und Einhaltung der Parameter wie Konzentrationsverhältnisse in den Lösungen, Drehgeschwindigkeit und dadurch erzeugte Schichtdicke, etc. kritisch.Corresponding spin processes require a large number of process steps and are critical with respect to the choice and compliance with the parameters, such as concentration ratios in the solutions, rotational speed and layer thickness produced, etc.

Offenbarung und Ausführungsformen [0006] Ein Ziel des vorliegend Verfahren ist es somit ein gegenüber dem Stand der Technik besser reproduzierbares Verfahren zur Herstellung einer bordotierten Oberfläche eines flächigen, also im Wesentlichen zweidimensionalen Halbleitersubstrats zur Verfügung zu stellen. Des Weiteren soll damit die Anzahl der Verfahrensschritte reduziert und weitest möglich auf den Einsatz kritischer Chemikalien, insbesondere unter atmosphärischen Bedingungen, verzichtet werden.DISCLOSURE AND EMBODIMENTS It is therefore an object of the present method to provide a method that is more reproducible than the prior art for producing a boron-doped surface of a planar, ie substantially two-dimensional semiconductor substrate. Furthermore, this is intended to reduce the number of process steps and to the greatest extent possible to dispense with the use of critical chemicals, in particular under atmospheric conditions.

[0007] Ein solches Verfahren zur Herstellung einer, zumindest in einem Teilbereich bordotierten Oberfläche umfasst folgende Schritte: - Bereitstellen eines Substrats, dass in einem vorbereitenden Schritt in eine Vakuumbehandlungsanlage eingebracht und dort, mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens mit einer bohrhaltigen ersten Schicht behandelt wurde, sowie - Tempern des Substrats zum Diffundieren des Bors in die Oberfläche.Such a method for producing a boron-doped surface, at least in a partial area, comprises the following steps: Providing a substrate that is introduced in a preliminary step in a vacuum treatment plant and there, using a PVD or a paCVD method with a drill-containing first Layer, and - annealing the substrate to diffuse the boron into the surface.

[0008] Das Bereitstellen des Substrats kann dabei folgende Schritte umfassen: - Einbringen des Substrats in eine Vakuumbehandlungs-anlage und Abpumpen der Vakuumbehandlungsanlage, - Anordnen des Substrats in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage und Beschichten des Substrats mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens mit einer borhaltigen ersten Schicht in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage.The provision of the substrate may comprise the following steps: introducing the substrate into a vacuum treatment plant and pumping out the vacuum treatment plant, arranging the substrate in a coating chamber of the vacuum treatment plant and coating the substrate by means of a PVD or a paCVD process a boron-containing first layer in a coating chamber of the vacuum treatment plant.

[0009] Das Tempern kann in einer Temperkammer der Vakuumbehandlungsanlage oder in einem Temperofen ausserhalb der Vakuumbehandlungsanlage vorgenommen werden.The tempering can be carried out in an annealing chamber of the vacuum treatment plant or in a tempering outside the vacuum treatment plant.

[0010] Zwischen dem Beschichten und Tempern kann zusätzlich in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage eine siliziumhaltige zweite Schicht mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens auf der bohrhaltigen ersten Schicht aufgebracht werden.Between the coating and tempering, a silicon-containing second layer may additionally be applied to the drill-containing first layer in a coating chamber of the vacuum treatment plant by means of a PVD or paCVD process.

[0011] Das Substrat kann dabei ein Wafer insbesondere ein Siliziumwafer sein, der auf einer ersten Oberfläche beschichtet wird, wobei eine zweite, der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche während des Aufbringens der ersten oder/und der zweiten Schicht, gegen eine Beschichtung geschützt ist. Ein solcher Schutz kann in bekannterWeise durch eine Halterung einer Vakuumanlage oder bspw. durch das auffliegen der nicht zu beschichtenden Fläche des Substrats, bspw. auf einen Chuck einer Beschichtungsanlage gewährleistet sein.The substrate may be a wafer, in particular a silicon wafer, which is coated on a first surface, wherein a second, the first surface opposite surface during the application of the first and / or the second layer, is protected against a coating. Such protection can be ensured in known manner by holding a vacuum system or, for example, by flying up the surface of the substrate which is not to be coated, for example onto a chuck of a coating installation.

[0012] Der Wafer kann dabei grundsätzlich auf der zweiten Oberfläche mit einer phosphorhaltigen dritten Schicht vorbeschichtet sein oder alternativ, vor dem Tempern nachbeschichtet werden. Grundsätzlich ist die vorhergehende Beschichtung zu bevorzugen, da in diesem Fall die Wafer bspw. auch direkt in der Vakuumbehandlungsanlage getempert werden können.The wafer may in principle be pre-coated on the second surface with a phosphorus-containing third layer or, alternatively, post-coated before annealing. In principle, the preceding coating is to be preferred, since in this case the wafers, for example, can also be tempered directly in the vacuum treatment plant.

[0013] Als Verfahren zum Aufbringen der ersten oder/und der zweiten Schichte kann ein PVD-Verfahren, dabei bevorzugt ein Sputterverfahren, insbesondere ein Magnetronsputterverfahren angewendet werden.As a method for applying the first and / or the second layer, a PVD method, preferably a sputtering method, in particular a magnetron sputtering method can be used.

[0014] Die Erfindung umfasst auch einen Wafer bzw. eine Solarzelle mit einer bordotierten Oberfläche die nach einem wie oben beschriebenen Verfahren hergestellt wurde. Insbesondere können damit auch sogenante Bifacial-Solarzelle hergestellt werden, die Licht sowohl auf der Vorder- als auch auf der Rückseite aufnehmen bzw. zur Stromerzeugung nutzen.The invention also includes a wafer or a solar cell with a boron doped surface which was prepared by a method as described above. In particular, so-called bifacial solar cell can be produced, which absorb light on both the front and on the back or use for power generation.

[0015] Zur Herstellung der ersten bohrhaltigen Schicht oder eines bohrhaltigen Schichtsystems auf einem flächigen Halbleitersubstrat eignet sich besonders ein Sputterverfahren bei dem das Substrat in einer Beschichtungskammer einer Va-kuumbbehandlungsanlage gegenüber einem borhaltigen Target angeordnet wird, wobei das Target eine kovalente Borverbindung umfasst und diese durch das Anlegen einer hochfrequenten Spannung in einer zumindest edelgashaltigen und/oder stickstoffhaltigen Atmosphäre abgesputtert wird. Unter kovalent wird hierbei eine Verbindung des Bors mit einem anderen Element angesehen, bei der der Unterschied in der Elektronegativität nach Pauling zwischen Bor und dem zweiten die Verbindung konstituierenden Element <1.1, insbesondere < 1 ist. Das Target besteht dabei vorteilhafterweise zumindest zu 99.0%, insbesondere zu 99,9% aus der zu sputternden Borverbindung, bspw. aus Bornitrid (BN). Mit einem solchen Sputterverfahren kann eine Bornitrid-Schicht abgeschieden werden wobei zur Einstellung des B/N-Verhältnisses ein stickstoffhaltiges Gas dabei insbesondere Stickstoff verwendet werden kann. Alternativ oder zusätzlich kann dabei eine BOxNy-Schicht durch Sputtern des bor-haltigen Targets in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre abgeschieden werden. Bevorzugt enthält die Sputteratmos-phäre zur Abscheidung der BOxNy-Schicht zumindest Sauerstoff und ein Edelgas. So kann mit dem Sputterverfahren zur Herstellung eines bohrhaltigen Schichtsystems zunächst eine BN-Schicht durch Sputtern des bohrhaltigen Targets in einer zumindest edelgas- und/oder stickstoffhaltigen Atmosphäre und anschliessend eine BOxNy-Schicht durch Sputtern des borhaltigen Targets in einer sauerstoffhaltigen, bzw. zusätzlich Stickstoffstoffhaltigen Atmosphäre abgeschieden werden, wobei im letzten Schritt bevorzugt zusätzlich zu Sauerstoff ein Edelgas verwendet wird. Als Edelgase eigenen sich dabei Helium, Neon, Krypton, insbesondere aber Argon. Ein Zudosieren von Stickstoff, bspw. als N2-Gas oder NxOy-Gas (z.B. N2O, NO oder NO2) kann auch in diesem Prozesschritt zur Regelung, beispielsweise eines gradierten N/O-Verhältnisses, angewandt werden. Das Target kann dabei Bornitrid umfassen, insbesondere aber aus Bornitrid bestehen. Eine alternative Verbindung mit geringem Unterschied bezüglich der Elektronegativität ist Borcarbid (BC). Die Schichtdicke wird unabhängig vom Verfahren zwischen 1 nm und 6 nm, dabei bevorzugt zwischen 2 nm und 5 nm eingestellt, wozu sich das Sputterverfahren auf Grund der hohen Abbildungstreue der Beschaffenheit der beschichteten Oberfläche und der geringen Fehlstellenzahl besonders eignet. Durch das Einstellen der entsprechenden Schichtdicken wird auch der Flächenwiderstand nach dem Tempern eingestellt. So wird nach dem Tempern der damit beschichteten Wafer bzw. Solarzellen ein Flächenwiderstand zwischen 30 Ω bis 100 Ω eingestellt, der mit der 4-Spitzen-mess-methode (four point probe resistance measurement) gemessen wurde.For producing the first boron-containing layer or a boron-containing layer system on a planar semiconductor substrate, a sputtering process is particularly suitable in which the substrate is arranged in a coating chamber of a va-kuumbbehandlungsanlage against a boron-containing target, wherein the target comprises a covalent boron compound and this sputtering the application of a high-frequency voltage in an at least noble gas-containing and / or nitrogen-containing atmosphere. Under covalent here a connection of the boron with another element is considered, in which the difference in the electronegativity according to Pauling between boron and the second compound constituting element <1.1, in particular <1. The target advantageously consists of at least 99.0%, in particular 99.9%, of the boron compound to be sputtered, for example of boron nitride (BN). With such a sputtering method, a boron nitride layer can be deposited, wherein a nitrogen-containing gas, in particular nitrogen, can be used to adjust the B / N ratio. Alternatively or additionally, a BOxNy layer can be deposited by sputtering the boron-containing target in an oxygen-containing atmosphere. Preferably, the sputtering atmosphere for the deposition of the BOxNy layer contains at least oxygen and a noble gas. Thus, with the sputtering method for producing a drilling layer system, first a BN layer by sputtering the target containing boron in an at least noble gas and / or nitrogen-containing atmosphere and then a BOxNy layer by sputtering the boron-containing target in an oxygen-containing, or additionally nitrogen-containing atmosphere are deposited, wherein in the last step preferably in addition to oxygen, a noble gas is used. Suitable noble gases are helium, neon, krypton, but especially argon. Metering of nitrogen, for example as N 2 gas or N x O y gas (e.g., N 2 O, NO or NO 2) may also be used in this process step to control, for example, a graded N / O ratio. The target may comprise boron nitride, but in particular consist of boron nitride. An alternative compound with little difference in electronegativity is boron carbide (BC). The layer thickness is set independently of the method between 1 nm and 6 nm, preferably between 2 nm and 5 nm, to which the sputtering method is particularly suitable due to the high image fidelity of the nature of the coated surface and the low number of defects. By adjusting the corresponding layer thicknesses, the sheet resistance after annealing is also set. Thus, after annealing the wafer or solar cells coated therewith, a sheet resistance between 30 Ω and 100 Ω is set, which was measured using the four-point probe resistance measurement method.

[0016] Zusätzlich zu der borhaltigen Schicht, bzw. dem ersten bor-haltigen Schichtsystem kann eine zweite siliziumhaltige Schicht, bzw. ein zweites siliziumhaltiges Schichtsystem aufgebracht werden, wobei das Substrat in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage gegenüber einem siliziumhaltigen Target angeordnet und dieses in einer zumindest edelgashaltigen und/oder reaktivgashaltigen Atmosphäre abgesputtert wird. Neben den oben genannten Reaktivgasen kann hier insbesondere Stickstoff und/oder Sauerstoff verwendet werden. Dabei kann eine Silizium-, eine Siliziumnitrid-, eine Siliziumoxyd- und/oder eine Siliziumoxynitridschicht abgeschieden werden. Bevorzugt wird eine Siliziumnitridschicht, insbesondere eine Siliziumoxydschicht abgeschieden. Als Targetmaterial kann Silizium, Siliziumnitirid oder Siliziumoxyd abgesputtert werden. Die Schichtdicke des zweiten Schichtsystems kann in einem 10 bis 20 nm umfassenden Bereich eingestellt werden.In addition to the boron-containing layer, or the first boron-containing layer system, a second silicon-containing layer, or a second silicon-containing layer system can be applied, wherein the substrate disposed in a coating chamber of the vacuum treatment plant against a silicon-containing target and this in an at least noble gas-containing and / or reactive gas-containing atmosphere is sputtered. In addition to the reactive gases mentioned above, in particular nitrogen and / or oxygen can be used here. In this case, a silicon, a silicon nitride, a silicon oxide and / or a silicon oxynitride layer can be deposited. Preferably, a silicon nitride layer, in particular a silicon oxide layer is deposited. Silicon, silicon nitride or silicon oxide can be sputtered off as the target material. The layer thickness of the second layer system can be adjusted in a 10 to 20 nm range.

[0017] Die Leistung zum Betreiben der Targets im Sputterverfahren kann dabei für die unterschiedlichen Targetmaterialien, beispielsweise für ein Target mit 300mm Durchmesser, in einem Bereich von 0.1 bis 10 kW dabei bevorzugt in einem Bereich von 2 bis 4 kW, eingestellt werden, woraus sich auch die pro Flächeneinheit einzustellenden Leistungen für andere Targetdimensionen ableiten lassen. Die Targets werden dabei bei einer Frequenz zwischen einschliesslich 2 bis einschliesslich 30 MHz, dabei bevorzugt zwischen einschliesslich 10 bis einschliesslich 15, besonders bevorzugt 13,56 MHz betrieben.The power for operating the targets in sputtering can be set for the different target materials, for example, for a target with 300mm diameter, in a range of 0.1 to 10 kW while preferably in a range of 2 to 4 kW, from which also derive the services to be set per area unit for other target dimensions. The targets are operated at a frequency between and including 2 to 30 MHz inclusive, preferably between 10 to 15 inclusive, more preferably 13.56 MHz.

[0018] Die vorliegende Erfindung umfasst auch einen Wafer mit einem auf einer ersten Seite des Wafers aufgebrachten Schichtsystem, dass zumindest eine borhaltige erste Schicht umfasst, die direkt auf der ersten Oberfläche abgelegt ist und entsprechend dem oben und in folgenden Beispielen beschriebenen Verfahren abgeschieden wurde. Die erste Schicht kann dabei eine Borcarbid (BC)-Schicht, bevorzugt aber eine Bornitrid(BN)-Schicht oder/und eine Boroxyd(BOxNy)-Schicht umfassen. In einer bevorzugten Ausführungsform ist das erste Schichtsystem eine BN-Schicht bzw. besteht aus einer BN-Schicht mit einer darauf abgeschiedenen BOxNy-Schicht. Der Schichtübergang im ersten Schichtsystem, d.h. zwischen BN- und BOxNy-Schicht kann dabei stufenartig oder bevorzugt gradiiert ausgebildet sein.The present invention also includes a wafer having a layer system applied to a first side of the wafer, comprising at least one boron-containing first layer deposited directly on the first surface and deposited according to the method described above and in the following examples. The first layer may comprise a boron carbide (BC) layer, but preferably a boron nitride (BN) layer and / or a boron oxide (BOxNy) layer. In a preferred embodiment, the first layer system is a BN layer or consists of a BN layer with a BOxNy layer deposited thereon. The layer transition in the first layer system, i. between BN and BOxNy layer may be formed stepwise or preferably gradiiert.

[0019] In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst das auf dem Wafer aufgebrachte Schichtsystem eine siliziumhaltige zweite Schicht, die auf einer dem Wafer abgewandten Aussenseite der ersten Schicht aufgebracht ist. Die zweite Schicht kann eine Siliziumschicht, bevorzugt aber eine Siliziumoxyd- oder eine Siliziumnitridschicht sein, auch die Verwendung von Mischschichten bzw. von gradierten Schichten die bspw. von einem an die borhaltige erste Schicht angrenzenden nitridischen Bereich zu einem an der Oberfläche ausgebildeten oxydischen Bereich mit einer dazwischen ausgebildeten oxydnitridischen Siliziumschicht ausgebildet ist. Die zweite Schicht kann daher auch eine Mehrlagenschicht mit zumindest einer Siliziumschicht oder/ und einer Siliziumoxydschicht oder/und einer Siliziumnitridschicht umfassen, wobei die Schichtübergänge bezüglich ihrer elementaren Zusammensetzung ineinander übergehend oder stufenartig ausgebildet sein können. Der Wafer kann dabei als eine Solarzelle, insbesondere als eine bifaciale Solarzelle ausgebildet sein.In a further embodiment of the invention, the layer system applied to the wafer comprises a silicon-containing second layer, which is applied to an outer side of the first layer facing away from the wafer. The second layer may be a silicon layer, but preferably a silicon oxide or a silicon nitride layer, also the use of mixed layers or of graded layers which, for example, from a nitride region adjacent to the boron-containing first layer to an oxidic region formed on the surface formed between formed oxydnitridischen silicon layer is formed. The second layer may therefore also comprise a multilayer with at least one silicon layer or / and a silicon oxide layer and / or a silicon nitride layer, wherein the layer transitions may be formed with respect to their elemental composition into one another or stepwise. The wafer can be designed as a solar cell, in particular as a bifacial solar cell.

[0020] Das abschliessende Tempern der Substrate, beispielsweise der Siliziumwafer, erfolgt dabei bei, die Grenzwerte umfassenden Temperaturen von 850° bis 1200 °C, bevorzugt bei 950° < Ttemper 1050 °C. So wurden beispielsweise wie oben beschichtete und diesbezüglich unten noch näher beschriebenen Wafer bei einer Temperatur von 1025 °C für 30 Minuten in einer Stickstoffatmosphäre behandelt. Bei entsprechenden höheren Temperaturen kann auch eine etwas geringere Beschichtungsdauer von bis ca. 20 Minuten, zumindest aber 15 Minuten gewählt werden. Soll der Vorgang besonders kontrolliert und bei möglichst geringer induzierter thermischen Spannung erfolgen, können auch Temperzeiten bis zu ca. einer Stunde bei einer entsprechend niedrigeren Temperatur vorgesehen werden.The final annealing of the substrates, for example, the silicon wafer, takes place at the temperatures comprising the limiting values of 850 ° to 1200 ° C, preferably at 950 ° <Ttemper 1050 ° C. For example, wafers coated as described above and described in more detail below were treated at a temperature of 1025 ° C for 30 minutes in a nitrogen atmosphere. At corresponding higher temperatures, a somewhat shorter coating time of up to about 20 minutes, but at least 15 minutes can be selected. If the process is to be controlled in a controlled manner and at the lowest possible induced thermal stress, annealing times of up to approximately one hour at a correspondingly lower temperature can also be provided.

[0021] Die vorliegende Erfindung umfasst auch eine Vakuumbehandlungsanlage, die beispielsweise als Beschichtungssystem mit mehreren Prozesskammern ausgebildet und zum Beschichten eines erfindungsgemässen Wafers und Herstellung eines er-findungsgemässen Schichtsystems geeignet ist. Eine solche Vakuumbehandlungsanlage umfasst zumindest eine Schleusenkammer zum Einführen und/oder Ausbringen eines oder mehrerer Substrate in die Vakuumbehandlungsanlage sowie zumindest eine erste Beschichtungskammer die zumindest ein Borcarbid (BC)-Target oder bevorzugt ein Bornitrid(BN)-Target umfasst. Dabei kann die Vakuumbehandlungsanlage stromabwärts der zumindest einen ersten Beschichtungskammer zumindest eine zweite Beschichtungskammer umfassen, die zumindest ein Siliziumtarget, oder zumindest ein Siliziumnitrid (SiN)-Target, ein Siliziumoxyd (SiO2)-Target insbesondere aber bevorzugt ein Silizium(Si)-Tar-get umfasst. Die bevorzugt als Mehrkammer Beschichtungssystem ausgebildete Vakuumbehandlungsanlage kann dabei bereits in der Schleusenkammer Mittel zur Vorbehandlung des Substrats, wie bspw. eine Heizung und/oder eine Ätzvorrichtung umfassen. Zusätzlich kann zwischen Schleusenkammer und der ersten Beschichtungskammer zumindest eine Vorbehandlungskammer mit einer entsprechenden Heizvorrichtung und/oder Ätzvorrichtung vorgesehen sein. Als Heizvorrichtung kommen bspw. bekannte Heizstrahler und/oder beheizte Substrathalter bzw. Auflageflächen, beispielsweise ein beheizter Chuck in Frage. Als Ätzvorrichtung kann bspw. eine mit Radiofrequenz beaufschlagte Substrathalterung dienen. Alternativ oder zusätzlich kann ein Gaseinlas für ein Ätzgas vorgesehen sein. So können um besonders kurze Taktzeiten zu erzielen bspw. in der Schleusenkammer und einer ersten Vorbehandlungskammer das oder die Substrate beheizt und somit entgast und in einer folgenden zweiten Vorbehandlungskammer das oder die Substrate geätzt werden.The present invention also encompasses a vacuum treatment plant, which is designed, for example, as a coating system with a plurality of process chambers and is suitable for coating a wafer according to the invention and producing a layer system according to the invention. Such a vacuum treatment plant comprises at least one lock chamber for introducing and / or discharging one or more substrates into the vacuum treatment system and at least one first coating chamber comprising at least one boron carbide (BC) target or preferably a boron nitride (BN) target. In this case, the vacuum treatment system downstream of the at least one first coating chamber may comprise at least one second coating chamber containing at least one silicon target, or at least one silicon nitride (SiN) target, a silicon oxide (SiO 2) target but preferably a silicon (Si) target includes. The vacuum treatment plant, which is preferably designed as a multi-chamber coating system, may already include means for pretreatment of the substrate, such as a heater and / or an etching apparatus, in the lock chamber. In addition, at least one pretreatment chamber with a corresponding heating device and / or etching device can be provided between the lock chamber and the first coating chamber. As heating device, for example, known radiant heaters and / or heated substrate holder or bearing surfaces, such as a heated chuck come into question. As an etching device can serve, for example, a radio frequency acted upon substrate holder. Alternatively or additionally, a gas inlet may be provided for an etching gas. Thus, in order to achieve particularly short cycle times, for example, in the lock chamber and a first pretreatment chamber, the substrate or substrates are heated and thus degassed, and the substrate or substrates are etched in a subsequent second pretreatment chamber.

[0022] In einer Ausführung der Vakuumbehandlungsanlage wird stromabwärts der Schleusenkammer zumindest eine oder zwei Vorbehandlungskammern angeordnet, gefolgt von ein oder zwei ersten Beschichtungskammern mit jeweils zumindest einem borhaltigen Target, gefolgt von ein oder zwei zweiten Beschichtungskammern mit jeweils zumindest einem silizium-haltigen Target, gefolgt von der Schleusenkammer oder einer weiteren Schleusenkammer. Die Kammern der Vakuumbehandlungsanlage sind dabei bezüglich eines Weges von der Schleusenkammer entweder linear oder um ein Anlagenzentrum umlaufend angeordnet. Bei umlaufender Anordnung und somit geschlossenem Weg von der Schleusenkammer zur Schleusenkammer zurück kann auf eine zweite Schleusenkammer zum Ausschleusen der Substrate aus der Anlage verzichtet werden, da die Schleusenkammer beide Funktionen also Ein- und Ausschleusen der Substrate übernehmen kann. Bei linearer Anordnung ist das Vorsehen einer zweiten Schleusenkammer zwingend. Das Vorsehen einer zweiten Schleusenkammer kann aber auch bei einer geschlossenen, bspw. kreisförmigen oder vieleckigen, also po-lyedrischen Anordnung der Kammern der Vakuumbehandlungsanlage vorteilhaft sein, wenn bspw. sehr kurze Taktzeiten zwischen den Kammern erreicht werden sollen. Damit kann bspw. auch die eingangsseitige Schleusenkammer während der gesamten Taktzeit für einen eventuell durch eine Heizung unterstützten Entgasungs- oder/und einen Ätzprozess genutzt werden. Zusätzlich kann das Substrat, bzw. der Wafer auch auf dem Weg zwischen den Kammern insbesondere zwischen Schleusenkammer und Vorbehandlungskammer, bzw. zwischen den Vorbehandlungskammern und der ersten Beschichtungskammer zusätzlich beheizt werden, da die Substrate durchgehend unter Vakuum gehalten sind.In one embodiment of the vacuum treatment plant, at least one or two pretreatment chambers are arranged downstream of the lock chamber, followed by one or two first coating chambers, each having at least one boron-containing target, followed by one or two second coating chambers each having at least one silicon-containing target from the lock chamber or another lock chamber. The chambers of the vacuum treatment plant are arranged either circumferentially with respect to a path from the lock chamber either linearly or around an installation center. With circumferential arrangement and thus closed path from the lock chamber back to the lock chamber can be dispensed with a second lock chamber for discharging the substrates from the system, since the lock chamber can take both functions so input and output of the substrates. In a linear arrangement, the provision of a second lock chamber is mandatory. The provision of a second lock chamber can also be advantageous in the case of a closed, for example circular or polygonal, ie polyhedral, arrangement of the chambers of the vacuum treatment system, if, for example, very short cycle times between the chambers are to be achieved. Thus, for example, the input-side lock chamber during the entire cycle time for a possibly supported by a heating degassing and / or an etching process can be used. In addition, the substrate or the wafer can also be additionally heated on the way between the chambers, in particular between the lock chamber and the pretreatment chamber, or between the pretreatment chambers and the first coating chamber, since the substrates are kept continuously under vacuum.

Figurenbeschreibung [0023] Im Folgenden wird die Erfindung an Hand von Figuren beispielhaft beschrieben. Figuren 1 bis 5 zeigen:In the following, the invention will be described by way of example with reference to figures. Figures 1 to 5 show:

Fig. 1 Ein umlaufend ausgeführtes Beschichtungssystem zur Durchführung eines erfindungsgemässen Verfahrens Fig. 2 Ein lineares Inlinebeschichtungssystem zur Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens Fig. 3 Eine Wafer Oberfläche mit zweilagiger Schicht1 a circumferential coating system for carrying out a method according to the invention FIG. 2 a linear inline coating system for carrying out the method according to the invention FIG. 3 A wafer surface with a two-layer layer. FIG

Fig. 4 Einen beidseitig beschichteten Wafer Fig. 5 Einen Wafer nach dem Tempern [0024] Die in Fig. 7 schematisch gezeigte, als Beschichtungssystem ausgebildete Vakuumbehandlungsanlage I besteht aus einer Schleusenkammer S sowie sechs Prozesskammern 10 bis 60. Ein oder mehrere Substrate, insbesondere Wafer können dabei, wie durch die zwei entgegengesetzten Pfeile angedeutet, mittels einem vor oder an der Anlage I positionierten Be- und Entladesystem, bspw. von einer an der Schleussenkammer S vorbeilaufenden hier nicht dargestellten Transportlinie abgenommen, in die Schleusenkammer gebracht und dort evakuiert werden, bzw. umgekehrt in der Schleusenkammer nach Abschluss der Prozessschritte belüftet und mittels des Be- und Entladesystems wiederum auf der Transportlinie abgelegt werden. Dies kann auch statt mit einer Schleusenkammer S mit zwei jeweils nur für das ein-bzw. ausschleusen ausgebildeten Schleusenkammern S', S" geschehen. In der Schleusenkammer kann neben dem Abpumpen bei Bedarf auch ein erstes Erwärmen des Wafers zur beschleunigten Entgasung erfolgen, der anschliessend, bspw. mittels eines Karussells 7 entlang des Transportwegs 7s1, in die erste Prozesskammer 10 übergeführt wird, in der in einem ersten oder zweiten Heizschritt der Wafer weiter behandelt wird. Analog wird der Wafer entlang der Transportwege 712 bis 76s über die einzelnen Prozesskammern zurück an die Schleusenkammer S, bevorzugt getaktet weiter transportiert, anschliessend ausgeschleust und wieder auf der Transportlinie abgelegt.FIG. 4 shows a wafer coated on both sides FIG. 5 shows a wafer after tempering The vacuum treatment plant I shown schematically in FIG. 7 consists of a lock chamber S and six process chambers 10 to 60. One or more substrates, in particular wafers In this case, as indicated by the two opposite arrows, by means of a loading and unloading system positioned before or at the installation I, for example, a transport line, not shown here, can be taken from the lock chamber S, brought into the lock chamber and evacuated there, or Conversely, after the process steps have been completed, they are vented in the lock chamber and, in turn, deposited on the transport line by means of the loading and unloading system. This can also take place with a lock chamber S with two each for the only one or. In the lock chamber, in addition to the pumping off, a first heating of the wafer for accelerated degassing may also take place, which is subsequently transferred, for example by means of a carousel 7 along the transport path 7s1, into the first process chamber 10 The wafer is further transported along the transport paths 712 to 76s via the individual process chambers back to the sluice chamber S, preferably clocked, then discharged and deposited again on the transport line.

[0025] Alternativ kann die Anlage I mit einem zentralen Handling-System 8 ausgebildet sein, welches die Substrate über den alternativen Transportweg 8SZ aus der Schleusenkammer S übernimmt und nach einer entsprechenden, im gezeigten Fall einer siebtel Drehung über den Transportweg 8zi in die erste Kammer übergeben werden. Das Handling-System kann dabei so ausgebildet sein, dass es auch zwei oder mehrere Substrate gleichzeitig aus Schleusen- bzw. Prozesskammern entlang der alternativen Transportwege 8SZ, 8Z-|... 86z, 8ZS entnehmen und/ oder zurückgeben kann. Eine solche alternative Anordnung hat den Vorteil, dass einzelne Kammern bzw. Prozessstationen einfacher übersprungen werden können, ist jedoch bzgl. Der Mechanik und Steuerung aufwendiger, insbesondere wenn bspw. alle Prozesskammern und Schleusenkammern gleichzeitig be- oder entladen werden sollen. In beiden Varianten werden die Substrate ab dem Einschleusen bis zum Ausschleusen immer unter Vakuum gehalten. Vorteilhafterweise können sowohl Schleusenkammer 5 als auch einzelne Prozesskammern 10-60 und Karussell 7 oder Handling-System 8, bzw. die entsprechenden das Karussell oder Handlingsystem enthaltenden hier nicht näher dargestellten Kammern separat abgepumpt werden.Alternatively, the system I may be formed with a central handling system 8, which takes over the substrates via the alternative transport path 8SZ from the lock chamber S and after a corresponding, in the case shown a seventh rotation via the transport path 8zi in the first chamber be handed over. The handling system can be designed such that it can also remove and / or return two or more substrates at the same time from lock or process chambers along the alternative transport paths 8SZ, 8Z- |... 86z, 8ZS. Such an alternative arrangement has the advantage that individual chambers or process stations can be skipped more easily, but is more complicated with respect to the mechanics and control, in particular if, for example, all process chambers and lock chambers are to be loaded or unloaded at the same time. In both variants, the substrates are always kept under vacuum from the transfer to the discharge. Advantageously, both lock chamber 5 and individual process chambers 10-60 and carousel 7 or handling system 8, or the corresponding chambers containing the carousel or handling system, not shown here, can be pumped off separately.

[0026] Prozesskammer 10 und 20 können als Vorbehandlungskammern ausgeführt sein, in denen eine Entgasung der Substrate bei, bspw. durch zusätzliche Heizelemente erzeugte, höheren Temperaturen durchgeführt wird. Zusätzlich kann in beiden oder nur einer Kammer ein Ätzschritt, bspw. durch eine jeweils in den Kammern angeordnete Ätzvorrichtung, ausgeführt werden. Prozesskammern 30 bis 60 sind als Beschichtungskammern mit jeweils einem oder mehreren Sput-tertargets 5, 6 ausgeführt sein, wobei Prozesskammer 30 und 40 im vorliegend Fall zumindest mit einem borhaltigen, bspw. Bornitridtarget 5 und Prozesskammern 50 und 60 jeweils mit zumindest einem siliziumhaltigen, bspw. Siliziumoxydtarget 6 zum Sputterbeschichten der Substrate ausgerüstet sind. Derart konfigurierte Beschichtungssysteme sind für besonders kurze Zyklus- bzw. Taktzeiten geeignet. So können mit einer Behandlungszeit zwischen 1 bis 3 Sekunden in den Prozesskammern 10 bis 60 und einer dazwischenliegenden Transferzeit von ca. einer Sekunde, zum Überführen der jeweiligen Substrate von einer Kammer (Schleusenkammer oder Prozesskammer) zur nächsten Kammer, beispielsweise Durchsätze von 900, 1200 bis 1800 Wafer pro Stunde erreicht werden. Durch die hier für Vorbehandlungsungsschritte und Beschichtungsschritte jeweils doppelt ausgeführten Prozesskammern, können auch bspw. thermisch empfindliche Substrate mit entsprechend grossem Durchsatz beschichtet werden. Alternativ können, wie dem Fachmann ohne weiteres ersichtlich, auch Anlagen mit mehr, bspw. 8, 9 etc., oder weniger, bspw. nur 3 Prozesskammern, konfiguriert sein, um die einzelnen Prozessschritte, bei gleichbleibendem Durchsatz mit einer noch geringeren oder grösseren pro Prozessschritt eingebrachten Leistung (Heiz-, Ätz-, Sputterleistung) durchzuführen.Process chamber 10 and 20 may be designed as a pre-treatment chambers in which a degassing of the substrates at, for example. By additional heating elements generated, higher temperatures is performed. In addition, in both or only one chamber, an etching step, for example by an etching device arranged in each case in the chambers, can be carried out. Process chambers 30 to 60 are designed as coating chambers, each having one or more sputtering tare targets 5, 6, wherein process chamber 30 and 40 in the present case at least with a boron, eg. Boron nitride 5 and process chambers 50 and 60 each with at least one silicon-containing, eg Silicon oxide target 6 are equipped for sputter coating the substrates. Coating systems configured in this way are suitable for particularly short cycle or cycle times. Thus, with a treatment time between 1 to 3 seconds in the process chambers 10 to 60 and an intermediate transfer time of about one second, for transferring the respective substrates from one chamber (lock chamber or process chamber) to the next chamber, for example, throughputs of 900, 1200 bis 1800 wafers per hour can be achieved. By means of the process chambers, which are each carried out twice for pretreatment steps and coating steps, it is also possible, for example, to coat thermally sensitive substrates with a correspondingly high throughput. Alternatively, as the skilled person readily apparent, even with more systems, eg. 8, 9, etc., or less, for example. Only 3 process chambers, be configured to the individual process steps, with constant throughput with an even smaller or larger per Process step introduced performance (heating, etching, sputtering) perform.

[0027] Eine alternative, bezüglich der funktionellen Abfolge der einzelnen Prozesskammern aber analoge Anordnung für ein lineares Beschichtungssystem II zeigt Fig. 2. Ein solches lineares Beschichtungssystem II kann direkt in eine Fertigungsstrasse eingebaut werden, wobei die Wafer in der Schleusenkammer S' eingeschleust anschliessend die Prozesskammern 10 bis 60 entsprechend getaktet durchlaufen und anschliessend in der Schleusenkammer S" wieder ausgeschleust werden. Auch hier können analog zu oben Erwähntem, je nach Bedarf zusätzliche Kammern hinzugefügt oder Kammer weggelassen werden. Wenn auch prinzipiell alle Beschichtungsschritte in einer Prozesskammer durchgeführt werden können, ist es jedoch aus Gründen der Prozessökonomie vorteilhaft wenn ein Minimalsystem mit mindestens einer Schleusenkammer und zwei Beschichtungskammern, jeweils mit einem Bornitrid bzw. einem Siliziumtarget ausgestattet, vorgesehen werden. Dies dann, wenn ein Entgasen und evtl. Ätzen der Substrate in ausreichend kurzer Zeit bereits in der Schleusenkammer möglich ist. Anderenfalls sollte zumindest eine Vorbehandlungskämmer vorgesehen werden.An alternative, with respect to the functional sequence of the individual process chambers but analogous arrangement for a linear coating system II, Fig. 2. Such a linear coating system II can be installed directly in a production line, the wafer in the lock chamber S 'then introduced the Process chambers 10 to 60 are cycled in a correspondingly timed manner and then discharged again in the lock chamber S. In this case too, additional chambers can be added or chamber omitted, as in the above case, although in principle all coating steps can be carried out in one process chamber However, for reasons of process economics, it is advantageous if a minimal system is provided with at least one lock chamber and two coating chambers, each equipped with a boron nitride or a silicon target, this being when degassing and possibly etching the substrates in a sufficiently short time is already possible in the lock chamber. Otherwise, at least one pretreatment chamber should be provided.

[0028] Zum Herstellen der in Fig. 3 abgebildeten Schicht wurde ein handelsübliches Beschichtungssystem der Firma Evatec mit der Bezeichnung Solaris S151, dass analog der in Fig. 1 abgebildeten Vakuumbehandlungsanlage I, aufgebaut ist verwendet. Dazu wurde in den Beschichtungskammern 30 und 40 jeweils ein BN-Target mit einem Durchmesser von 300 mm und 6 mm Dicke, in den Beschichtungskammern 50 und 60 jeweils ein entsprechendes Target aus Silizium, Siliziumoxid bzw. SiN eingebaut. Auch entsprechende Versuche mit unterschiedlichen Targets in Kammern 50 und 60, beispielsweise einem Si-Target oder einem SiN-Target in Kammer 50 und einem Si-Target oder einem SiO2-Target in Kammer 60 wurden durchgeführt.For the production of the layer shown in Fig. 3, a commercial coating system of the company Evatec with the name Solaris S151, that is analogous to the illustrated in Fig. 1 vacuum treatment plant I, is used. For this purpose, a respective BN target with a diameter of 300 mm and a thickness of 6 mm was installed in the coating chambers 30 and 40, and in each case a corresponding target of silicon, silicon oxide or SiN in the coating chambers 50 and 60. Corresponding experiments with different targets in chambers 50 and 60, for example a Si target or a SiN target in chamber 50 and a Si target or a SiO 2 target in chamber 60 were also performed.

[0029] Dabei wurden zu Abscheidung der borhaltigen Schichten folgende Parameter eingestellt:The following parameters were set for deposition of the boron-containing layers:

Leistung der 13,56 MHz RF-Versorgung für die Sputterquelle bei 4 kW;Power of the 13.56 MHz RF supply for the sputter source at 4 kW;

Ar-Prozess- und Spülfluss (d.h. Fluss Argon im Stand-By-Betrieb) jeweils 68 sccm;Ar process and purge flow (i.e., argon flow in stand-by mode) each 68 sccm;

Sauerstofffluss für BOxNy-Schichten: 5-20 sccm (= 10-40%)Oxygen flux for BOxNy layers: 5-20 sccm (= 10-40%)

Die dabei erzielten Sputterraten waren für BN: 0,56-0,63 nm/s und für BOxNy: 1,28 nm/s.The sputtering rates obtained were for BN: 0.56-0.63 nm / s and for BOxNy: 1.28 nm / s.

[0030] Die Sputterzeit wurde einerseits über In-Situ Messung der Schichtdicke bestimmt, andererseits entsprechend der einmal bestimmten Raten eingestellt.The sputtering time was determined on the one hand via in-situ measurement of the layer thickness, on the other hand adjusted according to the once determined rates.

[0031] Die Parameter für die Abscheidung eine siliziumhalten Schicht von einem Siliziumtarget waren dabei wie folgt: Leistung der DC-Puls-Versorgung (100 kHz, 1.6 us Tastrate) für die Sputterquelle bei 6.5 kW;The parameters for the deposition of a silicon-containing layer from a silicon target were as follows: power of the DC pulse supply (100 kHz, 1.6 μs sampling rate) for the sputter source at 6.5 kW;

Ar-Prozess- und Spülfluss (d.h. Fluss Argon im Stand-By-Betrieb) jeweils 40 sccm;Ar process and purge flow (i.e., argon flow in stand-by mode) each 40 sccm;

Stickstofffluss für SiN-Schichten: 45 sccm (45%) Die dabei erzielten Sputterraten waren für SiN: 3,2 nm/s.Nitrogen flow for SiN layers: 45 sccm (45%) The resulting sputtering rates for SiN were 3.2 nm / s.

[0032] Als Substrate wurden 5" (Zoll/Inch) n-vordotierte (n-type) Siliziumwafer verwendet von deren Oberfläche zunächst je 10 um Material abgetragen. Beide Oberflächen wurden anschliessen beidseitig poliert und mit einem sogenannten RCA-Prozess (2-stufiges wässriges Reinigungsverfahren der Radio Corporation of America) gereinigt. Unmittelbar vor der Beschichtung wurden die Substrate mit 1%-iger Flussäure geätzt mit Dl-Wasser gespült und mit Stickstoff trocken geblasen.The substrates used were 5 "(inch / inch) n-pre-doped (n-type) silicon wafers of which the surface was first stripped of 10 μm of material, and both surfaces were polished on both sides and polished using a so-called RCA process (2-stage aqueous cleaning method of Radio Corporation of America). Immediately prior to coating, the substrates were etched with 1% hydrofluoric acid, rinsed with DI water, and blown dry with nitrogen.

[0033] In Fig. 3 ist eine erfindungsgemässe Oberfläche eines Wafer W mit darauf abgelegten Schichtsystem A, mit einer ersten borhaltigen Schicht 1 und einer zweiten silizium-haltigen Schicht 2 dargestellt. Die erste Schicht 1 kann dabei als eine Bornitrid (BN), oder eine Boroxynitrid (BON) Schicht ausgebildet sein, bzw. entsprechende Misch- oder Gradientenschichten umfassen. So kann bspw. nach dem Abscheiden einer Bornitridschicht auf der Oberfläche des Wafers anschliessend durch Zugabe von Sauerstoff zum Prozessgas eine entsprechende Schicht mit einem höheren Sauerstoffgehalt abgeschieden werden, wodurch bereits ein gewisser Schutz gegen eine Schichtdegradation durch atmosphärischen Sauerstoff erreicht werden kann. Die mögliche Zwei- oder Merhlagigkeit einer solcherart ausgebildeten ersten Schicht wird in der Zeichnung durch eine strichlierte Linie dargestellt. Anschliessend wird die zweite siliziumhaltige Schicht in einer oder mehreren Prozesskammern des Beschichtungssystems aufgebracht, indem von einem Silizium-, einem Siliziumoxyd- oder einem Siliziumnitridtarget Material abgesputtert und auf die erste Schicht abgelegt wird. Auch diese kann zwei- oder mer-hlagig ausgeführt sein. Die Abscheidung kann in bekannter Weise unter Zugabe von Sauerstoff-, Stickstoff- oder/und Inertgas geschehen, um eine gewünschte Schichtzusammensetzung zu erzielen. Wiewohl es grundsätzlich möglich ist eine durch das anschliessende Tempern zu erzielende Bordotierung auch lediglich mit einem borhaltigen Schichtsystem 1 ohne zusätzliche siliziumhaltige Schicht bzw. Schichtsystem 2 zu erzielen, ist das Vorsehen der zweiten Schicht insbesondere dann von Vorteil, wenn die Oberfläche der Schicht bzw. des Schichtsystems nach dem Beschichtungsprozess für eine längere Zeit der Atmosphäre ausgesetzt ist, bspw. wenn zwischen Beschichtungsprozess und Temperprozess ein längerer Zeitraum verstreichen sollte, da sich sehr dünne borhaltige, bspw. Bornitridschichten als sehr empfindlich gegenüber atmosphärischen Einflüssen herausgestellt haben und beispielsweise nach einigen Tagen Lagerung unter Luft oft nicht mehr nachweisbar sind. Die siliziumhaltige Schicht wirkt in diesem Zusammenhang als Schutzschicht bspw. gegen Oxydation, Ablösung oder andere atmosphärisch bedingte Degradation der Bornitridschicht. Beide Schichten bilden hier das Schichtsystem A zur späteren Herstellung des p+-Bereichs in der Diffusionszone D1. Dabei haben SiN und SiO2-Schichten besonders gute Schutzeigenschaften als Deckschicht (capping layer) gezeigt. Die zweite Oberfläche des Wafers kann dabei analog zum folgenden Beispiel vorbeschichtet sein.FIG. 3 shows a surface according to the invention of a wafer W with layer system A deposited thereon, with a first boron-containing layer 1 and a second silicon-containing layer 2. The first layer 1 may be formed as a boron nitride (BN), or a Boroxynitrid (BON) layer, or comprise corresponding mixed or gradient layers. Thus, for example, after the deposition of a boron nitride layer on the surface of the wafer, a corresponding layer having a higher oxygen content can then be deposited by adding oxygen to the process gas, whereby a certain protection against a layer degradation by atmospheric oxygen can already be achieved. The possible two or merlity of a first layer formed in this way is represented in the drawing by a dashed line. Subsequently, the second silicon-containing layer is applied in one or more process chambers of the coating system by sputtering material from a silicon, a silicon oxide or a silicon nitride target and depositing it on the first layer. This can also be carried out two or more times. The deposition can be done in a known manner with the addition of oxygen, nitrogen or / and inert gas to achieve a desired layer composition. Although it is fundamentally possible to achieve a boron doping to be achieved by the subsequent tempering even with a boron-containing layer system 1 without additional silicon-containing layer or layer system 2, the provision of the second layer is particularly advantageous if the surface of the layer or the Layer system after the coating process is exposed to the atmosphere for a longer time, for example. If a longer period of time should elapse between coating process and tempering, since very thin boron-containing, eg boron nitride have been found to be very sensitive to atmospheric influences and, for example, after a few days storage under Air are often no longer detectable. The silicon-containing layer acts in this context as a protective layer, for example, against oxidation, delamination or other atmospheric degradation of the boron nitride layer. Both layers here form the layer system A for later production of the p + region in the diffusion zone D1. Here, SiN and SiO 2 layers have shown particularly good protective properties as a capping layer. The second surface of the wafer can be precoated analogously to the following example.

[0034] Fig. 4 zeigt einen Wafer W der eine auf der zweiten Oberfläche aufgebrachte Vorbeschichtung mit einer phosphorhaltigen dritten Schicht 3, zur späteren Herstellung des n+-Bereich der Diffusionszone D2, aufweist. Zusätzlich ist im borhaltigen Schichtsystem A’ zwischen der ersten und zweiten Schicht noch eine Mischschicht M vorgesehen, die eine in Richtung senkrecht zur Oberfläche des Wafers bzw. des Schichtsystems unterschiedliche Zusammensetzung bspw. der Stickstoff- bzw. Sauerstoffkonzentrationen oder/und des Bor- und Siliziumgehalts aufweist. Eine solche Mischschicht M kann beispielsweise in Kammer 40 oder 50 hergestellt werden, wenn bspw. die entsprechenden Reaktivgasflüsse geändert oder/und gleichzeitig von einem Bor und einem siliziumhaltigen Target co-gesputtert wird. Alternativ kann auch in einer der Beschichtungskammern 40 oder 50 von einem sowohl bor- als auch siliziumhaltigen Target, bspw. einem Borsiliziumtarget gesputtert werden. Auch hier kann der Übergang zwischen der borhaltigen ersten Schicht und der siliziumhaltigen zweiten Schicht gradiert oder stufenweise erfolgen. Um einen ausreichenden Schutz der borhaltigen Schicht gegenüber atmosphärischen Einflüssen sicherzustellen, kann die siliziumhaltige Schicht dicker als die sehr dünne borhaltige Schicht abgeschieden werden. Wird die Schichtdicke der borhaltigen Schicht zwischen 1 und 6 nm eingestellt, kann die siliziumhaltige Schicht zwischen 10 und 20 nm eingestellt werden, wobei die fakultative Mischschicht bspw. zwischen 0 und 10 nm eingestellt werden kann. Grundsätzlich können erstes und zweites Schichtsystem 1,2 sowie eine evtl, zusätzliche Mischschicht M neben dem Sputterverfahren auch durch paCVD-Verfahren hergestellt werden. Dazu kann der Wafer in einer der Beschichtungskammern bspw. auf einem RF-Chuck mit einer RF-Spannung beaufschlagt werden, während gleichzeitig Prozessgas in die Kammer eingelassen wird. Auf Grund der teilweise toxischen und/oder explosiven Eigenschaften der dafür geeigneten Prozessgase wie Borane oder Silane sind hier jedoch besondere Vorsichtsmassnahmen zu treffen. DieFIG. 4 shows a wafer W which has a pre-coating applied to the second surface with a phosphorus-containing third layer 3, for later production of the n + region of the diffusion zone D2. In addition, a mixed layer M is provided in the boron-containing layer system A 'between the first and second layer, which has a different composition in the direction perpendicular to the surface of the wafer or the layer system, for example, the nitrogen or oxygen concentrations and / or the boron and silicon content having. Such a mixed layer M can be produced, for example, in chamber 40 or 50 if, for example, the corresponding reactive gas flows are changed or / and simultaneously co-sputtered by a boron and a silicon-containing target. Alternatively, it is also possible to sputter in one of the coating chambers 40 or 50 from a boron- as well as silicon-containing target, for example a borosilicate target. Again, the transition between the boron-containing first layer and the silicon-containing second layer can be graded or gradual. To ensure sufficient protection of the boron-containing layer from atmospheric influences, the silicon-containing layer can be deposited thicker than the very thin boron-containing layer. If the layer thickness of the boron-containing layer is set between 1 and 6 nm, the silicon-containing layer can be adjusted between 10 and 20 nm, wherein the optional mixed layer can be set, for example, between 0 and 10 nm. In principle, first and second layer system 1, 2 as well as a possibly additional mixed layer M in addition to the sputtering method can also be produced by paCVD method. For this purpose, the wafer in one of the coating chambers, for example, on an RF chuck with an RF voltage can be applied, while at the same time process gas is admitted into the chamber. Due to the partially toxic and / or explosive properties of suitable process gases such as boranes or silanes, however, special precautions must be taken here. The

Vorbeschichtung der zweiten Oberfläche des Wafers mit der dritten phosphorhaltigen Schicht 3 kann dabei analog mittels paCVD-Beschichtung, bspw. unter Verwendung phosphorhaltiger Gase in der Vorbehandlungskammer 20 oder einer zwischen Vorbehandlungskammer 20 und Beschichtungskammer 30 zusätzlich vorgesehenen hier nicht weiter ausgeführten Vorbeschichtungskammer erfolgen. Da jedoch auch die diesbezüglich verwendeten phosphorhaltigen Gase kritisch bezüglich Toxizität und/oder Brennbarkeit sind, können hier auch in bekannter Weise ausserhalb des Beschichtungssystems 1,11 bspw. mittels Spin-Coating vorbeschichtete Wafer verwendet werden. Grundsätzlich ist auch eine entsprechende Nachbeschichtung möglich, bei der dann auch nicht vakuumtaugliche Spin-Coating-Schichten verwendet werden können.Precoating of the second surface of the wafer with the third phosphorus-containing layer 3 can be carried out analogously by means of paCVD coating, for example using phosphorus-containing gases in the pretreatment chamber 20 or between pre-treatment chamber 20 and coating chamber 30 additionally provided here not further executed precoating. However, since the phosphorus-containing gases used in this regard are critical with regard to toxicity and / or combustibility, wafers precoated by spin coating can also be used here in a known manner outside the coating system 1.11. In principle, a corresponding post-coating is also possible, in which then also vacuum-suitable spin-coating layers can be used.

[0035] Fig. 5 zeigt einen Wafer der entsprechend Fig. 3 oder Fig. 4 beschichtet, bzw. vorbeschichtet wurde nach einem Temperschritt zur Erzeugung der Diffusionszonen D1 und D2. Dabei wurde die erste und zweite Schicht durch Diffusion in den oberflächennahen Bereich des Wafers in eine mit bordotierte erste p+-Diffusionszone D1 umgewandelt. Überraschenderweise bildet dabei das Bor unabhängig von der zusätzlichen Siliziumschicht und evtl, vorhanden Mischschicht ein ausreichendes Diffusionsprofil aus, ohne irgendwelche weiteren Rückstände auf der ersten Oberfläche des Wafers zu hinterlassen. Dies im Gegensatz zu bekannten herkömmlichen Spin-Beschichtungen, bei denen häufig eine zusätzliche Bearbeitung der Oberfläche, bspw. durch einen Polierschritt notwendig ist.Fig. 5 shows a wafer coated according to Fig. 3 or Fig. 4, or was precoated after an annealing step to produce the diffusion zones D1 and D2. The first and second layers were converted by diffusion into the near-surface region of the wafer into a boron-doped first p + diffusion zone D1. Surprisingly, the boron forms a sufficient diffusion profile, independently of the additional silicon layer and possibly the mixed layer present, without leaving any further residues on the first surface of the wafer. This in contrast to known conventional spin coatings, in which often an additional processing of the surface, for example, by a polishing step is necessary.

[0036] Im selben Temperschritt wird auch im oberflächennahen Bereich der zweiten Oberfläche die phosphorhaltige zweite n+-Diffusionszone D2 erzeugt. Um im Temperschritt eines Temperofens oder einer hier nicht dargestellten, bspw. zwischen letzter Beschichtungskammer 60 und Schleusenkammer S, S" angeordneten Temperkammer der Vakuumbehand-lungs-anlage I, II möglichst viele Wafer gleichzeitig tempern zu können werden diese vorteilhafterweise abwechselnd mit der ersten Oberfläche oben bzw. unten aufeinandergestapelt, sodass sich jeweils nur identisch beschichtete Oberflächen berühren, wodurch eine unerwünschte Diffusion des Phosphors in den D1-Bereich, bzw. des Bors in den D2-Bereich vermieden werden kann.In the same annealing step, the phosphorus-containing second n + diffusion zone D2 is also generated in the near-surface region of the second surface. In order to be able to simultaneously anneal as many wafers as possible in the annealing step of an annealing furnace or a here not shown, for example between the last coating chamber 60 and lock chamber S, S "tempering chamber of Vakuumbehand-lungs-plant I, II these are advantageously alternately with the first surface above or stacked on top of each other, so that in each case only identically coated surfaces touch, whereby an undesirable diffusion of phosphorus in the D1 region, and the boron in the D2 region can be avoided.

[0037] Wenngleich in der vorliegenden Beschreibung und Figuren das Prinzip der Erfindung anhand unterschiedlicher Beispiele und Merkmale beschrieben wurde, umfasst die Erfindung auch alle hier offenbarten Einzelmerkmale in Kombination mit Beispielen und Ausführungsformen zu denen diese Merkmale nicht explizit genannt wurden, sofern eine solche Kombination nicht, wie vom Fachmann ohne weiteres zu erkennen, von vornherein als sinnwidrig erscheint.Although in the present description and figures the principle of the invention has been described with reference to different examples and features, the invention also includes all individual features disclosed herein in combination with examples and embodiments to which these features have not been explicitly mentioned, unless such a combination as one of the skilled person readily recognizes, from the outset seems to be inappropriate.

Bezugszeichenliste [0038] 1 erste Schicht, p-Dopand-haltig, bspw. borhaltig 2 zweite Schicht, substratelementhaltig, bspw. siliziumhaltig 3 dritte Schicht, n-Dopand-haltig, bspw. phosphorhaltig 5, 6 Target, im Speziellen: 5 borhaltiges Target 6 siliziumhaltiges Target Target 7 Karussell 7si, 712... 756, 76s durch Karussell 7 bediente Transportwege 8 Handlingsystem (Alternative zu Karussell 7) 8zi, 8SZ, 8z1... 86z, 8zs durch Handlingsystem 8 bediente alternative Transportwege 10-60 Behandlungskammern, Prozesskammern im Speziellen: 10,20 Vorbehandlungskammer 30, 40 erste Beschichtungskammer 50, 60 zweite Beschichtungskammer I Beschichtungssystem mit umlaufend angeordneten Kammern II Beschichtungssystem mit linear angeordneten KammernLIST OF REFERENCE NUMBERS A first layer, p-dopant-containing, eg boron-containing 2 second layer, substrate element-containing, for example silicon-containing 3 third layer, n-dopant-containing, for example, phosphorus-containing 5, 6 target, in particular: 5 boron-containing target 6 target containing silicon Target 7 carousel 7si, 712 ... 756, 76s through carousel 7 operated transport routes 8 handling system (alternative to carousel 7) 8zi, 8SZ, 8z1 ... 86z, 8zs by handling system 8 operated alternative transport routes 10-60 treatment chambers, Process chambers in particular: 10.20 Pre-treatment chamber 30, 40 First coating chamber 50, 60 Second coating chamber I Coating system with peripherally arranged chambers II Coating system with linearly arranged chambers

A, A' Schichtsystem auf erster Oberfläche von W S SchleusenkammerA, A 'layer system on the first surface of W S lock chamber

Claims (34)

W Substrat, Wafer PatentansprücheW substrate, wafer claims 1. Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit zumindest einer, zumindest in einem Teilbereich bordotierten Oberfläche mit folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Substrats, das in einem vorbereitenden Schritt in eine Vakuumbehandlungsanlage eingebracht und dort, mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens mit einer borhaltigen ersten Schicht behandelt wurde, -Tempern des Substrats zum Diffundieren des Bors in die Oberfläche.1. A method for producing a substrate having at least one, at least in a partial area boron doped surface comprising the following steps: - Providing a substrate, which is introduced in a preparatory step in a vacuum treatment plant and there, by means of a PVD or a paCVD method with a boron-containing first layer, annealing the substrate to diffuse the boron into the surface. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bereitstellen des Substrats folgende Schritte umfasst: - Einbringen des Substrats in eine Vakuumbehandlungsanlage und Anlegen eines Vakuums; - Anordnen des Substrats in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage und Beschichten des Substrats mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens mit einer borhaltigen ersten Schicht in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage.2. The method according to claim 1, characterized in that the provision of the substrate comprises the following steps: - introducing the substrate into a vacuum treatment plant and applying a vacuum; Placing the substrate in a coating chamber of the vacuum treatment plant and coating the substrate by means of a PVD or a paCVD process with a boron-containing first layer in a coating chamber of the vacuum treatment plant. 3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass das Tempern in einer Temperkammer der Vakuumbehandlungsanlage oder in einem Temperofen ausserhalb der Vakuumbehandlungsanlage vorgenommen wird.3. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the annealing is carried out in an annealing chamber of the vacuum treatment plant or in a tempering outside the vacuum treatment plant. 4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Beschichten und Tempern, in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage, eine siliziumhaltige zweite Schicht mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens auf der ersten Schicht aufgebracht wird.4. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that is applied between coating and annealing, in a coating chamber of the vacuum treatment plant, a silicon-containing second layer by means of a PVD or a paCVD method on the first layer. 5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ein Wafer, insbesondere ein Siliziumwafer ist der auf einer ersten Oberfläche beschichtet wird, wobei eine zweite, der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche während des Aufbringens der ersten oder/und der zweiten Schicht, gegen eine Beschichtung geschützt ist.5. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the substrate is a wafer, in particular a silicon wafer is coated on a first surface, wherein a second, the first surface opposite surface during the application of the first and / or the second layer, is protected against a coating. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer auf der zweiten Oberfläche mit einer phosphorhaltigen dritten Schicht vorbeschichtet ist.6. The method according to claim 5, characterized in that the wafer is precoated on the second surface with a phosphorus-containing third layer. 7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren zum Aufbringen der ersten oder/und der zweiten Schicht ein PVD-Verfahren, dabei bevorzugt ein Sputterverfahren, insbesondere ein Magnetronsputterverfahren ist.7. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the method for applying the first and / or the second layer is a PVD method, preferably a sputtering method, in particular a Magnetronsputterverfahren. 8. Wafer mit einer bordotierten Oberfläche, hergestellt mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7.8. Wafer with a boron-doped surface, produced by a method according to one of claims 1 to 7. 9. Wafer nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer eine Solarzelle, dabei bevorzugt eine Bifacial-So-larzelle ist.9. wafer according to claim 8, characterized in that the wafer is a solar cell, preferably a bifacial So larzelle. 10. Sputterverfahren zur Abscheidung einer ersten borhaltigen Schicht oder eines borhaltigen Schichtsystems auf einem Substrat, wobei das Substrat in einer Beschichtungskammer einer Vakuumbehandlungsanlage gegenüber einem borhaltigen Target angeordnet wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Target eine kovalente Borverbindung umfasst und dieses durch das Anlegen einer hochfrequenten Spannung in einer zumindest inertgashaltigen oder/und stickstoffhaltigen Atmosphäre abgesputtert wird.10. Sputtering method for depositing a first boron-containing layer or a boron-containing layer system on a substrate, wherein the substrate is arranged in a coating chamber of a vacuum treatment plant to a boron-containing target, characterized in that the target comprises a covalent boron compound and this by the application of a high-frequency voltage is sputtered in an at least inert gas-containing and / or nitrogen-containing atmosphere. 11. Sputterverfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine BN-Schicht abgeschieden wird.11. Sputtering method according to claim 10, characterized in that a BN layer is deposited. 12. Sputterverfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass ein stickstoffhaltiges Gas, insbesondere Stickstoff verwendet wird um ein B/N-Verhältnis einzustellen.12. Sputtering method according to claim 10 or 11, characterized in that a nitrogen-containing gas, in particular nitrogen is used to adjust a B / N ratio. 13. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass allein oder zusätzlich eine BOxNySchicht durch Sputtern des borhaltigen Targets in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre abgeschieden wird.13. Sputtering method according to one of claims 10 to 12, characterized in that alone or additionally a BOxNy layer is deposited by sputtering of the boron-containing target in an oxygen-containing atmosphere. 14. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung eines borhaltigen Schichtsystems zunächst eine BN-Schicht durch Sputtern des borhaltigen Targets in einer zumindest inertgashaltigen und/oder stickstoffhaltigen Atmosphere, und anschliessend eine BOxNy-Schicht durch Sputtern des borhaltigen Targets in einer zusätzlich sauerstoffhaltigen Atmosphere abgeschieden wird.14. Sputtering method according to claim 10, characterized in that to produce a boron-containing layer system, first a BN layer is formed by sputtering the boron-containing target in an atmosphere containing at least one inert gas and / or nitrogen, and then a BOxNy layer by sputtering the boron-containing Targets in an additional oxygen-containing atmosphere is deposited. 15. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Target Bornitrid umfasst, insbesondere aus Bornitrid besteht.15. Sputtering method according to one of claims 10 to 14, characterized in that the target comprises boron nitride, in particular consists of boron nitride. 16. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke der borhaltigen Schicht, bzw. des borhaltigen Schichtsystems zwischen 1 nm und 6 nm, insbesondere zwischen 2nm und 5nm abgeschieden wird.16. Sputtering method according to one of claims 10 to 15, characterized in that the layer thickness of the boron-containing layer, or of the boron-containing layer system between 1 nm and 6 nm, in particular between 2nm and 5nm is deposited. 17. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich zu der ersten borhaltigen Schicht bzw. dem ersten borhaltigen Schichtsystem eine zweite siliziumhaltige Schicht oder ein zweites siliciumhaltiges Schichtsystem aufgebracht wird, wobei das Substrat in einer Beschichtungskammer der Vakuumbe handlungsanlage gegenüber einem siliziumhaltigen Target angeordnet und dieses in einer zumindest inertgashaltigen und/oder reaktivgashaltigen Atmosphere abgesputtert wird.17. Sputtering method according to claim 10, characterized in that, in addition to the first boron-containing layer or the first boron-containing layer system, a second silicon-containing layer or a second silicon-containing layer system is applied, the substrate being treated in a coating chamber of the vacuum treatment plant arranged silicon-containing target and this is sputtered in an at least inert gas-containing and / or reactive gas-containing atmosphere. 18. Sputterverfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass eine Silizium-, eine Siliziumnitrid-, eine Siliziumoxid- und/oder eine Siliziumoxinitridschicht abgeschieden wird. {bevorzugt eine SiO2-, insbesondere eine SiN-Schicht}18. Sputtering method according to claim 17, characterized in that a silicon, a silicon nitride, a silicon oxide and / or a Siliziumoxinitridschicht is deposited. {preferably a SiO 2, in particular a SiN layer} 19. Sputterverfahren nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass ein Siliziumnitrid-, ein Siliziumoxid-, bevorzugt ein Siliziumtarget abgesputtert wird.19. Sputtering method according to claim 17 or 18, characterized in that a silicon nitride, a silicon oxide, preferably a silicon target is sputtered off. 20. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht, bzw. das zweites Schichtsystem mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 10 bis 20 nm abgeschieden wird.20. Sputtering method according to one of claims 17 to 19, characterized in that the second layer, or the second layer system is deposited with a layer thickness in a range of 10 to 20 nm. 21. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Target mit einer Frequenz zwischen einschliesslich 2 bis einschliesslich 30 MHz, bevorzugt zwischen einschliesslich 10 bis einschliesslich 15 MHz, insbesondere 13,56 MHz betrieben wird.21. Sputtering method according to one of claims 10 to 20, characterized in that the target with a frequency between 2 inclusive including 30 MHz, preferably between 10 inclusive including 15 MHz, in particular 13.56 MHz is operated. 22. Wafer mit einem auf einer ersten Oberfläche aufgebrachten Schichtsystem umfassend zumindest eine borhaltige erste Schicht, hergestellt nach einem Sputterverfahren gemäss einem der Ansprüche 10 bis 21.22. Wafer with a coating system applied on a first surface comprising at least one boron-containing first layer, produced by a sputtering method according to one of claims 10 to 21. 23. Wafer nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht eine BN- oder/und eine BOxNy-Schicht ist.23. Wafer according to claim 22, characterized in that the first layer is a BN or / and a BOxNy layer. 24. Wafer nach einem der Ansprüche 22 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht eine BN- und eine BOxNy-Schicht umfasst.24. Wafer according to one of claims 22 to 23, characterized in that the first layer comprises a BN and a BOxNy layer. 25. Wafer nach einem der Ansprüche 22 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer eine siliziumhaltige zweite Schicht auf einer Aussenseite der ersten Schicht umfasst.25. Wafer according to one of claims 22 to 24, characterized in that the wafer comprises a silicon-containing second layer on an outer side of the first layer. 26. Wafer nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht eine Siliziumschicht, bevorzugt eine Siliziumoxid- oder eine Siliziumnitridschicht ist.26. Wafer according to claim 25, characterized in that the second layer is a silicon layer, preferably a silicon oxide or a silicon nitride layer. 27. Wafer nach einem der Ansprüche 25 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht eine Mehrlagenschicht umfassend eine Siliziumschicht, eine Siliziumoxid- oder/und eine Siliziumnitridschicht ist, wobei die Schichtübergänge bezüglich ihrer elementaren Zusammensetzung ineinander übergehen oder stufenartig ausgebildet sein können.27. A wafer according to any one of claims 25 to 26, characterized in that the second layer is a multi-layer comprising a silicon layer, a silicon oxide and / or a silicon nitride layer, wherein the layer junctions with respect to their elemental composition into each other or may be formed stepwise. 28. Wafer nach einem der Ansprüche 22 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer eine Solarzelle, bevorzugt eine bifaciale Solarzell ist.28. Wafer according to one of claims 22 to 27, characterized in that the wafer is a solar cell, preferably a bifacial solar cell. 29. Vakuumbehandlungsanläge mit einer Schleusenkammer zum Einführen und/oder Ausbringen zumindest eines Wafers in die Vakuumbehandlungsanlage und zumindest einer ersten Beschichtungskammer, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Beschichtungskammer ein BN-Target umfasst.29. A vacuum treatment system having a lock chamber for introducing and / or discharging at least one wafer into the vacuum treatment installation and at least one first coating chamber, characterized in that the first coating chamber comprises a BN target. 30. Vakuumbehandlungsanlage nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuumbehandlungsanlage stromabwärts der ersten Beschichtungskammer zumindest eine zweite Beschichtungskammer umfasst und diese ein Silizium-Target, bevorzugt ein SiO2-Target, ein SiN-Target, bevorzugt aber ein Si-Target umfasst.30. Vacuum treatment plant according to claim 29, characterized in that the vacuum treatment plant downstream of the first coating chamber comprises at least a second coating chamber and this comprises a silicon target, preferably an SiO 2 target, a SiN target, but preferably a Si target. 31. Vakuumbehandlungsanlage nach einem der Ansprüche 29 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass die Schleusenkammer eine Heizvorrichtung zum Beheizen und/oder eine Ätzvorrichtung zum Behandeln des zumindest einen Wafers umfasst.31. Vacuum treatment installation according to one of claims 29 to 30, characterized in that the lock chamber comprises a heating device for heating and / or an etching device for treating the at least one wafer. 32. Vakuumbehandlungsanlage nach einem der Ansprüche 29 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Schleusenkammer und der ersten Beschichtungskammer zumindest eine Vorbehandlungskammer mit einer Heizvorrichtung zum Beheizen und/oder einer Ätzvorrichtung zum Behandeln des zumindest einen Wafers vorgesehen ist.32. Vacuum treatment plant according to one of claims 29 to 31, characterized in that between the lock chamber and the first coating chamber at least one pre-treatment chamber is provided with a heating device for heating and / or an etching apparatus for treating the at least one wafer. 33. Vakuumbehandlungsanlage nach einem der Ansprüche 29 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuumbehandlungsanlage stromabwärts der Schleusenkammer (S, S') ein oder zwei Vorbehandlungskammer gefolgt von ein oder zwei Beschichtungskammern mit jeweils zumindest einem borhaltigen Target gefolgt von ein oder zwei Beschichtungskammern mit jeweils zumindest einem siliziumhaltigen Target, gefolgt von der Schleusenkammer (S) oder einer weiteren Schleusenkammer (S") umfasst.33. Vacuum treatment plant according to one of claims 29 to 32, characterized in that the vacuum treatment plant downstream of the lock chamber (S, S ') one or two pre-treatment chamber followed by one or two coating chambers each having at least one boron-containing target followed by one or two coating chambers, respectively at least one silicon-containing target, followed by the lock chamber (S) or another lock chamber (S "). 34. Vakuumbehandlungsanlage nach einem der Ansprüche 29 bis 33, dadurch gekennzeichnet, dass die Kammern der Anlage linear, kreisförmig oder polyedrisch angeordnet sind.34. Vacuum treatment plant according to one of claims 29 to 33, characterized in that the chambers of the system are arranged linear, circular or polyhedral.
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