CH711499A2 - Procédé de formation d'une surface décorative sur une pièce micromécanique horlogère et ladite pièce micromécanique horlogère. - Google Patents

Abstract

L’invention se rapporte à un procédé de formation d’une surface décorative sur une pièce micromécanique horlogère comprenant un substrat à base de silicium (1). Selon l’invention, ledit procédé comprend au moins une étape a) de formation de pores (2) à la surface dudit substrat à base de silicium (1) sur une zone du substrat à base de silicium (1) correspondant à la surface décorative à former, lesdits pores étant agencés pour déboucher à la surface externe de la pièce micromécanique horlogère. L’invention concerne également une pièce micromécanique horlogère comprenant un substrat à base de silicium (1), et présentant, sur au moins une zone dudit substrat à base de silicium (1), des pores (2) formés dans ladite zone du substrat à base de silicium (1) et débouchant à la surface externe de la pièce micromécanique horlogère pour former une surface décorative sur ladite zone.

Description

Domaine de l’invention

[0001] La présente invention se rapporte à un procédé pour réaliser une surface décorative sur une pièce micromécanique horlogère comprenant un substrat à base de silicium. L’invention se rapporte également à une pièce micromécanique horlogère comprenant une telle surface décorative, pouvant notamment être obtenue par un tel procédé.

Arrière-plan de l’invention

[0002] Le silicium est un matériau de plus en plus utilisé dans la fabrication de pièces micromécaniques horlogères, notamment des pièces qui restent liées à un substrat à base de silicium sur lequel elles ont été usinées.

[0003] Par exemple, des substrats à base de silicium peuvent être utilisés pour réaliser des cadrans.

[0004] Les cadrans des montres ou autre pièce d’horlogerie comportent des inscriptions ou des surfaces décoratives permettant de donner des indications ou de mettre en valeur le cadran. Ces décorations sont traditionnellement réalisées par différentes techniques de gravure.

[0005] Lorsque le cadran est réalisé à base de silicium, il est nécessaire de proposer de nouvelles techniques pour réaliser de telles inscriptions ou de surfaces décoratives, faciles à mettre en œuvre.

Résumé de l’invention

[0006] A cet effet, la présente invention concerne un procédé de formation d’une surface décorative sur une pièce micromécanique horlogère comprenant un substrat à base de silicium.

[0007] Selon l’invention, ledit procédé comprend au moins une étape a) de formation de pores à la surface dudit substrat à base de silicium sur une zone du substrat à base de silicium correspondant à la surface décorative à former, lesdits pores étant agencés pour déboucher à la surface externe de la pièce micromécanique horlogère.

[0008] La présente invention concerne également une pièce micromécanique horlogère susceptible d’être obtenue par le procédé tel que défini ci-dessus.

[0009] La présente invention concerne également une pièce micromécanique horlogère comprenant un substrat à base de silicium, et présentant, sur au moins une zone dudit substrat à base de silicium, des pores formés dans ladite zone du substrat à base de silicium et débouchant à la surface externe de la pièce micromécanique horlogère pour former une surface décorative sur ladite zone.

[0010] Le procédé selon l’invention permet de créer sur la pièce micromécanique horlogère une surface de silicium poreux décorative de couleur très foncée, proche du noir. Un revêtement métallisé appliqué sur le silicium poreux permet d’obtenir une surface décorative de couleurs interférentielles.

Brève description des dessins

[0011] Les buts, avantages et caractéristiques de la présente invention apparaîtront plus clairement dans la description détaillée suivante d’au moins une forme de réalisation de l’invention donnée uniquement à titre d’exemple non limitatif et illustrée par les dessins annexés sur lesquels: <tb>les fig. 1 à 2<SEP>illustrent schématiquement les étapes d’un procédé selon l’invention.

Description détaillée de l’invention

[0012] En référence aux fig. 1 et 2 , le procédé de formation d’une surface décorative sur une pièce micromécanique horlogère comprenant un substrat à base de silicium 1 selon l’invention comprend tout d’abord une étape a) de formation de pores 2 à partir de la surface dudit substrat à base de silicium 1 sur une zone du substrat à base de silicium 1 correspondant à la surface décorative à former. Les pores 2 sont agencés de manière à déboucher à la surface externe de la pièce micromécanique horlogère, afin de former une surface visible pour l’utilisateur. Le substrat à base de silicium 1 est choisi en fonction de la pièce micromécanique horlogère à former. La forme finale du substrat à base de silicium en fonction de la pièce micromécanique horlogère à fabriquer est donnée avant ou après la mise en œuvre du procédé de l’invention. Dans la présente invention, l’expression «substrat à base de silicium» désigne aussi bien une couche de silicium dans un substrat qu’un substrat en silicium. De préférence, le substrat à base de silicium t est un wafer de silicium ou un wafer SOI (Silicon-on-lnsulator).

[0013] D’une manière avantageuse, cette étape a) peut être réalisée par un procédé choisi parmi le groupe comprenant un procédé par attaque électrochimique, un procédé de type «Stain-etch», et un procédé de type «MAC-Etch».

[0014] Le procédé par attaque électrochimique peut être un procédé par anodisation électrochimique. Sa mise en œuvre nécessite l’utilisation d’un bain électrochimique contenant de l’acide fluorhydrique en solution aqueuse ou mélangé à de l’éthanol dans des concentrations de 1 à 10%. Un courant électrique et des électrodes sont nécessaires pour créer des conditions électrochimiques induisant l’attaque du silicium. Selon les conditions électrochimiques, différents types de pores peuvent être obtenus. Un tel procédé est connu de l’homme du métier et ne nécessite pas d’informations détaillées ici.

[0015] Le procédé de type «Stain-etch» est basé sur une attaque humide du silicium aboutissant directement à la formation de silicium poreux. Typiquement, l’attaque se fait avec une solution HF/HNO3/H2O avec un rapport HF: HNO3de 50-500:1. Ce procédé présente l’avantage de ne pas nécessiter d’apport électrique dans le bain. Un tel procédé est connu de l’homme du métier et ne nécessite pas d’informations détaillées ici.

[0016] De préférence, l’étape a) est réalisée par un procédé de type «MAC-Etch». Ce procédé est basé sur l’utilisation de particules de métaux nobles pour catalyser des réactions d’attaques chimiques locales. Typiquement, une couche très mince (10–50 nm) d’un métal noble (or, argent, platine) est déposée et structurée de manière aléatoire ou par lift-off, attaque, laser, etc. De préférence, le métal noble est de l’or. Plus particulièrement, on peut utiliser avantageusement des particules d’or en solution dans un mélange HF/ H2O2. La taille des particules peut être comprise entre 5 et 1000 nm. La structuration peut être obtenue par lithographie de l’or, attaque ou lift-off. Une autre option est l’évaporation ou la pulvérisation cathodique (sputtering) d’une couche très fine non fermée (5–30 nm). Un traitement thermique pourra contribuer à la formation d’ilots d’or.

[0017] Lorsque le silicium avec la couche de métal noble est plongé dans une solution aqueuse d’un mélange HF/H2O2, le métal noble catalyse localement la dissolution du silicium. Cette solution d’attaque peut comprendre typiquement entre 4 ml: 1 ml: 8 ml (48% HF: 30% H2O2: H2O) et 4 ml: 1 ml: 40 ml (48% HF: 30% H2O2: H2O). La dissolution du silicium se produit préférentiellement sous le métal, celui-ci s’enfonçant alors progressivement dans le silicium. Cette réaction peut se poursuivre sur de grandes profondeurs (> 100 mµ) selon des modes de propagation essentiellement influencés par l’orientation du cristal de silicium, la disposition des surfaces, le dopage et la chimie du bain. Le procédé de type «MAC-Etch» présente l’avantage de ne pas nécessiter d’apport électrique dans le bain tout en autorisant la formation de pores de très grande profondeur (> 100 m fi) dans le silicium. Il est donc particulièrement adapté à l’utilisation, en tant que substrat, de wafers SOI généralement utilisés pour la fabrication des composants horlogers.

[0018] L’homme du métier connait les paramètres des procédés décrits ci-dessus à mettre en œuvre pour que les pores formés dans le substrat à base de silicium présentent une géométrie et une taille appropriées.

[0019] Notamment, en assimilant les pores, dans le plan de la pièce, à des orifices de section circulaire, lesdits pores peuvent présenter de préférence un diamètre compris entre 10 nm et 1000 nm.

[0020] Avantageusement, les pores peuvent présenter une profondeur supérieure à 100 nm, de préférence comprise entre 100 nm et 10 µm, et plus préférentiellement comprise entre 100 nm et 3 µm.

[0021] La géométrie et la taille appropriées des pores permettent d’obtenir une zone de silicium poreux présentant un très haut pouvoir d’absorption de la lumière, dans le domaine du visible notamment, et anti-reflets. On obtient en conséquence une zone de couleur très foncée, sensiblement noire. Comme représenté sur la fig. 2 , la formation de pores 2 dans le substrat à base de silicium 1 sur une certaine profondeur entraine la formation, entre les pores 2, de piliers 3 à base de silicium sur la même profondeur. De préférence, en considérant les piliers à base de silicium comme ayant une section circulaire, les pores 2 sont formés de sorte que la surface projetée des piliers 3 à base de silicium est inférieure à 79% de la surface totale apparente afin de ne pas avoir de piliers à base de silicium qui se touchent. La zone de couleur obtenue est utilisée comme surface décorative sur la pièce micromécanique horlogère. Par surface décorative, on entend par exemple un dessin, un motif ou une inscription, telle que des chiffres, ou tout autre décor.

[0022] Le procédé selon l’invention peut optionnellement comprendre, après l’étape a), une deuxième étape b) consistant à déposer au moins un revêtement sur la surface décorative en silicium poreux obtenue selon l’étape a).

[0023] Avantageusement, ce revêtement déposé à l’étape b) peut comprendre une couche de métallisation à base d’au moins l’un des éléments choisis parmi le groupe comprenant Cr, Ti, Ag, Pt, Cu, Ni, Pd, Rh. De préférence, la couche de métallisation est une fine couche, d’épaisseur inférieure à 50 nm.

[0024] Avantageusement, le revêtement déposé à l’étape b) peut comprendre également une couche transparente d’oxyde, tel que l’un des oxydes choisis parmi le groupe comprenant SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, VO2, ou leurs mélanges. La couche de métallisation ou la couche d’oxyde peuvent être utilisées seules, et être déposées par exemple directement sur le Si poreux, ou les deux couches peuvent être associées, la couche d’oxyde recouvrant alors la couche de métallisation. L’épaisseur de la couche d’oxyde est de préférence comprise entre 100 nm et 2000 nm.

[0025] Le revêtement d’une couche de métallisation et d’une couche transparente d’oxyde sur la surface décorative en silicium poreux permet d’obtenir une surface décorative de couleurs interférentielles.

[0026] Le procédé selon l’invention peut avantageusement être mis en œuvre pour la fabrication de pièces à base de silicium, telles que les cadrans.

[0027] La présente invention concerne également une pièce micromécanique horlogère susceptible d’être obtenue par le procédé tel que décrit ci-dessus.

[0028] Notamment, la présente invention concerne une pièce micromécanique horlogère comprenant un substrat à base de silicium 1, et présentant, sur au moins une zone dudit substrat à base de silicium 1, des pores 2 formés dans ladite zone du substrat à base de silicium 1 et débouchant à la surface externe de la pièce micromécanique horlogère pour former une surface décorative sur ladite zone, de couleur très foncée, comme décrit ci-dessus.

[0029] Selon une autre variante de réalisation, la surface décorative de silicium poreux est recouverte d’un revêtement comprenant une couche de métallisation à base d’au moins l’un des éléments choisis parmi le groupe comprenant Cr, Ti, Ag, Pt, Cu, Ni, Pd, Rh.

[0030] Selon une autre variante de réalisation, la surface décorative de silicium poreux est recouverte d’un revêtement comprenant une couche transparente d’oxyde choisi parmi le groupe comprenant SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, VO2.

[0031] D’une manière avantageuse, la surface décorative de silicium poreux est recouverte d’un revêtement comprenant la couche de métallisation recouverte de la couche transparente d’oxyde. Cela permet de former une surface décorative de couleurs interférentielles.

Claims (12)

1. Procédé de formation d’une surface décorative sur une pièce micromécanique horlogère comprenant un substrat à base de silicium (1), caractérisé en ce que ledit procédé comprend au moins une étape a) de formation de pores (2) à la surface dudit substrat à base de silicium (1) sur une zone du substrat à base de silicium (1) correspondant à la surface décorative à former, lesdits pores étant agencés pour déboucher à la surface externe de la pièce micromécanique horlogère.

2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu’il comprend, après l’étape a), une étape b) de dépôt d’au moins un revêtement sur la surface décorative.

3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le revêtement comprend une couche de métallisation.

4. Procédé selon l’une des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que le revêtement comprend une couche transparente d’oxyde choisi parmi le groupe comprenant SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, VO2.

5. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’étape a) est réalisée par un procédé choisi parmi le groupe comprenant un procédé par attaque électrochimique, un procédé de type «Stain-etch», et un procédé de type «MAC-Etch».

6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel l’étape a) est réalisée par un procédé de type «MAC-Etch».

7. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les pores sont assimilés, dans le plan de la pièce, à des orifices de section circulaire et présentent un diamètre compris entre 10 nm et 1000 nm.

8. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les pores (2) présentent une profondeur supérieure à 100 nm.

9. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le substrat à base de silicium (1) est un wafer de silicium ou un wafer SOI (Silicon-on-lnsulator).

10. Pièce micromécanique horlogère susceptible d’être obtenue par le procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9.

11. Pièce micromécanique horlogère comprenant un substrat à base de silicium (1 ), caractérisée en ce qu’elle présente, sur au moins une zone dudit substrat à base de silicium (1), des pores (2) formés dans ladite zone du substrat à base de silicium (1) et débouchant à la surface externe de la pièce micromécanique horlogère pour former une surface décorative sur ladite zone.

12. Pièce micromécanique horlogère selon la revendication 11, caractérisée en ce que la surface décorative est recouverte d’un revêtement comprenant une couche de métallisation et/ou une couche transparente d’oxyde choisi parmi le groupe comprenant SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, VO2.