CH629338A5 - THYRISTOR WITHOUT LOCKING DELAY. - Google Patents

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CH629338A5
CH629338A5 CH1583277A CH1583277A CH629338A5 CH 629338 A5 CH629338 A5 CH 629338A5 CH 1583277 A CH1583277 A CH 1583277A CH 1583277 A CH1583277 A CH 1583277A CH 629338 A5 CH629338 A5 CH 629338A5
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Manfred Dr Lietz
Roland Dr Sittig
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Bbc Brown Boveri & Cie
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Description

Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe geringe Sperrstrom aufgrund der Rekombination in den Basis zugrunde, einen Thyristor zu schaffen, der abgeschaltet werden zonen nicht stört, steht mit dem neuen Thyristor überdies ein kann, ohne dass eine Sperrverzögerungszeit auftritt, d.h. der Bauelement zur Verfügung, das praktisch ohne jede durch das Thyristor soll bereits bei einem positiven Anodenstrom Span- 65 Bauelement selbst verursachte Verzögerung geschaltet wer-nung aufnehmen. den kann. The present invention is based on the task of low reverse current due to the recombination in the base, to create a thyristor that does not interfere with the zones being switched off, the new thyristor can also be used without a reverse delay time, i.e. the component is available, which should absorb almost no delay caused by the thyristor even with a positive anode current. that can.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass Für einen herkömmlichen Frequenzthyristor muss die die kathodenseitige Emitterzone mit Emitterkurzschlüssen ver- Ladungsträgerlebensdauer in der Basis sehr genau eingestellt This object is achieved according to the invention in that for a conventional frequency thyristor, the charge carrier lifetime in the base, which is the cathode-side emitter zone with emitter short-circuits, must be set very precisely

3 629338 3 629338

werden, damit ein optimaler Kompromiss zwischen kurzer als Funktion der Eindringtiefe), wie es beispielsweise in Fig. 3 Freiwerdezeit und niedrigen Durchlassspannungsabfall erzielt wiedergegeben wurde, zwischen 200 und 600 p.m. Die Breite bs . wird. Diese Einstellung erfordert einen technologisch aufwen- der Shorts 2 hingegen liegt zwischen 20 und 200 (im. Das mit 3 digen Prozess. bezeichnete Gate weist eine Streifenbreite bc auf, die so so that an optimal compromise between a short as a function of the penetration depth), as was achieved, for example, in FIG. 3 release time and a low forward voltage drop, is between 200 and 600 p.m. The width bs. becomes. This setting requires a technologically sophisticated shorts 2, on the other hand, is between 20 and 200 (im. The gate designated with 3 digits process. Has a stripe width bc, that is

Bei einem Bauelement gemäss der Erfindung braucht dage- 5 gewählt wird, dass eine ausreichend leitfähige Metallisierung gen die Ladungsträgerlebensdauer in der Basis nicht mehr so einfach aufgebracht werden kann. In the case of a component according to the invention, it must be chosen that a sufficiently conductive metallization can no longer be applied so easily to the charge carrier life in the base.

genau kontrolliert zu werden, da das Abschaltverhalten weitge- Um die relativ hohen Zündströme zur Verfügung zu stellen, hend durch die Vershortung kontrolliert werden kann. die mit der Erhöhung der Halteströme verbunden sind, kann to be controlled precisely, since the switch-off behavior is very high. which are associated with an increase in the holding currents

Andererseits kann aber bei einer geeigneten mittleren Lebens- der Thyristor mit einem - in Fig. 2 nicht dargestellten - inte-dauer der ausnutzbare dl/dt-Bereich dadurch vergrössert wer- io grierten Hilfsthyristor (Amplifying Gate) versehen werden (zur den, dass die Lebensdauer im Bereich des kathodenseitigen pn- Wirkungsweise und Verwendung von integrierten Hilfsthyri-Übergangs niedriger eingestellt wird. Das kann etwa durch stören vgl.: J. Burtscher: Thyristoren mit innerer Zündverstär-eine Golddiffusion von der Kathodenseite her geschehen. kung; in: Dynamische Probleme der Thyristortechnik; Berlin On the other hand, however, in the case of a suitable mean life, the thyristor can be provided with an integer duration (not shown in FIG. 2) of the utilizable dl / dt range, thereby adding an auxiliary thyristor (amplifying gate) (to the effect that the The service life in the area of the pn mode of action on the cathode side and the use of integrated auxiliary thyri transition is set to a lower value, for example by disturbing cf.: J. Burtscher: Thyristors with internal ignition amplifier - gold diffusion from the cathode side occurs. In: Dynamic problems of thyristor technology; Berlin

Im folgenden werden Ausführungsbeispiele des neuen Thy- 1971, S. 128-146). In the following, exemplary embodiments of the new Thy 1971, pp. 128-146).

ristors anhand von Zeichnungen erläutert, aus denen weitere is Eine andere Möglichkeit, die relativ hohen Zündströme zur Vorteile der Erfindung hervorgehen. Es zeigt: Verfügung zu stellen, besteht in einer Zündung mittels Avalan- ristors explained with reference to drawings, from which is another possibility, the relatively high ignition currents emerge for the advantages of the invention. It shows: To make available consists of an ignition using Avalan-

Fig. 1 schematisch jeweils den Stromverlauf beim Abkom- chestrom (Überkopfzündung). Eine solche Zündung mittels mutieren für einen bestimmten dl/dt-Wert bei einem Thyristor Avalanche- oder Lawinendurchbruchstrom ist bekannt aus der mit geringer Vershortung (Fig. 1 a) und einem Thyristor mit CH-PS 594 984. Sie bietet die Vorteile, dass kein eigener Gate-grosser Vershortung (Fig. lb), 20 kreis benötigt wird und sehr kurze Einschaltzeiten erreicht Fig. 1 schematically shows the current profile in the case of the depletion current (overhead ignition). Such an ignition by means of mutation for a specific dl / dt value in a thyristor avalanche or avalanche breakdown current is known from that with low hoarding (FIG. 1 a) and a thyristor with CH-PS 594 984. It offers the advantages that none Own gate-large short-circuit (Fig. lb), 20 circles is required and very short switch-on times are achieved

Fig. 2 schematisch einen perspektivischen Ausschnitt eines werden. Eine Struktur, die so gezündet werden kann, ist in Fig. 4 Thyristors mit grosser Vershortung, dargestellt. Sie unterscheidet sich von Fig. 2 im wesentlichen Fig. 2 schematically be a perspective section of a. A structure that can be ignited in this way is shown in FIG. 4, with a large number of thyristors. It differs essentially from FIG. 2

Fig. 3 ein Dotierungsprofil eines Leistungsthyristors, wie es dadurch, dass anstelle des Gatebereichs 3 (Fig. 2), gekrümmte bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 verwendet wurde, und pn-Übergänge 5 (Fig. 4) vorgesehen sind. Der Avalanchestrom 3 shows a doping profile of a power thyristor, as is provided by the fact that instead of the gate region 3 (FIG. 2), curved ones were used in the exemplary embodiment according to FIG. 2, and pn junctions 5 (FIG. 4). The Avalanche Stream

Fig. 4 eine Schnittzeichnung durch einen Thyristor ohne 25 setzt gerade in diesen Bereichen ein und wirkt wie der Gate-Steuerelektrode (Gate) und mit kathodenseitig gekrümmten ström in einem Thyristor nach Fig. 2. 4 shows a sectional drawing through a thyristor without 25 is used in these areas and acts like the gate control electrode (gate) and with currents curved on the cathode side in a thyristor according to FIG. 2.

pn-Obergängen. Besonders gut bewährt haben sich auch Zündanordnungen, pn transitions. Ignition arrangements have also proven particularly successful,

In Fig. 1 a ist der zeitliche Verlauf des Anodenstroms I, wäh- bei denen die Zündung mittels Licht erfolgt (vgl. J.R. Davis and rend der Umschaltung von der Durchlassrichtung in die nega- J.S. Roberts: Ultra Fast, High Power Laser-Activated Switches, tive Sperrichtung für einen typischen Leistungsthyristor sehe- 30 PESC 76 Record, S. 272-279). Hierzu wird die in Fig. 2 mit 4 matisch dargestellt. Dabei ist mit I0, der Durchlassstrom zu bezeichnete Gatemetallisierung weggelassen und das Licht Beginn des Abkommutierens (z.B. 200 A) und mit IH, der Halte- dann in das zwischen den Kathodenmetallisierungen (6) befind-strom bezeichnet (z.B. 0,1 A). Beim Nulldurchgang des Stromes liehe Gebiet eingestrahlt. Durch die Lichtzündung wird im Thy-I sind immer noch freie Ladungen in den pn-Übergängen vor- ristor in sehr kurzer Zeit eine hohe Konzentration an Ladungs-handen. Es fliesst daher während der Sperrverzögerungszeit tv 35 trägem erzeugt. Damit wird eine grossflächige Zündung mit ein Rückstrom, der erst verschwindet, wenn die überschüssigen sehr geringen Emschaltverlusten möglich. Im Gegensatz zur Minoritätsträger über die pn-Übergänge abgeflossen sind bzw. Lichtzündung bei bekannten Anordnungen können für das hier in den anschliessenden Zonen rekombinieren konnten. vorgeschlagene Bauelement Laser geringer Leistung, also ins- 1 a shows the time profile of the anode current I during which the ignition takes place by means of light (cf. JR Davis and the changeover from the forward direction to the negative JS Roberts: Ultra Fast, High Power Laser-Activated Switches , tive blocking direction for a typical power thyristor see 30 PESC 76 Record, pp. 272-279). For this purpose, the 4 in Fig. 2 is shown matically. I0, the let-through current to the gate metallization designated is omitted and the light begins to commutate (e.g. 200 A) and IH, the holding current in the current between the cathode metallizations (6) is designated (e.g. 0.1 A). When the current passes through zero, the area is irradiated. Due to the light ignition in the Thy-I, free charges in the pn junctions are still in a very short time a high concentration of charges. It therefore flows slowly generated during the blocking delay time tv 35. This makes a large-area ignition with a reverse current that only disappears when the excess very low switching losses are possible. In contrast to the minority carrier through which the pn junctions have flowed or light ignition in known arrangements could be able to recombine here in the adjoining zones. proposed component laser low power, so

Fig. lb zeigt den zeitlichen Verlauf des Anodenstroms I besondere Halbleiterlaser als Lichtquellen verwendet werden, eines entsprechenden Thyristors mit starker Vershortung, wie 40 weil die Intensität in diesem Fall nur ausreichen muss, um die er etwa in Verbindung mit Fig. 2 näher beschrieben werden Ladungsträgerkonzentration am kathodenseitigen pn-Über-wird. Bei gleicher Abkommutierungsgeschwindigkeit beginnt gang so hoch zu machen, dass es hier zur Ausbildung eines der kathodenseitige Übergang bereits mit einem positiven Zündkanals kommt. Fig. Lb shows the time course of the anode current I special semiconductor lasers are used as light sources, a corresponding thyristor with strong shorting, such as 40 because in this case the intensity only has to be sufficient by which it is described in more detail in connection with FIG. 2 charge carrier concentration on the cathode-side pn-over-is. At the same commutation speed, gear starts to make so high that a transition to the cathode side is already formed with a positive ignition channel.

Strom IAbk Spannung aufzunehmen. Die Sperrverzögerungszeit Als besonders vorteilhaft erweist sich zur Lichtzündung die ty ist in diesem Fall praktisch Null. Der Haltestrom Ih' hinge- 45 Verwendung von Strukturen gemäss Fig. 4, denn im Bereich gen ist bei dem neuen Thyristor höher (etwa 5 A) als bei dem der gekrümmten, sich an die Oberfläche erstreckenden pn-Thyristor gemäss Fig. 1 a. Übergänge wird die Quantenausbeute noch zusätzlich vergrös- Current IAbk voltage. The blocking delay time proves to be particularly advantageous for light ignition, the ty is practically zero in this case. The holding current Ih 'depends on the use of structures according to FIG. 4, because in the region gen the new thyristor is higher (about 5 A) than that of the curved pn thyristor extending to the surface according to FIG. 1A. Transitions, the quantum yield is further increased.

Eine Möglichkeit, die Vershortung eines Thyristors zu erhö- sert. One way to increase the shortage of a thyristor.

hen, zeigt Fig. 2. Dabei sind die Emitter 1 sowie die Shorts 2 in Mit der Struktur gemäss Fig. 4 ist auch ein gemischter 2 shows the emitters 1 and the shorts 2 in. The structure according to FIG. 4 is also a mixed one

Form von Streifen ausgebildet. Die Streifenbreite bE eines 50 Betrieb Überkopf-Licht-Zündung denkbar. Durch eine kon-n+-Streifens des Emitters 1 liegt bei Leistungsthyristoren mit stante geringe Lichtleistung kann dabei die Spannung für die einem Dotierungsprofil (Konzentration der Dotierungsatome Überkopfzündung variiert werden. Formed in the form of strips. The stripe width bE of a 50 overhead light ignition conceivable. A con-n + stripe of the emitter 1 provides power thyristors with a constant low light output, the voltage for the one doping profile (concentration of the doping atoms overhead ignition can be varied.

G G

2 Blatt Zeichnungen 2 sheets of drawings

Claims (5)

629338 2 629338 2 PATENTANSPRÜCHE sehen ist, wobei die Zahl und/oder die Form der Kurzschlüsse, PATENT CLAIMS, the number and / or the form of the short circuits, 1. Ohne Sperrverzögerungszeit abschaltbarer Thyristor, d.h. die Vershortung, und/oder die Dotierung der kathodenseiti-dadurch gekennzeichnet, dass die kathodenseitige Emitterzone gen Basiszone derart gewählt sind, dass ein Sperren des Thyri-(1) mit Emitterkurzschlüssen (2) versehen ist, wobei die Zahl stors bei der maximal zulässigen Abkommutierungsgeschwin-und/oder die Form der Emitterkurzschlüsse, d. h. die Vershor- s digkeit, dl/dt, noch bei einem positiven Anodenstrom erfolgt, tung, und/oder die Dotierung der kathodenseitigen Basiszone Die Erfindung beruht also auf der Erkenntnis, dass ein Sper-derart gewählt sind, dass ein Sperren des Thyristors bei der ren des Thyristors bei positivem Anodenstrom nicht nur im sta-maximal zulässigen Abkommutierungsgeschwindigkeit, dl/dt, tionären Zustand: dl/dt » 0 eintritt, sondern auch für dl/dt-noch bei positivem Anodenstrom erfolgt. Werte, die üblicherweise in Schaltungsanordnungen mit Lei- 1. Thyristor that can be switched off without a blocking delay time, i.e. the shorting, and / or the doping of the cathode side, characterized in that the cathode side emitter zone towards the base zone is selected in such a way that blocking the thyri (1) is provided with emitter short circuits (2), the number stors at the maximum permissible commutation speed and / or the shape of the emitter short circuits, d. H. the sensitivity, dl / dt, still occurs with a positive anode current, and / or the doping of the cathode-side base zone. The invention is therefore based on the finding that a blocking is selected such that blocking of the thyristor in the Ren of the thyristor with positive anode current not only in the maximum permissible commutation speed, dl / dt, stationary state: dl / dt »0 occurs, but also for dl / dt-still with positive anode current. Values that are usually used in circuit arrangements with cables 2. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, io stungsthyristoren vorkommen und etwa zwischen 0,1 und 5 dass die kathodenseitige Emitterzone ( 1 ) und die Emitterkurz- A/p.s liegen können. Um dieses zu erreichen, wird bei einem schlüsse (2) eine periodische Parallelstreifenanordnung bilden, Thyristor beispielsweise die Anzahl der Shorts so lange erhöht, wobei die Breite einer Emitterzone, b& zwischen 200 und 600 ja.m bis der Thyristor für die vorgegebene Abkommutierungsge-und die Breite eines Emitterkurzschlusses, bs, zwischen 20 und schwindigkeit bei einem Strom 0 < IAbk ^ IH abschaltet. 2. Thyristor according to claim 1, characterized in that io stungthyristors occur and approximately between 0.1 and 5 that the cathode-side emitter zone (1) and the emitter short A / p.s can be. In order to achieve this, a periodic parallel strip arrangement is formed in a circuit (2), thyristor, for example, increases the number of shorts so long, the width of an emitter zone, b & between 200 and 600 ja.m until the thyristor for the given commutation and the width of an emitter short circuit, bs, between 20 and speed at a current 0 <IAbk ^ IH switches off. 200 (im beträgt. is Durch die stärkere Vershortung wird schon im stationären 200 (in. Is. Due to the stronger shortage is already in the stationary 3. Thyristor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, Durchlasszustand die Überschwemmungskonzentration am dass die vorwärtssperrenden pn-Übergänge (5) im Bereich zwi- kathodenseitigen pn-Übergang abgesenkt. Bei kleiner werden-schen den, den Emitterkurzschlüssen (2) abgewandten Rändern dem Strom wird der Übergang entsprechend schneller völlig der Emitterzonen, gekrümmt sind und jeweils an der kathoden- frei von beweglichen Ladungsträgern; es kommt zum Sperren seitigen Oberfläche des Thyristors enden. 20 des kathodenseitigen Übergangs. 3. Thyristor according to claim 2, characterized in the on state, the flood concentration at that the forward blocking pn junctions (5) in the region between the cathode-side pn junction is lowered. As the edges of the current facing away from the emitter short-circuits (2) become smaller, the transition to the emitter zones becomes curved faster and correspondingly at the cathode-free of movable charge carriers; it comes to end blocking side surface of the thyristor. 20 of the cathode-side transition. 4. Verfahren zum Betrieb eines Thyristors nach Anspruch 3, Je grösser die Vershortung, d.h. je kleiner der grösste mit Unterbrüchen in der Kathodenmetallisierung, dadurch Abstand eines Punktes der Kathodenfläche vom nächsten gekennzeichnet, dass der Thyristor durch Einstrahlung von Shortrand ist, bzw. je höher die Dotierung der kathodenseiti-Licht in das zwischen den Kathodenmetallisierungen (6) befind- gen Basiszone ist, desto grösser ist auch der maximale dl/dt-liche Gebiet oder mittels Avalanchestrom, d.h. Überkopfzün- 25 Wert, bei dem der Thyristor noch bei positivem Anodenstrom dung, gezündet wird. sperrt. 4. A method of operating a thyristor according to claim 3, the greater the shortness, i.e. the smaller the largest with interruptions in the cathode metallization, characterized by the distance from one point of the cathode surface to the next, that the thyristor is exposed to the edge of the short edge, or the higher the doping of the cathode-side light in that between the cathode metallizations (6) Base zone is, the larger is the maximum dl / dt area or by means of avalanche current, ie Overhead ignition value at which the thyristor is still ignited when the anode current is positive. locks. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, Für Abkommutierungsgeschwindigkeiten zwischen 0,1 und dass als Lichtquelle ein Laser verwendet wird. 5 A/ns wie sie üblicherweise in Schaltungen mit Zwangskommutierung auftreten, muss die Vershortung so gross gewählt 5. The method according to claim 4, characterized in that for commutation speeds between 0.1 and that a laser is used as the light source. 5 A / ns, as they usually occur in circuits with forced commutation, the size of the short set must be selected 30 werden, dass die dadurch bedingte Haltestromerhöhung um den Faktor 10 bis 100 höher liegt als bei den üblichen in derartigen Schaltungen verwendeten Thyristoren. Der Haltestrom der neuen Thyristoren liegt daher etwa zwischen 1 und 20 A. 30 that the resulting increase in holding current by a factor of 10 to 100 is higher than with the usual thyristors used in such circuits. The holding current of the new thyristors is therefore between 1 and 20 A. Die in der Stromrichtertechnik verwendeten Leistungsthy- Dieser Zusammenhang zwischen Haltestromerhöhung und ristoren werden dadurch ausgeschaltet, dass der Anodenstrom 35 Abnahme des Sperrverzögerungs- und damit auch Freiwerde-jeweils kurzzeitig unter den Wert des Haltestromes gesenkt zeit darf indessen nicht verwechselt werden mit der in der Lite-wird. Dazu wird der Thyristor zunächst von der Durchlassrich- ratur bekannten Beziehung (vgl. z.B. S.M. Sze: Physics of Semi-tung in die negative Sperrichtung geschaltet. Innerhalb der conductor Devices, New York 1969, S. 340): The performance aesthetics used in converter technology- This connection between the increase in the holding current and the transistors are switched off by the fact that the anode current 35 decrease in the blocking delay and thus also release - each time briefly reduced below the value of the holding current - should not be confused with that in the Lite- becomes. For this purpose, the thyristor is first switched from the relationship known from the forward direction (see, for example, S.M. Sze: Physics of Semi-tung in the negative reverse direction. Within the conductor Devices, New York 1969, p. 340): sogenannten Sperrverzögerungszeit, tv, werden dabei die beiden äusseren Sperrschichten aufgrund des bestehenden elektri- 40 toff = tp In Iq/Ih (1) sehen Feldes von freien Ladungsträgern geräumt. Die Höhe des Rückstromes Ir während der Sperrverzögerungszeit hängt wobei mit t0ff die Freiwerdezeit, mit tp die Lebensdauer der im wesentlichen von der Steilheit des Stromabfalls (im folgen- Ladungsträger in der anodenseitigen Basiszone, I0 der Strom den auch als Abkommutierungsgeschwindigkeit bezeichnet) zur Zeit t = 0 und IH der Haltestrom bezeichnet sind. Diese dl/dt, von der Höhe des vorherigen Durchlassstromes I0, und 45 Gleichung bezieht sich nur auf den Fall, dass bei Bestimmung von der Höhe der Sperrschichttemperatur ab (vgl. z.B. BBC der Freiwerdezeit die Sperrverzögerungszeit vernachlässigt Silizium Stromrichterhandbuch, Baden 1971, S. 60 ff.). werden kann. Der Spannungsverlauf der treibenden Spannung So-called blocking delay time, tv, the two outer barrier layers are cleared of free charge carriers due to the existing electrical field. In Iq / Ih (1) see field. The magnitude of the reverse current Ir during the blocking delay time depends on the time t0ff, the free time, tp the life span of the essentially on the steepness of the current drop (in the following charge carrier in the anode-side base zone, I0 the current also referred to as the commutation speed) at time t = 0 and IH are the holding current. This dl / dt, from the level of the previous forward current I0, and 45 equation only relates to the case that when determining the level of the junction temperature (see, for example, BBC the release time, the blocking delay time neglects silicon power converter manual, Baden 1971, p. 60 ff.). can be. The voltage curve of the driving voltage Sind die beiden äusseren Sperrschichten frei von Ladungs- wird ausserdem als Sprung vorausgesetzt, während es sich in trägem, so wird der restliche Teil der Freiwerdezeit, tF im der Regel um einen - in der Nähe des Strom-Nulldurchganges - If the two outer barrier layers are free of charge, a jump is also assumed, while it is sluggish, the remaining part of the release time, tF, is usually one - near the zero current crossing - wesentlichen durch die Rekombination der Ladungsträger 50 eingeprägten linearen Stromverlauf handeln wird (Netzspan-innerhalb der Basiszonen bestimmt. nung). Gerade der durch die Gleichung (1 ) gegebene Zusam- essentially act through the recombination of the charge carriers 50 impressed linear current profile (mains voltage determined within the base zones. Precisely the combination given by equation (1) Zur Verkürzung der Freiwerdezeit ist es bekannt, entweder menhang hat bisher verhindert, Thyristoren mit kurzer Thyristoren mit dünnen Basiszonen zu verwenden, was Freiwerdezeit aufgrund einer Erhöhung des Haltestroms zu zwangsweise zu einer Verschlechterung der Spannungsfestig- bauen, weil nach dieser Gleichung die Wirkung aufgrund des keit führt oder die Lebensdauer der Ladungsträger in der Basis 55 logarithmischen Zusammenhanges relativ gering ist (vgl. Radeherabzusetzen, was zu einer Verschlechterung der Durchlass- recht: The development of a gate assisted turn-off thyristor for eigenschaften dieser Bauelemente führt. use in high frequency applications, Int. J. Electronics 36 (1974), To shorten the release time, it is known that either menhang has hitherto prevented the use of thyristors with short thyristors with thin base zones, which inevitably leads to a deterioration in the voltage resistance due to an increase in the holding current, because according to this equation the effect due to the speed leads or the lifespan of the charge carriers is relatively short in the base 55 logarithmic context (cf. lowering the wheel, which leads to a deterioration in the right of access: The development of a gate assisted turn-off thyristor for properties of these components. use in high frequency applications , Int. J. Electronics 36 (1974), Ferner sind auch Thyristoren bekannt, bei denen versucht S. 401). Im Gegensatz hierzu zeigt die vorliegende Erfindung, wird, das Freiwerdeverhalten durch das Anlegen einer negati- dass bereits relativ geringe Haltestromerhöhung die Sperrverven Gatespannung zu verbessern (vgl. Raderecht, in: J. Electro- 60 zögerungszeit beseitigen und damit die Freiwerdezeit zusätz-nics 36 (1974, S. 399-416). lieh verkürzen. In Schaltungsanordnungen, in denen der Furthermore, thyristors are also known, in which p. 401 tried. In contrast to this, the present invention shows that the release behavior is improved by applying a negative, that is already relatively small, holding current increase to the blocking voltage gate voltage (cf. Radrecht, in: J. Electro-60 Eliminating the Delay Time and thus the Release Time Additional-nics 36 (1974, pp. 399-416). In circuit arrangements in which the
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