CH469508A - Verfahren zur Wärmebehandlung von Halbleiterkörpern und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens - Google Patents

Verfahren zur Wärmebehandlung von Halbleiterkörpern und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens

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CH469508A
CH469508A CH1355066A CH1355066A CH469508A CH 469508 A CH469508 A CH 469508A CH 1355066 A CH1355066 A CH 1355066A CH 1355066 A CH1355066 A CH 1355066A CH 469508 A CH469508 A CH 469508A
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semiconductor bodies
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CH1355066A
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Emeis Reimer Dr Dipl-Phys
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Siemens Ag
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10Reaction chambers; Selection of materials therefor

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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