CH427753A - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers, nach diesem Verfahren hergestellter Halbleiterkörper und dessen Verwendung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers, nach diesem Verfahren hergestellter Halbleiterkörper und dessen Verwendung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen

Info

Publication number
CH427753A
CH427753A CH689263A CH689263A CH427753A CH 427753 A CH427753 A CH 427753A CH 689263 A CH689263 A CH 689263A CH 689263 A CH689263 A CH 689263A CH 427753 A CH427753 A CH 427753A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
semiconductor
producing
bodies produced
devices
semiconductor devices
Prior art date
Application number
CH689263A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Bloem Jan
Steinmaier Walter
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of CH427753A publication Critical patent/CH427753A/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
CH689263A 1962-06-04 1963-05-31 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers, nach diesem Verfahren hergestellter Halbleiterkörper und dessen Verwendung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen CH427753A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL279257 1962-06-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH427753A true CH427753A (de) 1967-01-15

Family

ID=19753875

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH689263A CH427753A (de) 1962-06-04 1963-05-31 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers, nach diesem Verfahren hergestellter Halbleiterkörper und dessen Verwendung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen

Country Status (6)

Country Link
BE (1) BE633216A (en))
CH (1) CH427753A (en))
DK (1) DK120090B (en))
ES (1) ES288638A1 (en))
GB (1) GB1044041A (en))
NL (1) NL279257A (en))

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU1592899A (en) 1997-12-02 1999-06-16 Gelest, Inc. Silicon based films formed from iodosilane precursors and method of making th e same
JP2975917B2 (ja) 1998-02-06 1999-11-10 株式会社半導体プロセス研究所 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
NL279257A (en))
ES288638A1 (es) 1963-11-16
BE633216A (en))
GB1044041A (en) 1966-09-28
DK120090B (da) 1971-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH524251A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung
AT251755B (de) Prothesenteil und Verfahren zu dessen Herstellung
CH421304A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement
CH401464A (de) Verfahren zur Herstellung eines Luftreifens und nach diesem Verfahren hergestellter Luftreifen
CH453340A (de) Verfahren zur Herstellung von trans-Dimethylolcyclohexan-1,4
CH395945A (de) Verfahren zur Herstellung einer inerten Bleidioxydelektrode, nach diesem Verfahren hergestellte Bleidioxydelektrode und Verwendung derselben
CH369829A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung auf der Basis eines Halbleiterkörpers und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung
CH409300A (de) Verfahren zur Herstellung eines Austauschkörpers und nach dem Verfahren ausgeführter Austauschkörper
CH422422A (de) Rückentragbares Sprühgerät und Verfahren zu dessen Herstellung
CH427065A (de) Verfahren zur Herstellung eines weichmagnetischen Mangan-Zink-Ferroferrit-Sinterkörpers und nach diesem Verfahren hergestellter Sinterkörper
CH392439A (de) Verfahren zur Bearbeitung eines Plattenkörpers und nach diesem Verfahren hergestellter Plattenkörper
CH407334A (de) Verfahren für die Herstellung von pin-Übergangs-Festkörpervorrichtungen, eine nach diesem Verfahren hergestellte pin-Übergangs-Festkörpervorrichtung und eine Verwendung derselben
CH451918A (de) Verfahren zur Herstellung von organometallischen Isocyanaten bzw. Isothiocyanaten
CH391732A (de) Verfahren zur Herstellung einer haltbaren flüssigen Zusammensetzung, und nach diesem Verfahren hergestellte haltbare flüssige Zusammensetzung
CH427753A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers, nach diesem Verfahren hergestellter Halbleiterkörper und dessen Verwendung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
CH449795A (de) Verfahren zur Herstellung eines keramischen Ferrimagnetikums und nach diesem Verfahren hergestelltes keramisches Ferrimagnetikum
CH439182A (de) Verfahren zur Herstellung eines Metallreflektors und nach dem Verfahren hergestellter Metallreflektor
CH426740A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements, nach diesem Verfahren hergestelltes Element, und Verwendung desselben
AT243239B (de) Verfahren zur Herstellung von Cyclododekatrienen-(1, 5, 9)
CH464377A (de) Verfahren zur Herstellung eines weichmagnetischen Mangan-Zink-Ferroferritsinterkörpers und nach diesem Verfahren hergestellter Sinterkörper
AT244319B (de) Verfahren zur Herstellung von 4-Chlor -bzw. 4-Brom-2-formylbuten-(2) bzw. dessen Acetal oder Acylat
CH507230A (de) Verfahren zur Herstellung eines ungesättigten -Decalactones und dessen Verwendung
CH475790A (de) Verfahren zur Herstellung eines Katalysators und nach diesem Verfahren hergestellter Katalysator
CH435184A (de) Verfahren zur Herstellung von Werkzeugen und nach diesem Verfahren hergestelltes Werkzeug
CH430704A (de) Verfahren zur Herstellung von 4,7-Dihalogen-1-methylindan-3-onen