CH427037A - Verfahren zum Einlegieren einer aus Aluminium und einem benetzend wirkenden Hilfsmetall bestehenden Elektrode in einen Germanium-Einkristall - Google Patents

Verfahren zum Einlegieren einer aus Aluminium und einem benetzend wirkenden Hilfsmetall bestehenden Elektrode in einen Germanium-Einkristall

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CH427037A
CH427037A CH1246260A CH1246260A CH427037A CH 427037 A CH427037 A CH 427037A CH 1246260 A CH1246260 A CH 1246260A CH 1246260 A CH1246260 A CH 1246260A CH 427037 A CH427037 A CH 427037A
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CH1246260A
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Ruecker Dieter Dr Dipl-Phys
Eberhard Dipl Phys Thuermel
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Siemens Ag
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/04—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the liquid state
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
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CH1246260A 1959-11-13 1960-11-08 Verfahren zum Einlegieren einer aus Aluminium und einem benetzend wirkenden Hilfsmetall bestehenden Elektrode in einen Germanium-Einkristall CH427037A (de)

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