CH383011A - Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial - Google Patents
Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von HalbleitermaterialInfo
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- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
- C30B13/30—Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH383011A true CH383011A (de) | 1964-10-15 |
Family
ID=7497725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH887760A CH383011A (de) | 1959-09-23 | 1960-08-04 | Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial |
Country Status (3)
Country | Link |
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CH (1) | CH383011A (de) |
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-
1960
- 1960-08-04 CH CH887760A patent/CH383011A/de unknown
- 1960-09-23 GB GB3285360A patent/GB922426A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE595256A (de) | |
GB922426A (en) | 1963-04-03 |
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