CH367576A - In ein gasdichtes Gehäuse eingeschlossene Photohalbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

In ein gasdichtes Gehäuse eingeschlossene Photohalbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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CH367576A
CH367576A CH6967459A CH6967459A CH367576A CH 367576 A CH367576 A CH 367576A CH 6967459 A CH6967459 A CH 6967459A CH 6967459 A CH6967459 A CH 6967459A CH 367576 A CH367576 A CH 367576A
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CH
Switzerland
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photo
gas
production
semiconductor device
tight housing
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Application number
CH6967459A
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German (de)
English (en)
Inventor
Reimer Emeis
Original Assignee
Siemens Ag
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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CH6967459A 1958-02-22 1959-02-17 In ein gasdichtes Gehäuse eingeschlossene Photohalbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung CH367576A (de)

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DES57057A DE1282203B (de) 1957-06-24 1958-02-22 Verfahren zum Herstellen einer insbesondere auf Strahlung ansprechenden Halbleiterkristall-anordnung mit pn-UEbergang und den pn-UEbergang gegen Feuchtigkeit schuetzender Huelle und danach hergestellte Halbleiteranordnung

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FR1225123A (fr) 1960-06-29
GB907569A (en) 1962-10-10
US3004168A (en) 1961-10-10

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