CH300623A - Electroradiography process. - Google Patents

Electroradiography process.

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CH300623A
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Description

  

  Procédé     d'électroradiographie.       La présente, invention concerne     l'électro-          radiographie,    c'est-à-dire la préparation par  une méthode électrique d'images radiogra  phiques.  



  L'invention a pour but de réaliser un pro  <B>cédé</B>     kectroradiographique    rapide, permet  tant d'obtenir une impression radiographique  quelques secondes après l'a fin de l'exposition.  



  Elle a également pour but de permettre la  production de radiographies de façon écono  mique.  



  <B>A</B> cet effet, le procédé selon l'invention  consiste<B>à</B> charger électriquement la surface  d'une plaque revêtue d'une, couche de ma  tière semi-conductrice,<B>à</B> exposer cette sur  face chargée aux radiations émises par une  source de rayons pénétrants, notamment de  rayons X, tandis qu'un objet<B>à</B> examiner est  disposé entre ladite source et ladite surface  chargée et<B>à</B> saupoudrer la surface de la pla  que ainsi exposée d'une matière qui reste  appliquée aux endroits encore chargés.  



  La description qui suit est faite en regard  du dessin annexé, dans lequel:  La     fig.   <B>1</B> illustre une façon de charger  la plaque recouverte de, la couche semi-con  ductrice.  



  La     fig.    2 représente schématiquement un  appareil pour la mise en     #uvre        du    procédé  selon l'invention.  



  Les     fig.   <B>3</B> et 4 illustrent deux manières  de développer l'image radiographique sur ]a  Plaque,    La     lig.   <B>5</B> représente une coupe transver  sale d'un échantillon utilisé pour déterminer  la sensibilité<B>à</B> l'effet de contraste du pro  <B>cédé.</B>  



  La     fig.   <B>6</B> représente un dessin     reprodui-          san#t        l'électroradiographie    de cet échantillon.  La     fig.   <B>1</B> représente une -plaque<B>11 -</B> en  cours de charge, électrostatique par décharge  en couronne<B>à</B> partir<B>d'un</B> fil métallique. Ce  dernier est supporté par un châssis isolant<B>13</B>  fixé sur une table de support<B>15.</B> Une source  <B>16</B> de courant<B>à</B> haute. tension sert<B>à</B> exciter  le conducteur 12.  



  Dans l'appareil de la,     fig.    2, la plaque  chargée<B>11</B> est maintenue en place -dans un       porte-plaque    21, qui doit être en une matière  non susceptible d'absorber les rayons     X.    Une  plaque 22, en plomb constitue un écran de  protection. La -source 24 de rayons X émet  des radiations en direction de l'objet<B>25 à</B>  examiner qui -est constitué par une superpo  sition de plaques de métal.  



  La     fig.   <B>3</B> illustre la phase de développe  ment -de la plaque<B>11</B> qui est placée dans une  cuvette<B>30.</B> Des cales<B>31-31,</B> placées dans le  fond de la cuvette, maintiennent la plaque<B>11</B>  en place. On fait circuler alternativement en  avant et en arrière, et en travers de la pla  que<B>11,</B> un révélateur convenable<B>33,</B> en     _bas-          culant    la cuvette<B>30</B> dans un sens puis     daiis     l'autre. Les particules du révélateur<B>33</B>     adh#-          rent    aux surfaces de la plaque<B>Il</B> sur     le#-          quelles    la charge électrique n'a pas disparu.

        <B>A</B> la     fig.    4, on a représenté une autre     fa-          çond'opérer    le développement en disposant la  plaque<B>11</B> avec sa face chargée retournée.     au-          dessus    d'une chambre formée par un réci  pient<B>35</B> dans lequel on maintient une atmo  sphère saturée en particules du révélateur.       Un    agitateur<B>37</B> provoque la circulation<B>et</B>  l'agitation des particules du révélateur. L'agi  tateur<B>37</B> peut être entraîné<B>à</B> la main ou par  un moteur.

   Ici encore; les particules<B>du</B> révé  lateur adhèrent aux zones de la. plaque     qui     sont restées chargées en faisant ainsi appa  raître l'image produite lors de l'exposition.  



  La     fig.        5.représente    un échantillon     utili-A     dans des essais pour déterminer la sensibilité   <B>à</B> l'effet de contraste. L'échantillon consiste  en trois plaques métalliques (d'aluminium en  l'occurrence) 40, 41 et 42. On a pratiqué dans  la plaque intermédiaire 41 des trous circulai  res de diamètres différents: 43, 44, 45, 46,  47 et 48.     L'électroradiographie    obtenue en  utilisant cet échantillon est reproduite<B>à</B> la       fig.   <B>6.</B> Les régions de moindre épaisseur sont  indiquées par des zones blanches.  



  Parmi les matières semi-conductrices qui  donnent satisfaction, il<B>y</B> a lieu de mention  ner le sélénium, le soufre,     Fanthracène,        its     mélanges de soufre et     d'anthracène,        leq    mélan  ges -de sélénium et de soufre, et autres ma  tières sensibles aux radiations de pénétration.  



  On peut charger la surface semi-conduc  trice par     dïutres    méthodes que celle illustrée  <B>à</B> la,     fig.   <B>1,</B> par exemple par frottement.  



  Les rayons pénétrants susceptibles d'être  utilisés dans le procédé. selon l'invention     COI.11-          prennent    les rayons X, les rayons gamma,  les rayons de     Grenz    et toutes les radia  tions électromagnétiques capables d'exci  ter des corps semi-conducteurs convenables en  augmentant leur     conductibilité.    On peut pré  voir des mises en     #uvre    particulières du pro  <B>cédé</B> selon l'invention dans lesquelles les ra  diations sont réfléchies.

   On peut prévoir éga  lement de radiographier l'objet<B>à</B> partir<B>(le</B>  deux     ou    trois directions mutuellement perpen  diculaires en -vue d'obtenir     des    images     stéréo-          scopiques   <B>ou</B> toutes autres vues.  



  Dans le cas où l'on -utilise une matière         semi-conductrice    extrêmement sensible, il  peut être nécessaire de réaliser l'exposition  dans l'obscurité, étant donné     quune    telle ma  tière peut se décharger facilement lorsqu'elle  est exposée<B>à</B> la lumière.

   Par exemple, -une  plaque enduite d'une couche de sélénium doit  être exposée aux radiations     pénétrant-es    dans  l'obscurité, tandis qu'une plaque enduite  d'une couche     d'anthracène    peut être exposée  <B>à</B> la lumière.     Etant-    donné que la quantité  d'énergie absorbée est fonction de l'épaisseur,  de la composition,     etc.,    des objets traversés  par le rayonnement, il est évident qu'il se  formera sur la surface semi-conductrice une  représentation figurative de la charge,     qui     sera conforme<B>à</B>     une    image positive de l'objet  radiographié.  



  L'image formée     par    saupoudrage peut  être examinée immédiatement. Toutefois, on  peut obtenir en quelques secondes une copie  permanente de l'image et il est souvent<B>dé-</B>  sirable d'obtenir une. telle copie. On peut obte  nir cette copie de plusieurs manières. Par  exemple, on peut appliquer contre la plaque  portant l'image de poudre, une feuille enduite  d'un adhésif et effectuer ainsi le     transfeit     des particules de poudre.

   On peut     égalenieut     avoir recours<B>à</B> l'emploi     desolvants,        etc.    Tou  tefois, la façon la plus avantageuse consiste<B>à</B>  appliquer contre la plaque portant l'image une  feuille sur laquelle l'image est transférée et<B>à</B>  soumettre cet ensemble<B>à</B> une décharge     du    type  en couronne qui distribue des charges électro  statiques sur la matière de transfert. L'image  de poudre est transférée par une action élec  trostatique<B>à</B> la feuille. Pour -ce faire, on peut  employer l'appareil représenté<B>à</B> la     fig.   <B>1.</B> On  peut rendre permanente l'image ainsi trans  férée par fusion ou fixation chimique.  



  Il est évident que l'on peut reproduire  l'image électrostatique en déplaçant un dis  positif d'exploration au-dessus de la surface  qui porte le dessin de la charge, après quoi  on peut reproduire l'image sur un écran en  fonction des signaux émanant du dispositif  d'exploration.  



  Une propriété importante de toutes les  radiographies concerne leur définition     Qu    pou-      voir<B>de</B> résolution, lequel peut être le mieux  défini en fonction du nombre de lignes par  centimètre d'un spécimen<B>à</B> grand contraste       que    peut présenter nettement l'image<B>à</B> rayons       X.    On a obtenu<B>à</B> ce sujet des images expéri  mentales d'un tamis<B>à</B> mailles de<B>0,59</B>     min,     dans lequel chacun des fils de<B>0,330</B> min de  diamètre, espacés de<B>0,589</B> mm, était nette  ment révélé.

   Des images analogues d'un tamis  <B>à</B> mailles de<B>0,125</B> mm représentaient nette  ment des fils de<B>0,0863</B> mm de diamètre, espa  cés de 0,124 mm; tandis     que    d'excellentes  images d'un tamis<B>à</B> mailles de 0,074 mm per  mettaient d'établir que la définition du pré  sent procédé     éleetroradiographique    était au  moins de<B>80</B> lignes par centimètre, cette va  leur n'étant nullement indiquée comme valeur  limite, mais simplement<B>à</B> titre     illustratif.     Cette définition observée peut se comparer  favorablement avec la définition de<B>80</B> lignes  par centimètre obtenue dans des conditions  optima avec un écran     fluoroscopique    indus  triel<B>à</B> grain fin,

   dans les conditions d'obser  vation du laboratoire. Ces     électroradiogra-          phies    avaient été obtenues en utilisant une  durée d'exposition de 20 secondes et un appa  reil industriel producteur de rayons X, ali  menté<B>à</B> la tension maximum de<B>150</B>     kilovolts     et sous<B>1.0</B> milliampères.  



  Un autre facteur de base dans l'évalua  tion de la technique des rayons X en radio  graphie est la sensibilité du contraste, expri  mée en pour-cent, autrement ait la varia  tion de l'épaisseur totale de la matière qui  peut juste être décelée dans l'interprétation  des radiographies. Les radiographies indus  trielles présentent couramment une sensibilité       du        contraste        de    2     %        et        l'on        peut        obtenir        une          sensibilité        au        contraste        

  de   <B>1</B>     %        dans        la        plu-          part    des cas. En     fluoroscopie,    toutefois, la  sensibilité typique au contraste est de l'ordre  de<B>15</B>     Ilq.    Même dans les conditions optima,  les images     11-noroscopiques    industrielles ont  rarement, sinon jamais,

   présenté des sensi  bilités au contraste supérieures<B>à 6</B> ou<B>7 %.</B> On  a obtenu une évaluation préliminaire  de la  large gamme de la sensibilité du contraste de       l'#lectrQradiographie    en utilisant le procédé    pour produire des     électrorachographies        d'erri-          pilages'de    tôles épaisses d'aluminium     #conte-          nant    une couche interne     d'alun-ànium    d'épais  seur nominale et percée de plusieurs trous.  Par -exemple, on a obtenu des images avec un  empilage épais de<B>19</B> mm et dans lequel la  section intermédiaire, épaisse de<B>6,35</B> mm,  était percée d'une série de trous de diamètres  différents.

   Ces derniers sont révélés nette  ment<B>à</B>     l'électroradiographie    représentée<B>à</B> la       figg.   <B>6.</B> On a pu également déceler des trous  similaires percés dans une tôle     #daluminiLLni     épaisse de<B>1,6</B> mm intercalée entre deux tôles  d'aluminium épaisses de<B>12,6</B> mm et non per  forées. Ce dernier essai correspond<B>à</B> une sen  sibilité du contraste de<B>6</B> % environ et n'est  que représentatif du degré de contraste que  le présent procédé permet d'obtenir, étant  donné qu'on n'a pas encore examiné<B>à</B> fond  les conditions optima.

   Ces images ont été  obtenues par une exposition. de<B>60</B> secondes<B>à</B>  un rayonnement X d'un appareil industriel  alimenté sous<B>150</B>     kilovolts    maximum et  <B>10</B> milliampères.  



  On a constaté que les procédés     électroradio-          graphiques    présentent une large     gamime    de  latitudes, tout en conservant une bonne sensi  bilité locale au contraste. On     peui    définir 'la  latitude comme     Paptitude   <B>à</B> obtenir une image  utilisable dans des conditions très variées  d'exposition, ou avec des épaisseurs de ma  tières très variables, avec une exposition uni  que. On a obtenu des     électroradiographies     satisfaisantes en utilisant des tensions de  pointe comprises entre<B>160</B> et 200     kilovolts.     



  Les études     d'électroradiographies    font res  sortir que<B>le.</B> contraste augmente avec la du  rée d'exposition au moins jusqu'à une durée  optimum -définie. Cet effet s'accompagne  d'une diminution de la densité de     l'arrière-          plan.        L'électroradiographie    est intéressante  en ce qu'elle     pernietd'obtenir    des images po  sitives directes, tandis que la radiographie  ordinaire sur des pellicules<B>à</B> rayons X ne  donne que des images négatives.  



  Lorsqu'on emploie une matière semi-con  ductrice sensible<B>à</B> la lumière, il est possible  de combiner des radiations lumineuses, ou      non pénétrantes, avec toutes radiations péné  trantes, pour réaliser l'exposition.     L'exposi-          tioe    aux radiations non pénétrantes et aux  radiations pénétrantes peut avoir lieu simul  tanément ou séparément.  



  Parmi les avantages -du procédé, mention  nons le fait que les plaques utilisées peuvent  être utilisées<B>à</B> plusieurs 'reprises; il suffit  seulement d'enlever toute particule de poudre  adhérant<B>à</B> la plaque avant de poursuivre les  opérations du procédé. On peut effectuer fa  cilement ce nettoyage. en faisant passer alter  nativement en avant et en arrière en travers  de la plaque,<B>à</B> plusieurs reprises, -une matière  granulaire qui entraîne avec elle les     partica-          les    susceptibles d'être restées sur la surface de  la plaque.



  Electroradiography process. The present invention relates to electro-radiography, that is to say the preparation by an electrical method of radiographic images.



  The object of the invention is to achieve a rapid <B> yielded </B> kectroradiographic process, so that a radiographic impression can be obtained a few seconds after the end of the exposure.



  It is also intended to enable the production of radiographs in an economical manner.



  <B> A </B> this effect, the method according to the invention consists of <B> </B> electrically charging the surface of a plate coated with a layer of semiconductor material, <B> to </B> expose this charged surface to radiations emitted by a source of penetrating rays, in particular X-rays, while an object <B> to </B> to examine is placed between said source and said charged surface and < B> à </B> sprinkle the surface of the plate thus exposed with a material which remains applied to the places still loaded.



  The following description is given with reference to the accompanying drawing, in which: FIG. <B> 1 </B> illustrates one way to load the plate covered with the semi-conductive layer.



  Fig. 2 schematically shows an apparatus for carrying out the method according to the invention.



  Figs. <B> 3 </B> and 4 illustrate two ways of developing the radiographic image on] a Plate, La lig. <B> 5 </B> is a cross section of a sample used to determine the sensitivity <B> to </B> the contrast effect of the <B> assigned process. </B>



  Fig. <B> 6 </B> is a drawing reproducing the electroradiography of this sample. Fig. <B> 1 </B> represents a -plate <B> 11 - </B> being charged, electrostatic by corona discharge <B> from </B> from <B> a </B> metal wire. The latter is supported by an insulating frame <B> 13 </B> fixed on a support table <B> 15. </B> A source <B> 16 </B> of current <B> to </ B > high. voltage is used <B> to </B> excite the conductor 12.



  In the apparatus of, fig. 2, the loaded plate <B> 11 </B> is held in place -in a plate holder 21, which must be of a material not capable of absorbing X-rays. A plate 22, made of lead, constitutes a screen of protection. The x-ray source 24 emits radiation in the direction of the object <B> 25 to </B> to examine which is made up of a superposition of metal plates.



  Fig. <B> 3 </B> illustrates the development phase -of the plate <B> 11 </B> which is placed in a bowl <B> 30. </B> Wedges <B> 31-31, </B> placed in the bottom of the bowl, hold the <B> 11 </B> plate in place. Alternately, forward and backward, and across the plate, <B> 11, </B> a suitable developer <B> 33, </B> is circulated by _ tilting the bowl <B> 30 </ B> in one direction then in the other. The <B> 33 </B> developer particles adhere to the surfaces of the <B> He </B> plate where the electric charge has not disappeared.

        <B> A </B> in fig. 4, another way of operating the development has been shown by placing the plate <B> 11 </B> with its loaded face turned upside down. above a chamber formed by a <B> 35 </B> container in which an atmosphere saturated with developer particles is maintained. A <B> 37 </B> agitator causes the developer particles to circulate <B> and </B>. The <B> 37 </B> agitator can be driven <B> by </B> by hand or by a motor.

   Here again; the <B> developer </B> particles adhere to the areas of the. plate which remained charged, thus showing the image produced during the exposure.



  Fig. 5. represents a sample used in assays to determine the sensitivity to <B> to </B> the effect of contrast. The sample consists of three metal plates (aluminum in this case) 40, 41 and 42. Circular holes of different diameters were made in the intermediate plate 41: 43, 44, 45, 46, 47 and 48 The electroradiography obtained using this sample is reproduced <B> to </B> in fig. <B> 6. </B> Areas of less thickness are indicated by white areas.



  Among the semiconductor materials which give satisfaction, there should be mentioned selenium, sulfur, Fanthracene, its mixtures of sulfur and anthracene, the mixtures of selenium and sulfur , and other materials sensitive to penetrating radiation.



  The semi-conductive surface can be loaded by methods other than that illustrated <B> to </B> la, fig. <B> 1, </B> for example by friction.



  Penetrating rays likely to be used in the process. according to the invention COI.11- take X-rays, gamma rays, Grenz rays and all electromagnetic radiations capable of exiting suitable semiconductor bodies by increasing their conductivity. One can foresee particular implementations of the <B> assigned </B> process according to the invention in which the ra diations are reflected.

   It is also possible to plan to radiograph the object <B> from </B> from <B> (the </B> two or three mutually perpendicular directions in order to obtain stereoscopic images <B> or </B> all other views.



  In the case where an extremely sensitive semiconductor material is used, it may be necessary to carry out the exposure in the dark, since such material can easily discharge when exposed to <B>. </B> the light.

   For example, -a plate coated with a layer of selenium must be exposed to radiation penetrating in the dark, while a plate coated with a layer of anthracene can be exposed <B> to </B> the light. Since the amount of energy absorbed is a function of the thickness, composition, etc., of the objects through which the radiation passes, it is evident that a figurative representation of the surface will be formed on the semiconductor surface. charge, which will conform <B> to </B> a positive image of the radiographed object.



  The image formed by sprinkling can be examined immediately. However, a permanent copy of the image can be obtained within seconds and it is often <B> </B> desirable to obtain one. such copy. This copy can be obtained in several ways. For example, it is possible to apply against the plate bearing the image of powder, a sheet coated with an adhesive and thus effect the transfer of the powder particles.

   One can also have recourse to <B> </B> the use of solvents, etc. However, the most advantageous way is <B> </B> to apply against the plate carrying the image a sheet on which the image is transferred and <B> to </B> submit this set <B> to </B> A corona-type discharge which distributes electro-static charges on the transfer material. The powder image is transferred by an electrostatic action <B> to </B> the sheet. To do this, the apparatus shown <B> in </B> in fig. <B> 1. </B> The image thus transferred can be made permanent by fusion or chemical fixation.



  It is obvious that one can reproduce the electrostatic image by moving a positive scanning device over the surface which bears the pattern of the charge, after which one can reproduce the image on a screen according to the signals. emanating from the exploration device.



  An important property of all radiographs concerns their definition Qu power <B> of </B> resolution, which can be best defined according to the number of lines per centimeter of a specimen <B> to </B> great contrast that the <B> </B> X-ray image can present clearly. Experimental images of a <B> </B> mesh sieve have been obtained <B> at </B> this subject of <B> 0.59 </B> min, in which each of the <B> 0.330 </B> min diameter wires, spaced <B> 0.589 </B> mm, was clearly revealed.

   Similar images of a <B> </B> <B> 0.125 </B> mm mesh sieve clearly showed threads of <B> 0.0863 </B> mm in diameter, spaced 0.124 mm; while excellent images of a 0.074 mm mesh <B> </B> sieve established that the definition of the present electroradiographic process was at least <B> 80 </B> lines per centimeter , this value is not given to them as a limit value, but simply <B> to </B> for illustrative purposes. This observed definition can be compared favorably with the definition of <B> 80 </B> lines per centimeter obtained under optimum conditions with an industrial <B> </B> fine grain fluoroscopic screen,

   under the conditions of observation of the laboratory. These electroradiographs were obtained using an exposure time of 20 seconds and an industrial X-ray producing apparatus, powered <B> at </B> the maximum voltage of <B> 150 </B> kilovolts. and under <B> 1.0 </B> milliamperes.



  Another basic factor in evaluating x-ray technique in radiography is the sensitivity of contrast, expressed as a percent, otherwise the variation in the total thickness of the material can just be detected. in the interpretation of radiographs. Industrial radiographs commonly have a contrast sensitivity of 2% and contrast sensitivity can be achieved

  of <B> 1 </B>% in most cases. In fluoroscopy, however, the typical contrast sensitivity is on the order of <B> 15 </B> Ilq. Even under optimum conditions, industrial 11-noroscopic images rarely, if ever, have

   exhibited contrast sensitivities greater than <B> 6 </B> or <B> 7%. </B> A preliminary assessment of the wide range of contrast sensitivity of # lectrQradiography was obtained using the process for producing electrorachographs of thick aluminum plates containing an internal layer of alumium nominal thickness and pierced with several holes. For example, we obtained images with a thick stack of <B> 19 </B> mm and in which the intermediate section, thick of <B> 6.35 </B> mm, was drilled with a series holes of different diameters.

   The latter are clearly revealed <B> at </B> the electroradiography shown <B> in </B> in figg. <B> 6. </B> It was also possible to detect similar holes drilled in a #daluminiLLni sheet <B> 1.6 </B> mm thick interposed between two aluminum sheets <B> 12 thick, 6 </B> mm and not drilled. The latter test corresponds <B> to </B> a contrast sensitivity of approximately <B> 6 </B>% and is only representative of the degree of contrast that the present process achieves, given that 'optimum conditions have not yet been examined at <B> to </B>.

   These images were obtained by an exhibition. from <B> 60 </B> seconds <B> to </B> X radiation from an industrial device powered at <B> 150 </B> kilovolts maximum and <B> 10 </B> milliamperes.



  It has been found that electroradio-graphic methods exhibit a wide range of latitudes, while retaining good local sensitivity to contrast. Latitude can be defined as the ability <B> to </B> obtain an image which can be used under a wide variety of exposure conditions, or with very variable material thicknesses, with a single exposure. Satisfactory electroradiographs have been obtained using peak voltages between <B> 160 </B> and 200 kilovolts.



  Electroradiography studies show that <B> the. </B> contrast increases with the rate of exposure at least up to a defined optimum duration. This effect is accompanied by a decrease in the density of the background. Electroradiography is interesting in that it can provide direct po sitive images, while ordinary radiography on <B> </B> X-ray films gives only negative images.



  When using a semi-conductive material sensitive <B> to </B> light, it is possible to combine luminous, or non-penetrating, radiations with any penetrating radiations, to achieve the exposure. Exposure to non-penetrating radiation and to penetrating radiation may occur simultaneously or separately.



  Among the advantages of the process are the fact that the plates used can be used <B> for </B> several times; it suffices only to remove any powder particles adhering <B> to </B> the plate before continuing the process operations. This cleaning can be carried out easily. by passing natively forward and backward through the plate, <B> to </B> several times, -a granular material which carries with it the particles likely to have remained on the surface of the plate .

 

Claims (1)

<B>-</B> REVENDICATIONS: <B>1.</B> Procédé d'électroradiographie, carac térisé en ce qu'il consiste<B>à</B> charger électrique ment la surface #d'une plaque revêtue dune couche<B>dé</B> matière semi-conductrice,<B>à</B> exposer cette surface chargée aux radiations émises par une source de rayons pénétrants, tandis qu'un objet<B>à</B> examiner est disposé entre la dite -source et, ladite surface chargée, et<B>à</B> sau poudrer la surface de la, plaque ainsi exposée d'une matière qui reste appliquée aux en droits, encore chargés. II. Electroradiographie obtenue au moyen i du procédé selon la revendication I. <B> - </B> CLAIMS: <B> 1. </B> Electroradiography process, characterized in that it consists of <B> </B> electrically charging the surface # of a plate coated with a layer of <B> of </B> semiconductor material, <B> to </B> exposing this charged surface to radiation emitted by a source of penetrating rays, while an object <B> to </ B > examine is disposed between said -source and said loaded surface, and <B> to </B> to powder the surface of the plate thus exposed with a material which remains applied to the rights, still loaded. II. Electroradiography obtained by means of the process according to claim I. SOUS-REVENDICATIONS: <B>1.</B> Procédé selon la revendication I, carac- térisé en ce qu'on charge ladite couche de matière semi-conductrice en la soumettant<B>à:</B> une charge électrostatique. 2. Procédé selon la revendication I, carac térisé en ce qLi'on transfère l'image produite sur une seconde surface et en ce qu'on fixe sur celle-ci de façon permanente l'image ainsi transférée. SUB-CLAIMS: <B> 1. </B> A method according to claim I, characterized in that said layer of semiconductor material is charged by subjecting it <B> to: </B> an electrostatic charge . 2. Method according to claim I, characterized in that the image produced is transferred to a second surface and in that the image thus transferred is permanently fixed thereon. <B>3.</B> Procédé selon la revendication I et la sous-revendication 2, caractérisé en ce que le transfert de l'image visible sur la seconde surface est réalisé par Papplication d'un champ électrostatique. 4. <B> 3. </B> A method according to claim I and sub-claim 2, characterized in that the transfer of the visible image on the second surface is carried out by the application of an electrostatic field. 4. Procédé selon la revendication I et la sous-revendication <B>1,</B> caractérisé en ce que ladite matière -semi-conductrice est le sélé- nium. <B>5.</B> Procédé selon la revendication I, carae- térisé en ce que la surface recouverte d'une couche de matière semi-conductrice est expo sée<B>à</B> une combinaison de radiations pén6,- trantes et de radiations non pénétrantes. A method according to claim I and sub-claim <B> 1, </B> characterized in that said semiconductor material is selenium. <B> 5. </B> The method of claim I, characterized in that the surface covered with a layer of semiconductor material is exposed <B> to </B> a combination of pen6 radiations, - trants and non-penetrating radiation.
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