CH268970A - A method of manufacturing a selenium rectifying element and a rectifying element obtained by this process. - Google Patents

A method of manufacturing a selenium rectifying element and a rectifying element obtained by this process.

Info

Publication number
CH268970A
CH268970A CH268970DA CH268970A CH 268970 A CH268970 A CH 268970A CH 268970D A CH268970D A CH 268970DA CH 268970 A CH268970 A CH 268970A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
layer
insulating material
covered
selenium
sub
Prior art date
Application number
Other languages
French (fr)
Inventor
Telephone Et Radio S Standard
Original Assignee
Standard Telephone & Radio Sa
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Standard Telephone & Radio Sa filed Critical Standard Telephone & Radio Sa
Publication of CH268970A publication Critical patent/CH268970A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

  

  Procédé de fabrication d'un élément redresseur au sélénium et élément redresseur  obtenu par ce procédé.    L'invention se rapporte à -un procédé de  fabrication d'un élément redresseur au sélé  nium,     particulièrement    par découpage dans  un élément redresseur plus grand. On sait  que du découpage, quel que soit le procédé  adopté, il peut résulter qu'un ou plusieurs des       #léments    soient. endommagés et nécessitent une  opération ultérieure pour retrouver     leurs    pro  priétés de redressement.  



  L'objet de la présente invention est -un  procédé de fabrication     d'un    élément redres  seur au sélénium par découpage     d'un    élément  redresseur plus grand qui évite la nécessité de  faire d'autres opérations sur les éléments indi  viduels     pour    leur rendre leurs propriétés de  redressement.  



  Suivant la présente invention, ce procédé  est caractérisé en ce qu'on recouvre les zones  dudit grand élément redresseur dans les  quelles sont situées les     lignes    de découpage de  l'élément redresseur plus petit, d'une couche  de matière isolante.  



  Le dessin ci-annexé représente, à titre  d'exemple, deux formes d'exécution de l'élé  ment redresseur objet de l'invention et illus  tre le procédé.  



  La     fig.    1 est une vue en plan de la pre  mière forme d'exécution.  



  La     fig.    2 est une coupe transversale de  l'élément redresseur circulaire de la     fig.    1,  après découpage dans l'élément redresseur  plus grand.    Les     fig.    3 et 4 sont des vues en plan et en  coupe de la seconde forme d'exécution.  



  La     fig.    5 est une vue en section transver  sale d'une variante d'exécution.  



  En se référant au dessin, et d'abord aux       fig.    1 et 2, une plaque de base 1 de     surface     suffisante pour pouvoir fournir     un    certain  nombre d'éléments redresseurs     est    revêtue uni  formément de sélénium 2 à l'épaisseur voulue  et par des traitements à chaud, de la manière  connue, le     sélénium,    est converti     pour-lui    donner  <B>]a.</B> structure particulière qui lui, confère des pro  priétés de redressement.

   Un isolant, peinture  ou vernis 3 et 4, est alors appliqué à travers un  masque pour recouvrir les parties du     sélénium     qui se trouvent dans le voisinage des lignes  suivant lesquelles le découpage des éléments  plus petits doit avoir lieu:, ainsi que les     parties     sur lesquelles la pression de contact doit  s'exercer.  



  Les     fig.    1 et 2 illustrent le cas où     les    élé  ments redresseurs finis doivent être montés  sur un mandrin central et où le contact doit  avoir lieu avec la contre-électrode de chaque  élément sir une surface entourant immédia  tement le mandrin central. Une ouverture 8  est pratiquée éventuellement par poinçonnage  pour le passage du mandrin et la surface en  tourant cette ouverture est recouverte     d'une     peinture isolante 4. Une partie annulaire si  tuée à la périphérie de chaque élément final  est aussi recouverte     d'une    peinture isolante 3.

        La contre-électrode 7 est     ensuite        appliquée     sur la partie en forme     d'anneau    isolé concen  trique à la     partie    centrale 4 de la peinture  isolante, cette contre-électrode recouvrant par  tiellement à la fois cette partie centrale 4 et  l'anneau     isolant        extérieur    3.

   Les éléments     in-          dividuels    sont alors découpés par poinçon  nage,     suivant    un cercle 6, situé     pour    chaque  élément, dans l'anneau de peinture     isolante    3,  en     dehors    de la contre-électrode 7. De pré  férence,     tous    les     éléments    à tirer de la même       feuille    sont     poinçonnés    simultanément.

   Les  ouvertures centrales peuvent être     poinçonnées     par la même opération ou par     ime    opération       ultérieure.    La peint-Lire isolante 3 adjacente  à la     ligne    extérieure de découpage protège le  sélénium contre des dommages pouvant résul  ter de l'opération de découpage.  



  Il doit être entendu, cependant, que les  ouvertures centrales 8 peuvent être formées  dans la plaque 1 avant que celle-ci soit recou  verte de sélénium.  



  Les redresseurs     aii    sélénium doivent, ainsi  qu'on le sait, être     soumis    à un traitement élec  trique pour leur conférer une résistance élevée  dans le sens inverse.     Oe    traitement électrique  peut avoir lieu, soit avant, soit après que les  redresseurs ont été découpés dans la feuille.  



  Les     fig.    3 et 4 montrent le même procédé  appliqué au découpage d'éléments     rectangu-          laires        dans    une     feuille    de     grandes    dimensions.

         Dans        l'exemple    représenté, les     contacts    cen  traux ne sont pas     prévus.    La plaque de base  1 est recouverte     uniformément    de sélénium  2 qui est ensuite traité à chaud de la manière       connue.    Une peint-Lire isolante est alors appli  quée à travers     im    masque, ou des masques,

         découvrant        seulement    des bandes 3 dans les  quelles sont situées les     lignes    6 suivant les  quelles les éléments seront découpés et des       bandes        disposées    sur les bords de la plaque  de base. La contre-électrode est     ensuite    éten  due sur les surfaces exposées du sélénium, en  recouvrant partiellement les bandes 3 de pein  ture isolante. Finalement, les éléments sont  découpés     suivant    les lignes 6.  



       Suivant    -une, variante, représentée à la       fig:    5, après que la peinture isolante 3 a été         appliquée,    le métal 7 qui doit former les  contre-électrodes est     appliqué    en l'étendant  sur la surface entière de la plaque de base 1.  Ceci     facilite        l'application    du traitement élec  trique avant que la plaque soit découpée en  éléments plus petits, en ce     qu'une    simple élec  trode peut créer le contact     nécessaire        avec,    la       contre-électrode    7.

   Les éléments sont alors dé  coupés.     Dans    ce cas, il est nécessaire que l'iso  lant, peinture ou     vernis,    soit capable de résis  ter à la pression de l'opération de     découpage,     afin d'empêcher des rebords, qui peuvent être  formés dans la     contrei-électrode    7 par le dé  coupage,  de percer la couche de     matière    iso  lante pendant le découpage et d'être mis en  contact avec la plaque de base 1, le long des       lignes    de découpage 6.



  A method of manufacturing a selenium rectifying element and a rectifying element obtained by this process. The invention relates to a method of manufacturing a selenium rectifier element, particularly by cutting from a larger rectifier element. It is known that from the splitting, whatever the method adopted, it may result that one or more of the elements are. damaged and require subsequent operation to regain their straightening properties.



  The object of the present invention is -a method of manufacturing a selenium rectifier element by cutting a larger rectifier element which avoids the need to perform other operations on the individual elements to restore their properties to them. recovery.



  According to the present invention, this method is characterized in that the zones of said large rectifying element in which the cutting lines of the smaller rectifying element are located are covered with a layer of insulating material.



  The appended drawing represents, by way of example, two embodiments of the rectifying element which is the subject of the invention and illustrates the process.



  Fig. 1 is a plan view of the first embodiment.



  Fig. 2 is a cross section of the circular straightening element of FIG. 1, after cutting into the larger straightening element. Figs. 3 and 4 are plan and sectional views of the second embodiment.



  Fig. 5 is a cross-sectional view of an alternative embodiment.



  Referring to the drawing, and first to Figs. 1 and 2, a base plate 1 of sufficient surface to be able to supply a certain number of rectifying elements is uniformly coated with selenium 2 to the desired thickness and by heat treatments, in the known manner, selenium is converted to give it <B>] a. </B> a particular structure which confers on it properties of recovery.

   An insulator, paint or varnish 3 and 4, is then applied through a mask to cover the parts of the selenium which are in the vicinity of the lines along which the cutting of the smaller elements must take place :, as well as the parts on which the contact pressure must be exerted.



  Figs. 1 and 2 illustrate the case where the finished rectifier elements are to be mounted on a central mandrel and where contact is to take place with the counter electrode of each element on a surface immediately surrounding the central mandrel. An opening 8 is possibly made by punching for the passage of the mandrel and the surface by turning this opening is covered with an insulating paint 4. An annular part if killed at the periphery of each final element is also covered with an insulating paint 3 .

        The counter-electrode 7 is then applied to the part in the form of an insulated ring concen tric to the central part 4 of the insulating paint, this counter-electrode partially covering both this central part 4 and the outer insulating ring 3. .

   The individual elements are then cut out by punch swimming, following a circle 6, located for each element, in the ring of insulating paint 3, outside the counter-electrode 7. Preferably, all the elements to be drawn from the same sheet are punched simultaneously.

   The central openings can be punched by the same operation or by a subsequent operation. The insulating paint-Read 3 adjacent to the outer die line protects the selenium from damage that may result from the cutting operation.



  It should be understood, however, that the central openings 8 can be formed in the plate 1 before it is covered with selenium.



  As is known, selenium rectifiers must be subjected to an electrical treatment to give them a high resistance in the reverse direction. The electrical treatment can take place either before or after the rectifiers have been cut from the sheet.



  Figs. 3 and 4 show the same process applied to cutting rectangular elements from a large sheet.

         In the example shown, the central contacts are not provided. The base plate 1 is uniformly coated with selenium 2 which is then heat treated in the known manner. An insulating paint-Read is then applied through a mask, or masks,

         discovering only bands 3 in which are located the lines 6 following which the elements will be cut and bands arranged on the edges of the base plate. The counter electrode is then spread over the exposed surfaces of the selenium, partially covering the strips 3 with insulating paint. Finally, the elements are cut along lines 6.



       According to -a variant, shown in fig: 5, after the insulating paint 3 has been applied, the metal 7 which is to form the counter-electrodes is applied by extending it over the entire surface of the base plate 1. This facilitates the application of the electrical treatment before the plate is cut into smaller pieces, in that a single electrode can create the necessary contact with the counter electrode 7.

   The elements are then diced. In this case, it is necessary that the insulation, paint or varnish, be able to withstand the pressure of the cutting operation, in order to prevent edges, which may be formed in the counter-electrode 7 by die cutting, to pierce the layer of insulating material during cutting and to be brought into contact with the base plate 1, along the cutting lines 6.

 

Claims (1)

REVENDICATION I: Procédé de fabrication d'in élément re dresseur au séléniiun, par découpage dans un élément redresseur de plus grandes dimen sions, caractérisé en ce qu'on recouvre les zones dudit grand élément redresseur dans lesquelles sont situées les lignes de découpage de l'élément redresseur plus petit, d'une cou che de matière isolante. SOUS-REVENDICATIONS 1. Procédé selon la revendication I, carac térisé en ce qu'on recouvre de matière iso lante une zone de la couche de sélénium qui entoure ce qui sera la surface active de l'élé- nient redresseur. 2. CLAIM I: A method of manufacturing a selenium straightening element, by cutting in a rectifying element of larger dimensions, characterized in that the zones of said large rectifying element are covered in which the cutting lines of the rectifier are located. smaller rectifier element, with a layer of insulating material. SUB-CLAIMS 1. A method according to claim I, characterized in that an area of the selenium layer which surrounds what will be the active surface of the straightening element is covered with insulating material. 2. Procédé selon la sous-rervendication 1, caractérisé en ce qu'on recouvre ladite zone de ladite matière isolante avant qu'on recou vre la surface active du redresseur d'un métal formant la contre-éleetrode: 3. Procédé selon la sous-revendication 2, caractérisé en ce qu'on recouvre dudit métal non seulement ladite surface active, mais également les parties contiguës de ladite cou che de matière isolante. 4. Method according to sub-claim 1, characterized in that said zone is covered with said insulating material before the active surface of the rectifier is covered with a metal forming the counter-electrode: 3. Method according to the sub-claim 2, characterized in that not only said active surface is covered with said metal, but also adjacent parts of said layer of insulating material. 4. Procédé selon la sous-revendication 2, caractérisé en ce qu'on recouvre dudit métal ladite surface active, ainsi que la surface en tière de ladite couche de matière isolante. 5. Procédé selon la sous-revendication 1, notamment d'un élément redresseur présen tant une ouverture centrale pour son montage sur un mandrin, caractérisé en ce qu'on recou vre également d'une couche de matière iso lante une zone s'étendant autour de ladite ouverture centrale. 6. Method according to sub-claim 2, characterized in that said active surface is covered with said metal, as well as the main surface of said layer of insulating material. 5. Method according to sub-claim 1, in particular of a rectifier element having a central opening for its mounting on a mandrel, characterized in that also covered with a layer of insulating material an area extending. around said central opening. 6. Procédé selon la revendication I et la sous-revendication 1, caractérisé en ce qu'on recouvre lesdites zones d'une couche de ma tière isolante destinée à empêcher des rebords de la contre-électrode formés par le décou page de celle-ci de percer ladite couche de matière isolante pendant le découpage et d'entrer en contact avec une plaque de base supportant la couche de sélénium. 7. Procédé selon la sous-revendication 6, caractérisé en ce que ladite matière isolante est une peinture. 8. Procédé selon la sous-revendication 6, caractérisé en ce que ladite matière isolante est une laque. A method according to claim I and sub-claim 1, characterized in that said areas are covered with a layer of insulating material intended to prevent edges of the counter-electrode formed by the cutout of the latter from piercing. said layer of insulating material during cutting and coming into contact with a base plate supporting the layer of selenium. 7. Method according to sub-claim 6, characterized in that said insulating material is a paint. 8. Method according to sub-claim 6, characterized in that said insulating material is a lacquer. UEVËNDICATION Il : Elément redresseur obtenu par le procédé selon la revendication I, caractérisé @en ce que la couche de sélénium que présente l'élément est recouverte d'une couche de matière iso lante sur la périphérie de l'élément. SOUS-REVENDICATIONS 9. Elément selon la revendication II, com prenant une plaque de base recouverte de sé lénium et une couche de métal formant contre- électrode, recouvrant le sélénium, caractérisé en ce qu'au moins une partie de ladite cou che de matière isolante est interposée entre la contre-électrode et le sélénium. EVIDICATION II: Rectifying element obtained by the process according to claim I, characterized in that the selenium layer which the element presents is covered with a layer of insulating material on the periphery of the element. SUB-CLAIMS 9. Element according to claim II, comprising a base plate covered with selenium and a layer of metal forming a counter-electrode, covering the selenium, characterized in that at least part of said layer of material insulator is interposed between the counter electrode and the selenium. 10. Elément selon la revendication II, pré sentant une ouverture centrale pour son mon tage sur un mandrin, caractérisé en ce que la surface du sélénium entourant ladite ou verture centrale est également recouverte de matière isolante. 10. Element according to claim II, having a central opening for its mounting on a mandrel, characterized in that the surface of the selenium surrounding said or central opening is also covered with insulating material.
CH268970D 1942-12-03 1946-09-03 A method of manufacturing a selenium rectifying element and a rectifying element obtained by this process. CH268970A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB268970X 1942-12-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH268970A true CH268970A (en) 1950-06-15

Family

ID=10250910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH268970D CH268970A (en) 1942-12-03 1946-09-03 A method of manufacturing a selenium rectifying element and a rectifying element obtained by this process.

Country Status (1)

Country Link
CH (1) CH268970A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1008415B (en) * 1952-11-17 1957-05-16 Siemens Ag Process for the production of dry rectifier disks, especially for selenium rectifiers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1008415B (en) * 1952-11-17 1957-05-16 Siemens Ag Process for the production of dry rectifier disks, especially for selenium rectifiers

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2619256A1 (en) ELECTRIC CONTACT TERMINAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A TERMINAL
JPH03205004A (en) Bimetal type coining blank
WO2020144223A3 (en) Method for forming product structure having porous regions and lateral encapsulation
CH268970A (en) A method of manufacturing a selenium rectifying element and a rectifying element obtained by this process.
CH364300A (en) Rotor armature for rotary electric machine with flat annular air gap
US2468169A (en) Method of making electrical connectors
US1286384A (en) Spark-plug and method of making the same.
US1451818A (en) Gyroscopic top and method of making same
BE467781A (en)
CH332881A (en) Method of manufacturing a dial for a timepiece with added signs and dial obtained by this method
CH351545A (en) Manufacturing process of a watch case part
CH258124A (en) A method of manufacturing a rectifying element, and a rectifying element obtained by this method.
BE467296A (en)
US2909832A (en) Method of making a laminated bearing
BE519784A (en)
BE439534A (en)
CH260421A (en) Process for the manufacture of dry alternating current rectifiers.
KR101660676B1 (en) The Method For Manufacturing For Core built in Seal
US1786445A (en) Phonograph bezel
JPH0252126A (en) Manufacture of grooved cylindrical part
CH344374A (en) Manufacturing process of a dial with golden relief signs
GB191121256A (en) Improvements in Wire Fencing.
FR2832983A1 (en) Cover for cork and neck of bottle, especially of sparkling wine, has truncated conical skirt with pressed aluminum cap glued to it
FR2618861A1 (en) Method for securing two metal plates together, particularly for registration plates
US1941738A (en) Cork covered spindle