CH262790A - Process for making artificial crystals. - Google Patents

Process for making artificial crystals.

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CH262790A
CH262790A CH262790DA CH262790A CH 262790 A CH262790 A CH 262790A CH 262790D A CH262790D A CH 262790DA CH 262790 A CH262790 A CH 262790A
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CH
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solution
dependent
crystals
crystal
supersaturated
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Ag Standard Telephon Und Radio
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Standard Telephon & Radio Ag
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F31/00Mixers with shaking, oscillating, or vibrating mechanisms
    • B01F31/80Mixing by means of high-frequency vibrations above one kHz, e.g. ultrasonic vibrations
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/14Phosphates

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Description

       

  
 



  Verfahren zur Herstellung künstlicher Kristalle.



   Die vorliegende Erfindung betrifft   ein    Verfahren zur   Herstel]ung      künstlieher    Kristalle, wie beispielsweise piezoelektrisehe Kristalle, in einer übersättigten Lösung.



   Wenn man einen Kristall in einer übersättigten Lösung zum   AVaehsen    bringt, so begegnet man grossen   Sehwierigkeiten    infolge der Anwesenheit von Staub und schwebenden Teilen in der Lösung. Partikel dieses Staubes sind Kristallisationszentren, auf welchen sieh die mikroskopischen Kristalle anlagern. Sie fallen zum grössten Teil rasch auf den Boden des Gefässes und vermindern den Lösungsgehalt derart, dass die grossen Kristalle, die man zu erhalten wünscht, selten wirklich erhalten werden.   (5gewisse    mikrokristalline Partikel, die in der Lösung schweben, setzen sieh auf den Flächen grosser Kristalle an solchen Stellen an, die nicht der allgemeinen Anordnung von Ionen im   Kristallgftter    entsprechen.

   Dadurch entstehen lokale Fehler, was zu Einschlüssen von übersättigter Lösung im Kristall führen kann.



   Es ist bekannt, die Bedeutung dieser Faktoren durch verschiedene Verfahren, wie beispielsweise durch Filtrierung, Zentrifugierung usw., zu vermeiden. Diese Verfahren vermindern die Anzahl der schädlichen, parasitischen Partikel, ohne diese jedoch vollständig auszuscheiden.



   Die vorliegende Erfindung hat ein Verfahren zum Ziel, bei welchem die zur   Ilerstel-    lung von künstlichen Kristallen verwendete iibersättigte Lösung durch besondere   Mass-    nahmen frei von Unreinigkeiten gemacht wird, wodurch auch die erhaltenen Kristalle frei von solchen sind.



   Gemäss dem erfindungsgemässen Verfahren wird die übersättigte   Lösung    vor der Bil  dung    der künstlichen Kristalle, zwecks Abscheidung von als unerwünschte Kristallisationszentren wirkenden Verunreinigungen, mechanischen Schwingungen von solcher Frequenz ausgesetzt, dass sich augenblicklich Kristallkerne bilden.



   Beispielsweise können zu diesem Zweck mit Vorteil   Ultraschallschwing-ungen    verwendet werden.



   Vorzugsweise wird die Lösung während der Anlegung dieser   Ultraschallschwingun-    gen gemischt bzw. in Bewegung gehalten, damit alle Teile der Lösung dem   Ultraschall-    strahl ausgesetzt werden.



   Nachstehend wird die   Erfindung    an Hand   eines    Ausführungsbeispiels und unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.



   In der Zeichnung zeigt:
Die Fig. 1 einen Vertikalschnitt durch einen zur Durchführung des erfindungsgemä  ssen    Verfahrens geeigneten Apparat   und    die Fig. 2 einen längs der Linie   A-B    der Fig. 1 geführten Schnitt in schematischer Darstellung.



   Im Behälter 1, der vorzugsweise durch  sichtig    ist und den man durch ein regulierbares (nicht gezeigtes) Heizsystem auf einer  konstanten Temperatur hält, wird eine gesättigte Lösung eines Salzes bei einer gegebenen Temperatur zubereitet. Zur   Vereinfachimg    der Beschreibung wird die Annahme getroffen, dass piezoelektrisehe Kristalle aus Monoammoniumphosphat erhalten werden sollen, wobei zu erwähnen ist, dass sich das beschriebene Verfahren selbstverständlich auch auf andere Kristalle bei entsprechender Temperatur und Konzentration anwenden lässt. In 100 Liter Wasser, die beispielsweise auf eine Temperatur von 500 C erwärmt werden, werden 69,5 kg   Monoammoniumphosphat    gelöst, wodurch man eine gesättigte Lösung bei 500 C erhält.

   Die Mischung wird umgerührt, beispielsweise mit Hilfe des Propellers 2, um in der ganzen Lösung eine homogene Temperatur zu erhalten.



   Nun wird die Temperatur der Lösung auf 450 C gebracht, worauf diese Lösung mechanischen Schwingungen unterworfen wird, vorzugsweise mit Hilfe eines durch den Generator 3 erzeugten Strahls von Ultrasehallwellen.



  Dieser Strahl hat die Eigenschaft, eine plötz  liche    Bildung von mikroskopischen Kristallen zu bewirken, die sich vorzugsweise auf schwebenden Partikeln bilden. Diese Partikel werden auf diese Weise rasch in kleine Kristalle eingeschlossen, werden dadurch schwer und fallen auf den Boden des Behälters. Infolge des Arbeitens des Propellers 2 wird die ganze Lösung durch den Ultrasehallstrahl hindurchgeführt.



   Wenn die Dichte der Lösung beispielsweise derjenigen einer gesättigten Lösung von 450 C entspricht, wird die Erzeugung der Ultraschallwellen unterbrochen und man gestattet den Kristallen, sieh auf dem Boden des Behälters abzusetzen. Der Boden 4 des Behälters ist vorzugsweise konisch ausgebildet und weist ein Rohr 5 und einen   Ablass-    hahn 6 auf. Bevor die Lösung der Einwir  kung    des Ultrasehallstrahls ausgesetzt wird, wird auf deren Oberfläche eine Lage 7 einer neutralen Flüssigkeit, wie beispielsweise Vaselinöl, gegossen, welche das Eindringen von Staubpartikeln in die Lösung verhindert.



      Die auf dem Boden des Behälters : 1 angesammelten : Kristalle werden mittels des    Hahnes 6 abgelassen. Dann wird mittels eines Lichtstrahls, den man durch die Lösung hin  durehsehiekt,    festgestellt, ob diese optisch   durchsichüg    ist.



   Nach der Entfernung aller   Kristalle    und ihrer Keime, welche sich mit den in der Lö  sung    schwebenden Staubpartikeln vereinigt haben, wird die Lösung um mehrere Grade (z. B. 2 bis 100 C) erwärmt, um die im Behälter bzw. in der Lösung zurückgebliebenen Kerne wieder aufzulösen. Dann lässt man die Lösung beispielsweise auf 400 C abkühlen, was wieder eine übersättigte Lösung ergibt, welche aber frei von Unreinigkeiten ist. Dann werden ein oder mehrere Kristalle 8, die man zu vergrössern wünscht, beispielsweise mit Hilfe der Tragvorrichtungen 9 in die Lösung eingetaucht. Die Lösung wird durch den Propeller 2 dauernd   umgerührt,    bis die Kristalle auf die gewünschte Grösse angewachsen sind.



   In der Lösung können sich zufällig auch andere Kristallpartikel bilden, die sich auf dem in Bildung begriffenen Kristall anlagern können. Um diese unerwünschten Kerne abzuseheiden, können beispielsweise längs der Vertikalwand des Behälters 1 vorzugsweise vertikal verlaufende Platten 10 angeordnet werden. Durch die von Propeller 2 bewirkte Umrührung der Lösung gelangen die erwähnten Kerne mit den Platten in Berührung, wo sie angehalten werden   und    sich auf den Boden des Behälters absenken. Am untern Ende dieser Platten können kleine Trichter 11 mit einem Ausflussrohr 12 und einem Ablasshahn 13 vorgesehen werden, damit diese unerwünschten Partikel aus der Lösung ausgeschieden werden können.

   Man kann in den Trichtern 11 auch Heizelemente 14 vorsehen, die beispielsweise aus elektrischen Widerständen bestehen können, welche in der Lösung eine örtlich begrenzte Temperaturerhöhung und damit eine Wiederauflösung der abgelagerten Kristalle bewirken. Auf diese Weise kann eine Verminderung des Gehaltes der Lösung vermieden werden, wodurch sich in einem gegebenen   Lösungsvolumen    und unter  gegebenen Temperaturverhältnissen grössere   Kristalle    erzielen lassen.



      PATENTAXSPRUCII 1:   
Verfahren zur Herstellung von künstlichen Kristallen, insbesondere von piezoelektrischen Kristallen, durch Kristallisation in einer übersättigten Lösung, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung vor der Bildung der künstlichen Kristalle, zwecks Abscheidung von als unerwünschte Kristallisationszentren wirkenden Verunreinigungen, mechanischen Schwingungen von solcher Frequenz ausgesetzt wird, dass sich augenblicklich Kristallkerne bilden.   



  
 



  Process for making artificial crystals.



   The present invention relates to a method for producing artificial crystals, such as piezoelectric crystals, in a supersaturated solution.



   When a crystal is exposed in a supersaturated solution, great difficulties are encountered due to the presence of dust and floating parts in the solution. Particles of this dust are crystallization centers on which the microscopic crystals accumulate. For the most part, they quickly fall to the bottom of the vessel and reduce the content of the solution to such an extent that the large crystals which one wishes to obtain are seldom actually preserved. (5Certain microcrystalline particles that float in the solution attach themselves to the surfaces of large crystals in places that do not correspond to the general arrangement of ions in the crystal structure.

   This creates local defects, which can lead to inclusions of oversaturated solution in the crystal.



   It is known to avoid the importance of these factors by various methods such as filtration, centrifugation, etc. These processes reduce the number of harmful, parasitic particles without eliminating them completely.



   The present invention aims at a method in which the supersaturated solution used for the production of artificial crystals is made free from impurities by special measures, whereby the crystals obtained are also free from such.



   According to the method according to the invention, before the formation of the artificial crystals, the supersaturated solution is subjected to mechanical vibrations of such a frequency that crystal nuclei are formed instantaneously in order to separate out impurities acting as undesired crystallization centers.



   For example, ultrasonic vibrations can advantageously be used for this purpose.



   The solution is preferably mixed or kept in motion during the application of these ultrasonic vibrations so that all parts of the solution are exposed to the ultrasonic beam.



   The invention is explained in more detail below using an exemplary embodiment and with reference to the drawing.



   In the drawing shows:
1 shows a vertical section through an apparatus suitable for carrying out the method according to the invention, and FIG. 2 shows a section along the line A-B of FIG. 1 in a schematic representation.



   In the container 1, which is preferably transparent and which is kept at a constant temperature by an adjustable heating system (not shown), a saturated solution of a salt is prepared at a given temperature. To simplify the description, the assumption is made that piezoelectric crystals are to be obtained from monoammonium phosphate, whereby it should be mentioned that the method described can of course also be applied to other crystals at the appropriate temperature and concentration. 69.5 kg of monoammonium phosphate are dissolved in 100 liters of water, which is heated, for example, to a temperature of 500 ° C., whereby a saturated solution at 500 ° C. is obtained.

   The mixture is stirred, for example with the aid of the propeller 2, in order to obtain a homogeneous temperature throughout the solution.



   The temperature of the solution is now brought to 450 ° C., whereupon this solution is subjected to mechanical vibrations, preferably with the aid of a beam of ultrasound waves generated by the generator 3.



  This beam has the property of causing a sudden formation of microscopic crystals, which preferentially form on floating particles. In this way, these particles are quickly enclosed in small crystals, become heavy and fall to the bottom of the container. As a result of the operation of the propeller 2, the whole solution is passed through the ultrasound beam.



   For example, when the density of the solution equals that of a saturated solution at 450 ° C., the generation of the ultrasonic waves is interrupted and the crystals are allowed to settle on the bottom of the container. The bottom 4 of the container is preferably conical and has a tube 5 and a drain cock 6. Before the solution is exposed to the action of the ultrasound beam, a layer 7 of a neutral liquid, such as vaseline oil, is poured onto its surface, which prevents dust particles from entering the solution.



      The crystals collected on the bottom of the container: 1 are drained by means of the tap 6. A beam of light that is passed through the solution is then used to determine whether it is optically transparent.



   After all the crystals and their germs that have combined with the dust particles floating in the solution have been removed, the solution is heated by several degrees (e.g. 2 to 100 ° C) to remove those remaining in the container or in the solution To dissolve nuclei again. The solution is then allowed to cool to, for example, 400 ° C., which again results in a supersaturated solution which, however, is free from impurities. Then one or more crystals 8, which one wishes to enlarge, are immersed in the solution, for example with the aid of the carrying devices 9. The solution is constantly stirred by the propeller 2 until the crystals have grown to the desired size.



   Other crystal particles can also accidentally form in the solution, and these can accumulate on the crystal that is being formed. In order to separate out these undesired cores, for example vertically extending plates 10 can be arranged along the vertical wall of the container 1. As a result of the agitation of the solution caused by propeller 2, the above-mentioned cores come into contact with the plates, where they are stopped and lower to the bottom of the container. At the lower end of these plates, small funnels 11 with an outflow pipe 12 and a drain cock 13 can be provided so that these undesirable particles can be eliminated from the solution.

   One can also provide heating elements 14 in the funnels 11, which can for example consist of electrical resistors which cause a locally limited temperature increase in the solution and thus a redissolution of the deposited crystals. In this way, a reduction in the content of the solution can be avoided, as a result of which larger crystals can be obtained in a given volume of solution and under given temperature conditions.



      PATENTAXSPRUCII 1:
Process for the production of artificial crystals, in particular of piezoelectric crystals, by crystallization in a supersaturated solution, characterized in that the solution is exposed to mechanical vibrations of such a frequency before the formation of the artificial crystals for the purpose of separating out impurities acting as undesired crystallization centers crystal nuclei form instantly.


    

Claims (1)

UNTERANspRtSCHE : 1. Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass Ultraschallschwingungen verwendet werden. SUB-REQUIREMENTS: 1. The method according to claim I, characterized in that ultrasonic vibrations are used. 2. Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass ein Salz in einem Lösungsmittel aufgelöst wird, dass die Ober fläche der Lösung durch eine neutrale, nicht mischbare Flüssigkeit geschützt wird, dass die Lösung zwecks Erzielung einer übersättigten Lösung abgekühlt wird, dass weiter diese übersättigte Lösung den genannten mechani schen Schwingungen ausgesetzt wird und die sich ergebenden und niedergeschlagenen Kristallkerne entfernt werden, dass alsdann die Lösung wieder erwärmt wird, um in der Lösung verbliebene Kerne aufzulösen, dass ferner die Lösung erneut abgekühlt wird, damit sich wieder eine übersättigte Lösung ergibt, dass hierauf in die Lösung mindestens ein Kristall eingeführt wird und die Lösung während des Wachsens dieses Kristalles umgerührt wird. 2. The method according to claim I, characterized in that a salt in one Solvent is dissolved that the surface of the solution is protected by a neutral, immiscible liquid that the Solution to achieve a supersaturated Solution is cooled, that this supersaturated solution is further exposed to the mechanical vibrations mentioned and the resulting and precipitated crystal nuclei are removed, that then the solution is reheated to dissolve nuclei remaining in the solution, that furthermore the solution is cooled again, so that a supersaturated solution results again, that at least one crystal is then introduced into the solution and the solution is stirred while this crystal is growing. 3. Verfahren nach Unteranspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass ohne Unterbruch des Kristallisationsvorganges die während des 5Srachsens des gewünschten Kristalles in der Lösung sich bildenden schädlichen Kristallkerne abgeschieden werden. 3. The method according to dependent claim 2, characterized in that without interrupting the crystallization process, the harmful crystal nuclei that form in the solution during the 5Srachsens of the desired crystal are deposited. 4. Verfahren nach Unteranspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die schädlichen Kerne an örtlich begrenzten Stellen durch Erwärmung wieder aufgelöst werden. 4. The method according to dependent claim 3, characterized in that the harmful cores are dissolved again at localized locations by heating. 5. Verfahren nach Unteranspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das mechanische Umrühren und Mischen durch einen in die übersättigte Lösung getauchten Propeller bewirkt wird. 5. The method according to dependent claim 2, characterized in that the mechanical stirring and mixing is effected by a propeller immersed in the supersaturated solution. 6. Verfahren nach Patentanspruch I, zur Herstellung von Kristallen aus Monoammoniumphosphat, dadurch gekennzeichnet, dass eine bei einer Temperatur von etwa 500 C gesättigte Lösung von Monoammoniumphosphat in Wasser hergestellt wird, dass auf die Oberfläche der Lösung zu Schutzzwecken eine neutrale, nicht mischbare Flüssigkeit gebracht wird, dass weiter die Lösung auf eine Temperatur von etwa 450 C abgekühlt und umgerührt wird, dass an die Lösung die genannten mechanischen Schwingungen angelegt werden und die Unreinigkeiten enthaltenden Kristalle, die sich abgelagert haben, entfernt werden, dass alsdann die Temperatur der Lösung um 2 bis 100 C erhöht wird, um die in der Lösung verbliebenen Kerne wieder aufzulösen, 6. The method according to claim I, for the production of crystals from monoammonium phosphate, characterized in that a solution of monoammonium phosphate saturated at a temperature of about 500 C in water is produced that a neutral, immiscible liquid is applied to the surface of the solution for protection purposes That the solution is further cooled to a temperature of about 450 C and stirred, that the mechanical vibrations mentioned are applied to the solution and the crystals containing impurities that have deposited are removed, that then the temperature of the solution is increased by 2 is increased to 100 C in order to dissolve the nuclei remaining in the solution, dass ferner die Lösung zwecks Erzielung einer übersättigten Lösung auf etwa 400 C abgekühlt wird und in die Lösung ein Monoammoniumphosphatkristall eingesetzt wird, den man zu vergrössern wünscht. that, furthermore, the solution is cooled to about 400 ° C. in order to achieve a supersaturated solution and a monoammonium phosphate crystal, which one wishes to enlarge, is inserted into the solution. 7. Verfahren nach Unteranspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer Temperatur von etwa 500 C in 100 Liter Wasser 69,5 kg Monoammoniumphosphat zwecks Erzielung der bei 500 C gesättigten Lösung aufgelöst werden. 7. The method according to dependent claim 6, characterized in that 69.5 kg of monoammonium phosphate are dissolved in 100 liters of water at a temperature of about 500 ° C. in order to achieve the solution saturated at 500 ° C. 8. Verfahren nach Unteranspruch 6, dadurch gekennzeiehnet, dass die genannte neutrale und nicht mischbare Flüssigkeit Vaselinöl ist. 8. The method according to dependent claim 6, characterized in that said neutral and immiscible liquid is vaseline oil. PATENTANSPRUCR II: Apparat zur Durchführung des Verfahrens nach Patentanspruch I, gekennzeichnet durch einen Behälter für die Lösung, durch einen Generator für mechanische Schwingungen von solcher Frequenz, dass um die Unreinigkeiten und schädlichen Partikel der Lö 3ung Kristalle entstehen, durch ein Mittel zum Umrühren der Lösung, ferner durch Mittel, um aus der Lösung die durch die Schwerkraft niedergeschlagenen Kristalle zu entfernen, und durch Mittel, tun in der Lösung die Kristalle aufzuhängen, die man zu vergrössern wünscht. PATENT CLAIM II: Apparatus for carrying out the method according to claim I, characterized by a container for the solution, by a generator for mechanical vibrations of such a frequency that crystals arise around the impurities and harmful particles of the solution, by a means for stirring the solution, further by Means to remove from the solution the crystals precipitated by gravity, and by means to suspend the crystals which one wishes to enlarge in the solution. UNTERANSPRttCHE, : 9. Apparat nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass der Behälter einen trichterförmigen Boden mit einer Ablassvorrichtung aufweist. SUBClaims: 9. Apparatus according to claim II, characterized in that the container has a funnel-shaped bottom with a drainage device. 10. Apparat nach Patentanspruch II, da durch gekennzeichnet, dass er einen Ultraschallgenerator aufweist. 10. Apparatus according to claim II, characterized in that it has an ultrasonic generator. 11. Apparat nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass der Behälter auf seiner Innenseite mindestens eine vertikal verlaufende Prallfläehe aufweist. 11. Apparatus according to claim II, characterized in that the container has at least one vertically extending baffle on its inside. 12. Apparat nach Unteranspruch 11, da- 2 durch gekennzeichnet, dass der Prallfläche ein gesonderter Trichter mit Ablassvorrich tung zugeordnet ist, der auf der konkaven Seite der bogenförmig ausgebildeten Prall fläche angeordnet ist. 12. Apparatus according to dependent claim 11, characterized in that the baffle is assigned a separate funnel with Ablassvorrich device, which is on the concave Side of the arcuate impact surface is arranged. 13. Apparat nach Unteranspruch 11, ge kennzeichnet durch ein Mittel zur örtlich be grenzten Erwärmung der Lösung auf der konkaven Seite der bogenförmig ausgebildeten Prallfläche. 13. Apparatus according to dependent claim 11, characterized by a means for locally be limited heating of the solution on the concave side of the arcuate Baffle. 14. Apparat nach Unteranspruch 13, da durch gekennzeichnet, dass das genannte Mit tel zur Erwärmung aus einem elektrischer Widerstand besteht. 14. Apparatus according to dependent claim 13, characterized in that said with tel for heating from an electrical There is resistance.
CH262790D 1946-10-25 1947-10-24 Process for making artificial crystals. CH262790A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112673512A (en) * 2019-05-15 2021-04-16 株式会社Lg化学 Battery module having structure capable of rapid warm-up, battery pack including the same, and vehicle including the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112673512A (en) * 2019-05-15 2021-04-16 株式会社Lg化学 Battery module having structure capable of rapid warm-up, battery pack including the same, and vehicle including the same

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