CH262662A - Thermally sensitive electrical resistance element. - Google Patents

Thermally sensitive electrical resistance element.

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CH262662A
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Ag Standard Telephon Und Radio
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Standard Telephon & Radio Ag
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    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient

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Description

  

  Thermisch empfindliches     elektrisches    Widerstandselement.    Die Erfindung betrifft ein thermisch emp  findliches elektrisches Widerstandselement.    Solche     Widerstandselemente    werden aus  Halbleitermaterial zusammengesetzt, welches       einen    hohen und gewöhnlich negativen Wider  standstemperaturkoeffizienten (> 0,007) be  sitzt. Früher sind sie gewöhnlich in der Form  von Perlenkugeln oder kleinen Blöcken aus  dem Halbleitermaterial     konstruiert    worden.  Solche Perlen sind mit geeigneten     Zufüh-          rungsleitern    versehen und als     Thermistoren     bekannt.

   Im Fall eines indirekt geheizten       Thermistors    ist auch eine Heizspule vorge  sehen, um die zu heizende Perle durch einen  Strom zu erhitzen, der von dem getrennt  sein kann, der durch die Perle     hindurehgeht.     



  Es ist das Ziel der vorliegenden Erfin  dung, eine neue Form derartiger Wider  standselemente mit hohem Temperaturkoeffi  zienten des Widerstandes zu schaffen, die  dann verwendet werden kann, wenn die be  kannten Arten ungeeignet sind. Ein     Vorteil     des neuen Widerstandselementes besteht  darin, dass es für sehr grosse Leistungsbeträge  gebaut werden kann.  



  Das erfindungsgemässe elektrische Wider  standselement mit hohem Temperaturkoeffi  zienten des Widerstandes ist. gekennzeichnet  durch eine auf einem Tragkörper aufge  brachte Schicht aus einem als elektrisches  Widerstandsmaterial dienenden Halbleiter  mit hohem Widerstandstemperaturkoeffizien-         ten    und durch mindestens zwei Elektroden,  die in Kontakt mit der Halbleiterschicht  stehen.  



  In der Beschreibung bezeichnet der Aus  druck      Thermistor-llaterial     ein Halbleiter  material, das einen hohen     Widerstandstem-          peraturkoeffizienten    hat. Unter den bekann  ten     Thermistor-Materialien,    die für das be  schriebene Widerstandselement verwendet  werden können, seien     Uranium-Dioxyd    und  Mischungen von Metalloxyden genannt.  



  In den Figuren der Zeichnung sind bei  spielsweise Ausführungsformen der Erfin  dung dargestellt.  



       Fig.1    zeigt bei a eine Draufsicht und bei  b einen Querschnitt eines     Thermistors    recht  eckiger Form.         Fig.    2 zeigt einen unterschiedlich geform  ten     Thermistor    ähnlicher Art.  



       Fig.    3 zeigt einen     Thermistor    in der Form  einer kreisförmigen Scheibe.  



       Fig.    4 zeigt einen     Thermistor    mit mehre  ren Stromwegen.  



       Fig.    5 zeigt bei b eine Draufsicht und bei  a einen Querschnitt einer andern     Thermistor-          art.     



       Fig.6    zeigt eine perspektivische Ansicht  eines rohrförmigen     Thermistors.     



       Fig.    7     zeigt    einen     Thermistor    in der Form  eines Gitters.           Fig.8    zeigt eine     perspektivische    Ansicht  eines     Thermistors,    der für die     Verwendung     als ein     Bolometer    geeignet ist, und       Fig.    9 zeigt bei     a    eine perspektivische An  sicht und bei b einen Querschnitt von einem       Thermistor    mit engem Stromweg.    Eine Form des     Thermistors    ist in     Fig.1     gezeigt.

   Die Stärke der Platte und der ver  schiedenen     Bedeckungen    sind der Klarheit  wegen in der     Querschnittsansicht    b     (Fig.1)     stark vergrössert dargestellt. Der     Thermistor     besteht     aus    einer     Grundplatte    oder einem       Grundblech    1 aus Nickel, das z. B. 0,5 mm  dick sein kann     und    welches     oxydiert    ist, um  eine isolierende     Oxydbedeckung    2     zü    schaffen.

    Auf der     oxydierten    Platte wird eine dünne  Schicht 3 aus     Thermistor-Material    niederge  schlagen, welches aus einer Mischung von  Mangan-, Nickel- und     Kupferoxyd    mit einem  angenäherten Verhältnis von 4:1:1 besteht.  



  Das Grundblech 1 wird zuerst, z. B. für  eine Stunde, bei einer Temperatur von 1000  bis 1100  C in Luft oxydiert. Dadurch wird  eine einheitliche     Oxydbedeckimg    von unge  fähr 0,05 mm Dicke erhalten, die eine iso  lierende Bedeckung des     Grundbleches    bildet.    Zur     Herstellung    des     Thermistor-Materials          wird    eine Suspension der     Metalloxyde    in  einer     21/2prozentigen        Nitrozellulose-Amylaze-          tatlösung    in     einer    Kugelmühle gebildet.

   Die  oxydierte     Nickelgrundplatte    wird auf einer  Seite mit dieser Suspension bespritzt, bis der  Film 3 von ungefähr 0,01 mm Dicke erhalten  wird; das Gewicht des niedergeschlagenen       Ogydgemisches    beträgt ungefähr 10 mg pro       cm2        Oberfläche.     



  Das bedeckte Blech wird jetzt in Luft  während 1 bis 60 Minuten bei 1100  C erhitzt.  Dies bewirkt die     Sinterimg    der Metalloxyde,  so dass ein     kontinuierlicher    Film gebildet  wird, der fest auf der Grundplatte anhaftet.  Die Haftung wird veranlasst durch eine teil  weise Kombination zwischen dem     Thermistor-          Material    und der     Nickeloxydbedeckung    der       Grundplatte.       Die Elektroden des     Thermistors    werden  durch Aufstreichen von schmalen Streifen 4  und 5 aus Silberpaste     auf    der Oberfläche  der     Thermistor-Schicht    3,

   benachbart     zu    zwei  entgegengesetzten Kanten der Grundplatte,  gebildet. Die Silberpaste wird dann in einem  Ofen getrocknet, und die fertige Platte wird  schliesslich in Luft für ein paar Minuten auf.  800  C erhitzt.  



  Die folgenden Tabellen     I-III    geben die  statischen Charakteristiken von drei verschie  den grossen     Thermistoren    an, die in der gerade  beschriebenen Weise hergestellt worden sind.  In diesen Tabellen ist I der Strom in     mA.,     der an die Elektroden angelegt wird,     R    ist.

    der entsprechende Widerstand in Ohm, und  W ist die entsprechend vernichtete Leistung  in Watt bzw.     Milliwatt.    In Tabelle I war  die Fläche des     Thermistor-Materials    6,4 cm",  in Tabelle     II    war sie 10     cm@        mit    Elektroden  streifen von 2,5 mm Breite entlang den zwei  entgegengesetzten Kanten der Grundplatte,       und    zwar für beide Fälle, und in Tabelle     III     war sie 1 mm= mit Elektroden von ebenfalls  1 mm= wie in     Fig.    2 gezeigt, in welcher die  entsprechenden Teile 1, 3, 4 und 5 in     Fig.1a     mit 6, 7, 8 und 9 bezeichnet sind.

   Zusätzlich  sind zwei feine Drähte 10 und 11 aus Platin  oder anderem geeigneten Metall durch Silber  paste an den Elektroden 8     und    9 befestigt.  Solche     Leitungen    können auch an den Elek  troden 4 und 5 von     Fig.1    befestigt werden,  wenn es     gewünscht    wird.

    
EMI0002.0066     
  
    <I>Tabelle <SEP> I.</I>
<tb>  I <SEP> R <SEP> Watt
<tb>  0,1 <SEP> 44000 <SEP> 4,4X10--1
<tb>  1,0 <SEP> 43000 <SEP> 0,043
<tb>  2,0 <SEP> <B>38000</B> <SEP> 0,152
<tb>  5,0 <SEP> <B>25000</B> <SEP> 0,625
<tb>  10,0 <SEP> <B>13800</B> <SEP> 1,38
<tb>  20,0 <SEP> <B>6000</B> <SEP> 2,4
<tb>  50,0 <SEP> 1940 <SEP> 4,85
<tb>  100,0 <SEP> 760 <SEP> 7,6       
EMI0003.0001     
  
    <I>Tabelle <SEP> II.</I>
<tb>  1 <SEP> R <SEP> Watt
<tb>  1,0 <SEP> <B>35000</B> <SEP> 0,035
<tb>  2,0 <SEP> <B>33000</B> <SEP> 0,132
<tb>  5,0 <SEP> <B>25600</B> <SEP> 0,64
<tb>  10,0 <SEP> <B>15000</B> <SEP> 1,5
<tb>  20,0 <SEP> <B>7000</B> <SEP> 2,8
<tb>  50,0 <SEP> <B>2500</B> <SEP> 6,25
<tb>  100,0 <SEP> 980 <SEP> 9,8
<tb>  200,0 <SEP> 400 <SEP> 16,0     
EMI0003.0002     
  
    <I>Tabelle <SEP> III.</I>
<tb>  1 <SEP> R <SEP> Milliwatt
<tb>  0,02 <SEP> 1,1X10  <SEP> 0,

  44
<tb>  0,05 <SEP> 0,88X10  <SEP> 2,2
<tb>  0,1 <SEP> 0,68X10<B>6</B> <SEP> 6,8
<tb>  0,2 <SEP> 0,385X106 <SEP> 15,4
<tb>  1,0 <SEP> 61000 <SEP> 61
<tb>  2,0 <SEP> <B>25000</B> <SEP> 100
<tb>  5,0 <SEP> <B>7000</B> <SEP> 175
<tb>  10,0 <SEP> <B>2700</B> <SEP> 270
<tb>  20,0 <SEP> 1100 <SEP> 440       Eine andere Form eines     Thermistors    ist in       Fig.    3 gezeigt; er besteht aus einer mit Oxyd  bedeckten Nickelscheibe 12 mit einem zen  tralen Loch 13.

   Diese ist mit einer dünnen,  filmartigen Schicht 14 aus     Thermistor-Mate-          rial    bedeckt, wie es in Verbindung mit     Fig.    1  beschrieben ist, und die Elektroden 15 und  16 aus Silberpaste sind als ringförmige Strei  fen um den Umfang der Scheibe 12 und um  das Mittelloch 13 aufgebracht. Das zentrale  Loch 13 könnte, wenn gewünscht, weggelas  sen werden, und die zentrale Elektrode 16  könnte dann die Form einer kleinen kreis  förmigen Scheibe aufweisen.  



       Thermistoren    mit hohen Widerständen  können durch Verwendung eines     Thermistor-          Materials    erhalten werden, welches nur aus  einer Mischung von Mangan- und Nickel  oxyd im Verhältnis 4:1 besteht.  



  Durch diese     Thermistoren    können grosse  Leistungen vernichtet werden. Es hat sich  gezeigt, dass die maximale Leistungsvernich  tung ungefähr 5 Watt pro 6,4     em2    Film  fläche ist. Wenn die Grundplatte des       Thermistors    auf einem Kupferblock in gut    thermischem Kontakt befestigt wird, ist es  sehr wahrscheinlich, dass die maximale Ver  nichtung bis zu 20 Watt pro 6,4     cm2        ansteigen     kann, und     Thermistoren    mit mässigen Ab  messungen können deshalb mit bis zu 200  Watt Leistung hergestellt werden.

   Es wird  darauf aufmerksam gemacht, dass die be  kannten     Perlen-Thermistor-Typen    nicht mehr  als ungefähr 100     Milliwatt    sicher vernichten  und die     Thermistoren    in Blockform wahr  scheinlich nicht mehr als ungefähr 1,5 Watt.  



  Aus den obigen Tabellen I,     1I,    111 kann  errechnet werden, dass Leistungseingänge von  ungefähr 35     Milliwatt,    50     Milliwatt    und 0,5       Milliwatt    die Temperatur des entsprechen  den dünnen     Film-Thermistors    um 1  C er  höhen werden. Es wird möglich sein,     Ther-          mistoren    herzustellen, die Verbrauchskonstan  ten von zwischen 500 und 0,05     Milliwatt    pro    C haben.  



  Die     Thermistoren    können in unterschied  lichen Formen und durch verschiedene Ver  fahren hergestellt werden.  



  Es ist relativ leicht, dünne     Film-Thermi-          storen    in grossen Stückzahlen mit praktisch  denselben elektrischen Eigenschaften zu er  zeugen. Die Ausbildung irgendeines Mu  sters ist auch genau wieder     herstellbar.    Die  Verwendung von oxydierten Nickelgrund  platten ist besonders vorteilhaft, da diese sehr  billig und in grossen Stückzahlen mit genauen  Abmessungen hergestellt werden können.  



  Grundplatten, die teilweise oder ganz aus  einem oder mehreren der Eisenmetalle zusam  mengesetzt sind, sind als besonders geeignet.  gefunden worden, da das     Thermistor-Material     auf solchen Platten leicht zum festen Anhaf  ten gebracht werden kann. Grundplatten ir  gendwelcher Materialien (einschliesslich iso  lierender Materialien) können verwendet wer  den, solange ein genügendes Anhaften des       Thermistor-Materials    gesichert werden kann  und solange es keine unerwünschte Reaktion  zwischen dem     Grlndpla,ttenmaterial    und dem       Thermistor-Material    gibt. Die Grundplatte  kann z. B. ein gepresster gesinterter Block  eines Metalloxydes, wie z. B.

   Nickeloxyd,      sein, und das     Thermistor-Material    . kann in  der beschriebenen Weise aufgetragen werden.  



  Es     wird        verständlich    sein, dass die Eigen  schaften des dünnen     Film-Thermistors    zu  einem grossen Betrag von der Form und den  Abmessungen der     Grundplatte,    auf welche  der Film niedergeschlagen wird, abhängig  sein werden. Verschiedene     Eigenschaften    wer  den bei verschiedenen Anwendungen von In  teresse sein, z. B. kann     ein        Thermistor    erfor  derlich sein, um eine grosse Leistung zu ver  nichten, während seine Empfindlichkeit be  züglich     Widerstandsveränderungen    von se  kundärer Bedeutung ist, während für andere  die     Empfindlichkeit    von primärer Bedeutung  ist.

   In noch andern Fällen z. B. kann die  Zeitkonstante von Wichtigkeit sein.  



  Wird ein dünner     Film-Thermistor    mit  einer geeigneten     Heizwicklung    oder     ähnlichen     Mitteln versehen, die von dem     Thermistor-          Material    isoliert sind, so wird     ein    indirekt       geheizter        Thermistor    erhalten. Beispiele von  indirekt geheizten     Thermistoren    dieser Art  werden später beschrieben werden.

   Sowohl die  direkt wie indirekt geheizten Arten von     Ther-          mistoren        können    in praktisch derselben Weise       verwendet    werden wie die bekannten Perlen  oder Blockarten der     Thermistoren;    auch wer  den sie zahllose     Anwendimgsmöglichkeiten    ha  ben, für die die bekannten Arten nicht ge  eignet sind.  



  Um einige der     vielen    möglichen Ausfüh  rungsarten der Herstellung von dünnen     Film-          Thermistoren        aufzuzeigen,    werden nachfol  gend eine Anzahl     unterschiedlicher    Verfahren  kurz angegeben.    <I>Verfahren 1.</I>  



  a) Oxydieren eines Nickelbleches.  b) Bespritzen mit     Oxydmischimg.     



  c) Für 1     Stunde    bei 1100 bis 1300 C bren  nen.  



  d) Aufbringen der Elektroden mittels Silber  paste (eventuell andere     Metallpasten,    wie  z. B. Gold, Platin) oder Verdampfen oder  Aufspritzen des     Metaller.            Verfahren,   <I>2.</I>  



  a)     Oxydieren    eines Nickelbleches.  b) Bestreichen mit     Oxydmisehung.     



  c) Brennen bei 1100 bis 1300  C     fier    eine  Stunde.  



  d) Aufbringen der Elektroden.       Verfahren   <I>3.</I>  



  a) Oxydieren eines Nickelbleches.  



  b) Eintauchen des oxydierten Bleches in eine       Suspension    von     Thermistor-Oxyden.    Die  Oxyde werden niedergeschlagen und bil  den einen Film auf dem Blech, der dann  getrocknet werden kann.  



  c) Hitzebehandlung.  



  d) Aufbringen der Elektroden.  <I>Verfahren 4.</I>  



  a) Oxydieren eines Nickelbleches.  



  b) Eintauchen in eine Suspension von     Ther-          mistor-Oxyden    und Aufbringen einer  Schicht der Oxyde auf dem Blech durch       Kataphorese.     



  c) Hitzebehandlung.  



  d) Aufbringen der Elektroden.  <I>Verfahren 5.</I>  



  a) Oxydieren eines Nickelbleches.  



  b) Verdampfen oder Aufspritzen von Me  tallen (oder Oxyden) (Mn, Ni,     Cu    oder  Co).  



  c) Hitzebehandlung, um die Metallschicht zu  oxydieren.  



  d) Aufbringen der Elektroden.         Verfdhren   <I>6.</I>  



  a) Bildung einer Schicht von     Thermistor-          Oxyden    auf einem reinen     Niclzelbleeh     durch     Kataphorese.     



  b) Hitzebehandlung, um das Nickelblech zu  oxydieren und den Film zu sintern.  



  c) Aufbringen der Elektroden.  <I>Verfahren 7.</I>  



       (s)        Elektroplattieren    eines reinen Nickelble  ches mit Schichten von Mangan, Nickel,  Kupfer oder Kobalt oder deren Legierun  gen.  



  b) Hitzebehandlung, um den Metallfilm und  das Nickelblech zu oxydieren.  



  c) Aufbringen der Elektroden.      <I>Verfahren B.</I>  



  a) Niederschlag der Oxyde von Mangan,  Nickel, Kupfer oder Kobalt auf ein reines  Nickelblech.  



  b) Hitzebehandlung, um den     Oxydfilm    zu  sintern und das Nickel zu oxydieren.  



  e) Aufbringen der Elektroden.  <I>Verfahren 9.</I>  



  a) Aufbringen von die Halbleiterschicht bil  denden Oxyden auf ein reines Nickelblech  durch Aufspritzen usw.  



  b) Brennen im Vakuumofen oder in kontrol  lierter Atmosphäre, um den Film zu sin  tern.  



  e) Aufbringen der obern Elektrode durch  Aufdampfen eines durchscheinenden Me  tallfilms (z. B. Chrom).    <I>Verfahren 10.</I>  



  a) Oxydieren eines Nickelbleches.  



  b) Aufbringen einer Platinschicht auf einer  Seite mittels geschmolzenen Platins, Auf  dampfen von Platin oder dergleichen.  



  e) Aufbringen von die Halbleiterschicht bil  denden Oxyden durch Aufspritzen usw.  d) Brennen wie 9b oben.  



  e) Elektrode wie 9c oben.  



  Die chemische Zusammensetzung der die  Halbleiterschicht bildenden     Oxydfilme    ist  nicht auf die Oxyde von Mangan, Nickel,  Kupfer und Kobalt beschränkt. Andere  Oxyde, wie z. B.     Uran-Dioxyd,    Eisenoxyd,       Vanadium-Pentoxyd    usw., und irgendwelche  Halbleitermaterialien können verwendet wer  den.  



       Oxydmischungen    für die Aufbringung auf  Platten können auf verschiedene Weise vor  bereitet werden. Die Suspension von Oxyden  in     Nitrozelluloselösungen    ist bereits erwähnt  worden, aber auch     Wassersuspensionen,    die  Metallnitrate enthalten, sind verwendbar.  Bindemittel, wie z. B. Stärke, synthetische  Harze, Leim usw., können ebenfalls verwen  det     werden.     



  Für das Bestreichen sind Pasten vorzu  ziehen. Ein typisches Beispiel solch einer       Paste    besteht aus 20 Gramm einer Mischung         auus    4 Teilen     Manganoxy    d und einem Teil  Nickeloxyd; 25     em3        Amylazetat    und 5 Gramm  Nitrozellulose, während 24 Stunden in einer  Kugelmühle gemahlen.  



  Verläuft der Widerstandsweg im Film  parallel zur Grundplatte, so kann er sehr  lang sein. Solche     Thermistoren    sind in den       Fig.1    bis 3 gezeigt. Die Grundplatte kann  auch eine beliebige Zahl von getrennten par  allelen Wegen aufweisen, von denen jeder sein  eigenes     Elektrodenpaar    hat, oder zwei oder  mehrere Wege können dasselbe Elektroden  paar benützen. Ein     Thermistor    dieser Art  ist in     Fig.4    gezeigt. Hier ist die oxydierte  Nickelplatte 17 mit einer Anzahl Streifen aus       Thermistor-Film    18, schraffiert gezeichnet,  versehen; drei benützen die Elektroden 19  und 20, und zwei andere haben individuelle  Elektroden 21, 22 und 23, 24.

   An diesen  Elektroden können Drahtanschlüsse (nicht  gezeigt) in der in     Fig.2    gezeigten Weise be  festigt sein.  



  Die Wege 18 können durch Aufspritzen  auf die Platte 17 durch ein geeignetes Gitter  erhalten werden oder durch vollständige Be  deckung und nachfolgende Entfernung des  unerwünschten     Thermistor-Materials.     



  Geht der Widerstandsweg durch die Dicke  des Films von vorn nach hinten, so wird er  nur kurz sein, z. B. geringer als 0,025 mm.  



  Ein     Thermistor    dieser     Art    ist in     Fig.5     gezeigt. Die oxydierte Nickelplatte 25 hat  eine Platinschicht 26 auf einer Fläche der  selben. 27 ist der     Thermistor-Film,    der auf  der Platinschicht angeordnet ist, und die  obere Elektrode aus Silberpaste ist mit 28  bezeichnet. Drähte 29 und 30 können wie  angegeben, an der Platinschicht 26 und an  der obern Elektrode 28 befestigt sein.  



  Wenn eine reine Nickelplatte 25 verwen  det wird, kann diese als die     untere    Elektrode  dienen, und die Platinschicht 26 kann weg  gelassen werden. In diesem Falle kann der  Draht 29 an der Platte 25 befestigt sein.  



  Bei den in den     Fig.1    bis 5 dargestellten       Thermistoren    können die Grundplatten auch  von anderer Form oder Grösse sein; sie kön  nen auch gekrümmt sein anstatt flach. Die           Elektroden        können        gleichfalls        auf    verschie  dene Weise geformt und     auf    dem     Thermistor-          Film        angeordnet        sein.     



  Zum Beispiel könnte in     Fig.1    die Dicke  der Grundplatte 1     beträchtlich        vergrössert     werden, so dass sie ein     Metallblock    wird, der  auf der obern Fläche oder allen Flächen oxy  diert werden kann, ehe der     Thermistor-Film     und die Elektroden in der erläuterten Weise  aufgebracht werden. Solch ein     Thermistor     wird     eine    hohe     Leistungsvernichtung    vorneh  men können.  



  Es     wird    auch klar     sein,    dass     irgendwelche     dieser     Grundplatten    mit     Thermistor-Filmen     oder -Wegen auf beiden     Flächen    versehen  werden können.

       Irgendwelche    Grundplatten,  die zwei     irrabhängige    Wege, entweder     auf     derselben oder auf     entgegengesetzten    Flächen  haben, können     als    ein     indirekt    geheizter       Thermistor    verwendet werden, bei welchem  der     eine    Widerstandsweg zur     Heizung    ver  wendet wird.  



  Eine andere Form eines     Thermistors    ist       perspektivisch    in     Fig.    6 gezeigt. Sie besteht  aus einem oxydierten Metallrohr 31 (z. B.  oxydiertes     Nickelrohr    oder ein Rohr aus ir  gendeinem     Isoliermaterial,    z. B.

   Keramik, auf  welches der     Thermistor-Film    anhaftend auf  gebracht werden kann), wobei     ein        Thermistor-          Film    32 über     einen    Teil oder die ganze     äussere     Fläche ausgebreitet ist     und        mit    Bandelektro  den 33 und 34 aus Silberpaste (schraffiert  gezeichnet) in der Nähe der Enden versehen  ist.     Geeignete        Anschlussdrähte    können an       diese    Elektroden befestigt werden.  



  Solch ein     Thermistor    kann in einen in  direkt geheizten     Thermistor        -umgewandelt     werden, indem in das Rohr eine spiralförmige       Heizspule    eingefügt wird, wie sie der Klar  heit wegen mit 35 ausserhalb des Rohres dar  gestellt ist. Es kann auch irgendeine andere  geeignete Heizart verwendet werden; z. B.       könnte    eine     Solenoid-Heizspule    auf die  Aussenseite des Rohres gewickelt werden, vor  ausgesetzt, dass sie von dem     Thermistor-Film          lind    den Elektroden geeignet isoliert wird.

    Die Innenseite des Rohres 31 kann mit     Ther-          mistor-1Material    bedeckt werden, welches einen         unterschiedlichen        Temperatur-Koeffizienten     von dem des Materials auf der Aussenseite hat;  hierbei kann einer der Filme zur     Heizung     verwendet werden, wenn der     Thermistor    als  ein indirekt geheizter     Thermistor    verwendet  werden soll.  



  Die innere Bedeckung kann natürlich mit       Elektrodenschichten    in der Nähe der Enden  des Rohres versehen werden.  



  Die äussern Elektroden können auch durch       Aufwicklung    und Befestigung mehrerer Win  dungen eines Platin- oder     andern    Metall  drahtes um jedes Ende der Röhre     gebildet     werden,     und    der     Thermistor-Film    bedeckt       dann    das Rohr und die Drähte. Solche Drähte  können     verwendet    werden, wenn der     Thermi-          stor    durch sie getragen werden soll. Ist der       Thermistor    sehr     klein,    so kann ein     Thermistor     mit kleiner thermischer Kapazität erhalten  werden.

   Die innern Elektroden können auch  aus geeigneten Metallstöpseln bestehen. An  statt ein Rohr zu verwenden, könnte auch  bloss eine volle Stange verwendet werden.  



  Es ist klar, dass sehr kleine     Thermistoren     durch Verwendung eines feinen Drahtes oder  Bandes als Tragkörper (an Stelle einer Röhre  oder Stange) und durch Bedecken desselben  mit einem     Thermistor-Film    und Aufbringen  von sehr schmalen     Elektrodenbändern    aus  Silberpasten,     ähnlich    der in     Fig.6    gezeich  neten Weise, -hergestellt werden     können.     



  Eine andere Form eines     mehrwegzgen          Thermistors    ist in     Fig.7    gezeigt. Diese be  steht aus     einem        Nickelgitter,    wie es     in        einer          thernüonischen        Röhre        verwendet    werden  könnte, und ist aus einer     Anzahl    von     trans-          versahen    Drähten 36 aufgebaut, die an zwei  oder mehr Tragdrähten 37, 38 punktge  schweisst oder anderweitig befestigt sind.

    Das ganze Gitter wird oxydiert und mit     Ther-          mistor-Film    bedeckt. In den Zonen zwischen  den gestrichelten Linienpaaren 39 und 40 kön  nen Elektroden     aus    Silber über die Drähte  aufgebracht werden. Auf diese     Weise    wird  eine Anzahl paralleler Wege zwischen den  zwei     Elektroden    erhalten werden. Ein Gitter,  das aus einem Nickelblech ausgestanzt     ist,         könnte in einer gleichen Weise behandelt  werden.  



  Bei einer sehr wichtigen Form des     Ther-          mistors    ist der     Thermistor-Film    entlang einer  schmalen Seitenfläche einer dünnen Platte  mit isolierender Oberfläche aufgebracht. Der  so erhaltene     Widerstandsweg    ist schmal  (z. B. 0,2     inm    breit), und in dieser Form       kann    der     Therinistor    als ein sehr empfind  liches     Boloineter    für     Infrarot-Spektroskopie     verwendet werden. Solch ein     Thermistor    ist  perspektivisch in     Fig.    8 gezeigt.

   Er weist eine  oxydierte     Niekelgrundplatte    41 auf, die z. B.  15,6 min lang, 2,5 mm breit und 0,2 mm dick  ist. Ein Film von     Thermistor-Alaterial    wird  entlang der schmalen Seitenfläche (der   Kante ) 42 der Grundplatte aufgebracht.  Elektroden 43 und 44 aus Silberpaste werden  auf die Oberfläche des Films aufgebracht  und teilweise über die     benachbarten    Haupt  flächen der Platte, wie gezeigt. An den Zun  gen     '45,    46 sind feine Platindrähte 47, 48  befestigt. Die zwei Elektroden können unge  fähr 4,7 mm voneinander entfernt sein, und  dadurch wird ein Widerstandsweg von 4,7 min  Länge und 0,2 mm Breite erhalten.

   Solch  ein     Thermistor    kann auch für andere Zwecke  als ein     Bolometer    verwendet werden.  



  Ein vorzuziehendes Verfahren zur Her  stellung eines     Thermistors    dieser Art ist das  folgende:  In einer Kugelmühle wird eine Mischung  von 80 Gramm     Manganoxy    d, 20     Gramm     Nickeloxyd und 25 Gramm Kupferoxyd in       200        cm3    Methylalkohol hergestellt.

   Nach Fil  terung und Trocknung wird die Mischung  eine Stunde lang bei     130011    C erhitzt und       dann    zerdrückt und gemahlen und schliesslich  durch ein Sieb mit etwa 80 Maschen pro     cm=     gesiebt. 20 Gramm der gesiebten     Oxyd-          misehung    werden dann für 24 Stunden mit  31     cm3        Amylazetat,    30     em3    Methylalkohol  und 1 Gramm     Polyv        iny        1-Butyral    gemahlen.  Dies bildet dann die     Bedeckungssuspension.     



  Die     Nickelgrundplatte,    die die schon an  gegebenen Dimensionen hat., hat die schmale  Seitenfläche 42 flach geschliffen und poliert  und wird darnach gereinigt und dann bei    1050  C während zwei Stunden oxydiert. Die  polierte  Kante  wird dann mit der Oxyd  suspension bedeckt, wie später beschrieben  wird. Nach Bedeckung wird die Platte für  2     1-1inuten    bei 1000" C gebrannt, und hierauf  werden die     Silberpastenelektroden    43 und  44 aufgebracht. Die Platindrähte 47 und 48,  die ungefähr 0,05 min     Durchmesser    haben       können,    werden durch     Schmelzen    der Enden  mit einer kleinen Perle versehen, die dann  zu einer Scheibe verflacht wird.

   Die Scheiben  enden werden an die     Pastenelektroden    ange  legt, nachdem diese getrocknet sind. Hierbei  verwendet man zusätzliche Paste, und die  Platte wird für 5 Minuten bei 700" C ge  brannt und so die Elektroden mit den fest  daran befestigten Drähten gebildet.  



  Die Bedeckung der  Kante  der Platte  mit der     Oxydsuspension    erfolgt vorzugsweise  mit einer Glasstange von ungefähr 3 mm       Durchmesser    (oder irgendeinem andern ge  eigneten Träger für die     .Suspension).    Die  Glasstange wird in die     Siuspension    getaucht,  um eine kleine Menge der Suspension aufzu  nehmen, die entlang der Plattenkante mittels  der Stange ausgebreitet wird. Die aufge  brachte Suspension lässt man trocknen, und  das Verfahren wird wiederholt., bis eine  Schicht der erforderlichen Dicke erhalten  wird. Der auf den Hauptflächen der Platte  sich bildende Film kann mit einer Rasier  klinge entfernt werden.  



  Die     Silberpastenelektroden    können durch  Verwendung einer zugespitzten Glasstange       aufgebracht    werden, die in die Paste getaucht  wird.  



  Eine andere Form eines     Thermistors    mit       schmalem    Weg ist in     Fig.    9 gezeigt, die bei       a.    eine     perspektivische    Ansicht und bei b  eine vergrösserte     Querschnittsansicht    zeigt.  Eine Nickelplatte 49 wird zuvor oxydiert, die       Oxy-dbecleckungen    sind mit 50 und 51 in       Fi;-.9b    gezeigt.

   Ein feiner Nickeldraht 52  ist\ oxydiert und hat eine     Oxy        dbedeckung    53  und eine     Bedeckung    ans     Thermistor-Material     54, die auf die     0x\dbedeckung    aufgebracht  ist. Der bedeckte Draht wird auf die Platte  49 gelegt und     dann        gebrannt,    so dass die Be-           deckung    des     Thermistor-Materials    sintert und  fest auf der     Oxydbedeckung    der Platte an  haftet.     Silberpastenelektroden    55 und 56       (Fig.9a)    werden dann an die Enden des  Drahtes, wie gezeichnet, angelegt.

   Es kann  ein äusserst feiner Nickeldraht verwendet  werden, z. B. ein Draht mit einem Durch  messer von 0,025 mm. Auf diese Weise wird  ein sehr schmaler Widerstandsweg erhalten.  Der Draht kann, wenn gewünscht, vor der  Oxydation mit dem     Thermistor-Material    be  deckt werden und kann dann vollständig  während der darauffolgenden     Brennung    oxy  diert werden. Der Draht 52 könnte auch  durch ein     dünnes    Nickelband rechteckigen       Querschnittes        und    von irgendeiner geeigneten  Breite ersetzt werden, und das Band könnte  in genau gleicher Weise behandelt werden.  



  Die folgenden Tabellen IV und V geben  in kurzer Weise einige Formen von dünnen       Film-Thermistoren    und die Alternativen an,  die bei verschiedenen Stufen des Herstel  lungsverfahrens anwendbar sind.  
EMI0008.0012     
  
    <I>Tabelle <SEP> IV.</I>
<tb>  <I>Formen <SEP> 'von <SEP> dünnen <SEP> Film-Thermistoren.</I>
<tb>  1. <SEP> Kurze <SEP> Widerstandswege <SEP> (durch <SEP> die <SEP> Dicke
<tb>  des <SEP> Films).
<tb>  2. <SEP> Lange, <SEP> einzelne <SEP> Widerstandswege, <SEP> auf
<tb>  flachen <SEP> Platten <SEP> verschiedener <SEP> Formen,
<tb>  Metallblöcken,
<tb>  Stangen,
<tb>  Rohren,
<tb>  Drähten,
<tb>  schmalen <SEP> Seitenflächen <SEP> von <SEP> Platten.
<tb>  3.

   <SEP> Lange, <SEP> mehrteilige <SEP> Widerstandswege, <SEP> auf
<tb>  flachen <SEP> Platten <SEP> verschiedener <SEP> Formen,
<tb>  Gittern,
<tb>  auf <SEP> Platten <SEP> befestigte <SEP> Drähte,
<tb>  Rohre <SEP> mit <SEP> Wegen <SEP> innerhalb <SEP> und/oder
<tb>  ausserhalb.       Irgendwelche von diesen     Thermistoren     können     zwei    oder mehr Elektroden haben     und     können mit indirekten     Heizanordnungen    ent  weder mittels einer     Heizspule    oder ähnlichem,  oder durch einen getrennten, dünnen Film  versehen sein.

    
EMI0008.0018     
  
    <I>Tabelle <SEP> V.</I>
<tb>  <I>Herstellungsverfaahren <SEP> für <SEP> dünne <SEP> Film-</I>
<tb>  <I>Therntistoren.</I>
<tb>  <I>1. <SEP> Träger</I>
<tb>  aus <SEP> Nickel, <SEP> Kobalt, <SEP> Eisen, <SEP> Nickeleisen,
<tb>  Chromeisen, <SEP> Kupfer-Nickel <SEP> lind <SEP> ähnliche
<tb>  Metalle.
<tb>  <I>2a. <SEP> Oxydieren <SEP> der <SEP> Träger <SEP> und</I> <SEP> Aufbringen
<tb>  <I>der <SEP> Thermistor-Haterialien</I>
<tb>  durch: <SEP> Spritzen, <SEP> Bestreichen, <SEP> Ablagern,
<tb>  Kataphorese;

   <SEP> eventuell <SEP> Verdampfen <SEP> oder
<tb>  Versprühen <SEP> der <SEP> Thermistor-Metalle, <SEP> wie
<tb>  z. <SEP> B. <SEP> Mangan, <SEP> Kupfer, <SEP> Kobalt, <SEP> Nickel.
<tb>  <I>3a. <SEP> Hitzebehandlung <SEP> in</I> <SEP> Lieft <SEP> <I>und <SEP> eventuell</I>
<tb>  <I>Oxydieren <SEP> der <SEP> T'fterntistor-111etalle</I>
<tb>  oder <SEP> alternativ.
<tb>  2b. <SEP> <I>Aufbringen <SEP> der <SEP> Thermistor-Oxyde</I>
<tb>  durch:

   <SEP> Kataphorese, <SEP> eventuell <SEP> Elektro  plattieren <SEP> mit <SEP> Thermistor-Metallen.
<tb>  3b. <SEP> <I>Oxydieren <SEP> der <SEP> Träger <SEP> (und <SEP> eventuell <SEP> der</I>
<tb>  <I>Thermistor-illetalle, <SEP> wenn <SEP> diese <SEP> unoxy-</I>
<tb>  <I>diert).</I>
<tb>  <I>4. <SEP> Elektroden</I> <SEP> aufbringen
<tb>  mittels <SEP> Silberpaste, <SEP> flüssigem <SEP> Gold, <SEP> flüs  sigem <SEP> Platin <SEP> und <SEP> nachherigein <SEP> Brennen;
<tb>  eventuell <SEP> Gold, <SEP> Silber, <SEP> Aluminium, <SEP> Kup  fer, <SEP> Chrom <SEP> usw. <SEP> aufgesprüht, <SEP> aufge  spritzt <SEP> oder <SEP> aufgedampft.
<tb>  Nachfolgend <SEP> seien <SEP> noch <SEP> einige <SEP> mögliche            Anwendungen    von dünnen     Film-Thermistoren     genannt.  



  <I>2. Platten und Scheiben usw.</I>       Thermistoren-Platten    können als     Heizele-          mente    von     kleinen    Öfen verwendet werden  und schaffen zugleich Mittel für die Tem  peraturmessung und     -steuerung.     



  Sie sind auch geeignet für Thermometer  und Thermostaten, wenn sie mit Löchern ver  sehen werden     können,    damit sie an den Sei  ten eines Ofens usw. festgebolzt werden kön  nen. Da es sehr dünne Platten sind, neh  men sie sehr wenig     Rauen    weg. Dünne     Film-          Thermistoren    können bis zu 500 C arbeiten.  



  Scheibenartige     Thermistoren    können als       Einbauthermometer    für     Selengleichrichter     verwendet werden. Sehr kleine Platten mit      einer sehr empfindlichen Zone können für  Strahlungsmessungen     Verwendung    finden.  



  <I>2. Platten,</I>     Stangen        und   <I>Blöcke.</I>       Thermistoren,    welche eine grosse Masse  haben, haben auch eine hohe Leistungsver  nichtung. Dadurch werden sie brauchbar für  das langsame Anlassen von elektrischen     3Io-          toren    usw.  



  <I>3. Rohre.</I>  



  Röhrenförmige, indirekt geheizte     Therini-          storen    sind leichter herzustellen als grosse,  perlenartige     Thermistoren.    Sie können als       langsam    wirkende Relais dienen. Es können  Verzögerungen in der Grössenordnung von  einer Stunde erhalten werden.  



  <I>4. Drähte und</I>     Heizbänder.     



  Aus Drähten hergestellte     Thermistoren     haben eine niedrige Leistungsvernichtung.  Ihr Ansprechen auf Stromveränderungen  sollte vergleichsweise dem eines Ballastwider  standes sein. Sie können als automatische  Spannungsregler dienen.    <I>5.</I>     lIehriveg-Thermistoren.     



       Fig.    4 zeigt., dass es möglich ist, eine An  zahl     Thermistoren    auf derselben Platte her  zustellen. Jeder Weg kann     thermiseh    mit  seinem     Naehbarweg    verbunden oder isoliert  davon sein. Solch eine Einheit     kann    für elek  tronische Schalter verwendet werden. Eine       Thermistor-Einheit    nimmt sehr wenig Raum  in     Anspruch.    10 oder mehr     Widerstandswege     können auf einer Platte von     50X25>(06        nnn     hergestellt werden.  



  <I>6.</I>     Tiltra-Hoch.frequenz-Leistznigsmesser.     Mittels langer     streifenförnihger        Thernii-          storen    kann die Leistung von     ultrahohen    Fre  quenzen gemessen werden. Sie sind für Vor  teil gegenüber     bekannten        Perlen-Thermist.o-          ren,    da sie     Leistungen    in der     Grössenordnung     von 5 Watt     messen    können.



  Thermally sensitive electrical resistance element. The invention relates to a thermally sensitive electrical resistance element. Such resistance elements are composed of semiconductor material, which has a high and usually negative resistance temperature coefficient (> 0.007) be seated. In the past, they were usually constructed in the shape of pearl balls or small blocks of the semiconductor material. Such beads are provided with suitable lead wires and are known as thermistors.

   In the case of an indirectly heated thermistor, a heating coil is also provided to heat the bead to be heated by a current which may be separate from that which passes through the bead.



  It is the aim of the present inven tion to create a new form of such resistance elements with high Temperaturkoeffi cients of resistance that can be used when the known types are unsuitable. One advantage of the new resistor element is that it can be built for very large amounts of power.



  The inventive electrical resistance element with high Temperaturkoeffi is the resistance. characterized by a layer made of a semiconductor serving as an electrical resistance material with a high resistance temperature coefficient and by at least two electrodes which are in contact with the semiconductor layer.



  In the description, the term thermistor material refers to a semiconductor material that has a high resistance temperature coefficient. Among the well-known thermistor materials that can be used for the resistance element described be uranium dioxide and mixtures of metal oxides.



  In the figures of the drawing, embodiments of the invention are shown for example.



       1 shows at a a plan view and at b a cross section of a thermistor of rectangular shape. Fig. 2 shows a differently shaped thermistor of a similar type.



       Fig. 3 shows a thermistor in the form of a circular disc.



       Fig. 4 shows a thermistor with several Ren current paths.



       5 shows at b a plan view and at a a cross section of another type of thermistor.



       Fig. 6 shows a perspective view of a tubular thermistor.



       Fig. 7 shows a thermistor in the form of a grid. Fig. 8 shows a perspective view of a thermistor suitable for use as a bolometer, and Fig. 9 shows a perspective view at a and a cross-section at b of a narrow current path thermistor. One form of the thermistor is shown in Figure 1.

   The thickness of the plate and the various coverings are shown greatly enlarged for the sake of clarity in the cross-sectional view b (FIG. 1). The thermistor consists of a base plate or a base plate 1 made of nickel, the z. B. may be 0.5 mm thick and which is oxidized to create an insulating oxide cover 2 zü.

    On the oxidized plate, a thin layer 3 of thermistor material is hit down, which consists of a mixture of manganese, nickel and copper oxide with an approximate ratio of 4: 1: 1.



  The base plate 1 is first, e.g. B. for one hour at a temperature of 1000 to 1100 C in air. As a result, a uniform Oxydbedeckimg of approximately 0.05 mm thickness is obtained, which forms an insulating cover of the base plate. To produce the thermistor material, a suspension of the metal oxides in a 21/2 percent nitrocellulose amylaze- tat solution is formed in a ball mill.

   The oxidized nickel base plate is sprayed with this suspension on one side until the film 3 is obtained, approximately 0.01 mm thick; the weight of the precipitated Ogyd mixture is approximately 10 mg per cm2 of surface.



  The covered sheet is then heated in air at 1100 ° C. for 1 to 60 minutes. This causes the metal oxides to sinter, so that a continuous film is formed which is firmly adhered to the base plate. The adhesion is caused by a partial combination between the thermistor material and the nickel oxide covering of the base plate. The electrodes of the thermistor are made by spreading narrow strips 4 and 5 of silver paste on the surface of the thermistor layer 3,

   adjacent to two opposite edges of the base plate. The silver paste is then dried in an oven, and the finished plate is finally left in air for a few minutes. 800 C heated.



  The following Tables I-III give the static characteristics of three different large thermistors made in the manner just described. In these tables, I is the current in mA. Applied to the electrodes, R is.

    the corresponding resistance in ohms, and W is the correspondingly destroyed power in watts or milliwatts. In Table I the area of the thermistor material was 6.4 cm ", in Table II it was 10 cm @ with electrode strips 2.5 mm wide along the two opposite edges of the base plate for both cases and in Table III, it was 1 mm = with electrodes also of 1 mm = as shown in FIG. 2, in which the corresponding parts 1, 3, 4 and 5 in FIG. 1a are labeled 6, 7, 8 and 9.

   In addition, two fine wires 10 and 11 made of platinum or other suitable metal are attached to the electrodes 8 and 9 by silver paste. Such lines can also be attached to electrodes 4 and 5 of Figure 1, if desired.

    
EMI0002.0066
  
    <I> Table <SEP> I. </I>
<tb> I <SEP> R <SEP> watt
<tb> 0.1 <SEP> 44000 <SEP> 4.4X10--1
<tb> 1.0 <SEP> 43000 <SEP> 0.043
<tb> 2.0 <SEP> <B> 38000 </B> <SEP> 0.152
<tb> 5.0 <SEP> <B> 25000 </B> <SEP> 0.625
<tb> 10.0 <SEP> <B> 13800 </B> <SEP> 1.38
<tb> 20.0 <SEP> <B> 6000 </B> <SEP> 2.4
<tb> 50.0 <SEP> 1940 <SEP> 4.85
<tb> 100.0 <SEP> 760 <SEP> 7.6
EMI0003.0001
  
    <I> Table <SEP> II. </I>
<tb> 1 <SEP> R <SEP> watt
<tb> 1.0 <SEP> <B> 35000 </B> <SEP> 0.035
<tb> 2.0 <SEP> <B> 33000 </B> <SEP> 0.132
<tb> 5.0 <SEP> <B> 25600 </B> <SEP> 0.64
<tb> 10.0 <SEP> <B> 15000 </B> <SEP> 1.5
<tb> 20.0 <SEP> <B> 7000 </B> <SEP> 2.8
<tb> 50.0 <SEP> <B> 2500 </B> <SEP> 6.25
<tb> 100.0 <SEP> 980 <SEP> 9.8
<tb> 200.0 <SEP> 400 <SEP> 16.0
EMI0003.0002
  
    <I> Table <SEP> III. </I>
<tb> 1 <SEP> R <SEP> milliwatts
<tb> 0.02 <SEP> 1.1X10 <SEP> 0,

  44
<tb> 0.05 <SEP> 0.88X10 <SEP> 2.2
<tb> 0.1 <SEP> 0.68X10 <B> 6 </B> <SEP> 6.8
<tb> 0.2 <SEP> 0.385X106 <SEP> 15.4
<tb> 1.0 <SEP> 61000 <SEP> 61
<tb> 2.0 <SEP> <B> 25000 </B> <SEP> 100
<tb> 5.0 <SEP> <B> 7000 </B> <SEP> 175
<tb> 10.0 <SEP> <B> 2700 </B> <SEP> 270
<tb> 20.0 <SEP> 1100 <SEP> 440 Another form of thermistor is shown in Fig. 3; it consists of a nickel disc 12 covered with oxide and having a central hole 13.

   This is covered with a thin, film-like layer 14 made of thermistor material, as described in connection with FIG. 1, and the electrodes 15 and 16 made of silver paste are provided as ring-shaped strips around the circumference of the disk 12 and around the Center hole 13 applied. The central hole 13 could, if desired, be weggelas sen, and the central electrode 16 could then have the shape of a small circular disc.



       Thermistors with high resistances can be obtained by using a thermistor material which consists only of a mixture of manganese and nickel oxide in the ratio 4: 1.



  Large powers can be destroyed by these thermistors. It has been shown that the maximum power dissipation is around 5 watts per 6.4 em2 film area. If the baseplate of the thermistor is attached to a copper block in good thermal contact, it is very likely that the maximum destruction can increase to 20 watts per 6.4 cm2, and thermistors of moderate dimensions can therefore use up to 200 watts Performance.

   Attention is drawn to the fact that the known types of bead thermistors will safely destroy no more than about 100 milliwatts and the thermistors in block form probably no more than about 1.5 watts.



  From Tables I, 1I, 111 above, it can be calculated that power inputs of approximately 35 milliwatts, 50 milliwatts and 0.5 milliwatts will increase the temperature of the corresponding thin film thermistor by 1 C. It will be possible to manufacture thermistors that have consumption constants of between 500 and 0.05 milliwatts per C.



  The thermistors can be manufactured in different shapes and by different processes.



  It is relatively easy to produce thin film thermistors in large numbers with practically the same electrical properties. The formation of any pattern can also be exactly restored. The use of oxidized nickel base plates is particularly advantageous because they can be manufactured very cheaply and in large numbers with precise dimensions.



  Base plates that are partly or wholly composed of one or more of the ferrous metals are particularly suitable. has been found because the thermistor material on such plates can be easily made to adhere firmly. Base plates of any material (including insulating materials) can be used as long as sufficient adhesion of the thermistor material can be ensured and as long as there is no undesirable reaction between the base plate material and the thermistor material. The base plate can, for. B. a pressed sintered block of a metal oxide such. B.

   Nickel oxide, his, and the thermistor material. can be applied in the manner described.



  It will be understood that the properties of the thin film thermistor will depend to a large extent on the shape and dimensions of the base plate onto which the film is deposited. Different properties will be of interest in different applications, e.g. B. A thermistor may be neces sary to destroy a large amount of power, while its sensitivity to changes in resistance is of secondary importance, while for others the sensitivity is of primary importance.

   In other cases, e.g. B. the time constant can be important.



  If a thin film thermistor is provided with a suitable heating coil or similar means isolated from the thermistor material, an indirectly heated thermistor is obtained. Examples of indirectly heated thermistors of this type will be described later.

   Both the directly and indirectly heated types of thermistors can be used in practically the same way as the known bead or block types of thermistors; they also have countless possible uses for which the known species are not suitable.



  In order to show some of the many possible embodiments of the manufacture of thin film thermistors, a number of different methods are briefly given below. <I> Procedure 1. </I>



  a) Oxidizing a nickel sheet. b) Spraying with Oxydmischimg.



  c) Burn for 1 hour at 1100 to 1300 C.



  d) Applying the electrodes using silver paste (possibly other metal pastes such as gold, platinum) or vaporizing or spraying the metal. Procedure, <I> 2. </I>



  a) Oxidizing a nickel sheet. b) Brushing with Oxydmisehung.



  c) Firing at 1100 to 1300 C for one hour.



  d) applying the electrodes. Procedure <I> 3. </I>



  a) Oxidizing a nickel sheet.



  b) Immersing the oxidized sheet in a suspension of thermistor oxides. The oxides are deposited and form a film on the sheet that can then be dried.



  c) heat treatment.



  d) applying the electrodes. <I> Procedure 4. </I>



  a) Oxidizing a nickel sheet.



  b) Immersion in a suspension of thermistor oxides and application of a layer of the oxides to the sheet metal by cataphoresis.



  c) heat treatment.



  d) applying the electrodes. <I> Procedure 5. </I>



  a) Oxidizing a nickel sheet.



  b) Evaporation or spraying of metals (or oxides) (Mn, Ni, Cu or Co).



  c) heat treatment to oxidize the metal layer.



  d) applying the electrodes. Procedure <I> 6. </I>



  a) Formation of a layer of thermistor oxides on a pure Niclzelbleeh by cataphoresis.



  b) heat treatment to oxidize the nickel sheet and sinter the film.



  c) applying the electrodes. <I> Procedure 7. </I>



       (s) Electroplating a pure nickel sheet with layers of manganese, nickel, copper or cobalt or their alloys.



  b) heat treatment to oxidize the metal film and the nickel sheet.



  c) applying the electrodes. <I> Procedure B. </I>



  a) Precipitation of the oxides of manganese, nickel, copper or cobalt on a pure nickel sheet.



  b) heat treatment to sinter the oxide film and oxidize the nickel.



  e) applying the electrodes. <I> Procedure 9. </I>



  a) Application of oxides forming the semiconductor layer onto a pure nickel sheet by spraying, etc.



  b) Firing in a vacuum furnace or in a controlled atmosphere to sinter the film.



  e) Application of the upper electrode by vapor deposition of a translucent metal film (e.g. chromium). <I> Procedure 10. </I>



  a) Oxidizing a nickel sheet.



  b) Application of a platinum layer on one side by means of molten platinum, on vaporization of platinum or the like.



  e) Application of oxides forming the semiconductor layer by spraying, etc. d) Firing as in 9b above.



  e) Electrode as in 9c above.



  The chemical composition of the oxide films forming the semiconductor layer is not limited to the oxides of manganese, nickel, copper and cobalt. Other oxides such as B. uranium dioxide, iron oxide, vanadium pentoxide, etc., and any semiconductor materials can be used who the.



       Oxide mixtures for plate application can be prepared in a number of ways. The suspension of oxides in nitrocellulose solutions has already been mentioned, but water suspensions containing metal nitrates can also be used. Binders such as B. starch, synthetic resins, glue, etc., can also be used.



  Pastes are preferable for coating. A typical example of such a paste consists of 20 grams of a mixture of 4 parts of manganese oxide and one part of nickel oxide; 25 em3 amyl acetate and 5 grams nitrocellulose, ground for 24 hours in a ball mill.



  If the resistance path in the film runs parallel to the base plate, it can be very long. Such thermistors are shown in Figs. The baseplate can also have any number of separate parallel paths, each with its own pair of electrodes, or two or more paths can use the same pair of electrodes. A thermistor of this type is shown in Fig.4. Here the oxidized nickel plate 17 is provided with a number of strips of thermistor film 18, shown hatched; three use electrodes 19 and 20 and two others have individual electrodes 21,22 and 23,24.

   Wire connections (not shown) can be attached to these electrodes in the manner shown in FIG.



  The paths 18 can be obtained by spraying onto the plate 17 through a suitable grid or by complete covering and subsequent removal of the undesired thermistor material.



  If the resistance path goes through the thickness of the film from front to back, it will only be short, e.g. B. less than 0.025 mm.



  A thermistor of this type is shown in Fig.5. The oxidized nickel plate 25 has a platinum layer 26 on one face thereof. 27 is the thermistor film placed on the platinum layer, and the upper electrode made of silver paste is designated 28. Wires 29 and 30 may be attached to platinum layer 26 and to top electrode 28 as indicated.



  If a pure nickel plate 25 is used, it can serve as the lower electrode and the platinum layer 26 can be omitted. In this case the wire 29 can be attached to the plate 25.



  In the thermistors shown in FIGS. 1 to 5, the base plates can also be of a different shape or size; they can also be curved instead of flat. The electrodes can also be shaped and placed on the thermistor film in various ways.



  For example, in Figure 1 the thickness of the base plate 1 could be increased considerably so that it becomes a metal block which can be oxidized on the top surface or all surfaces before the thermistor film and electrodes are applied in the manner illustrated . Such a thermistor will be able to do a lot of power dissipation.



  It will also be understood that any of these baseplates can be provided with thermistor films or paths on either surface.

       Any base plates that have two irrelevant paths, either on the same or opposite faces, can be used as an indirectly heated thermistor in which the one resistive path is used for heating.



  Another form of thermistor is shown in perspective in FIG. It consists of an oxidized metal tube 31 (e.g. oxidized nickel tube or a tube made of some insulating material, e.g.

   Ceramic, to which the thermistor film can be adhered), a thermistor film 32 being spread over part or all of the outer surface and provided with ribbon electrics 33 and 34 made of silver paste (shown hatched) near the ends is. Appropriate lead wires can be attached to these electrodes.



  Such a thermistor can be converted into a directly heated thermistor by inserting a spiral heating coil into the tube, as is shown for the sake of clarity with 35 outside the tube. Any other suitable type of heating can also be used; z. B. could be wound on the outside of the tube, a solenoid heating coil, before being exposed to that it is suitably isolated from the thermistor film and the electrodes.

    The inside of the tube 31 can be covered with thermistor material which has a different temperature coefficient from that of the material on the outside; here, one of the films can be used for heating when the thermistor is to be used as an indirectly heated thermistor.



  The inner covering can of course be provided with electrode layers near the ends of the tube.



  The outer electrodes can also be formed by winding and securing several turns of platinum or other metal wire around each end of the tube, and the thermistor film then covers the tube and wires. Such wires can be used if the thermistor is to be carried through them. If the thermistor is very small, a thermistor with a small thermal capacity can be obtained.

   The inner electrodes can also consist of suitable metal plugs. Instead of using a tube, just a full rod could be used.



  It is clear that very small thermistors can be created by using a fine wire or tape as a support body (instead of a tube or rod) and by covering it with a thermistor film and applying very narrow electrode tapes made of silver pastes, similar to that shown in Fig neten way, -can be produced.



  Another form of multi-path thermistor is shown in Figure 7. This consists of a nickel lattice, as it could be used in a thermal tube, and is made up of a number of transversal wires 36, which are spot-welded or otherwise attached to two or more support wires 37, 38.

    The whole grid is oxidized and covered with thermistor film. In the zones between the broken line pairs 39 and 40, electrodes made of silver can be applied over the wires. In this way a number of parallel paths will be obtained between the two electrodes. A grid punched from sheet nickel could be treated in a similar manner.



  In a very important form of thermistor, the thermistor film is applied along a narrow side surface of a thin plate with an insulating surface. The resistance path thus obtained is narrow (e.g. 0.2 inch wide), and in this form the therinistor can be used as a very sensitive boloineter for infrared spectroscopy. Such a thermistor is shown in perspective in FIG.

   It has an oxidized Niekel base plate 41 which, for. B. 15.6 minutes long, 2.5 mm wide and 0.2 mm thick. A film of thermistor material is deposited along the narrow side surface (edge) 42 of the base plate. Silver paste electrodes 43 and 44 are applied to the surface of the film and partially over the adjacent major surfaces of the plate as shown. Fine platinum wires 47, 48 are attached to the tongues '45, 46. The two electrodes can be approximately 4.7 mm apart, and this gives a resistive path 4.7 minutes long and 0.2 mm wide.

   Such a thermistor can also be used for purposes other than a bolometer.



  A preferred method of making a thermistor of this type is as follows: In a ball mill, a mixture of 80 grams of manganese oxide, 20 grams of nickel oxide and 25 grams of copper oxide in 200 cc of methyl alcohol is prepared.

   After filtering and drying, the mixture is heated for one hour at 130011 C and then crushed and ground and finally sieved through a sieve with about 80 meshes per cm =. 20 grams of the sieved oxide mismatch are then ground for 24 hours with 31 cm3 amyl acetate, 30 cm3 methyl alcohol and 1 gram polyvinyl 1-butyral. This then forms the covering suspension.



  The nickel base plate, which has the dimensions already given, has the narrow side surface 42 ground flat and polished and is then cleaned and then oxidized at 1050 C for two hours. The polished edge is then covered with the oxide suspension, as will be described later. After covering, the plate is baked for 2 1-1 minutes at 1000 "C, and then the silver paste electrodes 43 and 44 are applied. The platinum wires 47 and 48, which can be approximately 0.05 min in diameter, are made by melting the ends with a small Bead, which is then flattened into a disc.

   The ends of the slices are placed on the paste electrodes after they have dried. Additional paste is used here and the plate is burned for 5 minutes at 700 ° C., thus forming the electrodes with the wires firmly attached to them.



  The edge of the plate with the oxide suspension is preferably covered with a glass rod approximately 3 mm in diameter (or any other suitable carrier for the suspension). The glass rod is immersed in the Siuspension in order to take a small amount of the suspension, which is spread along the plate edge by means of the rod. The applied suspension is allowed to dry and the process is repeated until a layer of the required thickness is obtained. The film that forms on the major surfaces of the plate can be removed with a razor blade.



  The silver paste electrodes can be applied using a pointed glass rod that is dipped in the paste.



  Another form of narrow path thermistor is shown in Figure 9, which is shown at a. a perspective view and at b shows an enlarged cross-sectional view. A nickel plate 49 is oxidized beforehand, the oxy-dc spots are shown at 50 and 51 in FIGS.

   A fine nickel wire 52 is oxidized and has an oxide covering 53 and a covering on the thermistor material 54 applied to the oxide covering. The covered wire is placed on the plate 49 and then fired so that the covering of the thermistor material sinters and adheres firmly to the oxide covering of the plate. Silver paste electrodes 55 and 56 (Figure 9a) are then applied to the ends of the wire as drawn.

   An extremely fine nickel wire can be used, e.g. B. a wire with a diameter of 0.025 mm. In this way a very narrow resistance path is obtained. The wire can, if desired, be covered with the thermistor material before the oxidation and can then be completely oxidized during the subsequent firing. The wire 52 could also be replaced by a thin nickel ribbon of rectangular cross-section and of any suitable width, and the ribbon could be treated in exactly the same way.



  The following Tables IV and V briefly set out some forms of thin film thermistors and the alternatives that may be used at various stages of the manufacturing process.
EMI0008.0012
  
    <I> Table <SEP> IV. </I>
<tb> <I> Forms <SEP> 'of <SEP> thin <SEP> film thermistors. </I>
<tb> 1. <SEP> Short <SEP> resistance paths <SEP> (through <SEP> the <SEP> thickness
<tb> of the <SEP> film).
<tb> 2. <SEP> long, <SEP> individual <SEP> resistance paths, <SEP> open
<tb> flat <SEP> plates <SEP> of various <SEP> shapes,
<tb> metal blocks,
<tb> rods,
<tb> pipes,
<tb> wires,
<tb> narrow <SEP> side surfaces <SEP> of <SEP> plates.
<tb> 3.

   <SEP> Long, <SEP> multi-part <SEP> resistance paths, <SEP> on
<tb> flat <SEP> plates <SEP> of various <SEP> shapes,
<tb> grids,
<tb> <SEP> wires attached to <SEP> plates <SEP>,
<tb> pipes <SEP> with <SEP> ways <SEP> within <SEP> and / or
<tb> outside. Any of these thermistors can have two or more electrodes and can be provided with indirect heating arrangements either by means of a heating coil or the like, or by a separate thin film.

    
EMI0008.0018
  
    <I> Table <SEP> V. </I>
<tb> <I> Manufacturing process <SEP> for <SEP> thin <SEP> film </I>
<tb> <I> Therntistors. </I>
<tb> <I> 1. <SEP> carrier </I>
<tb> made of <SEP> nickel, <SEP> cobalt, <SEP> iron, <SEP> nickel iron,
<tb> chrome iron, <SEP> copper-nickel <SEP> and <SEP> similar
<tb> metals.
<tb> <I> 2a. <SEP> Oxidize <SEP> the <SEP> carrier <SEP> and </I> <SEP> application
<tb> <I> the <SEP> thermistor materials </I>
<tb> by: <SEP> spraying, <SEP> coating, <SEP> depositing,
<tb> cataphoresis;

   <SEP> possibly <SEP> evaporation <SEP> or
<tb> Spraying <SEP> the <SEP> thermistor metals, <SEP> like
<tb> e.g. <SEP> B. <SEP> manganese, <SEP> copper, <SEP> cobalt, <SEP> nickel.
<tb> <I> 3a. <SEP> Heat treatment <SEP> in </I> <SEP> Delivers <SEP> <I> and <SEP> possibly </I>
<tb> <I> Oxidizing <SEP> the <SEP> T'fterntistor-111etalle </I>
<tb> or <SEP> alternatively.
<tb> 2b. <SEP> <I> Applying <SEP> the <SEP> thermistor oxides </I>
<tb> through:

   <SEP> cataphoresis, <SEP> possibly <SEP> electro-plating <SEP> with <SEP> thermistor metals.
<tb> 3b. <SEP> <I> Oxidize <SEP> the <SEP> carrier <SEP> (and <SEP> possibly <SEP> the </I>
<tb> <I> Thermistor-illetalle, <SEP> if <SEP> this <SEP> unoxy- </I>
<tb> <I> dated). </I>
<tb> <I> 4. Apply <SEP> electrodes </I> <SEP>
<tb> using <SEP> silver paste, <SEP> liquid <SEP> gold, <SEP> liquid <SEP> platinum <SEP> and <SEP> afterwards <SEP> firing;
<tb> possibly <SEP> gold, <SEP> silver, <SEP> aluminum, <SEP> copper, <SEP> chrome <SEP> etc. <SEP> sprayed on, <SEP> sprayed on <SEP> or <SEP > vaporized.
<tb> In the following <SEP> <SEP> and <SEP> some <SEP> possible applications of thin film thermistors are mentioned.



  <I> 2. Plates and disks etc. </I> Thermistor plates can be used as heating elements in small furnaces and at the same time create means for temperature measurement and control.



  They are also suitable for thermometers and thermostats if they can be seen with holes so that they can be bolted to the sides of an oven, etc. Since they are very thin plates, they remove very little rough. Thin film thermistors can operate up to 500C.



  Disc-like thermistors can be used as built-in thermometers for selenium rectifiers. Very small plates with a very sensitive zone can be used for radiation measurements.



  <I> 2. Plates, </I> rods and <I> blocks. </I> Thermistors, which have a large mass, also have a high power dissipation. This makes them useful for slow starting of electric 3Iotors etc.



  <I> 3. Pipes. </I>



  Tubular, indirectly heated thermistors are easier to manufacture than large, pearl-like thermistors. They can serve as slow acting relays. Delays on the order of an hour can be obtained.



  <I> 4. Wires and </I> heating cables.



  Thermistors made from wires have low power dissipation. Their response to current changes should be comparable to that of a ballast resistor. They can serve as automatic voltage regulators. <I> 5. </I> educational thermistors.



       Fig. 4 shows. That it is possible to produce a number of thermistors on the same plate. Each path can be thermally connected to its near path or isolated from it. Such a unit can be used for electronic switches. A thermistor unit takes up very little space. 10 or more resistance paths can be made on a 50X25> (06 nnn board.



  <I> 6. </I> Tiltra high-frequency high-performance knife. The power of ultra-high frequencies can be measured by means of long, strip-shaped theaters. They have an advantage over known pearl thermistors, as they can measure powers in the order of 5 watts.

 

Claims (1)

P ATEN#TA.IN'SPRt"CHE I. Elektrisches Widerstandselement finit hohem Temperaturkoeffizienten des Wider- standes, gekennzeichnet durch eine auf einem Tragkörper aufgebrachte Schicht aus einem als elektrisches Widerstandsmaterial dienen den Halbleiter mit hohem Widerstandstem- peratur-Koeffizienten und durch mindestens zwei Elektroden, die in Kontakt mit der IIalbleiterschielit stehen. P ATEN # TA.IN'SPRt "CHE I. Electrical resistance element with a finite high temperature coefficient of resistance, characterized by a layer applied to a support body made of a semiconductor with a high resistance temperature coefficient and at least two electrodes that are in contact with the semiconductor switch. II. Verfahren zur Herstellung eines -\V i- der:standselementes nach Patentanspruch 1, gekennzeichnet durch die Herstellung einer Suspension aus einem die Halbleiterschicht bildenden Material in einem flüssigen Me dium, das Aufbringen der Suspension auf eine isolierende Oberfläche des Tragkörpers, die Hitzebehandlung der aufgebrachten Schicht, um das Material zu festigen und fest auf der isolierenden Oberfläche anzu haften, II. A method for producing a - \ V i- the: stand element according to claim 1, characterized by the production of a suspension of a material forming the semiconductor layer in a liquid medium, the application of the suspension to an insulating surface of the support body, the heat treatment of the applied layer to consolidate the material and adhere firmly to the insulating surface, und schliesslich die Aufbringung von metallischen Elektrodenschichten über Teile der Halbleiterschicht. L: N TERAE SPRt CHE 1. Widerstandselement nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der Tragkörper leitend ist und eine Elektrode bildet. 2. and finally the application of metallic electrode layers over parts of the semiconductor layer. L: N TERAE SPRt CHE 1. Resistance element according to patent claim I, characterized in that the support body is conductive and forms an electrode. 2. Widerstandselement nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht in Form von getrennten Streifen auf einer isolierenden Oberfläche des Tragkörpers aufgebracht ist, um eine An zahl unabhängiger Widerstandswege zu bil den, und dass an den Enden jedes Streifens Elektroden vorgesehen sind. 3. Resistance element according to claim I, characterized in that the semiconductor layer is applied in the form of separate strips on an insulating surface of the support body in order to form a number of independent resistance paths, and that electrodes are provided at the ends of each strip. 3. Widerstandselement nach Patentan- sprueh I, dadurch gekennzeichnet, dass der Tragkörper eine lIetallplatte ist, wobei min destens deren eine schmale Seitenfläche eine isolierende Bedeckung aufweist, auf der die Halbleitersehieht aufgebracht ist. 4. Widerstandselement nach Patentan- sprueh. I, dadurch gekennzeichnet, dass der Tragkörper ein Rohr mit. einer isolierenden Oberfläche ist. Resistance element according to patent application I, characterized in that the support body is a metal plate, at least one narrow side face of which has an insulating covering on which the semiconductor face is applied. 4. Resistance element according to patent application. I, characterized in that the support body is a tube with. an insulating surface. 5. Widerstandselement nach Patentan- sprueh I, dadurch gekennzeichnet, dass der Tragkörper ein Metallgitter mit einer isolie renden Bedeckung ist und dass die Elektro- den so angeordnet sind, dass zwischen ihnen eine Anzahl 'Widerstandswege gebildet werden. 6. Widerstandselement nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht auf einem Metalldraht mit isolierender Bedeckung aufgebracht ist und der mit dem Halbleiter versehene. 5. Resistance element according to patent application I, characterized in that the support body is a metal grid with an insulating covering and that the electrodes are arranged such that a number of resistance paths are formed between them. 6. Resistance element according to Patent Claim I, characterized in that the semiconductor layer is applied to a metal wire with an insulating cover and the one provided with the semiconductor. Draht auf einer Metallplatte mit isolierender Bedeckung befestigt ist. 7. Widerstandselement nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der Tragkörper und damit die Halbleiterschicht durch ein Heizelement heizbar ist. B. Widerstandselement nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der. Tragkörper eine oxydierte Nickelplatte ist und die Elektroden Silberschichten sind. 9. Wire is attached to a metal plate with an insulating covering. 7. Resistance element according to Patent Claim I, characterized in that the support body and thus the semiconductor layer can be heated by a heating element. B. resistance element according to claim I, characterized in that the. The support body is an oxidized nickel plate and the electrodes are silver layers. 9. Widerstandselement nach Unteran spruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Grundplatte von rechteckiger Form ist und die Elektroden aus schmalen Streifen beste hen, die parallel an zwei entgegengesetzten Kanten der Grundplatte angeordnet sind. 10. Widerstandselement nach Unteran spruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Grundplatte aus einem länglichen oxydierten Nickelstreifen besteht und die Elektroden an den entgegengesetzten Enden des Streifens angeordnet sind. 11. Resistance element according to claim 8, characterized in that the base plate is rectangular in shape and the electrodes consist of narrow strips which are arranged in parallel on two opposite edges of the base plate. 10. Resistance element according to Unteran claim 8, characterized in that the base plate consists of an elongated oxidized nickel strip and the electrodes are arranged at the opposite ends of the strip. 11. Widerstandselement nach Unteran spruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass Lei tungsdrähte an den genannten Elektroden befestigt sind. 12. Widerstandselement nach Unteran spruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Platte aus einer kreisförmigen Scheibe be steht und dass die Elektroden entsprechend in der Mitte und rund um die Peripherie der Scheibe angeordnet sind. 13. Widerstandselement nach Unteran spruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Tragkörper eine reine Nickelgrimdplatte ist. 14. Resistance element according to claim 8, characterized in that line wires are attached to said electrodes. 12. Resistance element according to claim 8, characterized in that the plate consists of a circular disk and that the electrodes are arranged accordingly in the center and around the periphery of the disk. 13. Resistance element according to claim 1, characterized in that the support body is a pure nickel grimd plate. 14th Widerstandselement nach Unteran spruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Tragkörper eine oxydierte Nickelgntndplatte mit einer Platinschicht ist und dass eine Sil berschicht auf der Halbleiterschicht die an- fiere Elektrode bildet und dass Leitungsdrähte an den Elektroden befestigt sind. 15. Widerstandselement nach Unter an- sprueh 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Streifen der Halbleiterschicht auf einer oxy dierten 1Vickelgrundplatte befestigt sind. 16. Resistance element according to claim 1, characterized in that the support body is an oxidized nickel base plate with a platinum layer and that a silver layer on the semiconductor layer forms the first electrode and that lead wires are attached to the electrodes. 15. Resistance element according to sub-claim 2, characterized in that the strips of the semiconductor layer are attached to an oxidized 1Vickel base plate. 16. Widerstandselement nach Unteran spruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden aus dünnen Schichten von Sil ber bestehen, wobei jede der Elektroden schichten teilweise noch auf dem benachbarten Teil der Hauptfläche der Platte aufgebracht ist, und dass Leitungsdrähte auf jenen Teilen der Elektrodenschichten befestigt sind, die auf der genannten Hauptfläche liegen. 17. Widerstandselement nach Unteran spruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Rohr eine oxydierte Nickelröhre ist und dass metallische Elektrodenschichten auf der Halb leiterschicht an den gegenüberliegenden En den der Röhre aufgebracht sind. 18. Resistance element according to claim 3, characterized in that the electrodes consist of thin layers of silver, each of the electrode layers being partially applied to the adjacent part of the main surface of the plate, and that lead wires are attached to those parts of the electrode layers which lie on said main surface. 17. Resistance element according to claim 4, characterized in that the tube is an oxidized nickel tube and that metallic electrode layers are applied to the semiconductor layer at the opposite ends of the tube. 18th Widerstandselement nach Unteran spruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass ein Heizelement innerhalb der Röhre angebracht ist. 19. Widerstandselement nach Unteran spruch 17, gekennzeichnet durch eine So lenoidheizspule, die aussen um die Halb leiterschicht gewickelt und davon isoliert ist. 20. Widerstandselement nach Unteran spruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Schicht aus Halbleitermaterial auf der innern Oberfläche der Röhre angebracht. ist und dass Elektrodenschichten auf der zweiten Schicht an den entgegengesetzten En den der Röhre angebracht sind. 21. Resistance element according to claim 17, characterized in that a heating element is mounted inside the tube. 19. Resistance element according to claim 17, characterized by a So lenoidheizspule which is wrapped around the outside of the semiconductor layer and insulated therefrom. 20. Resistance element according to claim 17, characterized in that a second layer of semiconductor material is attached to the inner surface of the tube. and that electrode layers are attached to the second layer at the opposite ends of the tube. 21st Widerstandselement nach Unteran spruch 6, gekennzeichnet durch einen oxy dierten Nickeldraht, auf dem die Halbleiter schicht aufgebracht ist, durch eine oxydierte Nickelplatte, auf -der der mit dem Halbleiter versehene Draht befestigt ist, und durch Silberelektroden, die über die Enden des bedeckten Drahtes aufgebracht sind. 22. Verfahren nach Patentanspruch 1I, gekennzeichnet durch die Oxydation einer dünnen Nickelplatte, auf deren eine schmale Seitenfläche die Suspension des die Halb- leiterschicht bildenden Materials aufgebracht wird, und durch die Befestigung von Lei tungsdrähten auf den Elektrodenschichten. 23. Resistance element according to Unteran claim 6, characterized by an oxidized nickel wire on which the semiconductor layer is applied, by an oxidized nickel plate on which the wire provided with the semiconductor is fixed, and by silver electrodes applied over the ends of the covered wire are. 22. The method according to claim 1I, characterized by the oxidation of a thin nickel plate, on one narrow side surface of which the suspension of the material forming the semiconductor layer is applied, and by attaching lead wires to the electrode layers. 23. Verfahren nach Unteranspruch 22, da durch gekennzeichnet, dass die Suspension Manganoxyd, Nickeloxyd und Kupferoxy d in der Gewichtsproportion von 16 zu zu 5 in Mischung mit Amylazetat, Methyl alkohol und Polyvinyl-Butyral enthält und dass die Elektroden durch Aufbringen einer Silber enthaltenden Paste auf Teile der Halb leiterschicht und Brennen der Paste erzeugt werden. 24. Method according to dependent claim 22, characterized in that the suspension contains manganese oxide, nickel oxide and copper oxide in a weight proportion of 16 to 5 mixed with amyl acetate, methyl alcohol and polyvinyl butyral and that the electrodes are made by applying a paste containing silver to parts the semiconductor layer and firing the paste are generated. 24. Verfahren nach Unteranspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Enden von Platindrähten zu einer Metallperle geschmol zen werden, dass die Perle in die Form einer Scheibe gedrückt wird und dass die Scheibe auf der Silberpaste vor dem Brennen, aber nach dem Trocknen der Paste, durch die Verwendung von weiterer Silberpaste befe stigt wird, wodurch das nachfolgende Bren nen den Draht fest auf der Elektrode be festigt. 25. Verfahren nach Unteranspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Schieh- ten aus Halbleitermaterial auf die schmale Seitenfläche der Platte aufgebracht werden, wobei man jede Schicht trocknen lässt, ehe die nächste Schicht. aufgebracht wird. Method according to dependent claim 23, characterized in that the ends of platinum wires are melted to a metal bead, that the bead is pressed into the shape of a disk and that the disk is placed on the silver paste before firing, but after the paste has dried Use of further silver paste is attached, whereby the subsequent Bren NEN fixes the wire firmly on the electrode be. 25. The method according to dependent claim 22, characterized in that several layers of semiconductor material are applied to the narrow side surface of the plate, each layer being allowed to dry before the next layer. is applied.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1201463B (en) * 1959-07-13 1965-09-23 Minnesota Mining & Mfg Method for producing a semiconductor arrangement, in particular a resistor or thermocouple
DE1246897B (en) * 1959-09-09 1967-08-10 Itt Ind Ges Mit Beschraenkter Electronic solid state assembly

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