CA2713207A1

CA2713207A1 - Electronic control module for a jfet transistor

Info

Publication number: CA2713207A1
Application number: CA2713207A
Authority: CA
Inventors: Julien Rambaud; Sebastien Vieillard
Original assignee: Hispano Suiza SA
Current assignee: Safran Electrical and Power SAS
Priority date: 2009-08-31
Filing date: 2010-08-27
Publication date: 2011-02-28
Anticipated expiration: 2030-08-27
Also published as: US20110121891A1; FR2949630B1; EP2293443A1; FR2949630A1; US8207780B2; EP2293443B1; CA2713207C

Abstract

This invention concerns an electronic control module (MOD) for a field-effect transistor (JFET) including a grille (G), a drain (D) and a source (SL10:L23). It is characterized in that the electronic control module (MOD) comprises : a control circuit (DRIV) comprising : - a supply capable of supplying a fixed potential (VEE) to the grille (G) of the field-effect transistor (JFET); and an amplification stage (PSL-PLL) capable of making the potential of the source (S) of the field-effect transistor (JFET) vary relative to the potential of the grille (G) of the said field-effect transistor (JFET); and a field-effect transistor (JFET) where: - the grille (G) is connected to the said fixed potential (VEE); and the source (S) is connected to the said amplification stage (PSH- PLL).

Description

MODULE ELECTRONIQUE DE COMMANDE POUR TRANSISTOR
JFET

DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION

La présente invention concerne un module électronique de commande pour transistor à effet de champ comprenant une grille, un drain et une source.
Elle trouve une application particulière dans le domaine des transistors à effet de champ.

ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION

Dans le domaine des transistors à effet de champ, un état de la technique connu de module électronique de commande comprend un transistor à effet de champ et un circuit de commande pour commander le transistor à effet de champ en faisant varier le potentiel de la grille du transistor par rapport au potentiel de sa source. Le circuit de commande est alimenté avec une tension négative car un transistor à effet de champ est commandé en tension négative.
Lorsque le transistor à effet de champ est dans un état passant, il y a des risques de court-circuit, ce qui peut entraîner sa destruction.
Il existe des méthodes qui permettent de détecter un court-circuit notamment en comparant la tension drain-source, dite tension de saturation du transistor, avec une tension de référence, ladite tension drain-source étant positive.
Lorsque la tension drain-source est supérieure à cette tension de référence, on en déduit que le transistor à effet de champ est en régime de sur-courant ou de court-circuit.
Un potentiel négatif est donc nécessaire pour commander le transistor à
effet de champ en raison de la commande en tension négative et un potentiel positif est également nécessaire pour la comparaison avec la tension de saturation positive.
Un inconvénient de cet état de la technique est que l'on doit donc disposer d'une alimentation isolée électriquement supplémentaire pour la ELECTRONIC CONTROL MODULE FOR TRANSISTOR
JFET

TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION

The present invention relates to an electronic control module for field effect transistor comprising a gate, a drain and a source.
It finds particular application in the field of field effect transistors.

BACKGROUND OF THE INVENTION

In the field of field effect transistors, a state of the known technique of electronic control module comprises a field effect transistor and a control circuit for controlling the field effect transistor by varying the potential of the gate of the transistor with respect to the potential of its source. The control circuit is powered with a negative voltage because a field effect transistor is controlled in negative voltage.
When the field effect transistor is in an on state, there are risks of short circuit, which can lead to its destruction.
There are methods that can detect a short circuit in particular by comparing the drain-source voltage, called the saturation voltage of the transistor, with a reference voltage, said drain-source voltage being positive.
When the drain-source voltage is greater than this reference voltage, it is deduced that the field effect transistor is in overcurrent mode or short circuit.
A negative potential is therefore necessary to control the transistor at field effect due to the control in negative voltage and a positive potential is also needed for comparison with the positive saturation voltage.
A disadvantage of this state of the art is that one must therefore have an additional electrically insulated power supply for the

2 détection de court-circuit ce qui pose des problèmes de régulation d'alimentation supplémentaire. Cela ajoute un composant supplémentaire, l'alimentation supplémentaire, dans le module de commande dans le cas où
la détection de court-circuit est effectuée en dehors du circuit de commande, et sinon complique le design du circuit de commande lui-même pour intégrer l'alimentation supplémentaire dans le cas où la détection de court-circuit est effectuée à l'intérieur même du circuit de commande.

DESCRIPTION GENERALE DE L'INVENTION

La présente invention a pour but un module électronique de commande pour transistor à effet de champ comprenant une grille, un drain et une source, qui permet d'éviter d'avoir une alimentation supplémentaire pour la détection de court-circuit dans ledit transistor à effet de champ.

Ce but est atteint par un module électronique de commande pour transistor à
effet de champ comprenant une grille, un drain et une source, caractérisé en ce qu'il comporte :
- un circuit de commande comportant :
- une alimentation apte à fournir un potentiel fixe à la grille du transistor à effet de champ ; et - un étage amplificateur apte à faire varier le potentiel de la source du transistor à effet de champ par rapport au potentiel de la grille dudit transistor à effet de champ ; et - un transistor à effet de champ dont :
- la grille est connectée audit potentiel fixe ; et - la source est connectée audit étage amplificateur.

Comme on va le voir en détail par la suite, le fait de commander le transistor à effet de champ avec sa source au lieu de sa grille va permettre d'avoir la tension drain-source du transistor à effet de champ référencée par rapport au potentiel fixe lorsque le transistor est dans un état passant, à
savoir lorsqu'il est dans un état où il y a un risque de court-circuit. La tension drain-source comporte ainsi la même référence que la fonction de détection 2 short circuit detection which poses regulatory problems additional power supply. This adds an extra component, additional power supply, in the control module in case the short circuit detection is performed outside the control circuit, and otherwise complicates the design of the control circuit itself to integrate additional power supply in case the short circuit detection is performed within the control circuit itself.

GENERAL DESCRIPTION OF THE INVENTION

The present invention aims at an electronic module of control for a field effect transistor comprising a gate, a drain and a source, which avoids having an extra power supply for short-circuit detection in said field effect transistor.

This goal is achieved by an electronic control module for transistor field effect comprising a gate, a drain and a source, characterized in that what it includes:
a control circuit comprising:
a power supply capable of supplying a fixed potential to the gate of the field effect transistor; and an amplifier stage able to vary the potential of the source of the field effect transistor with respect to the potential the gate of said field effect transistor; and a field effect transistor of which:
the gate is connected to said fixed potential; and the source is connected to said amplifier stage.

As we will see in detail later, ordering the field effect transistor with its source instead of its gate will allow to have the drain-source voltage of the field effect transistor referenced by relative to the fixed potential when the transistor is in an on state, at know when he is in a state where there is a risk of a short circuit. The voltage drain-source thus has the same reference as the detection function

3 de court-circuit. On peut ainsi facilement comparer cette tension drain-source sans avoir d'alimentation supplémentaire.

Selon des modes de réalisation non limitatifs, le module électronique de commande peut comporter en outre une ou plusieurs caractéristiques supplémentaires parmi les suivantes :
- Le potentiel fixe est le potentiel le plus bas fourni par l'alimentation.

- L'étage amplificateur est apte à positionner le potentiel de la source au potentiel fixe pour rendre passant ledit transistor à effet de champ.

- L'étage amplificateur comporte au moins deux transistors placés en série dans un montage de type push-pull, un des transistors dudit étage amplificateur comprenant un collecteur apte à être connecté avec la grille dudit transistor à effet de champ. Cela permet d'utiliser un étage amplificateur couramment utilisé.

- Le potentiel fixe est un potentiel négatif et le circuit de commande comporte en outre un comparateur de tension référencé avec ledit potentiel fixe et apte à comparer la tension drain-source dudit transistor à effet de champ avec une tension de référence. Cela permet d'alimenter le circuit de commande avec une alimentation négative.

- Le circuit de commande comporte un dispositif de commande d'un transistor bipolaire à grille isolée et un inverseur de tension couplé
audit dispositif de commande, ledit inverseur de tension étant connecté en entrée à un point de jonction commun de l'étage amplificateur et en sortie à la source dudit transistor à effet de champ. Cela permet ainsi d'utiliser un dispositif de commande alimenté en tension positive couramment utilisé dans le domaine des transistors. 3 short circuit. This draining voltage can easily be compared source without additional power.

According to non-limiting embodiments, the electronic module order may also include one or more characteristics additional among the following:
- The fixed potential is the lowest potential provided by food.

- The amplifier stage is able to position the potential of the source at the fixed potential to turn on said effect transistor of field.

- The amplifier stage comprises at least two transistors placed in series in a push-pull type of assembly, one of the transistors said amplifier stage comprising a collector adapted to be connected with the gate of said field effect transistor. it allows the use of a commonly used amplifier stage.

- The fixed potential is a negative potential and the control circuit further comprises a voltage comparator referenced with said fixed potential and able to compare the drain-source voltage of said field effect transistor with a reference voltage. it allows to feed the control circuit with a power supply negative.

- The control circuit comprises a control device of a Isolated gate bipolar transistor and a coupled voltage inverter said control device, said voltage inverter being connected at the input to a common junction point of the floor amplifier and output at the source of said field. This makes it possible to use a control device positive voltage supply commonly used in the field transistors.

4 Le circuit de commande comporte en outre un dispositif de décalage de niveau de tension. Cela permet ainsi d'utiliser un dispositif de commande alimenté entre un potentiel négatif et un potentiel positif couramment utilisé dans le domaine des transistors.

En outre, il est également proposé un actionneur électromécanique, caractérisé en ce qu'il comporte un module électronique de commande selon l'une quelconque des caractéristiques précédentes.
En outre, il est également proposé un inverseur de poussée électrique, caractérisé en ce qu'il comporte un module électronique de commande selon l'une quelconque des caractéristiques précédentes.

L'invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et à l'examen des Figs. qui l'accompagnent.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES

Celles-ci ne sont présentées qu'à titre indicatif et nullement limitatif de l'invention.
- La Fig.1 est un schéma simplifié d'un module électronique de commande selon l'invention comportant un circuit de commande et un transistor à effet de champ ;
- La Fig. 2 est un schéma simplifié d'un mode de réalisation non limitatif d'un étage amplificateur du circuit de commande de la Fig. 1 ;
- La Fig.3 et la Fig. 4 sont des schémas simplifiés selon un premier mode de réalisation non limitatif du module électronique de commande de la Fig. 1 dans un premier et deuxième modes de fonctionnement respectivement, le circuit de commande dudit module électronique de commande étant alimenté avec une tension négative ;
- La Fig. 5 est un schéma simplifié du module électronique de commande de la Fig. 3 ou de la Fig. 4, dans lequel une fonction de détection de court-circuit est illustrée ;
- La Fig.6 et la Fig. 7 sont des schémas simplifiés selon un deuxième mode de réalisation non limitatif du module électronique de commande de la Fig. 1 dans un premier et deuxième modes de fonctionnement respectivement, le circuit de commande dudit module électronique de commande étant alimenté avec une tension positive ;
- La Fig.8 et la Fig. 9 sont des schémas simplifiés selon un troisième 4 The control circuit further comprises a device for voltage level shift. This makes it possible to use a control device powered between a negative potential and a positive potential commonly used in the field of transistors.

In addition, it is also proposed an electromechanical actuator, characterized in that it comprises an electronic control module according to any of the foregoing features.
In addition, it is also proposed a thrust reverser characterized in that it comprises an electronic module of control according to any one of the preceding features.

The invention and its various applications will be better understood in the reading the following description and examining Figs. who accompany him.
BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES

These are only indicative and in no way limitative of the invention.
FIG. 1 is a simplified diagram of an electronic module of control according to the invention comprising a control circuit and a field effect transistor;
FIG. 2 is a simplified diagram of a non-limiting embodiment an amplifier stage of the control circuit of FIG. 1;
- Fig.3 and Fig. 4 are simplified diagrams according to a first non-limiting embodiment of the electronic control module of FIG. 1 in a first and second modes of operation respectively, the control circuit of said electronic module of control being powered with a negative voltage;
FIG. 5 is a simplified diagram of the electronic module of control of FIG. 3 or FIG. 4, in which a function of short circuit detection is illustrated;
- Fig.6 and Fig. 7 are simplified diagrams according to a second non-limiting embodiment of the electronic control module of FIG. 1 in a first and second modes of operation respectively, the control circuit of said electronic module of control being powered with a positive voltage;
- Fig.8 and Fig. 9 are simplified diagrams according to a third

5 mode de réalisation non limitatif du module électronique de commande de la Fig. 1 dans un premier et deuxième modes de fonctionnement respectivement, le circuit de commande dudit module électronique de commande étant alimenté entre un potentiel positif et un potentiel négatif ;
- La Fig. 10 représente schématiquement un actionneur électromécanique comportant le module électronique de commande de la Fig. 1 ; et - La Fig. 11 représente schématiquement un inverseur de poussée électrique comportant module électronique de commande de la Fig. 1.

DESCRIPTION DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION

Le module électronique de commande MOD pour transistor à effet de champ JFET comprenant une grille G, un drain D et une source S est illustré
schématiquement à la Fig. 1.

On notera que dans la suite de la description, on appellera également le transistor à effet de champ JFET indifféremment transistor JFET ou encore JFET.

Le module électronique de commande MOD comporte :
- un circuit de commande DRIV comportant :
- une alimentation apte à fournir un potentiel fixe VEE à la grille G du transistor à effet de champ JFET ; et - un étage amplificateur PSH-PLL apte à faire varier le potentiel de la source S du transistor à effet de champ JFET par rapport au potentiel de la grille G dudit transistor à effet de champ JFET ; et - un transistor à effet de champ JFET dont :
- la grille G est connectée audit potentiel fixe VEE ; et 5 non-limiting embodiment of the electronic control module of FIG. 1 in a first and second modes of operation respectively, the control circuit of said electronic module of command being powered between a positive potential and a potential negative;
FIG. 10 schematically represents an actuator electromechanical system comprising the electronic control module of FIG. 1; and FIG. 11 schematically represents a thrust reverser electrical module comprising electronic control module of FIG. 1.

DESCRIPTION OF EMBODIMENTS OF THE INVENTION

The electronic control module MOD for transistor effect of JFET field comprising a gate G, a drain D and a source S is illustrated schematically in FIG. 1.

Note that in the following description, we will also call the JFET field effect transistor indifferently transistor JFET or else JFET.

The MOD electronic control module comprises:
a DRIV control circuit comprising:
- a power supply capable of supplying a fixed potential VEE to the gate G of JFET field effect transistor; and an amplifier stage PSH-PLL capable of varying the potential of the source S of the field effect transistor JFET with respect to at the gate G potential of said field effect transistor JFET; and a JFET field effect transistor of which:
gate G is connected to said fixed potential VEE; and

6 la source S est connectée audit étage amplificateur PSH-PLL.
Le circuit de commande DRIV permet donc de fixer la grille G du transistor JFET au potentiel fixe VEE pendant qu'il fait varier le potentiel de la source du transistor JFET.

On notera qu'on entend par potentiel fixe VEE, un potentiel qui ne varie pas notamment au cours de l'utilisation du transistor à effet de champ JFET, c'est-à-dire un potentiel qui est figé.
Dans un mode de réalisation non limitatif illustré de façon simplifié à la Fig. 2, l'étage amplificateur PHS-PLL du circuit de commande DRIV
comporte au moins deux interrupteurs placés en série T1-T2 comprenant un point de jonction commun P apte à être couplé à la source S dudit transistor à effet de champ JFET, un des interrupteurs T2 dudit étage amplificateur étant apte à être couplé à la grille G dudit transistor à effet de champ JFET.
Dans une variante de réalisation non limitative, le premier interrupteur Ti et le deuxième interrupteur T2 sont des transistors. Ainsi, l'étage amplificateur PHS-PLL comporte au moins deux transistors placés en série T1-T2 comprenant un point de jonction commun P anode-cathode apte à être couplé à la source S dudit transistor à effet de champ JFET, un des transistors T2 dudit étage amplificateur comprenant une électrode C2 apte à
être couplée à la grille G dudit transistor à effet de champ JFET.
Dans un exemple non limitatif, le premier transistor Ti est un transistor bipolaire IGBT de type NPN et le deuxième transistor T2 est un transistor bipolaire IGBT de type PNP. Dans ce cas, l'anode du point de jonction P est le collecteur Cl du premier transistor T1 et la cathode du point de jonction P
est l'émetteur E2 du deuxième transistor T2. De plus, l'électrode C2 apte à
être couplée à la grille G du JFET est le collecteur du deuxième transistor bipolaire T2.
Dans cette variante de réalisation l'étage amplificateur PSH-PLL est un étage appelé Push-Pull en anglais. Un étage push-pull étant bien connu de l'homme du métier, il n'est pas décrit plus en détail.

Dans un mode de réalisation non limitatif, le potentiel fixe VEE est le 6 the source S is connected to said PSH-PLL amplifier stage.
The DRIV control circuit thus makes it possible to fix the gate G of the JFET transistor at the fixed potential VEE while it varies the potential of the source of the JFET transistor.

Note that fixed VEE means a potential that does not does not vary especially during the use of the field effect transistor JFET, that is to say a potential that is frozen.
In a nonlimiting embodiment illustrated in a simplified manner in the Fig. 2, the PHS-PLL amplifier stage of the DRIV control circuit comprises at least two switches placed in series T1-T2 comprising a common junction point P adapted to be coupled to the source S of said transistor field effect JFET, one of the switches T2 of said amplifier stage being able to be coupled to the gate G of said JFET field effect transistor.
In a variant of non-limiting embodiment, the first switch Ti and the second switch T2 are transistors. So, the amplifier stage PHS-PLL has at least two transistors placed in series T1-T2 comprising a common junction point anode-cathode suitable for being coupled to the source S of said JFET field effect transistor, one of transistors T2 of said amplifier stage comprising an electrode C2 adapted to to be coupled to the gate G of said JFET field effect transistor.
In a non-limiting example, the first transistor T 1 is a transistor bipolar IGBT type NPN and the second transistor T2 is a transistor bipolar IGBT PNP type. In this case, the anode of the junction point P is the collector C1 of the first transistor T1 and the cathode of the junction point P
is the emitter E2 of the second transistor T2. In addition, the electrode C2 adapted to be coupled to the G gate of the JFET is the collector of the second transistor bipolar T2.
In this variant embodiment, the PSH-PLL amplifier stage is a floor called Push-Pull in English. A push-pull stage being well known those skilled in the art, it is not described in more detail.

In a non-limiting embodiment, the fixed potential VEE is the

7 potentiel le plus bas fourni par l'alimentation du driver DRIV.

Dans un premier mode de réalisation non limitatif du module électronique de commande MOD, le potentiel fixe VEE est un potentiel négatif VNEG et le circuit de commande DRIV comporte en outre un comparateur de tension CMP référencé avec ledit potentiel fixe VEE et apte à comparer la tension drain-source Vds dudit transistor à effet de champ JFET avec une tension de référence.

Dans un deuxième mode de réalisation non limitatif du module électronique de commande MOD, le circuit de commande DRIV comporte en outre un dispositif de commande DIGBT d'un transistor bipolaire à grille isolée IGBT et un inverseur de tension IN couplé audit dispositif de commande DIGBT.

Dans un troisième mode de réalisation non limitatif du module électronique de commande MOD, le circuit de commande DRIV comporte en outre un dispositif de commande DIGBT d'un transistor bipolaire à grille isolée IGBT, un inverseur de tension IN couplé audit dispositif de commande DIGBT et un dispositif de décalage de niveau de tension DEN.

Le fonctionnement du module électronique de commande MOD selon les trois modes de réalisation ci-dessus est illustré respectivement dans trois exemples qui sont les suivants :
- lorsque le circuit de commande DRIV est alimenté avec une tension négative (Figs. 3 et 4) ;
- lorsque le circuit de commande DRIV est alimenté avec une tension positive (Figs. 6 et 7).
- Lorsque le circuit de commande DRIV est alimenté entre un potentiel négatif et un potentiel positif (Figs. 8 et 9).
On notera que de façon non limitative, dans ces trois modes de réalisation, on fait varier le potentiel Us de la source S entre le potentiel le plus bas et le potentiel le plus haut fournis par l'alimentation du circuit de commande DRIV.

Premier mode.de_réalisation.: alimentation en tension.né_gatiye 7 lowest potential provided by the DRIV driver power supply.

In a first non-limiting embodiment of the module MOD control electronics, the fixed potential VEE is a potential VNEG negative and the DRIV control circuit further comprises a CMP voltage comparator referenced with said fixed potential VEE and suitable comparing the drain-source voltage Vds of said field effect transistor JFET with a reference voltage.

In a second non-limiting embodiment of the module MOD control electronics, the DRIV control circuit in addition to a DIGBT control device of a bipolar gate transistor isolated IGBT and an IN voltage inverter coupled to said DIGBT command.

In a third non-limiting embodiment of the module MOD control electronics, the DRIV control circuit in addition to a DIGBT control device of a bipolar gate transistor isolated IGBT, an IN voltage inverter coupled to said control device DIGBT and a DEN voltage level shifter.

The operation of the MOD electronic control module according to the three embodiments above is illustrated respectively in three examples that are:
- when the DRIV control circuit is powered with a voltage negative (Figs 3 and 4);
- when the DRIV control circuit is powered with a voltage positive (Figs 6 and 7).
- When the DRIV control circuit is powered between a potential negative and a positive potential (Figs 8 and 9).
It will be noted that in a nonlimiting manner, in these three embodiments, we vary the potential Us of the source S between the lowest potential and the highest potential provided by the power supply of the control circuit DRIV.

First mode.de_réalisation .: voltage supply.né_gatiye

8 Comme illustré sur les Fig. 3 et Fig.4, le circuit de commande DRIV
comporte une alimentation qui fourni une tension négative VNEG-OV. Dans un exemple non limitatif, le potentiel fixe VEE fourni par l'alimentation du circuit de commande DRIV à la grille G du transistor JFET est positionné au potentiel le plus bas, soit le potentiel VNEG fourni par l'alimentation. Le potentiel négatif alimente donc la grille du transistor JFET, soit Ug = VNEG.
Dans ce premier mode de réalisation, l'étage amplificateur PHS-PLL est apte :
- à positionner le potentiel de la source S à zéro pour bloquer ledit transistor à effet de champ JFET; et - à positionner le potentiel de la source S au potentiel fixe VEE pour rendre passant ledit transistor à effet de champ JFET.
Selon un premier mode de fonctionnement tel qu'illustré sur la Fig. 3, lorsque le premier interrupteur T1 est ouvert, et le deuxième interrupteur T2 est fermé, on a le potentiel de jonction Uo au point de jonction P qui est porté au potentiel négatif VNEG. On obtient donc :
Us = VNEG;
Vsg = Us-Ug = 0; et Vds=Ud-Us > 0 et est donc référencée par rapport au potentiel négatif VNEG
car le potentiel Us de source S est porté au potentiel négatif VNEG.
On a donc la tension Vds qui est inférieure à VNEG en valeur absolue et qui est donc comprise dans l'intervalle de tensions fournies par l'alimentation [0 ;
VNEG].
Le transistor JFET est dans un état passant.

Dans cet état passant, il y a des risques de court-circuit sur le transistor JFET. Un court-circuit peut arriver lorsque le transistor JFET se retrouve passant sur une source de tension. Dans ce cas, c'est le transistor seul qui limite le courant (ce dernier étant 5 à 10 fois plus élevé que le courant nominal) avec la pleine tension d'alimentation à ses bornes. De ce fait, le transistor JFET dissipe un niveau d'énergie très important, ce qui peut entraîner une élévation anormale de sa température et donc sa destruction 8 As illustrated in Figs. 3 and Fig. 4, the DRIV control circuit has a power supply that provides a negative voltage VNEG-OV. In a non-limiting example, the fixed potential EEV supplied by the power supply of the DRIV control circuit at gate G of transistor JFET is set at lowest potential, ie the VNEG potential provided by the feed. The Negative potential therefore supplies the gate of transistor JFET, ie Ug = VNEG.
In this first embodiment, the amplifier stage PHS-PLL is apt :
to position the potential of the source S to zero to block said transistor JFET field effect; and - to position the potential of the source S to the fixed potential VEE to make passing said JFET field effect transistor.
According to a first mode of operation as illustrated in FIG. 3 when the first switch T1 is open, and the second switch T2 is closed, we have the junction potential Uo at the junction point P which is brought to negative potential VNEG. We thus obtain:
Us = VNEG;
Vsg = Us-Ug = 0; and Vds = Ud-Us> 0 and is therefore referenced with respect to the negative potential VNEG
because the potential Us of source S is brought to the negative potential VNEG.
So we have the voltage Vds which is lower than VNEG in absolute value and which is therefore within the range of voltages supplied by the supply [0 ;
VNEG].
The JFET transistor is in an on state.

In this state, there is a risk of short circuit on the transistor JFET. A short circuit can happen when the JFET transistor is found passing on a source of tension. In this case, it is the transistor only that limits the current (the latter being 5 to 10 times higher than the current nominal) with the full supply voltage at its terminals. As a result, the JFET transistor dissipates a very important energy level, which can cause an abnormal rise in temperature and therefore its destruction

9 si cette dissipation dure trop longtemps.
Afin de déterminer la présence d'un court-circuit, le circuit de commande DRIV comporte en outre, tel qu'illustré sur la Fig. 5, un comparateur de tension CMP référencé avec ledit potentiel fixe VEE=VNEG (car alimenté
avec une tension d'alimentation négative VNEG-OV) et apte à comparer la tension drain-source Vds dudit transistor à effet de champ JFET avec une tension de référence. Si la tension Vds est supérieure à cette tension de référence, cela signifie que le transistor JFET est en court-circuit. On notera qu'il existe également une diode de protection et une résistance de polarisation entre le drain du transistor JFET et le comparateur de tension CMP comme illustré sur la Fig. 5. Ces deux éléments et leur fonction étant bien connus de l'homme du métier, ils ne sont pas décrits ici.
Comme la tension drain-source Vds est référencée par rapport au potentiel négatif VNEG, qui correspond au même potentiel de référence que celui du comparateur CMP, la comparaison peut se faire sans avoir d'alimentation supplémentaire.

Selon un deuxième mode de fonctionnement tel qu'illustré sur la Fig.
4, lorsque le premier interrupteur T1 est fermé, et le deuxième interrupteur T2 est ouvert, on a le potentiel de jonction Uo au point de jonction P qui est porté à OV. On obtient donc:
Us = 0;
Vsg = Us-Ug = - VNEG > 0, soit Vgs = VNEG <0; et Vds=Ud-Us > 0. La tension Vds sort alors de l'intervalle de tensions fournies par l'alimentation [0-VNEG].
Le transistor JFET est dans un état bloqué.

Deuxième.mode de réalisation.: Alimentation_en tension. positive Dans ce mode d'alimentation, dans un mode de réalisation non limitatif, le circuit de commande DRIV comporte en outre un dispositif de commande DIGBT d'un transistor bipolaire à grille isolée IGBT et un inverseur de tension IN couplé audit dispositif de commande DIGBT.
Dans ce mode de réalisation, le dispositif de commande DIGBT comporte également l'étage amplificateur PSH-PLL tel que décrit précédemment.

Par ailleurs, on notera que les dispositifs de commande DIGBT d'un transistor bipolaire à grille isolée IGBT bien connus de l'homme du métier sont soit alimentés en tension positive OV-VPOS, soit en tension comprise entre un potentiel négatif VNEG et un potentiel positif VPOS. Dans cet 5 exemple, le dispositif de commande DIGBT est alimenté en tension positive OV-VPOS.
Dans ce deuxième mode de réalisation, l'étage amplificateur PSH-PLL est apte à positionner le potentiel de la source S au potentiel fixe VEE pour rendre passant ledit transistor à effet de champ JFET.
Comme illustré sur les Fig. 6 et Fig.7, le circuit de commande DRIV est alimenté par une tension d'alimentation positive OV-VPOS comprenant donc un potentiel positif VPOS, le circuit de commande étant ainsi placé entre la masse et le potentiel positif VPOS. Le potentiel fixe VEE fourni par l'alimentation du circuit de commande DRIV à la grille G du transistor JFET
est positionné au potentiel le plus bas fourni par l'alimentation, qui est la masse. Le potentiel Ug de la grille G est donc mis à la masse, soit Ug = OV.
On notera que l'inverseur de tension IN est également alimenté par la même tension d'alimentation positive OV-VPOS que le circuit de commande DRIV.
Par ailleurs, on rappelle que la fonction de l'inverseur IN permet d'inverser au niveau logique le signal d'entrée.

Selon un premier mode de fonctionnement tel qu'illustré sur la Fig. 6, lorsque le premier interrupteur Ti est ouvert, et le deuxième interrupteur T2 est fermé, on a le potentiel de jonction Uo au point de jonction P qui est tiré à
la masse. On obtient donc:
Uo = VEE = OV en entrée de l'inverseur IN, soit Us = VPOS en sortie de l'inverseur IN;
Vsg = Us-Ug = VPOS, soit Vgs = -VPOS < 0; et Vds=Ud-Us > 0. La tension Vds sort de l'intervalle de tensions de l'alimentation [0-VPOS].
Le transistor JFET est dans un état bloqué.

Selon un deuxième mode de fonctionnement tel qu'illustré sur la Fig.

7, lorsque le premier interrupteur Ti est fermé, et le deuxième interrupteur T2 est ouvert, on a le potentiel de jonction Uo au point de jonction P qui est porté au potentiel positif VPOS. On obtient donc:
Uo = VPOS en entrée de l'inverseur IN, soit Us = OV en sortie de l'inverseur IN;
Vsg = Us-Ug = OV; et Vds=Ud-Us > 0 et est donc référencé par rapport à la masse car le potentiel Us de la source S est à la masse.
On a donc la tension Vds inférieure à VPOS en valeur absolue et est donc comprise dans l'intervalle de tensions de l'alimentation [0 ; VPOS].
Le transistor JFET est dans un état passant.

Dans cet état passant, il y a des risques de court-circuit sur le transistor JFET, comme décrit dans le premier mode de réalisation (avec une alimentation négative).
Afin de déterminer la présence d'un court-circuit, le dispositif de commande DIGBT comporte de façon connue de l'homme du métier une fonction de détection de court-circuit en interne appelée fonction de détection de saturation DESAT, également couramment appelée fonction desat.
Dans un exemple non limitatif, cette fonction de détection de saturation est implémentée au moyen d'un comparateur de tension interne (non représenté) qui est donc référencé avec ledit potentiel fixe VEE=OV (car le dispositif de commande DIGBT est alimenté entre la masse et le potentiel VPOS) et apte à comparer la tension drain-source Vds dudit transistor à effet de champ JFET avec une tension de référence Vref. Si la tension Vds est supérieure à cette tension Vref, cela signifie que le transistor JFET est en court-circuit.
Comme la tension drain-source Vds est référencée par rapport à la masse qui correspond au même potentiel de référence que celui du comparateur en interne, la comparaison peut se faire sans avoir d'alimentation supplémentaire.

Troisième mode de réalisation : alimentation entre un .potentiel nég.atif_ et un potentiel.positif Dans ce mode d'alimentation, dans un mode de réalisation non limitatif, le circuit de commande DRIV comporte en outre un dispositif de commande DIGBT d'un transistor bipolaire à grille isolée IGBT, un inverseur de tension IN couplé audit dispositif de commande DIGBT et un dispositif de décalage de niveau de tension DEN. Ce dispositif de décalage de niveau de tension DEN est couplé à la fonction de désaturation DESAT.
Dans ce troisième mode de réalisation, l'étage amplificateur PSH-PLL est apte à positionner le potentiel de la source S au potentiel fixe VEE pour rendre passant ledit transistor à effet de champ JFET.
Dans ce mode de réalisation également, le dispositif de commande DIGBT
comporte l'étage amplificateur PSH-PLL tel que décrit précédemment.
Dans cet exemple, le dispositif de commande DIGBT d'un transistor bipolaire à grille isolée IGBT est alimenté entre le potentiel négatif VNEG et le potentiel positif VPOS.

On notera que dans le cas d'une alimentation entre un potentiel négatif VNEG et un potentiel positif VPOS, on choisit ces potentiels de manière à ce que le potentiel positif VPOS soit suffisant pour bloquer le transistor JFET, ou de manière à ce que la somme du potentiel négatif VNEG et du potentiel positif VPOS en valeur absolue soit suffisante pour bloquer le transistor JFET.

Comme illustré sur les Fig. 8 et Fig.9, le circuit de commande DRIV
comporte une alimentation qui fournit une tension d'alimentation VNEG-VPOS comportant un potentiel positif VPOS et un potentiel négatif VNEG.
Le potentiel fixe VEE fourni par l'alimentation du circuit de commande DRIV
à la grille G du transistor JFET est positionné au potentiel négatif VNEG. Le potentiel négatif VNEG alimente donc la grille du transistor JFET, soit Ug =
VNEG.

On notera que l'inverseur de tension IN est également alimenté par la même tension d'alimentation VNEG-VPOS que le circuit de commande DRIV.

Selon un premier mode de fonctionnement tel qu'illustré sur la Fig. 8, lorsque le premier interrupteur Ti est ouvert, et le deuxième interrupteur T2 est fermé, on a le potentiel de Uo au point de jonction P qui est porté au potentiel négatif VNEG. On obtient donc:
Uo = VEE = VNEG en entrée de l'inverseur IN, soit Us = VPOS en sortie de l'inverseur IN;
Vsg = Us-Ug = VPOS-VNEG, soit Vgs = VNEG-VPOS <0; et Vds=Ud-Us > 0. La tension Vds sort de l'intervalle de tensions de l'alimentation [VPOS-VNEG].
Le transistor JFET est dans un état bloqué.
Selon un deuxième mode de fonctionnement tel qu'illustré sur la Fig.
9, lorsque le premier interrupteur T1 est fermé, et le deuxième interrupteur T2 est ouvert, on a le potentiel Uo au point de jonction P qui tiré à la masse.
On obtient donc:
1) sans le dispositif de décalage de niveau de tension DEN.
Uo = VPOS en entrée de l'inverseur IN, soit Us = VNEG en sortie de l'inverseur IN;
Vsg = Us-Ug = VNEG-VNEG = OV; et Vds=Ud-Us > 0 et est donc référencée par rapport au potentiel négatif VNEG
car le potentiel Us de source S est positionné au potentiel VNEG.
La tension Vds appartient à l'intervalle de tensions de l'alimentation [VNEG-VPOS].

2) avec le dispositif de décalage de niveau de tension DEN qui permet de décaler la tension Vds d'une tension égale à la tension VNEG.
Vds=Ud-Us > 0 et est donc référencée par rapport à la masse.

On a donc la tension Vds comprise dans la gamme de tension [0V; VPOS].
Dans ce mode de fonctionnement, le transistor JFET est dans un état passant.

Dans cet état passant, il y a des risques de court-circuit sur le transistor JFET, comme décrit dans le premier mode de réalisation (avec une alimentation négative).
Afin de déterminer la présence d'un court-circuit, le dispositif de commande DIGBT comporte de façon connu de l'homme du métier la fonction de désaturation DESAT. Dans un exemple non limitatif, cette fonction est implémentée au moyen d'un comparateur de tension interne (non représenté), ledit comparateur étant apte à comparer la tension drain-source Vds dudit transistor à effet de champ JFET avec une tension de référence Vref. Si la tension Vds est supérieure à cette tension Vref, cela signifie que le transistor JFET est en court-circuit.
On notera que dans le cas d'un dispositif de commande DIGBT standard, lorsque celui-ci est alimenté avec un potentiel négatif VNEG et un potentiel positif VPOS, l'émetteur du transistor IGBT qu'il commande est de manière générale relié à la masse et donc le comparateur interne qui implémente la fonction de désaturation DESAT est alimenté avec une tension positive OV-VPOS pour pouvoir mesurer la tension collecteur-émetteur Vice dudit transistor IGBT pour détecter un court-circuit.

Ainsi, dans le cas de la commande du transistor JFET au moyen du circuit de commande DRIV qui comporte un dispositif de commande DIGBT
standard de transistor bipolaire IGBT, le comparateur interne est donc référencé à la masse.

Comme la tension drain-source Vds est référencée par rapport à la masse qui correspond donc au même potentiel de référence que celui du comparateur interne, la comparaison peut se faire sans avoir d'alimentation supplémentaire.

Bien entendu la description n'est pas limitée à l'application, aux modes de réalisation et aux exemples décrits ci-dessus.
- Ainsi, le module électronique de commande MOD peut être utilisé dans tout système faisant appel à la conversion d'énergie. Dans ce cas, le module de commande MOD est un convertisseur électronique de puissance. Dans des modes de réalisation non limitatifs, un actionneur électromécanique ACT

peut comprendre un tel convertisseur électronique de puissance tel qu'illustré sur la Fig. 10, ou encore un inverseur de poussée électrique IPE
peut comprendre un tel convertisseur électronique de puissance tel qu'illustré sur la Fig. 11, le convertisseur électronique MOD étant utilisé
pour 5 commander l'actionneur électromécanique ACT ou l'inverseur de poussée électrique IPE.
Dans des exemples non limitatifs, un actionneur électromécanique ACT est apte à effectuer la régulation de moteur, à commander des freins, ou encore à commander des vérins VSV Variable Stator Valve (couramment utilisés 9 if this dissipation lasts too long.
In order to determine the presence of a short circuit, the control circuit DRIV further comprises, as illustrated in FIG. 5, a comparator of CMP voltage referenced with said fixed potential VEE = VNEG (because powered with a negative supply voltage VNEG-OV) and able to compare the drain-source voltage Vds of said JFET field effect transistor with a reference voltage. If the voltage Vds is greater than this voltage of reference, this means that the JFET transistor is short-circuited. We Note that there is also a diode of protection and a resistance of polarization between the drain of the JFET transistor and the voltage comparator CMP as illustrated in FIG. 5. These two elements and their function being well known to those skilled in the art, they are not described here.
As the drain-source voltage Vds is referenced with respect to the potential negative VNEG, which corresponds to the same reference potential as that of the CMP comparator, the comparison can be done without having power additional.

According to a second mode of operation as illustrated in FIG.
4, when the first switch T1 is closed, and the second switch T2 is open, we have the junction potential Uo at the junction point P which is brought to OV. We thus obtain:
Us = 0;
Vsg = Us-Ug = - VNEG> 0, ie Vgs = VNEG <0; and Vds = Ud-Us> 0. The voltage Vds then exits the voltage range provided by the supply [0-VNEG].
The JFET transistor is in a locked state.

Second embodiment: Voltage supply. positive In this mode of supply, in a non-limiting embodiment, the DRIV control circuit further comprises a control device DIGBT of an IGBT insulated gate bipolar transistor and an inverter IN voltage coupled to said DIGBT control device.
In this embodiment, the DIGBT control device comprises also the amplifier stage PSH-PLL as described above.

Furthermore, it should be noted that the DIGBT control devices of a IGBT insulated gate bipolar transistor well known to those skilled in the art are either supplied with positive voltage OV-VPOS or with voltage between a negative potential VNEG and a positive potential VPOS. In this For example, the DIGBT control device is supplied with positive voltage OV-VPOS.
In this second embodiment, the PSH-PLL amplifier stage is able to position the potential of the source S at the fixed potential VEE for turning on said JFET field effect transistor.
As illustrated in Figs. 6 and 7, the DRIV control circuit is powered by a positive supply voltage OV-VPOS including a positive potential VPOS, the control circuit being thus placed between the mass and positive potential VPOS. The fixed potential EEV provided by the supply of the control circuit DRIV to the gate G of the JFET transistor is positioned at the lowest potential provided by the power supply, which is the mass. The potential Ug of the gate G is therefore grounded, ie Ug = OV.
Note that the IN voltage inverter is also powered by the same positive supply voltage OV-VPOS as the DRIV control circuit.
Moreover, it is recalled that the function of the inverter IN allows to invert at the logic level the input signal.

According to a first mode of operation as illustrated in FIG. 6 when the first switch Ti is open, and the second switch T2 is closed, we have the junction potential Uo at the junction point P which is shot at the mass. We thus obtain:
Uo = VEE = OV at the input of the inverter IN, ie Us = VPOS at the output of the IN switch;
Vsg = Us-Ug = VPOS, ie Vgs = -VPOS <0; and Vds = Ud-Us> 0. The voltage Vds comes out of the voltage range of the [0-VPOS] power supply.
The JFET transistor is in a locked state.

According to a second mode of operation as illustrated in FIG.

7, when the first switch Ti is closed, and the second switch T2 is open, we have the junction potential Uo at the junction point P which is brought to positive potential VPOS. We thus obtain:
Uo = VPOS at the input of the inverter IN, ie Us = OV at the output of the inverter IN;
Vsg = Us-Ug = OV; and Vds = Ud-Us> 0 and is therefore referenced to mass because the potential Us of the source S is grounded.
So we have the voltage Vds lower than VPOS in absolute value and is therefore within the supply voltage range [0; VPOS].
The JFET transistor is in an on state.

In this state, there is a risk of short circuit on the transistor JFET, as described in the first embodiment (with a negative power supply).
In order to determine the presence of a short circuit, the control device DIGBT comprises, in a manner known to those skilled in the art, a function of internal short circuit detection called detection function of saturation DESAT, also commonly called desat function.
In a non-limiting example, this saturation detection function is implemented by means of an internal voltage comparator (no represented) which is therefore referenced with said fixed potential VEE = OV (because the DIGBT control device is powered between ground and potential VPOS) and adapted to compare the drain-source voltage Vds of said effect transistor JFET field with a reference voltage Vref. If the voltage Vds is higher than this voltage Vref, it means that the transistor JFET is in short circuit.
As the drain-source voltage Vds is referenced with respect to the mass which corresponds to the same reference potential as that of the comparator in internal, the comparison can be done without having power additional.

Third Embodiment: Power Between a Negative Potential and a potentiel.positif In this mode of supply, in a non-limiting embodiment, the DRIV control circuit further comprises a control device DIGBT of an IGBT insulated gate bipolar transistor, a voltage inverter IN coupled to said DIGBT controller and an offset device DEN voltage level. This voltage level shifter DEN is coupled to the DESAT desaturation function.
In this third embodiment, the PSH-PLL amplifier stage is able to position the potential of the source S at the fixed potential VEE for turning on said JFET field effect transistor.
In this embodiment also, the DIGBT control device comprises the PSH-PLL amplifier stage as described above.
In this example, the DIGBT control device of a bipolar transistor IGBT insulated gate is supplied between the negative potential VNEG and the positive potential VPOS.

Note that in the case of a power supply between a negative potential VNEG and a positive potential VPOS, we choose these potentials so that that the positive potential VPOS is sufficient to block the JFET transistor, or in such a way that the sum of the negative potential VNEG and the potential positive VPOS in absolute value is sufficient to block the transistor JFET.

As illustrated in Figs. 8 and Fig.9, the DRIV control circuit has a power supply which supplies a supply voltage VNEG-VPOS with positive potential VPOS and negative potential VNEG.
The fixed potential VEE supplied by the supply of the control circuit DRIV
to the gate G of the JFET transistor is set to the negative potential VNEG. The negative potential VNEG therefore supplies the gate of the transistor JFET, ie Ug =
VNEG.

Note that the IN voltage inverter is also powered by the same supply voltage VNEG-VPOS as the DRIV control circuit.

According to a first mode of operation as illustrated in FIG. 8 when the first switch Ti is open, and the second switch T2 is closed, we have the potential of Uo at the junction point P which is brought to the negative potential VNEG. We thus obtain:
Uo = VEE = VNEG at the input of the inverter IN, ie Us = VPOS at the output of the IN switch;
Vsg = Us-Ug = VPOS-VNEG, ie Vgs = VNEG-VPOS <0; and Vds = Ud-Us> 0. The voltage Vds comes out of the voltage range of the power supply [VPOS-VNEG].
The JFET transistor is in a locked state.
According to a second mode of operation as illustrated in FIG.
9, when the first switch T1 is closed, and the second switch T2 is open, we have the potential Uo at the junction point P that pulled at the mass.
We thus obtain:
1) without the DEN voltage level shifter.
Uo = VPOS at the input of the inverter IN, ie Us = VNEG at the output of the IN switch;
Vsg = Us-Ug = VNEG-VNEG = OV; and Vds = Ud-Us> 0 and is therefore referenced with respect to the negative potential VNEG
because the potential Us of source S is positioned at the potential VNEG.
The voltage Vds belongs to the voltage range of the power supply [VNEG-VPOS].

2) with the DEN voltage level shifter which allows the voltage Vds to be shifted by a voltage equal to the voltage VNEG.
Vds = Ud-Us> 0 and is therefore referenced to mass.

We therefore have the voltage Vds lying in the voltage range [0V; VPOS].
In this mode of operation, the JFET transistor is in a state passing.

In this state, there is a risk of short circuit on the transistor JFET, as described in the first embodiment (with a negative power supply).
In order to determine the presence of a short circuit, the control device DIGBT comprises, in a manner known to those skilled in the art, the function of Desaturation DESAT. In a non-limiting example, this function is implemented by means of an internal voltage comparator (no represented), said comparator being able to compare the drain-source voltage Vds of said JFET field effect transistor with a reference voltage Vref. If the voltage Vds is greater than this voltage Vref, it means that the JFET transistor is short-circuited.
Note that in the case of a standard DIGBT control device, when it is powered with negative potential VNEG and potential Positive VPOS, the emitter of the IGBT transistor that it controls is so general connected to the mass and therefore the internal comparator which implements the desaturation function DESAT is powered with a positive voltage OV-VPOS to be able to measure the collector-emitter voltage Vice said IGBT transistor to detect a short circuit.

Thus, in the case of the control of the JFET transistor by means of the circuit DRIV command which has a DIGBT control device bipolar IGBT transistor standard, the internal comparator is therefore referenced to the mass.

As the drain-source voltage Vds is referenced with respect to the mass which therefore corresponds to the same reference potential as that of the internal comparator, the comparison can be done without having power additional.

Of course, the description is not limited to the application, embodiments and the examples described above.
- Thus, the MOD electronic control module can be used in any system using energy conversion. In this case, the module of MOD command is an electronic power converter. In non-limiting embodiments, an electromechanical ACT actuator can include such an electronic power converter such as shown in FIG. 10, or an IPE electric thrust reverser can include such an electronic power converter such as shown in FIG. 11, the electronic converter MOD being used for 5 to control the ACT electromechanical actuator or the thrust reverser electric IPE.
In non-limiting examples, an electromechanical actuator ACT is suitable for controlling the motor, controlling brakes, or to order VSV Variable Stator Valves (commonly used

10 dans des turbines à gaz par exemple).
Ainsi, le module électronique de commande MOD peut être utilisé
notamment mais non exclusivement dans le domaine de l'aviation, de tels actionneurs électromagnétiques et inverseurs de poussée électriques étant couramment utilisés dans ce domaine.
15 - Ainsi, le circuit de commande DRIV du module électronique de commande MOD peut comporter tout autre dispositif de commande de transistor autre qu'un dispositif de commande DIGBT à transistor bipolaire IGBT, tel qu'un dispositif de commande à transistor MOSFET.
- Par ailleurs, l'étage amplificateur du circuit de commande DRIV peut être un étage Push-Pull composé de transistor MOSFET au lieu de transistors bipolaires IGBT.
- L'invention s'applique à tout transistor JFET apte à être commandé en tension négative (Vgs = OV pour le rendre passant, et Vgs<OV pour le bloquer), quelque soit son matériau de fabrication, tel que dans un exemple non limitatif le Silicium, le Carbure de Silicium, l'Arsénium de Gallium.
Ainsi, dans l'exemple non limitatif du JFET, le transistor est un JFET à canal N.
- En outre, dans un mode de réalisation non limitatif, on peut également avoir le potentiel fixe VEE positionné à un potentiel intermédiaire entre le potentiel le plus haut et le potentiel le plus bas fournis par l'alimentation du circuit de commande DRIV. Le potentiel Ug de la grille G du transistor est ainsi fixé à ce potentiel intermédiaire, et on commande le transistor JFET
pour le rendre passant avec le potentiel le plus bas et pour le bloquer avec le potentiel le plus haut. Dans ce cas, on choisit le potentiel le plus bas VNEG
légèrement supérieur au potentiel intermédiaire, dans un exemple non limitatif égal à IV, et le potentiel le plus haut VPOS nettement supérieur au potentiel intermédiaire, dans un exemple non limitatif égal à +25V. Dans un exemple non limitatif, on prend le potentiel intermédiaire égal à OV.
On notera que ce mode permet de rendre plus passant le transistor JFET.
- Enfin, bien entendu, le module électronique de commande MOD peut comporter un dispositif de protection court-circuit pour le circuit de commande DRIV, dispositif de protection qui est apte à être activé suite à la détection de court-circuit décrite précédemment. Cela permet ainsi de limiter la durée de dissipation d'énergie due à un court-circuit et évite ainsi la destruction du circuit de commande DRIV. Un tel dispositif de protection court-circuit étant connu de l'homme du métier, il n'est pas décrit ici.

Ainsi, l'invention décrite présente notamment les avantages suivants :
- elle est simple à mettre en oeuvre;
- avec la commande de la source S du transistor JFET par rapport à
la grille G, le fonctionnement en mode bloqué ou passant d'un transistor JFET n'est pas changé par rapport à une commande de l'état de la technique de la grille G dudit transistor JFET : lorsque Vgs = 0 le transistor JFET est passant, et lorsque Vgs<0 le transistor JFET est bloqué;
- elle évite d'avoir une alimentation (isolée) supplémentaire pour la fonction de détection de court-circuit : on a donc une simplification de la conception d'un module électronique de commande. Il n'y a pas d'enroulement supplémentaire (par exemple dans le cas d'alimentation à découpage par transformateur) ni de régulation associée supplémentaire, que ce soit à l'extérieur du circuit de commande ou en interne (le design du circuit de commande étant ainsi simplifié);
- elle permet d'utiliser un dispositif de commande standard utilisé
pour commander les transistors bipolaires IGBT ou encore des transistors MOSFET et donc d'utiliser des dispositifs de commande couramment répandus sur le marché :
- elle permet donc de remplacer facilement l'utilisation d'un transistor bipolaire par un transistor JFET qui présente des avantages supplémentaires par rapport aux transistors bipolaires, tels que l'utilisation à haute température par exemple de 2000. A cet effet, peu d'adaptations sont nécessaires puisqu'il suffit d'ajouter un inverseur (et le cas échéant un dispositif de décalage de niveau de tension) et d'effectuer les connexions adaptées sur la source et sur la grille du transistor JFET; et elle permet donc d'utiliser une fonction de détection de court-circuit couramment intégrée dans les dispositifs de commande d'un transistor IGBT ou d'un transistor MOSFET ; et elle permet de proposer une solution pour commander un transistor JFET alternative à l'état de la technique antérieur. 10 in gas turbines for example).
Thus, the MOD electronic control module can be used particular, but not exclusively, in the field of aviation, such electromagnetic actuators and electric thrust reversers being commonly used in this field.
15 - Thus, the control circuit DRIV of the electronic control module MOD may include any other transistor control device a bipolar IGBT transistor DIGBT control device, such as a MOSFET transistor control device.
- Moreover, the amplifier stage of the DRIV control circuit can be a push-pull stage composed of MOSFET transistor instead of IGBT bipolar transistors.
The invention applies to any JFET transistor that can be controlled by negative voltage (Vgs = OV to make it go, and Vgs <OV for the block), whatever its manufacturing material, as in an example non-limiting silicon, silicon carbide, gallium arsenium.
So, in the non-limiting example of the JFET, the transistor is an N-channel JFET.
- In addition, in a non-limiting embodiment, one can also have the fixed potential VEE positioned at an intermediate potential between the highest potential and lowest potential provided by food of DRIV control circuit. The potential Ug of the gate G of the transistor is thus fixed to this intermediate potential, and the JFET transistor is controlled to make it pass with the lowest potential and to block it with the highest potential. In this case, we choose the lowest potential VNEG
slightly higher than the intermediate potential, in a non limit IV, and the highest potential VPOS significantly higher than the intermediate potential, in a non-limiting example equal to + 25V. In one non-limiting example, we take the intermediate potential equal to OV.
It will be noted that this mode makes it possible to make the JFET transistor more efficient.
- Finally, of course, the MOD electronic control module can have a short-circuit protection device for the DRIV command, protection device which is able to be activated following the short circuit detection previously described. This allows to limit the duration of energy dissipation due to a short-circuit and thus avoids the destruction of the DRIV control circuit. Such a protective device short circuit being known to those skilled in the art, it is not described here.

Thus, the invention described has the following advantages:
- it is simple to implement;
with the control of the source S of the JFET transistor with respect to gate G, operation in blocked mode or passing from one JFET transistor is not changed compared to a command from the state of the art of the gate G of said JFET transistor: when Vgs = 0 the transistor JFET is passing, and when Vgs <0 the JFET transistor is blocked;
- it avoids having an additional (isolated) power supply for the short circuit detection function: we have a simplification the design of an electronic control module. There is no no additional winding (for example in the case switching power supply) or regulation additional associate, be it outside the circuit of control or internally (the design of the control circuit being thus simplified);
- it allows the use of a standard control device used to control the bipolar IGBT transistors or even MOSFET transistors and therefore to use control devices commonly found on the market:
- it therefore makes it easy to replace the use of a bipolar transistor by a JFET transistor which presents additional advantages over transistors bipolar, such as the use at high temperature by example of 2000. For this purpose, few adaptations are necessary since it is sufficient to add an inverter (and the case a voltage level shifter) and to make the appropriate connections on the source and on the gate of the JFET transistor; and it therefore makes it possible to use a short-circuit detection function.
circuit commonly integrated in control devices an IGBT transistor or a MOSFET transistor; and it makes it possible to propose a solution for controlling a transistor JFET alternative to the state of the prior art.

Claims

1- Electronic Control Module (MOD) for a solid-state transistor field (JFET) comprising a gate (G), a drain (D) and a source (S), characterized in that it comprises:
a control circuit (DRIV) comprising:
- a power supply capable of supplying a fixed potential (VEE) to the gate (G) the field effect transistor (JFET); and an amplifier stage (PSH-PLL) capable of varying the potential of the source (S) of the field effect transistor (JFET) by relative to the potential of the gate (G) of said field (JFET); and a field effect transistor (JFET) of which:
the gate (G) is connected to said fixed potential (VEE); and the source (S) is connected to said amplifier stage (PSH-PLL).

2- electronic control module (MOD) according to claim 1, that the fixed potential (VEE) is the lowest potential provided by the diet.

3- electronic control module (MOD) according to claim 1 or claim 2, wherein the amplifier stage (PSH-PLL) is able to position the potential of the source (S) at the fixed potential (VEE) to turn on said field effect transistor (JFET).

4- Electronic Control Module (MOD) according to any one of the preceding claims, according to which the amplifier stage (PHS-PLL) comprises at least two transistors placed in series (T1-T2) in a push-pull type of arrangement, one of the transistors (T2) of said amplifier stage comprising a collector (C2) adapted to be connected with the gate of said field effect transistor (JFET).

5- electronic control module (MOD) according to any one of the preceding claims, according to which the fixed potential (VEE) is a negative potential (VNEG) and according to which it further comprises a voltage comparator (CMP) referenced with said fixed potential (VEE) and able to compare the drain-source voltage (Vds) of said Field Effect Transistor (JFET) with a reference voltage (Vref).

6- Electronic Control Module (MOD) according to any one of the preceding claims 1 to 4, according to which the circuit command (DRIV) comprises a control device (DIGBT) of a Isolated gate bipolar transistor (IGBT) and a voltage inverter (INV) coupled to said control device (DIGBT), said voltage (INV) being connected at the input to a common junction point (P) of the amplifier stage (PSH-PLL) and output to the source of said Field Effect Transistor (JFET).

7- Electronic control module (MOD) according to the claim preceding, according to which the control circuit (DRIV) comprises in in addition to a voltage level shifter (DEN).

8- Electromechanical Actuator (ACT), characterized in that includes an electronic control module (MOD) according to one any of the preceding claims.

9- Electric thrust reverser (IPE), characterized in that includes an electronic control module (MOD) according to one any of the preceding claims 1 to 7.