CA2229611C - Element de memoire electriquement effacables caracterises par un courant reduit et une meilleure stabilite thermique - Google Patents

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Abstract

L'invention concerne un élément de mémoire (30) à cellule unique, à l'état solide, directement recouvrable, non-volatile, à haute densité, à faible coût, à faible énergie, à vitesse élevée et de fabrication rapide. Cet élément de mémoire a une stabilité thermique accrue de rétention des données, obtenue par modification des éléments du matériau semi-conducteur Te-Ge-Sb (36). L'élément de mémoire (30) présente des ordres de grandeur de vitesse de commutation plus élévés pour des niveaux de courant de commutation substantiellement réduits. L'élément de mémoire (30) comprend un matériau de mémoire (36) qui est un chalcogène modifié par métal de transition. Le métal de transition peut être Nb, Pd, et leurs mélanges ou leurs alliages. L'élément de mémoire (30) est caractérisé par au moins deux configurations détectables, stables et non-volatiles, d'ordre local atomique et/ou électronique, ces configurations pouvant être atteintes de manière sélective et répétée par des signaux d'entrée électriques à des niveaux d'énergie préétablis.
CA002229611A 1995-08-21 1996-08-19 Element de memoire electriquement effacables caracterises par un courant reduit et une meilleure stabilite thermique Expired - Fee Related CA2229611C (fr)

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US20230114966A1 (en) * 2020-01-28 2023-04-13 Micron Technology, Inc. Analog storage using memory device

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