BRPI1000279A2

BRPI1000279A2 - equipment and process for depositing metallic film on substrate

Info

Publication number: BRPI1000279A2
Authority: BR
Inventors: Agonir Wenginowicz
Original assignee: Agencia 1 Nanotech Ltda
Priority date: 2010-01-21
Filing date: 2010-01-21
Publication date: 2011-03-29

Abstract

EQUIPAMENTO E PROCESSO PARA DEPOSIçãO DE ILME METáLICO EM SUBSTRATO equipamento consiste de um reator de plasma que compreende uma câmara de descarga (1) com o seguinte arranjo: - um magnétron (2) alimentado por uma fonte de potência (6);- um ânodo ou substrato removível (3) que é posicionado opostamente ao magnétron (2) e que é alimentado por uma fonte de potência (7); - uma abertura (4) para uma bomba de vácuo (8); -uma abertura (5) para a entrada de gás; - uma abertura (9) para entrada dos medidores de vácuo (10) e - uma tela aterrada (11) próxima ao magnétron (2). O magnétron (2) compreende um disco de titânio (21) que atua como cátodo, atrás do qual estão posicionados os ímãs (22). O conjunto magnético (22) compreende um disco de ferro (23), um ímã externo anelar (24) e um ímã interno cónico (25). O processo de deposição de filmes finos metálicos sobre um substrato metálico compreende as seguintes operações: - limpeza do substrato por ultra-som com água e sabão neutro; - aplicação de um verniz primer para corrigir imperfeições da fabricação da peça; - metalização realizada em reator de plasma; - aplicação de um verniz de acabamento para proteção mecânica e química do filme. Para a realização do processo de deposição de filmes finos metálicos sobre substrato polimérico flexível é acrescentada uma operação de alteração da tensão superficial do substrato pela aplicação de plasma na peça, após a limpeza e antes da aplicação do verniz primer.EQUIPMENT AND PROCESS FOR THE DEPOSITION OF METALLIC ILME IN SUBSTRATE equipment consists of a plasma reactor comprising a discharge chamber (1) with the following arrangement: - a magnetron (2) powered by a power source (6); - an anode or removable substrate (3) which is positioned opposite the magnetron (2) and which is powered by a power source (7); - an opening (4) for a vacuum pump (8); - an opening (5) for the gas inlet; - an opening (9) for the entrance of the vacuum meters (10) and - a grounded screen (11) next to the magnetron (2). The magnetron (2) comprises a titanium disc (21) that acts as a cathode, behind which the magnets (22) are positioned. The magnetic assembly (22) comprises an iron disc (23), an outer ring magnet (24) and a conical inner magnet (25). The process of depositing thin metallic films on a metallic substrate comprises the following operations: - cleaning the substrate by ultrasound with water and neutral soap; - application of a primer varnish to correct imperfections in the manufacture of the piece; - metallization performed in a plasma reactor; - application of a finishing varnish for mechanical and chemical protection of the film. To carry out the process of depositing thin metal films on a flexible polymeric substrate, an operation to change the surface tension of the substrate by applying plasma to the part is added, after cleaning and before applying the primer varnish.

Description

"EQUIPAMENTO E PROCESSO PARA DEPOSIÇÃO DEFILME METÁLICO EM SUBSTRATO""EQUIPMENT AND PROCESS FOR SUBSTRATE METAL FILM DEPOSITION"

A presente invenção refere-se a um inovador equipamentodestinado a deposição de um filme metálico de reduzida espessura sobre umsubstrato qualquer, tal como metal ou polímero, que consiste de um reator deplasma com uma eficiente configuração do indutor magnético. A invençãotambém diz respeito a um processo de deposição de fino filme metálico sobreum substrato qualquer que emprega plasma.The present invention relates to an innovative equipment for the deposition of a thin metal film on any substrate, such as metal or polymer, consisting of a plasma reactor with an efficient magnetic inductor configuration. The invention also relates to a thin metal film deposition process on any substrate employing plasma.

A deposição de filme sobre um material tem por finalidadealterar as suas propriedades superficiais. Os depósitos dos filmes têmespessura que variam desde angstrons até micrometros. A técnicaconvencional mais difundida para o revestimento de peças com uma finacamada metálica é a galvanoplastia. Trata-se de um processo baseado emtransporte de íons do ânodo (eletrodo positivo) ao cátodo (eletrodo negativo)em um meio líquido (eletrólito) que é composto, fundamentalmente, por saismetálicos e ligeiramente acidificado. Do ponto de vista físico, a eletrodeposiçãode um metal sobre uma superfície melhora as suas características, porexemplo, dureza, resistência, porosidade, cor, brilho, etc. Essencialmente, é umprocesso eletroquímico de pintura, por meio de corrente elétrica, de peçasmetálicas que não contém carbono, tais como, bronze, alumínio e cobre. Porgalvanoplastia entende-se a galvanização, cromagem, zincagem e niquelagem.The deposition of film on a material is intended to change its surface properties. Film deposits have thicknesses ranging from angstrons to micrometers. The most widespread conventional technique for coating parts with a metallic finisher is electroplating. It is a process based on the transport of ions from the anode (positive electrode) to the cathode (negative electrode) in a liquid medium (electrolyte) that is composed mainly of metal salts and slightly acidified. From a physical point of view, the electrodeposition of a metal on a surface improves its characteristics, eg hardness, strength, porosity, color, brightness, etc. Essentially, it is an electrochemical process of painting, through electrical current, non-carbon metal parts such as bronze, aluminum and copper. Electroplating is galvanizing, chrome plating, zinc plating and nickel plating.

As principais limitações da galvanoplastia são:The main limitations of electroplating are:

- somente permite o recobrimento de peças metálicas;- only allows the coating of metal parts;

- exige afinidade química entre a película a ser depositada e o substrato, nãosendo aplicável em peças metálicas que contém carbono;- requires chemical affinity between film to be deposited and substrate, not applicable on carbon-containing metal parts;

- nas peças metálicas que incluem carbono, por exemplo, aço, é necessáriouma deposição prévia de cobre;- For metal parts including carbon, for example steel, a pre-deposition of copper is required;

- para a cromagem de uma peça é necessário primeiro que seja cobreada,depois niquelada e, por fim, que receba uma camada de cromo;- For the chrome plating of a piece it must first be covered, then nickel plated and finally given a layer of chrome;

- gera uma grande quantidade de efluentes líquidos tóxicos, prejudiciais aomeio ambiente;- generates a large amount of toxic liquid effluents, harmful to the environment;

- para que ocorra uma boa aderência da película é exigida uma perfeitalimpeza e desengraxe da peça, o que demanda operações preliminares,dispêndio de produtos químicos e geração de efluentes líquidos.- For a good adhesion of the film, a perfect cleaning and degreasing of the part is required, which requires preliminary operations, chemical expenditures and generation of liquid effluents.

Mais recentemente passaram a ser empregados reatores deplasma para a deposição de filmes sobre substratos, cujas principais vantagenssobre a galvanoplastia são:More recently, plasma reactors have been employed for the deposition of films on substrates, whose main advantages over electroplating are:

- não depende da afinidade química entre o filme e o substrato;- does not depend on chemical affinity between film and substrate;

- não gera efluente líquido;- does not generate liquid effluent;

- não exige limpeza e desengraxe das peças a serem tratadas.- does not require cleaning and degreasing of the parts to be treated.

Um dos processos conhecidos para deposição de fino filmemetálico sobre um substrato que emprega plasma é o PVD (physical vapourdeposition), cuja origem e transporte das substâncias a serem depositadasocorrem por meios físicos e se caracteriza pela deposição em baixa pressão. Oprocesso consiste na ejeção de átomos de um alvo, através dobombardeamento de íons. Os átomos ejetados são depositados em umsubstrato para formar um filme fino. As espécies vaporizadas do material sólidosão geradas pela remoção mecânica de átomos ou moléculas da superfície deuma placa alvo através do bombardeamento por partículas energéticas. Osdepósitos são formados no substrato a partir de unidades atômicas oumoleculares pelo processo físico de condensação. Os filmes finos de óxidos,nitretos, carbonetos e hidretos de uma série de materiais compostos sãodepositados em ambientes de atmosfera controlada. O método para gerar osíons energéticos e acelerá-los até o alvo é a descarga de gases rarefeitos,também conhecidos como plasma. O plasma é um gás quasineutro, compostode partículas carregadas (positivas e negativas) e neutras que apresentam umcomportamento coletivo. O plasma é gerado através da aplicação de um campoelétrico entre dois eletrodos (cátodo ou alvo e ânodo ou substrato) em um gás abaixa pressão.One of the known processes for thin film deposition on a plasma substrate is PVD (physical vapourdeposition), whose origin and transport of the substances to be deposited occur by physical means and characterized by low pressure deposition. The process consists of ejecting atoms from a target through the bombardment of ions. Ejected atoms are deposited on a substrate to form a thin film. Vaporized species of solid material are generated by the mechanical removal of atoms or molecules from the surface of a target plate by bombardment by energetic particles. Deposits are formed in the substrate from atomic or molecular units by the physical process of condensation. The oxide, nitride, carbide and hydride thin films of a range of composite materials are deposited in controlled atmosphere environments. The method for generating energy ions and accelerating them to the target is the discharge of thin gases, also known as plasma. Plasma is a quasineutral gas composed of charged (positive and negative) and neutral particles that exhibit a collective behavior. Plasma is generated by applying an electric field between two electrodes (cathode or target and anode or substrate) in a low pressure gas.

Entretanto, a técnica da deposição de filme sobre substrato pormeio de plasma não tem se mostrado comercialmente promissora, pois ocátodo se erode rapidamente, resultando em baixa produtividade. Umalimitação inerente dessa técnica é a adequação da configuração do indutormagnético (magnétron) de modo ao melhor aproveitamento do material do alvo.Uma configuração inadequada implica em desuniformidade na retirada domaterial do alvo. Nesse caso, um processo erosivo localizado pode seestabelecer, comprometendo seriamente o aproveitamento do alvo.However, the technique of film deposition on plasma substrate has not been commercially promising, as the method erodes rapidly, resulting in low productivity. An inherent limitation of this technique is the suitability of the inductor (magnetron) configuration to best utilize the target material. An improper configuration implies unevenness in the removal of the target material. In this case, a localized erosive process can be established, seriously compromising the use of the target.

As diferentes configurações de ímãs dentro do magnétron têmfunção crítica sobre o desempenho de sistemas de deposição de filmes emreatores de plasma. Os ímãs usados na retaguarda do alvo têm o propósito deconfinar os elétrons nas cercanias do alvo e, assim, aumentar a taxa deionização dos gases usados no reator. No magnétron o alvo é estrategicamentecolocado numa região onde a densidade de fluxo magnético é controlada demodo a aprisionar os elétrons secundários numa região próxima à superfície domesmo, aumentando a taxa de ionização e o rendimento do processo. Configu-rações magnéticas menos cuidadosas podem determinar o aparecimento dezonas de erosão na superfície do alvo que acabam por determinar o seu sub-aproveitamento. Em casos extremos, o aproveitamento do material do alvopode não alcançar 10%.The different magnet configurations within the magnetron have a critical function on the performance of plasma and plasma film deposition systems. The magnets used at the rear of the target are intended to deconfine the electrons around the target and thereby increase the deionization rate of the gases used in the reactor. In the magnetron the target is strategically placed in a region where the magnetic flux density is controlled so as to trap the secondary electrons in a region near the same surface, increasing the ionization rate and process yield. Less careful magnetic configurations may determine the appearance of erosion on the surface of the target that ultimately determines its underutilization. In extreme cases, the utilization of the blister material may not reach 10%.

É, portanto, objeto da presente invenção um equipamento paradeposição de filme metálico fino sobre um substrato qualquer que apresentauma inovadora configuração do indutor magnético (magnétron) e que aprimoraas condições de confinamento dos elétrons de modo a alcançar uma melhoreficiência no aproveitamento do material alvo e, por conseqüência, obter umadeposição uniforme de filmes finos. O equipamento emprega os princípios daPVD (physical vapour deposition) e consiste de um reator de plasma quecompreende uma câmara de descarga dotada dos seguintes componentes:It is therefore an object of the present invention to provide a thin metal film deposition apparatus on any substrate which has an innovative magnetic inductor (magnetron) configuration and which improves electron confinement conditions in order to achieve optimum utilization of the target material and, consequently, obtain uniform deposition of thin films. The equipment employs the principles of physical vapor deposition (PVD) and consists of a plasma reactor comprising a discharge chamber with the following components:

- um cátodo ou material alvo;- a cathode or target material;

- um ânodo ou substrato removível que é posicionado opostamente ao cátodo;a removable anode or substrate that is positioned opposite the cathode;

- um gerador de vácuo que se comunica com a câmara através de umaabertura;- a vacuum generator that communicates with the chamber through an opening;

- uma abertura para a entrada de gás;- a gas inlet opening;

- uma abertura para entrada dos medidores de vácuo;- an opening for the entry of vacuum meters;

- uma fonte de potência para o cátodo;- a power source for the cathode;

- uma fonte de potência para o ânodo e- a power source for the anode and

- uma tela aterrada próxima ao cátodo.- a grounded screen near the cathode.

Outro objeto da presente invenção é um inovador processo dedeposição de fino filme metálico sobre um substrato qualquer que empregaplasma. Para a realização do processo de deposição de filmes com finalidadedecorativa sobre substrato metálico são realizadas as operações: limpeza dapeça a ser revestida, aplicação de verniz primer para nivelar e corrigirimperfeições superficiais da peça, deposição de filme metálico empregando umreator de plasma e aplicação de uma camada de verniz para proteção do filmedepositado.Another object of the present invention is an innovative process of depositing a thin metal film onto any plasma employing substrate. To perform the process of deposition of decorative purpose films on metallic substrate, the following operations are performed: cleaning of the part to be coated, application of primer varnish to level and correct surface imperfections of the part, deposition of metallic film using a plasma reactor and application of a layer. of varnish to protect the deposition film.

Para a realização do processo de deposição de filmes finosmetálicos com finalidade decorativa sobre substrato polimérico flexível sãorealizadas as operações: limpeza da peça a ser revestida, alteração da tensãosuperficial do polímero em reator de plasma, aplicação de verniz primer paranivelar e corrigir imperfeições superficiais da peça, deposição de filme metálicoempregando um reator de plasma e aplicação de uma camada de verniz paraproteção do filme depositado.To perform the process of deposition of decorative thin films on flexible polymeric substrate, the following operations are performed: cleaning of the part to be coated, alteration of polymer surface tension in plasma reactor, application of primer varnish to correct and surface imperfections of the part, deposition of metallic film employing a plasma reactor and application of a varnish layer to protect the deposited film.

O equipamento para deposição de filme metálico fino sobre umsubstrato qualquer, proposto pela invenção, pode ser melhor compreendidoatravés da seguinte descrição detalhada, que é realizada com base nosdesenhos em anexo, abaixo listados, que ilustram uma forma preferida deconcretização, que não deve ser considerada Iimitativa à invenção, onde:The apparatus for depositing thin metal film on any substrate proposed by the invention may be better understood by the following detailed description, which is based on the accompanying drawings, which illustrate a preferred embodiment, which should not be construed as limiting. to the invention where:

Figura 1 - vista esquemática do equipamento para deposição de filme metálico;Figure 1 - Schematic view of the metallic film deposition equipment;

Figura 2 - vista detalhada do equipamento;Figure 2 - detailed view of the equipment;

Figura 3 - perspectiva em corte axial do magnétron;Figure 3 - perspective in axial section of the magnetron;

Figura 4 - perspectiva do conjunto de ímãs do magnétron;Figure 4 - perspective of the magnetron magnet set;

Figura 5 - corte radial do conjunto de ímãs do magnétron indicando as linhas defluxo magnético.Figure 5 - Radial section of the magnetron magnet assembly indicating the magnetic flux lines.

A figura 1 ilustra esquematicamente o equipamento da invençãoque consiste de um reator de plasma que compreende uma câmara dedescarga (1) dotada dos seguintes componentes:Figure 1 schematically illustrates the equipment of the invention consisting of a plasma reactor comprising a discharge chamber (1) having the following components:

- um cátodo ou material alvo (2) que forma um magnétron;- a cathode or target material (2) forming a magnetron;

- um ânodo ou substrato removível (3) que é posicionado opostamente aocátodo;- an anode or removable substrate (3) which is positioned oppositely to the cathode;

- um gerador de vácuo que se comunica com a câmara (1) através de umaabertura (4) e- a vacuum generator which communicates with the chamber (1) through an opening (4) and

- uma abertura para a entrada de gás (5).- a gas inlet opening (5).

A figura 2 exemplifica uma possível forma construtiva do reatorde plasma que compreende uma câmara de descarga (1) com o seguintearranjo:Figure 2 exemplifies a possible embodiment of the plasma reactor comprising a discharge chamber (1) with the following arrangement:

- um magnétron (2) alimentado por uma fonte de potência (6);- a magnetron (2) powered by a power source (6);

- um ânodo ou substrato removível (3) que é posicionado opostamente aomagnétron (2) e que é alimentado por uma fonte de potência (7);- an anode or removable substrate (3) which is positioned opposite the magnetometer (2) and which is powered by a power source (7);

- um gerador de vácuo (8) que se comunica com a câmara (1) através de umaabertura (4);- a vacuum generator (8) communicating with the chamber (1) through an opening (4);

- uma abertura (5) para a entrada de gás;- an opening (5) for the gas inlet;

- uma abertura (9) para entrada dos medidores de vácuo (10) e- an opening (9) for entering the vacuum meters (10) and

- uma tela aterrada (11) próxima ao magnétron (2).- a grounded screen (11) near the magnetron (2).

Preferencialmente, a obtenção do vácuo no interior da câmarade descarga (1) é realizada em dois estágios, inicialmente com uma bombamecânica até atingir uma pressão de 1,3 χ 101 Pa (10~1 torr), em seguida com oauxílio de uma bomba difusora é atingida uma pressão de 1,3 χ 10"4 Pa (10"6torr).Preferably, obtaining the vacuum within the discharge chamber (1) is carried out in two stages, initially with a mechanical pump until it reaches a pressure of 1.3 χ 101 Pa (10 ~ 1 torr), then with the aid of a diffuser pump. a pressure of 1.3 χ 10 "4 Pa (10" 6torr) is reached.

A figura 3 detalha a forma construtiva preferencial domagnétron (2) que consiste de um material alvo (21), preferencialmente umdisco de titânio, que atua como cátodo, atrás do qual está posicionado umconjunto magnético (22). O material alvo (21) é polarizado negativamente,sendo alimentado eletricamente por uma fonte unipolar pulsada com potênciadisponível de até 4500 W, podendo ser variada a tensão entre 100 e 750 Veaduração do pulso pode variar entre 1,0 με e 190 /l/s, tendo como período total200 με.Figure 3 details the preferred constructional form of the magnetron (2) consisting of a target material (21), preferably a titanium disk, which acts as a cathode, behind which a magnetic assembly (22) is positioned. The target material (21) is negatively polarized and is electrically powered from a pulsed unipolar source with power available up to 4500 W, and the voltage can be varied between 100 and 750. Pulse rate can vary between 1.0 με and 190 / l / s. , having a total period of 200 με.

A figura 4 detalha a geometria do conjunto magnético (22) queé posicionado atrás do material alvo (21). O conjunto magnético (22)compreende um disco de ferro (23), um ímã externo anelar (24) e um ímãinterno cônico (25). A geometria cilíndrica do conjunto magnético (22) resultaem grande vantagem, pois apresenta simetria em relação ao eixo, permitindo oseu tratamento bidimensional. O ferro possui permeabilidade magnética naordem de 104 vezes maior do que a permeabilidade do ar, o que faz com que aslinhas de indução magnética fiquem confinadas no mesmo. Essa geometriaalcança a melhor uniformidade do componente de indução magnética paralela asuperfície do alvo (21).Preferencialmente, o ímã interno (23) e o ímã externo (24) sãoexecutados em NdaFei4B.Figure 4 details the geometry of the magnetic assembly (22) that is positioned behind the target material (21). The magnetic assembly (22) comprises an iron disk (23), an annular outer magnet (24) and a tapered internal magnet (25). The cylindrical geometry of the magnetic assembly (22) is a great advantage because it presents symmetry in relation to the axis, allowing its two-dimensional treatment. Iron has magnetic permeability in the order 104 times greater than air permeability, which causes magnetic induction lines to be confined to it. This geometry achieves the best uniformity of the magnetic induction component parallel to the target surface (21). Preferably, the inner magnet (23) and the outer magnet (24) are executed in NdaFei4B.

A figura 5 ilustra a geometria do magnétron (2) que indica aslinhas de fluxo magnético, onde se verificam duas regiões com maiorconcentração de fluxo magnético sobre o material alvo (21). Tendo em vistaque existe espaço livre para se deslocar o conjunto dos ímãs (22 e 23) emrelação ao material alvo (21), conforme mostrado na figura 3, pode-se alcançarum desgaste homogêneo de toda a superfície do material alvo, bem como o seuaproveitamento superior a 90%.Figure 5 illustrates the geometry of the magnetron (2) indicating the magnetic flux lines, where two regions with the highest magnetic flux concentration are observed over the target material (21). Since there is free space to move the magnet assembly 22 and 23 relative to the target material 21, as shown in Figure 3, homogeneous wear of the entire surface of the target material can be achieved as well as its use can be achieved. greater than 90%.

Para a realização do processo de deposição de filmes finosmetálicos sobre substrato metálico são realizadas as seguintes operações:To perform the deposition process of thin metal films on metallic substrate, the following operations are performed:

A) limpeza do substrato por ultra-som com água e sabão neutro;A) ultrasound cleaning of the substrate with mild soap and water;

B) aplicação de um verniz primer com finalidade de nivelar e corrigir pequenasimperfeições devido ao processo de fabricação da peça; preferencialmente, aaplicação do verniz ocorre com pistolas de ar comprimido;B) application of a primer varnish with the purpose of leveling and correcting minor imperfections due to the part manufacturing process; preferably varnish application occurs with compressed air guns;

C) metalização realizada em reator de plasma, sendo a peça disposta no interiorda câmara de descarga, onde é efetuado um vácuo na pressão de 10"4 Pa,seguido da injeção de gás argônio com fluxo de 10"1 cmV1 (CNTP) e comuma diferença de potencial elétrico de 500 V; o gás é ionizado e aceleradocontra uma placa alvo (cátodo), cujo choque mecânico do gás provoca odesprendimento de átomos de metal, os quais serão depositados sobre osubstrato metálico (ânodo);C) metallization carried out in a plasma reactor, with the workpiece placed in the inner discharge chamber, where a vacuum is made at a pressure of 10 "4 Pa, followed by the injection of 10" 1 cmV1 argon gas (CNTP) and with a electrical potential difference of 500 V; the gas is ionized and accelerated against a target plate (cathode), whose mechanical shock of the gas causes the detachment of metal atoms, which will be deposited on the metal substrate (anode);

D) aplicação de um verniz de acabamento com finalidade de dar proteçãomecânica e química ao filme depositado; preferencialmente, a aplicação doverniz ocorre com pistolas de ar comprimido.D) application of a finishing varnish to provide mechanical and chemical protection to the deposited film; Preferably, varnish application occurs with compressed air guns.

Para a realização do processo de deposição de filmes finosmetálicos sobre substrato polimérico flexível é acrescentada uma operação dealteração da tensão superficial do substrato após a limpeza (A) e antes daaplicação do verniz primer (B) a seguir:To perform the process of deposition of thin metal films on flexible polymeric substrate, an operation to change the surface tension of the substrate after cleaning (A) and before applying the following primer varnish (B) is added:

- aplicação de plasma para alteração da tensão superficial do substratopolimérico, permitindo uma melhor aderência do verniz primer, sendo a peçadisposta no interior da câmara de descarga, onde é efetuado um vácuo napressão de 10~4 Pa, seguido da injeção de ar + O2 com fluxo de 10"1 cmV1para cada gás (CNTP) e com uma diferença de potencial elétrico de 500 V; oqual ioniza esses gases, ocorrendo a aplicação do plasma durante 1 minuto.- Plasma application to change the surface tension of the polymeric substrate, allowing a better adhesion of the primer varnish, being the part arranged inside the discharge chamber, where a vacuum at 10 ~ 4 Pa is performed, followed by the injection of air + O2 with 10 "1 cmV1 flow for each gas (CNTP) and with an electrical potential difference of 500 V; which ionizes these gases, with plasma application occurring for 1 minute.

Claims

1. - "SUBSTRATE FILMEMETHAL DEPOSITING EQUIPMENT" consisting of a plasma reactor, characterized in that the discharge chamber (1) is provided with the following arrangement: - a magnetron (2) supplied by a power source (6) - a removable anode or substrate (3) which is positioned opposite the magnetometer (2) and which is powered by a power source (7) - a vacuum generator (8) which communicates with the chamber (1) via an opening (4), - an opening (5) for the gas inlet, - an opening (9) for entering the vacuum meters (10) and - a grounded screen (11) near the magnetron (2).

2. "SUBSTRATE FILMEMETHALLY DEPOSITING EQUIPMENT" according to claim 1, characterized in that the vacuum inside the discharge chamber (1) is generated in two stages, initially with a mechanical pump until it reaches a pressure of 1, 3χ 101 Pa, then with the aid of a diffuser pump a pressure of 1.3 χ 10 "4 Pa is reached.

3. "SUBSTRATE FILMEMETHAL DEPOSITING EQUIPMENT" according to one of claims 1 or 2, characterized in that the magnetron (2) comprises a target material (21) acting as a cathode, behind which an assembly is positioned. magnetic (22).

4. "SUBSTRATE FILMEMETHAL DEPOSITING EQUIPMENT" according to claim 3, characterized in that the target material (21) is a titanium disk.

5. - "SUBSTRATE FILMEMETHAL DEPOSITING EQUIPMENT" according to claim 3, characterized in that the magnetic assembly (22) comprises an iron disk (23), an annular external magnet (24) and a conical internal magnet (25 ).

6. - "SUBSTRATE FILMEMETHAL DEPOSITING EQUIPMENT" according to claim 5, characterized in that the inner magnet (23) and the outer magnet (24) are made in Nd2Fe14B.

7. "SUBSTRATE FILMEMETHALLY DEPOSITING EQUIPMENT" according to any one of claims 3 to 6, characterized in that the target material (21) is negatively polarized and is electrically powered from a unipolar pulsed power source up to 4500 W available. The voltage between 100 and 750 can be varied. Pulse rate can vary between 1.0 με and 190 με, with a total period of 200 με.

8. "SUBSTRATE METAL FILM deposition process" characterized in that the substrate deposition comprises the following operations: - ultrasonic cleaning of the substrate with mild soap and water - application of a primer varnish to level and correct imperfections of the part - metallization in plasma reactor, the part being disposed inside the discharge chamber, where a vacuum is made at a pressure of 10 ~ * Pa, followed by the injection of argon gas with a flow of 10 ~ 1 cmV1 (CNTP) and with an electrical potential difference of 500 V; the gas is ionized and accelerated against a target plate (cathode), whose mechanical shock of the gas causes the detachment of metal atoms, which will be deposited on the metal substrate (anode) - application of a finishing coat for mechanical and chemical protection deposited film .

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"METAL SUBSTRATE FILM DEPOSITING PROCESS" according to claim 8, characterized in that the deposition on a flexible polymeric substrate is increased by a surface tension change operation after cleaning prior to primer application, comprising the application of plasma to alter the surface tension of the polymeric substrate to improve the adhesion of the primer varnish, being the part disposed inside the discharge chamber, where a vacuum is made at a pressure of 10 "4 Pa, followed by the injection of air + O2 with flow of 10 "1 cmV1 for each gas (CNTP) and with an electrical potential difference of 500 V; which ionizes these gases and the plasma is applied for 1 minute.