BR102022006896A2 - ELECTRIC POWER GENERATOR CHIP FROM QUANTUM VACUUM - Google Patents
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- VLCQZHSMCYCDJL-UHFFFAOYSA-N tribenuron methyl Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1S(=O)(=O)NC(=O)N(C)C1=NC(C)=NC(OC)=N1 VLCQZHSMCYCDJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000012407 engineering method Methods 0.000 claims description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 2
- 230000005520 electrodynamics Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000010585 feynman-diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66977—Quantum effect devices, e.g. using quantum reflection, diffraction or interference effects, i.e. Bragg- or Aharonov-Bohm effects
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- H—ELECTRICITY
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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Abstract
chip gerador de energia elétrica a partir do vácuo quântico. a partir do espalhamento moller, descrito pela eletrodinâmica quântica, e do chaveamento periódico da polarização (2) ferroelétrica, obtém-se um chip capaz de absorver energia do vácuo (fótons virtuais (13)) e transformá-la em energia elétrica em um elemento dissipativo (7).chip generating electrical energy from quantum vacuum. Using Moller scattering, described by quantum electrodynamics, and periodic switching of ferroelectric polarization (2), a chip is obtained capable of absorbing vacuum energy (virtual photons (13)) and transforming it into electrical energy in an element dissipative (7).
Description
[01] De acordo com o Princípio de Incerteza de Heisenberg, o vácuo quântico está preenchido por partículas virtuais (fótons virtuais). Portanto, no vácuo, há energia. Por isso, o produto dessa invenção (chip) tem por objetivo apresentar uma tecnologia capaz de absorver a energia do vácuo (dos fótons virtuais) tendo como base a Eletrodinâmica Quântica (Quantum Electrodynamics, QED).[01] According to Heisenberg's Uncertainty Principle, the quantum vacuum is filled by virtual particles (virtual photons). Therefore, in a vacuum, there is energy. Therefore, the product of this invention (chip) aims to present a technology capable of absorbing vacuum energy (from virtual photons) based on Quantum Electrodynamics (QED).
[02] A presente patente de invenção, CHIP GERADOR DE ENERGIA ELÉTRICA A PARTIR DO VÁCUO QUÂNTICO, pertence ao campo dos artigos de geração de energia elétrica e dispositivos eletrônicos (chip). A fonte de energia elétrica que o chipirá oferecer provém das flutuações quânticas do vácuo (comprovadas pelo efeito Casimir) e pela polarização dos domínios ferroelétricos em materiais avançados, criando, assim, um caminho óptico para os fótons virtuais.[02] The present invention patent, ELECTRIC POWER GENERATOR CHIP FROM QUANTUM VACUUM, belongs to the field of electrical energy generation articles and electronic devices (chip). The source of electrical energy that the chipirá offers comes from quantum fluctuations in the vacuum (proven by the Casimir effect) and the polarization of ferroelectric domains in advanced materials, thus creating an optical path for virtual photons.
[03] Aplicações tecnológicas usando o efeito Casimir (flutuações do vácuo quântico) foram patenteadas recentemente, a citar: US20170200815A1, US8627721B2 e US8317137B2.[03] Technological applications using the Casimir effect (quantum vacuum fluctuations) were recently patented, namely: US20170200815A1, US8627721B2 and US8317137B2.
[04] Dispositivos eletrônicos como capacitores, sensores, atuadores e memória usam a polarização ferroelétrica para otimizar suas propriedades elétricas, a citar: US6151241A, US6922351B2 e US5739563A.[04] Electronic devices such as capacitors, sensors, actuators and memory use ferroelectric polarization to optimize their electrical properties, namely: US6151241A, US6922351B2 and US5739563A.
[05] Outras tecnologias envolvendo a produção de um chip de geração de energia elétrica foram depositadas no INPI pelo proponente deste pedido. Contudo, em tais pedidos, foram abordados os conceitos com base na Física Clássica, isto é, variação do campo elétrico (Eletrodinâmica Clássica), além de conter partes móveis. A citar: BR 10 2022 000365 3, BR 20 2022 001084 1, BR 10 2021 025111 5.[05] Other technologies involving the production of an electrical energy generation chip were deposited with INPI by the proponent of this request. However, in such requests, concepts based on Classical Physics were addressed, that is, variation of the electric field (Classical Electrodynamics), in addition to containing moving parts. To be mentioned: BR 10 2022 000365 3, BR 20 2022 001084 1, BR 10 2021 025111 5.
[06] As patentes que usam o efeito Casimir ou propriedades ferroelétricas não têm objetivos de gerar energia elétrica, diferente do que apresentamos aqui. Já as outras patentes, que também caracterizam um chip de energia, divergem do atual pedido, pois usam a variação do campo elétrico e corrente de deslocamento de Maxwell para gerar uma corrente elétrica e, posteriormente, energia elétrica. Além disso, elas usam partes móveis, o que ocasiona aquecimento e perda dielétrica. Por isso, a absorção da energia dos fótons virtuais, como será descrito a seguir, é inédita e inerente à Eletrodinâmica Quântica.[06] Patents that use the Casimir effect or ferroelectric properties do not aim to generate electrical energy, unlike what we present here. The other patents, which also feature an energy chip, differ from the current application, as they use the variation of the electric field and Maxwell displacement current to generate an electric current and, subsequently, electrical energy. Furthermore, they use moving parts, which causes heating and dielectric loss. Therefore, the absorption of energy from virtual photons, as will be described below, is unprecedented and inherent to Quantum Electrodynamics.
[07] Com o objetivo de produzir energia elétrica limpa e sustentável, a presente patente de invenção aplica tecnologicamente os conceitos fundamentais da Eletrodinâmica Quântica. Por exemplo, a interação entre dois elétrons (repulsão elétrica = espalhamento de elétrons = espalhamento Moller) ocorre devido à troca de fótons virtuais entre os elétrons. Por isso os fótons virtuais também são designados de partículas mediadoras da força eletromagnética. O ponto onde ocorre a interação entre o elétron e o fóton virtual é denominado de seção de choque. Na seção de choque, o fóton virtual transfere sua energia e momento para o elétron. Por esse motivo o elétron muda a direção de deslocamento e aumenta a energia cinética. Essas ideias fundamentais nortearão toda a invenção aqui apresentada.[07] With the aim of producing clean and sustainable electrical energy, this invention patent technologically applies the fundamental concepts of Quantum Electrodynamics. For example, the interaction between two electrons (electrical repulsion = electron scattering = Moller scattering) occurs due to the exchange of virtual photons between the electrons. That is why virtual photons are also called particles that mediate electromagnetic force. The point where the interaction between the electron and the virtual photon occurs is called the cross section. At the cross section, the virtual photon transfers its energy and momentum to the electron. For this reason, the electron changes its direction of travel and increases its kinetic energy. These fundamental ideas will guide the entire invention presented here.
[08] A origem dos fótons virtuais é devido à perturbação intrínseca do elétron com o campo eletromagnético quântico, isto é, vácuo quântico. Devido essa perturbação ser constante e intrínseca, em torno de qualquer elétron sempre haverá uma atmosfera de fótons virtuais. A intensidade da energia desses fótons virtuais é equivalente à energia da massa de repouso do elétron, tal como expressado na equação 1. Os termos dessa equação são: m0 (massa de repouso), c (velocidade da luz), q (carga elétrica) e A é uma constante (A = 5,68562964E-12 Kg/C) que envolve propriedades quânticas intrínsecas do elétron (Y (constante giroeletromagnética do elétron), ue (momento de spin) e gs (fator g do elétron), por isso (A = gs/Yue). [08] The origin of virtual photons is due to the intrinsic disturbance of the electron with the quantum electromagnetic field, that is, quantum vacuum. Because this disturbance is constant and intrinsic, around any electron there will always be an atmosphere of virtual photons. The energy intensity of these virtual photons is equivalent to the energy of the electron's rest mass, as expressed in equation 1. The terms of this equation are: m0 (rest mass), c (speed of light), q (electric charge) and A is a constant (A = 5.68562964E-12 Kg/C) that involves intrinsic quantum properties of the electron (Y (electron gyroelectromagnetic constant), ue (spin moment) and gs (electron g factor), therefore (A = gs/Yue).
[09] Já os materiais avançados, tais como os ferroelétricos, possuem domínios ferroelétricos (conjuntos de dipolos elétricos) e são polarizáveis. A polarização muda de orientação/direção quando é aplicado um campo elétrico externo ou uma diferença de potencial, isto é, fonte de tensão.[09] Advanced materials, such as ferroelectrics, have ferroelectric domains (sets of electric dipoles) and are polarizable. Polarization changes orientation/direction when an external electric field or potential difference is applied, that is, a voltage source.
[10] Esse pedido de invenção é uma união entre ciência fundamental (Eletrodinâmica Quântica) com tecnologia (elaboração de um chip a partir de um núcleo ferroelétrico). Mostraremos em detalhes que o núcleo ferroelétrico receberá terminais (faces condutoras) que denominaremos de: fonte, controle e dreno. Portanto, o conjunto de terminais com o núcleo ferroelétrico é análogo a um transistor. Sendo assim, o encapsulamento desse transistor ou de uma associação de transistores caracteriza-se por um chip de geração de energia, conforme descrito no título desta invenção.[10] This application for invention is a union between fundamental science (Quantum Electrodynamics) and technology (development of a chip from a ferroelectric core). We will show in detail that the ferroelectric core will have terminals (conductive faces) that we will call: source, control and drain. Therefore, the set of terminals with the ferroelectric core is analogous to a transistor. Therefore, the encapsulation of this transistor or an association of transistors is characterized by a power generation chip, as described in the title of this invention.
[11] Em vista disso e de forma não limitativa, o conjunto de desenhos representa o seguinte:[11] In view of this and in a non-limiting way, the set of drawings represents the following:
[12] FIG. 1 - Núcleo ferroelétrico (1), polarização (2), terminal da fonte (3), distribuição de elétrons isolados (4), terminal de controle (5), terminal do dreno (6), elemento dissipativo (7), terminal terra (8), chave (9), fonte de tensão (10), fótons virtuais (13) e dipolos elétricos (14).[12] FIG. 1 - Ferroelectric core (1), polarization (2), source terminal (3), isolated electron distribution (4), control terminal (5), drain terminal (6), dissipative element (7), ground terminal (8), switch (9), voltage source (10), virtual photons (13) and electric dipoles (14).
[13] FIG. 2 - Mostra os mesmos elementos da FIG. 1, porém a diferença é que a chave (9) está fechada e, por isso, a fonte de tensão (10) está ligada ao terminal de controle (5); e, consequentemente, muda a direção da polarização (2), isto é, do terminal da fonte (3) para terminal de controle (5), onde os outros elementos são: núcleo ferroelétrico (1), distribuição de elétrons isolados (4), terminal do dreno (6), elemento dissipativo (7), terminal terra (8), fótons virtuais (13) e dipolos elétricos (14).[13] FIG. 2 - Shows the same elements as FIG. 1, however the difference is that the switch (9) is closed and, therefore, the voltage source (10) is connected to the control terminal (5); and, consequently, changes the direction of polarization (2), that is, from the source terminal (3) to the control terminal (5), where the other elements are: ferroelectric core (1), distribution of isolated electrons (4) , drain terminal (6), dissipative element (7), ground terminal (8), virtual photons (13) and electric dipoles (14).
[14] FIG. 3 - Mostra um diagrama de Feynman que representa a interação entre dois elétrons, o primeiro elétron (11) contido na distribuição de elétrons isolados (4) no terminal da fonte (3) e o segundo elétron (12) posicionado no terminal do dreno (6). A interação entre os elétrons ocorre por meio do fóton virtual (13) emitido pelo primeiro elétron (11), onde os outros elementos são os mesmos das figuras anteriores, isto é, núcleo ferroelétrico (1), terminal de controle (5), elemento dissipativo (7), terminal terra (8), chave (9) e fonte de tensão (10).[14] FIG. 3 - Shows a Feynman diagram that represents the interaction between two electrons, the first electron (11) contained in the distribution of isolated electrons (4) at the source terminal (3) and the second electron (12) positioned at the drain terminal ( 6). The interaction between electrons occurs through the virtual photon (13) emitted by the first electron (11), where the other elements are the same as in previous figures, that is, ferroelectric core (1), control terminal (5), element dissipative (7), ground terminal (8), switch (9) and voltage source (10).
[15] Em conformidade com as figuras apresentadas anteriormente, observamos que a distribuição de elétrons isolados (4) gera um campo elétrico externo que polariza (2) o núcleo ferroelétrico (1). Essa polarização (2) é orientada do terminal da fonte (3) para o terminal do dreno (6), conforme FIG. 1. Contudo, quando a chave (9) é fechada, o terminal de controle (5) é conectado à fonte de tensão (10). Esse fato faz com que a polarização (2) mude de direção, indo do terminal da fonte (3) para o terminal de controle (5), conforme apresentado na FIG. 2. Quando a chave (9) é desligada, cessa a tensão elétrica (10) sobre o terminal de controle (5). Por isso, a orientação da polarização (2) volta a ser entre o terminal da fonte (3) e o terminal do dreno (6), conforme FIG. 1.[15] In accordance with the figures presented previously, we observe that the distribution of isolated electrons (4) generates an external electric field that polarizes (2) the ferroelectric core (1). This polarization (2) is oriented from the source terminal (3) to the drain terminal (6), as shown in FIG. 1. However, when the switch (9) is closed, the control terminal (5) is connected to the voltage source (10). This fact causes the polarization (2) to change direction, going from the source terminal (3) to the control terminal (5), as shown in FIG. 2. When the key (9) is turned off, the electrical voltage (10) on the control terminal (5) ceases. Therefore, the polarization orientation (2) is again between the source terminal (3) and the drain terminal (6), as shown in FIG. 1.
[16] Em geral, os fótons virtuais emitidos pelos elétrons contidos na distribuição de elétrons isolados (4) do terminal da fonte (3) apresentam pequeno tempo de vida e curto alcance (implicações do Princípio de Incerteza de Heisenberg da Física Quântica). Por isso, analisando um único fóton, como por exemplo o fóton virtual (13), conclui-se que ele não interage diretamente com o elétron (12) do terminal do dreno (6), mas, sim, com o 1° elétron que ele encontra no material ferroelétrico (1) - vide FIG. 1 e FIG. 2. Contudo, devemos lembrar que os materiais ferroelétricos são excelentes isolantes elétricos, ou seja, o fóton virtual (13) não é capaz de mover (espalhar) o elétron com o qual ele interagiu. Por isso, por questão de conservação de energia e momento, o elétron do núcleo ferroelétrico (1) que absorveu o fóton virtual (13) reemite o mesmo fóton virtual (13) para o elétron vizinho, formando uma reação em cadeia, isto é, absorção e emissão do fóton virtual (13). Esse processo ocorre sucessivamente até o fóton virtual (13) chegar a um dos terminais condutores (dreno (6) ou controle (5)). Por questão didática, simplicidade e de conservação de energia e momento entre o fóton virtual (13) e elétrons do material ferroelétrico (1), substituímos todas as interações internas do material ferroelétrico (1) por um único fóton virtual (13), tal como ilustrado na FIG. 3. Dessa explanação, concluímos que a orientação da polarização (2) é um caminho óptico para a propagação dos fótons virtuais (13).[16] In general, the virtual photons emitted by electrons contained in the distribution of isolated electrons (4) at the source terminal (3) have a short lifetime and short range (implications of the Heisenberg Uncertainty Principle of Quantum Physics). Therefore, analyzing a single photon, such as the virtual photon (13), it is concluded that it does not interact directly with the electron (12) at the drain terminal (6), but rather with the 1st electron that it is found in the ferroelectric material (1) - see FIG. 1 and FIG. 2. However, we must remember that ferroelectric materials are excellent electrical insulators, that is, the virtual photon (13) is not capable of moving (scattering) the electron with which it interacted. Therefore, for reasons of conservation of energy and momentum, the electron from the ferroelectric nucleus (1) that absorbed the virtual photon (13) re-emits the same virtual photon (13) to the neighboring electron, forming a chain reaction, that is, absorption and emission of the virtual photon (13). This process occurs successively until the virtual photon (13) reaches one of the conducting terminals (drain (6) or control (5)). For didactic reasons, simplicity and conservation of energy and momentum between the virtual photon (13) and electrons of the ferroelectric material (1), we replaced all internal interactions of the ferroelectric material (1) with a single virtual photon (13), such as illustrated in FIG. 3. From this explanation, we conclude that the polarization orientation (2) is an optical path for the propagation of virtual photons (13).
[17] Apresentaremos o primeiro resultado fundamental dessa invenção. Analisando a FIG. 3 observamos que o fóton virtual (13) chega ao terminal do dreno (6) e interage com o elétron (12) livre da face condutora que constitui o dreno (6). Essa interação promove o espalhamento Moller. Durante a interação, o fóton virtual (13) transfere para o elétron (12) sua energia cinética e momento. Por isso, o elétron (12) se espalha procurando o menor potencial, que, nesse caso, é o terminal terra (8), criando, assim, uma corrente elétrica de espalhamento quântico. Contudo, antes do elétron (12) chegar ao terminal terra (8), ele passa por um elemento dissipativo (7), tal como resistor ôhmico. Esse fato faz com que o elétron (12) dissipe energia que foi absorvida do fóton virtual (13) em energia térmica (consequência da corrente elétrica de espalhamento quântico em um resistor ôhmico). Vale salientar que o elemento dissipativo (7), tais como: eletrodomésticos, motores, bateria de autor elétricos (carros, motos, drones...), bateria de um celular etc. Em outras palavras, essa inovação revela a tecnologia para absorver energia do vácuo (fótons virtuais) e transformá- la em energia elétrica por meio da corrente elétrica de espalhamento quântico.[17] We will present the first fundamental result of this invention. Analyzing FIG. 3 we observe that the virtual photon (13) arrives at the drain terminal (6) and interacts with the electron (12) free from the conducting face that constitutes the drain (6). This interaction promotes Moller spreading. During the interaction, the virtual photon (13) transfers its kinetic energy and momentum to the electron (12). Therefore, the electron (12) spreads looking for the lowest potential, which, in this case, is the ground terminal (8), thus creating an electrical current of quantum scattering. However, before the electron (12) reaches the ground terminal (8), it passes through a dissipative element (7), such as an ohmic resistor. This fact causes the electron (12) to dissipate energy that was absorbed from the virtual photon (13) into thermal energy (consequence of the quantum scattering electric current in an ohmic resistor). It is worth noting that the dissipative element (7), such as: household appliances, motors, electric car batteries (cars, motorcycles, drones...), cell phone batteries, etc. In other words, this innovation reveals the technology to absorb vacuum energy (virtual photons) and transform it into electrical energy through quantum scattering electrical current.
[18] Apresentaremos o segundo resultado mais importante dessa invenção, que está relacionado com o chaveamento (mudança cíclica) da polarização (2) devido a intermitência da chave (9) (chaveamento da chave = liga e desliga periodicamente). A polarização (2) intermitente permitirá a absorção discreta e constante da energia do vácuo, caracterizando o chip como uma fonte contínua de energia. Conforme já foi apresentado no parágrafo 16, a polarização (2) é o caminho óptico para a propagação dos fótons virtuais (13). Por isso, ao acionar a chave (9) a direção da polarização (2) muda no interior do núcleo ferroelétrico (1). Esse fato revela que não chegarão novos fótons virtuais (13) ao terminal do dreno (6). Isso é importante, pois o buraco (falta de elétron) ocasionado devido ao espalhamento do elétron (12) (descrito anteriormente) será preenchido por um elétron que subirá do terminal terra (8) para o terminal dreno (6), a fim de neutralizá-lo eletricamente. Dessa maneira, quando a polarização (2) retornar à configuração inicial (orientação: terminal fonte (3) para terminal do dreno (6)), o processo de espalhamento Moller se repete no terminal do dreno (6) e, novamente, a energia do vácuo é transformada em energia elétrica! A intensidade da energia elétrica é proporcional à frequência de chaveamento da polarização (2) e da intensidade da distribuição de elétrons isolados (4) no terminal da fonte (3).[18] We will present the second most important result of this invention, which is related to the switching (cyclic change) of polarization (2) due to the intermittency of the key (9) (key switching = periodically turning on and off). Intermittent polarization (2) will allow the discrete and constant absorption of vacuum energy, characterizing the chip as a continuous energy source. As already presented in paragraph 16, polarization (2) is the optical path for the propagation of virtual photons (13). Therefore, when pressing the key (9) the polarization direction (2) changes inside the ferroelectric core (1). This fact reveals that no new virtual photons (13) will reach the drain terminal (6). This is important, because the hole (lack of electron) caused due to the scattering of the electron (12) (described previously) will be filled by an electron that will rise from the ground terminal (8) to the drain terminal (6), in order to neutralize it electrically. In this way, when the polarization (2) returns to the initial configuration (orientation: source terminal (3) to drain terminal (6)), the Moller scattering process is repeated at the drain terminal (6) and, again, the energy vacuum is transformed into electrical energy! The intensity of electrical energy is proportional to the polarization switching frequency (2) and the intensity of the distribution of isolated electrons (4) at the source terminal (3).
[19] Ao longo deste relatório, citamos o núcleo ferroelétrico (1) como sendo o elemento responsável por mudar a direção da polarização (2) e, consequentemente, a direção da seção de choque (ora no terminal do dreno (6) ora no terminal controle (5)). Porém vale destacar que qualquer método ou dispositivo de engenharia capaz de promover essas mudanças será capaz de gerar o espalhamento Moller e dar origem a uma corrente elétrica de espalhamento quântico. Por isso, generalizamos o CHIP GERADOR DE ENERGIA ELÉTRICA A PARTIR DO VÁCUO QUÂNTICO a qualquer método ou dispositivo de engenharia capaz de variar periodicamente a polarização (2) e consequentemente a direção da seção de choque (ora no terminal do dreno (6) ora no terminal de controle (5)) gerando o espalhamento Moller a fim de obter uma corrente elétrica de espalhamento quântico. Além do avanço tecnológico que apresentamos, essa invenção promove o discernimento e o avanço na fronteira da Física Clássica, isto é, no entendimento de que a corrente de deslocamento de Maxwell (Física Clássica) é a corrente elétrica de espalhamento quântico (Física Moderna).[19] Throughout this report, we mention the ferroelectric core (1) as being the element responsible for changing the direction of polarization (2) and, consequently, the direction of the cross section (sometimes at the drain terminal (6) and sometimes at the control terminal (5)). However, it is worth highlighting that any method or engineering device capable of promoting these changes will be capable of generating Moller scattering and giving rise to an electrical current of quantum scattering. Therefore, we generalize the ELECTRIC ENERGY GENERATOR CHIP FROM QUANTUM VACUUM to any engineering method or device capable of periodically varying the polarization (2) and consequently the direction of the shock section (sometimes at the drain terminal (6) sometimes at the control terminal (5)) generating Moller scattering in order to obtain a quantum scattering electric current. In addition to the technological advancement that we present, this invention promotes insight and advancement in the frontier of Classical Physics, that is, in the understanding that the Maxwell displacement current (Classical Physics) is the electrical current of quantum scattering (Modern Physics).
Claims (4)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BR102022006896-8A BR102022006896A2 (en) | 2022-04-10 | 2022-04-10 | ELECTRIC POWER GENERATOR CHIP FROM QUANTUM VACUUM |
| PCT/BR2023/050011 WO2023197050A1 (en) | 2022-04-10 | 2023-01-12 | Chip generating electric power from quantum vacuum |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BR102022006896-8A BR102022006896A2 (en) | 2022-04-10 | 2022-04-10 | ELECTRIC POWER GENERATOR CHIP FROM QUANTUM VACUUM |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BR102022006896A2 true BR102022006896A2 (en) | 2023-10-24 |
Family
ID=88328521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BR102022006896-8A BR102022006896A2 (en) | 2022-04-10 | 2022-04-10 | ELECTRIC POWER GENERATOR CHIP FROM QUANTUM VACUUM |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| BR (1) | BR102022006896A2 (en) |
| WO (1) | WO2023197050A1 (en) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4704622A (en) * | 1985-11-27 | 1987-11-03 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Negative transconductance device |
| US5590031A (en) * | 1994-07-27 | 1996-12-31 | Mead, Jr.; Franklin B. | System for converting electromagnetic radiation energy to electrical energy |
| US7379286B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-27 | Jovion Corporation | Quantum vacuum energy extraction |
| US11133758B2 (en) * | 2019-05-10 | 2021-09-28 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Quantum vacuum fluctuation devices |
| US11251723B2 (en) * | 2019-05-10 | 2022-02-15 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Systems for driving the generation of products using quantum vacuum fluctuations |
-
2022
- 2022-04-10 BR BR102022006896-8A patent/BR102022006896A2/en unknown
-
2023
- 2023-01-12 WO PCT/BR2023/050011 patent/WO2023197050A1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023197050A1 (en) | 2023-10-19 |
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