BG65705B1 - Process for electrochemical preparation of thin films of metal sulphides from aqueous electrolytes - Google Patents

Process for electrochemical preparation of thin films of metal sulphides from aqueous electrolytes Download PDF

Info

Publication number
BG65705B1
BG65705B1 BG108562A BG10856204A BG65705B1 BG 65705 B1 BG65705 B1 BG 65705B1 BG 108562 A BG108562 A BG 108562A BG 10856204 A BG10856204 A BG 10856204A BG 65705 B1 BG65705 B1 BG 65705B1
Authority
BG
Bulgaria
Prior art keywords
deposition
aqueous electrolytes
electrolyte
preparation
precursors
Prior art date
Application number
BG108562A
Other languages
Bulgarian (bg)
Other versions
BG108562A (en
Inventor
Милка НЕШКОВА
Невелина СТОЙНЕВА
Андриана СУРЛЕВА
Original Assignee
Институт По Обща И Неорганична Химия При Бан
Милка НЕШКОВА
Невелина СТОЙНЕВА
Андриана СУРЛЕВА
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт По Обща И Неорганична Химия При Бан, Милка НЕШКОВА, Невелина СТОЙНЕВА, Андриана СУРЛЕВА filed Critical Институт По Обща И Неорганична Химия При Бан
Priority to BG108562A priority Critical patent/BG65705B1/en
Publication of BG108562A publication Critical patent/BG108562A/en
Publication of BG65705B1 publication Critical patent/BG65705B1/en

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10—Process efficiency
    • Y02P20/133—Renewable energy sources, e.g. sunlight

Landscapes

  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Abstract

The invention relates to process for electrochemical preparation of thin semiconductor films of metallic sulphides of aqueous electrolytes, which shall find application in optoelectronics, in the photogalvanic elements for solar energy conversion and as membranes for the development of chemical sensors. It is economically effective, guarantees stability and homogeneity of the aqueous electrolyte and enables the deposition of metallosulphide films of well-defined composition, stoichiometry and mechanical characteristics. The process comprises the use, as precursors for induced preparation of sulphide sulphur S(II-), alkyl disulphides as cystine or disodium 3,3Æ-dithio-bis (propane sulphonate), marked as (DDDS) or KSCN, soluble in aqueous electrolytes in a wide concentration range. The electrochemical reduction in the controlled potential of these precursors on a conductive substrate, used as operating electrode (Pt, Ni, SnO2, Tri, graphites) in the presence of ions of heavy metals, such as Cu(II), Pb(II), Bi(II), Cd(II), Ag(I) in the electrolyte has, as a last stage, the preparation of S(II-) and immediate induced deposition of the respective metallic sulphide on the operating electrode in the form of adhesive deposition.

Description

Област на техникатаTechnical field

Изобретението се отнася до метод за електрохимично получаване на тънки полупроводникови филми от метални сулфиди от водни електролити, които намират приложение в оптоелектрониката, във фотогалваничните елементи за преобразуване на слънчевата енергия и като активни мембрани за разработване на химически сензори.The invention relates to a method for the electrochemical production of thin semiconductor films of metal sulphides from aqueous electrolytes, which are used in optoelectronics, in photovoltaic cells for the conversion of solar energy and as active membranes for the development of chemical sensors.

Предшестващо състояние на техникатаBACKGROUND OF THE INVENTION

Електрохимичният метод за получаване на тънки филми от метални сулфиди има предимствата да е лесно реализируем в апаратурно отношение, икономически изгоден, приложим за големи повърхности, позволява рециклиране на отпадните продукти от електролитните вани. Ограниченията са свързани главно с избора на подложки - могат да се използват само проводящи подложки. Като прекурсори за електрохимично получаване на сулфидна сяра се използват елементна сяра в неводен електролит (диметилсулфоксид, диетиленгликол и др.) [US 4192721] или натриев тиосулфат, алкални сулфиди, елементна сяра във водни електролити [US 3162587]. Неводните електролити са с висока цена и токсичност, свързани със скъпо обезвреждане на отпадъците; изискват високи температури при електроотлагането и са неподходящи за големи производствени вани; получените филми са с недобра адхезия и структура.The electrochemical method for producing thin films of metal sulphides has the advantages of being easily feasible in terms of equipment, economically viable, applicable to large surfaces, allowing the recycling of waste products from electrolytic baths. The limitations are mainly related to the choice of pads - only conductive pads can be used. Elemental sulfur in a non-aqueous electrolyte (dimethyl sulfoxide, diethylene glycol, etc.) [US 4192721] or sodium thiosulfate, alkali sulfides, elemental sulfur in aqueous electrolytes [US 3162587] are used as precursors for the electrochemical production of sulfide sulfur. Non-aqueous electrolytes are of high cost and toxicity associated with costly waste disposal; require high temperatures during deposition and are unsuitable for large production bathtubs; the resulting films have poor adhesion and structure.

Известен е US 3162587, в който металните сулфиди се получават от водни електролити. Като прекурсор за електрохимично получаване на сулфидна сяра се използва фино диспергирана елементна сяра или железни сулфиди. След химична реакция с металните йони в обема на електролита се получават съответните метални сулфиди. Целта е металните сулфиди да се получат под формата на компактна утайка, която се събира на дъното на катодното пространство на електролизната клетка. Катодното и анодното пространство в клетката са разделени от полупропусклива мембрана, за да се отдели твърдата фаза на постъпващата за електролиза металур гична шлака от разтвора, съдържащ редки метали. Плътността на тока се подбира така, че да се предотврати или поне намали образуването на адхезивни филми на катода и присъстващите метални йони да се утаят след реакция със суфидизиращия реактив. Така получените метални сулфиди (на медта, среброто, кобалта, никела, цинка и оловото) се отделят от електролизната клетка и се подлагат на последваща обработка.US 3162587 is known in which metal sulfides are obtained from aqueous electrolytes. Fine precursor elemental sulfur or ferrous sulfides are used as the precursor for the electrochemical production of sulfide sulfur. After chemical reaction with the metal ions, the corresponding metal sulfides are obtained in the volume of the electrolyte. The purpose is to obtain the metal sulphides in the form of a compact precipitate that collects at the bottom of the cathode space of the electrolysis cell. The cathode and anode spaces in the cell are separated by a semipermeable membrane to separate the solid phase of the metallic slag entering the electrolysis slurry from the solution containing rare metals. The current density is selected so as to prevent or at least reduce the formation of adhesive films of the cathode and the metal ions present to precipitate after reaction with the coagulating reagent. The metal sulfides thus obtained (of copper, silver, cobalt, nickel, zinc and lead) are separated from the electrolysis cell and subjected to further treatment.

Електрохимичното получаване на метални сулфиди по описания в US 3162587 метод е неподходящо, когато се цели отлагане на тънки филми. Съществуването на твърда фаза (внесена като прекурсор или получена в резултат на електролиза) в обема на електролита влошава качествата на филма, поради неконтролираното й включване в структурата му. В резултат се получават филми с недефинирана структура, стехиометрия или състав, често и с влошена адхезия към подложката. Тези характеристики са определящи, когато металсулфидните филми се използват в оптоелектрониката, като конструктивни елементи на слънчеви батерии или за изработване на сензори.The electrochemical preparation of metal sulphides by the method described in US 3162587 is inappropriate for the purpose of thin film deposition. The existence of a solid phase (introduced as a precursor or obtained by electrolysis) in the volume of the electrolyte impairs the properties of the film due to its uncontrolled incorporation into its structure. As a result, films with an undefined structure, stoichiometry or composition are obtained, often with poor adhesion to the substrate. These characteristics are decisive when metal sulphide films are used in optoelectronics as components of solar cells or for the manufacture of sensors.

Техническа същност на изобретениетоSUMMARY OF THE INVENTION

Проблемът, който се решава с настоящото изобретение, е създаването на икономически ефективен метод за електрохимично получаване на тънки полупроводникови филми от метални сулфиди от водни електролити чрез използване на сулфидни прекурсори, които да гарантират стабилност и хомогенност на водния електролит и да позволяват отлагане на металсулфидни филми с добре дефиниран състав, стехиометрия и механични показатели.The problem to be solved with the present invention is to provide a cost-effective method for the electrochemical production of thin semiconductor films of metallic sulphides from aqueous electrolytes using sulfide precursors to ensure the stability and homogeneity of the aqueous electrolyte and to allow deposition of metal sulphide films with well-defined composition, stoichiometry and mechanical properties.

Методът, съгласно изобретението, се състои в използването на алкилдисулфиди (цистин или динатриев 3,3'-дитио-бис(пропан сулфонат)) или KSCN, като прекурсори за индуцирано получаване на сулфидна сяра (S2-). Посочените прекурсори са разтворими във водни електролити в широк концентрационен диапазон. Електрохимичната редукция при контролиран потенциал на тези прекурсори върху проводяща подложка, използвана като работен електрод (Pt, Ni, SnO2, Ti, графит), в присъствие на йони на тежки метали (Cu(II), Pb(II), Bi(III), Cd(II), Ag(I)) има като последен етап получаване на S2' и непосредствено отлагане на металния сулфид върхуThe method according to the invention consists in the use of alkyl disulfides (cystine or disodium 3,3'-dithiobis (propane sulfonate)) or KSCN as precursors for the induction of sulfide (S 2- ). These precursors are soluble in aqueous electrolytes over a wide concentration range. Electrochemical reduction at the controlled potential of these precursors on a conductive substrate used as a working electrode (Pt, Ni, SnO 2 , Ti, graphite) in the presence of heavy metal ions (Cu (II), Pb (II), Bi (III ), Cd (II), Ag (I)) have, as a final step, the production of S 2 'and the immediate deposition of the metal sulfide on

65705 Bl работния електрод под формата на адхезивно покритие.65705 Bl working electrode in the form of an adhesive coating.

Използваните прекурсори осигуряват стабилни във времето хомогенни водни електролити за електрохимично отлагане на съответните метални сулфиди в широки граници на pH и концентрация на добавки. Получените филми се характеризират с дефиниран състав и стехиометрия и много добри механични характеристики.The precursors used provide stable, homogeneous aqueous electrolytes for the electrochemical deposition of the corresponding metal sulfides over a wide pH range and concentration of additives. The resulting films are characterized by a defined composition and stoichiometry and very good mechanical properties.

Примери за изпълнение на изобретениетоExamples of carrying out the invention

Методът за електрохимично получаване на тънки полупроводникови филми от метални сулфиди, съгласно изобретението, както и приложението на получените филми се поясняват със следните примери.The method for the electrochemical production of thin metal-sulfide semiconductor films according to the invention, as well as the application of the obtained films, are explained by the following examples.

Пример 1. Електроотлагане на филм от сребърен сулфид с прекурсор динатриев 3,3'дитио-бис(пропан сулфонат) (ДДДС)Example 1. Electrodeposition of silver sulphide film with disodium disodium 3,3'dithiobis (propane sulfonate) (DDDS) precursor

Електролизна клетка: Използва се конвенционална триелектродна електролизна клетка с разделено катодно и анодно пространство. Спомагателният електрод е Pt-пластина (2 cm2), работният електрод е Pt-пластина с повърхност 0,5 cm2. Потенциалът на работния електрод се задава с потенциостат спрямо сребро/сребърно-хлориден сравнителен електрод.Electrolysis cell: A conventional three-electrode cell with a separated cathode and anode space is used. The auxiliary electrode is a Pt-plate (2 cm 2 ), the working electrode is a Pt-plate with a surface of 0.5 cm 2 . The potential of the working electrode is set by the potentiostat relative to the silver / silver chloride reference electrode.

Състав на електролита: Във воден електролит с pH = 10, поддържано с 0,5 М амонячен буфер, се разтваря динатриев 3,3'-дитиобис(пропансулфонат), чиято крайна концентрация може да варира от 1.10-3 до 5.1Ο-2 М. Добавя се AgNO3 с такава концентрация, че съотношението на концентрациите на динатриев 3,3'-дитио-бис(пропан сулфонат) към тази на Ag+ да попада в границите от 1:1 до 10:1. При промяна на pH се коригира до pH = 10 чрез добавяне на NaOH.Electrolyte composition: Disodium 3,3'-dithiobis (propansulfonate) dissolves in aqueous electrolyte with pH = 10, maintained with 0.5 M ammonia buffer, whose final concentration can range from 1.10 -3 to 5.1Ο -2 M AgNO 3 was added at such a concentration that the ratio of the concentrations of disodium 3,3'-dithiobis (propane sulfonate) to that of Ag + fell within the range of 1: 1 to 10: 1. If the pH changes, adjust to pH = 10 by adding NaOH.

Процедура на отлагане: Електролитът с посочения състав се продухва с аргон или азот в продължение на 20 min. На работния електрод се задава потенциал от -1,0 до -1,2 V спрямо Ag/AgCl - ден сравнителен електрод. Електроотлагането се извършва при стайна температура и непрекъснато разбъркване в продължение на 5 до 7 min. При посочените условия плътността на тока варира между 4 и 12 mA/cm2. Отложеният филм от сребърен сулфид е адхезивен с тъмносин, почти черен, цвят.Deposition procedure: The electrolyte of the above composition was purged with argon or nitrogen for 20 min. The potential electrode is assigned a potential of -1.0 to -1.2 V relative to Ag / AgCl - day reference electrode. The deposition was carried out at room temperature and stirred continuously for 5 to 7 minutes. Under these conditions, the current density varies between 4 and 12 mA / cm 2 . The deposited silver sulfide film is adhesive with a deep blue, almost black, color.

Пример 2. Електроотлагане на филм от сребърен сулфид с прекурсор цистинExample 2. Electrodeposition of a silver sulfide film with a cystine precursor

Електролизна клетка като в Пример 1.An electrolysis cell as in Example 1.

Състав на електролитната вана: разтвор на NaOH с концентрация 1.10~2 М се разтваря цистин в такова количество, че концентрацията му да варира в границите от 1.10-2 до 1.1Ο-3 М, прибавя се амонячен буфер с pH = 10 и разтвор на AgNO3, така че крайната му концентрация да е 1.10-3 М. Съотношението на концентрацията на прекурсора цистин към тази на Ag+ се допуска да варира от 10:1 до 1:1.Composition of the electrolyte bath: a solution of NaOH with a concentration of 1.10 ~ 2 M dissolves cystine in such quantity that its concentration varies from 1.10 -2 to 1.1Ο -3 M, ammonia buffer with pH = 10 is added and a solution of AgNO 3 , so that its final concentration is 1.10 -3 M. The ratio of the concentration of cyst precursor to that of Ag + is allowed to vary from 10: 1 to 1: 1.

Процедура на електроотлагане: Електролитът се продухва предварително с инертен газ, както в Пример 1. В потенциостатичен режим се задава потенциал на работния електрод (Pt или Ni с повърхност 0,5 cm2) в интервала между -1,0 и -1,15 V спрямо сребро-сребърно-хлориден електрод. Електроотлагането продължава 5 min. При посочените условия плътността на тока варира между 2,8 и 5,2 mA/cm2. Отложеното покритие е блестящо със синьо-черен цвят.Electrodeposition procedure: The electrolyte is pre-purged with inert gas as in Example 1. In the potentiostatic mode, the operating electrode potential (Pt or Ni with a surface of 0.5 cm 2 ) is set in the range between -1.0 and -1.15 V relative to a silver-silver-chloride electrode. Electrical deposition lasts for 5 min. Under these conditions, the current density varies between 2.8 and 5.2 mA / cm 2 . The delayed coating is brilliant in blue-black.

Пример 3. Електроотлагане на филми от Ag2S с KCSN като прекурсорExample 3. Electrodeposition of Ag 2 S films with KCSN as a precursor

Електролизна клетка: както в Примери 1 и 2. Състав на електролитната вана: Концентрацията на KSCN варира в границите от 0,3 до 0,6 М при pH = 3, фиксирано с добавка на НС1. Към този разтвор се прибавя такъв обем от разтвор на KAg(CN)2, че крайната му концентрация да е по-ниска от 1,5.10-3 М.Electrolysis cell: as in Examples 1 and 2. Composition of the electrolyte bath: The concentration of KSCN ranges from 0.3 to 0.6 M at pH = 3, fixed with the addition of HCl. To this solution is added such a volume of KAg (CN) 2 solution that its final concentration is less than 1.5.10 -3 M.

Процедура на електроотлагане: електролитът предварително се деаерира, както е описано в предходните примери. На работния електрод от Pt, Ni или стьклографит с повърхност 1 cm2 се задава потенциал в интервала от -1,2 до -1,3 V спрямо сребро-сребърно-хлориден сравнителен електрод. Електроотлагането продължава от 5 до 7 min. Получават се гладки покрития от сребърен сулфид със сиво-черен метален блясък.Electrodeposition Procedure: The electrolyte is pre-deaerated as described in the previous examples. A Pt, Ni or fiberglass graphite with a surface area of 1 cm 2 is assigned a potential in the range of -1.2 to -1.3 V relative to a silver-silver-chloride reference electrode. Electrical deposition lasts from 5 to 7 min. Smooth silver sulfide coatings with a gray-black metallic luster are obtained.

Пример 4. Електроотлагане на филми от CuSExample 4. Electrodeposition of CuS Films

XX

Електролизната клетка и режимът на отлагане са като в предходните примери.The electrolysis cell and deposition mode are as in the previous examples.

Състав на електролитната вана: Концентрацията на прекурсора KSCN може да варира в границите от 0,3 до 0,7 М. Към разтвора на калиев роданид с pH=4 (коригирано с НС1), се прибавя разтвор на медна сол с крайна концентрация не по-голяма от 1.10-2 М. В някои случаи може да се прибави и ЕДТА с концентрация 1:1 по отношение на медната сол.Electrolyte bath composition: The concentration of the KSCN precursor can range from 0.3 to 0.7 M. To a solution of potassium rhodanide with pH = 4 (HCl corrected), a solution of copper salt with a final concentration of no greater than 1.10 -2 M. In some cases EDTA with a concentration of 1: 1 may be added with respect to the copper salt.

Процедура на отлагане: В предварителноPostponement procedure: In advance

65705 Bl деаерирания електролит, както в Пример 1, в потенциостатичен режим на работния електрод (Pt, Ti, Ni или стъклографит с повърхност 0,5 cm2) се налага потенциал в границите от -0,7 до -1,2 V спрямо сребро-сребърно-хлориден сравнителен електрод. Получават се адхезивни слоеве от меден сулфид.65705 B1 deaerated electrolyte, as in Example 1, in a potentiostatic mode of the working electrode (Pt, Ti, Ni or glass graphite with a surface of 0.5 cm 2 ), a potential in the range of -0.7 to -1.2 V relative to silver is imposed. - silver chloride reference electrode. Adhesive layers of copper sulphide are obtained.

Покритие от меден сулфид, отложено върху Pt-подложка при потенциал -0,9 V и плътност на тока 12 mA/cm2 за около 2 min, беше изследван като йон-селективен сензор за Си(П) и показа Нернстово поведение на електродната функция в концентрационния интервал 1. Ю 5 -1.101 М с наклон 28,5 mV/pCu.Copper sulphide coating deposited on a Pt substrate at a potential of -0.9 V and a current density of 12 mA / cm 2 for about 2 min was examined as an ion-selective sensor for Cu (II) and showed the Nernst behavior of the electrode function in the concentration range 1. 10 5 -1.10 1 M with a slope of 28.5 mV / pCu.

Пример 5. Електрохимично отлагане на филми от PbSExample 5. Electrochemical deposition of PbS films

Електрохимичната клетка е идентична с описаната в Пример 1.The electrochemical cell is identical to that described in Example 1.

Състав на електролита: Като прекурсор за сулфидна сяра се използва KSCN с концентрация в електролитната вана между 5.10'3 и 0,05 М. pH на електролита е 12 (NaOH). Към този разтвор се прибавя при енергично разбъркване разтвор на Pb(NO3)2 в такова количество, че крайната концентрация на оловото да не надвишава 1.10’2 М. При потенциали от -1,0 до -1,2 V, наложени на Pt-електрод с повърхност 2 cm2, се отлага тъмносив слой с отлична адхезия.Electrolyte Composition: A KSCN with a concentration in the electrolyte bath between 5.10 < 3 & gt ; and 0.05 M. The electrolyte pH was 12 (NaOH) as the sulfur sulfur precursor. To this solution is added with vigorous stirring a solution of Pb (NO 3 ) 2 in such a quantity that the final concentration of lead does not exceed 1.10 ' 2 M. At potentials of -1.0 to -1.2 V imposed on Pt -electrode with a surface of 2 cm 2 , deposits a dark gray layer with excellent adhesion.

Слоевете, получени по описания начин, абсорбират светлина в инфрачервената област на спектъра.The layers obtained in the described manner absorb light in the infrared region of the spectrum.

Пример 6. Получаване на филм от PbS от прекурсор цистинExample 6. Preparation of a PbS film from a cystine precursor

Състав на електролитната вана: В разтвор на разредена HNO3 (pH = 3-4) се добавя оловен нитрат и цистин в концентрационно съотношение 1:1 и концентрации от 3.10_3 до 1.10'2 М.Composition of the electrolyte bath: Lead nitrate and cystine are added in a diluted HNO 3 solution (pH = 3-4) at a concentration ratio of 1: 1 and concentrations from 3.10 _3 to 1.10 ' 2 M.

Процедура на отлагане: На работен електрод от Pt или Ti с повърхност 1 cm2 се налага потенциал, който може да варира в границите от -0,75 до -1,0 V спрямо сребро-сребърно-хлориден сравнителен електрод. При плътност на тока 6-9 mA/cm2 за около 3 min се отлага адхезивен слой със сиво-черен цвят. Тези филми адсорбират светлина в инфрачервената област на спектъра и са подходящи за приложение в оптоелектрониката.Deposition procedure: A potential electrode of Pt or Ti with a surface of 1 cm 2 is required, which can range from -0.75 to -1.0 V relative to a silver-silver-chloride reference electrode. At a current density of 6-9 mA / cm 2, a gray-black adhesive layer is deposited for about 3 minutes. These films absorb light in the infrared region of the spectrum and are suitable for use in optoelectronics.

Приложение на изобретениетоApplication of the invention

Покритията от Ag2S върху платинова подложка, получени съгласно процедурите на отлагане, описани в Примери от 1 до 3 с трите предложени прекурсора: цистин, динатриев 3,3'дитио-бис(пропан сулфонат) и KSCN, бяха изследвани като йонселективни сензори за Ag+ и S2' . Изготвените електроди бяха калибрирани периодично в продължение на три месеца. Електродите с активни мембрани, получени в трите предложени състава на електролитни вани, показаха много близки стойности на стандартния потенциал по отношение на Ag(I): 590, 573 и 588 mV/dec (спрямо Ag/AgCl електрод), получени с прекурсор роданид, цистин и динатриев 3,3'-дитио-бис(пропан сулфонат), респективно. Тези стойности на стандартния потенциал показват, че от трите електролита се получават мембрани с еднакъв състав и стандартни потенциали, отговарящи на теоретичната стойност за стехиометрична мембрана от Ag2S. Електродната функция на мембраните, получени от водни електролити с прекурсори: KSCN, цистин и динатриев 3,3'-дитио-бис(пропан сулфонат), е линейна в концентрационния интервал 10’1 до IO’5 М Ag(I) със среден наклон: 58,3; 60,3; 56,8 mV/dec, съответно.The platinum-based Ag 2 S coatings obtained according to the deposition procedures described in Examples 1 to 3 with the three proposed precursors: cystine, disodium 3,3'-dithiobis (propane sulfonate) and KSCN were examined as ion-selective sensors for Ag + and S 2 '. The prepared electrodes were periodically calibrated for three months. The active membrane electrodes obtained in the three proposed electrolyte bath compositions showed very close values of the standard potential with respect to Ag (I): 590, 573 and 588 mV / dec (relative to Ag / AgCl electrode) obtained with a precursor rhodanide, cystine and disodium 3,3'-dithiobis (propane sulfonate), respectively. These values of the standard potential indicate that the three electrolytes produce membranes of the same composition and standard potentials corresponding to the theoretical value for the stoichiometric membrane of Ag 2 S. The electrode function of the membranes obtained from aqueous electrolytes with precursors: KSCN, cystine and disodium 3,3'-dithiobis (propane sulfonate), is linear in the concentration range 10 ' 1 to IO' 5 M Ag (I) with a mean slope: 58.3; 60.3; 56.8 mV / dec, respectively.

Патентни претенцииClaims

Claims (3)

1. Метод за електрохимично получаване на тънки филми от метални сулфиди от водни електролити, съд ържащи йони на тежки метали, характеризиращ се с това, че като прекурсори за електрохимично генериране на сулфидна сяра (S2') се използват водоразтворими алкилдисулфиди или KSCN.1. A method for the electrochemical production of thin films of metallic sulfides from aqueous electrolytes containing heavy metal ions, characterized in that water-soluble alkyldisulfides or KSCN are used as precursors for the electrochemical generation of sulfide sulfide (S 2 '). 2. Метод съгласно претенция 1, характеризиращ се с това, че водоразтворимият алкилдисулфид е цистин.The method of claim 1, wherein the water-soluble alkyl disulfide is cystine. 3. Метод съгласно претенция 1, характеризиращ се с това, че водоразтворимият алкилдисулфид е динатриев 3,3'-дитио-бис(пропан сулфонат).3. The method according to claim 1, wherein the water-soluble alkyl disulfide is disodium 3,3'-dithiobis (propane sulfonate).
BG108562A 2004-02-03 2004-02-03 Process for electrochemical preparation of thin films of metal sulphides from aqueous electrolytes BG65705B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG108562A BG65705B1 (en) 2004-02-03 2004-02-03 Process for electrochemical preparation of thin films of metal sulphides from aqueous electrolytes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG108562A BG65705B1 (en) 2004-02-03 2004-02-03 Process for electrochemical preparation of thin films of metal sulphides from aqueous electrolytes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BG108562A BG108562A (en) 2005-08-31
BG65705B1 true BG65705B1 (en) 2009-07-31

Family

ID=35148710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BG108562A BG65705B1 (en) 2004-02-03 2004-02-03 Process for electrochemical preparation of thin films of metal sulphides from aqueous electrolytes

Country Status (1)

Country Link
BG (1) BG65705B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3162587A (en) * 1959-05-08 1964-12-22 Sherritt Gordon Mines Ltd Electrolytic precipitation of metal sulphides from leach slurries
US4192721A (en) * 1979-04-24 1980-03-11 Baranski Andrzej S Method for producing a smooth coherent film of a metal chalconide

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3162587A (en) * 1959-05-08 1964-12-22 Sherritt Gordon Mines Ltd Electrolytic precipitation of metal sulphides from leach slurries
US4192721A (en) * 1979-04-24 1980-03-11 Baranski Andrzej S Method for producing a smooth coherent film of a metal chalconide

Also Published As

Publication number Publication date
BG108562A (en) 2005-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Slupska et al. Electrodeposition of Sn-Zn-Cu alloys from citrate solutions
Finazzi et al. Development of a sorbitol alkaline Cu–Sn plating bath and chemical, physical and morphological characterization of Cu–Sn films
CA2448892A1 (en) Electrolyte solution for manufacturing electrolytic copper foil and electrolytic copper foil manufacturing method using the same
US6998036B2 (en) Electrolyte and method for depositing tin-silver alloy layers
KR20090085583A (en) Efficient gallium thin film electroplating methods and chemistries
KR102259480B1 (en) Electrolyte for the electrolytic deposition of silver-palladium alloys and method for deposition thereof
US20100065119A1 (en) ELECTRODE HAVING A CoS LAYER THEREON, PROCESS OF PREPARATION, AND USES THEREOF
US20040035714A1 (en) Electrolyte and method for depositing tin-copper alloy layers
Aliyev et al. Electrochemical Studies on the Cathodic Electrodeposition of n-type semiconductor CdS thin film from Thiosulfate Acidic Aqueous Solution
CA2322726A1 (en) Electroplating of copper from alkanesulfonate electrolytes
Yukawa et al. Electrodeposition of CuInS2 from aqueous solution Part I. Electrodeposition of Cu S film
US8545689B2 (en) Gallium electrodeposition processes and chemistries
Krastev et al. Effect of electrolysis conditions on the deposition of silver–bismuth alloys
Ding et al. Effects of four N-based additives on imitation gold plating
Ishizaki et al. Electrodeposition of ZnTe film with high current efficiency at low overpotential from a citric acid bath
SU923375A3 (en) Gold plating electrolyte
US10526716B2 (en) Metal chalcogenide thin film electrode, method for the production thereof and use
BG65705B1 (en) Process for electrochemical preparation of thin films of metal sulphides from aqueous electrolytes
Beyhan et al. Complexing agent effect on the stoichiometric ratio of the electrochemically prepared CuInSe2 thin films
JP2020522615A (en) Methods and compositions for electrochemical deposition of metal-rich layers in aqueous solution
Wei et al. Flow Electrosyntheses of Group II–VI Compound Semiconductor Thin Films and Composition‐modulated Superstructures
Salakhova et al. Electrochemical obtaining of rhenium-molybdenum alloys
Siegfried et al. Conditions and mechanism for the anodic deposition of cupric oxide films in slightly acidic aqueous media
Fan et al. Polysulfide Reduction and Oxidation at MoS2, WS2 and Cu-Doped MoS2 Thin Film Electrodes
Chen Electrochemical Behavior of the Li+/Li Couple and Stability of Lithium Deposits in Tri‐1‐Butylmethylammonium Bis ((Trifluoromethyl) Sulfonyl) Imide Room Temperature Ionic Liquid