BG112664A - Hall effect sensor with stabilized magnetic sensitivity - Google Patents
Hall effect sensor with stabilized magnetic sensitivity Download PDFInfo
- Publication number
- BG112664A BG112664A BG112664A BG11266418A BG112664A BG 112664 A BG112664 A BG 112664A BG 112664 A BG112664 A BG 112664A BG 11266418 A BG11266418 A BG 11266418A BG 112664 A BG112664 A BG 112664A
- Authority
- BG
- Bulgaria
- Prior art keywords
- sensor
- hall
- output
- magnetic sensitivity
- current source
- Prior art date
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 title abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005404 magnetometry Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Description
СЕНЗОР НА ХОЛ СЪС СТАБИЛИЗИРАНА МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛНОСТHALL SENSOR WITH STABILIZED MAGNETIC SENSITIVITY
ОБЛАСТ НА ТЕХНИКАТАFIELD OF THE INVENTION
Изобретението се отнася до сензор на Хол със стабилизирана магниточувствителност, приложимо в областта на роботиката и мехатрониката; позиционирането на обекти в равнината и пространството; дистанционното измерване на ъглови и линейни премествания; микро- и нано-електрониката; навигацията; контролно-измервателната технология и слабополевата магнитометрия; аналоговите и цифровите Холови микросистеми; безконтактната автоматика; 3D и теле-медицината; автомобилната промишленост, включително ‘ електромобилостроенето; сигурността, контратероризма и военното дело; енергетиката; й др.The invention relates to a Hall sensor with stabilized magnetic sensitivity, applicable in the field of robotics and mechatronics; the positioning of objects in the plane and space; remote measurement of angular and linear displacements; micro- and nano-electronics; navigation; control and measurement technology and low-field magnetometry; analog and digital Hall microsystems; contactless automation; 3D and telemedicine; the automotive industry, including the ‘electric car industry; security, counter-terrorism and military affairs; energy; and others.
ПРЕДШЕСТВАЩО СЪСТОЯНИЕ НА ТЕХНИКАТАBACKGROUND OF THE INVENTION
Известен е сензор на Хол със стабилизирана магниточувствителност, съдържащ полупроводникова подложка с примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани сензор на Хол и терморезистори, които са разположени от страни на сензора и в близост до него. Има още токоизточник и операционен усилвател с управляем коефициент на усилване. Изводите на токоизточника са свързани със захранващите контакти на сензора, на операционния усилвател и на терморезисторите. Двата изходни (Холови) контакти на сензора са съединени с входа на усилвателя, а към втория, управляващия му вход е свързан изхода от терморезисторите. Измерваното магнитно поле е перпендикулярно на активната повърхност на сензора като изходът на усилвателя е изход на сензора на Хол със стабилизирана магниточувствителност [1 - 5].A Hall sensor with stabilized magnetic sensitivity is known, comprising a semiconductor substrate with an impurity type of conductivity, on one side of which are formed a Hall sensor and thermistors, which are located on the sides of the sensor and near it. There is also a power source and an operational amplifier with a controllable gain. The terminals of the current source are connected to the power contacts of the sensor, the operational amplifier and the thermistors. The two output (Hall) contacts of the sensor are connected to the input of the amplifier, and the output of the thermistors is connected to the second, its control input. The measured magnetic field is perpendicular to the active surface of the sensor and the output of the amplifier is the output of the Hall sensor with stabilized magnetic sensitivity [1 - 5].
Недостатък на този сензор на Хол със стабилизирана магниточувствителност е метрологичната · грешка, внасяна от недостатъчната компенсация на температурното влияние върху чувствителността в резултат на неминуемата обемна и повърхностна нехомогенност на полупроводниковата подложка. Това създава градиент на температурата в различните части на самия сензор и на зоните върху подложката с терморезисторите, водещ до паразитна компонента в термосигнала, управляващ операционния усилвател.A disadvantage of this Hall sensor with stabilized magnetic sensitivity is the metrological error introduced by the insufficient compensation of the temperature influence on the sensitivity as a result of the inevitable volumetric and surface inhomogeneity of the semiconductor substrate. This creates a temperature gradient in the different parts of the sensor itself and in the areas on the substrate with the thermistors, leading to a parasitic component in the thermal signal controlling the operational amplifier.
Недостатък е също ограниченият температурен интервал (около ΔΤ ~ 20 °C за полисилициевите терморезистори, използвани в интегралните CMOS сензори на Хол), в който се постига стабилизация на чувствителността, поради нелинейност на температурнозависимото напрежение от термораезисторите във важния за практическите приложения диапазон 10 - 70 °C, в който следва да се компенсира линейното изменение на чувствителността.Another disadvantage is the limited temperature range (about ΔΤ ~ 20 ° C for polysilicon thermistors used in integrated CMOS Hall sensors), in which sensitivity stabilization is achieved due to nonlinearity of the temperature-dependent voltage from the thermistors in the range 10 - 70 important for practical applications. ° C, in which the linear change in sensitivity should be compensated.
ТЕХНИЧЕСКА СЪЩНОСТTECHNICAL ESSENCE
Задача на изобретението е да се създаде сензор на Хол със стабилизирана магниточувствителност, който да бъде с максимално редуцирана метрологична грешка от неминуемия температурен градиент и широк температурен диапазон на стабилизирана чувствителност.The object of the invention is to provide a Hall sensor with stabilized magnetic sensitivity, which has a maximally reduced metrological error of the inevitable temperature gradient and a wide temperature range of stabilized sensitivity.
Тази задача се решава със сензор на Хол със стабилизирана магниточувствителност, съдържащ полупроводникова подложка с примесна проводимост, върху едната страна на която са формирани сензор на Хол и диоден елемент, разположен върху сензора в средната му част, има още токоизточник и операционен усилвател с управляем коефициент на усилване. Изводите на токоизточника са съединени със захранващите контакти на сензора и на операционния усилвател. Диодният елемент е включен в права посока към токоизточника и е в режим генератор на ток. Двата изходни (Холови) контакти на сензора са съединени с входа на усилвателя, а към втория, управляващия му вход е свързан изхода на диодния елемент. Измерваното магнитно поле е перпендикулярно на активната повърхност на сензора като изходът на усилвателя е изход на сензора на Хол със стабилизирана магниточувствителност.This problem is solved with a Hall sensor with stabilized magnetic sensitivity, containing a semiconductor substrate with impurity conductivity, on one side of which are formed a Hall sensor and a diode element located on the sensor in its middle part, there is also a current source and an operational amplifier of amplification. The power supply terminals are connected to the power contacts of the sensor and the operational amplifier. The diode element is connected in a straight line to the power source and is in current generator mode. The two output (Hall) contacts of the sensor are connected to the input of the amplifier, and the output of the diode element is connected to the second, its control input. The measured magnetic field is perpendicular to the active surface of the sensor and the output of the amplifier is the output of the Hall sensor with stabilized magnetic sensitivity.
Предимство на изобретението е максимално редуцираната метрологична грешка чрез разполагане на термопреобразувателя (диодния елемент) върху сензора на Хол в средната му част, ограничавайки драстично негативното влияние на температурния градиент върху диодния елемент, управляващ операционния усилвател.An advantage of the invention is the maximally reduced metrological error by placing the thermocouple (diode element) on the Hall sensor in its middle part, drastically limiting the negative influence of the temperature gradient on the diode element controlling the operational amplifier.
Предимство е също широкият температурен диапазон на стабилизирана магниточувствителност в резултат на линейното термозависимо напрежение от диода, функциониращ в режим генератор на ток и корелиращо с линейната зависимост на чувствителността от температурата.Another advantage is the wide temperature range of stabilized magnetic sensitivity as a result of the linear thermo-dependent voltage of the diode, operating in current generator mode and correlating with the linear dependence of the sensitivity on temperature.
Предимство е още опростената конструкция на сензора на Хол със стабилизирана магниточувствителност, съдържаща само един термопреобразувател (диоден елемент) в съчетание с еднотипни технологични процеси за формиране на сензора на Хол и диода при отсъствие на терморезистори, изискващи допълнителни Операции за тяхното реализиране.Another advantage is the simplified design of the Hall sensor with stabilized magnetic sensitivity, containing only one thermocouple (diode element) in combination with the same technological processes for forming the Hall sensor and diode in the absence of thermistors, requiring additional operations for their implementation.
ОПИСАНИЕ НА ПРИЛОЖЕНИТЕ ФИГУРИDESCRIPTION OF THE ATTACHED FIGURES
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената Фигура 1.The invention is illustrated in more detail by an exemplary embodiment thereof, given in the attached Figure 1.
ПРИМЕРИ ЗА ИЗПЪЛНЕНИЕEXAMPLES OF IMPLEMENTATION
Сензорът на Хол със стабилизирана магниточувствителност съдържа полупроводникова подложка 1 с примесна проводимост, върху едната страна на която са формирани сензор на Хол 2 и диоден елемент 3, разположен върху сензора 2 в средната му част, има още токоизточник 4 и операционен усилвател 5 с управляем коефициент на усилвайе. Изводите на токоизточника 4 са съединени със захранващите контакти 6 и 7 на сензора 2 и с тези на операционния усилвател 5. Диодният елемент 3 е включен в права посока към токоизточника 4 и е в режим генератор на ток. Двата изходни (Холови) контакти 8 и 9 на сензора 2 са съединени с входа на усилвателя 5, а към втория, управляващия му вход е свързан изхода 10 на диодния елемент 3. Измерваното магнитно поле 11 е перпендикулярно на активната повърхност на сензора 2 като изходът 12 на усилвателя 5 е изход на сензора на Хол със стабилизирана магниточувствителност.The Hall sensor with stabilized magnetic sensitivity contains a semiconductor substrate 1 with impurity conductivity, on one side of which are formed a Hall sensor 2 and a diode element 3 located on the sensor 2 in its middle part, there is also a current source 4 and an operational amplifier 5 of amplification. The terminals of the current source 4 are connected to the power contacts 6 and 7 of the sensor 2 and to those of the operational amplifier 5. The diode element 3 is connected in a straight direction to the current source 4 and is in current generator mode. The two output (Hall) contacts 8 and 9 of the sensor 2 are connected to the input of the amplifier 5, and to the second, its control input is connected the output 10 of the diode element 3. The measured magnetic field 11 is perpendicular to the active surface of the sensor 2. 12 of the amplifier 5 is the output of the Hall sensor with stabilized magnetic sensitivity.
Действието на сензора на Хол със стабилизирана магниточувствителност, съгласно изобретението, е следното. При свързване на захранващите контакти 6 и 7 на сензора на Хол 2 с токоизточника 4, в активната преобразувателна зона с п-тип примесна проводимост на елемента 2 протича захранващ ток /6>7, състоящ се основно от електрони. Прилагането на измерваното магнитно поле В 11 перпендикулярно на равнината на подложката 1, т.е. на сензора 2, води до възникване на странично отклоняваща електроните сила на Лоренц Fl = gVdr х В, където q е елементарният товар на електрона, а У*.· е средната дрейфова скорост на токоносителите, [6]. До неотдавна в теорията на ефекта на Хол се приемаше, че допълнителните електрони, концентрирани от силата FL върху съответната Холова страна на елемента на Хол 2, например с контакт 8, Фигура 1, са неподвижни както „оголените” от същата сила FL положителни донорни йони ND+ на срещуположната с контакт 9. Съгласно изследванията на Руменин, Лозанова и Нойков [7] е открито съществуването на магнитноуправляем повърхностен ток AIs(Iq,B) върху Холовите повърхности, в нашия случай тези с контактите 8 и 9. Той е линейна и нечетна функция от стойността и посоката както на захранващия ток Ι^Ί, така и на магнитното поле В 11. Токът AZs(/OrB) е фундаментална закономерност. Този ток е резултат от иновативната концепция за подвижни, а не статични неравновесни токоносители, генерирани от силата FL. Чрез този сензорен механизъм коректно се обяснява и оптимизира магниточувствителността или преобразувателната ефективност на сензорите на Хол, включително и на показания на Фигура 1 квадратен елемент. В резултат между контакти 8 и 9 се генерира добре известното нечетно и линейно напрежение на Хол VH8,9(7o>F)· Чувствителността S в полупроводниковите сензори за магнитно поле, включително елементите на Хол 2, притежват принципния недостатък, свързан с изменението на температурата Т на околната среда. Параметърът S линейно намалява ако температурата Т нараства, и обратно чувствителността S нараства с намаляване на температурата Т. В силициевите сензори на Хол температурният коефициент на магниточувствителността съставлява Т.С. ~ - 0.1 %/ °C, [6].The operation of the Hall sensor with stabilized magnetic sensitivity according to the invention is as follows. When the supply contacts 6 and 7 of the Hall sensor 2 are connected to the current source 4, a supply current / 6> 7 , consisting mainly of electrons, flows in the active conversion zone with p-type impurity conductivity of the element 2. The application of the measured magnetic field B 11 perpendicular to the plane of the substrate 1, i. of sensor 2, leads to the occurrence of lateral electron deflection of Lorentz Fl = gV dr x B, where q is the elementary load of the electron, and Y *. · is the average drift velocity of the current carriers, [6]. Until recently, in Hall theory, it was assumed that additional electrons concentrated by the force F L on the corresponding Hall side of the Hall element 2, for example with contact 8, Figure 1, were as stationary as the "naked" F L positives. donor ions N D + of the opposite with contact 9. According to the research of Rumenin, Lozanova and Noykov [7] the existence of magnetically controlled surface current AI s (Iq, B) on Hall surfaces, in our case those with contacts 8 and 9, was found. is a linear and odd function of the value and direction of both the supply current Ι ^ Ί and the magnetic field B 11. The current AZ s (/ Or B) is a fundamental law. This current is the result of the innovative concept of mobile rather than static non-equilibrium current carriers generated by the force F L. This sensor mechanism correctly explains and optimizes the magnetic sensitivity or conversion efficiency of Hall sensors, including the square element shown in Figure 1. As a result, the well-known odd and linear voltage of Hall V H 8.9 (7o> F) is generated between contacts 8 and 9 · The sensitivity S in semiconductor magnetic field sensors, including Hall 2 elements, has the fundamental disadvantage associated with the change of the ambient temperature T. The parameter S decreases linearly if the temperature T increases, and conversely the sensitivity S increases with decreasing temperature T. In silicon Hall sensors, the temperature coefficient of magnetic sensitivity is T.S. ~ - 0.1% / ° C, [6].
В рамките на съвременната интегрална силициева технология найефективният способ за решаване на този метрологичен проблем е чрез температурнозависим сигнал (напрежение) V(T) от допълнителен сензор за температура 3. Чрез напрежението V(T) подходящо се управлява коефициентът на усилване на усилвателя 5, на чийто основен вход е подаден Холовият сигнал Ц^Д/о-В). По този начин изходното напрежение 12 на операционния усилвател 5 не трябва да се промена при фиксирано магнитно поле В 11, В - const, от температурата Т. Ето защо в съществуващото решение са интегрирани от всички страни йй сензора на Хол 2 терморезисторни групи, които да регистрират температурата в областта със сензора 5. Информационният сигнал от тях се подава на управляващия вход на усилвателя 5, променяйки усилването е температурното изменение. Така се управлява магниточувствителността S и се постига нейната стабилизация. Недостатъкът на това решениае е, че в рамките на площ с размери от няколкостотин микрометра, съдържаща сензора 2 и терморезисторната група винаги съществува градиент на температурата. Произходът му е свързан както от структурната нехомогенност на обема и повърхността на подложката 1, така и от генерираната топлина от функционирането на сензора на Хол 2. В резултат термоградиентът генерира в напрежението V(T), управляващо операционния усилвател 5, паразитна компонента, внасяща метрологичната грешка. Това решение съдържа и друг недостатък нелинейността на генерираното термонапрежение от терморезисторите. Независимо от технологичните способи за оптимизация и настрзойки, проблемът с нелинейността винаги съществува. Преодоляването на описаните недостатъци в нашия случай за първи път е постигнато чрез: 1. разполагане само на един термосензор 3, обаче в средата на елемента на Хол 2, и 2. замяна на терморезисторите с диоден елемент 3, включен в права посока към токоизточника 4 в режим генератор на ток. При такова функциониране зависимостта на напрежението V(T) Vp.n(7) върху р-п прехода от температурата Т при константен ток през диода е линейна в твърде широк диапазон АТ ~ 100 °C [6]. При силициевите диоди температурният коефициент на чувствителност при захранващ ток Λ = 100 μΑ съставлява Kp.n ~ 2 mV/°C. С увеличаване на тока /3 коефициентът Кр.п намалява. Центрирането на диодния елемент 3 върху сензора на Хол 2 обуславя отстраняване на проявите на градиентното температурно поле. Освен това размерите на диодния преобразувател Зее повече от порядък по-малък от самия Холов сензор 2, което драстично минимизира негативното въздействие на градиента на температурата. Следователно пропорционалното управление на усилването на операционния усилвател 5 чрез линейното напрежение Vp.n(T) позволява точна калибровка на температурното въздействие върху магниточувствителността и нейното стабилизиране в твърде щирок температурен диапазон. Опростяването на конструкцията се постига с използване само на един термосензор 3, а не на група терморезисторни сегменти. Освен това технологията за формиране на диодния елемент 3 е съвместима с процесите за изготвянето на сензора на Хол 2, което е също предимство.Within the framework of modern integrated silicon technology, the most effective way to solve this metrological problem is by a temperature-dependent signal (voltage) V (T) from an additional temperature sensor 3. The voltage V (T) appropriately controls the gain of the amplifier 5, whose main input is the Hall signal C ^ D / o-B). Thus, the output voltage 12 of the operational amplifier 5 should not change at a fixed magnetic field B 11, B - const, from the temperature T. Therefore, in the existing solution are integrated on all sides and the Hall 2 sensor thermistor groups to register the temperature in the area with the sensor 5. The information signal from them is fed to the control input of the amplifier 5, changing the gain is the temperature change. In this way the magnetic sensitivity S is controlled and its stabilization is achieved. The disadvantage of this solution is that within an area of several hundred micrometers containing the sensor 2 and the thermistor group, there is always a temperature gradient. Its origin is related both by the structural inhomogeneity of the volume and surface of the substrate 1 and by the heat generated by the operation of the Hall sensor 2. As a result, the thermogradient generates in the voltage V (T) controlling the operational amplifier 5, a parasitic component error. This solution contains another disadvantage of the nonlinearity of the generated thermal voltage by the thermistors. Regardless of the technological methods for optimization and tuning, the problem of nonlinearity always exists. Overcoming the described shortcomings in our case was achieved for the first time by: 1. placing only one thermosensor 3, however, in the middle of the Hall element 2, and 2. replacing the thermistors with a diode element 3 connected in a direct direction to the current source 4 in current generator mode. In such operation, the voltage dependence V (T) Vp. n (7) on the p-n transition from the temperature T at a constant current through the diode is linear in a very wide range AT ~ 100 ° C [6]. In the case of silicon diodes, the temperature sensitivity factor at supply current Λ = 100 μΑ is K p . n ~ 2 mV / ° C. With increasing current / 3 the coefficient K p . n decreases. The centering of the diode element 3 on the Hall 2 sensor causes the elimination of the manifestations of the gradient temperature field. In addition, the dimensions of the Zee diode converter are more than an order of magnitude smaller than the Hall sensor 2 itself, which drastically minimizes the negative impact of the temperature gradient. Therefore, the proportional control of the gain of the operational amplifier 5 by the line voltage Vp. n (T) allows accurate calibration of the temperature effect on the magnetic sensitivity and its stabilization in a very wide temperature range. Simplification of the design is achieved by using only one thermosensor 3 and not a group of thermistor segments. In addition, the technology for forming the diode element 3 is compatible with the processes for the preparation of the Hall sensor 2, which is also an advantage.
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение е, че за първи път в сензориката на ефекта на Хол отстраняването на негативното влияние на температурата върху, основния метрологичен параметър - чувствителността е осъществено чрез интегрирани диоден елемент 3 и сензор на Хол 2 в иновативна конструкция. Постигнато е едновременно линейно температурно поведение както на преобразувателната ефективност S на сензора 2, така и на референтния преобразувател - диодния елемент 3. Възможно е последователно свързване на диода 3 и захранващите контакти 6 и 7 на сензора на Хол 2. Това е целесъобразно ако не се налагат високи стойности на изходния сигнал. Подобна схема опростява още конструкцията на решението.The unexpected positive effect of the new technical solution is that for the first time in the Hall effect sensor the elimination of the negative influence of temperature on the main metrological parameter - the sensitivity is realized by integrated diode element 3 and Hall sensor 2 in an innovative design. Simultaneous linear temperature behavior of both the conversion efficiency S of the sensor 2 and the reference converter - the diode element 3 is achieved. It is possible to connect the diode 3 and the supply contacts 6 and 7 of the Hall sensor 2 in series. This is appropriate if not impose high values on the output signal. Such a scheme further simplifies the construction of the solution.
Реализацията на новия сензор на Хол със стабилизирана магниточувствителност с процесите на CMOS и BiCMOS технологиите. Предложеното техническо решение е еднакво приложимо както към сензорите на Хол 2 с ортогонално активизиране, така и за модификациите с равнинна магниточувствителност.The implementation of the new Hall sensor with stabilized magnetic sensitivity with the processes of CMOS and BiCMOS technologies. The proposed technical solution is equally applicable to Hall 2 sensors with orthogonal activation and for modifications with planar magnetic sensitivity.
ПРИЛОЖЕНИЕ: една фигураAPPENDIX: one figure
ЛИТЕРАТУРАLITERATURE
[1] S.H. Lindenberger, Active stabilization of the magnetic sensitivity in CMOS Hall sensors, MEMS Engineering and Technology series, v. 26, ΪΜΤΕΚ, Uni of Freiburg, 2017.[1] S.H. Lindenberger, Active stabilization of the magnetic sensitivity in CMOS Hall sensors, MEMS Engineering and Technology series, v. 26, ΪΜΤΕΚ, Uni of Freiburg, 2017.
[2] S. Huber, C. Schott, A. Laville, W. Leten, Stress sensor for measuring mechanical stress in a semiconductor chip and stress compensated Hall sensor, European Patent EP2490036, 2012.[2] S. Huber, C. Schott, A. Laville, W. Leten, Stress sensor for measuring mechanical stress in a semiconductor chip and stress compensated Hall sensor, European Patent EP2490036, 2012.
[3] S. Huber, S. Francois, Stress and temperature compensated Hall sensor and method, US Patent US2016377690, 2015.[3] S. Huber, S. Francois, Stress and temperature compensated Hall sensor and method, US Patent US2016377690, 2015.
[4] A. Ajbl, M. Pastre, M. Kayal, A fully integrated Hall sensor microsystem for contactless current measurement, IEEE Sensors J., 13(6) (2013) 2271-2278.[4] A. Ajbl, M. Pastre, M. Kayal, A fully integrated Hall sensor microsystem for contactless current measurement, IEEE Sensors J., 13 (6) (2013) 2271-2278.
[5] M. Pastre, Methodology for the digital calibration of analog circuits and systems - application to a Hall sensor microsystem, PhD dissert., EPFL, Switzerland, 2005.[5] M. Pastre, Methodology for the digital calibration of analog circuits and systems - application to a Hall sensor microsystem, PhD dissert., EPFL, Switzerland, 2005.
[6] C. Roumenin, Microsensors for magnetic field, in „MEMS - a practical guide to design, analysis and application”, J.G. Korvink and O. Paul, eds, W. Andrew Publ., USA, pp. 453-521, 2006.[6] C. Roumenin, Microsensors for magnetic field, in “MEMS - a practical guide to design, analysis and application”, J.G. Korvink and O. Paul, eds, W. Andrew Publ., USA, pp. 453-521, 2006.
[7] C. Roumenin, S. Lozanova, S. Noykov, Experimental evidence of magnetically controlled surface current in Hall devices, Sensors and Actuators, A 175 (2012) 45-52.[7] C. Roumenin, S. Lozanova, S. Noykov, Experimental evidence of magnetically controlled surface current in Hall devices, Sensors and Actuators, A 175 (2012) 45-52.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG112664A BG67184B1 (en) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | Hall effect sensor with stabilized magnetic sensitivity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG112664A BG67184B1 (en) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | Hall effect sensor with stabilized magnetic sensitivity |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BG112664A true BG112664A (en) | 2019-07-31 |
| BG67184B1 BG67184B1 (en) | 2020-11-16 |
Family
ID=74126196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BG112664A BG67184B1 (en) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | Hall effect sensor with stabilized magnetic sensitivity |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| BG (1) | BG67184B1 (en) |
-
2018
- 2018-01-09 BG BG112664A patent/BG67184B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BG67184B1 (en) | 2020-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105652220B (en) | Hall sensor and compensation method for offset caused by temperature distribution of Hall sensor | |
| Wouters et al. | Design and fabrication of an innovative three-axis Hall sensor | |
| BG112664A (en) | Hall effect sensor with stabilized magnetic sensitivity | |
| US20170199252A1 (en) | Hall sensor | |
| Roumenin et al. | Linear displacement sensor using a new CMOS double-hall device | |
| Lozanova et al. | Functional multisensor for temperature and subsequent 3D magnetic-field measurement | |
| Lozanova et al. | A novel coupling of three-contact parallel-field Hall devices for offset compensation | |
| BG112679A (en) | Magneto diode sensor | |
| BG112676A (en) | Magnetic field sensor | |
| US20230236267A1 (en) | Sensor calibration circuit | |
| Lozanova et al. | Three-contact in-plane sensitive Hall devices | |
| BG112816A (en) | Semiconductor configuration with planar magnetic sensitivity | |
| BG67136B1 (en) | The hall effect magnetometer | |
| BG113625A (en) | INTEGRAL HALL SENSOR WITH PLANE SENSITIVITY | |
| Lozanova et al. | A Novel In-plane-sensitive Double-Hall Device | |
| BG67384B1 (en) | Hall effect microsensor with an in-plane sensitivity | |
| BG112669A (en) | Offset-compensated hall effect sensor | |
| Stephan et al. | Spatially resolved measurement of magnetic flux density using a 32× 32 CMOS-integrated hall sensor array | |
| BG112808A (en) | Hall effect microsensor with an in-plane sensitivity | |
| BG66830B1 (en) | In-plane magnetosensitive sensor device | |
| Lozanova et al. | Magnetotransistor Sensors with Different Operation Modes | |
| BG3289U1 (en) | Sensor circuit with offset compensation | |
| BG112532A (en) | Hall effect element | |
| BG113018A (en) | In-plane magnetosensitive hall effect device | |
| BG67550B1 (en) | Planar magnetosensitive sensor |