BG112816A - Semiconductor configuration with planar magnetic sensitivity - Google Patents
Semiconductor configuration with planar magnetic sensitivity Download PDFInfo
- Publication number
- BG112816A BG112816A BG112816A BG11281618A BG112816A BG 112816 A BG112816 A BG 112816A BG 112816 A BG112816 A BG 112816A BG 11281618 A BG11281618 A BG 11281618A BG 112816 A BG112816 A BG 112816A
- Authority
- BG
- Bulgaria
- Prior art keywords
- contact
- contacts
- configuration
- pad
- long sides
- Prior art date
Links
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Description
ПОЛУПРОВОДНИКОВА КОНФИГУРАЦИЯ С РАВНИННА МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛНОСТSEMICONDUCTOR CONFIGURATION WITH PLANE MAGNETIC SENSITIVITY
ОБЛАСТ НА ТЕХНИКАТАFIELD OF THE INVENTION
Изобретението се отнася до полупроводникова конфигурация с равнинна магниточувствителност, приложимо в областта на роботиката и мехатрониката, контролно-измервателната технология, позиционирането на обекти в равнината и пространството, слабополевата магнитометрия, навигацията, електромобилостроенето, автоматиката, безконтактното измерване на ъглови и линейни премествания, квантовата комуникация, 3D и минимално инвазивната хирургия, безпилотните летателни системи, военното дело и контратероризма.The invention relates to a semiconductor configuration with planar magnetosensitivity, applicable in the field of robotics and mechatronics, control and measurement technology, positioning of objects in the plane and space, low-field magnetometry, navigation, electrical automotive, automation, non-contact measurement of angular and angular measurements. , 3D and minimally invasive surgery, unmanned aerial systems, warfare and counterterrorism.
ПРЕДШЕСТВАЩО СЪСТОЯНИЕ НА ТЕХНИКАТАBACKGROUND OF THE INVENTION
Известна е полупроводникова конфигурация с равнинна магниточувствителност, съдържаща полупроводникова подложка с п-тип примесна проводимост, върху едната страна на която са формирани последователно на разстояния един от друг четири правоъгълни омични контакти, от ляво надясно - първи, втори, трети и четвърти, разположени успоредно на дългите си страни. Първият и третия контакт са свързани с токоизточник, а вторият и четвъртият са диференциалният изход на конфигурацията като измерваното магнитно поле е успоредно както на равнината на подложката, така и на дългите страни на правоъгълните контакти, [1 - 6].A semiconductor configuration with a plane magnetic sensitivity is known, comprising a semiconductor substrate with p-type impurity conductivity, on one side of which four rectangular ohmic contacts are formed successively at distances from each other, from left to right - first, second, third and fourth, located parallel on its long sides. The first and third contacts are connected to a current source, and the second and fourth are the differential output of the configuration as the measured magnetic field is parallel to both the plane of the substrate and the long sides of the rectangular contacts, [1 - 6].
Недостатък на тази полупроводникова конфигурация с равнинна магниточувствителност е наличието на паразитно напрежение на диференциалния изход в отсъствие на магнитно поле (офсет) в резултат преди всичко на електрическата асиметрия, породена от присъщата за тази структура асиметрия на токовата траектория по отношение на двата изходни контакта, както и неминуеми технологични несъвършенства, механични напрежения най-често от корпусирането на чипа, температурни градиенти и др.A disadvantage of this semiconductor configuration with planar magnetic sensitivity is the presence of a parasitic voltage at the differential output in the absence of a magnetic field (offset) as a result primarily of the electrical asymmetry caused by the inherent asymmetry of the current path with respect to the two output contacts. and inevitable technological imperfections, mechanical stresses most often from the chip housing, temperature gradients, etc.
Недостатък е също нелинейността на изходното напрежение в магнитно поле поради различните по стойност потенциали на Хол върху двата изходни контакта, генерирани от ефекта на Хол, което е причината независимо, че изходът е диференциален известна част от силно нелинейната магниторезистивна компонента, присъстваща в полупроводиците да прониква в изхода, смесвайки се с метрологичния линеен сигнал.Another disadvantage is the nonlinearity of the output voltage in a magnetic field due to the different value of Hall potentials on the two output contacts generated by the Hall effect, which is the reason despite the fact that the output is a differential part of the highly nonlinear magnetoresistive component present in semiconductors. at the output, mixing with the metrological linear signal.
ТЕХНИЧЕСКА СЪЩНОСТTECHNICAL ESSENCE
Задача на изобретението е да се създаде полупроводникова конфигурация с равнинна магниточувствителност с максимално редуциран офсет и линеен изход.The object of the invention is to create a semiconductor configuration with planar magnetic sensitivity with maximally reduced offset and linear output.
Тази задача се решава с полупроводникова конфигурация с равнинна магниточувствителност, съдържаща две еднакви полупроводникови подложки с п-тип примесна проводимост, разположени успоредно една спрямо друга - първа и втора. Върху едната страна на всяка от тях са формирани последователно на разстояния един от друг по четири правоъгълни омични контакти, от ляво надясно - първи, втори, трети и четвърти, разположени успоредно на дългите си страни. Първият контакт на първата подложка и четвъртият контакт на втората през токоизточник са свързани с третия контакт на първата и втория контакт на втората подложка. Вторият контакт на първата подлока е съединен с първия контакт на втората, а четвъртият контакт на първата е свързан с третия контакт на втората. Четвъртият контакт на първата и първият контакт на втората подложка са диференциалният изход на конфигурацията като измерваното магнитно поле е успоредно както на равнината на подложките, така и на дългите страни на правоъгълните контакти.This problem is solved with a semiconductor configuration with planar magnetic sensitivity, containing two identical semiconductor pads with p-type impurity conductivity, located parallel to each other - first and second. On one side of each of them are formed successively at distances from each other four rectangular ohmic contacts, from left to right - first, second, third and fourth, located parallel to their long sides. The first contact of the first pad and the fourth contact of the second through a power source are connected to the third contact of the first and second contact of the second pad. The second contact of the first washer is connected to the first contact of the second, and the fourth contact of the first is connected to the third contact of the second. The fourth contact of the first and the first contact of the second pad are the differential output of the configuration as the measured magnetic field is parallel to both the plane of the pads and the long sides of the rectangular contacts.
Предимство на изобретението е драстично редуцираният офсет в резултат на свързване на контактите от двете подложки по двойки така, че се постига взаимно изравняване на електрическите потенциали на изхода, независимо от асиметрията на токовите траектории.An advantage of the invention is the drastically reduced offset as a result of connecting the contacts of the two pads in pairs so as to achieve mutual equalization of the electrical potentials of the output, regardless of the asymmetry of the current trajectories.
Предимство е също линейността на изходното напрежение поради оригиналното свързване на контактите, формиращи диференциалния изход, осъществявайки максимално възможна компенсация на силно нелинейното магнитосъпротивление.The linearity of the output voltage is also an advantage due to the original connection of the contacts forming the differential output, providing the maximum possible compensation of the strongly nonlinear magnetic resistance.
Предимство е още и повишената измервателна точност в резултат на компенсирането на паразитния офсет едновременно с минимизиране на температурния дрейф и подобрената линейност на изхода.Another advantage is the increased measurement accuracy as a result of the compensation of the parasitic offset simultaneously with the minimization of the temperature drift and the improved linearity of the output.
ОПИСАНИЕ НА ПРИЛОЖЕНИТЕ ФИГУРИDESCRIPTION OF THE ATTACHED FIGURES
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената Фигура 1.The invention is illustrated in more detail by an exemplary embodiment thereof, given in the attached Figure 1.
ПРИМЕРИ ЗА ИЗПЪЛНЕНИЕEXAMPLES OF IMPLEMENTATION
Полупроводниковата конфигурация с равнинна магниточувствителност съдържа две еднакви полупроводникови подложки с ч-тип примесна проводимост, разположени успоредно една спрямо друга - първа 1 и втора 2. Върху едната страна на всяка от тях са формирани последователно на разстояния един от друг по четири правоъгълни омични контакти, от ляво надясно - първи 3 и 4, втори 5 и 6, трети 7 и 8 и четвърти 9 и 10, разположени успоредно на дългите си страни. Първият контакт 3 на първата подложка 1 и четвъртият контакт 10 на втората 2 през токоизточник 11 са свързани с третия контакт 7 на първата 1 и втория контакт 6 на втората подложка 2. Вторият контакт 5 на първата подложка 1 е съединен с първия контакт 4 на втората 2, а четвъртият контакт 9 на първата 1 е свързан с третия контакт 8 на втората 2. Четвъртият контакт 9 на първата 1 и първият контакт 4 на втората подложка 2 са диференциалният изход 12 на конфигурацията като измерваното магнитно поле 13 е успоредно както на равнината на подложките 1 и 2, така и на дългите страни на правоъгълните контакти 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 и 10.The semiconductor configuration with planar magnetic sensitivity contains two identical semiconductor substrates with h-type impurity conductivity, located parallel to each other - first 1 and second 2. On one side of each of them are formed successively at distances from each other four rectangular ohmic contacts, from left to right - first 3 and 4, second 5 and 6, third 7 and 8 and fourth 9 and 10, located parallel to their long sides. The first contact 3 of the first pad 1 and the fourth pin 10 of the second 2 through a current source 11 are connected to the third pin 7 of the first 1 and the second pin 6 of the second pad 2. The second pin 5 of the first pad 1 is connected to the first pin 4 of the second 2, and the fourth contact 9 of the first 1 is connected to the third contact 8 of the second 2. The fourth contact 9 of the first 1 and the first contact 4 of the second pad 2 are the differential output 12 of the configuration as the measured magnetic field 13 is parallel to the plane of pads 1 and 2, and on the long sides of the rectangular contacts 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 and 10.
Действието на полупроводниковата конфигурация с равнинна магниточувствителност, съгласно изобретението, е следното. Поради планарността на захранващите омични контакти 3, 10, 7 и 6, Фигура 1, които в отсъствие на магнитно поле В = 0 представляват еквипотенциални равнини, токовите траектории първоначално са насочени вертикално надолу в обема на подложки 1 и 2, след това стават успоредни на горните им повърхности, и накрая отново са перпендикулярни към горните равнини. Следователно токовите линии в така формираните равнинномагниточувствителни елементи на Хол са криволинейни. Съгласно избраната оригинална схема на включване на двете еднакви структури, посоките на равните по стойност захранващи токове в тях са противоположно насочени. Предвид тази огледална симетрия на двата конструктивно идентични преобразуватели на Хол, те могат де се разглеждат като функционално интегрирани в действието си. Това означава, че на отделните диференциални изходи V5g и V^, формирани от контакти 5 и 9, и съответно 4 и 8, при отсъствие на магнитно поле В = 0, в идеалния случай следва да отсъстват офсети, = 0) = Т4,8(В = 0) = 0. В резултат обаче на геометричната асиметрия на двете токови траектории /3)7 и 7б,ю спрямо съответните изходни контакти 5-9 и 4-8, на тези изходи винаги присъства офсет V^B = 0) 0 и V^(B = 0) 0. В предложеното решение, Фигура 1, преодоляването на този сериозен сензорен недостатък се постига с директното скъсяване на контакти 5 — 4и8 — 9 на подложки 1 и 2. При такова нестандартно свързване протичат компенсиращи (изравняващи) токове между самите подложки 1 и 2, уеднаквяващи електрическите условия (потенциали) в тях. Ето защо в зоните на двата изходни контакти 5 - 9 и 4 - 8 в отсъствие на магнитно поле В 13, В — 0, офсетът е драстично редуциран или компенсиран (нулиран), = 0) ~ θ· Този подход в сравнение със сложната динамична компенсация на офсета или т.н. токов спининг [6], е съществено опростен и е иманентен на самото техническо решение като крайните резултати и в двата случая са близки.The action of the plane magnetic sensitivity semiconductor configuration according to the invention is as follows. Due to the planarity of the supply ohmic contacts 3, 10, 7 and 6, Figure 1, which in the absence of magnetic field B = 0 represent equipotential planes, the current trajectories are initially directed vertically downwards in the volume of pads 1 and 2, then become parallel to their upper surfaces, and finally again perpendicular to the upper planes. Therefore, the current lines in the thus formed plane-magnetic Hall elements are curvilinear. According to the chosen original scheme of connection of the two identical structures, the directions of the equal in value supply currents in them are oppositely directed. Given this mirror symmetry of the two structurally identical Hall transducers, they can be considered as functionally integrated in their operation. This means that the individual differential outputs V 5 g and V ^, formed by contacts 5 and 9, and 4 and 8, respectively, in the absence of a magnetic field B = 0, ideally there should be no offsets, = 0) = T 4 , 8 (B = 0) = 0. However, as a result of the geometric asymmetry of the two current trajectories / 3) 7 and 7b, yu relative to the respective output contacts 5-9 and 4-8, these outputs are always present offset V ^ B = 0) 0 and V ^ (B = 0) 0. In the proposed solution, Figure 1, the overcoming of this serious sensory defect is achieved by the direct shortening of contacts 5 - 4 and 8 - 9 on pads 1 and 2. In such a non-standard connection compensating (equalizing) currents between the pads 1 and 2, equalizing the electrical conditions (potentials) in them. Therefore, in the areas of the two output contacts 5 - 9 and 4 - 8 in the absence of a magnetic field B 13, B - 0, the offset is drastically reduced or compensated (reset), = 0) ~ θ · This approach compared to the complex dynamic offset compensation or etc. current spinning [6], is significantly simplified and is immanent to the technical solution itself as the final results in both cases are close.
При поставяне на полупроводниковата конфигурация с планарна чувствителност в магнитно поле В 13, протичат следните магнитноелектрични процеси, генерирани чрез съответните сили на Лоренц FL,i = qV& х В. Траекториите на движещите се в обемите на подложки 1 и 2 електрони със средна дрейфова скорост Edr се изменят както следва. Например, в подложка 1 токовите линии /3,7 се „свиват” нагоре към повърхността и в зоната с контакт 5 се генерират от ефекта на Хол допълнителни отрицателни товари като потенциалът там е отрицателен. Едновременно с това в зоната на контакт 9 потенциалът става положителен и между контакти 5 и 9 възниква напрежение на Хол V^^B). В подложка 2 токовата компонента /ю,б се удължава навътре в обема, като потенциалът върху контакт 8 става положителен, докато в зоната с контакт 4 се генерират от ефекта на Хол допълнителни отрицателни товари потенциалът там е отрицателен. В резултат върху контакти 4 и 8 се генерира напрежение на Хол - което обаче е с противоположна полярност на това между контакти 5 и 9, V^B). Причината е противоположните посоки на захранващите токове /3,7 и Адо в подложки 1 и 2. Следователно оригиналното свързване на двата елемента на Хол осъществява генериране на две напрежения на Хол ^ρ(Β) и - ΙΖ^Β), които предвид идентичността на струтктурите 1 и 2 са близки по стойност, но са с противоположен знак ^5,9(B) ~ I ^4,s(^) | · Различието в двете напрежения по стойност ψ | - ^(В) е от принципно естество. Поради несиметричността на токовите траектории спрямо изходните контакти, в магнитно поле В 13 на диференциалния изход Vn(B) 12 на конфигурацията присъства силно нелинейната магниторезистивна компонента MR ~ В1. Тя не може да се компенсира напълно от диференциалния изход 12 и по тази причина линейността се нарушава. Използваното обаче в конфигурацията непосредствено свързване на изходните контакти 5-4 и 9-8 изравнява чрез скъсяване на еднакви по знак офсет-потенциали, което води до максимално компенсиране на квадратично магнитосъпротивление MR ~ В? в изхода 12. По този начин се осъществява висока степен на линеаризация на изходното напрежение Г12(В). В новата конфигурация, Фигура 1, захранващите и изходните контакти на двете структури 1 и 2 са взаимозаменяеми.When placing the semiconductor configuration with planar sensitivity in a magnetic field B 13, the following magnetoelectric processes occur, generated by the corresponding Lorentz forces F L , i = qV & x B. The trajectories of electrons moving in the volumes of substrates 1 and 2 with average drift velocity E dr are amended as follows. For example, in substrate 1 the current lines / 3 , 7 "shrink" upwards to the surface and in the contact zone 5 additional negative loads are generated by the Hall effect and the potential there is negative. At the same time in the contact zone 9 the potential becomes positive and a voltage of Hall V ^^ B) occurs between contacts 5 and 9. In substrate 2, the current component (s), b is extended inwards in the volume, the potential on contact 8 becoming positive, while in the contact area 4 additional negative loads are generated by the Hall effect, the potential there is negative. As a result, a Hall voltage is generated on contacts 4 and 8 - which, however, has the opposite polarity to that between contacts 5 and 9, V ^ B). The reason is the opposite directions of the supply currents / 3,7 and Ado in pads 1 and 2. Therefore, the original connection of the two Hall elements generates two voltages of Hall ^ ρ (Β) and - ΙΖ ^ Β), which given the identity of structures 1 and 2 are close in value, but have opposite sign ^ 5,9 (B) ~ I ^ 4, s (^) | The difference in the two voltages by value - ^ (B) is of a principled nature. Due to the asymmetry of the current trajectories with respect to the output contacts, a strongly nonlinear magnetoresistive component MR ~ B 1 is present in the magnetic field B 13 of the differential output Vn (B) 12 of the configuration. It cannot be fully compensated by the differential output 12 and therefore the linearity is disturbed. However, the direct connection of the output contacts 5-4 and 9-8 used in the configuration equalizes by shortening the same sign offset potentials, which leads to maximum compensation of the quadratic magnetic resistance MR ~ B? in the output 12. In this way a high degree of linearization of the output voltage D 12 (B) is realized. In the new configuration, Figure 1, the supply and output contacts of the two structures 1 and 2 are interchangeable.
Също така чрез високата степен на компенсация на офсета се осъществява и минимизиране на температурния дрейф на характеристиките. Ето защо подобрената линейност, минималният температурен дрейф и редуцираният офсет едновременно повишават измервателната точност на конфигурацията на Хол.Also, through the high degree of offset compensation, the temperature drift of the characteristics is minimized. Therefore, the improved linearity, the minimum temperature drift and the reduced offset simultaneously increase the measurement accuracy of the Hall configuration.
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение е, че посредством иновативното свързване на омичните контакти на подложки 1 и 2 се осъществява въздействие върху галваномагнитните процеси в двете структури 1 и 2 с цел постигане на електрическа симетрия, повишаваща измервателната точност чрез минимален темперагурен дрейф, подобрена линейност и редуциран/компенсиран паразитен офсет.The unexpected positive effect of the new technical solution is that by means of the innovative connection of the ohmic contacts of pads 1 and 2 the galvanomagnetic processes in the two structures 1 and 2 are influenced in order to achieve electrical symmetry, increasing the measurement accuracy by minimum temperature drift, improved linearity. and reduced / compensated parasitic offset.
Реализацията на новата конфигурацият на Хол с равнинна чувствителност може да се осъществи с двойки дискретни структури 1 и 2, свързани съгласно схемата от Фигура 1. По-добри характеристики и перформанс, обаче се постигат чрез силициевите CMOS или BiCMOS интегрални процеси. В този случай подложки 1 и 2 се формират с два отделни н-тип „джобове” в p-Si пластини. Тази сепарация позволява да се елиминират взаимните негативни влияния при работата на двойката елементи на Хол. Планарните омични контакти 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 и 10 се осъществяват, например, е йонна имплантация и са силно легирани п области в и-Si „джобове”. Силициевите планарни технологии позволяват едновременното формиране на конфигурацията върху общ чип заедно с усилватели и интерфейсна електроника за обработка, дигитализиране и нормиране на изходния сигнал. В такова изпълнение новия сензор представлява интегрална схема.The implementation of the new Hall configuration with plane sensitivity can be carried out with pairs of discrete structures 1 and 2 connected according to the scheme of Figure 1. Better characteristics and performance, however, are achieved by silicon CMOS or BiCMOS integrated processes. In this case, pads 1 and 2 are formed with two separate n-type "pockets" in p-Si plates. This separation allows to eliminate the mutual negative influences in the work of the pair of Hall elements. The planar ohmic contacts 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 and 10 take place, for example, by ion implantation and are strongly doped n regions in i-Si "pockets". Silicon planar technologies allow the simultaneous formation of the configuration on a common chip together with amplifiers and interface electronics for processing, digitization and normalization of the output signal. In such an embodiment, the new sensor is an integrated circuit.
Полупроводниковата конфигурация може да функционира и в областта на криогенните температури, например, температурата на кипене на течния азот Т — 77 К. В този случай магниточувствителността съществено нараства като в този режим сензорната конструкция е подходяща за слабополевата магнитометрия и контратероризма.The semiconductor configuration can also function in the field of cryogenic temperatures, for example, the boiling point of liquid nitrogen T - 77 K. In this case, the magnetosensitivity increases significantly and in this mode the sensor design is suitable for low-field magnetometry and counterterrorism.
ПРИЛОЖЕНИЕ: една фигураAPPENDIX: one figure
ЛИТЕРАТУРАLITERATURE
[1] Ч.С. Руменин, П.Т. Костов, Датчик на Хол, Авторско свид. BG № 41974 В1/06.05.1986.[1] Ch.S. Rumenin, P.T. Kostov, Hall Sensor, Author's Witness. BG № 41974 B1 / 06.05.1986.
[2] Ch.S. Roumenin, Parallel-field Hall microsensor, Compt. rendus ABS, 40(11)(1987) 59-62.[2] Ch.S. Roumenin, Parallel-field Hall microsensor, Compt. rendus ABS, 40 (11) (1987) 59-62.
[3] Ch.S. Roumenin, Bipolar magnetotransistor sensors - An invited review, Sensors and Actuators, A 24 (1990) 83-105[3] Ch.S. Roumenin, Bipolar magnetotransistor sensors - An invited review, Sensors and Actuators, A 24 (1990) 83-105
[4] Ch.S. Roumenin, Parallel-field Hall microsensors - An overview, Sensors and Actuators, A 30 (1992) 77-87,[4] Ch.S. Roumenin, Parallel-field Hall microsensors - An overview, Sensors and Actuators, A 30 (1992) 77-87,
[5] Ch. Roumenin, Solid State Magnetic Sensors, Elsevier, Amsterdam, 1994, p. 450; ISBN: 0 444 89401.[5] Ch. Roumenin, Solid State Magnetic Sensors, Elsevier, Amsterdam, 1994, p. 450; ISBN: 0 444 89401.
[6] Ch. Roumenin, “Microsensors for magnetic field”, Chapter 9, in „MEMS - a practical guide to design, analysis and applications”, ed. by J. Korvink and O. Paul, William Andrew Publ., USA, 2006, pp. 453-523; ISBN: 0-8155-1497-2.[6] Ch. Roumenin, “Microsensors for magnetic field”, Chapter 9, in “MEMS - a practical guide to design, analysis and applications”, ed. by J. Korvink and O. Paul, William Andrew Publ., USA, 2006, pp. 453-523; ISBN: 0-8155-1497-2.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG112816A BG67248B1 (en) | 2018-10-16 | 2018-10-16 | Semiconductor configuration with planar magnetic sensitivity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG112816A BG67248B1 (en) | 2018-10-16 | 2018-10-16 | Semiconductor configuration with planar magnetic sensitivity |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BG112816A true BG112816A (en) | 2020-04-30 |
| BG67248B1 BG67248B1 (en) | 2021-02-15 |
Family
ID=74855862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BG112816A BG67248B1 (en) | 2018-10-16 | 2018-10-16 | Semiconductor configuration with planar magnetic sensitivity |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| BG (1) | BG67248B1 (en) |
-
2018
- 2018-10-16 BG BG112816A patent/BG67248B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BG67248B1 (en) | 2021-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| BG112816A (en) | Semiconductor configuration with planar magnetic sensitivity | |
| BG112935A (en) | Hall effect microsensor with an in-plane sensitivity | |
| BG67247B1 (en) | Hall effect microsensor with an in-plane sensitivity | |
| BG113625A (en) | Integral hall sensor with planar sensitivity | |
| BG112771A (en) | Hall sensor configuration with planar magnetic sensitivity | |
| BG67509B1 (en) | Magnetic field sensing device | |
| BG112991A (en) | Electronic device with planar magnetic sensitivity | |
| BG67188B1 (en) | Magneto-sensitive element | |
| BG113258A (en) | Magnetosensitive microsensor | |
| Lozanova et al. | A Novel In-plane-sensitive Double-Hall Device | |
| BG66840B1 (en) | Hall effect sensor with a planar magnetic sensitivity | |
| BG67250B1 (en) | Hall effect semiconductor device | |
| BG112676A (en) | Magnetic field sensor | |
| BG113056A (en) | Integrated hall effect sensor | |
| BG112115A (en) | A micro-hall sensor with tangential sensitivity | |
| BG66830B1 (en) | In-plane magnetosensitive sensor device | |
| BG66985B1 (en) | A surface-magnetically sensitive hall transformer | |
| BG67550B1 (en) | Planar magnetosensitive sensor | |
| BG67386B1 (en) | Integrated hall effect sensor with an in-plane sensitivity | |
| BG113641A (en) | Hall element | |
| BG67187B1 (en) | Offset-compensated hall effect sensor | |
| BG67136B1 (en) | The hall effect magnetometer | |
| BG113273A (en) | Magnetic field microsensor element | |
| BG113356A (en) | Hall effect microsensor with more than one output | |
| BG113018A (en) | In-plane magnetosensitive hall effect device |