BG111536A - Двумерен полупроводников магнитометър - Google Patents

Двумерен полупроводников магнитометър

Info

Publication number
BG111536A
BG111536A BG111536A BG11153613A BG111536A BG 111536 A BG111536 A BG 111536A BG 111536 A BG111536 A BG 111536A BG 11153613 A BG11153613 A BG 11153613A BG 111536 A BG111536 A BG 111536A
Authority
BG
Bulgaria
Prior art keywords
current source
contacts
ohm
contact
dimensional semiconductor
Prior art date
Application number
BG111536A
Other languages
English (en)
Other versions
BG66704B1 (bg
Inventor
Чавдар РУМЕНИН
Сия ЛОЗАНОВА
Original Assignee
Институт По Системно Инженерство И Роботика-Бан
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт По Системно Инженерство И Роботика-Бан filed Critical Институт По Системно Инженерство И Роботика-Бан
Priority to BG111536A priority Critical patent/BG66704B1/bg
Publication of BG111536A publication Critical patent/BG111536A/bg
Publication of BG66704B1 publication Critical patent/BG66704B1/bg

Links

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

Двумерният полупроводников магнитометър съдържа полупроводникова n-тип подложка (1), върху едната страна на която са формирани централен омичен контакт (2) с квадратна форма и симетрично спрямо него правоъгълни омични контакти (3, 4, 5 и 6), токоизточник (19). Магнитно поле (20) лежи в равнината на подложката (1). Повърхностни n-тип области (7, 8, 9 и 10), разположени между четирите страни на контакта (2) и четирите контакта (3, 4, 5 и 6) са ограничени с дълбоки силно легирани р+-тип зони (11, 12, 13 и 14). Правоъгълните контакти (3, 4, 5 и 6) са свързани през еднакви по стойност товарни резистори (15, 16, 17 и 18) с единия извод на токоизточник (19), другият извод на който е съединен с контакта (2). р+-зоните (11, 12, 13 и 14) са свързани помежду си и със средната точка на високоомен тример (20), който е включен към токоизточника (19). Двойките срещуположни контакти (3 и 5) и съответно (4 и 6) спрямо централния контакт (2) са изходи (21 и 22) за двете ортогонални равнинни компоненти на вектора на магнитното поле (20). 1 претенция, 1 фигура
BG111536A 2013-07-16 2013-07-16 Двумерен полупроводников магнитометър BG66704B1 (bg)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG111536A BG66704B1 (bg) 2013-07-16 2013-07-16 Двумерен полупроводников магнитометър

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG111536A BG66704B1 (bg) 2013-07-16 2013-07-16 Двумерен полупроводников магнитометър

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BG111536A true BG111536A (bg) 2015-01-30
BG66704B1 BG66704B1 (bg) 2018-07-31

Family

ID=56847860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BG111536A BG66704B1 (bg) 2013-07-16 2013-07-16 Двумерен полупроводников магнитометър

Country Status (1)

Country Link
BG (1) BG66704B1 (bg)

Also Published As

Publication number Publication date
BG66704B1 (bg) 2018-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IN2014DE00384A (bg)
WO2013055915A3 (en) Semiconductor devices having a recessed electrode structure
GB2512553A (en) Semiconductor arrangement with active drift zone
WO2015191203A8 (en) Three-dimensional wireless charging coil
JP2014017477A5 (bg)
IN2015DN00029A (bg)
JP2016506218A5 (bg)
GB2500541A (en) Structure and method to fabricate resistor on finfet processes
WO2010003629A3 (en) Thermoelectric apparatus and methods of manufacturing the same
WO2011093953A3 (en) High voltage scrmos in bicmos process technologies
SG196747A1 (en) Thinned and flexible semiconductor elements on three dimensional surfaces
MX2014009318A (es) Conector electrico de puesta a tierra.
WO2014140000A3 (en) Lateral single-photon avalanche diode and their manufacturing method
MX2018002088A (es) Interruptor de energia.
WO2014011247A3 (en) Electrode materials and configurations for thermoelectric devices
WO2014159804A3 (en) Photoconductive semiconductor switch
MY181929A (en) Socket for semiconductor chip test and method of manufacturing the same
MY174522A (en) Electrical connector having staggered pins
BG111536A (bg) Двумерен полупроводников магнитометър
MX350629B (es) Conjunto de terminal eléctrico de perfil bajo.
MA39723A (fr) Agencement de composants électriques
IN2014DN09646A (bg)
BG112848A (bg) Полупроводниково устройство на хол
BG111537A (bg) Мултисензорен елемент
IN2014DE02731A (bg)