BE659169A - - Google Patents

Info

Publication number
BE659169A
BE659169A BE659169DA BE659169A BE 659169 A BE659169 A BE 659169A BE 659169D A BE659169D A BE 659169DA BE 659169 A BE659169 A BE 659169A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
thin film
film
metal
thin
tunnel diode
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
French (fr)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of BE659169A publication Critical patent/BE659169A/fr

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
BE659169D 1964-02-07 1965-02-02 BE659169A (h)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US34334264A 1964-02-07 1964-02-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE659169A true BE659169A (h) 1965-05-28

Family

ID=23345728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE659169D BE659169A (h) 1964-02-07 1965-02-02

Country Status (2)

Country Link
BE (1) BE659169A (h)
NL (1) NL6501491A (h)

Also Published As

Publication number Publication date
NL6501491A (h) 1965-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6268618B1 (en) Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode
EP3251468B1 (fr) Dispositif chauffant, en particulier semi-transparent
WO2013068702A1 (fr) Substrat conducteur pour cellule photovoltaïque
EP0002550B1 (fr) Procédé de création, par sérigraphie, d'un contact à la surface d'un corps semiconducteur et dispositif obtenu par ce procédé
FR2679806A1 (fr) Electrode en alliage de cuivre a hautes performances pour usinage par electroerosion et procede de fabrication.
EP0415501A1 (fr) Fil-électrode multicouches
FR2482370A1 (fr) Cellule photovoltaique au sulfure de cadmium a grand rendement et son procede de fabrication
EP0406795A1 (fr) Brin supraconducteur multifilamentaire destiné aux fréquences industrielles
BE659169A (h)
CN112640139A (zh) 制造cem器件的方法
FR2599189A1 (fr) Brin ou ruban hybride supraconducteur, son procede de preparation et brins multifilamentaires obtenus par association de tels brins hybrides
US20040232429A1 (en) Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode
CA1296112C (fr) Dispositif a semiconducteur organique a base de phtalocyanine
Diuldin et al. Highly sensitive photodetectors on the basis of Au-oxide-n-GaP0. 4As0. 6
FR2545986A1 (fr) Procede pour former des contacts ohmiques d'argent pur sur des materiaux d'arseniure de gallium de type n et de type p
CH646083A5 (en) Wire electrode for erosive electrical discharge machining
EP2875535A1 (fr) Electrode supportee transparente pour oled
FR2463508A1 (fr) Procede de realisation de contacts ohmiques sur une couche active de silicium amorphe hydrogene
FR2893632A1 (fr) Revetement a base d'argent resistant a la sulfuration, procede de depot et utilisation
Stafeev Structure and properties of Cd x Hg1− x Te-metal contacts
EP1200973B1 (fr) Cathode a oxydes amelioree et son procede de fabrication
FR2935053A1 (fr) Detecteur de rayonnement electromagnetique et procede de fabrication
EP3274480B1 (fr) Alliage monophasique d'or et de tungstene
EP0794026A1 (fr) Procédé de fabrication d'un fil stratifié de petit diamètre et en particulier d'un fil électrode pour usinage par électroérosion et fil électrode obtenu
EP0033429A2 (fr) Cellule photovoltaique applicable à la fabrication de piles solaires