<EMI ID=1.1> sistors, on fait généralement varier le facteur d'amplification en déplaçant électroniquement le point de fonctionnement en courant continu. (Voir par exemple W.F. Chow et A.P. Stem, Proc. IRE 43 (1955), p. 838-847). Les montages transistors de ce genre sont en principe des étages d'ampli-
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lement sur les caractéristiques de courant alternatif en déplaçant le point de fonctionnement en courant continu.
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que exponentielle pour de tels amplificateurs de réglage, tandis "que les transistors correspondants n'existent pas.
Dans la zone des courants et tensions normaux de fonctionnement, l'amplification des étages base-émetteur avec transistors à surface ne varie pas suffisamment pour qu'on puis-
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réglage. Pour obtenir dans les amplificateurs à transistors une variation importante de l'amplification de tension par déplacement du point de fonctionnement en courant continu, il faut, ou bien faire varier un très faible courant émet-
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rant), ou bien faire varier une très faible tension continue de collecteur quand le coûtant d'émetteur est normal
(réglage par tension). En appliquant ces procédés, on a réalisé des zones de réglage de 20 à 25 db. L'inconvénient essentiel de ces dispositifs consiste en ce que, dans la partie inférieure de la zone de réglage (c'est-à-dire à faible amplification), ils ne peuvent amplifier sans déformation que de très faible signaux d'entrée;, parce que le cou-
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par intensité, et que la tension continue de collecteur est très faible dans le cas d'un réglage par tension. Dans la région supérieure de réglage (amplification élevée) on pourrait traiter sans déformation des signaux d'entrée importants.
Mais cette propriété des étages amplificateurs
de réglage est complètement opposé aux nécessités pratiques. Les amplificateurs de réglage doivent maintenir un niveau ou volume constant à la sortie, quand le niveau ou volume d'entrée varie très fortement; autrement dit, l'amplification doit être faible quand le niveau d'entrée est élevé,
et forte quand le niveau d'entrée est faible. Des mesures effectuées sur des amplificateurs à transistors de type habituel à réglage par intensité d'émetteur ont montré que, dans la région inférieure 'de la zone de' réglage, les signaux d'entrée de plus de 8 mV ne peuvent pas être traités sans être trop déformés. La .situation n'est pas meilleure avec le réglage par tension.
On n'améliore pas non plus beaucoup la situation si l'on emploie.un amplificateur particulier de courant continu à transistor pour déplacer le point de fonctionnement en courant continu d'un étage amplificateur de courant al-
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du 15.10.1953). Dans le domaine des tubes électroniques en particulier, on a réalisé des dispositifs amplificateurs, dans lesquels on fait varier électroniquement la valeur d'une impédance de contre-réaction. (Voir les brevets alle-
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On a publié récemment un dispositif de ce genre pour des amplificateurs à transistors. (Electronics, octobre 1956,
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le circuit. de contre-réaction d'un amplificateur à transistors, une diode dont la résistance en courant alternatif varie sous l'effet .de là variation électronique du courant
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La présente invention a principalement pour but de réaliser un amplificateur de réglage à transistors ayant
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sible. Des variations extrêmement faibles de la tension de réglage doivent produire des variations aussi fortes que possible du facteur d'amplification, de façon qu'un seul étage puisse couvrir une gamme de réglage de 40 décibels ou davantage. Ce dispositif doit en même temps éviter Les relatiens précitées et nuisibles, qui exsistent entre l'état ou niveau de réglage et la possibilité de transmettre un si" gnal sans le déformer. De même que dans les amplificateurs à tubes électroniques, on doit s'efforcer d'obtenir une caractéristique de réglage exponentielle.
On peut atteindre ces objectifs si, conformément à la présente invention, on introduit dans un circuit à contre-réaction d'un amplificateur à transistors une impédance que l'on peut faire varier électroniquement entre des limites- aussi larges que possible. Pour réaliser ce principe essentiel, la présente invention prévoit que l'on insère
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dans la ligne émetteur du transistor amplificateur. Comme c'est précisément dans la zone des faibles tensions de collecteur que l'impédance de la partie collecteur-émetteur d'un transistor varie à peu près exponentiellement en fonction de la tension collecteur, cette partie collecteur-émet. teur convient très bien pour atteindre le but visé.
On décrira le principe de la présente invention ci-après en s'appuyant sur les figures jointes qui montrent: <EMI ID=13.1> à transistors, qui comprend dans son circuit émetteur une résistance de contre-réaction R variable de façon arbitraire Fig. 2 Une représentation graphique du facteur d'am- <EMI ID=14.1>
de la résistance de contre-réaction R en courant alternatif; Fig. 3 Un exemple de réalisation d'un étage d'amplificateur à transistors, dans lequel la résistance de contreréaction variable R de la fig. 1 est constituée par un <EMI ID=15.1>
tinu de réglage,-Ur;.
Fig. 4 Une représentation graphique du coefficient d'amplification en fonction de la valeur de la tension de <EMI ID=16.1> Fig. 5 Une représentation graphique de la variation <EMI ID=17.1>
glage conforme à la fig. 3 pour assurer une amplification sans déformation, en fonction du coefficient d'amplification effectif v; Fig. 6 Un amplificateur à transistor à trois étages d'amplification réglés et conformes à la ,fige 3, tel qu'on peut l'employer pour amplifier un signal radioélectrique.
On voit dans l'étage amplificateur de la fig. 1,
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ce R variable de façon arbitraire, qui est insérée dans. la ligne allant de l'émetteur du transistor au conducteur neutre ou conducteur zéro. La base du transistor reçoit une
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trice G ayant une impédance interne Wi . La résistance R. dont la valeur en courant alternatif est variable, produit un couplage à contre-réaction d'intensité dans le circuit émetteur du transistor TV. La courbe V2 de la fig, 2 mon--'
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dante de la résistance R (abscisses logarithmiques).
-4
<EMI ID=21.1> <EMI ID=22.1> fig. 1 . Mais la résistance de contre-réaction R est côns�tituée ici par la résistance du courant alternatif de la partie émetteur-collecteur d'un transistor auxiliaire TR <EMI ID=23.1>
natif) avec le conducteur neutre, par l'intermédiaire d'un élément résistance-capacité WE-CR, tandis que la base est. connectée à une diode Z (dite diode Zener) avec capacité
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valeur effective de courant alternatif de la résignée -de contre-réaction R , c'est-à-dire du circuit collecteur
<EMI ID=26.1>
sion continue de réglage augmente. Dans la zone des petites tensions de réglage, l'amplification de l'étage amplificateur varie à peu près exponentiellement avec la tension de réglage appliquée.
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du transistor amplificateur TV est amplifiée linéairement
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puis redressée dans le redresseur GR pour produire une tension continue négative -Ur , correspondant à la valeur
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continue UZ .
La tension de réglage -Ur est envoyée à la base du transistor amplificateur TV, par l'intermédiaire d'une inductance L . Comme ce transistor ne produit entre base et émetteur qu'une chute de tension faible et faiblement varia....
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sur l'amplification du transistor TV la même influence que les variations de la tension -Ur représentée fig. 4 .
Lorsqu'on monte de cette façon un étage d'amplification réglable à transistors, la tension -Ur est grande lorsque la contre-réaction est élevée (c'est-à-dire lorsque la résistance de courant alternatif "collecteur-résistance du transistor TR"-est grande) et que le coefficient d'amplification est faible, et 1;'on peut alors amplififier sans
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que, dans la partie inférieure de la bande de réglage, c'est-à-dire quand le coefficient d'amplification Vzl d'un
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peut être amplifié jusqu'à plus de 300 mV sans déformation,
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tages amplificateurs possédant des tubes de réglage spéciaux.
La fig. 6 représente un amplificateur de réglage
à trois transistors amplificateurs TV1, TV2, TV3, dont les, circuits collecteurs contiennent chacun (comme dans la <EMI ID=34.1> rie en fonction de la résistance de réglage.
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TRI, TR2, TR3, sont produites comme dans la fig. 3 par une diode Zener commune DZ , précédée par une résistance série
WZ et montée en parallèle sur une capacité CZ . Les divers étages amplificateurs-sont séparés les uns des autres par
des. condensateurs de couplage CK
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façon convenable la contre-réaction effective des trois étages d'amplification.
Un amplificateur de ce genre permet par exempla d'amplifier pratiquement sans déformation et jusqu'à un niveau de sortie constant, un signal d'entrée haute fré-
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modulation est de 100%; les signaux d'entrée relativement puissants sont atténués tandis que les signaux d'entrée faibles sont amplifiés corrélativement à leur faiblesse.
- Il est dans l'intérêt du spécialiste de rempla- <EMI ID=39.1>
des tensions d'alimentation doivent être modifiées de façon correspondante.