BE562148A - - Google Patents

Info

Publication number
BE562148A
BE562148A BE562148DA BE562148A BE 562148 A BE562148 A BE 562148A BE 562148D A BE562148D A BE 562148DA BE 562148 A BE562148 A BE 562148A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
semiconductor material
decomposition
silicon
semiconductor
bars
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
French (fr)
Publication of BE562148A publication Critical patent/BE562148A/fr

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/027Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/029Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of monosilane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
BE562148D BE562148A (enrdf_load_stackoverflow)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE562148A true BE562148A (enrdf_load_stackoverflow)

Family

ID=183856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE562148D BE562148A (enrdf_load_stackoverflow)

Country Status (1)

Country Link
BE (1) BE562148A (enrdf_load_stackoverflow)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0614852B1 (fr) Procédé de préparation du disilane à partir du monosilane par décharge électrique et piégeage cryogénique et réacteur pour sa mise en oeuvre
FR2621930A1 (fr) Procede et appareil pour la production par plasma de couches minces a usage electronique et/ou optoelectronique
FR2461424A1 (fr) Element poreux de chauffage electrique en carbure de silicium fibreux, son procede de fabrication, et dispositif de transmission de chaleur contenant un tel element
KR102010992B1 (ko) 나노 분말의 제조 장치 및 이 제조 장치를 이용한 제조 방법
EP0334432A1 (fr) Réacteur d'épitaxie à paroi protégée contre les dépôts
KR20160042108A (ko) 진공 정제 방법
FR2511708A1 (fr) Procede et appareil pour regler l'atmosphere entourant une zone de croissance cristalline
EP0093632A1 (fr) Procédé et installation de chauffage d'un lit fluidisé par injection de plasma, et applications à la synthèse des oxydes d'azote, à la gazéification d'une substance carbonée et à la réduction des minerais
EP0181803B1 (fr) Procédé de fabrication de barreaux de silcium ultra-pur
BE562148A (enrdf_load_stackoverflow)
FR2583663A1 (fr) Appareil de production de grains fins
FR2566805A1 (fr) Procede et dispositif pour le revetement de creusets de quartz avec des couches protectrices
JP6106848B2 (ja) マイクロ波加熱装置及びマイクロ波加熱方法
FR2567918A1 (fr) Procede d'evaporation et de fonte du silicium et dispositif pour sa mise en oeuvre
FR2573917A1 (fr) Appareil et procede de depot a la vapeur pour la realisation de semi-conducteurs
WO2011033188A1 (fr) Dispositif à basse pression de fusion et purification de silicium et procédé de fusion/purification/solidification
CH370926A (fr) Appareil pour la préparation, à l'état pur, d'éléments chimiques à caractère métallique
US2993763A (en) Manufacturing process for the preparation of flakes of sintered silicon
BE642950A (enrdf_load_stackoverflow)
BE562147A (enrdf_load_stackoverflow)
WO1996016731A1 (fr) Procede de fabrication de particules fines ou ultrafines et reacteur pour la production de telles particules
FR2681852A1 (fr) Procede de preparation en continu de gels de pentoxyde de vanadium et appareil de mise en óoeuvre du procede.
JPS60241214A (ja) アモルフアスシリコン膜の生成法
FR2710049A1 (fr) Procédé pour la fabrication de fullerènes.
BE561214A (enrdf_load_stackoverflow)