BE513934A - - Google Patents

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Description

       

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  PROCEDE DE PREPARATION DE DISPOSITIFS UTILISANT DES COUCHES DE TRANSITION ENTRE SEMI-CONDUCTEURS DES TYPES P et N. 



   La présente addition concerne la réalisation de dispositifs de montage et de connexions pour des systèmes comportant un ensemble d'éléments semi-conducteurs dont la fabrication est décrite dans le brevet principal. 



   Selon le brevet principal, on réalise des éléments semi-conduc- teurs comportant, dans leur masse, au moins, une couche de transition entre une zone présentant la conductibilité du type P et une zone présentant la conductibilité du type N, et   l'on   applique les produits obtenus à la réa-   lisation   de dispositifs à conductibilité unidirectionnelle utilisés comme redresseurs ou comme amplificateurs. 



   Selon la présente addition, divers montages protecteurs des éléments semi-conducteurs cités plus haut sont réalisés. Ils permettent de connecter en série un ensemble quelconque d'éléments redresseurs, les pro- tègent contre les chocs mécaniques et évitent toute élévation anormale de température. 



   L'objet de la présente invention est de réaliser des montages qui permettent de grouper en série un ensemble de plusieurs éléments semi- conducteurs comportant une couche de transition entre une zone présentant la conductibilité du type P et une zône présentant la conductibilité de type N. Ce montage permet de protéger les éléments semi-conducteurs contre les chocs mécaniques, les détériorations dues à l'humidité de l'air ou   à   d'autres atmosphères corrosives; il constitue, en outre, un radiateur effi- cace qui évite toute élévation anormale de température des dits éléments au cours du fonctionnement. 



   Enfin, selon une variante de   l'invention,   chaque élément re- dresseur est contenu dans une enveloppe hermétique qui permet le remplace- ment facile et rapide d'un élément détérioré. 

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   Une première réalisation de l'invention comprend un ensemble d'éléments semi-conducteurs redresseurs, ou capsules, de silicium ou de ger- manium, réalisés suivant le brevet principal, à chacun desquels sont fixés a) une plaque métallique mince de dimensions beaucoup plus grandes, qui sert de connexion, b) un dépôt d'impuretés auquel est soudé une seconde conne- xion;

   les dites capsules, leur plaque support, le dépôt d'impuretés, ainsi que les fils qui servent à connecter en série les différents éléments sont enfermés entre les deux moitiés d'une enveloppe creuse de matière isolante qui permet de supporter, d'isoler et de mettre en position convenable, chaque élément redresseur,   à'l'aide   d'un système d'encoches, de saillies et dépres- sions correspondantes pratiquées dans les deux moitiés de l'enveloppe et dans les plaques supports. Deux plaquettes de connexion qui sont fixées comme les plaques-supports d'éléments redresseurs , serventà connecter le dispositif par engagement des deux bornes dans une douille. Une substance de protection contre les atmosphères humide ou corrosive enrobe les éléments redresseurs ou remplit la cavité qui la contient. 



   Dans un premier mode de réalisation, les différents éléments sont fixés dans l'enveloppe les uns à coté des autres, de manière que les plaques soient situées dans le même plan ; selon un second mode de   réalisa-   tion, les éléments redresseurs sont fixés les uns derrière les autres, les plaques supports étant parallèles. 



   Selon une deuxième réalisation de l'invention, qui constitue une variante préférée, chaque élément redresseur est contenu dans une enve- loppe formée de deux pièces circulaires respectivement plates et concaves qui s'adaptent l'une à l'autre pour former une cavité étanche dont les deux parties sont isolées par deux rondelles de substance isolante'élastique dont l'une d'elles assure la fermeture et l'étanchéité de la dite enveloppe ou capsule, par compression entre les rebords des plaques. Les connexions de l'élément redresseur sont réalisées à l'intérieur de l'enveloppe. Les deux plaques des capsules comportent respectivement une saillie et une dépres- sion annulaires qui se correspondent, de sorte que l'on peut empiler ces capsules, leurs connexions extérieures étant assurées par le dit système de saillies et dépressions.

   Trois modes de réalisation des enveloppes ou capsules sont décrits; deux type de châssis, de construction simple et éco- nomique, permettent d'assembler les capsules et de remplacer rapidement une enveloppe défectueuse. 



   La présente invention sera mieux comprise en se reportant à la description suivante et aux dessins qui l'accompagnent, donnés à titre d'exem- ple non limitatif des moyens de réalisation de l'invention. 



   - La figure 1 est une vue en élévation et en coupe partielle d'un exemple de réalisation du dispositif à impédance uni-directionnelle se- lon l'invention. 



   - La figure 2 est une vue en coupe de la figure 1 suivant la ligne 2-2 à grande échelle. 



   - La figure 3 est une vue en coupe du dispositif de la figure 1 suivant la ligne   3-3,   à grande   échelle.   



   - La figure 4 est une vue en perspective des éléments de la figure 1 disposés dans leur ordre de montage. 



   - La figure 5 est une vue en élévation et en coupe partielle d'un premier mode de réalisation de l'invention. 



   - La figure 6 est une vue'en plan, partiellement coupée, du dispositif représenté   à   la figure 5. 



   - La figure 7 est une vue en perspective des éléments de la fi- gure 5 disposés dans leur ordre de montage. 



   - La figure 8 est une vue en élévation et en coupe d'un élément 

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 à impédance unidirectionnelle construit selon une variante préférée de l'in- vention. 



   - La figure 9 est une vue en élévation et en coupe qui repré- sente un deuxième mode de réalisation de la variante préférée de l'invention. 



   - La figure 10 est une vue en élévation et en coupe d'un autre mode de réalisation suivant la variante préférée de l'invention. 



   - La figure 11 est une vue en élévation et en coupe partielle d'un dispositif qui comprend plusieurs éléments précédemment décrits et re- présentés aux figures 8, 9 & 10. 



   - La figure 12 est une vue de profil,du   dispositif   de la figure   11.   



   - La figure 13 est une vue en plan d'un second dispositif com- prenant un ensemble d'éléments à impédance uni-directionnel décrit aux fi- gures   8,   9 & 10. 



   - La figure 14 est une vue en élévation du dispositif de la figure 13. 



   Les figures 1 à   4   représentent une première réalisation des dis- positifs   à   éléments semi-conducteurs suivant l'invention. On a représenté un ensemble d'éléments semi-conducteurs à couche de transition   P-N   réalisés sous forme de capsules 1 conformes à ceux décrits dans le brevet principal 
Un ensemble de plaques métalliques minces 2 qui servent de support et de connexion aux pastilles 1   sonten   contact électrique avec elles et leur sont fixées par soudure sur une des grandes faces de l'élément redresseur.1; des dépôts d'impuretés 3 sont également fixés à chaque élément,de préfé- rence sur la grande face opposée.

   Comme il est connu, l'élément semi-con- ducteur 1 peut être du germanium ou du silicium, il peut avoir n'importe quel type de conductibilité, les dépôts d'impuretés 3 et les plaques 2 peu- vent servir de "donneur" ou d'"accepteur", comme il est expliqué dans le brevet principal. Le dépôt 3 peut :être constitué d'indium qui est un "ac- cepteur" et la feuille 2 peut être en antimoine, qui est un   "donneur".   On peut aussi souder une feuille d'antimoine entre l'élément 1 et la plaque 2 Une couche de transition qui donne satisfaction peut être obtenue, suivant le brevet principal, en faisant diffuser, dans un élément dont le type de conductibilité est déterminé, une impureté lui conférant le type de conduc- tibilité opposé.

   Dans ce cas, une seule des pièces 2 & 3 doit constituer une impureté, l'autre pièce pouvant être faite de métal ou alliage bon con- ducteur de l'électricité. Par exemple, l'élément 1 pourra être fait d'une substance semi-conductrice, du type N, et le dépôt 3 d'un "accepteur" tel que l'indium. Une couche de transition   P-N   se formera   à   la limite de péné- tration de l'accepteur; dans ce cas, aucune impureté du type "donneur" n'est utile et la plaque mince 2 peut être faite de n'importe quelle substance bonne conductrice de l'électricité, telle qu'un alliage fernico. 



   On peut réaliser les connexions des dépôts d'impuretés 3 à l' aide de n'importe quelle substance bonne conductrice; lorsque la jonction P-N est réalisée, l'impureté peut être enlevée et remplacée par un dépôt de soudure ou tout autre moyen de connexion mais, en général, il est plus commode de laisser le dépôt d'impuretés et de l'utiliser pour réaliser la connexion. Dans ce cas,la plaque 2 et le dépôt 3 constituent les sorties du dispositif à impédance unidirectionnelle.

   Comme il a déjà été expliqué, les dépôts d'impuretés ont, de préférence, une surface de contact relative- ment faible, de l'ordre de 0,065 cm2, afin que la surface de la couche de   transition   N-P ne présente aucun risque de claquage ou de   diminution   anor- male de la résistance inverse, qui diminuerait   les'qualités   de redressement, bien que cette surface soit très grande par rapport à celle des surfaces de contact dites ponctuelles, dont le diamètre est de l'ordre de 0,0013 cm. 



  Les connexions des dépôts d'impuretés 3 peuvent être obtenues par soudure des fils conducteurs ou, de préférence, par fusion de ces fils dans les dépôts d'impuretés. Toutes les dimensions des plaques métalliques minces 2 sont très supérieures à celles des capsules 1. Ces plaques servent de 

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 connexion individuelle pour chaque élément redresseur ou capsule 1, de sup- port à ces capsules et de radiateur pour éviter l'échauffement des dits éléments. Dans ce but, ces plaques 2 sont constituées   d'une   substance aussi bonne conductrice de la chaleur que de l'électricité, et les dimen- sions de leur surface doivent être assez grandes pour que leur capacité de rayonnement calorifique évite tout échauffement anormal des éléments 1. 



  Chacune de ces plaques 2 peut comporter deux saillies 4 disposées de chaque   coté   de l'élément 1 pour permettre leur montage dans une enveloppe, comme il sera décrit ci-dessous. 



   Afin de construire un dispositif comprenant plusieurs éléments semi-conducteurs redresseurs 1, connectés en série, on utilise un support 5 dans lequel les plaques 2 sont fixées et qui sert à protéger les éléments redresseurs et leurs connexions des chocs mécaniques, des détériorations dues à l'humidité, et permettant un refroidissement convenable des capsules 1 par transmission de la chaleur à travers les plaques 3 et par rayonnement. Le support 5 est fait d'une substance isolante, de préférence en matière plas- tique, qui peut être moulée et comprend deux éléments identiques 6 & 7 qui s'adaptent l'un contre l'autre. Ces deux éléments 6 & 7 peuvent être fixés par tous moyens connus, à l'aide d'un ensemble de rivets   8,   par exemple,, qui traversent 6 & 7 suivant des trous cylindriques 9, comme on le voit sur la figure 2.

   Chaque éléments 6 & 7 comporte une cavité 10 à l'intérieur de la- quelle les capsules 1 sont contenues. 



   Le long des éléments 6 & 7, on pratique une longue encoche (com- me représenté sur La figure 4) dont on voit les bords en 11 &   12,   ou une série de petites encoches, qui permettent le montage des plaques-supports de capsules 2 et des plaques de connexion 16 dans le support 5. En outre, un ensemble de saillies ou de dépressions 13 est prévu à la surface de l'un des éléments 6 & 7. Ces saillies ou dépressions 13 s'emboitent avec les saillies 4 des plaques-supports et des bornes 16, elles permettent le posi- tionnement de ces éléments lors du montage. Des trous 14 sont pratiqués dans les extrémités 6 & 7 pour permettre l'assemblage-du support par boulons et écrous, ou son incorporation dans un équipement électrique.

   Comme on le ver- ra sur le dessin, on a réalisé un appareil relativement plat et étroit, dans lequel les éléments redresseurs ou capsules 1 et leurs supports 2 sont ré- gulièrement espacés, grâce aux saillies   4   qui s'engagent dans les dépressions ou saillies 13. Les connexions en série-des capsules 1 peuvent être obtenues à l'aide d'un ensemble de fils 15 dont une extrémité est soudée à une plaque support 2 et l'autre est fondue dans le dépôt d'impuretés 3 de la capsule sui- vante. Aux extrémités de l'appareil, le dernier fil 15 connecté à un support 2 et le premier fil 15 soudé à un dépôt d'impuretés 3 sont connectés à des bornes de connexions 16.

   Les bornes de connexions   16,   qui sont fixées dans le support 5 de la même manière que les plaques 2, comme il a déjà été dit traversent l'une des fentes limitées par les bords 11 & 12 et permettent de connecter l'appareil. 



   Il est évident que l'une des deux bornes, celle qui est connec- tée au dernier support 2(à gauche sur la figure) pourrait être supprimée, cependant on préfère l'utilisation de deux bornes 16 qui permettent de con- necter facilement l'appareil pour   l'introduction   des dites bornes dans un support ou douille. Un revêtement   17,   de résine thermoplastique, de cire ou de laque., est appliqué sur les surfaces des capsules 1 et des dépôts d' impuretés 3, pour protéger ces différents éléments des détériorations dues à une atmosphère humide ou corrosive. On protège ainsi la capsule 1 et, en particulier., les portions de la zone de transition voisine de la surface. 



  Il en résulte que la diminution de la surface de la couche de transition, par électrolyse ou par réaction chimique due à l'humidité, à une atmosphère humide ou corrosive, est évitée. 



   Le dispositif lui-même peut être assemblé au moyen des ouvertu- res 14 du support 5 qui protège et supporte les capsules 1 mises en série et connectées électriquement au moyen des bornes   16.   Durant son fonctionne- ment la chaleur produite dans les capsules est rayonnée par les plaques 2 de sorte que des courants relativement intenses peuvent circuler dans les 

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 capsules sans risquer d'échauffement dangereuxo 
Les figures   5,   6 & 7 représentent une seconde réalisation de l'invention qui permet de connecter en série un ensemble important de capsu- les 1 formées d'un élément semi-conducteur à couche de transition P N, soli- daire d'une plaque-support 2 qui sert de première connexion,

   la seconde connexion étant fournie par le   dépôt   d'impuretés 3 semblable au dispositif déjà représenté sur les figures 1à 4. 



   Les capsules 1 sont disposées les unes derrière les autres,de telle manière que les plaques 2 soient parallèles et que les axes des cap- sules soient confondus; elles sont connectées en série à l'aide d'un fil 
15 soudé d'une part, à la plaque métallique 2 d'une capsule 1 et, d'autre part, fixées de préférence par fusion, au dépôt d'impuretés 3 de la capsule suivante. Les capsules 1, les impuretés 3 qui y sont fixées, et les fils conducteurs 15 sont montés à l'intérieur d'une cavité allongée   18,   située à l'intérieur d'une enveloppe 19 qui comprend deux éléments identiques 20 & 21. Les éléments identiques 20 & 21 sont faits d'une substance isolante telle que la fibre de bois ou une matière plastique moulée. 



   Des boulons 22, qui passent à travers les ouvertures 23 percées aux extrémités de l'enveloppe 19 servent à assembler les éléments 20 & 21 ou à fixer le dispositif tout entier sur un panneau ou un appareil électri- que; des écrous   24,   vissés à l'extrémité des boulons 22, serrent l'une contre l'autre les pièces 20 & 21. Les éléments assemblés 20 & 21 de l'enveloppe 
19 définissent une cavité allongée 18 et un   ensemble*,de   fentes parallèles   24   qui sont orientées perpendiculairement au grand axe de la cavité de l'en- veloppe.

   Pour assembler le dispositif, selon la seconde réalisation de l'in- vention décrite ci-contre, on glisse l'un vers l'autre, les deux éléments 20 & 21 et on provoque simultanément l'engagement des plaques 2 dans les fentes 24 des deux éléments, de sorte que les capsules 1 et les connexions 15 étant contenues dans la cavité   18,   les saillies 4 soient, de part et d' autre de l'enveloppe 19, évitant tout mouvement de la plaque métallique 2 par rapport à l'enveloppe; en outre, aux extrémités de l'appareil, deux fen- tes parallèles aux fentes   24,   mais plus petites, sont prévues pour loger deux bornes   dè   connexion 16, qui comportent également des saillies 4, et sont connectées respectivement à la dernière plaque 2 et au premier dépôt d'impu- retés 3.

   Comme précédemment, la borne de connexion 16, à gauche sur le des- sin, qui est connectée à la dernière plaque métallique 2, peut être suppri- mée,tandis que la connexion peut se faire sur la dernière plaque métallique 2. Au moment de la fermeture de la cavité 18 par serrage des boulons 22, ladite cavité est remplie d'une substance de protection contre l'humidité, telle qu'une résine synthétique thermoplastique ou qu'une cire, 25, comme on peut le voir sur la figure 6, de façon à protéger les éléments semi- conducteurs 1, les plaques métalliques 2, les dépôts d'impuretés 3, les fils conducteurs 15 et les bornes de connexion 16.

   Ce second dispositif de mon- tage en   srie   des éléments redresseurs 1 permet la protection des dits élé- ments   centre   les chocs métalliques, les accidents dus à une atmosphère hu- mide c corrosive, et permettent le refroidissement convenable durant le fonctionnement. Un avantage spécial de cette réalisation est qu'elle permet d'assembler un grand nombre de capsules 1, sous un petit volume, grâce à la disposition adoptée. 



   Les   figures 8,   9 & 10 représentent en élévation et en coupe trois modes de réalisation d'éléments   à   conductibilité dissymétrique selon une seconde variante de   l'invention..   



   La figure 8 représente un élément à conductibilité   dissymétri-   que qui comprend une plaque servant de connexion 51 et une seconde plaque servant également de connexion 52 fixées de façon étanche et isolées l'une par rapport à l'autre, qui définissent entre elles une cavité étanche 53. 



  De préférence, les éléments 51 & 52 ont des dimensions voisines et des for- mes adaptables, ce qui permet de réaliser une fixation étanche par rapproche- ment de leurs bords 54 & 55. L'un ou les deux éléments 51 & 52 peuvent être emboutis pour donner à la cavité 53 la forme désirée, Une première rondel- le 56 de substance isolante, telle que la toile huilée, est disposée entre 

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 l'élément 52 et les bords de l'élément 51 et une seconde rondelle ou an- neau   57.,   de substance isolante et élastique telle que le caoutchouc, serrée entre la partie supérieure du bord de la rondelle 51 et la surface inté- rieure de la partie supérieure du bord enroulé 52.

   Comme on peut le voir sur le dessin,   l'anneau     57,   comprimé par le bord 55 de l'élément 52, déborde de cet élément et permet de réaliser avec la rondelle 56 un joint étanche et isolant entre les deux éléments de la cavité. A l'intérieur de la ca- vité 53 est monté un élément semi-conducteur 58 conforme à ceux décrits dans le brevet principal. 



   Cet élément semi-conducteur redresseur 58 a une couche de tran- sition P-N entre les deux surfaces 59 & 60. De préférence, les dimensions de la couche de transition sont relativement grandes et sa surface est, de préférence, d'environ 0,065 cm2, de sorte que la résistance inverse est assez élevée. De préférence, les surfaces 59 & 60 sont situées sur les faces opposées de l'élément semi-conducteur 58, bien qu'il soit possible de réaliser de telles surfaces sur des parties adjacentes de la même face de l'élément 58. 



   Sur la figure, on a représenté un dépôt 61 constitué d'une im- pureté du type "accepteur" et un dépôt 62 formé d'une impureté du type "don- neur"; les dépôts 61 & 62 font partie intégrante de l'élément semi-conduc- teur   58,   bien qu'il soit possible d'éliminer l'un ou les deux dépôts d'im- puretés lorsque la couche de transition P-N est formée. On sait que, dans le cas où l'on forme l'élément semi-conducteur à partir d'une matière semi- conductrice possédant déjà le type de semi-conductibilités N ou P, il est possible de n'utiliser qu'un seul dépôt d'impuretés, respectivement des types "accepteur" ou "donneur".

   Dans ce cas, l'élément   semi-conducteur   58 le dépôt d'impuretés 62 et l'élément 51 sont fixés ensemble par leur surfa- ce commune, qui doit assurer un bon contact électrique entre ces divers élé- ments. Dans ce but, on peut utiliser de la soudure, laquelle est constituée par le dépôt d'impuretés 62 lui-même, dans le cas décrits. L'élément 5l peut présenter une saillie centrale, en forme de cuvette 63, dans laquelle l'élément semi-conducteur 58 est convenablement fixé. La saillie extérieure 64 peut servir pour réaliser les montages décrits ci-dessus.

   De préférence, l'élément 51 est fabriqué en un métal dont le coefficient de dilatation ther- mique est adapté à celui de l'élément 58 et dont la conductibilité calorifi- que est excellente, de sorte que la soudure entre 51 & 68 ne   sé   détériorera pas aux températures élevées et que la chaleur produite dans l'élément semi- conducteur sera évacuée au cours du fonctionnement. Si le semi-conducteur est fait de germanium, la pièce 51 pourra être fabriquée en fernico. La connexion de la surface 59 à la plaque 52 pourra être réalisée par une ban- de conductrice 65 dont une extrémité est serrée contre la rondelle 56 et la plaque 52, tandis que l'autre appuie sur le dépôt d'impuretés 61.

   Le con- ducteur 15 peut être constitué d'un fil de   longueur   convenable, soudé à la surface 59, le dépôt d'impuretés 61 constituant la soudure, par exemple. 



  Il peut être aussi constitué d'un ruban élastique formant ressort qui assure par pression contre la surface 59 ou le dépôt d'impuretés 61, un contact élec-   trique.-satisfaisante   De préférence, la conductibilité du conducteur 65 et ses dimensions sont choisies pour une évacuation suffisamment rapide de la chaleur du semi-conducteur 58 vers l'élément 52 qui constitue un radiateur. 



   Comme il a été dit précédemment, l'élément 51 comprend une saillie externe   64,   de même la plaque 52 comporte une dépression centrale 66 de dimensions convenables pour s'emboîter sur la saillie 64 d'un élément semblable. On peut ainsi empiler plusieurs cavités à l'intérieur desquelles sont montés des éléments semi-conducteurs, de sorte que leurs axes soient confondus, chaque saillie   64   s'emboîtant dans la dépression 66, de telle sor- te qu'il s'établisse entre elles un bon contact électrique sur une assez gran- de surface . 



   Le dispositif à conductibilité dissymétrique décrit sur la fig. 



  8 est donc constitué par une enveloppe étanche formée des plaques 5l & 52 à l'intérieur desquelles est fixé l'élément semi-conducteur   58,   de sorte que ce dernier est protégé contre les détériorations dues à l'humidité, aux 

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 vapeurs acides, ou à toute autre atmosphère corrosive, ainsi que celles dues aux chocs mécaniques.

   Les éléments 51 & 52 constituent aussi les con- nexions électriques individuelles de chaque élément semi-conducteur 58 et servent de radiateur pour refroidir les éléments 58 durant leur fonction- nement, bien que ces derniers soient enfermés à l'intérieur des cavités 53 
La chaleur produite dans le   semi-conducteur   est transmise directement à la plaque 51 et indirectement, par l'intermédiaire du conducteur 65 à la pla- que 52, de sorte que ses deux surfaces contribuent au refroidissement ef- ficace de l'élément semi-conducteur. 



   On peut empiler commodément un ensemble de ces dispositifs à conductibilité dissymétrique,de sorte que les contacts électriques entre eux soient bons et que les dispositifs soient connectés en série. 



   La figure 9 représente un dispositif analogue à celui de la figure 8 et des chiffres identiques servent à désigner les éléments sembla- bles . 



   Dans la figure 9, la bande conductrice 65 est éliminée. La connexion de l'élément semi-conducteur à la plaque 52 est obtenue à l'aide d'une profonde dépression 66a en forme de cône dont le sommet appuie sur le dépôt 61 (comme sur la   figure),   ou sur la surface 59. L'élément 52 peut être soudé à la-surface 59 avec une soudure ordinaire, par fusion dans le dépôt d'impuretés 61, ou plus simplement l'élément 52 peut être appliqué sur la surface 59 avec une pression suffisante pour réaliser un bon contact électrique. 



   Les surfaces externes des éléments plats 51 & 52 sont modifiées par rapport à celles des éléments de la figure 8 et présentent respectivement une dépression annulaire 67 et une saillie annulaire   68.   Cette dépression 67 et la saillie 68 sont disposées de telle sorte qu'elles permettent l'em- pilage de plusieurs éléments identiques à ceux décrits sur la figure 9, les saillies 68 s'emboitent dans les dépressions 67 du dispositif précédent, tandis que dans la dépression 66a s'engage la saillie 64 du même dispositif. 



   On réalise ainsi de bons contacts électriques entre les dispo- sitifs successifs qui sont empilés le long de leur axe commun. 



   La figure 10 représente un second dispositif analogue à la fi- gure   8,   l'élément semi-conducteur 58 est fixé par soudure à la plaque 52 et la bande conductrice 65 est serrée, cette fois,entre le bord inférieur 54 de l'élément 51 et la surface supérieure de la rondelle annulaire 56 pour permettre la connexion de la surface 59 et de l'élément 51. Cet arrangement permet un refroidissement plus efficace du semi-conducteur   58,   la plaque 52 constituant un radiateur de surface rayonnante supérieure à celle de la pla- que 51; cependant, un refroidissement appréciable est obtenu à l'aide de la chaleur transmise à l'élément 51 à travers le conducteur 65. 



     Oomme   on le verra sur la figure 10, l'élément semi-conducteur ne comporte aucun dépôt d'impuretés; cependant, le conducteur 65 est connec- té à la surface 59 par l'intermédiaire d'une petite quantité de soudure 69 contenant une impureté de type P, telle que la soudure   à   l'indium. 



   Une autre caractéristique de la figure 10 est la forme de la saillie 64a qui comporte une portion évasée 70, laquelle s'adapte dans une douille annulaire. Cette douille est de forme circulaire, elle est consti- tuée d'un ensemble de pattes élastiques 71, fixées à la plaque 52. On peut donc fixer et connecter ensemble plusieurs dispositifs analogues, re- présentés sur la figure 10, par empilage suivant leur axe commun, la sail- lie 64a s'emboitant dans la douille 66a par simple pression. 



   On réalise ainsi une enveloppe étanche pour éléments à con-   ductibilité   dissymétrique qui permet de grouper, en série, rapidement, un ensemble des dits éléments. Ce mode de réalisation d'une variante de l'in- vention, permet en outre, de remplacer rapidement un élément défectueux in- clus dans un ensemble. 



   Les figures 11 & 12 représentent un dispositif à conductibilité 

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 dissymétrique qui permet de grouper un ensemble d'enveloppes étanches iden- tiques à celles décrites ci-dessus (celles du type décrit en figure   8,   par exemple), de manière que les éléments redresseurs qu'elles contiennent soient connectés en série, les enveloppes étant empilées de sorte que leur axe de symétrie soit confondu.

   Le groupement des éléments circulaires est obtenu à l'aide d'un support qui comprend essentiellement trois barres isolantes   72,   73 & 74, disposées symétriquement autour des dits éléments, maintenues dans leur position reSpective par des plaques d'extrémités 77 & 78 aux bran- ches 76 desquelles les barres 72 & 74 sont fixées par des rivets   75   Des pieds 79 rivés aux barres inférieures 72 & 73 de chaque c8té des plaques en forme d' étoiles 77 & 78 peuvent être rivés ou fixés , de   n' importe   quelle manière convenable, à un panneau   80.   



   Les plaques 77 & 78 permettent de connecter les éléments en sé- rie par contact direct entre la plaque 51 d'un élément et la plaque 52 du suivant; la plaque d'extrémité 77 comporte une saillie centrale 81 qui as- sure le contact avec le dernier élément sur la gauche du dispositif, par engagement dans la dépression 66 de sa plaque 52; la seconde plaque d'ex- trémité 78 est équipée d'une patte élastique 82 dont la pression permet d'é- tablir 1 ) le contact avec la plaque 51 du dernier élément à droite et 2 ) la mise en série correcte avec de faibles résistances de contact des éléments successifs qui sont appuyés les uns contre les autres. Les bornes de con- nexion du dispositif 83 & 84 sont fixées aux plaques 77 & 78 par les rivets 75 qui maintiennent la barre 76. 



   Le support ainsi constitué est solide, de construction simple et économique, il permet l'extraction ou l'introduction rapide et facile d'une enveloppe ou capsule, par démontage de la barre isolante 74 et simple glissement de la capsule à déplacer. 



   Les figures 13 & 14 décrivent un dispositif analogue à celui des figures 11 &   12   dans lequel les capsules ou enveloppes circulaires des élé- ments redresseurs sont disposées sur un même plan, leur centre étant aligné selon l'axe du support. On réalise ainsi un support plat de faib le   encom-   brement. Les capsules sont disposées sur une feuille de matière isolante 85; des éléments de connexion 86, élastiques de préférence, permettent à la fois de connecter les plaques 51 d'une capsule aux plaques 52 d'une autre, et de supporter lesdites capsules.

   Comme on le voit sur les figures 13 & 14, les éléments de connexion 86 comprennent un réceptacle 87 appliqué contre 85 dans lequel s'engagent - la saillie 64 de la plaque 51 d'un enveloppe d'élément redresseur, - une partie plate 88 fixée à la feuille 85 par un rivet 89 dont une tête est, de préférence, encastrée dans la face inférieure de la dite feuille,afin que le support puisse être posé sur une surface métallique sans que les éléments redresseurs soient court-circuités. 



   - un bras coudé 90, enfin, dont uneportion est parallèle à la feuille 85 et dont l'extrémité recourbée s'engage dans la dépression 66 de la plaque d'une autre enveloppe. La portion de bras 90 peut être élastique et appuyer sur la dépression 66 de manière que l'enveloppe ou capsule soit fixée et les contacts sur les plaques 51 & 52 correctement établis. On réa- lise ainsi les connexions de mise en série des éléments successifs et, si la portion de bras 90 est élastique, on peut extraire ou introduire une cap- sule dans l'appareil en écartant momentanément, de sa position normale, le- dit bras élastique. On réalise les connexions de l'appareil   lui-même   à 1' aide des éléments 86 qui peuvent être tronqués, dans ce but. Les trous 91 de la plaque 85 permettent de fixer l'appareil sur un chassis à l'aide de rivets.



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  PROCESS FOR PREPARING DEVICES USING TRANSITION LAYERS BETWEEN SEMICONDUCTORS OF THE P and N TYPES.



   The present addition relates to the production of mounting and connection devices for systems comprising a set of semiconductor elements, the manufacture of which is described in the main patent.



   According to the main patent, semiconductor elements are produced comprising, in their mass, at least one transition layer between a zone exhibiting P-type conductivity and a zone exhibiting N-type conductivity, and applies the obtained products to the realization of unidirectional conductivity devices used as rectifiers or amplifiers.



   According to the present addition, various protective arrangements of the semiconductor elements mentioned above are made. They allow any set of rectifier elements to be connected in series, protect them against mechanical shocks and prevent any abnormal rise in temperature.



   The object of the present invention is to produce assemblies which make it possible to group together in series a set of several semiconductor elements comprising a transition layer between a zone exhibiting P-type conductivity and a zone exhibiting N-type conductivity. This assembly makes it possible to protect the semiconductor elements against mechanical shocks, deterioration due to air humidity or other corrosive atmospheres; it also constitutes an efficient radiator which prevents any abnormal rise in temperature of said elements during operation.



   Finally, according to a variant of the invention, each straightening element is contained in a hermetic envelope which allows the easy and rapid replacement of a deteriorated element.

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   A first embodiment of the invention comprises a set of semiconductor rectifying elements, or capsules, of silicon or germ, produced according to the main patent, to each of which are attached a) a thin metal plate of much larger dimensions. large, which serves as a connection, b) a deposit of impurities to which a second connection is welded;

   the said capsules, their support plate, the deposit of impurities, as well as the wires which are used to connect the various elements in series are enclosed between the two halves of a hollow envelope of insulating material which makes it possible to support, insulate and to put in a suitable position, each rectifying element, with the aid of a system of notches, corresponding projections and depressions made in the two halves of the casing and in the support plates. Two connection plates which are fixed like the support plates of rectifier elements, serve to connect the device by engaging the two terminals in a socket. A protective substance against humid or corrosive atmospheres coats the rectifying elements or fills the cavity which contains it.



   In a first embodiment, the different elements are fixed in the casing next to each other, so that the plates are located in the same plane; according to a second embodiment, the rectifying elements are fixed one behind the other, the support plates being parallel.



   According to a second embodiment of the invention, which constitutes a preferred variant, each rectifying element is contained in an envelope formed of two respectively flat and concave circular parts which adapt to one another to form a sealed cavity. the two parts of which are isolated by two washers of insulating elastic substance, one of which ensures the closing and sealing of said envelope or capsule, by compression between the edges of the plates. The rectifier element connections are made inside the casing. The two plates of the capsules respectively comprise an annular projection and an annular depression which correspond to each other, so that these capsules can be stacked, their external connections being ensured by said system of projections and depressions.

   Three embodiments of the envelopes or capsules are described; two types of frame, of simple and economical construction, make it possible to assemble the capsules and quickly replace a defective enclosure.



   The present invention will be better understood by referring to the following description and to the drawings which accompany it, given by way of non-limiting example of the means of carrying out the invention.



   FIG. 1 is a view in elevation and in partial section of an exemplary embodiment of the uni-directional impedance device according to the invention.



   - Figure 2 is a sectional view of Figure 1 along line 2-2 on a large scale.



   - Figure 3 is a sectional view of the device of Figure 1 along line 3-3, on a large scale.



   - Figure 4 is a perspective view of the elements of Figure 1 arranged in their order of assembly.



   - Figure 5 is an elevational view in partial section of a first embodiment of the invention.



   - Figure 6 is a plan view, partially cut away, of the device shown in Figure 5.



   - Figure 7 is a perspective view of the elements of Figure 5 arranged in their order of assembly.



   - Figure 8 is an elevational view in section of an element

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 unidirectional impedance constructed according to a preferred variant of the invention.



   FIG. 9 is a view in elevation and in section which represents a second embodiment of the preferred variant of the invention.



   - Figure 10 is an elevational view in section of another embodiment according to the preferred variant of the invention.



   - Figure 11 is an elevational view in partial section of a device which comprises several elements previously described and shown in Figures 8, 9 & 10.



   - Figure 12 is a side view of the device of Figure 11.



   - Figure 13 is a plan view of a second device comprising a set of uni-directional impedance elements depicted in Figures 8, 9 & 10.



   - Figure 14 is an elevational view of the device of Figure 13.



   FIGS. 1 to 4 represent a first embodiment of the devices with semiconductor elements according to the invention. There is shown a set of semiconductor elements with a P-N transition layer produced in the form of capsules 1 conforming to those described in the main patent.
A set of thin metal plates 2 which serve as a support and connection to the pads 1 are in electrical contact with them and are fixed to them by welding on one of the large faces of the rectifier element. 1; deposits of impurities 3 are also attached to each element, preferably on the large opposite face.

   As is known, the semiconductor element 1 can be germanium or silicon, it can have any type of conductivity, the impurity deposits 3 and the plates 2 can serve as a "donor. "or" acceptor ", as explained in the main patent. Deposit 3 can: be made of indium which is an "acceptor" and sheet 2 can be made of antimony, which is a "donor". It is also possible to weld an antimony sheet between element 1 and plate 2 A satisfactory transition layer can be obtained, according to the main patent, by diffusing, in an element whose type of conductivity is determined, a impurity giving it the opposite type of conduc- tivity.

   In this case, only one of the parts 2 & 3 must constitute an impurity, the other part being able to be made of metal or alloy which is a good conductor of electricity. For example, element 1 could be made of a semiconductor substance, of the N type, and the deposit 3 of an “acceptor” such as indium. A P-N transition layer will form at the penetration limit of the acceptor; in this case, no "donor" type impurity is useful and the thin plate 2 can be made of any good electrically conductive substance, such as a fernico alloy.



   The connections of the impurity deposits 3 can be made using any good conductive substance; when the PN junction is made, the impurity can be removed and replaced with solder deposit or other connection means but, in general, it is more convenient to leave the impurity deposit and use it to achieve the connection. In this case, plate 2 and deposit 3 constitute the outputs of the unidirectional impedance device.

   As has already been explained, the deposits of impurities preferably have a relatively small contact surface, of the order of 0.065 cm 2, so that the surface of the NP transition layer does not present any risk of breakdown. or an abnormal decrease in the reverse resistance, which would decrease the rectification qualities, although this surface is very large compared to that of the so-called point contact surfaces, the diameter of which is of the order of 0.0013 cm .



  The connections of the deposits of impurities 3 can be obtained by soldering the conductive wires or, preferably, by melting these wires in the deposits of impurities. All the dimensions of the thin metal plates 2 are much larger than those of the capsules 1. These plates serve as

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 individual connection for each rectifier element or capsule 1, of support for these capsules and of the radiator to prevent the heating of said elements. For this purpose, these plates 2 are made of a substance which is as good a conductor of heat as of electricity, and the dimensions of their surface must be large enough so that their heat radiation capacity prevents any abnormal heating of the elements. 1.



  Each of these plates 2 can include two projections 4 arranged on each side of the element 1 to allow their mounting in an envelope, as will be described below.



   In order to construct a device comprising several semiconductor rectifier elements 1, connected in series, a support 5 in which the plates 2 are fixed and which serves to protect the rectifier elements and their connections from mechanical shocks, damage due to the humidity, and allowing suitable cooling of the capsules 1 by transmission of heat through the plates 3 and by radiation. The support 5 is made of an insulating substance, preferably of plastic, which can be molded and comprises two identical elements 6 & 7 which fit against each other. These two elements 6 & 7 can be fixed by any known means, using a set of rivets 8, for example ,, which pass through 6 & 7 following cylindrical holes 9, as seen in FIG. 2.

   Each elements 6 & 7 has a cavity 10 inside which the capsules 1 are contained.



   Along the elements 6 & 7, we make a long notch (as shown in Figure 4) whose edges can be seen at 11 & 12, or a series of small notches, which allow the mounting of the capsule support plates. 2 and connection plates 16 in the support 5. In addition, a set of protrusions or depressions 13 is provided on the surface of one of the elements 6 & 7. These protrusions or depressions 13 fit together with the protrusions 4 support plates and terminals 16, they allow the positioning of these elements during assembly. Holes 14 are made in the ends 6 & 7 to allow assembly of the support by bolts and nuts, or its incorporation into electrical equipment.

   As will be seen in the drawing, a relatively flat and narrow apparatus has been produced, in which the straightening elements or capsules 1 and their supports 2 are regularly spaced, thanks to the projections 4 which engage in the depressions or projections 13. The series connections of the capsules 1 can be obtained by means of a set of wires 15, one end of which is welded to a support plate 2 and the other is melted in the deposit of impurities 3 of the. next capsule. At the ends of the device, the last wire 15 connected to a support 2 and the first wire 15 soldered to an impurity deposit 3 are connected to connection terminals 16.

   The connection terminals 16, which are fixed in the support 5 in the same way as the plates 2, as has already been said, pass through one of the slots limited by the edges 11 & 12 and allow the device to be connected.



   It is obvious that one of the two terminals, the one which is connected to the last support 2 (on the left in the figure) could be omitted, however we prefer the use of two terminals 16 which allow easy connection of the terminal. Apparatus for the introduction of said terminals in a support or socket. A coating 17, of thermoplastic resin, wax or lacquer., Is applied to the surfaces of the capsules 1 and of the deposits of impurities 3, to protect these various elements from deterioration due to a humid or corrosive atmosphere. This protects the capsule 1 and, in particular., The portions of the transition zone adjacent to the surface.



  As a result, the reduction in the area of the transition layer, by electrolysis or by chemical reaction due to humidity, to a humid or corrosive atmosphere, is avoided.



   The device itself can be assembled by means of the openings 14 of the support 5 which protects and supports the capsules 1 placed in series and electrically connected by means of the terminals 16. During its operation the heat produced in the capsules is radiated. by the plates 2 so that relatively intense currents can flow in the

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 capsules without the risk of dangerous heating
FIGS. 5, 6 & 7 represent a second embodiment of the invention which makes it possible to connect in series a large set of caps 1 formed of a semiconductor element with a PN transition layer, solid with a wafer. -support 2 which serves as the first connection,

   the second connection being provided by the deposit of impurities 3 similar to the device already shown in Figures 1 to 4.



   The capsules 1 are arranged one behind the other, such that the plates 2 are parallel and the axes of the capsules coincide; they are connected in series using a wire
15 welded on the one hand, to the metal plate 2 of a capsule 1 and, on the other hand, preferably fixed by fusion, to the deposit of impurities 3 of the following capsule. The capsules 1, the impurities 3 which are attached thereto, and the conductor wires 15 are mounted inside an elongated cavity 18, located inside a casing 19 which comprises two identical elements 20 & 21. The identical elements 20 & 21 are made of an insulating substance such as wood fiber or molded plastic.



   Bolts 22, which pass through the openings 23 drilled in the ends of the casing 19 serve to assemble the elements 20 & 21 or to fix the entire device on a panel or an electrical appliance; nuts 24, screwed at the end of bolts 22, tighten parts 20 & 21 against each other. The assembled elements 20 & 21 of the casing
19 define an elongated cavity 18 and a set * of parallel slots 24 which are oriented perpendicular to the major axis of the envelope cavity.

   To assemble the device, according to the second embodiment of the invention described opposite, the two elements 20 & 21 are slid towards each other and simultaneously the plates 2 are engaged in the slots 24. of the two elements, so that the capsules 1 and the connections 15 being contained in the cavity 18, the projections 4 are, on either side of the casing 19, preventing any movement of the metal plate 2 relative to the 'envelope; furthermore, at the ends of the apparatus, two windows parallel to the slits 24, but smaller, are provided to accommodate two connection terminals 16, which also have projections 4, and are respectively connected to the last plate 2 and at the first deposit of tax 3.

   As before, the connection terminal 16, on the left in the drawing, which is connected to the last metal plate 2, can be deleted, while the connection can be made to the last metal plate 2. At the time of closing the cavity 18 by tightening the bolts 22, said cavity is filled with a substance for protecting against humidity, such as a thermoplastic synthetic resin or a wax, 25, as can be seen in the figure 6, so as to protect the semiconductor elements 1, the metal plates 2, the deposits of impurities 3, the conducting wires 15 and the connection terminals 16.

   This second device for mounting the rectifier elements in series 1 enables the said elements to be protected against metallic shocks and accidents due to a corrosive humid atmosphere, and allows suitable cooling during operation. A special advantage of this embodiment is that it makes it possible to assemble a large number of capsules 1, in a small volume, thanks to the arrangement adopted.



   FIGS. 8, 9 & 10 represent in elevation and in section three embodiments of elements with asymmetric conductivity according to a second variant of the invention.



   FIG. 8 shows an element with asymmetric conductivity which comprises a plate serving as a connection 51 and a second plate also serving as a connection 52 fixed in a sealed manner and insulated from one another, which define between them a cavity waterproof 53.



  Preferably, the elements 51 & 52 have similar dimensions and adaptable shapes, which makes it possible to achieve a tight fixing by bringing their edges together 54 & 55. One or both elements 51 & 52 can be stamped to give the cavity 53 the desired shape, A first washer 56 of insulating substance, such as oiled cloth, is arranged between

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 the element 52 and the edges of the element 51 and a second washer or ring 57., of insulating and elastic substance such as rubber, clamped between the upper part of the edge of the washer 51 and the inner surface of the top of the rolled edge 52.

   As can be seen in the drawing, the ring 57, compressed by the edge 55 of the element 52, protrudes from this element and makes it possible to produce with the washer 56 a tight and insulating seal between the two elements of the cavity. Inside the cavity 53 is mounted a semiconductor element 58 conforming to those described in the main patent.



   This rectifying semiconductor element 58 has a PN transition layer between the two surfaces 59 & 60. Preferably, the dimensions of the transition layer are relatively large and its area is preferably about 0.065 cm 2. so the reverse resistance is quite high. Preferably, surfaces 59 & 60 are located on opposite faces of semiconductor element 58, although it is possible to provide such surfaces on adjacent portions of the same face of element 58.



   In the figure, there is shown a deposit 61 consisting of an impurity of the "acceptor" type and a deposit 62 formed of an impurity of the "donor" type; the deposits 61 & 62 are an integral part of the semiconductor element 58, although it is possible to remove one or both deposits of impurities when the P-N transition layer is formed. It is known that, in the case where the semiconductor element is formed from a semiconductor material already having the type of semiconductor N or P, it is possible to use only one deposit of impurities, respectively of the "acceptor" or "donor" types.

   In this case, the semiconductor element 58, the deposit of impurities 62 and the element 51 are fixed together by their common surface, which must ensure good electrical contact between these various elements. For this purpose, solder can be used, which consists of the deposit of impurities 62 itself, in the cases described. Element 51 may have a central, cup-shaped projection 63, into which semiconductor element 58 is suitably secured. The outer projection 64 can be used to make the arrangements described above.

   Preferably, element 51 is made of a metal whose coefficient of thermal expansion matches that of element 58 and whose heat conductivity is excellent, so that the weld between 51 & 68 does not occur. will not deteriorate at high temperatures and the heat generated in the semiconductor element will be removed during operation. If the semiconductor is made of germanium, part 51 can be made of fernico. The connection of the surface 59 to the plate 52 can be made by a conductive strip 65, one end of which is clamped against the washer 56 and the plate 52, while the other presses on the deposit of impurities 61.

   The conductor 15 may consist of a wire of suitable length, welded to the surface 59, the deposit of impurities 61 constituting the weld, for example.



  It can also consist of an elastic band forming a spring which ensures, by pressure against the surface 59 or the deposit of impurities 61, a satisfactory electrical contact. Preferably, the conductivity of the conductor 65 and its dimensions are chosen to sufficiently rapid evacuation of the heat from the semiconductor 58 towards the element 52 which constitutes a radiator.



   As has been said previously, the element 51 comprises an external projection 64, likewise the plate 52 comprises a central depression 66 of suitable dimensions to fit on the projection 64 of a similar element. It is thus possible to stack several cavities inside which semiconductor elements are mounted, so that their axes coincide, each projection 64 fitting into the depression 66, in such a way that it is established between they have good electrical contact over a fairly large area.



   The device with asymmetrical conductivity described in FIG.



  8 is therefore constituted by a sealed envelope formed of plates 51 & 52 inside which is fixed the semiconductor element 58, so that the latter is protected against deterioration due to humidity,

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 acid vapors, or any other corrosive atmosphere, as well as those due to mechanical shocks.

   The elements 51 & 52 also constitute the individual electrical connections of each semiconductor element 58 and serve as a heat sink to cool the elements 58 during operation, although the latter are enclosed within the cavities 53.
The heat produced in the semiconductor is transmitted directly to the plate 51 and indirectly, through the conductor 65 to the plate 52, so that its two surfaces contribute to the efficient cooling of the semiconductor element. driver.



   One can conveniently stack a set of these unbalanced conductivity devices, so that the electrical contacts between them are good and the devices are connected in series.



   Figure 9 shows a device similar to that of Figure 8 and like numbers are used to designate similar elements.



   In Figure 9, the conductive strip 65 is removed. The connection of the semiconductor element to the plate 52 is obtained by means of a deep depression 66a in the form of a cone, the apex of which rests on the deposit 61 (as in the figure), or on the surface 59. Element 52 can be welded to surface 59 with ordinary solder, by melting into the impurity deposit 61, or more simply element 52 can be applied to surface 59 with sufficient pressure to make good contact. electric.



   The outer surfaces of the flat elements 51 & 52 are modified from those of the elements of Figure 8 and respectively have an annular depression 67 and an annular projection 68. This depression 67 and the projection 68 are arranged such that they allow the stacking of several elements identical to those described in FIG. 9, the projections 68 fit into the depressions 67 of the previous device, while in the depression 66a the projection 64 of the same device engages.



   Good electrical contacts are thus made between the successive devices which are stacked along their common axis.



   Figure 10 shows a second device similar to figure 8, the semiconductor element 58 is fixed by soldering to the plate 52 and the conductive strip 65 is clamped, this time between the lower edge 54 of the element. 51 and the upper surface of the annular washer 56 to allow the connection of the surface 59 and the element 51. This arrangement allows a more efficient cooling of the semiconductor 58, the plate 52 constituting a radiator of radiating surface greater than that. plate 51; however, appreciable cooling is achieved with the aid of the heat transmitted to element 51 through conductor 65.



     As will be seen in FIG. 10, the semiconductor element does not include any deposit of impurities; however, conductor 65 is connected to surface 59 via a small amount of solder 69 containing a P-type impurity, such as indium solder.



   Another feature of Figure 10 is the shape of the protrusion 64a which has a flared portion 70 which fits into an annular socket. This socket is circular in shape, it is made up of a set of elastic tabs 71, fixed to the plate 52. It is therefore possible to fix and connect together several similar devices, shown in FIG. 10, by stacking according to their position. common axis, the projection 64a fitting into the sleeve 66a by simple pressure.



   A sealed envelope is thus produced for elements with asymmetrical conductivity which makes it possible to group together, in series, quickly, a set of said elements. This embodiment of a variant of the invention furthermore makes it possible to quickly replace a defective element included in an assembly.



   Figures 11 & 12 represent a conductivity device

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 asymmetrical which makes it possible to group together a set of sealed enclosures identical to those described above (those of the type described in FIG. 8, for example), so that the rectifying elements which they contain are connected in series, the enclosures being stacked so that their axis of symmetry coincides.

   The grouping of the circular elements is obtained using a support which essentially comprises three insulating bars 72, 73 & 74, arranged symmetrically around said elements, held in their respective position by end plates 77 & 78 at the bran - legs 76 from which the bars 72 & 74 are riveted 75 Legs 79 riveted to the lower bars 72 & 73 on either side of the star-shaped plates 77 & 78 can be riveted or secured in any way suitable, to a panel 80.



   The plates 77 & 78 make it possible to connect the elements in series by direct contact between the plate 51 of one element and the plate 52 of the next; the end plate 77 comprises a central projection 81 which ensures contact with the last element on the left of the device, by engagement in the depression 66 of its plate 52; the second end plate 78 is equipped with an elastic tab 82, the pressure of which makes it possible to establish 1) contact with the plate 51 of the last element on the right and 2) correct serialization with weak contact resistances of successive elements which are pressed against each other. The connection terminals of the device 83 & 84 are fixed to the plates 77 & 78 by the rivets 75 which hold the bar 76.



   The support thus formed is solid, of simple and economical construction, it allows the rapid and easy extraction or introduction of an envelope or capsule, by dismantling the insulating bar 74 and simply sliding the capsule to be moved.



   FIGS. 13 & 14 describe a device similar to that of FIGS. 11 & 12 in which the capsules or circular envelopes of the rectifying elements are arranged on the same plane, their center being aligned along the axis of the support. A flat support is thus produced which takes up little space. The capsules are placed on a sheet of insulating material 85; connection elements 86, preferably elastic, make it possible both to connect the plates 51 of one capsule to the plates 52 of another, and to support said capsules.

   As seen in Figures 13 & 14, the connection elements 86 comprise a receptacle 87 applied against 85 in which engage - the projection 64 of the plate 51 of a casing of a straightening element, - a flat part 88 fixed to the sheet 85 by a rivet 89, one head of which is preferably embedded in the underside of said sheet, so that the support can be placed on a metal surface without the rectifying elements being short-circuited.



   - A bent arm 90, finally, one portion of which is parallel to the sheet 85 and the curved end of which engages in the depression 66 of the plate of another envelope. The arm portion 90 can be resilient and press the depression 66 so that the casing or capsule is fixed and the contacts on the plates 51 & 52 correctly established. The connections for placing the successive elements in series are thus made and, if the arm portion 90 is elastic, a capsule can be extracted or inserted into the device by momentarily moving away from its normal position, said elastic arm. The connections of the apparatus itself are made with the aid of elements 86 which may be truncated for this purpose. The holes 91 of the plate 85 make it possible to fix the device on a frame using rivets.

Claims (1)

RESUME La présente addition concerne la réalisation de dispositifs de montage et de connexions pour des systèmes comportant un ensemble d'éléments semi-conducteurs redresseurs, dont la fabrication est décrite dans le brevet <Desc/Clms Page number 9> principal. ABSTRACT The present addition concerns the production of mounting and connection devices for systems comprising a set of rectifying semiconductor elements, the manufacture of which is described in the patent. <Desc / Clms Page number 9> main. La présente addition est caractérisée par les points suivants A chacun des dits éléments redresseurs sont fixés : a) une plaque métallique mince,de dimensions beaucoup plus grandes, qui sert de connexions; b) un dépôt d'impuretés auquel est soudé une seconde connexion; les dites capsules, leur plaque support, le dépôt d'impuretés, ainsi que les fils qui servent à connecter en série les différents éléments sont enfermés entre les deux moitiés d'une enveloppe creuse de matière isolante qui permet de supporter, d'isoler et de mettre en position convenable chaque élément redresseur, à l'aide d'un système d'encoches, de saillies et dépressions correspondantes pratiquées dans les deux moitiés de l'enveloppe et dans les plaques supports. This addition is characterized by the following points To each of said rectifying elements are attached: a) a thin metal plate, of much larger dimensions, which serves as connections; b) a deposit of impurities to which is welded a second connection; the said capsules, their support plate, the deposit of impurities, as well as the wires which are used to connect the various elements in series are enclosed between the two halves of a hollow envelope of insulating material which makes it possible to support, insulate and to put in a suitable position each rectifier element, using a system of notches, projections and corresponding depressions made in the two halves of the casing and in the support plates. Deux plaquettes de connexion., qui sont fixées comme les plaques-supports d'éléments redresseurs, servent à connecter le dispositif par engagement des deux bornes dans une douille. Une substance de protection contre les atmosphères humide ou corrosive enrobe les éléments .redresseurs ou remplit la cavité qui la contient. Two connection plates, which are fixed like the support plates of rectifier elements, serve to connect the device by engaging the two terminals in a socket. A protective substance against humid or corrosive atmospheres coats the rectifier elements or fills the cavity which contains it. Dans un premier mode de réalisation, les différents éléments redresseurs sont fixés dans l'enveloppe les uns à côté des autres,de maniè- re que les plaques soient situées dans le même plan; selon un second mode de réalisation les éléments redresseurs sont fixés les uns derrière les au- tres, les plaques-support étant parallèles. In a first embodiment, the various rectifying elements are fixed in the casing one beside the other, so that the plates are situated in the same plane; according to a second embodiment, the rectifying elements are fixed one behind the other, the support plates being parallel. Selon une deuxième réalisation de l'invention, qui constitue une variante préférée, chaque élément redresseur est contenu dans une enve- loppe formée de deux pièces circulaires respectivement plates et concaves, qui s'adaptent l'une à l'autre pour former une cavité étanche dont les deux parties sont isolées par deux rondelles de substance isolante élastique, dont l'une d'elles assure la fermeture et l'étanchéité de la dite enveloppe ou capsule . par compression entre les rebords des plaques. Les connexions de l'élément redresseur sont réalisées à l'intérieur de l'enveloppe. Les deux plaques des capsules comportent respectivement une saillie et une dé- pression annulairesqui se correspondent, de sorte que l'on peut empiler ces capsules, leurs connexions extérieures étant assurées par le dit systè- me de saillies et dépressions. According to a second embodiment of the invention, which constitutes a preferred variant, each rectifier element is contained in a casing formed of two respectively flat and concave circular parts, which adapt to one another to form a cavity. waterproof, the two parts of which are isolated by two washers of elastic insulating substance, one of which ensures the closing and sealing of said envelope or capsule. by compression between the edges of the plates. The rectifier element connections are made inside the casing. The two plates of the capsules respectively have an annular projection and an annular depression which correspond to each other, so that these capsules can be stacked, their external connections being ensured by said system of projections and depressions. Trois modes de réalisation des enveloppes ou capsules sont décrites, deux types de chassis, de construction simple et économique, permettent d'assembler les capsules, et de remplacer rapidement une enveloppe défectueuse. en annexe 2 dessins. Three embodiments of the envelopes or capsules are described, two types of frame, of simple and economical construction, make it possible to assemble the capsules, and to quickly replace a defective envelope. in appendix 2 drawings.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998012745A1 (en) * 1996-09-18 1998-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Power connection for power semiconductor component
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