BE439840A - - Google Patents

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BE439840A
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Description


   <EMI ID=1.1> 
 

  
Procédé de fabrication de cellules au sélénium.

  
Les cellules au sélénium, en particulier les redresseurs à

  
sec au sélénium et les photo-cellules au sélénium ont été jusqu'ici fabriquées en fondant d'abord le sélénium sur une plaque de-base

  
en métal, par exemple en un métal du groupe du fer, chauffée à

  
une température d'environ 3000 Gels., le sélénium formant sur

  
cette base, après refroidissement, une couche amorphe solidement accrochée. Les éléments au sélénium ainsi préparés sont superposés dans un dispositif adéquat, sous intercalation à chaque fois, d'un disque en clinquant et d'un disque élastique, la couche de clinquant reposant directement sur la couche de sélénium et l'ensemble des éléments et des couches intercalaires étant maintenu comprimé par  des ressorts.

  
Les éléments en sélénium ainsi superposés et maintenus sous pression sont chauffés lentement à une température d'environ 1500 C. dans un four transformateur. La couche de sélénium est ainsi amenée de l'état amorphe à l'état cristallin. Ce traitement dure plusieura  heures et est interrompu quand est atteint le degré voulu de transformation..

  
Au début du chauffage, la couche amorphe de sélénium est tendr.e, molle et, sous l'influence de la pression du ou des ressorts,  qui est répartie uniformément sur les disques de sélénium par les disques élastiques intercalaires, toutes les inégalités et soufflu-  res de la couche de sélénium sont compensées. Par la cristallisation qui s'opère progressivement, la couche de sélénium redevient dure, solide.

  
Après cette mise en forme (transformation), les disques sont séparés, refroidis puis soumis à une deuxième transformation à plus haute température, mais de plus courte durée. Par cette deuxième transformation, la couche de sélénium est complètement transformée à l'état métallique bon conducteur, dans la direction de traversée de la photo-cellule.

  
Il a été proposé également d'amener la couche amorphe de sélénium sur la plaque métallique de base par pression à froid au lieu de fusion. Dans ce cas, le sélénium est dispersé sous forme de poudre sur la plaque de ba.se puis soumis à une forte pression. Les deux mises en forme (transformation) exposées ci-dessus se font alors de la manière indiquée.

  
Ces procédés ont le défaut de durer plusieurs heures, avant que la couche de sélénium soit complètement amenée en forme métallique voulue. En outre, il faut éviter, dans ces procédés, que la surface de sélénium vienne en contact avec des métaux pendant la première transformation qui dure plusieurs heures à haute température, sans quoi des traces de ces métaux pourraient diffuser dans  la couche de sélénium, ce qui augmenterait le courant de retour

  
de la cellule et empêcherait la formation d'une bonne couche d'arrêt à la surface du sélénium.

  
Il faut par conséquent veiller a ce que, pendant toute première transformation, la surface de sélénium ne vienne en contact qu'avec les disques neutres de clinquant qui, après chaque emploi, doivent être très soigneusement nettoyés.; 

  
 <EMI ID=2.1> 

  
nium est fondue sur la plaque de base, il faut encore prendre en considération, outre le temps considérable de la mise en forme, ce processus, qui constitue lui-même une perte de temps et dont la

  
 <EMI ID=3.1> 

  
 <EMI ID=4.1> 

  
Dans ce procédé conforme à l'invention, le sélénium amorphe est posé en couche mince sur les plaques de bases métalliques froides, de préférence rugueuses ; ce sélénium est en poudre ou sous forme de feuilles minces, pressées,- recouvrant la plaque de  base. Les plaques ainsi recouvertes de sélénium amorphe sont posées sur la table d'une presse. la table de presse, de même que

  
 <EMI ID=5.1> 

  
maintenue par un chauffage, de préférence un chauffage électriqueauto-régulateur. On exerce alors sur les plaques posées sur la ta-  ble de presse, une forte pression qui, en combinaison- avec le chauffage, détermine une liaison solide entre la couche amorphe de sé-  lénium et la plaque de base, et en même temps amène le sélénium_ à l'état cristallin gris. La pression exercée sur les plaques de sélénium est calculée de manière que la mise en forme (état cris-

  
 <EMI ID=6.1> 

  
née. Cette température ne doit pas être dépassée, sans quoi la cou-

  
 <EMI ID=7.1> 

  
processus de pression et mise en forme est complet après environ 
30 secondes. Un complexe ainsi fabriqué correspond-, à la sortie de . la presse, aux ensembles obtenus dans les procédés connus après 

  
la première transformation mentionnée..Le procédé connu,, qui dure plusieurs heures est ainsi remplacé par un procédé qui ne prend  que peu de secondes, ce qui signifie un progrès technique important.

  
Mais par le nouveau procédé, on n'obtient pas seulement un  notable gain de temps, mais encore les cellules sont meilleures au. 

  
point de vue puissance électrique et avant tout sont plus régulières que celles fabriquées à ce jour, car leur fabrication n'est soumise à aucune influence personnelle.

  
Un autre avantage est que, pendant le processus de pression et de transformation, les disques intercalaires indispensables jusqu' ici, c'est-à-dire les disques élastiques et les disques en clinquant, peuvent être laissés de côté. Les disques intercalaires élastiques uniformisant la pression sont superflus, parce que le. sélénium a une surface uniforme et régulière à cause de la pression. Les disques de clinquant par contre sont superflus parce que le temps pendant lequel la surface extérieure du sélénium est en contact avec le tampon presseur chaud est trop court pour que des métaux puissent, en quantités nuisibles quelconques, diffuser dans

  
la couche de sélénium.

  
Pour obtenir par la pression une surface aussi lisse que possible de la couche de sélénium, donc une surface qui, après l'ame-

  
 <EMI ID=8.1> 

  
du tampon presseur, la surface du tampon en contact avec le sélénium est polie jusqu'à fort brillant. Pour en outre empêcher complètement une action chimique du tampon presseur sur la surface de sélénium, le tampon presseur peut par exemple être chromé ou être recouvert d'un autre métal approprié.

  
La couche de sélénium comprimé et en même temps transformé peut être faite plus mince qu'il n'était possible jusqu'ici, sans que sa résistance à la tension en souffre. Par la couche de sélénium plus mince, dont l'épaisseur peut être plus petite qu'un dixième de millimètre, on obtient, dans les redresseurs à sec au sélénium, un abaissement notablement plus poussé de la résistance ohmique de la cellule dans la direction de traversée.

  
Les éléments de sélénium formés suivant le nouveau procédé sont travaillés ensuite de la manière connue. D'abord, la couche

  
de sélénium est transformée définitivement dans un deuxième four.

  
de transformation et la contre-électrode est posée par projection  d'une couche de métal pour les valves redresseuses au sélénium ou

  
 <EMI ID=9.1> 

  
te pour les photo-cellules au sélénium. Dans des cas spéciaux, on peut se dispenser d'une deuxième transformation thermique.

REVENDICATIONS.. 

  
1. Procédé de fabrication de cellules au sélénium., caractérisé, en ce que du sélénium amorphe est posé- en couche mince sur une plaque métallique froide et est soumise, par le tampon ou piston

  
 <EMI ID=10.1> 

  
la couche de sélénium se lie fortement en peu de. temps à la plaque . 

  
 <EMI ID=11.1> 

  
talline grise.

  
 <EMI ID=12.1>

Claims (1)

  1. <EMI ID=13.1>
    le sélénium est employé sous forme pulvérisée et est réparti uni-
    <EMI ID=14.1>
    3. Procédé suivant revendication 1, caractérisé en ce que le sélénium amorphe est posé sous forme d'une mince couche pressée sur la plaque métallique froide.,
    4. Procédé suivant revendications 1 à 3, caractérisé par ce que la pression appliquée est telle que l'épaisseur de la couche définitive de sélénium est plus petite que 1/10 mm..
BE439840D 1939-11-28 BE439840A (fr)

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FR868908A (fr) 1942-01-20
IT385799A (fr) 1900-01-01
CH219787A (de) 1942-02-28
NL62786C (fr) 1900-01-01

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