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US5382809A
(en)
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Semiconductor device including semiconductor diamond
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BE360651A
(enExample)
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EP0042789A1
(fr)
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Procédé de mesure de grande sensibilité des concentrations de gaz et produits volatils in situ et en continu et appareil de mise en oeuvre
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Ohl et al.
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Improved diode for the harmonic generation of millimeter and submillimeter waves |
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US6686230B2
(en)
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Semiconducting devices and method of making thereof
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EP0136225B1
(fr)
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Dispositif d'alimentation en énergie électrique pour générateur d'ozone
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Zarnani et al.
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Windowless helium lamp assisted chemical vapor deposition of hydrogenated amorphous silicon |
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Lindell et al.
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Radar crystal valves |
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BE393962A
(enExample)
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Aoki et al.
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DC Bias Effects on Growth of a-Ge: H in Coaxial-Type ECR Plasma |
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Kakinuma et al.
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Boron‐doping effects on the electrical properties of high‐deposition rate amorphous silicon |
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Takahashi et al.
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Photoconductive characteristics and stabilization of hydrogenated amorphous silicon films |
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CH340866A
(fr)
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Dispositif dans lequel se trouvent des organes assurant une commande automatique de gain
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CH118311A
(fr)
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Procédé pour régler un circuit de distribution électrique au moyen d'une décharge électronique, et installation pour sa mise en oeuvre.
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BE368028A
(enExample)
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JP2024069263A
(ja)
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高精度ｒｆ電圧を供給する共振伝送線路
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BE389170A
(enExample)
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BE351730A
(enExample)
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BE349944A
(enExample)
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BE417023A
(enExample)
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BE475128A
(enExample)
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BE336189A
(enExample)
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CH86284A
(fr)
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Installation de signalisation électrique sans fil.
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BE503167A
(enExample)
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BE440097A
(enExample)
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