ATE75699T1 - Verfahren zur herstellung von siliciumcarbid mit einer hohen spezifischen oberflaeche und dessen verwendung bei katalytischen hochtemperaturreaktionen.
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Verfahren zur herstellung von siliciumcarbid mit einer hohen spezifischen oberflaeche und dessen verwendung bei katalytischen hochtemperaturreaktionen.
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AT88420352T1987-10-191988-10-17Verfahren zur herstellung von siliciumcarbid mit einer hohen spezifischen oberflaeche und dessen verwendung bei katalytischen hochtemperaturreaktionen.
ATE75699T1
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Verfahren zur herstellung von siliciumcarbid mit einer hohen spezifischen oberflaeche und dessen verwendung bei katalytischen hochtemperaturreaktionen.
Verfahren zur herstellung von siliciumcarbid mit einer hohen spezifischen oberflaeche und dessen verwendung bei katalytischen hochtemperaturreaktionen.
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