ATE75699T1 - Verfahren zur herstellung von siliciumcarbid mit einer hohen spezifischen oberflaeche und dessen verwendung bei katalytischen hochtemperaturreaktionen. - Google Patents

Verfahren zur herstellung von siliciumcarbid mit einer hohen spezifischen oberflaeche und dessen verwendung bei katalytischen hochtemperaturreaktionen.

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ATE75699T1
ATE75699T1 AT88420352T AT88420352T ATE75699T1 AT E75699 T1 ATE75699 T1 AT E75699T1 AT 88420352 T AT88420352 T AT 88420352T AT 88420352 T AT88420352 T AT 88420352T AT E75699 T1 ATE75699 T1 AT E75699T1
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Austria
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silicon carbide
catalytic reactions
high temperature
temperature catalytic
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AT88420352T
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Marc J Ledoux
Jean-Louis Guille
Sylvain Hantzer
Dominique Dubots
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Pechiney Electrometallurgie
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AT88420352T 1987-10-19 1988-10-17 Verfahren zur herstellung von siliciumcarbid mit einer hohen spezifischen oberflaeche und dessen verwendung bei katalytischen hochtemperaturreaktionen. ATE75699T1 (de)

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FR888804727A FR2629366B2 (fr) 1987-10-19 1988-03-30 Application du carbure de silicium a grande surface specifique a des reactions catalytiques a temperature elevee
EP88420352A EP0313480B1 (de) 1987-10-19 1988-10-17 Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid mit einer hohen spezifischen Oberfläche und dessen Verwendung bei katalytischen Hochtemperaturreaktionen

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