AT507925B1 - Resonator-pixel und pixel-sensor - Google Patents

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Resonator-Pixel mit einer Anzahl von Resonatorelementen (1) zur Absorption und/oder zur Umwandlung in Wärme von elektromagnetischen Wellen zumindest einer im Bereich zwischen 2μm bis 200μm vorgegebenen Wellenlänge (λ), mit einem dreischichtigen Aufbau umfassend eine erste Metallschicht (11) und eine zweite Metallschicht (13) sowie eine zwischen den beiden Metallschichten (11, 13) liegende dielektrische Schicht (12), wobei die maximale laterale Abmessung der Schichten (11, 12, 13) im Bereich zwischen einem Viertel und der Hälfte der vorgegebenen Wellenlänge (λ) liegt, wobei die Resonatorelemente (1) auf derselben Seite einer gemeinsamen Trägerschicht (2) aufgebracht sind, und wobei in oder auf der Trägerschicht (2) ein Temperatursensor (3) eingebettet oder ausgebildet ist oder die Trägerschicht (2) als Temperatursensor (3) ausgebildet ist. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Resonatorelemente (1) prismenförmig oder zylindrisch aufgebaut sind und der Schichtquerschnitt der ersten Metallschicht (11), der zweiten Metallschicht (13) und der dielektrischen Schicht (12) annähernd gleich in Form und Größe ist.

Description

österreichisches Patentamt AT507 925B1 2011-05-15

Beschreibung [0001] Die Erfindung betrifft ein Resonatorpixel gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

[0002] Derartige Resonatorpixel werden insbesondere zur Wellenlängen- und polarisationsabhängigen Absorption und Intensitätsmessung elektromagnetischer Strahlung eingesetzt.

[0003] Die Erfindung verwendet hierfür schichtartig aufgebaute Resonatorpixel mit schichtartig aufgebauten Resonatorelementen. Als lateral wird im Zusammenhang mit einem schichtartigen Aufbau eine Richtung oder Ausrichtung bezeichnet, welche entlang der Schichten oder parallel zu den Schichten verläuft. Derartige Schichten weisen üblicherweise Schichtdicken auf, die wesentlich kleiner sind als die lateralen Abmessungen der Schichten.

[0004] Die maximale laterale Abmessung einer Schicht ist die maximale Entfernung zwischen zwei von dieser Schicht umfassten Raumpunkten. Bei rechteckigen Schichten ist beispielsweise die Diagonale die maximale laterale Abmessung, bei kreisförmigen Schichten ist der Durchmesser die maximale laterale Abmessung.

[0005] Aus dem Stand der Technik sind Infrarotdetektoren bekannt, die entweder auf einer Wechselwirkung zwischen Photonen und Elektronen im Detektormaterial basieren, also den inneren Photoeffekt ausnutzen oder auf der Erwärmung des Detektors durch Absorption der einfallenden Strahlung basieren, letztere werden auch als thermische Detektoren bezeichnet.

[0006] Die Veröffentlichung "Absorbing Frequency-Selective Surface for the mm-Wave Range" zeigt einen Absorber für den mm-Wellenbereich, der auf einer frequenzselektiven Oberfläche beruht. Dieser Absorber besteht aus einem periodischen Raster von resistiven Teilsensoren, die auf einer geerdeten dielektrischen Schicht angeordnet sind. Durch Variation der Form der Patches und durch Variation der Beabstandung der einzelnen Patches voneinander kann der Absorber auf bestimmte Frequenzen oder Frequenzbänder eingestellt werden.

[0007] Die internationale Patentanmeldung WO 2007/149121 A2 zeigt einen Sensor für ein Verfahren zur Herstellung eines Sensors, wobei der Absorbtionsbereich in bestimmten Wellenlängenabschnitten einstellbar ist. Ein solcher Sensor umfasst oberflächlich angeordnet eine Vielzahl unterschiedlicher Sensorelemente. Sämtliche Sensorelemente sind auf einer gemeinsamen dielektrischen Schicht angeordnet. Diese dielektrische Schicht ist mit einer metallischen Schicht verbunden und geerdet.

[0008] Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, auf möglichst einfache Weise ein Resonatorpixel mit Resonatorelementen aufzubauen, bei dem die lateralen geometrischen Abmessungen der einzelnen Resonatorelemente diejenige Wellenlänge bestimmen, bei der die einfallenden elektromagnetischen Strahlen vorzugsweise absorbiert werden. Eine Anforderung an die Erfindung ist eine kompakte Bauart und die Möglichkeit, die Resonatoren auf unterschiedliche Wellenlängen und Polarisationen abzustimmen. Die einfallende Strahlung soll weilenlängen- und polarisationsselektiv dissipiert werden. Ziel ist ferner die Herstellung eines multispektralen und polarisationsselektiven Pixelsensors bzw. Pixelsensorarrays für bildgebende Systeme auf der Basis von Mikrobolometern.

[0009] Die Erfindung löst die Aufgabe bei einem Resonatorpixel der eingangs genannten Art mit den Merkmalen des Kennzeichens des Anspruchs 1.

[0010] Ein erfindungsgemäßes Resonatorpixel zeigt eine besonders einfach zu realisierende Form zur Integration einer Vielzahl von Resonatorelementen und zur Erhöhung des Absorptionseffekts.

[0011] Erfindungsgemäß besteht der weitere Vorteil, dass bei Vorgabe einer Wellenlänge eine Geometrie eines Resonatorelements bestimmt werden kann, die für diese spezielle vorgegebene Wellenlänge eine optimale Absorptionscharakteristik aufweist. Die Resonatorelemente weisen ein sehr scharfes Absorptionsspektrum auf, haben eine sehr geringe Masse und sind mit Standardmethoden der Halbleitertechnologie herstellbar. Daher eignen sich erfindungsgemäße Resonatorelemente insbesondere zur Herstellung multispektraler Sensorarrays für beliebige 1/10 österreichisches Patentamt AT507 925B1 2011-05-15 bildgebende Systeme auf Basis von Mikrobolometern.

[0012] Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind durch die Merkmale der Unteransprüche charakterisiert.

[0013] Die Merkmale des Kennzeichens des Anspruchs 2 und 3 stellen ein polarisationsselektives thermisches Resonatorelement zur Verfügung.

[0014] Einen besonders einfachen Aufbau sowie eine einfache Fertigung mittels Halbleitertechnologie bieten Resonatorelemente mit den Merkmalen des Kennzeichens der Ansprüche 4 und/oder 5.

[0015] Ein besonders gutes Resonanzverhalten wird bei einem Resonatorelement mit den Merkmalen des Kennzeichens des Anspruchs 6 erzielt.

[0016] Ein Resonatorpixel nach Anspruch 7 ist besonders einfach herstellbar.

[0017] Besonders einfach herzustellen ist ein Resonatorpixel mit den Merkmalen des Kennzeichens des Anspruchs 8 und/oder 9.

[0018] Pixel zur polarisationssensitiven Detektion elektromagnetischer Strahlen werden durch die Merkmale des Kennzeichens des Anspruchs 10 erreicht.

[0019] Zur bildgebenden Erfassung elektromagnetischer Strahlen kann ein Pixelsensor mit den Merkmalen des Kennzeichens des Anspruchs 11 eingesetzt werden.

[0020] Fig. 1 zeigt ein erfindungsgemäßes Resonatorelement.

[0021] Fig. 2 zeigt ein erfindungsgemäßes Resonatorpixel mit Anschlüssen.

[0022] Fig. 3 zeigt ein erfindungsgemäßes Resonatorpixel mit Resonatorelementen, die nach derselben vorgegebenen lateralen Richtung P hin ausgerichtet sind.

[0023] Fig. 4 zeigt drei auf einem gemeinsamen Resonatorpixel angeordnete Resonatorele mente sowie die durch die Bestrahlung entstehende Temperaturverteilung im trägernahen bzw. unteren Bereich der Resonatorelemente.

[0024] Fig. 5 zeigt schematisch den Aufbau eines Pixelsensors umfassend eine Vielzahl von

Resonatorelementen.

[0025] Fig. 6 zeigt schematisch das Absorptionsverhalten von kreisförmigen Resonatorele menten.

[0026] Fig. 7 zeigt schematisch das Absorptionsverhalten von polaritätssensitiven Resonatore lementen.

[0027] Fig. 8 zeigt drei auf einem gemeinsamen Resonatorpixel angeordnete Resonatorele mente mit gemeinsamer erster Metallschicht.

[0028] Fig. 9 zeigt eine analoge Ausführungsform mit gemeinsamer dielektrischer Schicht.

[0029] Fig. 1 zeigt schematisch den Aufbau eines erfindungsgemäßen Resonatorelements umfassend eine erste leitfähige Metallschicht 11, eine dielektrische Schicht 12 sowie eine zweite Metallschicht 13. Die Höhe eines derartigen Resonatorelements 1, damit auch die Dicke der einzelnen Schichten 11,12,13, liegt im Bereich zwischen einigen 10 nm bis zu etwa 10 pm. Die jeweiligen Schichtdicken der beiden Metallschichten 11, 13 liegen dabei im Bereich von 10 nm bis zu 1 pm. Die Schichtdicke der dielektrischen Schicht liegt im Bereich von 25 nm bis zu 10 pm. Üblicherweise wird die Dicke der dielektrischen Schicht 12 wesentlich größer, etwa um einen Faktor 2 bis 10 größer, als die jeweiligen Schichtdicke der beiden Metallschichten 11, 13 gewählt.

[0030] Das Resonatorelement 1 ist, wie in Fig. 1 dargestellt, über die zweite Metallschicht 13 mit einer Trägerschicht 2 verbunden. Fertigungstechnisch wird dies vorteilhafterweise dadurch erzielt, dass die zweite Metallschicht 13 auf die, insbesondere als Halbleiter ausgebildete, Trägerschicht 2 aufgebracht oder aufgedampft wird. Gemäß Fig. 1 ist in der Trägerschicht 2 ein 2/10 österreichisches Patentamt AT507 925B1 2011-05-15

Temperatursensor 3 ausgebildet bzw. eingebettet, welcher die durch die Absorption der eingestrahlten elektromagnetischen Wellen entstandene Wärme aufnimmt. Durch die Temperaturänderung des Temperatursensors werden dessen elektrische Kenngrößen, insbesondere dessen elektrischer Widerstand verändert. Dieser Widerstand kann somit über elektrische Verbindungsleitungen 52 abgegriffen und einer externen Verarbeitung zugeführt werden.

[0031] Alternativ bestehen die Möglichkeiten, dass der Temperatursensor 3 auf der Trägerschicht 2 ausgebildet ist, dass der Temperatursensor 3 in die dielektrische Schicht 12 eingebettet ist oder dass die gesamte Trägerschicht 2 aus temperaturempfindlichem Material besteht und somit als Temperatursensor ausgebildet ist. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass die gesamte Trägerschicht 2 durch einen temperatursensitiven Halbleiter gebildet ist.

[0032] Mittels relativ einfacher Produktionsprozesse ist die Integration einer Vielzahl von Resonatorelementen 1 auf der Trägerschicht 2 möglich.

[0033] Fig. 4 zeigt schematisch die Temperaturverteilung im Bereich der Trägerschicht 2 eines Resonatorpixels 5 umfassend eine Vielzahl von Resonatorelementen 1. Durch die Einstrahlung elektromagnetischer Wellen auf die einzelnen Resonatorelemente 1 bilden sich im Bereich unter den einzelnen Resonatorelementen 1 Bereiche mit erhöhter Temperatur aus. Am größten ist die Temperaturerhöhung unmittelbar unterhalb bzw. im Zentrum der Resonatorelemente 1. In Fig. 4 ist schematisch die Temperaturverteilung im Bereich der Trägerschicht 2 mittels ISO-Temperaturlinien dargestellt. Die größte dargestellte Temperatur wird unmittelbar unterhalb der Resonatorelemente 1 erreicht.

[0034] Im unteren Bereich der Trägerschicht 2 ist die Temperatur geringer und erreicht beispielsweise den Wert T3.

[0035] Die lateralen Abmessungen des Resonatorelements 1, insbesondere die lateralen Abmessungen der ersten Metallschicht 11, bestimmen wesentlich die Absorptionscharakteristik des Resonatorelements 1. Wird beispielsweise ein kreisförmiger Umfang der ersten Metallschicht bzw. des gesamten Resonatorelements 1 gewählt, so entspricht die maximale laterale Abmessung dem Durchmesser der ersten Metallschicht 11 bzw. des gesamten Resonatorelements 1. Üblicherweise werden die Resonatorelemente zylindrisch oder prismenförmig aufgebaut, das heißt, dass der Schichtquerschnitt der ersten Metallschicht 11, der zweiten Metallschicht 13 sowie der dielektrischen Schicht 12 annähernd gleich in Form und Größe sind. Fertigungsbedingt sind jedoch stets Abweichungen von der idealen Zylinder- oder Prismenform zu erwarten, insbesondere nehmen die einzelnen Schichten des Resonatorelements 1 in Richtung der zweiten Metallschicht 13 ihrer Größe nach zu.

[0036] Die Resonatorelemente 1 werden durch die magnetische Komponente einer von oben einfallenden elektromagnetischen Welle zu Schwingungen angeregt. Durch Ohm'sche oder dielektrische Verluste in den Einzelschichten wird die eingekoppelte Energie in Wärme umgewandelt, was zu einer lokalen Erhöhung der Temperatur führt. Die Absorption der einfallenden Strahlung erfolgt umso effektiver, je näher ihre Frequenz bei der Eigenschwingungsfrequenz des Resonatorelements 1 liegt. Die Absorption der Resonatorelemente 1 ist wellenlängenabhängig und weist ein Maximum bei der Resonanzwellenlänge auf.

[0037] Die lateralen Abmessungen der Resonatorelemente 1 sind deutlich kleiner als die Resonanzwellenlänge λ. Bei festgelegtem Schichtaufbau ist die Resonanzfrequenz λ eines solchen Resonatorelements 1 nur von den lateralen Abmessungen abhängig. Dies ist schematisch in Fig. 6 für zylindrische Resonatorelemente 1 zu sehen. Im oberen Teil ist das Absorptionsspektrum eines Resonatorelements 1 des Durchmessers d1 mit maximaler Absorption bei der Wellenlänge λ1 dargestellt. Bei einer Verkleinerung der Durchmessers auf Λ2. verschiebt sich das Absorptionsmaximum zur kürzeren Wellenlänge Λ2.

[0038] Durch geeignete Wahl der Form, z.B. rechteckig, elliptisch, linienförmig, ergeben sich unterschiedliche Resonanzfrequenzen entlang unterschiedlicher Raumrichtungen. Auf diese Art kann eine polarisationsabhängige Absorption realisiert werden. Dies ist in Fig. 7 exemplarisch 3/10 österreichisches Patentamt AT507 925B1 2011-05-15 für ein rechteckiges Resonatorelement 1 mit den Seitenlangen bzw. lateralen Abmessungen w1 und w2 dargestellt. Einfallende Strahlung, deren magnetische Komponente B orthogonal zur langen Achse des Rechtecks polarisiert ist, wird bevorzugt bei der Wellenlänge A1 absorbiert (oben). Licht mit einer um 90° gedrehten Polarisationsrichtung (unten) wird bei dieser Wellenlänge A1 nicht absorbiert, da die entsprechende Resonanz zu der kürzeren Wellenlänge A2 verschoben ist.

[0039] Vorteilhaft erweisen sich kreisförmige oder quadratische Schichtquerschnitte der beiden Metallschichten 11, 13 zur polarisationsneutralen Aufnahme elektromagnetischer Strahlungen bzw. rechteckige oder ellipsenförmige Metallschichten 11, 13 zur polarisationssensitiven Aufnahme von elektromagnetischen Wellen.

[0040] Bei derartigen polarisationssensitiven Resonatorelementen 1 ist es besonders vorteilhaft, die Abmessung der ersten Metallschicht 11, insbesondere auch der zweite Metallschicht 13 sowie der dielektrischen Schicht 12, so zu gestalten, dass die Abmessung nach einer ersten lateralen Richtung einem Vielfachen der Abmessung nach einer auf die erste laterale Richtung normal stehenden zweiten lateralen Richtung entspricht. Das Verhältnis dieser beiden Abmessungen kann beispielsweise mit 1:4 bis 1:10 gewählt werden. Somit entspricht die Oberfläche der ersten Metallschicht des Resonatorelements einem Rechteck mit Längenverhältnis von 1:4 bis 1:10 oder einer Ellipse mit einem Hauptachsenverhältnis von 1:4 bis 1:10.

[0041] Mit Hilfe von geeigneten Strukturierungsmethoden können durch Aneinanderreihen einer Vielzahl von gleich aufgebauten und gleich ausgerichteten Einzelresonatoren in Form eines Arrays grössere Flächen auf einem Substrat abgedeckt werden. Es können auch Felder erzeugt werden, die bevorzugt bei unterschiedlichen Wellenlängen und/oder Polarisationen absorbieren. Fig. 2 zeigt exemplarisch eine mögliche Anordnung, mit polarisationsunabhängiger Absorption, bei der durch Aneinanderreihen kreisförmiger Resonatorelemente Felder hergestellt werden.

[0042] Fig. 3 zeigt eine weitere mögliche Anordnung rechteckiger Resonatorelemente, die zueinander parallel angeordnet sind, wobei alle Resonatorelemente 1 nach derselben vorgegebenen lateralen Richtung P hin ausgerichtet sind.

[0043] Von besonderem Vorteil ist die Integration einer Vielzahl von Resonatorpixein 1 in einen Pixelsensor. Ein derartiger Pixelsensor umfasst eine Anzahl von in einem Raster angeordneten Resonatorpixein 5, wobei die einzelnen Resonatorpixel 5 mittels ihrer elektrischen Zuleitung gegenüber einem gemeinsamen Träger 90 beabstandet festgelegt sind und der die Resonatorpixel 5 umgebende Raum evakuiert ist, z.B. durch ein strahlungsdurchlässiges Gehäuse. Ein derartiger Aufbau, der in Fig. 5 schematisch beschrieben ist, verhindert, dass zwei beabstande-te Resonatorpixel 5 miteinander wechselwirken oder interagieren, insbesondere durch Wärmeleitung wechselwirken oder interagieren. Somit ist es möglich, auf benachbarten Resonatorpi-xeln 5 unterschiedlich ausgeformte Resonatorelemente 1 aufzubringen und somit elektromagnetische Wellen unterschiedlicher Wellenlängen oder Polarisationsrichtungen zu detektieren. Aufgrund ihrer geringen Masse sind die beschriebenen Resonatorpixel 5 auch für die Integration in thermisch entkoppelte Detektoren, wie z.B. Mikrobolometer, geeignet.

[0044] Fig. 5 zeigt schematisch einen Pixelsensor umfassend zwei nebeneinander angeordnete Resonatorpixel 5, die über ihre Verbindungsleitungen 52 über die Anschlüsse 51 mit einem gemeinsamen Träger 90 verbunden sind. In diesem Träger 90 ist beispielsweise eine Auswerteschaltung zur Ermittlung der einzelnen von den Resonatorpixein 5 gemessenen Intensitäten integriert.

[0045] Fig. 8 zeigt drei Resonatorelemente, bei denen die zweite Metallschicht 13 die erste Metallschicht 11 bzw. die dielektrische Schicht 12 um ein Vielfaches nach beiden ihrer lateralen Richtungen überragt. Es wird somit ein Resonatorpixel 5 geschaffen, bei dem alle Resonatorelemente 1 eine gemeinsame zweite Metallschicht 13 aufweisen.

[0046] Fig. 9 zeigt drei Resonatorelemente, bei denen sowohl die zweite Metallschicht 13 als auch die dielektrische Schicht 12 die erste Metallschicht 11 nach beiden ihrer lateralen Richtun- 4/10

Claims (11)

1. österreichisches Patentamt AT507 925B1 2011-05-15 gen um ein Vielfaches überragt. Es wird somit ein Resonatorpixel 5 geschaffen, bei dem alle Resonatorelemente 1 eine gemeinsame zweite Metallschicht 13 sowie eine gemeinsame dielektrische Schicht 12 aufweisen. [0047] Wesentliche Vorteile der beiden in Fig. 8 und Fig. 9 dargestellten Ausführungsformen eines Resonatorpixels ergeben sich insbesondere durch eine leichtere Strukturierbarkeit bzw. Herstellbarkeit der einzelnen Resonatorelemente bzw. Resonatorpixel. [0048] Je nach Größe und Abmessungen der Resonatorelemente gegenüber den Resonatorpi-xeln kann vorgesehen werden, dass die lateralen Abmessungen der zweiten Metallschicht, gegebenenfalls auch der dielektrischen Schicht 12, die lateralen Abmessungen der ersten Metallschicht 11 um zumindest das Doppelte übersteigen. Als Abmessung wird hierbei insbesondere die maximale laterale Abmessung verstanden. Patentansprüche 1. Resonator-Pixel mit einer Anzahl von Resonatorelementen (1) zur Absorption und/oder zur Umwandlung in Wärme von elektromagnetischen Wellen zumindest einer im Bereich zwischen 2 pm bis 200 pm vorgegebenen Wellenlänge (λ), - mit einem dreischichtigen Aufbau umfassend eine erste Metallschicht (11) und eine zweite Metallschicht (13) sowie eine zwischen den beiden Metallschichten (11, 13) liegende dielektrische Schicht (12), - wobei die maximale laterale Abmessung der Schichten (11, 12, 13) im Bereich zwischen einem Viertel und der Hälfte der vorgegebenen Wellenlänge (λ) liegt, wobei die Resonatorelemente (1) auf derselben Seite einer gemeinsamen Trägerschicht (2) aufgebracht sind, und - wobei in oder auf der Trägerschicht (2) ein Temperatursensor (3) eingebettet oder ausgebildet ist oder die Trägerschicht (2) als Temperatursensor (3) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass -die Resonatorelemente (1) prismenförmig oder zylindrisch aufgebaut sind und der Schichtquerschnitt der ersten Metallschicht (11), der zweiten Metallschicht (13) und der dielektrischen Schicht (12) annähernd gleich in Form und Größe ist.
2. 2. Resonator-Pixel gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in jedem Resonatorelement (1) die Abmessung aller Schichten (11, 12, 13) nach einer ersten lateralen Richtung einem Vielfachen der Abmessung aller Schichten (11,12,13), nach einer auf die erste laterale Richtung normal stehenden zweiten lateralen Richtung entspricht.
3. 3. Resonator-Pixel gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in jedem Resonatorelement (1) die Abmessung aller Schichten (11, 12, 13) nach einer ersten lateralen Richtung dem Vierfachen bis Zehnfachen der Abmessung aller Schichten (11, 12, 13), nach einer auf die erste laterale Richtung normal stehenden zweiten lateralen Richtung entspricht.
4. 4. Resonator-Pixel gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest die erste Metallschicht (11) die Form eines Kreises oder eines Quadrats aufweist.
5. 5. Resonator-Pixel gemäß Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest die erste Metallschicht (11) die Form einer Ellipse oder eines Rechtecks aufweist.
6. 6. Resonator-Pixel gemäß einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke der ersten und der zweiten Metallschicht (11, 13) im Bereich von 10nm bis zu 1 pm liegt und/oder dass die Schichtdicke der dielektrischen Schicht (12) im Bereich von 25 nm bis 10 pm liegt.
7. 7. Resonator-Pixel gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Temperatursensor (3) unterhalb des Resonatorelementes (1) in die gemeinsame Trägerschicht (2) eingebettet ist.
8. 8. Resonator-Pixel gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerschicht (2) mit einem Halbleiter gebildet ist. 5/10 österreichisches Patentamt AT507 925B1 2011-05-15
9. 9. Resonator-Pixel gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerschicht (2) mit einem temperatursensitiven Halbleiter gebildet ist.
10. 10. Resonator-Pixel gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonatorelemente (1) nach derselben vorgegebenen lateralen Richtung (P) hin ausgerichtet sind.
11. 11. Pixelsensor gekennzeichnet durch eine Anzahl von in einem Raster angeordneten Resona-tor-Pixeln (5) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die einzelnen Resonator-Pixel (5) mittels ihrer elektrischen Zuleitungen (52) gegenüber einem gemeinsamen Träger (90) beabstandet festgelegt und/oder getragen sind und der die Resonator-Pixel (5) umgebende Raum evakuiert ist. Hierzu 4 Blatt Zeichnungen 6/10