<Desc/Clms Page number 1>
Die Erfindung bezieht sich auf einen Feldeffekttransistor (FET) mit einem injektionsbegrenzenden Source-Kontakt, der "heisse" und daher schnelle Elektronen injiziert ("Hot Electron Injection Field Effect Transistor"oder HEIFET").
Für digitale und analoge Halbleiterschaltungen werden heute bipolare und Feldeffekt-Tran- sistoren verwendet, an die eine Vielzahl Anforderungen gestellt werden. Die 3 wesentlichsten Merkmale sind die Verstärkung (Spannung, Strom, Leistung), die Grenzfrequenz, bis zu der Verstärkung auftritt, und der Wirkungsgrad (Verhältnis der bei einer Frequenz verstärkten Leistung zur im Transistor verbrauchten Gleichstromleistung). Verstärkung, Wirkungsgrad und Grenzfrequenz sind voneinander nicht unabhängig. Verstärkung und Wirkungsgrad nehmen mit zunehmender Frequenz und zwar mit dem Quadrat der Frequenz ab. Von den heute verwendeten
EMI1.1
Silizium-MOS-TransistorenAlGaAs, InP, InGaAs, etc. die höchsten Grenzfrequenzen (100 Gigahertz und darüber) erzielt werden [Siehe Handbook on Semiconductors, Vol. 4, edited by C.
Hilsum, North-Holland, 1993, p. 500-501, ISBN 0 444-88813-6].
Im Frequenzbereich 10 - 150 GHz werden neben Transistoren auch spezielle Halbleiterdioden wie die Gunn-Diode (auch Transferred Electron Device genannt) und die Lawinenlaufzeitdiode (auch IMPATT-Diode genannt) verwendet. Bis auf die planare Gunn-Diode mit injektionsbegrenzendem Kathodenkontakt (auch FECTED oder Field Effect Controlled Transferred Electron Device genannt) [Siehe US Patent No. 3, 740, 666 und Handbook on Semiconductors, Vol. 4, North Holland, 1993, p. 500-501, ISBN 0444 88813-6], eignen sich Gunn-und IMPATT-Dioden nicht oder nur sehr schlecht für monolithische Integration, weshalb für Integrierte Millimeterweiten- Schaltungen oberhalb 10 GHz heute nur noch Transistoren und der FECTED verwendet werden.
Wie bereits erwähnt, nimmt die Leistungsfähigkeit der Transistoren mit steigender Frequenz ab, da die Laufzeit der Elektronen durch den Transistor höchstens so gross wie die halbe Periodendauer der zu verstärkenden Wechselspannung sein darf ("Laufzeitbedingung"). Während beim Bipolartransistor die Elektronen die Emitter-Basis-Diode und die Basis-Kollektordiode durchlaufen müssen, ist beim Feldeffekt-Transistor die zu durchlaufende kritische Dimension nur der von der Steuerelektrode ("Gate") bedeckte Kanalbereich, den man mit den heute bekannten modernen Lithographieverfahren bereits in der Grössenordnung von 0, 1 Mikrometer (=100 Nanometer) realisieren kann. Die Herstellungskosten derart kleiner Strukturen sind jedoch extrem hoch.
Die im Bipolartransistor von den Elektronen zu durchquerenden Dioden weisen zwar die selbe Länge wie der Gatebereich des Feldeffekt-Transistors auf, die Laufzeit ist jedoch grösser und damit die Grenzfrequenz kleiner, weil die Elektronen insbesondere im Emitter-Basis-Bereich nur langsam driften ("diffundieren"). Diese "Diffusionskapazität" ist der Grund, warum der bipolare Transistor dem Feldeffekttransistor hinsichtlich Grenzfrequenz unterlegen ist. Tatsächlich wurden mit HeteroFeldeffekt-Transistoren bei höheren Frequenzen höhere Leistungen erzielt als mit dem Bipolartransistor.
Obwohl die Laufzeit der Elektronen im FECTED nicht begrenzend wirkt (der negative differen- tielle Widerstand ist das Resultat der Elektronenstreuung zwischen Leitungsbandminima), wird bei hohen Frequenzen ebenfalls ein Leistungsabfall (geringer Wirkungsgrad) gemessen, der aber nicht auf zu grosse Laufzeit, sondern auf den geringeren Unterschied der Elektronengeschwindigkeiten im Zentralleitungsband und in den energetisch höher liegenden Leitungsbandminima zurückzuführen ist. Dieser als "peak to valley ratio" bezeichnete Parameter ist bei tiefen Frequenzen etwa 50%, er sinkt mit steigender Frequenz.
Dieser geringe Stromhub führt auch schon bei tieferen Frequenzen zu geringeren Wirkungsgraden als die mit Transistoren erzielbaren, da bei Transistoren prinzipiell ein Stromhub von 100% erreichbar ist, da der Strom im Kollektor bzw. im Drain über die Steuerelektrode auf Null abgesenkt werden kann.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Massnahme anzugeben, die die Geschwindigkeit der aus dem Source-Kontakt in den Kanal des Feldeffekt-Transistors injizierten Elektronen stark erhöht und damit die Laufzeit durch den Transistorkanal stark verkürzt und somit die Grenzfrequenz (=Transitfrequenz) wesentlich erhöht.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass im hochdotierten Source-Kontakt, aus dem die
<Desc/Clms Page number 2>
Elektronen wegen der geringen Feldstärke normalerweise mit geringer Geschwindigkeit austreten, eine zusätzliche Beschleunigungszone in Form einer überlappenden, durch eine dünne Isolierschicht vom Source-Kontakt galvanisch getrennte Elektrode (. Schottky-Kontakt") angeordnet ist.
Dieses mit Gleichspannung vorgespannte, wechseistrommässig aber wegen der Überlappungskapazität auf Source-Potential liegende Schottky-Gate erzeugt "heisse" und damit schnelle Elektronen, die mit Sättigungsgeschwindigkeit in den mit dem normalen Steuer-Gate versehenen Kanal des Feldeffekt-Transistors injiziert werden. In diesem der Erfindung zugrunde liegenden neuen Feldeffekttransistor ist somit der ohmsche Source-Kontakt durch einen an sich bekannten injektionsbegrenzenden Kontakt ersetzt worden, wie er zum Beispiel auch Im "FECTED", das ist eine planare Gunn-Diode mit injektionsbegrenzendem Kathodenkontakt, verwendet wird.
Der mit der Erfindung erzielte Hauptvorteil liegt, wie bereits dargelegt, in der wesentlich verbesserten Grenzfrequenz (Transitfrequenz) des Feldeffekt-Transistors. Die im Kanalbereich liegende, für die Steuerung des Feldeffekt-Transistors zuständige Gate-Elektrode kann daher grössere Dimension aufweisen als die in einen herkömmlichen Feldeffekt-Transistor für dieselbe Betriebsfrequenz notwendige Gate-Elektrode, da im neuen Transistor die Elektronen den gesamten Gatebereich mit höherer Geschwindigkeit durchlaufen Die Anforderungen an die Technologie sind also bei gleicher Betriebsfrequenz beim neuen Transistor viel geringer.
Wird als Halbleitermaterial ein Material, in dem der Transferred Electron Effect (Gunn-Effekt) auftritt, verwendet (z. B. GaAs, InP), so kann dieser Effekt im neuen Feldeffekttransistor zusätzlich für Verstärkung mitbenützt werden. Man kann nämlich das der Erfindung zugrunde liegende neue Bauelement auch als FECTED mit zusätzlicher Feldeffekt-Steuerelektrode ansehen, da der FECTED eine injektionsbegrenzende Kathode besitzt, die in die Gunn-Effekt-Driftzone heisse Elektronen injiziert [Siehe K. Lübke, H. Scheiber and H.
Thim, Microwave and Guided Wave Letters, vol.1, No.2, Feb. 1991, pp. 35-37]. Bei dieser Betrachtungsweise führt die zusätzliche Steuerelektrode in der Gunn-Effekt-Driftzone zu einer "effektiven" Erhöhung des vom Gunn-Effekt herrührenden Peak to Valley Ratio, wodurch der Wirkungsgrad des FECTED erhöht wird. Die Steuerelektrode muss jedoch phasenrichtig angesteuert werden, das heisst, die Gate-SourceWechselspannung muss gegenüber der Drain-Source-Wechselspannung um etwa 180 phasenverschoben sein. Das erreicht man zum Beispiel dadurch, dass der FET-Teil des modifizierten FECTED in Gate-Grundschaltung betrieben wird.
Die Erfindung wird anhand dreier Figuren näher erläutert.
Es zeigen beispielhaft :
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel in Siliziumtechnologie (Schnitt und zugehörige elektrische Schaltung zur Verstärkung von hochfrequenten Signalen).
Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel in Gallium-Arsenid-Technologie (Schnitt und zugehörige elektrische Schaltung zur Verstärkung von hochfrequenten Signalen).
Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel in Gallium-Arsenid-Technologie (Schnitt und Oszillator-Schal- tung).
Bei der beispielhaften Schaltungsanordnung nach Fig. 1 befindet sich auf dem Grundkörper 1 aus undotiertem oder schwach P-dotiertem Silizium eine etwa 0. 1-1 11m dünne, N-dotierte SiliziumSchicht 2 und darüber der ohmsche Source-Kontakt 3, der möglichst dünne Isolierkörper 4, der mit Gleichspannung vorgespannte Schottky-Kontakt 5, die als Schottky-Kontakt ausgeführte Steuer- elektrode (. Schottky-Gate") 7 und der Drain-Kontakt 8, der als ohmscher Kontakt oder als Schottky-Kontakt ausgeführt werden kann.
Die Steuerelektrode 7 ist durch die etwa 1 11m dünne Isolierschicht 6 vom Schottky-Kontakt 5 und Drain-Kontakt 8 elektrisch Isoliert und mit Massepotential ("Erde") elektrisch verbunden ("Gate-Schaltung"). Der ohmsche Source-Kontakt 3 ist über eine möglichst grosse Induktivität (Ls) 9 an die Source-Batterie (Us) 10 und an den Schottky-
Kontakt 5 über eine möglichst grosse Induktivität (L,) 11 an die Batterie (U1) 12 angeschlossen. Der
Drain-Kontakt 8 ist über eine möglichst grosse Induktivität (bd) 13 an die Drain-Batterie (us) 14 angeschlossen. In das Klemmenpaar 15 wird die zu verstärkende Eingangswechselleistung PE eingespeist, die verstärkte Ausgangswechselleistung PA wird am Klemmenpaar 16 ausgekoppelt.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel ist in Fig. 2 dargestellt. Es unterscheidet sich von dem in
Fig. 1 dargestellten nur durch die Verwendung von III-V-Verbindungshalbleitermaterial. In dieser
EMI2.1
<Desc/Clms Page number 3>
Source-Kontakt 23 einlegiert. Darüber ist weiters eine etwa 0, 5 m dünne Isolierschicht 24 aufgebracht, die den Schottky-Kontakt 25 vom Source-Kontakt 23 gleichstrommässig trennt. In eine darüber aufgebrachte etwa 0, 5 m dünne) sotierschicht 26 ist mittels Lithographie eine Öffnung geätzt und darüber die Steuerelektrode 27 aufgebracht. Der Drain-Kontakt 28 ist über eine möglichst grosse Induktivität (LD) 33 an die Drain-Batterie (us) 34 angeschlossen.
Der SourceKontakt 23 liegt über die möglichst grosse Induktivität (Ls) 29 an der Source-Batterie (Us) 30 und der Schottky-Kontakt 25 liegt über eine möglichst grosse Induktivität (L,) 31 an der SchottkyKontakt-Spannungsversorgung (U1) 32 Die zu verstärkende Signalleitung PE wird an den Eingangsklemmen 35 eingespeist. Das verstärkte Ausgangssignal PA wird an den Ausgangsklemmen 36 ausgekoppelt.
Eine weitere Anwendung des neuen Bauelementes als Oszillator (Schwingungserzeugung) ist in Fig. 3 dargestellt. Dieses Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem in Fig. 2 beschriebenen Beispiel nur durch die äussere Beschaltung, die so dimensioniert sein muss, dass die Schwingbedingungen erfüllt sind. Diese lauten :
EMI3.1
In Glg. (1) bedeuten f die Oszillatorfrequenz, L die an den Drain-Kontakt angeschlossene Induktivität, RL der Lastwiderstand, an den die Schwingungsleistung abgegeben wird, Cos. Cos und CGs die 3 an den Kontakten Drain, Source und Gate auftretenden Kapazitäten des Feldeffekttransistors, denen zur Erzeugung der gewünschten Schwingfrequenz weitere externe Kondensatoren zugeschaltet werden können, und S die Steilheit des Feldeffekt-Transistors im Arbeitspunkt.
In dieser Ausführungsform ist auf dem semi-isolierenden Gallium-Arsenid-Substrat 41 eine N-dotierte GaAs-Schicht 42 aufgebracht, darüber der ohmsche Source-Kontakt 43, eine dünne Isolatorschicht 44 und darüber der Schottky-Kontakt 45 aufgebracht. Auf der N-dotierten GaAsSchicht 42 befindet sich weiters der metallische Drainkontakt 48, der als ohmscher oder als Schottky-Kontakt ausgeführt sein kann. Die als Schottky-Kontakt ausgeführte Steuer-GateElektrode 47 ist vom Schottky-Kontakt 45 und vom Drain-Kontakt 48 durch eine dünne Isolierschicht 46 getrennt.
Der ohmsche Source-Kontakt 43 ist über die möglichst grosse Induktivität (Ls) 49 gleichstrommässig mit der Source-Batterie (Us) 50 verbunden, der Schottky-Kontakt 45 erhält seine Gleichspannung (nul) 52 über die möglichst grosse Induktivität (lui) 51 und liegt wechselstrommässig über die möglichst grosse Kapazität (CE) 59 am Lastwiderstand (Rd 60. Der Drain-Kontakt 48 liegt über die möglichst grosse Induktivität (LD) 53 an der Drain-Batterie (UD) 54 und über die möglichst grosse Kapazität (CA) 55 an der frequenz-bestimmenden Induktivität (L) 61.
Die 3 intrinsischen Transistor-Kapazitäten 56 (CDG), 57 (CGS) und 58 (Cos) sind in dieser Zeichnung nur symbolisch angeführt und wurden in den beiden vorher beschriebenen Ausführungsformen in Fig. 1 und Fig. 2 nicht extra erwähnt.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Feldeffekt- Transistor für Verstärkung und Schwingungserzeugung im Hochfrequenz- bereich, dadurch gekennzeichnet, dass der Source-Kontakt als an sich bekannter injektionsbegrenzender Kontakt ausgeführt ist, der aus einem ohmschen Kontakt (3,23,
43) und einem darüber liegenden, gleichstrommässig durch ein dünnes Oxid (4,24, 44) isolierten, überlappenden Schottky-Kontakt (5,25, 45) besteht, der mit einer Gleich- spannung (12,32, 52) negativ vorgespannt ist, so dass infolge der darunterliegenden hohen elektrischen Feldstärke die in den Steuerbereich (7,27, 47) injizierten Elektronen eine hohe Driftgeschwindigkeit (Sättigungsgeschwindigkeit) aufweisen ("Hot Electron
Injection").
<Desc / Clms Page number 1>
The invention relates to a field effect transistor (FET) with an injection-limiting source contact which injects "hot" and therefore fast electrons ("Hot Electron Injection Field Effect Transistor" or HEIFET ").
Today, bipolar and field-effect transistors are used for digital and analog semiconductor circuits, to which a multitude of requirements are placed. The 3 most important features are the gain (voltage, current, power), the cutoff frequency up to which the gain occurs, and the efficiency (ratio of the power amplified at a frequency to the direct current power consumed in the transistor). Gain, efficiency and cutoff frequency are not independent of each other. Gain and efficiency decrease with increasing frequency and with the square of the frequency. Of those used today
EMI1.1
Silicon MOS transistors AlGaAs, InP, InGaAs, etc. the highest cutoff frequencies (100 gigahertz and above) can be achieved [see Handbook on Semiconductors, Vol. 4, edited by C.
Hilsum, North Holland, 1993, p. 500-501, ISBN 0 444-88813-6].
In the 10 - 150 GHz frequency range, special semiconductor diodes such as the Gunn diode (also called Transferred Electron Device) and the avalanche delay diode (also called IMPATT diode) are used in addition to transistors. Except for the planar Gunn diode with injection-limiting cathode contact (also called FECTED or Field Effect Controlled Transferred Electron Device) [see US Patent No. 3, 740, 666 and Handbook on Semiconductors, Vol. 4, North Holland, 1993, p. 500-501, ISBN 0444 88813-6], Gunn and IMPATT diodes are not suitable or only very poorly for monolithic integration, which is why only transistors and FECTED are used for integrated millimeter-wide circuits above 10 GHz.
As already mentioned, the performance of the transistors decreases with increasing frequency, since the transit time of the electrons through the transistor may be at most as long as half the period of the AC voltage to be amplified ("transit time condition"). While with the bipolar transistor the electrons have to pass through the emitter-base diode and the base-collector diode, with the field-effect transistor the critical dimension to be traversed is only the channel area covered by the control electrode ("gate"), which can be achieved with the modern lithography methods known today can already be of the order of 0.1 micrometers (= 100 nanometers). However, the manufacturing costs of such small structures are extremely high.
The diodes to be traversed by the electrons in the bipolar transistor have the same length as the gate area of the field effect transistor, but the transit time is longer and thus the cutoff frequency is smaller, because the electrons drift only slowly ("diffuse", especially in the emitter-base area "). This "diffusion capacitance" is the reason why the bipolar transistor is inferior to the field effect transistor with regard to the cutoff frequency. In fact, higher powers were achieved with hetero field-effect transistors at higher frequencies than with the bipolar transistor.
Although the running time of the electrons in FECTED does not have a limiting effect (the negative differential resistance is the result of the electron scattering between the conduction band minima), a drop in performance (low efficiency) is also measured at high frequencies smaller difference in the electron velocities in the central conduction band and in the energetically higher conduction band minima can be attributed. This parameter, referred to as the "peak to valley ratio", is approximately 50% at low frequencies and decreases with increasing frequency.
Even at lower frequencies, this small current swing leads to lower efficiencies than those that can be achieved with transistors, since in principle a current swing of 100% can be achieved with transistors, since the current in the collector or in the drain can be reduced to zero via the control electrode.
The object of the present invention is to provide a measure which greatly increases the speed of the electrons injected from the source contact into the channel of the field effect transistor and thus greatly shortens the transit time through the transistor channel and thus significantly increases the cutoff frequency (= transit frequency) .
This problem is solved in that in the highly doped source contact from which the
<Desc / Clms Page number 2>
Electrons normally exit at low speed due to the low field strength, an additional acceleration zone is arranged in the form of an overlapping electrode which is galvanically separated from the source contact by a thin insulating layer ("Schottky contact").
This Schottky gate, which is biased with direct voltage but has alternating current but is at source potential due to the overlap capacitance, generates "hot" and thus fast electrons which are injected with saturation velocity into the channel of the field effect transistor provided with the normal control gate. In this new field effect transistor on which the invention is based, the ohmic source contact has thus been replaced by an injection-limiting contact which is known per se, as is also used, for example, in "FECTED", which is a planar Gunn diode with an injection-limiting cathode contact.
As already explained, the main advantage achieved with the invention lies in the substantially improved cutoff frequency (transit frequency) of the field effect transistor. The gate electrode in the channel area, which is responsible for controlling the field effect transistor, can therefore have a larger dimension than the gate electrode necessary for the same operating frequency in a conventional field effect transistor, since in the new transistor the electrons pass through the entire gate area at a higher speed The requirements for the technology are much lower for the new transistor with the same operating frequency.
If a material in which the Transferred Electron Effect (Gunn effect) occurs is used as the semiconductor material (e.g. GaAs, InP), this effect can also be used for amplification in the new field effect transistor. This is because the new component on which the invention is based can also be viewed as a FECTED with an additional field effect control electrode, since the FECTED has an injection-limiting cathode which injects hot electrons into the Gunn effect drift zone [see K. Lübke, H. Scheiber and H .
Thim, Microwave and Guided Wave Letters, vol.1, No.2, Feb. 1991, pp. 35-37]. In this view, the additional control electrode in the Gunn effect drift zone leads to an "effective" increase in the peak to valley ratio resulting from the Gunn effect, which increases the efficiency of the FECTED. However, the control electrode must be driven in the correct phase, i.e. the gate-source AC voltage must be out of phase with the drain-source AC voltage by approximately 180. This is achieved, for example, by operating the FET part of the modified FECTED in a basic gate circuit.
The invention is illustrated by three figures.
The following are examples:
Fig. 1 shows an embodiment in silicon technology (section and associated electrical circuit for amplifying high-frequency signals).
Fig. 2 shows an embodiment in gallium arsenide technology (section and associated electrical circuit for amplifying high-frequency signals).
3 shows an exemplary embodiment in gallium arsenide technology (section and oscillator circuit).
In the exemplary circuit arrangement according to FIG. 1, the base body 1 made of undoped or weakly P-doped silicon has an approximately 0.1-1.1 m thin, N-doped silicon layer 2 and above it the ohmic source contact 3, the thinnest insulating body possible 4, the Schottky contact 5 biased with DC voltage, the control electrode (. Schottky gate ") 7 and the drain contact 8, which can be designed as an ohmic contact or as a Schottky contact.
The control electrode 7 is electrically insulated from the Schottky contact 5 and drain contact 8 by the approximately 11 m thin insulating layer 6 and is electrically connected to ground potential (“earth”) (“gate circuit”). The ohmic source contact 3 is connected to the source battery (Us) 10 and to the Schottky via a large inductance (Ls) 9
Contact 5 is connected to the battery (U1) 12 via the largest possible inductance (L,) 11. The
Drain contact 8 is connected to drain battery (us) 14 via the largest possible inductance (bd) 13. The alternating input power PE to be amplified is fed into the pair of terminals 15, and the amplified alternating output power PA is coupled out at the pair of terminals 16.
Another embodiment is shown in FIG. 2. It differs from that in
Fig. 1 shown only through the use of III-V compound semiconductor material. In this
EMI2.1
<Desc / Clms Page number 3>
Source contact 23 alloyed. In addition, an approximately 0.5 m thin insulating layer 24 is applied, which separates the Schottky contact 25 from the source contact 23 with a direct current. An opening is etched by means of lithography into an approximately 0.5 m thin soting layer 26 applied thereon and the control electrode 27 is applied above it. The drain contact 28 is connected to the drain battery (us) 34 via an inductance (LD) 33 that is as large as possible.
The source contact 23 is connected to the source battery (Us) 30 via the largest possible inductance (Ls) 29 and the Schottky contact 25 is connected to the Schottky contact voltage supply (U1) 32 via the largest possible inductance (L,) 31 amplifying signal line PE is fed at the input terminals 35. The amplified output signal PA is coupled out at the output terminals 36.
Another application of the new component as an oscillator (oscillation generation) is shown in FIG. 3. This exemplary embodiment differs from the example described in FIG. 2 only by the external wiring, which must be dimensioned such that the oscillation conditions are met. These are:
EMI3.1
In Eq. (1) f denotes the oscillator frequency, L the inductance connected to the drain contact, RL the load resistance to which the oscillation power is delivered, Cos. Cos and CGs are the 3 capacitances of the field effect transistor occurring at the contacts drain, source and gate, to which additional external capacitors can be connected to generate the desired oscillation frequency, and S the steepness of the field effect transistor at the operating point.
In this embodiment, an N-doped GaAs layer 42 is applied to the semi-insulating gallium arsenide substrate 41, the ohmic source contact 43, a thin insulator layer 44 and the Schottky contact 45 are applied above. On the N-doped GaAs layer 42 there is also the metallic drain contact 48, which can be designed as an ohmic or a Schottky contact. The control gate electrode 47, designed as a Schottky contact, is separated from the Schottky contact 45 and the drain contact 48 by a thin insulating layer 46.
The ohmic source contact 43 is connected to the source battery (Us) 50 via the largest possible inductance (Ls) 49, the Schottky contact 45 receives its DC voltage (nul) 52 via the largest possible inductance (lui) 51 and AC is above the largest possible capacitance (CE) 59 on the load resistor (Rd 60). The drain contact 48 is above the largest possible inductance (LD) 53 on the drain battery (UD) 54 and the largest possible capacitance (CA) 55 at the frequency-determining inductor (L) 61.
The 3 intrinsic transistor capacitors 56 (CDG), 57 (CGS) and 58 (Cos) are only shown symbolically in this drawing and were not specifically mentioned in the two previously described embodiments in FIGS. 1 and 2.
PATENT CLAIMS:
1. Field-effect transistor for amplification and vibration generation in the high-frequency range, characterized in that the source contact is designed as a known injection-limiting contact which consists of an ohmic contact (3,23,
43) and an overlapping Schottky contact (5,25, 45) lying above it, which is isolated by a thin oxide (4,24, 44) and which is negatively biased with a direct voltage (12,32, 52) , so that due to the underlying high electric field strength, the electrons injected into the control area (7, 27, 47) have a high drift speed (saturation speed) ("Hot Electron
Injection ").