AT245042B - Verfahren zum Herstellen von vorzugsweise einkristallinen Schichten für Halbleiterbauelemente durch thermische Zersetzung von gasförmigen Verbindungen des Halbleitermaterials und Abscheidung auf einem beheizten, vorzugsweise einkristallinen Träger - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von vorzugsweise einkristallinen Schichten für Halbleiterbauelemente durch thermische Zersetzung von gasförmigen Verbindungen des Halbleitermaterials und Abscheidung auf einem beheizten, vorzugsweise einkristallinen Träger

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