AT15801U3 - Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung einer Bondwelle - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung einer Bondwelle

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AT15801U3
AT15801U3 ATGM216/2017U AT2162017U AT15801U3 AT 15801 U3 AT15801 U3 AT 15801U3 AT 2162017 U AT2162017 U AT 2162017U AT 15801 U3 AT15801 U3 AT 15801U3
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AT
Austria
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bond
wavefront
sound
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ATGM216/2017U
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Friedrich Lindner Paul
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Ev Group E Thallner Gmbh
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10P74/00Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/20Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties
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    • H10P10/12Bonding of semiconductor wafers or semiconductor substrates to semiconductor wafers or semiconductor substrates
    • H10P10/128Bonding of semiconductor wafers or semiconductor substrates to semiconductor wafers or semiconductor substrates by direct semiconductor to semiconductor bonding

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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Vermessung einer, insbesondere während eines Direktbonds entstehenden und fortlaufenden, Bondwellenfront. Der erfindungsgemäße Gedanke besteht darin, den Fortlauf der Bondwellenfront mittels Schall aktiv und/oder passiv zu vermessen. Erfindungsgemäß werden daher entweder die in den Substraten erzeugten Körperschallwellen, die bei der Verbindung der beiden Substrate entlang der Bondwellenfront entstehen, passiv von einem Schallaufnehmer gemessen und über die Laufzeit eine Bondwellenfrontposition ermittelt oder es wird in einem aktiven Verfahren Schall in mindestens eines der Substrate eingekoppelt um über die Änderung der Resonanzeigenschaften oder durch Schallreflexion eine Auskunft über die Position der Bondwellenfront zu erhalten.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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