WO2017063917A1 - Method for producing an electronic assembly, and electronic assembly - Google Patents

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WO2017063917A1
WO2017063917A1 PCT/EP2016/073686 EP2016073686W WO2017063917A1 WO 2017063917 A1 WO2017063917 A1 WO 2017063917A1 EP 2016073686 W EP2016073686 W EP 2016073686W WO 2017063917 A1 WO2017063917 A1 WO 2017063917A1
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WO
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metal layer
electronic component
buffer layer
recess
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PCT/EP2016/073686
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German (de)
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Bjoern HOXHOLD
Philipp SCHLOSSER
Dirk Becker
Andreas Waldschik
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Osram Gmbh
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    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the invention relates to a method for producing an electronic assembly and an electronic assembly.
  • a conventional electronic assembly includes
  • the electronic component may be wholly or partially embedded in the housing material.
  • Component may be, for example, a chip, in particular a semiconductor chip, for example an LED chip, an ESD diode, a micro-chip, a memory element or a microprocessor.
  • the housing material may include, for example, synthetic resin, for example epoxy resin and / or silicone, or be formed thereof.
  • the housing material can be a
  • Support material is embedded, have.
  • the filling material may for example comprise particles, for example spherical, and / or threads or wires and / or a fabric.
  • the housing may have a recess for electrically and / or thermally contacting the electronic component.
  • the housing material may be local, in particular within a predetermined area of the housing
  • Housing material are removed so that pads are exposed for contacting the electronic component to electrically contact the embedded electronic component and / or a conductor, which is contacted with the electronic component and / or applied to the housing material.
  • the housing material may be removed by means of a laser, in particular a laser beam, for forming the recess in the predetermined area become.
  • the electronic component itself and / or
  • one or more strip conductors may not, or only to a very small extent, by the laser process
  • a difficulty arises from the fact that the metal layers, for example, for reasons of cost or space, can not be arbitrarily thick. Another difficulty is that the housing material with fillers, in particular particles, such as balls, threads and / or tissue, for example, from T1O 2 , fused silica or glass fibers may have. If the fillers in the region to be exposed are in direct physical contact with the metal layer, it may happen that in the laser process, the fillers are dissolved with a relatively high energy and that the
  • Fillers trigger a portion of the metal layer, whereby the damage of the metal layer is greater than a housing material without fillers. Furthermore, the
  • Fillers usually not homogeneously distributed in a carrier material of the housing material.
  • this may result in the homogeneity of the housing material at the point to be opened varying from position to position and from case to case, which makes it difficult to impossible to adjust the laser process such that even with a very thin metal layer there is no critical damage formed during the formation of the recess.
  • IR long-wave infrared wavelength range
  • Such laser systems in the long IR wavelength range do not carry the metal of the metal layer directly through the laser radiation, in particular the laser is reflected, but by the resulting heat. This allows the circuit board material (e.g., FR4) to be selectively removed. However, during the process, a high thermal
  • Metal layer a minimum thickness, for example greater than 5 ym.
  • IR lasers systems in the UV or green wave spectrum are used in the UKP (ultra-short-pulse) range, for example in the ns, ps or fs pulse length range.
  • UKP ultra-short-pulse
  • no or very little thermal energy is entered into the material, which is also referred to as cold erosion, but the pulse peak powers can in turn be very high.
  • LEDs usually indicate for solder or
  • An object of the invention is to provide a method for
  • An object of the invention is to provide an electronic
  • An object is achieved according to one aspect of the invention by a method for producing an electronic
  • Assembly in which: an electronic component is embedded in a housing material; a buffer layer is formed on the housing material; a metal layer on a side facing away from the housing material of the
  • Buffer layer is formed; and a recess for
  • Contacting the metal layer is formed by means of a laser at a first energy the
  • Housing material is removed in a predetermined range so that in the predetermined area, the buffer layer is exposed, and by using a laser at a second energy, which is smaller than the first energy, the buffer layer is removed in the exposed region so that the metal layer is exposed in the recess.
  • the electronic component is embedded in the housing material such that it is subsequently arranged on a first side of the housing material, and the buffer layer is arranged on the first side of the housing material
  • a contact for example, a thermal and / or electrical contact of the electronic component on the first side of the housing material
  • the buffer layer is applied so that the exposed
  • the recess may proceed from a second side of the housing material from the first side
  • Metal layer of the second side of the housing material from accessible and in particular contactable, for example, thermally and / or electrically contacted.
  • the first side of the housing material may be part of or form part of a first side of the housing.
  • the first side of the housing may for example be a front side of the
  • the second side of the housing material may be part of or form a second side of the housing.
  • the second side of the housing for example, a
  • Front side of the housing arranged electronic component accessible from the back of the housing or
  • the electronic component can first be arranged on a substrate and embedded on the substrate in the housing material such that the contact
  • Recess may then be formed from a back side of the substrate facing away from the electronic component through the substrate, the housing material and the buffer layer, so that the metal layer of the
  • the electronic component is embedded in the housing material such that it is subsequently arranged on a first side of the housing material, and the buffer layer is arranged on a second side of the housing
  • Housing material is formed, which faces away from the first side of the housing material. In this case, the contact on the first side of the housing material at least partially
  • the recess may from the first side of the housing material in the housing material and the
  • Buffer layer are formed so that the metal layer, which is based on the housing material on the second side of the housing material, from the first side of the
  • Housing material from accessible and / or contacted. Subsequently, a conductor can be guided from the contact on the first side of the housing material over the recess towards the metal layer. The arranged on the front of the housing electronic component is then accessible from the back of the housing and / or thermally and / or electrically contacted.
  • An object is achieved according to one aspect of the invention by a method for producing an electronic
  • Component is embedded in a housing material such that the buffer layer between the metal layer and the housing material is disposed; and a recess for
  • Contacting the metal layer is formed by means of a laser at a first energy the
  • Housing material is removed in a predetermined range so that in the predetermined area, the buffer layer is exposed, and by using a laser at a second energy, which is smaller than the first energy, the Buffer layer in the exposed area so wi that the metal layer is exposed in the recess.
  • the recess in particular a via, is provided with a fluence adapted to the housing material, in particular
  • Ablation threshold of the buffer layer for example, the polymer used, adapted and the recess with the adapted Fluenz, in particular the second
  • the material of the buffer layer is chosen so that it has a lower ablation threshold than the housing material to be removed, and therefore serves as a vertical buffer zone.
  • an unfilled Poylmer such as silicone or
  • Synthetic resin for example epoxy resin.
  • the first energy in particular the first energy density, may for example be in a range from 0.1 J / cm 2 to 76.4 J / cm 2 , for example from 3.2 J / cm 2 to 22.3 J / cm 2 ,
  • the second energy in particular the second energy density, may for example be in a range from 0.01 J / cm 2 to 75.4 J / cm 2 , for example from 2.2 J / cm 2 to 21.3 J / cm 2 , for example, from 5.4 J / cm 2 to 18.1 J / cm 2 .
  • the laser at the first energy and the laser at the second energy can be generated by means of a laser system. This is for example with a very precisely adjustable Laser system possible.
  • the or the laser systems can be a different laser system than that which generates the laser at the second energy.
  • the laser at the first energy and the laser at the second energy can be generated by means of a laser system. This is for example with a very precisely adjustable Laser system possible.
  • the or the laser systems can
  • a UKP laser emitting in the green wavelength spectrum for example at 532 nm
  • a C02 ⁇ laser in the far infrared range for example:
  • Pulses emitted in the microsecond range and / or a UV laser which emits in the ultraviolet range, for example at 350 nm, and / or pulses in the picosecond range,
  • a diode laser for example, a diode laser.
  • Housing material allows for a particularly large thickness in the metal layer and / or on one or more
  • a precise stopping of the laser on the metal layer for example a thin conductor track and / or a contact of the
  • the electronic component can be achieved without having to apply additional and / or thick metal layers and / or to damage the electronic component.
  • the buffer layer can be used as a connection between the electronic component and the housing material.
  • Buffer layer may vary depending on the one used
  • Metal layer for example when using a
  • the process can be carried out particularly rapidly, in particular in a particularly short process time; it is possible to use very little material, in particular particularly little metal, and If the housing material has fillers, the buffer layer prevents the fillers from being directly on the exposed surface of the metal layer Laser process controlled so that to the bottom of the
  • the housing material forms a housing of the electronic module.
  • the electronic module can be referred to, for example, as a chip package or as an LED package.
  • the electronic component is contacted by means of the metal layer via the recess.
  • the metal layer on the same side of the housing as the electronic component
  • the metal layer may be disposed on another side of the housing as the electronic component and be contacted by means of the via with the electronic component. According to a development, the electronic component is contacted electrically by means of the metal layer via the recess.
  • the electronic component is thermally contacted via the recess by means of the metal layer.
  • the thermal contact can be made electrically conductive or electrically insulating.
  • the thermal contact can be formed by means of a good heat-conducting dielectric.
  • the housing material has a thickness in a range from 2000 ym to 30 ym, for example from 1000 ym to 50 ym, for example from 800 ym to 100 ym.
  • the Thickness of the housing material is preferably from the first side of the housing material towards the second side of the housing material
  • Housing material in particular measured orthogonal to a surface of the first side of the housing material and the second side of the housing material.
  • the buffer layer has a thickness in a range from 200 .mu.m to 0.5 .mu.m, for example from 25 .mu.m to 3 .mu.m, for example from 15 .mu.m to 4 .mu.m.
  • the thickness of the buffer layer may be, for example, a distance between the metal layer and the housing material
  • the buffer layer may include, for example
  • the buffer layer may comprise, for example, plastic (polymer), for example photoresist, acrylic and / or synthetic resin, for example epoxy resin.
  • Buffer layer can be formed for example by spin coating, spraying or by means of a printing process.
  • the metal layer has a thickness in a range of 15 ⁇ m to 0.2 ⁇ m, for example of 10 ⁇ m to 0.5 ⁇ m, for example of 5 ⁇ m to 1 ⁇ m.
  • Metal layer of such small thickness is also referred to in this patent application as a thin metal layer.
  • the metal layer may, for example, a
  • Metal layer structure that has multiple sublayers
  • the metal layer or optionally the
  • Partial layers may have an adhesive layer as the lowest layer.
  • the metal layer or optionally the
  • Partial layers may include, for example, titanium, chromium, copper, nickel, aluminum, palladium and / or gold or be formed thereof.
  • the housing material has a
  • the carrier material may be, for example, a molding material, synthetic resin,
  • epoxy resin, and / or silicone have or be formed thereof.
  • the filling material may, for example Particles, such as balls, thread-like structures, such as threads or wires, or have a fabric or be formed thereof.
  • the filling material can be any suitable filling material.
  • glass for example, glass, aromatic polyamides and / or
  • An object is achieved according to an aspect of the invention by the electronic assembly with the electronic component embedded in the housing material, the buffer layer formed on the housing material, the metal layer formed on the side of the buffer layer facing away from the housing material , and the recess for contacting the metal layer, wherein the recess extends through the housing material and the buffer layer within the predetermined area such that the metal layer in the recess is free of the housing material and the buffer layer.
  • the electronic component is arranged on the first side of the housing material and the buffer layer is formed on the first side of the housing material. According to a development, the electronic component is arranged on the first side of the housing material and the buffer layer is on a second side of the
  • Housing material is formed, which faces away from the first side of the housing material.
  • the electronic assembly comprising: the electronic component used to contact the electronic component Component having the metal layer; the buffer layer formed on the metal layer, wherein the
  • Component is embedded in the housing material such that the buffer layer between the metal layer and the housing material is disposed; and the recess for
  • Housing material and the buffer layer extends that the metal layer in the recess is free of the housing material and the buffer layer.
  • Figure 1 is a sectional view of a conventional
  • FIG. 2 is a sectional view of the layer structure according to FIG.
  • Figure 3 is a sectional view of a conventional
  • FIG. 4 is a sectional view of a layer structure of an embodiment of an electronic assembly prior to forming a recess
  • FIG. 5 is a sectional view of the layer structure according to FIG. 4 during the formation of the recess;
  • FIG. 6 is a sectional view of the layer structure according to FIG.
  • Figure 7 is a sectional view of an embodiment of an electronic assembly
  • Figure 8 is a sectional view of an embodiment of an electronic assembly
  • Figure 9 is a sectional view of an embodiment of an electronic assembly
  • FIG. 10 is a flowchart of an embodiment of a
  • FIG. 11 is a flowchart of an embodiment of a
  • Orientations can be positioned, the serves
  • An electronic assembly can be one, two or more
  • a housing which is formed by a housing material and at least partially the or the
  • An electronic component may have, for example, an active and / or a passive component.
  • An active electronic component can, for example, a
  • Arithmetic unit for example an integrated circuit, a processor, in particular a microprocessor, a
  • Memory unit a control and / or regulating unit and / or a transistor.
  • Component may, for example, a capacitor, a
  • Resistor Resistor, a diode or a coil.
  • An optoelectronic component may be an electromagnetic radiation emitting device or a
  • An electromagnetic radiation absorbing component may be, for example, a solar cell.
  • Electromagnetic radiation-emitting component may be in various embodiments, a semiconductor device emitting electromagnetic radiation and / or as a diode emitting electromagnetic radiation, as a diode emitting organic electromagnetic radiation, as a transistor emitting electromagnetic radiation or as an organic electromagnetic
  • the Radiation may be, for example, light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the electromagnetic radiation emitting device for example, as a light-emitting diode (light emitting diode, LED) as an organic light-emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as a light-emitting diode (LED).
  • FIG. 1 shows a sectional view of a conventional layer structure of a conventional electronic
  • the conventional layer structure comprises a conventional housing material 20.
  • the conventional housing material 20 comprises a conventional carrier material, which may also be referred to as a matrix material.
  • Housing material 20 is suitable for forming a housing of the conventional electronic assembly and / or for embedding and / or receiving an electronic component, not shown in the figures.
  • the conventional housing material 20 has a first side 34 and a second side 36 facing away from the first side 34.
  • m as conventional carrier material is a conventional
  • Embedding filler 22 The conventional filling material may, for example, comprise or be formed from balls and / or glass.
  • the housing material 20 in Figure 1 under the
  • Housing material 20, in particular on the second side 36 of the conventional housing material 20 is a conventional
  • Metal layer 24 is formed. One of the balls of the
  • conventional filling material 22 has direct physical contact with the metal layer 24.
  • Metal layer 24 is suitable for electrically contacting the conventional electronic component.
  • the conventional metal layer 24 has a first thickness Dl of, for example, about 12 ym.
  • a predetermined area 26 is intended by means of a
  • a conventional recess 30 (see Figure 2) are formed, wherein in Figure 1, only the edges of the conventional recess 30 are indicated by dashed lines.
  • the conventional laser 28 can
  • FIG. 2 shows a sectional view of the layer structure of Fig. 1 after forming the conventional recess 30.
  • the ball of the conventional filling material 22 which had direct physical contact with the conventional metal layer 24 became out of the predetermined range 26 removes part of the conventional metal layer 24 from it
  • Fig. 3 shows a sectional view of a fictional
  • the fictive layer structure broadly corresponds to the conventional layer structure explained above, in contrast to which the conventional metal layer 24 has only a second thickness D2, which is for example about 5 ⁇ m thick or thinner. In such a thin conventional metal layer 24, the
  • Metal layer 24 strong, critical, and / or problematic is damaged, for example, such that in the region of the damage 32, the conventional metal layer 24 a
  • FIG. 4 shows a sectional view of a layer structure of an exemplary embodiment of an electronic assembly before the formation of a recess 50 (see FIG. 5).
  • Layer structure has a housing material 40.
  • Housing material 40 has a carrier material, which may also be referred to as a matrix material.
  • the housing material 40 is suitable for forming a housing of the electronic assembly and / or for embedding and / or receiving an electronic component 62 illustrated in FIGS. 7 to 9.
  • the housing material 40 has a first side 34 and a second side facing away from the first side 34 Page 36.
  • the housing material 40 may be, for example, synthetic resin,
  • the housing material has a third thickness D3 in a range of 2000 ym to 30 ym,
  • Filling material 42 may include, for example, particles, for example spherical, for example spheres, and / or thread-like structures, for example threads or wires, and / or a woven fabric or be formed therefrom.
  • the filler 42 may, for example, glass, Ti0 2 , fused silica or
  • the buffer layer 60 may be a dielectric.
  • Buffer layer 60 may be, for example, silicone and / or
  • Plastic for example, photoresist, acrylic and / or a
  • the buffer layer 60 may be free of filler material.
  • the buffer layer 60 has, for example, a fourth thickness D4 in a range from 200 ym to 0.5 ym,
  • the buffer layer 60 may be, for example, by spin coating, spraying or by means of a
  • Printing method can be formed on the housing material 40.
  • One of the balls of the filling material 42 has direct physical contact with the buffer layer 60.
  • a metal layer 44 is formed on a side facing away from the housing material 40 side of the buffer layer 60.
  • the metal layer 44 is suitable for electrically contacting the electronic component 62.
  • the metal layer 44 has the second thickness D2, which is, for example, in a range from 15 .mu.m to 0.2 .mu.m, for example from 10 .mu.m to 0.5 .mu.m, for example 5 ym to 1 ym.
  • the metal layer 44 may be a metal layer structure having multiple sublayers.
  • the metal layer 44 or, if appropriate, the partial layers may have an adhesive layer as the lowermost layer.
  • the partial layers may comprise, for example, titanium, chromium, copper, nickel, aluminum, palladium and / or gold or be formed therefrom.
  • a recess 50 (see FIG. 5) is to be formed in the housing material 40 by means of a laser 48, for example a laser beam, wherein in FIG. 4 only the edges of the recess 30 are indicated by dashed lines.
  • the laser 48 for example, by means of a laser system in
  • the laser 48 may alternatively be produced by means of a UKP laser emitting in the wavelength range of the green light, for example at 532 nm.
  • the first energy in particular the first energy density, may for example be in a range from 0.1 J / cm 2 to 76.4 J / cm 2 , for example from 3.2 J / cm 2 to 22.3 J / cm 2 ,
  • FIG. 5 shows a sectional illustration of the layer structure according to FIG. 4 during the formation of the recess 50.
  • Recess 50 only so far formed until the buffer layer 60 is exposed therein. If the ball of the filling material 42, which has touched the buffer layer 60 prior to the formation of the recess 50, has been removed from the recess 50 in such a way that the buffer layer 60 causes damage 52 of the
  • Buffer layer 60 so this is not critical, since the buffer layer 60 is sufficiently thick and / or subsequently has no special function. However, that prevents
  • Area 46 further formed, in particular by means of a laser 58 at a second energy.
  • the laser 58 at the second energy can be detected by means of a UV laser operating in the
  • Ultraviolet range for example at 350 nm
  • / or emitted pulses in the picosecond range for example with a diode laser.
  • the laser system that generates the laser 48 at the first energy may be a different laser system than that which generates the laser 58 at the second energy.
  • the laser 48 may be generated at the first energy and the laser 58 at the second energy. For example, this is very accurate
  • the laser system (s) may be used to generate the laser 48 at the first energy and / or for generating the laser 58 at the second energy, for example: a UKP laser emitting in the green wavelength spectrum, for example at 532 nm; the C02 laser, the far infrared range, for example, at a wavelength of 10.6 ym, and / or pulses in
  • the recess 50 in particular a via, with a fluence adapted for the housing material 40, in particular radiation density corresponding to the first energy, up to the buffer layer 60 by means of the
  • the fluence is adjusted to the ablation threshold of the buffer layer 60, for example of the polymer used, and the recess 50 is formed to the metal layer 44 to be contacted by the laser at the second energy.
  • the material of the buffer layer 60 is chosen so that it has a lower ablation threshold than the housing material 40 to be removed, and therefore serves as a vertical buffer zone. 6 shows a sectional view of the layer structure according to FIG. 4 after the formation of the recess 50, FIG.
  • Fig. 7 shows a sectional view of a
  • the electronic subassembly has a layer structure which is essentially that explained with reference to FIG Layer structure corresponds.
  • the layer structure which is essentially that explained with reference to FIG Layer structure corresponds.
  • the housing material 40 in which the filler 42 may be embedded.
  • the buffer layer 60 is formed on the second side 56 of the housing material 40.
  • the metal layer 44th is formed on the second side 56 of the housing material 40.
  • the recess 50 extends from the first side 54 of the housing material 40 toward the metal layer 44.
  • the recess 50 has preferably been formed in the method explained with reference to FIGS. 4 to 6, in particular in the two-stage laser process, in which the
  • Recess 50 was first formed with the laser at the first energy in the housing material 40 and then with the laser at the second energy in the buffer layer 60.
  • the electronic module has the
  • a contact not shown in the figures is formed, which is for thermal and / or electrical contact of the
  • the electronic component 62 is used.
  • the electronic component 62 may correspond, for example, to the electronic component 62 explained above.
  • the electronic component 62 can
  • a chip in particular a semiconductor chip, for example an LED chip, an ESD diode, a micro-chip, a memory element or a microprocessor.
  • a semiconductor chip for example an LED chip, an ESD diode, a micro-chip, a memory element or a microprocessor.
  • a conductor track 64 extends from the front side of the electronic component 62 via the housing material 40 through the recess 50 up to the metal layer 44.
  • the conductor 24 serves as a contact means between the contact of the electronic component 62 and the metal layer 44.
  • the electronic component 62 by means of the conductor 64 is thermally and / or electrically with the
  • the conductor 64 can
  • Conductor 64 may be formed such that it fills the entire recess 50.
  • the conductor track 64 may also be formed as a via or as
  • the electronic component 62 is disposed on the first side of the housing of the electronic module and thermally and / or electrically contacted on the second side of the housing.
  • Fig. 8 shows a sectional view of a
  • Embodiment of an electronic module has a layer structure which is largely explained with reference to FIG.
  • the electronic assembly comprises the housing material 40, in which the filler 42 may be embedded.
  • the buffer layer 60 is formed on the first side 56 of the housing material 40.
  • the electronic component 62 may be, for example, the electronic component 62 explained above correspond.
  • the electronic component 62 is embedded in the housing material 40. In particular, that is
  • the metal layer 44 is formed on the side facing away from the housing material 40 side of the buffer layer 60.
  • the metal layer 44 is formed so as to extend at least partially across the buffer layer 60 and at least partially over the electronic component 62 so as to be in direct physical contact with the contact of the electronic component 62, and thus thermally and / or the electronic component 62. or contacted electrically.
  • the electronic component 62 is arranged on a substrate 66.
  • the electronic component 62 can
  • the attachment means 68 may be, for example, a solder or an adhesive.
  • the recess 50 extends in this
  • the recess 50 is also formed in the substrate 66.
  • the conductor track 64 is formed on the side remote from the housing material 40 side of the substrate 66 and extends through the recess 50 through to the Metal layer 44.
  • the side facing away from the housing material 40 of the substrate 66 and the conductor track 64 form the second side and the back of the housing of the
  • the electronic component 62 is first of all using the
  • Attachment 68 mounted on the substrate 66.
  • the electronic component 62 is embedded in the housing material 40.
  • the buffer layer 60 may be successively formed on the package material 40, and then the metal layer 44 may be formed on the electronic component 62 and the buffer layer 60.
  • the recess 50 is formed, for example, as explained above by means of the two-stage laser process, wherein the recess 50 can be formed in the first step with the laser at the first energy not only in the housing material 40 but also in the substrate 66 and the recess 50 in the second step with the laser at the second energy in the
  • Buffer layer 60 is formed so that the metal layer 44 is exposed in the recess 50.
  • a three-stage laser process may be performed in which, in addition to the two-stage laser process, the first one
  • Recess 50 is formed by means of a laser at a third energy in the substrate 66, wherein the laser with the third energy, in particular the third energy per se, to the ablation threshold of the material of the substrate 66th
  • the electronic component 62 may optionally be another electronic component 70 on the Substrate 66 may be arranged, for example by means of the attachment means 68, and / or be embedded in the housing material 40. A contacting further
  • one, two or more further electronic components 70 can also be arranged in the other exemplary embodiments.
  • Fig. 9 shows a sectional view of a
  • the electronic assembly includes the housing material 40 into which the filler 42 may be embedded.
  • Electronic assembly includes the electronic component 62, which is embedded in the housing material 40.
  • the electronic component 62 may, for example, in the
  • the metal layer 44 may form part of the electronic component 62. Directly on the metal layer 44, especially in direct
  • Buffer layer 60 is formed.
  • the electronic component 62 is embedded in the housing material 40 in such a way
  • Figure 9 is arranged in the vertical direction, the buffer layer 60 between the metal layer 44 and the housing material 40.
  • the recess 50 extends from the first side 54 of the housing material 40 through the housing material 40 and the buffer layer 60 all the way through to the metal layer 44.
  • the conductor track 64 extends from the first side 54 of the housing material 40 through the recess 50 to the metal layer 44.
  • the conductor track 64 is in direct physical contact with the metal layer 44.
  • electronic component 62 from the first side 54 of the housing material 40 from thermally and / or electrically contacted.
  • the electronic component 62 may be formed and / or arranged such that the front side of the electronic component 62 is exposed in the recess 50 and the rear side of the electronic component 62 is exposed on the second side 56 of the housing material 40.
  • the electronic component is an optoelectronic component, for example an LED or a solar cell
  • the optically active or optically sensitive region of the optoelectronic component can be arranged on the front side, which is exposed in the recess 50, so that the LED the light through the
  • Recess 50 can emit through to the outside or the solar cell, the light through the recess 50 therethrough
  • the electronic component 62 may be formed and / or arranged such that the rear side of the electronic component 62 is exposed in the recess 50 and the front side of the electronic component 62 is exposed on the second side 56 of the housing material.
  • the electronic component is an optoelectronic component, such as an LED or a solar cell, at the front, which is exposed in the recess 50, the optically active or
  • the solar cell can radiate downwards, or the solar cell can receive the light on the second side 56 of the housing material 40 from the outside, that is to say in FIG. 9 from below.
  • FIG. 10 shows a flow chart of an embodiment of a method for producing an electronic
  • the electronic module can, for example be with reference to Figure 7 or with reference to Figure 8 explained electronic assembly.
  • the electronic component 62 may be mounted on the substrate 66, for example by means of soldering or gluing.
  • the electronic component 62 is embedded in the housing material 40, for example in a molding process, in particular a press-molding process, an in-mold process or an injection molding process.
  • Housing material 40 at least partially exposed.
  • the buffer layer 60 may be formed on the first side of the housing material 40 or on the second side 56 of the housing material 40.
  • the buffer layer 60 may be formed, for example, by spin coating, spraying or dipping.
  • Buffer layer 60 is formed. If the buffer layer 60 is formed on the first side of the case material 40, the metal layer 44 may be formed so as to have contact of the buffer layer 60 in addition to the buffer layer 60
  • the metal layer 44 can be formed, for example, by means of a deposition method, for example by means of CVD or ALD, or by sputtering.
  • the first energy especially the first
  • Energy density for example, in a range from 0.1 J / cm 2 to 76.4 J / cm 2 , for example, from 3.2 J / cm 2 to 22.3 J / cm 2 , for example, of 6.4 J / cm 2 to 19.1 J / cm 2 .
  • the second energy in particular the second energy density, may for example be in a range from 0.01 J / cm 2 to 75.4 J / cm 2 , for example from 2.2 J / cm 2 to 21.3 J / cm 2 , for example, from 5.4 J / cm 2 to 18.1 J / cm 2 .
  • the electronic component 62 can be contacted thermally and / or electrically by means of a plated-through hole and / or the conductor track 64 from the second side 56 of the housing material 40 through the recess 50.
  • FIG. 11 shows a flow chart of an embodiment of a method for producing an electronic
  • the electronic component 62 is provided with the metal layer 44, for example, the electronic component 62 is formed to be the one
  • Metal layer 44, or the electronic component 62 is first formed without metal layer 44 and subsequently the metal layer 44 is applied to the electronic component 62.
  • the metal layer 44 forms the contact of the electronic component 62 or is in
  • the metal layer 44 may be formed, for example, by means of a deposition method
  • the buffer layer 60 is placed on the
  • the buffer layer 60 may be formed, for example, by spin coating, spraying or dipping.
  • the electronic component 62 is embedded in the housing material 40 in such a way that in the thickness direction, in the figures, for example in the vertical direction, of the housing material 40, the buffer layer 60 between the metal layer 44 and the housing material 40 is arranged.
  • the electronic component 62 is
  • Press-molding process, an in-mold process or an injection molding process embedded in the housing material 40 is Press-molding process, an in-mold process or an injection molding process embedded in the housing material 40.
  • Energy density for example, in a range from 0.1 J / cm 2 to 76.4 J / cm 2 , for example, from 3.2 J / cm 2 to 22.3 J / cm 2 , for example, of 6.4 J / cm 2 to 19.1 J / cm 2 .
  • the second energy in particular the second energy density, may for example be in a range from 0.01 J / cm 2 to 75.4 J / cm 2 , for example from 2.2 J / cm 2 to 21.3 J / cm 2 , for example, from 5.4 J / cm 2 to 18.1 J / cm 2 .
  • the electronic component 62 can be contacted thermally and / or electrically by means of a plated-through hole and / or the conductor track 64 from the second side 56 of the housing material 40 through the recess 50.
  • Embodiments limited.
  • the embodiments may be combined.
  • the optoelectronic assembly can have more or fewer electronic components 62.
  • the housing material shown may be different from the foregoing

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Abstract

Various exemplary embodiments of a method for producing an electronic assembly are provided. In the method, an electronic component (62) is embedded in a housing material (40). A buffer layer (60) is formed on the housing material (40). A metal layer (44) for making contact with the electronic component (62) is formed on a side of the buffer layer (60) which is averted from the housing material (40). A recess (50) for making contact with the metal layer (44) is formed by the housing material (40) being removed from a prespecified region (46) by means of a first laser (48) with a first energy such that the buffer layer (60) is exposed in the prespecified region (46), and by the buffer layer (60) being removed from the exposed region by means of a second laser (58) with a second energy, which is lower than the first energy, such that the metal layer (44) therein is exposed.

Description

Beschreibung description
Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe und Elektronische Baugruppe Method of manufacturing an electronic assembly and electronic assembly
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe und eine elektronische Baugruppe. The invention relates to a method for producing an electronic assembly and an electronic assembly.
Eine herkömmliche elektronische Baugruppe weist ein A conventional electronic assembly includes
elektronisches Bauelement auf, das in einem Gehäusematerial eingebettet ist, so dass von dem Gehäusematerial ein Gehäuse für das elektronische Bauelement gebildet ist. Das electronic component, which is embedded in a housing material, so that of the housing material, a housing for the electronic component is formed. The
elektronische Bauelement kann ganz oder teilweise in dem Gehäusematerial eingebettet sein. Das elektronische electronic component may be wholly or partially embedded in the housing material. The electronic
Bauelement kann beispielsweise ein Chip, insbesondere ein Halbleiter-Chip, beispielsweise ein LED-Chip, eine ESD-Diode, ein Mikro-Chip, ein Speicherelement oder ein Mikroprozessor sein. Das Gehäusematerial kann beispielsweise Kunstharz, beispielsweise Epoxidharz und/oder Silikon, aufweisen oder davon gebildet sein. Das Gehäusematerial kann ein Component may be, for example, a chip, in particular a semiconductor chip, for example an LED chip, an ESD diode, a micro-chip, a memory element or a microprocessor. The housing material may include, for example, synthetic resin, for example epoxy resin and / or silicone, or be formed thereof. The housing material can be a
Trägermaterial und ein Füllmaterial, das in das Carrier material and a filler material in the
Trägermaterial eingebettet ist, aufweisen. Das Füllmaterial kann beispielsweise Partikel, beispielsweise kugelförmige, und/oder Fäden oder Drähte und/oder ein Gewebe aufweisen. Das Gehäuse kann eine Ausnehmung zum elektrischen und/oder thermischen Kontaktieren des elektronischen Bauelements aufweisen . Support material is embedded, have. The filling material may for example comprise particles, for example spherical, and / or threads or wires and / or a fabric. The housing may have a recess for electrically and / or thermally contacting the electronic component.
Zum Ausbilden der Ausnehmung kann das Gehäusematerial lokal, insbesondere innerhalb eines vorgegebenen Bereichs des For forming the recess, the housing material may be local, in particular within a predetermined area of the housing
Gehäusematerials, entfernt werden, so dass Anschlussflächen zum Kontaktieren des elektronischen Bauelements freigelegt werden, um das eingebettete elektronische Bauelement und/oder eine Leiterbahn, die mit dem elektronischen Bauelement kontaktiert ist und/oder auf dem Gehäusematerial aufgebracht ist, elektrisch zu kontaktieren. Das Gehäusematerial kann zum Ausbilden der Ausnehmung in dem vorgegebenen Bereich mittels eines Lasers, insbesondere eines Laserstrahls, entfernt werden. Das elektronische Bauelement selbst und/oder Housing material, are removed so that pads are exposed for contacting the electronic component to electrically contact the embedded electronic component and / or a conductor, which is contacted with the electronic component and / or applied to the housing material. The housing material may be removed by means of a laser, in particular a laser beam, for forming the recess in the predetermined area become. The electronic component itself and / or
gegebenenfalls eine oder mehrere Leiterbahnen dürfen durch den Laserprozess nicht oder nur in sehr geringen Maße If necessary, one or more strip conductors may not, or only to a very small extent, by the laser process
angelasert bzw. beschädigt werden. Falls eine Metallschicht, die mittels des Lasers freigelegt werden soll, relativ dick ist, so kann eine geringe Beschädigung durch den Laser unkritisch sein. Falls die Metallschicht jedoch relativ dünn ist, so kann schon eine geringe Beschädigung zu einem be lasered or damaged. If a metal layer which is to be exposed by means of the laser is relatively thick, then slight damage by the laser may be uncritical. However, if the metal layer is relatively thin, then even a slight damage to a
kritischen Fehler führen. Eine Schwierigkeit ergibt sich dabei dadurch, dass die Metallschichten, beispielsweise aus Kostengründen oder Platzgründen, nicht beliebig dick sein können. Eine weitere Schwierigkeit besteht darin, dass das Gehäusematerial mit Füllstoffen, insbesondere Partikeln, beispielsweise Kugeln, Fäden und/oder Gewebe, beispielsweise aus T1O2, Fused Silika oder Glasfasern, aufweisen kann. Falls die Füllstoffe in dem freizulegenden Bereich in direktem körperlichen Kontakt mit der Metallschicht sind, so kann es passieren, dass in dem Laserprozess die Füllstoffe mit einer relativ hohen Energie gelöst werden und dass dabei die cause critical error. A difficulty arises from the fact that the metal layers, for example, for reasons of cost or space, can not be arbitrarily thick. Another difficulty is that the housing material with fillers, in particular particles, such as balls, threads and / or tissue, for example, from T1O 2 , fused silica or glass fibers may have. If the fillers in the region to be exposed are in direct physical contact with the metal layer, it may happen that in the laser process, the fillers are dissolved with a relatively high energy and that the
Füllstoffe einen Teil der Metallschicht mit auslösen, wodurch die Beschädigung der Metallschicht größer ist, als bei einem Gehäusematerial ohne Füllstoffe. Des Weiteren sind die Fillers trigger a portion of the metal layer, whereby the damage of the metal layer is greater than a housing material without fillers. Furthermore, the
Füllstoffe meist nicht homogen in einem Trägermaterial des Gehäusematerials verteilt. Dies kann insbesondere dazu führen, dass die Homogenität des Gehäusematerials an der zu öffnenden Stelle von Position zu Position und von Gehäuse zu Gehäuse unterschiedlich ist, weswegen es schwierig bis unmöglich ist, den Laserprozess derart einzustellen, dass selbst bei einer sehr dünnen Metallschicht keine kritische Beschädigung beim Ausbilden der Ausnehmung entsteht. Fillers usually not homogeneously distributed in a carrier material of the housing material. In particular, this may result in the homogeneity of the housing material at the point to be opened varying from position to position and from case to case, which makes it difficult to impossible to adjust the laser process such that even with a very thin metal layer there is no critical damage formed during the formation of the recess.
Aus diesen Gründen wird, beispielsweise in der For these reasons, for example, in the
Leiterplattenbranche, beim Erzeugen von Durchkontaktierungen, sogenannten „blind vias", mit Lasersystemen im langwelligen infraroten Wellenlängenbereich (IR, z.B. A=10.6 ym) mit gepulsten Lasern im Pikosekunden-Pulsbereich standardmäßig auf relativ dicken Kupferlagen, beispielsweise mit Dicken größer 12 ym, gestoppt. Bei einer derartigen Metallschicht kann eine gewisse Beschädigung unkritisch und akzeptabel sein. Die entsprechende Kupferschicht wird anschließend in der so entstandenen Ausnehmung mit Metall belegt, um eine elektrisch leitfähige Durchkontaktierung zu erzeugen. Printed circuit board industry, when creating vias, so-called "blind vias" with laser systems in the long-wave infrared wavelength range (IR, eg A = 10.6 ym) with pulsed lasers in the picosecond pulse range by default on relatively thick copper layers, for example, with thicknesses greater than 12 ym stopped. In such a metal layer Some damage can be uncritical and acceptable. The corresponding copper layer is then covered in the resulting recess with metal to produce an electrically conductive via.
Derartige Lasersysteme im langen IR-Wellenlängenbereich tragen das Metall der Metallschicht nicht direkt durch die Laserstrahlung ab, insbesondere wird der Laser reflektiert, sondern durch die dabei entstehende Wärme. Dadurch kann das Leiterplattenmaterial (z.B. FR4) selektiv abgetragen werden. Jedoch wird während des Prozesses eine hohe thermische Such laser systems in the long IR wavelength range do not carry the metal of the metal layer directly through the laser radiation, in particular the laser is reflected, but by the resulting heat. This allows the circuit board material (e.g., FR4) to be selectively removed. However, during the process, a high thermal
Energie eingetragen, welche auch die Metallschicht Energy registered, which is also the metal layer
beschädigen kann. Um eine gewisse mechanische Stabilität und die nötige Wärmeabfuhr zu gewährleisten, hat die can damage. To ensure a certain mechanical stability and the necessary heat dissipation, the
Metallschicht eine Mindeststärke, beispielsweise größer 5 ym. Metal layer a minimum thickness, for example greater than 5 ym.
Alternativ zu IR-Lasern werden Systeme im UV- oder grünen Wellenspektrum im UKP (Ultra-Kurz-Puls ) -Bereich eingesetzt, beispielsweise im ns-, ps- oder fs-Pulslängenbereich . Hier wird keine oder nur sehr geringe thermische Energie in das Material eingetragen, was auch als kalter Abtrag bezeichnet wird, die Pulsspitzenleistungen wiederum können jedoch sehr hoch sein. Mit diesen Systemen kann durch präzise As an alternative to IR lasers, systems in the UV or green wave spectrum are used in the UKP (ultra-short-pulse) range, for example in the ns, ps or fs pulse length range. Here, no or very little thermal energy is entered into the material, which is also referred to as cold erosion, but the pulse peak powers can in turn be very high. With these systems can be achieved through precise
Parametrisierung des Prozesses in der Metallschicht selbst gestoppt werden. Parameterization of the process in the metal layer itself be stopped.
Beide im Vorhergehenden beschriebenen Ansätze verlangen gleichbleibende Materialdicken und gleichbleibende Both approaches described above require consistent material thicknesses and consistent
Materialfüllgrade der Füllstoffe, um einen wiederholgenauen Prozess zu gewährleisten. Material filling levels of the fillers to ensure a repeatable process.
Falls das elektronische Bauelement eine LED ist, so gestaltet sich der Prozess beim Laserstopp auf der Rückseite der LED noch komplexer. LEDs weisen in der Regel für Lot- oder If the electronic component is an LED, the process is even more complex when the laser stops on the back of the LED. LEDs usually indicate for solder or
Klebeprozesse sehr dünne Metallschichten, beispielsweise kleiner 0,5 ym, auf den Rückseiten auf. Darunter befindet sich das Substratmaterial der LED, beispielsweise Silizium oder Germanium. Würde eine Ausnehmung, zum rückseitigen Adhesive processes very thin metal layers, for example, less than 0.5 ym, on the backs. Below this is the substrate material of the LED, for example silicon or germanium. Would a recess, to the back
Kontaktieren der LED mittels eines herkömmlichen Laserprozesses ausgebildet werden, so könnte die Metallisierung beschädigt werden und der Laser könnte direkt in das Substrat gelangen und gegebenenfalls die optisch aktiven Schichten beschädigen. Eine rückseitige Kontaktierung von LEDs per Laserstopp ist daher nicht bekannt. Contact the LED using a conventional Laser process be formed, the metallization could be damaged and the laser could go directly into the substrate and possibly damage the optically active layers. A back contacting of LEDs by laser stop is therefore not known.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum An object of the invention is to provide a method for
Herstellen einer elektronischen Baugruppe bereitzustellen, das besonders schnell, mit besonders wenig Material und/oder besonders kostengünstig durchgeführt werden kann. To provide an electronic assembly, which can be performed particularly fast, with very little material and / or particularly inexpensive.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, eine elektronische An object of the invention is to provide an electronic
Baugruppe bereitzustellen, besonders geringem Materialaufwand und/oder besonders kostengünstig hergestellt werden kann. To provide assembly, particularly low material costs and / or can be produced particularly inexpensively.
Eine Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen An object is achieved according to one aspect of the invention by a method for producing an electronic
Baugruppe, bei dem: ein elektronisches Bauelement in ein Gehäusematerial eingebettet wird; eine Pufferschicht auf dem Gehäusematerial ausgebildet wird; eine Metallschicht auf einer von dem Gehäusematerial abgewandten Seite der Assembly in which: an electronic component is embedded in a housing material; a buffer layer is formed on the housing material; a metal layer on a side facing away from the housing material of the
Pufferschicht ausgebildet wird; und eine Ausnehmung zum Buffer layer is formed; and a recess for
Kontaktieren der Metallschicht ausgebildet wird, indem mittels eines Lasers bei einer ersten Energie das Contacting the metal layer is formed by means of a laser at a first energy the
Gehäusematerial in einem vorgegebenen Bereich so entfernt wird, dass in dem vorgegebenen Bereich die Pufferschicht freigelegt ist, und indem mittels eines Lasers bei einer zweiten Energie, die kleiner ist als die erste Energie, die Pufferschicht in dem freigelegten Bereich so entfernt wird, dass die Metallschicht in der Ausnehmung freigelegt ist. Housing material is removed in a predetermined range so that in the predetermined area, the buffer layer is exposed, and by using a laser at a second energy, which is smaller than the first energy, the buffer layer is removed in the exposed region so that the metal layer is exposed in the recess.
Gemäß einer Weiterbildung wird das elektronische Bauelement so in das Gehäusematerial eingebettet, dass es nachfolgend an einer ersten Seite des Gehäusematerials angeordnet ist, und die Pufferschicht wird auf der ersten Seite des According to a development, the electronic component is embedded in the housing material such that it is subsequently arranged on a first side of the housing material, and the buffer layer is arranged on the first side of the housing material
Gehäusematerials ausgebildet. Insbesondere kann das  Housing material formed. In particular, that can
elektronische Bauelement so in das Gehäusematerial electronic component so in the housing material
eingebettet werden, dass ein Kontakt, beispielsweise ein thermischer und/oder elektrischer Kontakt, des elektronischen Bauelements auf der ersten Seite des Gehäusematerials be embedded that a contact, for example, a thermal and / or electrical contact of the electronic component on the first side of the housing material
freigelegt ist. Auf derselben Seite des Gehäusematerials wird die Pufferschicht so aufgebracht, dass der freiliegende is exposed. On the same side of the housing material, the buffer layer is applied so that the exposed
Kontakt des elektronischen Bauelements zumindest teilweise frei von der Pufferschicht bleibt. Auf dem Kontakt und auf der Pufferschicht wird die Metallschicht ausgebildet. Contact of the electronic device remains at least partially free of the buffer layer. On the contact and on the buffer layer, the metal layer is formed.
Nachfolgend kann die Ausnehmung ausgehend von einer zweiten Seite des Gehäusematerials, die von der ersten Seite Subsequently, the recess may proceed from a second side of the housing material from the first side
abgewandt ist, zunächst in dem Gehäusematerial und dann in der Pufferschicht ausgebildet werden, so dass die is turned away, are first formed in the housing material and then in the buffer layer, so that the
Metallschicht von der zweiten Seite des Gehäusematerials aus zugänglich und insbesondere kontaktierbar, beispielsweise thermisch und/oder elektrisch kontaktierbar wird. Metal layer of the second side of the housing material from accessible and in particular contactable, for example, thermally and / or electrically contacted.
Die erste Seite des Gehäusematerials kann Teil einer ersten Seite des Gehäuses sein oder diese bilden. Die erste Seite des Gehäuses kann beispielsweise eine Vorderseite des The first side of the housing material may be part of or form part of a first side of the housing. The first side of the housing may for example be a front side of the
Gehäuses sein. Die zweite Seite des Gehäusematerials kann Teil einer zweiten Seite des Gehäuses sein oder diese bilden. Die zweite Seite des Gehäuses kann beispielsweise eine Be housing. The second side of the housing material may be part of or form a second side of the housing. The second side of the housing, for example, a
Rückseite des Gehäuses sein. Somit ist das auf der Be the back of the case. Thus, that is on the
Vorderseite des Gehäuses angeordnete elektronische Bauelement von der Rückseite des Gehäuses aus zugänglich bzw. Front side of the housing arranged electronic component accessible from the back of the housing or
kontaktierbar. contactable.
Ferner kann das elektronische Bauelement zunächst auf einem Substrat angeordnet werden und auf dem Substrat so in das Gehäusematerial eingebettet werden, dass der Kontakt Furthermore, the electronic component can first be arranged on a substrate and embedded on the substrate in the housing material such that the contact
zumindest teilweise auf der von dem Substrat abgewandten ersten Seite des Gehäusematerials freigelegt ist. Die is at least partially exposed on the side facing away from the substrate first side of the housing material. The
Ausnehmung kann dann von einer Rückseite des Substrats, die von dem elektronischen Bauelement abgewandt ist, durch das Substrat, das Gehäusematerial und die Pufferschicht hindurch ausgebildet werden, sodass die Metallschicht von der Recess may then be formed from a back side of the substrate facing away from the electronic component through the substrate, the housing material and the buffer layer, so that the metal layer of the
Rückseite des Substrats aus zugänglich wird und das Back of the substrate is accessible from and the
elektronische Bauelement von der Rückseite des Substrats aus zugänglich ist und/oder kontaktiert, insbesondere thermisch und/oder elektrisch kontaktiert, werden kann. electronic component from the back of the substrate is accessible and / or contacted, in particular thermally and / or electrically contacted, can be.
Gemäß einer Weiterbildung wird das elektronische Bauelement so in das Gehäusematerial eingebettet, dass es nachfolgend an einer ersten Seite des Gehäusematerials angeordnet ist, und die Pufferschicht wird auf einer zweiten Seite des According to a development, the electronic component is embedded in the housing material such that it is subsequently arranged on a first side of the housing material, and the buffer layer is arranged on a second side of the housing
Gehäusematerials ausgebildet, die von der ersten Seite des Gehäusematerials abgewandt ist. Dabei kann der Kontakt an der ersten Seite des Gehäusematerials zumindest teilweise Housing material is formed, which faces away from the first side of the housing material. In this case, the contact on the first side of the housing material at least partially
freiliegen und die Ausnehmung kann von der ersten Seite des Gehäusematerials aus in dem Gehäusematerial und der be exposed and the recess may from the first side of the housing material in the housing material and the
Pufferschicht ausgebildet werden, so dass die Metallschicht, die bezogen auf das Gehäusematerial auf der zweiten Seite des Gehäusematerials liegt, von der ersten Seite des Buffer layer are formed so that the metal layer, which is based on the housing material on the second side of the housing material, from the first side of the
Gehäusematerials aus zugänglich und/oder kontaktierbar wird. Nachfolgend kann eine Leiterbahn von dem Kontakt auf der ersten Seite des Gehäusematerials über die Ausnehmung hin zu der Metallschicht geführt werden. Das auf der Vorderseite des Gehäuses angeordnete elektronische Bauelement ist dann von der Rückseite des Gehäuses zugänglich und/oder thermisch und/oder elektrisch kontaktierbar.  Housing material from accessible and / or contacted. Subsequently, a conductor can be guided from the contact on the first side of the housing material over the recess towards the metal layer. The arranged on the front of the housing electronic component is then accessible from the back of the housing and / or thermally and / or electrically contacted.
Eine Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen An object is achieved according to one aspect of the invention by a method for producing an electronic
Baugruppe, bei dem: ein elektronisches Bauelement Assembly in which: an electronic component
bereitgestellt wird, das zum Kontaktieren des elektronischen Bauelements eine Metallschicht aufweist; auf der is provided, which has a metal layer for contacting the electronic component; on the
Metallschicht eine Pufferschicht ausgebildet wird; das Metal layer, a buffer layer is formed; the
Bauelement derart in ein Gehäusematerial eingebettet wird, dass die Pufferschicht zwischen der Metallschicht und dem Gehäusematerial angeordnet ist; und eine Ausnehmung zum Component is embedded in a housing material such that the buffer layer between the metal layer and the housing material is disposed; and a recess for
Kontaktieren der Metallschicht ausgebildet wird, indem mittels eines Lasers bei einer ersten Energie das Contacting the metal layer is formed by means of a laser at a first energy the
Gehäusematerial in einem vorgegebenen Bereich so entfernt wird, dass in dem vorgegebenen Bereich die Pufferschicht freigelegt ist, und indem mittels eines Lasers bei einer zweiten Energie, die kleiner ist als die erste Energie, die Pufferschicht in dem freigelegten Bereich so entfernt wi dass die Metallschicht in der Ausnehmung freigelegt ist. Housing material is removed in a predetermined range so that in the predetermined area, the buffer layer is exposed, and by using a laser at a second energy, which is smaller than the first energy, the Buffer layer in the exposed area so wi that the metal layer is exposed in the recess.
Somit wird gemäß einem der im Vorhergehenden erläuterten Verfahren die Ausnehmung, insbesondere ein Via, mit einer für das Gehäusematerial angepassten Fluenz, insbesondere Thus, according to one of the methods explained above, the recess, in particular a via, is provided with a fluence adapted to the housing material, in particular
Energiedichte, welche zu der ersten Energie korrespondiert, bis zu der entsprechenden Pufferschicht mittels des Lasers ausgebildet. Fortführend wird die Fluenz an die Energy density, which corresponds to the first energy, formed to the corresponding buffer layer by means of the laser. Continuing the fluence to the
Ablationsschwelle der Pufferschicht, beispielsweise des verwendeten Polymers, angepasst und die Ausnehmung wird mit der angepassten Fluenz, insbesondere der zweiten Ablation threshold of the buffer layer, for example, the polymer used, adapted and the recess with the adapted Fluenz, in particular the second
Energiedichte, die zu der zweiten Energie korrespondiert, bis zu der entsprechenden Metallschicht, welche kontaktiert werden soll, mittels des Lasers ausgebildet. Das Material der Pufferschicht wird dabei so gewählt, dass es eine geringere Ablationsschwelle als das abzutragende Gehäusematerial aufweist, und dient deshalb als vertikale Pufferzone. Als Material für die Pufferschicht eignet sich beispielsweise ein ungefülltes Poylmer, wie beispielsweise Silikon oder Energy density corresponding to the second energy, up to the corresponding metal layer to be contacted, formed by means of the laser. The material of the buffer layer is chosen so that it has a lower ablation threshold than the housing material to be removed, and therefore serves as a vertical buffer zone. As a material for the buffer layer, for example, an unfilled Poylmer, such as silicone or
Kunstharz, beispielsweise Epoxidharz. Synthetic resin, for example epoxy resin.
Die erste Energie, insbesondere die erste Energiedichte, kann beispielsweise in einem Bereich liegen von 0,1 J/cm2 bis 76,4 J/cm2, beispielsweise von 3,2 J/cm2 bis 22,3 J/cm2, The first energy, in particular the first energy density, may for example be in a range from 0.1 J / cm 2 to 76.4 J / cm 2 , for example from 3.2 J / cm 2 to 22.3 J / cm 2 ,
beispielsweise von 6,4 J/cm2 bis 19,1 J/cm2. for example, from 6.4 J / cm 2 to 19.1 J / cm 2 .
Die zweite Energie, insbesondere die zweite Energiedichte, kann beispielsweise in einem Bereich liegen von 0,01 J/cm2 bis 75,4 J/cm2, beispielsweise von 2,2 J/cm2 bis 21,3 J/cm2, beispielsweise von 5,4 J/cm2 bis 18,1 J/cm2. The second energy, in particular the second energy density, may for example be in a range from 0.01 J / cm 2 to 75.4 J / cm 2 , for example from 2.2 J / cm 2 to 21.3 J / cm 2 , for example, from 5.4 J / cm 2 to 18.1 J / cm 2 .
Das Lasersystem, das den Laser bei der ersten Energie The laser system that powers the laser at first
erzeugt, kann ein anderes Lasersystem sein als das, das den Laser bei der zweiten Energie erzeugt. Alternativ dazu kann mittels eines Lasersystems der Laser bei der ersten Energie und der Laser bei der zweiten Energie erzeugt werden. Dies ist beispielsweise mit einem sehr genau justierbaren Lasersystem möglich. Das bzw. die Lasersysteme können can be a different laser system than that which generates the laser at the second energy. Alternatively, the laser at the first energy and the laser at the second energy can be generated by means of a laser system. This is for example with a very precisely adjustable Laser system possible. The or the laser systems can
beispielsweise aufweisen: einen UKP-Laser, der im Grünen Wellenlängenspektrum, beispielsweise bei 532 nm, emittiert; einen C02~Laser, der im fernen Infrarot-Bereich, for example: a UKP laser emitting in the green wavelength spectrum, for example at 532 nm; a C02 ~ laser in the far infrared range,
beispielsweise bei einer Wellenlänge von 10,6 ym, und/oderfor example, at a wavelength of 10.6 ym, and / or
Impulse im Mikrosekundenbereich emittiert; und/oder einen UV- Laser, der im Ultraviolett-Bereich, beispielsweise bei 350 nm, und/oder Pulse im Pikosekundenbereich emittiert, Pulses emitted in the microsecond range; and / or a UV laser which emits in the ultraviolet range, for example at 350 nm, and / or pulses in the picosecond range,
beispielsweise einen Dioden Laser. for example, a diode laser.
Die Pufferschicht zwischen der Metallschicht und dem The buffer layer between the metal layer and the
Gehäusematerial ermöglicht, auf eine besonders große Dicke bei der Metallschicht und/oder auf eine oder mehrere Housing material allows for a particularly large thickness in the metal layer and / or on one or more
zusätzliche Metallschichten verzichten zu können, ohne eine kritische Beschädigung der Metallschicht zu riskieren. to be able to dispense with additional metal layers without risking critical damage to the metal layer.
Insbesondere kann beim Ausbilden der Ausnehmung ein präzises Stoppen des Lasers auf der Metallschicht, beispielsweise einer dünnen Leiterbahn und/oder einem Kontakt des  In particular, when forming the recess a precise stopping of the laser on the metal layer, for example a thin conductor track and / or a contact of the
elektronischen Bauelements, erreicht werden, ohne zusätzliche und/oder dicke Metallschichten aufbringen zu müssen und/oder das elektronische Bauelement zu beschädigen. Außerdem kann die Pufferschicht als Verbindung zwischen dem elektronischen Bauelement und dem Gehäusematerial benutzt werden. Die electronic component can be achieved without having to apply additional and / or thick metal layers and / or to damage the electronic component. In addition, the buffer layer can be used as a connection between the electronic component and the housing material. The
Pufferschicht kann abhängig von dem dafür verwendeten Buffer layer may vary depending on the one used
Material einfacher ausgebildet werden als eine dicke Material can be made simpler than a thick one
Metallschicht, beispielsweise bei der Verwendung eines  Metal layer, for example when using a
Polymers für die Pufferschicht durch Aufschleudern („spin coating") , Aufsprühen, Eintauchen o.ä. Insgesamt kann das Verfahren besonders schnell durchgeführt werden, insbesondere in einer besonders kurzen Prozesszeit, es kann besonders wenig Material verwendet werden, insbesondere besonders wenig Metall, und/oder es können Kosten bei dem Durchführen des Verfahrens gespart werden. Falls das Gehäusematerial Füllstoffe aufweist, so verhindert die Pufferschicht, dass sich die Füllstoffe direkt an der freizulegenden Fläche der Metallschicht befinden. Durch das Fehlen der Füllstoffe in der Pufferschicht kann der Laserprozess so gesteuert werden, dass zum Boden der On the whole, the process can be carried out particularly rapidly, in particular in a particularly short process time; it is possible to use very little material, in particular particularly little metal, and If the housing material has fillers, the buffer layer prevents the fillers from being directly on the exposed surface of the metal layer Laser process controlled so that to the bottom of the
Ausnehmung hin, welcher von der Metallschicht gebildet wird, der Energieeintrag mittels des Lasers verringert wird und eine Beschädigung des Metalls besonders gering gehalten oder sogar vermieden wird. Insbesondere werden die Füllstoffe nicht mehr mit einer hohen Energie von der Metallschicht gelöst und können somit nicht mehr zu einer Beschädigung der Metallschicht führen. Das Gehäusematerial bildet ein Gehäuse der elektronischen Baugruppe. Die elektronische Baugruppe kann beispielsweise als Chip-Package oder als LED-Package bezeichnet werden. Recess, which is formed by the metal layer, the energy input is reduced by means of the laser and damage to the metal is kept particularly low or even avoided. In particular, the fillers are no longer dissolved with a high energy from the metal layer and thus can no longer lead to damage of the metal layer. The housing material forms a housing of the electronic module. The electronic module can be referred to, for example, as a chip package or as an LED package.
Gemäß einer Weiterbildung wird das elektronische Bauelement mittels der Metallschicht über die Ausnehmung kontaktiert wird. Beispielsweise kann die Metallschicht auf derselben Seite des Gehäuses wie das elektronische Bauelement According to a development, the electronic component is contacted by means of the metal layer via the recess. For example, the metal layer on the same side of the housing as the electronic component
angeordnet sein und als Kontaktierung zwischen dem Kontakt des elektronischen Bauelements und der Durchkontaktierung in der Ausnehmung dienen. Alternativ dazu kann die Metallschicht auf einer anderen Seite des Gehäuses wie das elektronische Bauelement angeordnet sein und mittels der Durchkontaktierung mit dem elektronischen Bauelement kontaktiert sein. Gemäß einer Weiterbildung wird das elektronische Bauelement mittels der Metallschicht über die Ausnehmung elektrisch kontaktiert wird. be arranged and serve as a contact between the contact of the electronic component and the via in the recess. Alternatively, the metal layer may be disposed on another side of the housing as the electronic component and be contacted by means of the via with the electronic component. According to a development, the electronic component is contacted electrically by means of the metal layer via the recess.
Gemäß einer Weiterbildung wird das elektronische Bauelement mittels der Metallschicht über die Ausnehmung thermisch kontaktiert. Die thermische Kontaktierung kann elektrisch leitend oder elektrisch isolierend ausgebildet sein. According to a development, the electronic component is thermally contacted via the recess by means of the metal layer. The thermal contact can be made electrically conductive or electrically insulating.
Beispielsweise kann die thermische Kontaktierung mittels eines gut wärmeleitenden Dielektrikums gebildet sein. For example, the thermal contact can be formed by means of a good heat-conducting dielectric.
Gemäß einer Weiterbildung hat das Gehäusematerial eine Dicke in einem Bereich von 2000 ym bis 30 ym, beispielsweise von 1000 ym bis 50 ym, beispielsweise von 800 ym bis 100 ym. Die Dicke des Gehäusematerials wird vorzugsweise von der ersten Seite des Gehäusematerials hin zu der zweiten Seite des According to a development, the housing material has a thickness in a range from 2000 ym to 30 ym, for example from 1000 ym to 50 ym, for example from 800 ym to 100 ym. The Thickness of the housing material is preferably from the first side of the housing material towards the second side of the housing material
Gehäusematerials, insbesondere orthogonal zu einer Oberfläche der ersten Seite des Gehäusematerials bzw. der zweiten Seite des Gehäusematerials gemessen. Housing material, in particular measured orthogonal to a surface of the first side of the housing material and the second side of the housing material.
Gemäß einer Weiterbildung hat die Pufferschicht eine Dicke hat in einem Bereich von 200 ym bis 0,5 ym, beispielsweise von 25 ym bis 3 ym, beispielsweise von 15 ym bis 4 ym. Die Dicke der Pufferschicht kann beispielsweise einem Abstand zwischen der Metallschicht und dem Gehäusematerial According to a development, the buffer layer has a thickness in a range from 200 .mu.m to 0.5 .mu.m, for example from 25 .mu.m to 3 .mu.m, for example from 15 .mu.m to 4 .mu.m. The thickness of the buffer layer may be, for example, a distance between the metal layer and the housing material
entsprechen. Die Pufferschicht kann beispielsweise ein correspond. The buffer layer may include, for example
Dielektrikum sein. Die Pufferschicht kann beispielsweise Kunststoff (Polymer), beispielsweise Fotolack, Acryl und/oder Kunstharz, beispielsweise Epoxidharz, aufweisen. Die Dielectric be. The buffer layer may comprise, for example, plastic (polymer), for example photoresist, acrylic and / or synthetic resin, for example epoxy resin. The
Pufferschicht kann beispielsweise mittels Aufschleuderns , Aufsprühens oder mittels eines Druckverfahrens ausgebildet werden . Gemäß einer Weiterbildung hat die Metallschicht eine Dicke in einem Bereich von 15 ym bis 0,2 ym, beispielsweise von 10 ym bis 0,5 ym, beispielsweise von 5 ym bis 1 ym. Die  Buffer layer can be formed for example by spin coating, spraying or by means of a printing process. According to a development, the metal layer has a thickness in a range of 15 μm to 0.2 μm, for example of 10 μm to 0.5 μm, for example of 5 μm to 1 μm. The
Metallschicht mit der derart geringen Dicke wird in dieser Patentanmeldung auch kurz als dünne Metallschicht bezeichnet. Die Metallschicht kann beispielsweise eine Metal layer of such small thickness is also referred to in this patent application as a thin metal layer. The metal layer may, for example, a
Metallschichtstruktur sein, die mehrere Teilschichten  Metal layer structure that has multiple sublayers
aufweist. Die Metallschicht bzw. gegebenenfalls die having. The metal layer or optionally the
Teilschichten können als unterste Lage eine Haftschicht aufweisen. Die Metallschicht bzw. gegebenenfalls die Partial layers may have an adhesive layer as the lowest layer. The metal layer or optionally the
Teilschichten können beispielsweise Titan, Chrom, Kupfer, Nickel, Aluminium, Palladium und/oder Gold aufweisen oder davon gebildet sein. Partial layers may include, for example, titanium, chromium, copper, nickel, aluminum, palladium and / or gold or be formed thereof.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Gehäusematerial ein According to a development, the housing material has a
Trägermaterial und ein Füllmaterial auf. Das Trägermaterial kann beispielsweise ein Moldmaterial , Kunstharz, Carrier material and a filler on. The carrier material may be, for example, a molding material, synthetic resin,
beispielsweise Epoxidharz, und/oder Silikon aufweisen oder davon gebildet sein. Das Füllmaterial kann beispielsweise Partikel, beispielsweise Kugeln, fadenartige Strukturen, beispielsweise Fäden oder Drähte, oder ein Gewebe aufweisen oder davon gebildet sein. Das Füllmaterial kann For example, epoxy resin, and / or silicone have or be formed thereof. The filling material may, for example Particles, such as balls, thread-like structures, such as threads or wires, or have a fabric or be formed thereof. The filling material can
beispielsweise Glas, aromatische Polyamide und/oder For example, glass, aromatic polyamides and / or
Kohlefasern aufweisen oder davon gebildet sein. Have carbon fibers or be formed thereof.
Eine Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch die elektronische Baugruppe mit dem elektronischen Bauelement, das in das Gehäusematerial eingebettet ist, der Pufferschicht, die auf dem Gehäusematerial ausgebildet ist, der Metallschicht, die auf der von dem Gehäusematerial abgewandten Seite der Pufferschicht ausgebildet ist, und der Ausnehmung zum Kontaktieren der Metallschicht, wobei sich die Ausnehmung innerhalb des vorgegebenen Bereichs derart durch das Gehäusematerial und die Pufferschicht erstreckt, dass die Metallschicht in der Ausnehmung frei von dem Gehäusematerial und der Pufferschicht ist. An object is achieved according to an aspect of the invention by the electronic assembly with the electronic component embedded in the housing material, the buffer layer formed on the housing material, the metal layer formed on the side of the buffer layer facing away from the housing material , and the recess for contacting the metal layer, wherein the recess extends through the housing material and the buffer layer within the predetermined area such that the metal layer in the recess is free of the housing material and the buffer layer.
Die im Vorhergehenden im Zusammenhang mit dem Verfahren zum Herstellen der elektronischen Baugruppe erläuterten The above explained in connection with the method for manufacturing the electronic assembly
technischen Effekte und Vorteile sowie die Parameter und Parameterbereiche der einzelnen Strukturen können ohne weiteres auf die elektronische Baugruppe übertragen werden. technical effects and advantages as well as the parameters and parameter ranges of the individual structures can be easily transferred to the electronic module.
Gemäß einer Weiterbildung ist das elektronische Bauelement an der ersten Seite des Gehäusematerials angeordnet und die Pufferschicht ist auf der ersten Seite des Gehäusematerials ausgebildet . Gemäß einer Weiterbildung ist das elektronische Bauelement an der ersten Seite des Gehäusematerials angeordnet und die Pufferschicht ist auf einer zweiten Seite des According to a development, the electronic component is arranged on the first side of the housing material and the buffer layer is formed on the first side of the housing material. According to a development, the electronic component is arranged on the first side of the housing material and the buffer layer is on a second side of the
Gehäusematerials ausgebildet, die von der ersten Seite des Gehäusematerials abgewandt ist. Housing material is formed, which faces away from the first side of the housing material.
Eine Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch die elektronische Baugruppe mit: dem elektronischen Bauelement, das zum Kontaktieren des elektronischen Bauelements die Metallschicht aufweist; der Pufferschicht, die auf der Metallschicht ausgebildet ist, wobei das An object is solved according to an aspect of the invention by the electronic assembly comprising: the electronic component used to contact the electronic component Component having the metal layer; the buffer layer formed on the metal layer, wherein the
Bauelement derart in das Gehäusematerial eingebettet ist, dass die Pufferschicht zwischen der Metallschicht und dem Gehäusematerial angeordnet ist; und der Ausnehmung zum Component is embedded in the housing material such that the buffer layer between the metal layer and the housing material is disposed; and the recess for
Kontaktieren der Metallschicht, wobei sich die Ausnehmung innerhalb des vorgegebenen Bereichs derart durch das  Contacting the metal layer, wherein the recess within the predetermined range so through the
Gehäusematerial und die Pufferschicht erstreckt, dass die Metallschicht in der Ausnehmung frei von dem Gehäusematerial und der Pufferschicht ist. Housing material and the buffer layer extends that the metal layer in the recess is free of the housing material and the buffer layer.
Die im Vorhergehenden im Zusammenhang mit dem Verfahren zum Herstellen der elektronischen Baugruppe erläuterten The above explained in connection with the method for manufacturing the electronic assembly
technischen Effekte und Vorteile sowie die Parameter und Parameterbereiche der einzelnen Strukturen können ohne weiteres auf die elektronische Baugruppe übertragen werden. technical effects and advantages as well as the parameters and parameter ranges of the individual structures can be easily transferred to the electronic module.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.
Es zeigen: Show it:
Figur 1 eine Schnittdarstellung einer herkömmlichen Figure 1 is a sectional view of a conventional
Schichtenstruktur einer herkömmlichen  Layer structure of a conventional
elektronischen Baugruppe vor dem Ausbilden einer herkömmlichen Ausnehmung;  electronic assembly prior to forming a conventional recess;
Figur 2 eine Schnittdarstellung der Schichtenstruktur gemäß FIG. 2 is a sectional view of the layer structure according to FIG
Figur 1 nach dem Ausbilden der herkömmlichen  Figure 1 after the formation of the conventional
Ausnehmung;  recess;
Figur 3 eine Schnittdarstellung einer herkömmlichen Figure 3 is a sectional view of a conventional
Schichtenstruktur einer fiktiven Baugruppe nach dem Ausbilden einer herkömmlichen Ausnehmung;  Layer structure of a fictitious assembly after forming a conventional recess;
Figur 4 eine Schnittdarstellung einer Schichtenstruktur eines Ausführungsbeispiels einer elektronischen Baugruppe vor dem Ausbilden einer Ausnehmung; Figur 5 eine Schnittdarstellung der Schichtenstruktur gemäß Figur 4 während dem Ausbilden der Ausnehmung; Figure 4 is a sectional view of a layer structure of an embodiment of an electronic assembly prior to forming a recess; FIG. 5 is a sectional view of the layer structure according to FIG. 4 during the formation of the recess;
Figur 6 eine Schnittdarstellung der Schichtenstruktur gemäß FIG. 6 is a sectional view of the layer structure according to FIG
Figur 4 nach dem Ausbilden der Ausnehmung;  Figure 4 after the formation of the recess;
Figur 7 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer elektronischen Baugruppe; Figure 7 is a sectional view of an embodiment of an electronic assembly;
Figur 8 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer elektronischen Baugruppe; Figure 8 is a sectional view of an embodiment of an electronic assembly;
Figur 9 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer elektronischen Baugruppe; Figure 9 is a sectional view of an embodiment of an electronic assembly;
Figur 10 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines FIG. 10 is a flowchart of an embodiment of a
Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe ;  Method for producing an electronic assembly;
Figur 11 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines FIG. 11 is a flowchart of an embodiment of a
Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe .  Method for producing an electronic module.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Da Komponenten von In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part of this specification, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. Because components of
Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Embodiments in a number of different
Orientierungen positioniert werden können, dient die Orientations can be positioned, the serves
Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Directional terminology for illustration and is in no way limiting. It is understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. In den Figuren sind identische oder ähnliche To deviate scope of the present invention. It should be understood that the features of the various embodiments described herein are combined unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims. In the figures are identical or similar
Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.  Elements provided with identical reference numerals, as appropriate.
Eine elektronische Baugruppe kann ein, zwei oder mehr An electronic assembly can be one, two or more
elektronische Bauelemente, beispielswiese optoelektronische Bauelemente, ein Gehäuse, das von einem Gehäusematerial gebildet ist und das zumindest teilweise das bzw. die electronic components, for example, optoelectronic components, a housing which is formed by a housing material and at least partially the or the
elektronischen Bauelemente umgibt, und ein, zwei oder mehr mit Metallschichten und/oder Leiterbahnen zum elektrischen Kontaktieren der elektronischen Bauelemente aufweisen. Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise ein aktives und/oder ein passives Bauelement aufweisen. Ein aktives elektronisches Bauelement kann beispielsweise eine surrounding electronic components, and one, two or more having metal layers and / or conductor tracks for electrically contacting the electronic components. An electronic component may have, for example, an active and / or a passive component. An active electronic component can, for example, a
Recheneinheit, beispielsweise eine integrierte Schaltung, einen Prozessor, insbesondere ein Mikroprozessor, eine Arithmetic unit, for example an integrated circuit, a processor, in particular a microprocessor, a
Speichereinheit, eine Steuer- und/oder Regeleinheit und/oder einen Transistor aufweisen. Ein passives elektronisches  Memory unit, a control and / or regulating unit and / or a transistor. A passive electronic
Bauelement kann beispielsweise einen Kondensator, einen Component may, for example, a capacitor, a
Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen. Resistor, a diode or a coil.
Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein An optoelectronic component may be an electromagnetic radiation emitting device or a
elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle sein. Ein be electromagnetic radiation absorbing component. An electromagnetic radiation absorbing component may be, for example, a solar cell. One
elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Electromagnetic radiation-emitting component may be in various embodiments, a semiconductor device emitting electromagnetic radiation and / or as a diode emitting electromagnetic radiation, as a diode emitting organic electromagnetic radiation, as a transistor emitting electromagnetic radiation or as an organic electromagnetic
Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender Be formed radiation-emitting transistor. The Radiation may be, for example, light in the visible range, UV light and / or infrared light. In this context, the electromagnetic radiation emitting device, for example, as a light-emitting diode (light emitting diode, LED) as an organic light-emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as a light-emitting
Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor or emitting as organic light
Transistor ausgebildet sein. Fig. 1 zeigt eine Schnittdarstellung einer herkömmlichen Schichtenstruktur einer herkömmlichen elektronischen Transistor be formed. Fig. 1 shows a sectional view of a conventional layer structure of a conventional electronic
Baugruppe vor dem Ausbilden einer herkömmlichen Ausnehmung. Die herkömmliche Schichtenstruktur weist ein herkömmliches Gehäusematerial 20 auf. Das herkömmliche Gehäusematerial 20 weist ein herkömmliches Trägermaterial auf, das auch als Matrixmaterial bezeichnet werden kann. Das herkömmliche Assembly prior to forming a conventional recess. The conventional layer structure comprises a conventional housing material 20. The conventional housing material 20 comprises a conventional carrier material, which may also be referred to as a matrix material. The conventional one
Gehäusematerial 20 eignet sich zum Bilden eines Gehäuses der herkömmlichen elektronischen Baugruppe und/oder zum Einbetten und/oder Aufnehmen eines in den Figuren nicht dargestellten elektronischen Bauelements. Das herkömmliche Gehäusematerial 20 weist eine erste Seite 34 und eine von der ersten Seite 34 abgewandte zweite Seite 36 auf. Housing material 20 is suitable for forming a housing of the conventional electronic assembly and / or for embedding and / or receiving an electronic component, not shown in the figures. The conventional housing material 20 has a first side 34 and a second side 36 facing away from the first side 34.
In das herkömmliche Gehäusematerial 20, insbesondere m da herkömmliche Trägermaterial, ist ein herkömmliches In the conventional housing material 20, in particular m as conventional carrier material is a conventional
Füllmaterial 22 eingebettet. Das herkömmliche Füllmaterial kann beispielsweise Kugeln und/oder Glas aufweisen oder daraus gebildet sein. Auf dem Gehäusematerial 20, in Figur 1 unter dem Embedding filler 22. The conventional filling material may, for example, comprise or be formed from balls and / or glass. On the housing material 20, in Figure 1 under the
Gehäusematerial 20, insbesondere an der zweiten Seite 36 des herkömmlichen Gehäusematerials 20 ist eine herkömmliche  Housing material 20, in particular on the second side 36 of the conventional housing material 20 is a conventional
Metallschicht 24 ausgebildet. Eine der Kugeln des Metal layer 24 is formed. One of the balls of the
herkömmlichen Füllmaterials 22 hat direkten körperlichen Kontakt zu der Metallschicht 24. Die herkömmliche conventional filling material 22 has direct physical contact with the metal layer 24. The conventional
Metallschicht 24 eignet sich zum elektrischen Kontaktieren des herkömmlichen elektronischen Bauelements. Die herkömmliche Metallschicht 24 weist eine erste Dicke Dl von beispielsweise ca. 12 ym auf. Metal layer 24 is suitable for electrically contacting the conventional electronic component. The conventional metal layer 24 has a first thickness Dl of, for example, about 12 ym.
In einem vorgegebenen Bereich 26 soll mittels eines In a predetermined area 26 is intended by means of a
herkömmlichen Lasers 28, beispielsweise einem herkömmlichen Laserstrahl, eine herkömmliche Ausnehmung 30 (siehe Figur 2) gebildet werden, wobei in Figur 1 lediglich die Ränder der herkömmlichen Ausnehmung 30 mittels gestrichelter Linien angedeutet sind. Der herkömmliche Laser 28 kann a conventional recess 30 (see Figure 2) are formed, wherein in Figure 1, only the edges of the conventional recess 30 are indicated by dashed lines. The conventional laser 28 can
beispielsweise mittels eines herkömmlichen Lasersystems im langwelligen Infrarot-Wellenlängenbereich, beispielsweise bei einer Wellenlänge von 10,6 ym, mit Laserpulsen im For example, by means of a conventional laser system in the long-wave infrared wavelength range, for example at a wavelength of 10.6 ym, with laser pulses in
Mikrosekundenbereich erzeugt werden. Fig. 2 zeigt eine Schnittdarstellung der Schichtenstruktur gemäß Figur 1 nach dem Ausbilden der herkömmlichen Ausnehmung 30. Bei dem Ausbilden der herkömmlichen Ausnehmung 30 wurde die Kugel des herkömmlichen Füllmaterials 22, die direkten körperlichen Kontakt zu der herkömmlichen Metallschicht 24 hatte, derart aus dem vorgegebenen Bereich 26 entfernt, dass ein Teil der herkömmlichen Metallschicht 24 von ihr Microsecond range can be generated. Fig. 2 shows a sectional view of the layer structure of Fig. 1 after forming the conventional recess 30. In forming the conventional recess 30, the ball of the conventional filling material 22 which had direct physical contact with the conventional metal layer 24 became out of the predetermined range 26 removes part of the conventional metal layer 24 from it
mitgerissen wurde, so dass eine Beschädigung 32 der was entrained, so that damage 32 of the
herkömmlichen Metallschicht 24 entstanden ist. Aufgrund der großen Dicke der herkömmlichen Metallschicht 24 ist die conventional metal layer 24 is formed. Due to the large thickness of the conventional metal layer 24 is the
Beschädigung 32 bei der herkömmlichen elektronischen Damage 32 in the conventional electronic
Baugruppe jedoch unkritisch und unproblematisch. Assembly, however, uncritical and unproblematic.
Fig. 3 zeigt eine Schnittdarstellung einer fiktiven Fig. 3 shows a sectional view of a fictional
Schichtenstruktur einer fiktiven Baugruppe nach dem Ausbilden der herkömmlichen Ausnehmung 30 in dem herkömmlichen Layer structure of a fictitious assembly after forming the conventional recess 30 in the conventional
Gehäusematerial 20. Die fiktive Schichtenstruktur entspricht weitgehend der im Vorhergehenden erläuterten herkömmlichen Schichtenstruktur, wobei im Gegensatz dazu die herkömmliche Metallschicht 24 lediglich eine zweite Dicke D2 aufweist, die beispielsweise ungefähr 5 ym dick oder dünner ist. Bei einer derart dünnen herkömmlichen Metallschicht 24 kann die  Housing material 20. The fictive layer structure broadly corresponds to the conventional layer structure explained above, in contrast to which the conventional metal layer 24 has only a second thickness D2, which is for example about 5 μm thick or thinner. In such a thin conventional metal layer 24, the
Beschädigung 32 dazu führen, dass die herkömmliche Damage 32 cause the conventional
Metallschicht 24 stark, kritisch, und/oder problematisch beschädigt ist, beispielsweise derart, dass im Bereich der Beschädigung 32 die herkömmliche Metallschicht 24 ein Metal layer 24 strong, critical, and / or problematic is damaged, for example, such that in the region of the damage 32, the conventional metal layer 24 a
durchgehendes Loch hat. Fig. 4 zeigt eine Schnittdarstellung einer Schichtenstruktur eines Ausführungsbeispiels einer elektronischen Baugruppe vor dem Ausbilden einer Ausnehmung 50 (siehe Figur 5) . Die has a through hole. 4 shows a sectional view of a layer structure of an exemplary embodiment of an electronic assembly before the formation of a recess 50 (see FIG. 5). The
Schichtenstruktur weist ein Gehäusematerial 40 auf. Das Layer structure has a housing material 40. The
Gehäusematerial 40 weist ein Trägermaterial auf, das auch als Matrixmaterial bezeichnet werden kann. Das Gehäusematerial 40 eignet sich zum Bilden eines Gehäuses der elektronischen Baugruppe und/oder zum Einbetten und/oder Aufnehmen eines in den Figuren 7 bis 9 dargestellten elektronischen Bauelements 62. Das Gehäusematerial 40 weist eine erste Seite 34 und eine von der ersten Seite 34 abgewandte zweite Seite 36 auf. Das Gehäusematerial 40 kann beispielsweise Kunstharz, Housing material 40 has a carrier material, which may also be referred to as a matrix material. The housing material 40 is suitable for forming a housing of the electronic assembly and / or for embedding and / or receiving an electronic component 62 illustrated in FIGS. 7 to 9. The housing material 40 has a first side 34 and a second side facing away from the first side 34 Page 36. The housing material 40 may be, for example, synthetic resin,
beispielsweise Epoxidharz und/oder Silikon, aufweisen oder davon gebildet sein. Das Gehäusematerial hat eine dritte Dicke D3 in einem Bereich von 2000 ym bis 30 ym, for example, epoxy resin and / or silicone, or be formed thereof. The housing material has a third thickness D3 in a range of 2000 ym to 30 ym,
beispielsweise von 1000 ym bis 50 ym, beispielsweise von 800 ym bis 100 ym. for example from 1000 ym to 50 ym, for example from 800 ym to 100 ym.
In das Gehäusematerial 40, insbesondere in das In the housing material 40, in particular in the
Trägermaterial, ist Füllmaterial 42 eingebettet. Das Carrier material, filler 42 is embedded. The
Füllmaterial 42 kann beispielsweise Partikel, beispielsweise kugelförmige, beispielsweise Kugeln, und/oder fadenförmige Strukturen, beispielsweise Fäden oder Drähte, und/oder ein Gewebe aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Füllmaterial 42 kann beispielsweise Glas, Ti02, Fused Silika oder Filling material 42 may include, for example, particles, for example spherical, for example spheres, and / or thread-like structures, for example threads or wires, and / or a woven fabric or be formed therefrom. The filler 42 may, for example, glass, Ti0 2 , fused silica or
Glasfasern aufweisen oder daraus gebildet sein. Have glass fibers or be formed from it.
Auf dem Gehäusematerial 40, in Figur 4 unter dem On the housing material 40, in Figure 4 below the
Gehäusematerial 40, insbesondere an der zweiten Seite 56 des Gehäusematerials 40 ist eine Pufferschicht 60 ausgebildet. Die Pufferschicht 60 kann ein Dielektrikum sein. Die Housing material 40, in particular on the second side 56 of the housing material 40, a buffer layer 60 is formed. The buffer layer 60 may be a dielectric. The
Pufferschicht 60 kann beispielsweise Silikon und/oder Buffer layer 60 may be, for example, silicone and / or
Kunststoff, beispielsweise Fotolack, Acryl und/oder ein Plastic, for example, photoresist, acrylic and / or a
Polymer aufweisen, beispielsweise Kunstharz, beispielsweise Epoxidharz. Die Pufferschicht 60 kann frei von Füllmaterial sein. Die Pufferschicht 60 hat beispielsweise eine vierte Dicke D4 in einem Bereich von 200 ym bis 0,5 ym, Have polymer, for example, synthetic resin, for example Epoxy resin. The buffer layer 60 may be free of filler material. The buffer layer 60 has, for example, a fourth thickness D4 in a range from 200 ym to 0.5 ym,
beispielsweise von 25 ym bis 3 ym, beispielsweise von 15 ym bis 4 ym. Die Pufferschicht 60 kann beispielsweise mittels Aufschleuderns , Aufsprühens oder mittels eines for example from 25 ym to 3 ym, for example from 15 ym to 4 ym. The buffer layer 60 may be, for example, by spin coating, spraying or by means of a
Druckverfahrens auf dem Gehäusematerial 40 ausgebildet werden. Eine der Kugeln des Füllmaterials 42 hat direkten körperlichen Kontakt zu der Pufferschicht 60. Printing method can be formed on the housing material 40. One of the balls of the filling material 42 has direct physical contact with the buffer layer 60.
Auf einer von dem Gehäusematerial 40 abgewandten Seite der Pufferschicht 60 ist eine Metallschicht 44 ausgebildet. Die Metallschicht 44 eignet sich zum elektrischen Kontaktieren des elektronischen Bauelements 62. Die Metallschicht 44 weist die zweite Dicke D2 auf, die beispielsweise in einem Bereich liegt von 15 ym bis 0,2 ym, beispielsweise von 10 ym bis 0,5 ym, beispielsweise von 5 ym bis 1 ym. Die Metallschicht 44 kann beispielsweise eine Metallschichtstruktur sein, die mehrere Teilschichten aufweist. Die Metallschicht 44 bzw. gegebenenfalls die Teilschichten können als unterste Lage eine Haftschicht aufweisen. Die Metallschicht 44 bzw. On a side facing away from the housing material 40 side of the buffer layer 60, a metal layer 44 is formed. The metal layer 44 is suitable for electrically contacting the electronic component 62. The metal layer 44 has the second thickness D2, which is, for example, in a range from 15 .mu.m to 0.2 .mu.m, for example from 10 .mu.m to 0.5 .mu.m, for example 5 ym to 1 ym. For example, the metal layer 44 may be a metal layer structure having multiple sublayers. The metal layer 44 or, if appropriate, the partial layers may have an adhesive layer as the lowermost layer. The metal layer 44 or
gegebenenfalls die Teilschichten können beispielsweise Titan, Chrom, Kupfer, Nickel, Aluminium, Palladium und/oder Gold aufweisen oder davon gebildet sein. If appropriate, the partial layers may comprise, for example, titanium, chromium, copper, nickel, aluminum, palladium and / or gold or be formed therefrom.
In einem vorgegebenen Bereich 46 soll mittels eines Lasers 48, beispielsweise einem Laserstrahl, eine Ausnehmung 50 (siehe Figur 5) in dem Gehäusematerial 40 ausgebildet werden, wobei in Figur 4 lediglich die Ränder der Ausnehmung 30 mittels gestrichelter Linien angedeutet sind. Der Laser 48 kann beispielsweise mittels eines Lasersystems im In a predetermined area 46, a recess 50 (see FIG. 5) is to be formed in the housing material 40 by means of a laser 48, for example a laser beam, wherein in FIG. 4 only the edges of the recess 30 are indicated by dashed lines. The laser 48, for example, by means of a laser system in
langwelligen Infrarot-Wellenlängenbereich, insbesondere einem C02~Laser, beispielsweise bei einer Wellenlänge von 10,6 ym, mit Laserpulsen im Mikrosekundenbereich erzeugt werden. Der Laser 48 kann alternativ dazu mittels eines UKP-Lasers erzeugt werden, der im Wellenlängenbereich des grünen Lichts, beispielsweise bei 532 nm, emittiert. Die erste Energie, insbesondere die erste Energiedichte, kann beispielsweise in einem Bereich liegen von 0,1 J/cm2 bis 76,4 J/cm2, beispielsweise von 3,2 J/cm2 bis 22,3 J/cm2, long wavelength infrared wavelength range, in particular a C02 ~ laser, for example, at a wavelength of 10.6 ym, are generated with laser pulses in the microsecond range. The laser 48 may alternatively be produced by means of a UKP laser emitting in the wavelength range of the green light, for example at 532 nm. The first energy, in particular the first energy density, may for example be in a range from 0.1 J / cm 2 to 76.4 J / cm 2 , for example from 3.2 J / cm 2 to 22.3 J / cm 2 ,
beispielsweise von 6,4 J/cm2 bis 19,1 J/cm2. Die zweite for example, from 6.4 J / cm 2 to 19.1 J / cm 2 . The second
Energie, insbesondere die zweite Energiedichte, kann Energy, especially the second energy density, can
beispielsweise in einem Bereich liegen von 0,01 J/cm2 bis 75,4 J/cm2, beispielsweise von 2,2 J/cm2 bis 21,3 J/cm2, beispielsweise von 5,4 J/cm2 bis 18,1 J/cm2. Fig. 5 zeigt eine Schnittdarstellung der Schichtenstruktur gemäß Figur 4 während des Ausbildens der Ausnehmung 50. for example, in a range of from 0.01 J / cm 2 to 75.4 J / cm 2 , for example, from 2.2 J / cm 2 to 21.3 J / cm 2 , for example, from 5.4 J / cm 2 to 18.1 J / cm 2 . FIG. 5 shows a sectional illustration of the layer structure according to FIG. 4 during the formation of the recess 50.
Mittels des Lasers 48 bei der ersten Energie wird die By means of the laser 48 at the first energy is the
Ausnehmung 50 nur so weit ausgebildet, bis die Pufferschicht 60 darin freigelegt ist. Falls die Kugel des Füllmaterials 42, die die Pufferschicht 60 vor dem Ausbilden der Ausnehmung 50 berührt hat, derart aus der Ausnehmung 50 entfernt wurde, dass die Pufferschicht 60 eine Beschädigung 52 der Recess 50 only so far formed until the buffer layer 60 is exposed therein. If the ball of the filling material 42, which has touched the buffer layer 60 prior to the formation of the recess 50, has been removed from the recess 50 in such a way that the buffer layer 60 causes damage 52 of the
Pufferschicht 60 aufweist, so ist dies unkritisch, da die Pufferschicht 60 ausreichend dick ist und/oder nachfolgend keine besondere Funktion mehr hat. Jedoch verhindert dieBuffer layer 60, so this is not critical, since the buffer layer 60 is sufficiently thick and / or subsequently has no special function. However, that prevents
Pufferschicht 60 die Beschädigung 32 der Metallschicht 44. Buffer layer 60, the damage 32 of the metal layer 44th
Nachfolgend wird die Ausnehmung 50 in dem vorgegebenen Subsequently, the recess 50 in the given
Bereich 46 weiter ausgebildet, insbesondere mittels eines Lasers 58 bei einer zweiten Energie. Der Laser 58 bei der zweiten Energie kann mittels eines UV-Lasers, der im Area 46 further formed, in particular by means of a laser 58 at a second energy. The laser 58 at the second energy can be detected by means of a UV laser operating in the
Ultraviolett-Bereich, beispielsweise bei 350 nm, und/oder Pulse im Pikosekundenbereich emittiert, beispielsweise mit einem Diodenlaser, erzeugt werden. Ultraviolet range, for example at 350 nm, and / or emitted pulses in the picosecond range, for example with a diode laser.
Das Lasersystem, das den Laser 48 bei der ersten Energie erzeugt, kann ein anderes Lasersystem sein als das, das den Laser 58 bei der zweiten Energie erzeugt. Alternativ dazu kann mittels eines Lasersystems der Laser 48 bei der ersten Energie und der Laser 58 bei der zweiten Energie erzeugt werden. Dies ist beispielsweise mit einem sehr genau The laser system that generates the laser 48 at the first energy may be a different laser system than that which generates the laser 58 at the second energy. Alternatively, by means of a laser system, the laser 48 may be generated at the first energy and the laser 58 at the second energy. For example, this is very accurate
justierbaren Lasersystem möglich. Das bzw. die Lasersysteme können zum Erzeugen des Lasers 48 bei der ersten Energie und/oder zum Erzeugen des Lasers 58 bei der zweiten Energie beispielsweise aufweisen: einen UKP-Laser, der im Grünen Wellenlängenspektrum, beispielsweise bei 532 nm, emittiert; den C02-Laser, der im fernen Infrarot-Bereich, beispielsweise bei einer Wellenlänge von 10,6 ym, und/oder Impulse im adjustable laser system possible. The laser system (s) may be used to generate the laser 48 at the first energy and / or for generating the laser 58 at the second energy, for example: a UKP laser emitting in the green wavelength spectrum, for example at 532 nm; the C02 laser, the far infrared range, for example, at a wavelength of 10.6 ym, and / or pulses in
Mikrosekundenbereich emittiert; und/oder den UV-Laser, der im Ultraviolett-Bereich, beispielsweise bei 350 nm, und/oder Pulse im Pikosekundenbereich emittiert, beispielsweise den Diodenlaser .  Microseconds emitted; and / or the UV laser which emits in the ultraviolet range, for example at 350 nm, and / or pulses in the picosecond range, for example the diode laser.
In anderen Worten wird die Ausnehmung 50, insbesondere ein Via, mit einer für das Gehäusematerial 40 angepassten Fluenz, insbesondere Strahlungsdichte, welche zu der ersten Energie korrespondiert, bis zu der Pufferschicht 60 mittels des In other words, the recess 50, in particular a via, with a fluence adapted for the housing material 40, in particular radiation density corresponding to the first energy, up to the buffer layer 60 by means of the
Lasers bei der ersten Energie ausgebildet. Fortführend wird die Fluenz an die Ablationsschwelle der Pufferschicht 60, beispielsweise des verwendeten Polymers, angepasst und die Ausnehmung 50 wird bis zu der Metallschicht 44, welche kontaktiert werden soll, mittels des Lasers bei der zweiten Energie ausgebildet. Das Material der Pufferschicht 60 wird dabei so gewählt, dass es eine geringere Ablationsschwelle als das abzutragende Gehäusematerial 40 aufweist, und dient deshalb als vertikale Pufferzone. Fig. 6 zeigt eine Schnittdarstellung der Schichtenstruktur gemäß Figur 4 nach dem Ausbilden der Ausnehmung 50, Lasers trained at the first energy. Continuing, the fluence is adjusted to the ablation threshold of the buffer layer 60, for example of the polymer used, and the recess 50 is formed to the metal layer 44 to be contacted by the laser at the second energy. The material of the buffer layer 60 is chosen so that it has a lower ablation threshold than the housing material 40 to be removed, and therefore serves as a vertical buffer zone. 6 shows a sectional view of the layer structure according to FIG. 4 after the formation of the recess 50, FIG.
insbesondere nach dem vollständigen Ausbilden der Ausnehmung 50 und/oder dem Entfernen des Materials der Pufferschicht 60 in dem vorgegebenen Bereich 46. Die Metallschicht 44 ist in der Ausnehmung 50 freigelegt. Die Metallschicht 44 kann nun ausgehend von der ersten Seite 54 des Gehäusematerials 40 über die Ausnehmung 50 kontaktiert, insbesondere thermisch und/oder elektrisch, werden. Fig. 7 zeigt eine Schnittdarstellung eines in particular after complete formation of the recess 50 and / or removal of the material of the buffer layer 60 in the predetermined region 46. The metal layer 44 is exposed in the recess 50. The metal layer 44 can now be contacted, in particular thermally and / or electrically, starting from the first side 54 of the housing material 40 via the recess 50. Fig. 7 shows a sectional view of a
Ausführungsbeispiels einer elektronischen Baugruppe. Die elektronische Baugruppe weist eine Schichtenstruktur auf, die im Wesentlichen der mit Bezug zu Figur 6 erläuterten Schichtenstruktur entspricht. Insbesondere weist die Embodiment of an electronic module. The electronic subassembly has a layer structure which is essentially that explained with reference to FIG Layer structure corresponds. In particular, the
elektronische Baugruppe das Gehäusematerial 40 auf, in das das Füllmaterial 42 eingebettet sein kann. Auf der zweiten Seite 56 des Gehäusematerials 40 ist die Pufferschicht 60 ausgebildet. Auf der von dem Gehäusematerial 40 abgewandten Seite der Pufferschicht 60 ist die Metallschicht 44 electronic assembly, the housing material 40, in which the filler 42 may be embedded. On the second side 56 of the housing material 40, the buffer layer 60 is formed. On the side remote from the housing material 40 side of the buffer layer 60, the metal layer 44th
ausgebildet. Die Ausnehmung 50 erstreckt sich von der ersten Seite 54 des Gehäusematerials 40 aus hin zu der Metallschicht 44. Die Ausnehmung 50 wurde vorzugsweise in dem mit Bezug zu den Figuren 4 bis 6 erläuterten Verfahren, insbesondere in dem zweistufigen Laserprozess , ausgebildet, bei dem die educated. The recess 50 extends from the first side 54 of the housing material 40 toward the metal layer 44. The recess 50 has preferably been formed in the method explained with reference to FIGS. 4 to 6, in particular in the two-stage laser process, in which the
Ausnehmung 50 zunächst mit dem Laser bei der ersten Energie in dem Gehäusematerial 40 und dann mit dem Laser bei der zweiten Energie in der Pufferschicht 60 ausgebildet wurde. Recess 50 was first formed with the laser at the first energy in the housing material 40 and then with the laser at the second energy in the buffer layer 60.
Zusätzlich weist die elektronische Baugruppe das In addition, the electronic module has the
elektronische Bauelement 62 auf, das in das Gehäusematerial 40 eingebettet ist. Insbesondere ist das elektronische electronic component 62 which is embedded in the housing material 40. In particular, the electronic
Bauelement 62 an der ersten Seite 54 so in das Component 62 on the first side 54 so in the
Gehäusematerial 40 eingebettet, dass eine Vorderseite des elektronischen Bauelements 62 frei von Gehäusematerial ist und nach außen zeigt und dass Seitenflächen und eine Housing material 40 embedded, that a front side of the electronic component 62 is free of housing material and facing outward and that side surfaces and a
Rückseite des elektronischen Bauelements 62 direkten Rear of the electronic component 62 direct
körperlichen Kontakt zu dem Gehäusematerial 40 haben. An der Vorderseite des elektronischen Bauelements 62 ist ein in den Figuren nicht dargestellter Kontakt ausgebildet, der zum thermischen und/oder elektrischen Kontaktieren des have physical contact with the housing material 40. At the front of the electronic component 62, a contact, not shown in the figures is formed, which is for thermal and / or electrical contact of the
elektronischen Bauelements 62 dient. Das elektronische Bauelement 62 kann beispielsweise dem im Vorhergehenden erläuterten elektronischen Bauelement 62 entsprechen. Das elektronische Bauelement 62 kann electronic component 62 is used. The electronic component 62 may correspond, for example, to the electronic component 62 explained above. The electronic component 62 can
beispielsweise ein Chip, insbesondere ein Halbleiter-Chip, beispielsweise ein LED-Chip, eine ESD-Diode, ein Mikro-Chip, ein Speicherelement oder ein Mikroprozessor sein. For example, a chip, in particular a semiconductor chip, for example an LED chip, an ESD diode, a micro-chip, a memory element or a microprocessor.
Eine Leiterbahn 64 erstreckt sich von der Vorderseite des elektronischen Bauelements 62 über das Gehäusematerial 40 durch die Ausnehmung 50 bis hin zu der Metallschicht 44. Die Leiterbahn 24 dient als Kontaktmittel zwischen dem Kontakt des elektronischen Bauelements 62 und der Metallschicht 44. Insbesondere ist das elektronische Bauelement 62 mittels der Leiterbahn 64 thermisch und/oder elektrisch mit der A conductor track 64 extends from the front side of the electronic component 62 via the housing material 40 through the recess 50 up to the metal layer 44. The conductor 24 serves as a contact means between the contact of the electronic component 62 and the metal layer 44. In particular, the electronic component 62 by means of the conductor 64 is thermally and / or electrically with the
Metallschicht 44 kontaktiert. Die Leiterbahn 64 kann Metal layer 44 contacted. The conductor 64 can
beispielsweise von einer weiteren Metallschicht oder einer Metallisierung gebildet sein. Darüber hinaus kann die be formed for example by a further metal layer or a metallization. In addition, the
Leiterbahn 64 derart ausgebildet sein, dass sie die gesamte Ausnehmung 50 ausfüllt. Die Leiterbahn 64 kann auch als Durchkontaktierung ausgebildet sein oder als Conductor 64 may be formed such that it fills the entire recess 50. The conductor track 64 may also be formed as a via or as
Durchkontaktierung bezeichnet werden. Through contact be designated.
Somit ist das elektronische Bauelement 62 an der ersten Seite des Gehäuses der elektronischen Baugruppe angeordnet und an der zweiten Seite des Gehäuses thermisch und/oder elektrisch kontaktiert . Thus, the electronic component 62 is disposed on the first side of the housing of the electronic module and thermally and / or electrically contacted on the second side of the housing.
Es ist anzumerken, dass die in den Figuren dargestellten Schichtenstrukturen und elektronischen Baugruppen nicht notwendigerweise maßstabsgetreu sind. Beispielsweise kann die Ausnehmung 50 relativ zu dem elektronischen Bauelement 62 deutlich kleiner sein, als in den Figuren dargestellt. Fig. 8 zeigt eine Schnittdarstellung eines It should be noted that the layer structures and electronic assemblies shown in the figures are not necessarily to scale. For example, the recess 50 may be significantly smaller relative to the electronic component 62, as shown in the figures. Fig. 8 shows a sectional view of a
Ausführungsbeispiels einer elektronischen Baugruppe. Die elektronische Baugruppe weist eine Schichtenstruktur auf, die weitgehend der mit Bezug zu Figur 6 erläuterten  Embodiment of an electronic module. The electronic module has a layer structure which is largely explained with reference to FIG
Schichtenstruktur entspricht, wobei die in Figur 8 gezeigte Schichtenstruktur gegenüber der in Figur 6 gezeigten Layer structure corresponds, wherein the layer structure shown in Figure 8 with respect to that shown in Figure 6
Schichtenstruktur um 180° gedreht ist. Insbesondere weist die elektronische Baugruppe das Gehäusematerial 40 auf, in das das Füllmaterial 42 eingebettet sein kann. Auf der ersten Seite 56 des Gehäusematerials 40 ist die Pufferschicht 60 ausgebildet.  Layer structure is rotated by 180 °. In particular, the electronic assembly comprises the housing material 40, in which the filler 42 may be embedded. On the first side 56 of the housing material 40, the buffer layer 60 is formed.
Das elektronische Bauelement 62 kann beispielsweise dem im Vorhergehenden erläuterten elektronischen Bauelement 62 entsprechen. Das elektronische Bauelement 62 ist in das Gehäusematerial 40 eingebettet. Insbesondere ist das The electronic component 62 may be, for example, the electronic component 62 explained above correspond. The electronic component 62 is embedded in the housing material 40. In particular, that is
elektronische Bauelement 62 an der ersten Seite 54 so in das Gehäusematerial 40 eingebettet, dass die Vorderseite des elektronischen Bauelements 62 frei von Gehäusematerial ist und nach außen zeigt und dass die Seitenflächen und die Rückseite des elektronischen Bauelements 62 direkten electronic component 62 on the first side 54 embedded in the housing material 40 so that the front of the electronic component 62 is free of housing material and facing outward and that the side surfaces and the back of the electronic component 62 direct
körperlichen Kontakt zu dem Gehäusematerial 40 haben. An der Vorderseite des elektronischen Bauelements 62 ist der in den Figuren nicht dargestellte Kontakt ausgebildet, der zum thermischen und/oder elektrischen Kontaktieren des have physical contact with the housing material 40. At the front of the electronic component 62 of the contact, not shown in the figures is formed, for thermal and / or electrical contact of the
elektronischen Bauelements 62 dient. electronic component 62 is used.
Auf der von dem Gehäusematerial 40 abgewandten Seite der Pufferschicht 60 ist die Metallschicht 44 ausgebildet. Die Metallschicht 44 ist derart ausgebildet, dass sie sich zumindest teilweise über die Pufferschicht 60 und zumindest teilweise derart über das elektronische Bauelement 62 erstreckt, dass sie in direkten körperlichen Kontakt mit dem Kontakt des elektronischen Bauelements 62 ist und so das elektronische Bauelement 62 thermisch und/oder elektrisch kontaktiert . On the side facing away from the housing material 40 side of the buffer layer 60, the metal layer 44 is formed. The metal layer 44 is formed so as to extend at least partially across the buffer layer 60 and at least partially over the electronic component 62 so as to be in direct physical contact with the contact of the electronic component 62, and thus thermally and / or the electronic component 62. or contacted electrically.
Das elektronische Bauelement 62 ist auf einem Substrat 66 angeordnet. Das elektronische Bauelement 62 kann The electronic component 62 is arranged on a substrate 66. The electronic component 62 can
beispielsweise mithilfe eines Befestigungsmittels 68 an dem Substrat 66 befestigt sein. Das Befestigungsmittel 68 kann beispielsweise ein Lot oder ein Kleber sein. Die Ausnehmung 50 erstreckt sich bei diesem For example, be attached by means of a fastener 68 to the substrate 66. The attachment means 68 may be, for example, a solder or an adhesive. The recess 50 extends in this
Ausführungsbeispiel von einer von dem Gehäusematerial 40 abgewandten Seite des Substrats 66 aus hin zu der  Embodiment of a side facing away from the housing material 40 side of the substrate 66 out to the
Metallschicht 44. Somit ist die Ausnehmung 50 auch in dem Substrat 66 ausgebildet. Metal layer 44. Thus, the recess 50 is also formed in the substrate 66.
Die Leiterbahn 64 ist auf der von dem Gehäusematerial 40 abgewandten Seite des Substrats 66 ausgebildet und erstreckt sich durch die Ausnehmung 50 hindurch bis hin zu der Metallschicht 44. Die von dem Gehäusematerial 40 abgewandte Seite des Substrats 66 und die Leiterbahn 64 bilden die zweite Seite bzw. die Rückseite des Gehäuses der The conductor track 64 is formed on the side remote from the housing material 40 side of the substrate 66 and extends through the recess 50 through to the Metal layer 44. The side facing away from the housing material 40 of the substrate 66 and the conductor track 64 form the second side and the back of the housing of the
elektronischen Baugruppe. electronic assembly.
Beim Herstellen der elektronischen Baugruppe wird zunächst das elektronische Bauelement 62 mithilfe des When manufacturing the electronic assembly, the electronic component 62 is first of all using the
Befestigungsmittels 68 auf dem Substrat 66 befestigt. Attachment 68 mounted on the substrate 66.
Nachfolgend wird das elektronische Bauelement 62 in das Gehäusematerial 40 eingebettet. Dann können nacheinander die Pufferschicht 60 auf dem Gehäusematerial 40 und dann die Metallschicht 44 auf dem elektronischen Bauelement 62 und der Pufferschicht 60 ausgebildet werden. Im Anschluss daran wird die Ausnehmung 50 ausgebildet, beispielsweise wie im Vorhergehenden erläutert mittels des zweistufigen Laserprozesses, wobei die Ausnehmung 50 in dem ersten Schritt mit dem Laser bei der ersten Energie nicht nur in dem Gehäusematerial 40 sondern auch in dem Substrat 66 ausgebildet werden kann und die Ausnehmung 50 in dem zweiten Schritt mit dem Laser bei der zweiten Energie in der Subsequently, the electronic component 62 is embedded in the housing material 40. Then, the buffer layer 60 may be successively formed on the package material 40, and then the metal layer 44 may be formed on the electronic component 62 and the buffer layer 60. Subsequently, the recess 50 is formed, for example, as explained above by means of the two-stage laser process, wherein the recess 50 can be formed in the first step with the laser at the first energy not only in the housing material 40 but also in the substrate 66 and the recess 50 in the second step with the laser at the second energy in the
Pufferschicht 60 ausgebildet wird, so dass die Metallschicht 44 in der Ausnehmung 50 freiliegt. Alternativ dazu kann ein dreistufiger Laserprozess durchgeführt werden, bei dem zusätzlich zu dem zweistufigen Laserprozess als erstes dieBuffer layer 60 is formed so that the metal layer 44 is exposed in the recess 50. Alternatively, a three-stage laser process may be performed in which, in addition to the two-stage laser process, the first one
Ausnehmung 50 mittels eines Lasers bei einer dritten Energie in dem Substrat 66 ausgebildet wird, wobei der Laser mit der dritten Energie, insbesondere die dritte Energie an sich, an die Ablationsschwelle des Materials des Substrats 66 Recess 50 is formed by means of a laser at a third energy in the substrate 66, wherein the laser with the third energy, in particular the third energy per se, to the ablation threshold of the material of the substrate 66th
angepasst sein kann. can be adjusted.
Somit ist das auf der ersten Seite des Gehäuses der Thus, this is on the first side of the case
elektronischen Baugruppe freiliegende elektronische electronic assembly exposed electronic
Bauelement 62 von der zweiten Seite des Gehäuses aus Component 62 from the second side of the housing
thermisch und/oder elektrisch kontaktiert. contacted thermally and / or electrically.
Zusätzlich zu dem elektronischen Bauelement 62 kann optional noch ein weiteres elektronisches Bauelement 70 auf dem Substrat 66 angeordnet sein, beispielsweise mithilfe des Befestigung mittels 68, und/oder in dem Gehäusematerial 40 eingebettet sein. Eine Kontaktierung des Weiteren In addition to the electronic component 62 may optionally be another electronic component 70 on the Substrate 66 may be arranged, for example by means of the attachment means 68, and / or be embedded in the housing material 40. A contacting further
elektronischen Bauelements 70 ist in Figur 8 nicht electronic component 70 is not in Figure 8
dargestellt. Korrespondierend dazu können auch bei den anderen Ausführungsbeispielen ein, zwei oder mehr weitere elektronische Bauelemente 70 angeordnet sein. shown. Correspondingly, one, two or more further electronic components 70 can also be arranged in the other exemplary embodiments.
Fig. 9 zeigt eine Schnittdarstellung eines Fig. 9 shows a sectional view of a
Ausführungsbeispiels einer elektronischen Baugruppe. Die elektronische Baugruppe weist das Gehäusematerial 40 auf, in das das Füllmaterial 42 eingebettet sein kann. Die Embodiment of an electronic module. The electronic assembly includes the housing material 40 into which the filler 42 may be embedded. The
elektronische Baugruppe weist das elektronische Bauelement 62 auf, das in das Gehäusematerial 40 eingebettet ist. Das elektronische Bauelement 62 kann beispielsweise dem im Electronic assembly includes the electronic component 62, which is embedded in the housing material 40. The electronic component 62 may, for example, in the
Vorhergehenden erläuterten elektronischen Bauelement 62 entsprechen. Die Metallschicht 44 ist direkt auf dem Previous explained electronic component 62 correspond. The metal layer 44 is directly on the
elektronischen Bauelement 62 ausgebildet und bildet den thermischen und/oder elektrischen Kontakt des elektronischen Bauelements 62. Alternativ dazu kann die Metallschicht 44 einen Teil des elektronischen Bauelements 62 bilden. Direkt auf der Metallschicht 44, insbesondere in direktem formed electronic component 62 and forms the thermal and / or electrical contact of the electronic component 62. Alternatively, the metal layer 44 may form part of the electronic component 62. Directly on the metal layer 44, especially in direct
körperlichen Kontakt mit der Metallschicht 44 ist die physical contact with the metal layer 44 is the
Pufferschicht 60 ausgebildet. Das elektronische Bauelement 62 ist derart in das Gehäusematerial 40 eingebettet, das inBuffer layer 60 is formed. The electronic component 62 is embedded in the housing material 40 in such a way
Figur 9 in vertikaler Richtung die Pufferschicht 60 zwischen der Metallschicht 44 und dem Gehäusematerial 40 angeordnet ist . Die Ausnehmung 50 erstreckt sich von der ersten Seite 54 des Gehäusematerials 40 aus durch das Gehäusematerial 40 und die Pufferschicht 60 hindurch bis hin zu der Metallschicht 44. Figure 9 is arranged in the vertical direction, the buffer layer 60 between the metal layer 44 and the housing material 40. The recess 50 extends from the first side 54 of the housing material 40 through the housing material 40 and the buffer layer 60 all the way through to the metal layer 44.
Die Leiterbahn 64 erstreckt sich von der ersten Seite 54 des Gehäusematerials 40 durch die Ausnehmung 50 hindurch bis hin zu der Metallschicht 44. Insbesondere ist die Leiterbahn 64 in direktem körperlichen Kontakt mit der Metallschicht 44. Mittels der Leiterbahn 64 ist das auf der zweiten Seite 56 des Gehäusematerials 40 angeordnete elektronische Bauelement 62 von der ersten Seite 54 des Gehäusematerials 40 aus thermisch und/oder elektrisch kontaktiert. Das elektronische Bauelement 62 kann so ausgebildet und/oder angeordnet sein, dass die Vorderseite des elektronischen Bauelements 62 in der Ausnehmung 50 freigelegt ist und die Rückseite des elektronischen Bauelements 62 auf der zweiten Seite 56 des Gehäusematerials 40 freigelegt ist. The conductor track 64 extends from the first side 54 of the housing material 40 through the recess 50 to the metal layer 44. In particular, the conductor track 64 is in direct physical contact with the metal layer 44. By means of the conductor track 64, that is on the second side 56 of the housing material 40 arranged electronic component 62 from the first side 54 of the housing material 40 from thermally and / or electrically contacted. The electronic component 62 may be formed and / or arranged such that the front side of the electronic component 62 is exposed in the recess 50 and the rear side of the electronic component 62 is exposed on the second side 56 of the housing material 40.
Beispielsweise im Falle, dass das elektronische Bauelement ein optoelektronisches Bauelement ist, beispielsweise eine LED oder einer Solarzelle, kann an der Vorderseite, die in der Ausnehmung 50 freigelegt ist, der optisch aktive bzw. optische sensitive Bereich des optoelektronischen Bauelements angeordnet sein, so dass die LED das Licht durch die For example, in the case where the electronic component is an optoelectronic component, for example an LED or a solar cell, the optically active or optically sensitive region of the optoelectronic component can be arranged on the front side, which is exposed in the recess 50, so that the LED the light through the
Ausnehmung 50 hindurch nach außen abstrahlen kann bzw. die Solarzelle das Licht durch die Ausnehmung 50 hindurch  Recess 50 can emit through to the outside or the solar cell, the light through the recess 50 therethrough
empfangen kann. Alternativ dazu kann das elektronische Bauelement 62 so ausgebildet und/oder angeordnet sein, dass die Rückseite des elektronischen Bauelements 62 in der Ausnehmung 50 freigelegt ist und die Vorderseite des elektronischen Bauelements 62 auf der zweiten Seite 56 des Gehäusematerials freigelegt ist. Beispielsweise im Falle, dass das elektronische Bauelement ein optoelektronisches Bauelement ist, beispielsweise eine LED oder eine Solarzelle, kann an der Vorderseite, die in der Ausnehmung 50 freigelegt ist, der optisch aktive bzw. can receive. Alternatively, the electronic component 62 may be formed and / or arranged such that the rear side of the electronic component 62 is exposed in the recess 50 and the front side of the electronic component 62 is exposed on the second side 56 of the housing material. For example, in the case that the electronic component is an optoelectronic component, such as an LED or a solar cell, at the front, which is exposed in the recess 50, the optically active or
optische sensitive Bereich des optoelektronischen Bauelements angeordnet sein, so dass die LED das Licht auf der zweitenbe arranged optical sensitive area of the optoelectronic component, so that the LED the light on the second
Seite 56 des Gehäusematerials 40 nach außen, also in Figur 9 nach unten, abstrahlen kann bzw. die Solarzelle das Licht auf der zweiten Seite 56 des Gehäusematerials 40 von außen, also in Figur 9 von unten, empfangen kann. 9 can radiate downwards, or the solar cell can receive the light on the second side 56 of the housing material 40 from the outside, that is to say in FIG. 9 from below.
Fig. 10 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen 10 shows a flow chart of an embodiment of a method for producing an electronic
Baugruppe. Die elektronische Baugruppe kann beispielsweise die mit Bezug zu Figur 7 oder die mit Bezug zu Figur 8 erläuterte elektronische Baugruppe sein. Assembly. The electronic module can, for example be with reference to Figure 7 or with reference to Figure 8 explained electronic assembly.
In einem optionalen Schritt kann das elektronische Bauelement 62 auf dem Substrat 66 befestigt werden, beispielsweise mittels Lötens oder Klebens. In an optional step, the electronic component 62 may be mounted on the substrate 66, for example by means of soldering or gluing.
In einem Schritt S2 wird das elektronische Bauelement 62 in das Gehäusematerial 40 eingebettet, beispielsweise in einem Moldprozess, insbesondere einem Press-Form-Verfahren, einem In-Mold-Verfahren oder einem Spritzgussverfahren. Das In a step S2, the electronic component 62 is embedded in the housing material 40, for example in a molding process, in particular a press-molding process, an in-mold process or an injection molding process. The
elektronische Bauelement 62 wird so in das Gehäusematerial 40 eingebettet, dass es an der ersten Seite 54 des electronic component 62 is embedded in the housing material 40 so that it on the first side 54 of the
Gehäusematerials 40 zumindest teilweise freiliegt. Das Housing material 40 at least partially exposed. The
Gehäusematerial 40 kann das Trägermaterial und das Housing material 40, the carrier material and the
Füllmaterial 42 aufweisen. Have filler 42.
In einem Schritt S4 wird die Pufferschicht 60 auf dem In a step S4, the buffer layer 60 is placed on the
Gehäusematerial 40 ausgebildet. Die Pufferschicht 60 kann auf der ersten Seite des Gehäusematerials 40 oder auf der zweiten Seite 56 des Gehäusematerials 40 ausgebildet werden. Die Pufferschicht 60 kann beispielsweise mittels Aufschleuderns („spin coating") , Aufsprühens oder Eintauchens ausgebildet werden . Housing material 40 is formed. The buffer layer 60 may be formed on the first side of the housing material 40 or on the second side 56 of the housing material 40. The buffer layer 60 may be formed, for example, by spin coating, spraying or dipping.
In einem Schritt S6 wird die Metallschicht 44 auf der In a step S6, the metal layer 44 on the
Pufferschicht 60 ausgebildet. Falls die Pufferschicht 60 auf der ersten Seite des Gehäusematerials 40 ausgebildet ist, so kann die Metallschicht 44 derart ausgebildet werden, dass sie zusätzlich zu der Pufferschicht 60 den Kontakt des Buffer layer 60 is formed. If the buffer layer 60 is formed on the first side of the case material 40, the metal layer 44 may be formed so as to have contact of the buffer layer 60 in addition to the buffer layer 60
elektronischen Bauelements 62 kontaktiert bzw. in direkten körperlichen Kontakt mit diesen ist. Die Metallschicht 44 kann beispielsweise mittels eines Abscheideverfahrens, beispielsweise mittels CVD oder ALD, oder mittels Sputterns ausgebildet werden. electronic component 62 is contacted or in direct physical contact with them. The metal layer 44 can be formed, for example, by means of a deposition method, for example by means of CVD or ALD, or by sputtering.
In einem Schritt S8 wird die Ausnehmung 50 in dem In a step S8, the recess 50 in the
Gehäusematerial 40 mittels des Lasers bei der ersten Energie ausgebildet. Die erste Energie, insbesondere die erste Housing material 40 by means of the laser at the first energy educated. The first energy, especially the first
Energiedichte, kann beispielsweise in einem Bereich liegen von 0,1 J/cm2 bis 76,4 J/cm2, beispielsweise von 3,2 J/cm2 bis 22,3 J/cm2, beispielsweise von 6,4 J/cm2 bis 19,1 J/cm2. Energy density, for example, in a range from 0.1 J / cm 2 to 76.4 J / cm 2 , for example, from 3.2 J / cm 2 to 22.3 J / cm 2 , for example, of 6.4 J / cm 2 to 19.1 J / cm 2 .
In einem Schritt S10 wird die Ausnehmung 50 in der In a step S10, the recess 50 in the
Pufferschicht 60 mittels des Lasers bei der zweiten Energie so ausgebildet, dass die Metallschicht 44 in der Ausnehmung 50 freiliegt. Die zweite Energie, insbesondere die zweite Energiedichte, kann beispielsweise in einem Bereich liegen von 0,01 J/cm2 bis 75,4 J/cm2, beispielsweise von 2,2 J/cm2 bis 21,3 J/cm2, beispielsweise von 5,4 J/cm2 bis 18,1 J/cm2. Buffer layer 60 formed by the laser at the second energy so that the metal layer 44 is exposed in the recess 50. The second energy, in particular the second energy density, may for example be in a range from 0.01 J / cm 2 to 75.4 J / cm 2 , for example from 2.2 J / cm 2 to 21.3 J / cm 2 , for example, from 5.4 J / cm 2 to 18.1 J / cm 2 .
Optional kann das elektronische Bauelement 62 mittels einer Durchkontaktierung und/oder der Leiterbahn 64 von der zweiten Seite 56 des Gehäusematerials 40 aus durch die Ausnehmung 50 hindurch thermisch und/oder elektrisch kontaktiert werden. Optionally, the electronic component 62 can be contacted thermally and / or electrically by means of a plated-through hole and / or the conductor track 64 from the second side 56 of the housing material 40 through the recess 50.
Fig. 11 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen 11 shows a flow chart of an embodiment of a method for producing an electronic
Baugruppe, beispielsweise der mit Bezug zu Figur 9 Assembly, for example, with reference to Figure 9
erläuterten elektronischen Baugruppe. explained electronic assembly.
In einem Schritt S12 wird das elektronische Bauelement 62 mit der Metallschicht 44 bereitgestellt, beispielsweise wird das elektronische Bauelement 62 so ausgebildet, dass es die In a step S12, the electronic component 62 is provided with the metal layer 44, for example, the electronic component 62 is formed to be the one
Metallschicht 44 aufweist, oder das elektronische Bauelement 62 wird zunächst ohne Metallschicht 44 ausgebildet und nachfolgend wird die Metallschicht 44 auf das elektronische Bauelement 62 aufgebracht. Die Metallschicht 44 bildet den Kontakt des elektronischen Bauelements 62 oder ist in Metal layer 44, or the electronic component 62 is first formed without metal layer 44 and subsequently the metal layer 44 is applied to the electronic component 62. The metal layer 44 forms the contact of the electronic component 62 or is in
direkten körperlichen Kontakt mit dem Kontakt des direct physical contact with the contact of the
elektronischen Bauelements 62. Die Metallschicht 44 kann beispielsweise mittels eines Abscheideverfahrens, electronic component 62. The metal layer 44 may be formed, for example, by means of a deposition method,
beispielsweise mittels CVD oder ALD, oder mittels Sputterns ausgebildet werden. In einem Schritt S14 wird die Pufferschicht 60 auf der for example, by CVD or ALD, or by sputtering be formed. In a step S14, the buffer layer 60 is placed on the
Metallschicht 44 ausgebildet. Die Pufferschicht 60 kann beispielsweise mittels Aufschleuderns („spin coating") , Aufsprühens oder Eintauchens ausgebildet werden. Metal layer 44 is formed. The buffer layer 60 may be formed, for example, by spin coating, spraying or dipping.
In einem Schritt S16 wird das elektronische Bauelement 62 in das Gehäusematerial 40 eingebettet, und zwar so, dass in Dickenrichtung, in den Figuren beispielsweise in vertikaler Richtung, des Gehäusematerials 40 die Pufferschicht 60 zwischen der Metallschicht 44 und dem Gehäusematerial 40 angeordnet ist. Das elektronische Bauelement 62 wird In a step S16, the electronic component 62 is embedded in the housing material 40 in such a way that in the thickness direction, in the figures, for example in the vertical direction, of the housing material 40, the buffer layer 60 between the metal layer 44 and the housing material 40 is arranged. The electronic component 62 is
beispielsweise in einem Moldprozess, insbesondere einem For example, in a molding process, in particular one
Press-Form-Verfahren, einem In-Mold-Verfahren oder einem Spritzgussverfahren, in das Gehäusematerial 40 eingebettet. Press-molding process, an in-mold process or an injection molding process embedded in the housing material 40.
In einem Schritt S18 wird die Ausnehmung 50 in dem In a step S18, the recess 50 in the
Gehäusematerial 40 mittels des Lasers bei der ersten Energie ausgebildet. Die erste Energie, insbesondere die erste Housing material 40 formed by the laser at the first energy. The first energy, especially the first
Energiedichte, kann beispielsweise in einem Bereich liegen von 0,1 J/cm2 bis 76,4 J/cm2, beispielsweise von 3,2 J/cm2 bis 22,3 J/cm2, beispielsweise von 6,4 J/cm2 bis 19,1 J/cm2. Energy density, for example, in a range from 0.1 J / cm 2 to 76.4 J / cm 2 , for example, from 3.2 J / cm 2 to 22.3 J / cm 2 , for example, of 6.4 J / cm 2 to 19.1 J / cm 2 .
In einem Schritt S20 wird die Ausnehmung 50 in der In a step S20, the recess 50 in the
Pufferschicht 60 mittels des Lasers bei der zweiten Energie so ausgebildet, dass die Metallschicht 44 in der Ausnehmung 50 freiliegt. Die zweite Energie, insbesondere die zweite Energiedichte, kann beispielsweise in einem Bereich liegen von 0,01 J/cm2 bis 75,4 J/cm2, beispielsweise von 2,2 J/cm2 bis 21,3 J/cm2, beispielsweise von 5,4 J/cm2 bis 18,1 J/cm2. Buffer layer 60 formed by the laser at the second energy so that the metal layer 44 is exposed in the recess 50. The second energy, in particular the second energy density, may for example be in a range from 0.01 J / cm 2 to 75.4 J / cm 2 , for example from 2.2 J / cm 2 to 21.3 J / cm 2 , for example, from 5.4 J / cm 2 to 18.1 J / cm 2 .
Optional kann das elektronische Bauelement 62 mittels einer Durchkontaktierung und/oder der Leiterbahn 64 von der zweiten Seite 56 des Gehäusematerials 40 aus durch die Ausnehmung 50 hindurch thermisch und/oder elektrisch kontaktiert werden. Optionally, the electronic component 62 can be contacted thermally and / or electrically by means of a plated-through hole and / or the conductor track 64 from the second side 56 of the housing material 40 through the recess 50.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen The invention is not limited to those specified
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können die Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden. Ferner kann die optoelektronische Baugruppe mehr oder weniger elektronische Bauelemente 62 aufweisen. Ferner können bei allen Ausführungsbeispielen die gezeigten Gehäusematerial die im Vorhergehenden genannten unterschiedlichen Embodiments limited. For example, the embodiments may be combined. Further For example, the optoelectronic assembly can have more or fewer electronic components 62. Further, in all embodiments, the housing material shown may be different from the foregoing
Füllmaterialien 42 aufweisen. Fillers 42 have.

Claims

Patentansprüche claims
1. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen 1. Method for producing an electronic
Baugruppe, bei dem Assembly in which
ein elektronisches Bauelement (62) in ein  an electronic component (62) in a
Gehäusematerial (40) eingebettet wird,  Housing material (40) is embedded,
eine Pufferschicht (60) auf dem Gehäusematerial (40) ausgebildet wird,  a buffer layer (60) is formed on the housing material (40),
eine Metallschicht (44) auf einer von dem  a metal layer (44) on one of
Gehäusematerial (40) abgewandten Seite der Pufferschicht (60) ausgebildet wird, und Housing material (40) facing away from the buffer layer (60) is formed, and
eine Ausnehmung (50) zum Kontaktieren der  a recess (50) for contacting the
Metallschicht (44) ausgebildet wird, indem mittels eines Lasers (48) bei einer ersten Energie das Gehäusematerial (40) in einem vorgegebenen Bereich (46) so entfernt wird, dass in dem vorgegebenen Bereich (46) die Pufferschicht (60) Metal layer (44) is formed by means of a laser (48) at a first energy, the housing material (40) in a predetermined region (46) is removed so that in the predetermined region (46), the buffer layer (60)
freigelegt ist, und indem mittels eines Lasers (58) bei einer zweiten Energie, die kleiner ist als die erste Energie, die Pufferschicht (60) in dem freigelegten Bereich so entfernt wird, dass die Metallschicht (44) in der Ausnehmung (50) freigelegt ist. and by using a laser (58) at a second energy less than the first energy, removing the buffer layer (60) in the exposed region so as to expose the metal layer (44) in the recess (50) is.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das elektronische Bauelement (62) so in das Gehäusematerial (40) eingebettet wird, dass es nachfolgend an einer ersten Seite (54) des Gehäusematerials (40) angeordnet ist, und bei dem die 2. The method of claim 1, wherein the electronic component (62) is embedded in the housing material (40) so that it is subsequently arranged on a first side (54) of the housing material (40), and wherein the
Pufferschicht (60) auf der ersten Seite (54) des Buffer layer (60) on the first side (54) of
Gehäusematerials (40) ausgebildet wird. Housing material (40) is formed.
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das elektronische Bauelement (62) so in das Gehäusematerial (40) eingebettet wird, dass es nachfolgend an einer ersten Seite (54) des Gehäusematerials (40) angeordnet ist, und bei dem die 3. The method of claim 1, wherein the electronic component (62) is embedded in the housing material (40) so that it is subsequently arranged on a first side (54) of the housing material (40), and wherein the
Pufferschicht (60) auf einer zweiten Seite (56) des Buffer layer (60) on a second side (56) of
Gehäusematerials (40) ausgebildet wird, die von der ersten Seite (54) des Gehäusematerials (40) abgewandt ist. Housing material (40) is formed facing away from the first side (54) of the housing material (40).
4. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe, bei dem 4. A method of manufacturing an electronic assembly in which
ein elektronisches Bauelement (62) bereitgestellt wird, das zum Kontaktieren des elektronischen Bauelements (62) eine Metallschicht (44) aufweist,  an electronic component (62) is provided, which has a metal layer (44) for contacting the electronic component (62),
auf der Metallschicht (44) eine Pufferschicht (60) ausgebildet wird,  a buffer layer (60) is formed on the metal layer (44),
das elektronische Bauelement (62) derart in ein  the electronic component (62) in such a
Gehäusematerial (40) eingebettet wird, dass die Pufferschicht (60) zwischen der Metallschicht (44) und dem Gehäusematerial (40) angeordnet ist, Housing material (40) is embedded, that the buffer layer (60) between the metal layer (44) and the housing material (40) is arranged,
eine Ausnehmung (50) zum Kontaktieren der Metallschicht (44) ausgebildet wird, indem mittels eines Lasers (48) bei einer ersten Energie das Gehäusematerial (40) in einem vorgegebenen Bereich (46) so entfernt wird, dass in dem vorgegebenen Bereich (46) die Pufferschicht (60) freigelegt ist, und indem mittels eines Lasers (58) bei einer zweiten Energie, die kleiner ist als die erste Energie, die  a recess (50) for contacting the metal layer (44) is formed by means of a laser (48) at a first energy, the housing material (40) in a predetermined area (46) is removed so that in the predetermined area (46) the buffer layer (60) is exposed, and by means of a laser (58) at a second energy, which is smaller than the first energy, the
Pufferschicht (60) in dem freigelegten Bereich so entfernt wird, dass die Metallschicht (44) in der Ausnehmung (50) freigelegt ist. Buffer layer (60) is removed in the exposed area so that the metal layer (44) in the recess (50) is exposed.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das elektronische Bauelement (62) mittels der Metallschicht (44) über die Ausnehmung (50) kontaktiert wird. 5. The method according to any one of the preceding claims, wherein the electronic component (62) by means of the metal layer (44) via the recess (50) is contacted.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem das elektronische Bauelement (62) mittels der Metallschicht (44) über die 6. The method of claim 5, wherein the electronic component (62) by means of the metal layer (44) over the
Ausnehmung (50) thermisch kontaktiert wird. Recess (50) is thermally contacted.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, bei dem das elektronische Bauelement (62) mittels der Metallschicht (44) über die Ausnehmung (50) elektrisch kontaktiert wird. 7. The method according to any one of claims 5 or 6, wherein the electronic component (62) by means of the metal layer (44) via the recess (50) is electrically contacted.
8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Gehäusematerial (40) eine Dicke hat in einem Bereich von 2000 ym bis 30 ym, beispielsweise von 1000 ym bis 50 ym, beispielsweise von 800 ym bis 100 ym. A method according to any one of the preceding claims, wherein the housing material (40) has a thickness in a range from 2000 ym to 30 ym, for example from 1000 ym to 50 ym, for example from 800 ym to 100 ym.
9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Pufferschicht (60) eine Dicke hat in einem Bereich von 200 ym bis 0,5 ym, beispielsweise von 25 ym bis 3 ym, A method according to any one of the preceding claims, wherein the buffer layer (60) has a thickness in a range from 200 ym to 0.5 ym, for example from 25 ym to 3 ym,
beispielsweise von 15 ym bis 4 ym. for example, from 15 ym to 4 ym.
10. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Metallschicht (44) eine Dicke hat in einem Bereich von 15 ym bis 0,2 ym, beispielsweise von 10 ym bis 0,5 ym, A method according to any one of the preceding claims, wherein the metal layer (44) has a thickness in a range of 15 ym to 0.2 ym, for example from 10 ym to 0.5 ym,
beispielsweise von 5 ym bis 1 ym. for example, from 5 ym to 1 ym.
11. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Gehäusematerial (40) ein Trägermaterial und ein 11. The method according to any one of the preceding claims, wherein the housing material (40) is a carrier material and a
Füllmaterial (42) aufweist. Has filling material (42).
12. Elektronische Baugruppe mit 12. Electronic assembly with
einem elektronischen Bauelement (62), das in ein Gehäusematerial (40) eingebettet ist,  an electronic component (62) embedded in a housing material (40),
einer Pufferschicht (60), die auf dem  a buffer layer (60) disposed on the
Gehäusematerial (40) ausgebildet ist, Housing material (40) is formed,
einer Metallschicht (44), die auf einer von dem Gehäusematerial (40) abgewandten Seite der Pufferschicht (60) ausgebildet ist, und  a metal layer (44) which is formed on a side remote from the housing material (40) side of the buffer layer (60), and
einer Ausnehmung (50) zum Kontaktieren der Metallschicht (44), wobei sich die Ausnehmung (50) innerhalb eines vorgegebenen Bereichs (46) derart durch das  a recess (50) for contacting the metal layer (44), wherein the recess (50) within a predetermined area (46) through the
Gehäusematerial (40) und die Pufferschicht (60) erstreckt, dass die Metallschicht (44) in der Ausnehmung (50) frei von dem Gehäusematerial (40) und der Pufferschicht (60) ist. Housing material (40) and the buffer layer (60) extends that the metal layer (44) in the recess (50) is free of the housing material (40) and the buffer layer (60).
13. Elektronische Baugruppe nach Anspruch 12, bei der das elektronische Bauelement (62) an einer ersten Seite (54) des Gehäusematerials (40) angeordnet ist und bei der die 13. Electronic assembly according to claim 12, wherein the electronic component (62) on a first side (54) of the housing material (40) is arranged and in which the
Pufferschicht (60) auf der ersten Seite (54) des Buffer layer (60) on the first side (54) of
Gehäusematerials (40) ausgebildet ist. Housing material (40) is formed.
14. Elektronische Baugruppe nach Anspruch 12, bei der das elektronische Bauelement (62) an einer ersten Seite (54) des Gehäusematerials (40) angeordnet ist und bei der die 14. The electronic assembly of claim 12, wherein the electronic component (62) on a first side (54) of the Housing material (40) is arranged and in which the
Pufferschicht (60) auf einer zweiten Seite (56) des Buffer layer (60) on a second side (56) of
Gehäusematerials (40) ausgebildet ist, die von der ersten Seite (54) des Gehäusematerials (40) abgewandt ist. Housing material (40) is formed, which faces away from the first side (54) of the housing material (40).
15. Elektronische Baugruppe mit 15. Electronic assembly with
einem elektronischen Bauelement (62), das zum  an electronic component (62) for
Kontaktieren des elektronischen Bauelements (62) eine Contacting the electronic component (62)
Metallschicht (44) aufweist, Metal layer (44),
einer Pufferschicht (60), die auf der Metallschicht (44) ausgebildet ist, wobei das Bauelement derart in ein  a buffer layer (60) formed on the metal layer (44), the device being in such a way
Gehäusematerial (40) eingebettet ist, dass die Pufferschicht (60) zwischen der Metallschicht (44) und dem Gehäusematerial (40) angeordnet ist, und Housing material (40) is embedded, that the buffer layer (60) between the metal layer (44) and the housing material (40) is arranged, and
einer Ausnehmung (50) zum Kontaktieren der Metallschicht a recess (50) for contacting the metal layer
(44), wobei sich die Ausnehmung (50) innerhalb eines (44), wherein the recess (50) within a
vorgegebenen Bereichs (46) derart durch das Gehäusematerial (40) und die Pufferschicht (60) erstreckt, dass die predetermined area (46) through the housing material (40) and the buffer layer (60) extends such that the
Metallschicht (44) in der Ausnehmung (50) frei von dem Metal layer (44) in the recess (50) free of the
Gehäusematerial (40) und der Pufferschicht (60) ist. Housing material (40) and the buffer layer (60).
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