WO2005048452A1 - Electrical component with encapsulation, and method for the production thereof - Google Patents

Electrical component with encapsulation, and method for the production thereof Download PDF

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WO2005048452A1
WO2005048452A1 PCT/EP2004/011830 EP2004011830W WO2005048452A1 WO 2005048452 A1 WO2005048452 A1 WO 2005048452A1 EP 2004011830 W EP2004011830 W EP 2004011830W WO 2005048452 A1 WO2005048452 A1 WO 2005048452A1
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Bruno FÜRBACHER
Hans Krüger
Wolfgang Pahl
Alois Stelzl
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Epcos Ag
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Abstract

The aim of the invention is to encapsulate an electrical component. Said aim is achieved by gluing the component chip to a support plate and joining the same in an electrically conducting manner to metallic connecting areas which are provided on the surface of the support plate and are connected to metallic terminal contacts located on the bottom face of the support plate. A cap that is provided with a cavity is glued to the support plate above the chip in such a way that a hollow space remains on the inside. Gluing can be done in a secure, slip-free manner and without damaging the points of adhesion with the aid of a compensation port that can be closed at a later point in time.

Description

Besehreibung Besehreibung
Elektrisches Bauelement mit Verkapselung und Verfahren zur HerstellungElectrical component with encapsulation and method of manufacture
' Elektrische Bauelemente, die auf einem Chip aufgebaut sind, benötigen zumeist eine Verkapselung oder ein Gehäuse, um die Chips gegen Umwelteinflüsse zu schützen. Bauelemente, die auf piezoelektrischen Substraten aufgebaut sind, benötigen wegen der piezoelektrischen Eigenschaften des Substratmaterials gesonderte Verkapseiungen, bei denen eine Massenbelastung der Chipoberfläche ausgeschlossen ist . Für miniaturisierte Bauelemente auf piezoelektrischen Substraten, beispielsweise SAW~Filtern, für die mobile Kommunikation, werden heute bei- spielsweise Verkapselungen verwendet, bei denen der Chip in Flip-Chip-Bauweise auf einem Substrat aufgebracht und von der Rückseite her abgedeckt ist . Dabei ist die Oberfläche des Chips mit den Bauelementstrukturen zwischen Substrat und Chip in einem dort vorgesehenen Hohlraum geschützt, während die Abdeckung auf der gegen die Massenbelastung unempfindlichen Rückseite aufliegt. '' Electrical components that are built on a chip usually require an encapsulation or a housing to protect the chips against environmental influences. Components that are built on piezoelectric substrates require separate encapsulations because of the piezoelectric properties of the substrate material, in which a mass loading of the chip surface is excluded. For miniaturized components on piezoelectric substrates, for example SAW filters, for mobile communication, encapsulations are used today, for example, in which the chip is applied to a substrate in a flip-chip construction and is covered from the rear. The surface of the chip with the component structures between the substrate and the chip is protected in a cavity provided there, while the cover rests on the rear side, which is insensitive to the mass load.
Bei SAW-Filtern für geringere Frequenzen von beispielsweise weniger als etwa 1,00 MHz tritt das Problem auf, daß die Chi- plänge mit der geringer werdenden Frequenz und damit der größeren Wellenlänge zunimmt, was die Handhabung der Chips aufgrund des empfindlichen piezoelektrischen Materials erschwert. Hinzu kommt, daß solche Chips eine bestimmte- Mindestlänge erfordern, welche die Breite weit überschreitet. Dies ergibt außergewöhnlich langgestreckte Bauelemente, erschwert die Handhabung solcher Chips zusätzlich und macht sie empfindlicher gegen Bruch oder Beschädigung.With SAW filters for lower frequencies, for example less than approximately 1.00 MHz, the problem arises that the chip length increases with the decreasing frequency and thus with the longer wavelength, which makes the handling of the chips more difficult due to the sensitive piezoelectric material. In addition, such chips require a certain minimum length that far exceeds the width. This results in exceptionally elongated components, additionally complicates the handling of such chips and makes them more sensitive to breakage or damage.
Bekannte- Verkapselungen für solche großen und empfindlichen Bauelemente bestehen meist aus einem zweiteiligen Gehäuse, wobei das Bauelement üblicherweise auf einem Leadframe ange- ordnet ist. Solche Verkapselungen sind relativ groß und üblicherweise für SMD-T'echnik wenig geeignet.Known encapsulations for such large and sensitive components usually consist of a two-part housing, the component usually being attached to a leadframe. is arranged. Such encapsulations are relatively large and usually for SMD T 'technic not very suitable.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Bauele- ent mit Verkapselung anzugeben, welches einfach herzustellen, miniaturisiert und oberflächenmontierbar ist und dennoch einen sicheren Schutz für den Chip gewährleistet.The object of the present invention is therefore to provide a component with encapsulation which is simple to manufacture, miniaturized and surface-mountable and yet ensures reliable protection for the chip.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einem Bauelement nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sowie ein Verfahren zur Herstellung des Bauelements sind weiteren Ansprüchen zu entnehmen.This object is achieved with a component according to claim 1. Advantageous refinements of the invention and a method for producing the component can be found in further claims.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, das Bauelement auf einer Trägerplatte aufzukleben, elektrisch mit dieser zu verbinden und anschließend mit einer Kappe abzudecken, die auf der Trägerplatte aufsitzt. Die Oberseite der Trägerplatte trägt metallische Anschlußflächen, die elektrisch mit Anschlußkontakten auf der Unterseite der Trägerplatte verbunden sind,, bei- spielsweise in Form von sogenannten Castellations. Die Kappe wird auf der Trägerplatte aufgeklebt, wobei unterhalb der Kappe ein geschlossener Hohlraum entsteht, in dem der Chip angeordnet und geschützt ist.According to the invention, it is proposed to glue the component onto a carrier plate, to electrically connect it and then to cover it with a cap which is seated on the carrier plate. The upper side of the carrier plate carries metallic connection surfaces which are electrically connected to connection contacts on the underside of the carrier plate, for example in the form of so-called Castellations. The cap is glued to the carrier plate, a closed cavity being created below the cap, in which the chip is arranged and protected.
Die Trägerplatte umfasst eine mechanisch stabile dielektrische Schicht und ist beispielsweise aus einem ein- oder mehr-' schichtigen Kunststoffmaterial gefertigt, der vorzugsweise Glasfaser verstärkt ist. Dieses weist zumindest an Ober- und Unterseite Metallisierungen auf, aus denen die Anschlußflä- chen und Anschlußkontakte und gegebenenfalls weitere Schaltungselemente oder elektrische Leiter ausgebildet sind. Eine mehrschichtige Trägerplatte weist zwischen mehreren dielektrischen Schichten zusätzliche Metallisierungsebenen auf, in denen elektrische Verbindungen zur zusätzlichen Verschaltung angeordnet sind. Darüber hinaus können in diesen zusätzlichen Metallisierungsebenen passive Bauelemente zur elektrischen Anpassung ausgebildet sein, beispielsweise Widerstände, Induktivitäten oder Kapazitäten.The carrier plate comprises a mechanically stable dielectric layer and is, for example, of a single or multiple 'layered plastic material, preferably glass fiber reinforced. This has metallizations, at least on the top and bottom, from which the connection surfaces and connection contacts and, if appropriate, further circuit elements or electrical conductors are formed. A multilayer carrier plate has additional metallization levels between a plurality of dielectric layers, in which electrical connections for additional interconnection are arranged. In addition, passive components for electrical Adaptation may be formed, for example resistors, inductors or capacitors.
Möglich ist es jedoch auch, die ein- oder mehrschichtige Trä- gerplatte aus Keramik auszubilden. Vorteilhaft ist die Trägerplatte in ihrem thermischen Ausdehnungsverhalten an das Material des Chips angepasst .However, it is also possible to form the single-layer or multilayer carrier plate from ceramic. The thermal expansion behavior of the carrier plate is advantageously adapted to the material of the chip.
Der Chip ist vorzugsweise aus einem kristallinen piezoelek- trischen Material ausgebildet und trägt auf der OberseiteThe chip is preferably formed from a crystalline piezoelectric material and carries on the top
BauelementStrukturen. Solche BauelementStrukturen sind' insbesondere interdigitale Wandler, die zur Erzeugung von oberflächennahen akustischen Wellen geeignet sind. Als weitere Bauelementstrukturen können auf der Oberfläche des Chips Reflek- toren angeordnet sein, ebenso wie elektrische Anschlußpads und die Strukturen verbindende Leiterbahnen. Über die Anschlußpads wird der Chip z.B. mit Hilfe von .Bonddrähten mit den Anschlußflächen der Trägerplatte leitend verbunden.Device structures. Such component structures are, in particular, interdigital transducers that are suitable for generating near-surface acoustic waves. As further component structures, reflectors can be arranged on the surface of the chip, as can electrical connection pads and conductor tracks connecting the structures. The chip is e.g. with the help of .Bondwires with the connection surfaces of the carrier plate conductively connected.
Die elektrische Verbindung der Anschlußflächen auf der Oberseite der Trägerplatte mit den Anschlußkontakten auf der Unterseite der Trägerplatte erfolgt vorzugsweise über innen metallisierte durch die gesamte Dicke der Trägerplatte durchgehende Bohrungen^ Diese sind vorzugsweise so angeordnet, daß deren Öffnungen auf der Oberseite der Trägerplatte vom Rand der Kappe abgedeckt, oder ganz oder teilweise außerhalb der Kappe angeordnet sind, so daß in den Hohlraum unter der Kappe keine Bohrungsöffnung münden und dieser dicht abgeschlossen ' bleibt.The electrical connection of the connection surfaces on the upper side of the carrier plate to the connection contacts on the underside of the carrier plate is preferably carried out via internally metallized through holes through the entire thickness of the carrier plate ^ These are preferably arranged so that their openings on the top of the carrier plate from the edge of the cap covered, or are arranged entirely or partially outside the cap, so that no hole opening into the cavity under the cap and this remains tightly closed '.
Alternativ können die Durchbohrungen nachträglich abgedichtet werden. Bei mehrlagigen Trägerplatten mit inneren Verdrahtungsebenen können die Bohrungen in den einzelnen Lagen auch horizontal gegeneinander so versetzt aber elektrisch verbun- den sein, so dass hier ebenfalls keine Undichtigkeit unter der Kappe entsteht. Bei der Herstellung erfindungsgemäßer Bauelemente wird vorzugsweise im Nutzen gearbeitet. Dazu wird zunächst eine großflächige Trägerplatte vorgesehen, die elektrische Anschlußflächen und Bohrungen für eine Vielzahl von Chips bereit- stellt und dementsprechend eine Vielzahl von nebeneinander angeordneten Bauelementbereichen aufweist. An der Grenze zwischen zwei benachbarten Bauelementbereichen sind Trennlinien gedacht, entlang derer die spätere Vereinzelung der einzelnen Bauelemente erfolgt. Die Vereinzelung kann beispielsweise mittels Sägen erfolgen. Vorzugsweise sind die innenmetallisierten Bohrungen entlang der Trennlinien angeordnet und werden daher beim Vereinzeln mittig geteilt. Auf diese Weise gelingt es, eine innenmetallisierte Bohrung zwei Bauelementbereichen gleichzeitig zuzuordnen, so dass daraus nach der Ver- einzelung für jeden der beiden Bauelementbereiche eine eigene elektrisch leitende Verbindung zwischen Anschlußfläche und Anschlußkontakt verbleibt .Alternatively, the through holes can be sealed later. In the case of multi-layer carrier plates with internal wiring levels, the holes in the individual layers can also be offset horizontally from one another in such a way that they are electrically connected so that there is also no leakage under the cap. In the production of components according to the invention, use is preferably made. For this purpose, a large-area carrier plate is first provided, which provides electrical connection areas and bores for a large number of chips and accordingly has a large number of component regions arranged next to one another. At the boundary between two adjacent component areas, dividing lines are intended, along which the individual components are later separated. The separation can take place, for example, using saws. The internally metallized bores are preferably arranged along the dividing lines and are therefore divided in the middle when they are separated. In this way, it is possible to assign an internally metallized bore to two component areas at the same time, so that a separate electrically conductive connection between the connection surface and the connection contact remains for each of the two component areas after the separation.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung der^ Erfindung weist die Kappe eine verschließbare Ausgleichsöffnung auf. Diese Öffnung dient dazu, während des Klebevorgangs einen Druckausgleich zwischen dem unter der Kappe eingeschlossenen Hohlraum und der Außenwelt herzustellen. Dieser Druckausgleich verhindert, daß nach dem Aufsetzen der Kappe beim thermischen Aus- härten des Klebstoffs z.B. in einem Ofen ein Überdruck unter der Kappe entstehen. Dieser entsteht bei bekannten geschlos- senen Kappen durch thermische Ausdehnung, durch Verdampfen von Lösungsmitteln oder anderen leicht flüchtigen Bestandteilen des Klebstoffs oder durch Freisetzen ad- und absorbierter Gase oder niedermolekularer Stoffe aus dem Klebstoff, der Trägerplatte oder der Kappe. Ein solcher Überdruck musste bislang durch einen erhöhten Außendruck im Ofen kompensiert werden. Dabei tritt aber das Problem auf, dass. der äußere Überdruck exakt an den inneren Überdruck angepasst gewählt werden muss, so dass die Klebstoffschicht weder nach innen noch nach außen gedrückt wird und es so nicht zu Undichtigkeiten oder einer ungenügenden Befestigung oder einem Verrut- sehen der Kappe auf dem wie ein Luftpolster wirkenden Überdruck kommt. Eine exakte Anpassung ist aber wegen schwankender MaterialZusammensetzung und sich verändernder Par- tialdrücke praktisch nicht exakt möglich. Alternativ musste eine isotherme Prozessführung (Aufsetzen und Aushärten des Klebstoffs bei der Aushärte Temperatur des Klebstoffs) gewählt werden. Auch diese konnte wegen der anderen Überdruk- kursachen das Problem auch nicht befriedigend lösen.In an advantageous embodiment of the invention, the cap has a closable compensation opening. This opening serves to equalize the pressure between the cavity enclosed under the cap and the outside world during the gluing process. This pressure equalization prevents the cap from being overpressured when the adhesive is thermally hardened, for example in an oven. In the case of known closed caps, this is caused by thermal expansion, by evaporation of solvents or other volatile constituents of the adhesive or by the release of adsorbed and absorbed gases or low-molecular substances from the adhesive, the carrier plate or the cap. Up to now, such overpressure had to be compensated for by an increased outside pressure in the furnace. However, the problem arises here that the external overpressure must be selected to be exactly matched to the internal overpressure, so that the adhesive layer is not pressed inwards or outwards and thus does not result in leaks or inadequate fastening or slipping. see the cap on which comes as an air cushion overpressure. However, due to fluctuating material composition and changing partial pressures, exact adjustment is practically not possible. Alternatively, an isothermal process control (setting and curing of the adhesive at the curing temperature of the adhesive) had to be selected. This too could not solve the problem satisfactorily because of the other causes of overpressure.
Erfindungsgemäß wird mit der verschließbaren Ausgleichsöffnung auch verhindert, daß sich die unter Überdruck stehenden Gase unter der Kappe einen Weg durch die Klebstoffschicht unter dem Kappenrand bahnen, wobei entweder der Klebstoff verdrängt oder gar ein vom Hohlraum unter der Kappe nach außen führender offener Kanal in der KlebstoffSchicht verbleiben würde. Durch die Ausgleichsöffnung in der Kappe ist es also möglich, die Kappe sicher auf der Trägerplatte aufzusetzen, wobei eine saubere Klebeverbindung erhalten wird. Auch Ausgasungen, bedingt durch die Härtung des Klebstoffs und die da- bei eingesetzten thermischen Bedingungen können durch die Öffnung abgeleitet werden.According to the invention, the closable compensating opening also prevents the pressurized gases under the cap from making a path through the adhesive layer under the cap edge, either displacing the adhesive or even an open channel in the adhesive layer leading from the cavity under the cap would remain. Through the compensation opening in the cap, it is therefore possible to place the cap securely on the carrier plate, a clean adhesive connection being obtained. Outgassing caused by the curing of the adhesive and the thermal conditions used can also be discharged through the opening.
Nach dem Härten der Klebestelle zwischen Kappe und Trägerplatte wird die Ausgleichsöffnung wieder verschlossen, bei- spielsweise durch Auftropfen eines Reaktionsharzes. Vorzugsweise wird dazu ein UV-härtendes oder UV-initiiert härtendes Reaktionsharz verwendet. Die Ausgleichsöffnung ist dabei so beschaffen, daß der Tropfen des zum Verschließen verwendeten Reaktionsharzes nicht durch die Ausgleichsöffnung in das In- nere unter der Kappe hineintropft. Vorzugsweise ist die Ausgleichsöffnung dazu mit sich nach unten verjüngenden Querschnitt, also trichterförmig ausgebildet.After the adhesive point between the cap and the carrier plate has hardened, the compensation opening is closed again, for example by dropping a reaction resin on it. A UV-curing or UV-initiated curing reaction resin is preferably used for this. The compensating opening is designed in such a way that the drop of the reaction resin used for sealing does not drip through the compensating opening into the interior under the cap. For this purpose, the compensation opening is preferably designed with a cross-section tapering downwards, that is to say in a funnel shape.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung befindet sich die verschließbare oder mit Hilfe von Reaktionsharz wieder verschlossene Ausgleichsöffnung in der Nähe eines äußeren Anschlußkontakts und kennzeichnet so z.B. Pin 1. Um eine bes- β sere Erkennung dieser Markierung zu ermöglichen und um zusätzlich eine Verfahrenskontrolle darüber zu erhalten, ob die Äusgleichsöffnung vollständig verschlossen ist, wird die Reaktionsharzmasse vorzugsweise mit einem Fluoreszenzfarbstoff versetzt. Durch' Anregung und Messung der Fluoreszenz kann leicht der saubere Verschluß der Äusgleichsöffnung überprüft werden.In an advantageous embodiment of the invention, the compensating opening which can be closed or which is closed again with the aid of reaction resin is located in the vicinity of an external connection contact and thus identifies pin 1, for example. To enable this marker to be recognized and in order to additionally obtain a process check as to whether the equalization opening is completely closed, the reaction resin composition is preferably mixed with a fluorescent dye. By excitation and measurement of the fluorescence, the clean closure of the compensation opening can easily be checked.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist der Klebstoff zum Aufkleben des Chips auf die Trägerplatte akustisch angepaßt. Dies bedeutet, daß die akustische Impedanz des Klebstoffmaterials an den Chip, also an die Impedanz des piezoelektrischen Materials angepaßt ist. Dies kann erreicht werden, indem entweder der E-Modul und/oder die Dichte der Klebstoffmasse ausreichend hoch gewählt werden. Ein akustisch angepaßter Klebstoff weist vorzugsweise eine Dichte zwischen 2000 und 5000 kg/m3 auf. Eine solche Dichte wird beispielsweise mit einem Klebstoff erreicht, der mit einem Füllstoff hoher Dichte von mehr als 4000 kg/m3 gefüllt ist.In a further advantageous embodiment of the invention, the adhesive for adhering the chip to the carrier plate is acoustically adapted. This means that the acoustic impedance of the adhesive material is matched to the chip, that is to say to the impedance of the piezoelectric material. This can be achieved by choosing either the modulus of elasticity and / or the density of the adhesive mass to be sufficiently high. An acoustically adapted adhesive preferably has a density between 2000 and 5000 kg / m 3 . Such a density is achieved, for example, with an adhesive which is filled with a high-density filler of more than 4000 kg / m 3 .
Ein geeigneter Klebstoff umfaßt beispielsweise eine Polymermatrix, die mit keramischen Partikeln gefüllt ist. Keramische Partikel ausreichender Dichte bestehen beispielsweise aus ei- nem oder mehreren- der folgenden Verbindungen: Siliziumcarbid, Titanoxid, Aluminiumoxid, Zinksulfid, Zirkonoxid, Bariumsulfat und Wolframoxid. Diese Füllstoffe sind wesentlich preisgünstiger als üblicherweise verwendetes Silber. Zum anderen sind die vorgeschlagenen Füllstoffe dielektrisch und ermögli- chen es, ein KlebstoffSchicht direkt über, stromführenden Leiterbahnen aufzubringen, ohne dass es dabei zu- einem Kurz- schluss kommt .A suitable adhesive comprises, for example, a polymer matrix which is filled with ceramic particles. Ceramic particles of sufficient density consist, for example, of one or more of the following compounds: silicon carbide, titanium oxide, aluminum oxide, zinc sulfide, zirconium oxide, barium sulfate and tungsten oxide. These fillers are much cheaper than commonly used silver. On the other hand, the proposed fillers are dielectric and make it possible to apply an adhesive layer directly over current-carrying conductor tracks without there being a short circuit.
Eine dazugehörige Polymermatrix ist beliebig ausgewählt und umfaßt beispielsweise einen Epoxidformstoff, einen Siloxan- Kautschuk, ein Acrylat, ein Polyurethan oder ein Polyimid. Mit einem solchen akustisch angepaßten Klebstoff wird ein guter akustischer Übergang vom Chip in die Klebstoffmasse ermöglicht. Dies führt dazu, daß die Reflexion akustischer Volumenwellen, die unerwünscht im Bauelementchip auftreten bzw. angeregt werden können, an der Chipunterseite verringert ist. Eine Verminderung der Reflexion an der Chipunterseite führt „ dementsprechend auch dazu, dass weniger reflektierte Wellen den Weg zurück in den akustischen Pfad finden und so StörSignale vermieden werden und eine Verbesserung der Übertra- gungseigenschaften erreicht wird. Dies ist besonders für Bauelemente oder SAW-Filter vorteilhaft, die für Multimediaanwendungen eingesetzt werden und bei denen unerwünschte Störsignale besonders nachteilige Auswirkungen besitzen. An associated polymer matrix is selected as desired and includes, for example, an epoxy molding material, a siloxane rubber, an acrylate, a polyurethane or a polyimide. With such an acoustically adapted adhesive, a good acoustic transition from the chip into the adhesive composition is made possible. This has the result that the reflection of bulk acoustic waves, which occur or can be excited undesirably in the component chip, is reduced on the underside of the chip. A reduction in the reflection on the underside of the chip “accordingly also means that less reflected waves find their way back into the acoustic path and thus avoid interference signals and an improvement in the transmission properties is achieved. This is particularly advantageous for components or SAW filters which are used for multimedia applications and in which undesired interference signals have particularly disadvantageous effects.
Eine weitere Reflexionsverminderung unerwünschter Volumenwellen an der Chipunterseite wird erreicht, wenn die Chipunterseite eine Aufrauhung aufweist. Möglich ist es auch, die Unterseite des Chips dreidimensional zu strukturieren oder mit Einschnitten zu versehen. Diese Einschnitte können mit einer gegebenenfalls gefüllten Reaktionsharzmasse wie beispielsweise dem oben genannten Klebstoff oder einem anderen Kunststoff verschlossen sein.A further reduction in reflection of unwanted bulk waves on the underside of the chip is achieved if the underside of the chip has a roughening. It is also possible to structure the underside of the chip in three dimensions or to provide incisions. These incisions can be closed with an optionally filled reaction resin compound such as the above-mentioned adhesive or another plastic.
Im folgenden wird das Verfahren zur- Herstellung eines Bauele- ments anhand von Ausführungsbeispielen und der dazugehörigen Figuren näher beschrieben. Die Figuren dienen nur zum besseren Verständnis der Erfindung und sind daher nur- schematisch und nicht maßstabsgetreu angefertigt .The method for producing a component is described in more detail below on the basis of exemplary embodiments and the associated figures. The figures serve only for a better understanding of the invention and are therefore only schematic and not drawn to scale.
Es zeigenShow it
Figur la eine großflächige Trägerplatte mit mehreren BauelementbereichenFigure la is a large-area carrier plate with several component areas
Figur 1b einen Ausschnitt aus Figur la mit einem einzelnen Bauelementbereich Figur 2 einen Bauelementbereich mit aufgeklebtem und gebon- deten ChipFigure 1b shows a detail from Figure la with a single component area 2 shows a component area with a bonded and bonded chip
Figur 3 ein erfindungsgemäßes Bauelement mit Kappe im Quer- schnitt3 shows a component according to the invention with a cap in cross section
Figur 4 ein erfindungsgemäßes mit Kappe' abgedichtetes Bauelement in schematischer Draufsicht.4 shows an inventive 'sealed with cap device in a schematic plan view.
Figur la zeigt eine großflächige Trägerplatte TP, beispielsweise eine einschichtige Kunststoffplatte aus einem FR4 oder BT-Material. In der Trägerplatte TP sind eine Vielzahl von gleichartigen nebeneinander angeordneten Bauelementbereichen vorgesehen. Auf den Trennlinien TL zwischen den einzelnen Bauelementbereichen befinden sich durchgehende Bohrungen DB, die innen metallisiert sind.Figure la shows a large-area carrier plate TP, for example a single-layer plastic plate made of an FR4 or BT material. A large number of similar component regions arranged next to one another are provided in the carrier plate TP. Through bores DB are located on the dividing lines TL between the individual component areas and are metallized on the inside.
Figur lb zeigt ausschnittsweise einen Bauelementbereich BB der Trägerplatte in schematischer Aufrißzeichnung. Jeder die- ser Bauelementbereiche BB weist zumindest an einer Grenzlinie zu einem benachbarten zweiten Bauelementbereich eine Mehrzahl von innen metallisierten Bohrungen DB auf. Jede der Bohrungen DB ist pro Bauelementbereich BB mit einer Anschlußfläche AF auf der Oberfläche der Trägerplatte verbunden. Die Bauele- mentbereiche BB können an mehr als einer Seitenkante die entsprechenden Bohrungen und eine beliebige Anzahl damit verbundener Anschlußflächen AF aufweisen. Auf der Unterseite der Trägerplatte TP sind Anschlußkontakte AK ausgebildet, wobei jeder Anschlußfläche zumindest ein Anschlußkontakt AK zuge- ordnet ist. Über die innen metallisierte Bohrungen DB ist jede Anschlußfläche AF mit einem Anschlußkontakt AK elektrisch leitend verbunden.FIG. 1b shows a section of a component area BB of the carrier plate in a schematic elevation drawing. Each of these component regions BB has a plurality of internally metallized bores DB at least on a border line with an adjacent second component region. Each of the bores DB is connected to a connection area AF on the surface of the carrier plate per component area BB. The component areas BB can have the corresponding bores and any number of connecting surfaces AF connected to them on more than one side edge. Connection contacts AK are formed on the underside of the carrier plate TP, with at least one connection contact AK being assigned to each connection surface. Each connection surface AF is electrically conductively connected to a connection contact AK via the internally metallized holes DB.
Innerhalb des von den Trennlinien TL begrenzten Bauelementbe- reichs ist der Chipbereich CB angeordnet, der zur Aufnahme des Bauelementfunktion tragenden Chips vorgesehen ist. Vorzugsweise besteht der Chipbereich CB aus einem zwar von An- schlußflächen, üblicherweise aber nicht von sonstigen Metallisierungen freien Oberflächenbereich. Z.B. können im Chipbereich metallische Verbindungsleitungen vorgesehen sein. In einer Ausgestaltung der Erfindung können die Öffnungen der Bohrungen DB vor dem Aufkleben des Chips mit einer dünnen Kunststoffschicht verschlossen werden, beispielsweise durch Auflaminieren einer Kunststoffolie auf die Oberseite der Trägerplatte TP. In einem Strukturierungsschritt wird die Kunststoffolie (in der Figur nicht dargestellt) strukturiert, um zumindest die Anschlußflächen AF freizulegen. In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird die Kunststoffolie so strukturiert, daß ausschließlich die Durchbrechungen von der Kunststoffolie bedeckt bzw. verschlossen sind. Dies verhindert, dass der Kappenkleber in die Bohrungen läuft.Arranged within the component area delimited by the dividing lines TL is the chip area CB, which is provided for receiving the chip carrying the component function. The chip area CB preferably consists of a end faces, but usually not free of other metallizations surface area. For example, metallic connecting lines can be provided in the chip area. In one embodiment of the invention, the openings of the holes DB can be closed with a thin plastic layer before the chip is glued on, for example by laminating a plastic film onto the top of the carrier plate TP. In a structuring step, the plastic film (not shown in the figure) is structured in order to expose at least the connection areas AF. In a further embodiment of the invention, the plastic film is structured such that only the openings are covered or closed by the plastic film. This prevents the cap adhesive from running into the holes.
Figur 2: Im nächste Schritt wird in jedem Bauelementbereich auf dem Chipbereich CB ein Chip CH aufgeklebt . Dies kann mit Hilfe eines als Chipkleber CK ausgebildeten Reaktionsharzes erfolgen. Der Chipkleber CK ist vorzugsweise akustisch ange- passt und kann eine geringe elektrische Leitfähigkeit aufweisen, die beispielsweise durch einen geeignet gewählten Füllstoff erzeugt werden kann. Damit gelingt eine sichere Ableitung statischer Ladung aus dem Chip, die insbesondere bei py- roelektrischen Chips auftreten kann. Der Chipkleber CK ist vorzugsweise thermisch härtend. Der Chipkleber CK kann auch ein UV-initiiert thermisch härtender Klebstoff sein, der nach UV-Initiieruhg schnell eine Vorhärtung erreicht, so daß der im Chipbereich CB aufgesetzte Chip nach einer gegebenenfalls durchzuführenden Justierung schnell und sicher fixiert werden kann. Die vollständige Härtung kann in einem späteren thermischen Schritt erfolgen, ohne daß dann dabei ein Verrutschen des Chips CH zu befürchten ist. Der Auftrag des Chipklebers CK kann auf der Trägerplatte TP, auf dem Chip CH oder auf beiden zu verbindenden Oberflächen erfolgen. Der Auftrag des. Chipkleber erfolgt dazu vorzugsweise durch Dispensen oderFigure 2: In the next step, a chip CH is glued to the chip area CB in each component area. This can be done with the aid of a reaction resin designed as a CK chip adhesive. The chip adhesive CK is preferably acoustically adapted and can have a low electrical conductivity, which can be generated, for example, by a suitably chosen filler. This enables static charge to be reliably discharged from the chip, which can occur in particular with pyroelectric chips. The chip adhesive CK is preferably thermally curing. The chip adhesive CK can also be a UV-initiated thermally curing adhesive which, after UV initiation, quickly achieves pre-curing, so that the chip placed in the chip area CB can be fixed quickly and securely after an adjustment, if necessary. The complete hardening can take place in a later thermal step, without the fear that the chip CH will slip. The chip adhesive CK can be applied to the carrier plate TP, to the chip CH or to both surfaces to be connected. The order of the . Chip adhesive is preferably done by dispensing or
Stempeln. Wird der Chipkleber CK auf der Trägerplatte TP aufgebracht, so kann dies beispielsweise auch mittels Siebdruck- verfahren für sämtliche Bauelementbereiche der Trägerplatte TP gleichzeitig erfolgen.Stamp. If the chip adhesive CK is applied to the carrier plate TP, this can also be done, for example, by means of screen printing proceed for all component areas of the carrier plate TP simultaneously.
Figur 2 zeigt 'in einer ausschnittsweise dargestellten Aufriß- zeichnung einen aufgeklebten Chip CH. Die Bauelementstrukturen des Chips CH weisen nach oben, wo auch die Anschlußpads BP des Chips CH angeordnet sind. Anschließend werden die Anschlußpads des Chips über Bonddrähte BD mit den Anschlußflächen AF auf der Oberfläche der Trägerplatte verbunden.Figure 2 shows' in a fragmentary elevational drawing shown a glued chip CH. The component structures of the chip CH point upwards, where the connection pads BP of the chip CH are also arranged. The connection pads of the chip are then connected to the connection areas AF on the surface of the carrier plate via bonding wires BD.
Im nächsten Schritt wird die Kappe KP aufgesetzt. Die Kappe besteht aus einem vorzugsweise spritzgegossenen Teil aus thermoplastischem oder duroplastisσhem Kunststoff, der gegebenenfalls mit einem partikelförmigen Füllstoff gefüllt oder mit einem faserförmigen Material, z.B. mit Glasfasern verstärkt ist . Ein gut geeignetes und auch mit Füllstoff verarbeitbares Material ist z.B. PPS . Die Kappe weist im Inneren eine Ausnehmung auf, die zur Aufnahme des Chips inklusive seiner zur Kontaktierung verwendeten Bonddrähte BD dienen . kann. Die Materialstärke der Kappe KP ist so gewählt, daß sie im fürs Bauelement vorgesehenen Temperaturbereich über die gesamte Länge und Breite des Chips eine ausreichende- Sicherheit gegen Verformung bereitstellt und somit einen sicheren Schutz des Chips bzw. seiner empfindlichen Bauelementstruktu- ren gegen äußere Einflüsse gewährleistet.In the next step, the cap KP is put on. The cap consists of a preferably injection-molded part made of thermoplastic or thermoset plastic, which may be filled with a particulate filler or with a fibrous material, e.g. is reinforced with glass fibers. A well-suited material that can also be processed with filler is e.g. PPS. The inside of the cap has a recess which serves to receive the chip, including its bonding wires BD used for contacting. can. The material thickness of the cap KP is selected so that it provides sufficient security against deformation over the entire length and width of the chip in the temperature range provided for the component and thus ensures reliable protection of the chip or its sensitive component structures against external influences.
Zum Aufkleben der Kappe KP wird ebenfalls ein Klebstoff verwendet, welcher mit dem Chipkleber CK identisch sein kann. Während für den Chipkleber CK jedoch die akustische Anpassung an die Impedanz des Chips CH vorteilhaft ist, ist dies für den Kappenkleber KK nicht erforderlich. Auch hierzu kann wieder ein Reaktionsharz dienen, welches auf eine oder beide der zu verklebenden Oberflächen, also auf den unteren Rand der Kappe KP bzw. deren Projektion auf die Oberfläche der Träger- platte TP aufgetragen und vorzugsweise thermisch gehärtet wird. Auch hier wird der Klebstoff gegebenenfalls mit UV- Strahlung aktiviert, anschließend die Kappe KP aufgesetzt, gegebenenfalls justiert und dann gegebenenfalls für eine geringe Wartezeit vorläufig fixiert. Die thermische Härtung der Klebestelle KK der Kappe KP kann in einem späteren Schritt thermisch erfolgen, vorzugsweise zusammen mit der Aushärtung des Chipklebers.An adhesive, which can be identical to the chip adhesive CK, is also used to stick on the cap KP. However, while the acoustic adaptation to the impedance of the chip CH is advantageous for the chip adhesive CK, this is not necessary for the cap adhesive KK. A reaction resin can also be used for this purpose, which is applied to one or both of the surfaces to be glued, that is to say to the lower edge of the cap KP or its projection onto the surface of the carrier plate TP, and is preferably thermally hardened. Here, too, the adhesive is optionally activated with UV radiation, then the cap KP is placed on it, adjusted if necessary and then temporarily fixed if necessary for a short waiting time. The thermal curing of the adhesive point KK of the cap KP can be carried out thermally in a later step, preferably together with the curing of the chip adhesive.
Figur 3 zeigt ein weiteres erfindungsgemäßes Detail, welches die Verklebung mit der Kappe KP verbessert. In der Oberseite der Kappe KP ist eine durch die gesamte Kappe reichende Öff- nung - die Ausgleichsöffnung AO - angeordnet, die vorteilhaft einen sich nach innen verjüngenden Querschnitt aufweist. Während des Aufsetzens der zu verklebenden Teile und der vollständigen Aushärtung der beiden Klebestellen CK und KK unter Chip bzw. Kappenrand, bei der gegebenenfalls Ausgasungen aus dem Klebstoff erfolgen können, kann durch die Ausgleichsöffnung AO ein Druckausgleich stattfinden, so daß es nicht zu einem Wegdrücken von Klebstoff unter dem Kappenrand oder gar zu einem Verrutschen der Kappe KP kommen kann. Nach der vollständigen Aushärtung wird die Öffnung AO wieder verschlossen, vorzugsweise durch Einbringen eines Tropfens einer vorzugsweise UV härtenden Reaktionsharzmasse in die Öffnung. Die Figur 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Bauelement nach dem Aufkleben der Kappe und vor dem Verschließen der Ausgleichsöf nung AO.FIG. 3 shows a further detail according to the invention, which improves the gluing to the cap KP. In the top of the cap KP there is an opening which extends through the entire cap - the compensating opening AO - and which advantageously has a cross section which tapers inwards. During the placement of the parts to be glued and the complete hardening of the two gluing points CK and KK under the chip or cap edge, in which outgassing can possibly occur from the glue, pressure equalization can take place through the equalization opening AO, so that it does not lead to pressing away Adhesive under the edge of the cap or even the cap KP may slip. After complete curing, the opening AO is closed again, preferably by introducing a drop of a preferably UV-curing reactive resin composition into the opening. FIG. 3 shows a schematic cross section through the component after the cap has been stuck on and before the compensation opening AO is closed.
Nach dem Aufkleben der Kappe KP, insbesondere nach dem Aushärten des dazu verwendeten Klebstoffs KK und dem Verschließen der Ausgleichsöffnung AO werden die Bauelemente vereinzelt. Dazu wird entlang der Trennlinien TL durch die Träger- platte TP geschnitten oder gesägt, so daß pro innen metallisierter Bohrung DB bei jedem Bauelement beiderseits der Trennlinie TL je eine sogenannte Castellation CA entsteht, die im fertigen Bauelement die elektrische Verbindung zwischen Anschlussfläche AF auf der Oberseite und Anschlusskon- takt AK auf der Unterseite der Trägerplatte gewährleistet. Figur 4 zeigt das fertige vereinzelte Bauelement in perspektivischer Darstellung. Erfindungsgemäße Bauelemente sind insbesondere große Bauelemente mit Chiplängen von beispielsweise 6 bis 10 mm. Gut zu erkennen sind die durch den Schnitt ent- lang der Trennlinien TL freigelegten Castellations CA. Der Umfang der Kappe KP ist etwas geringer gewählt als der nach der Schnittführung verbleibende Bauelementbereich, so daß während des Vereinzeins der Bauelemente die Kappe KP durch das Schneidwerkzeug nicht beschädigt wird. Das Vereinzeln kann beispielsweise durch Sägen erfolgen, wobei vorzugsweise das Substrat zur Vermeidung unnötiger Erhitzungen gekühlt wird, beispielsweise mit Wasser.After the cap KP has been glued on, in particular after the adhesive KK used for this has hardened and the compensation opening AO has been closed, the components are separated. For this purpose, a cut or saw is made along the dividing lines TL through the carrier plate TP, so that for each component DB metallized internally, a so-called Castellation CA is created for each component on both sides of the dividing line TL, which in the finished component provides the electrical connection between the connection area AF on the top and connection contact AK guaranteed on the underside of the carrier plate. Figure 4 shows the finished isolated component in a perspective view. Components according to the invention are in particular large components with chip lengths of, for example, 6 to 10 mm. The Castellations CA exposed through the cut along the TL dividing lines are clearly visible. The circumference of the cap KP is chosen to be somewhat smaller than the component area remaining after the cut, so that the cap KP is not damaged by the cutting tool during the separation of the components. The separation can take place, for example, by sawing, the substrate preferably being cooled to avoid unnecessary heating, for example with water.
Das fertige Bauelement zeichnet sich durch sein dichtes Ge- häuse aus, ist mittels SMD-Technik verarbeitbar und weist dazu SMD-fähige Außenkontakte AK auf. Der die Bauelementstrukturen tragende Chip CH ist sicher auf der Trägerpalette TP verklebt und dadurch gegen Bruch geschützt. Bei Verwendung eines geeigneten Chipklebers CK mit ausreichend hoher Dichte gelingt eine gute akust-ische Anpassung an den Chip und damit die reflexionsarme Ausgestaltung der Chipunterseite. Dies führt beim Betrieb des Bauelements zur verminderten Rückseitenreflexionen und damit zur verbesserten Unterdrückung von Störsignalen. Bevorzugte Anwendung erfindungsgemäßer Bauele- mente finden sich daher bei allen Multimediaanwendungen, die eine rauscharme und verzerrungsfreie Signalübertragung erfordern.The finished component is characterized by its tight housing, can be processed using SMD technology and, for this purpose, has SMD-compatible external contacts AK. The chip CH carrying the component structures is securely glued to the carrier pallet TP and is therefore protected against breakage. When using a suitable chip adhesive CK with a sufficiently high density, a good acoustic adaptation to the chip and thus the low-reflection design of the underside of the chip can be achieved. During operation of the component, this leads to reduced rear-side reflections and thus to improved suppression of interference signals. Preferred use of components according to the invention can therefore be found in all multimedia applications which require low-noise and distortion-free signal transmission.
Obwohl die Erfindung nur anhand weniger Beispiele dargestellt werden konnte, ist sie nicht auf diese begrenzt. Variationsmöglichkeiten ergeben sich insbesondere bezüglich des Bauelementtyps, welcher nicht, auf Filter oder Chips aus piezoelektrischem Material beschränkt ist. Weitere Variationen ergeben sich in Materialauswahl und Formgebung von Kappe KP und Trä- gerplatte TP. Nicht dargestellt wurden beispielsweise mehrschichtige Trägerplatten, die dann auch eine entsprechend variierte Form von Kontaktierung zwischen Anschlußflächen und Anschlußkontakten ermöglichen und keine Castellations erfordern. Although the invention could only be illustrated using a few examples, it is not limited to these. Variations arise in particular with regard to the component type, which is not limited to filters or chips made of piezoelectric material. There are further variations in the choice of materials and the shape of the KP cap and TP support plate. For example, multilayer carrier plates were not shown, which then also have a correspondingly varied form of contact between the contact surfaces and A nschlußkontakten allow and do not require Castella Publications.

Claims

Patentansprüche claims
1. Elektrisches Bauelement - mit einer Trägerplatte (TP) , die auf ihrer Oberseite me- 5 tallische Anschlußflächen (AF) und auf ihrer Unterseite Anschlußkontakte (AK) aufweist, die elektrisch leitend mit den Anschlußflächen verbunden sind - mit einem piezoelektrisches Material umfassenden Chip (CH) , in dem oder auf dem elektrisch leitende Bauelement- 10 Strukturen angeordnet sind, wobei der Chip auf der Oberseite der Trägerplatte aufgeklebt ist, - wobei die Bauelementstrukturen des Chips mit den metallischen Anschlußflächen auf der Oberseite der Trägerplatte1. Electrical component - with a carrier plate (TP) which has metallic connection surfaces (AF) on its upper side and connection contacts (AK) on its underside, which are connected in an electrically conductive manner to the connection surfaces - with a chip comprising piezoelectric material ( CH), in or on which electrically conductive component structures are arranged, the chip being glued to the top of the carrier plate, the component structures of the chip having the metallic connection surfaces on the top of the carrier plate
15 elektrisch leitend verbunden sind, - mit einer Kappe (KP) , die unter Ausbildung eines den Chip enthaltenden, geschlossenen Hohlraums- direkt auf der Trägerplatte aufsitzt.15 are connected in an electrically conductive manner - with a cap (KP) which sits directly on the carrier plate, forming a closed cavity containing the chip.
20 2. Bauelement nach Anspruch 1, bei dem Trägerplatte (TP) und Kappe (KP) jeweils aus einem Kunststoffmaterial ausbildet sind.20 2. Component according to claim 1, in which the carrier plate (TP) and cap (KP) are each formed from a plastic material.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2,3. Component according to claim 1 or 2,
25. - bei dem der Chip (CH) ein piezoelektrischer Kristall ist, - bei dem die BauelementStrukturen auf der Oberseite des Chips angeordnet, zur Erzeugung akustischer Oberflächenwellen ausgebildet und - bei dem die BauelementStrukturen über Bonddfähte (BD) mit25. - in which the chip (CH) is a piezoelectric crystal, - in which the component structures are arranged on the top of the chip, designed to generate surface acoustic waves and - in which the component structures are bonded (BD)
30 den Anschlußflächen (AF) verbunden sind.30 the pads (AF) are connected.
4. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem geradlinig durch die Trägerplatte (TP) geführte, an ihrer Innenwand metallisierte Bohrungen (DB) vorgesehen sind, 35 über die die Anschlußflächen (AF) mit den Anschlußkontakten (AK) elektrisch verbunden sind, wobei die Bohrungen außerhalb des unter der Kappe (KP) eingeschlossenen Hohlraums angeordnet sind.4. Component according to one of claims 1 to 3, are provided in the rectilinear through the carrier plate (TP), on its inner wall metallized holes (DB) 35, via which the connection surfaces (AF) with the connection contacts (AK) are electrically connected , with the holes outside of the cavity enclosed under the cap (KP) are arranged.
5. Bauelement nach' Anspruch 4, - bei dem die Grundfläche der Trägerplatte (TP) die Außenwand der auf ihr sitzenden Kappe (KP) überragt,5. Component according to 'Claim 4, - in which the base area of the carrier plate (TP) projects beyond the outer wall of the cap (KP) seated on it,
- bei dem die Bohrungen (DB) zum Teil von der Kappe überdeckt sind,- in which the holes (DB) are partially covered by the cap,
- bei dem der Außenrand der Trägerplatte die Bohrungen schneidet und diese daher am Außenrand geöffnet sind.- In which the outer edge of the support plate cuts the holes and they are therefore open on the outer edge.
6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem in der Oberseite der Kappe (KP) eine verschließbare oder nachträglich mit einem gehärteten Harz verschlossene Öff ung (AO) vorgesehen ist .6. Component according to one of claims 1 to 5, in which in the top of the cap (KP) a closable or subsequently sealed with a hardened resin opening (AO) is provided.
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Chip (CH) auf seiner zur Oberseite der Trägerplatte (TP) hin weisenden Unterseite eine Aufrauhung, eine dreidimensionale Strukturierung oder bis zu einem Teil seiner Dicke reichende Einschnitte aufweist.7. The component according to any one of claims 1 to 6, wherein the chip (CH) on its underside facing the upper side of the carrier plate (TP) has a roughening, a three-dimensional structuring or cuts extending up to part of its thickness.
8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem der Chip (CH) mit einem akustisch angepassten Kleb- stoff (CK) aufgeklebt ist, der eine Dichte zwischen 2000 und 5000 kg/m3 aufweist.8. Component according to one of claims 1 to 7, in which the chip (CH) with an acoustically adapted adhesive (CK) is glued, which has a density between 2000 and 5000 kg / m 3 .
9. Bauelement nach Anspruch 8 , bei dem der Chip (CH) mit einem Klebstoff (CK) aufgeklebt ist, der ein Reaktionsharz umfasst, das mit einem Füllstoff einer Dichte von mehr als 4000 kg/m3 gefüllt ist.9. The component according to claim 8, wherein the chip (CH) is glued with an adhesive (CK) comprising a reaction resin which is filled with a filler with a density of more than 4000 kg / m 3 .
10.Bauelement nach Anspruch 8 oder 9, bei dem der Klebstoff (CK) eine mit Partikeln gefüllte Poly- mermatrix umfaßt, bei dem die Partikel ausgewählt sind aus Siliziumcarbid, Titanόxid, Aluminiumoxid, Zinksulfid, Zr02, BaS04 und W03 und bei dem die Polymermatrix ausgewählt ist aus Epoxidformstoff, Siloxan-Kautschuk, . Acrylat, Polyurethan oder Polyimid.10. Component according to claim 8 or 9, in which the adhesive (CK) comprises a polymer matrix filled with particles, in which the particles are selected from silicon carbide, titanium oxide, aluminum oxide, zinc sulfide, Zr0 2 , BaS0 4 and W0 3 and wherein the polymeric matrix is selected from Epoxidformstoff, siloxane rubber. Acrylate, polyurethane or polyimide.
11.Bauelement nach einem der Ansprüche 6 bis 10, bei dem die Öffnung (AO) im Bereich einer Ecke der Kappe (KP) über einem endständigen Anschlußkotakt (AK) angeordnet ist und bei dem das Material, mit dem die Öffnung verschlossen ist, gegenüber der Kappe optisch oder im UV unterscheidbar ist.11.Component according to one of claims 6 to 10, in which the opening (AO) is arranged in the region of a corner of the cap (KP) over a terminal connection contact (AK) and in which the material with which the opening is closed, opposite the cap can be distinguished optically or in UV.
12.Verfahren zur Verkapselung eines elektrischen Bauelements, mit den' Schritten12. Method for encapsulating an electrical component, with the 'steps
- Vorbereiten einer großflächigen Trägerplatte (TP) mit elektrisch leitenden Anschlußflächen (AF) auf der Obersei- te und Kontaktflächen (KF) auf der Unterseite und mit an der Innenwand metallisierten Bohrungen (DB) so, daß eine Vielzahl von Bauelementbereichen (BB) erhalten wird- Prepare a large-area carrier plate (TP) with electrically conductive connection surfaces (AF) on the top and contact surfaces (KF) on the underside and with holes (DB) metallized on the inner wall so that a large number of component areas (BB) are obtained
- Aufkleben. jeweils eines Bauelementstruktureή aufweisenden Chips (CH) pro Bauelementbereich auf die Oberseite der Trägerplatte- Stick on. one component ή having chips (CH) per component area on the top of the carrier plate
- Herstellen von Bonddrahtverbindungen (BD) zwischen den Bauelementstrukturen und den Anschlußflachen- Establishing bond wire connections (BD) between the component structures and the connection surfaces
- Aufsetzen und Verkleben je einer Kappe (KP) pro Bauelementbereich auf der Trägerplatte über dem Chip so, dass der Chip in einem geschlossenen Hohlraum angeordnet ist.- Placing and gluing one cap (KP) per component area on the carrier plate above the chip so that the chip is arranged in a closed cavity.
13.Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die Trägerplatte (TP) nach dem Aufsetzen und Verkleben der Kappen (KP) entlang von Trennlinien (TL) zwischen den einzelnen Bauelementbereichen (BB) aufgetrennt und in einzelne Bauelemente vereinzelt wird.13. The method according to claim 12, in which the carrier plate (TP) after the caps are attached and glued (KP) along dividing lines (TL) between the individual component regions (BB) and separated into individual components.
14. erfahren nach Anspruch 13, bei dem die Bohrungen (DB) entlang der späteren Trennlinien (TL) erzeugt werden, bei dem jede Bohrung zwei Bauelementbereichen (BB) zugeordnet wird und Anschlußflächen (AF) innerhalb dieser Bauelementbe- reiche mit den dazugehörigen Anschlußkontakten (AK) elektrisch leitend verbindet bei dem bei der Auftrennung die Bohrungen so geteilt werden, daß die elektrisch leitende Verbindung (CA) zwischen den An- schlußflächen und' den dazugehörigen Anschlußkontakten innerhalb eines jeden Bauelementbereichs erhalten bleibt.14. Experience according to claim 13, in which the bores (DB) are produced along the later dividing lines (TL), in which each bore is assigned to two component regions (BB) and connection surfaces (AF) within these component regions. rich with the corresponding connection contacts (AK) electrically conductively connects at which the holes are divided as in the separation, that the electrically conductive connection (CA) circuit surfaces and between the on 'the associated connecting contacts within each device region is maintained.
15.Verfahren nach, einem der Ansprüche 12 bis 14, bei dem das Verkleben der Kappe (KP) auf der Trägerplatte (TP) mit einem Kleber (KK) erfolgt, dessen Aushärtung zumindest einen thermischen Schritt umfaßt .15. The method according to, one of claims 12 to 14, in which the cap (KP) is glued to the carrier plate (TP) with an adhesive (KK), the curing of which comprises at least one thermal step.
16. erfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, bei dem in der Kappe (KP) zum Druckausgleich während des Ver- klebens eine Öffnung (AO) vergleichsweise geringen Durchmessers vorgesehen wird, bei dem die Öffnung nach dem Aushärten der Klebestellen von Kappe (KP) und Chip (CH.) mit einem Tropfen eines Reaktions- harzes verschlossen wird.16. experience according to one of claims 12 to 15, in which an opening (AO) of comparatively small diameter is provided in the cap (KP) for pressure equalization during the bonding, in which the opening after curing of the adhesive points of the cap (KP ) and Chip (CH.) is sealed with a drop of a reaction resin.
17.Verfahren nach Anspruch 16, bei dem zum Verschließen der Öffnung (AO) ein mittels Lichtoder im UV härtendes Reaktionsharz verwendet wird, bei dem die Härtung des Reaktionsharzes durch ganzflächige Bestrahlung der Trägerplatte oder durch lokale Bestrahlung mit einem Laser oder einem Lichtleiter erfolgt. 17. The method according to claim 16, in which a light or UV-curing reaction resin is used to close the opening (AO), in which the reaction resin is hardened by irradiating the entire surface of the carrier plate or by local irradiation with a laser or a light guide.
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