DE10234978A1 - Surface-mounted semiconductor component used in the production of luminescent diodes in mobile telephone keypads comprises a semiconductor chip, external electrical connections, and a chip casing - Google Patents

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Abstract

Surface-mounted semiconductor component comprises a semiconductor chip (1), external electrical connections (3, 4) electrically connected with the electrical contacts of the chip, and a chip casing (5). The electrical connections are formed on a foil (2) having a thickness of not more than 100 mum. The chip is fixed to a first main surface (22) of the foil. The chip casing is applied to the first main surface. An Independent claim is also included for a process for simultaneously producing a number of surface-mounted semiconductor components.

Description

Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung Die Erfindung betrifft ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip, mindestens zwei externen elektrischen Anschlüssen, die mit mindestens zwei elektrischen Kontakten des Halbleiterchips elektrisch leitend verbunden sind, und einer Chipumhüllung. Sie betrifft weiterhin ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements.Surface mount semiconductor device The invention relates to a surface-mountable Semiconductor component with a semiconductor chip, at least two external electrical connections, with at least two electrical contacts of the semiconductor chip are electrically connected, and a chip wrap. she furthermore relates to a method for producing such a semiconductor component.

Zur Erweiterung der Einsatzgebiete und zur Reduzierung der Herstellungskosten wird versucht, Halbleiterbauelemente in immer kleineren Baugrößen herzustellen. Sehr kleine Lumineszenzdioden sind beispielsweise für die Hintergrundbeleuchtung der Tasten von Mobiltelefonen erforderlich.To expand the areas of application and to reduce manufacturing costs, semiconductor devices are attempted to manufacture in ever smaller sizes. Very small luminescent diodes are used, for example, for the backlighting of the Mobile phone buttons required.

Inzwischen sind Lumineszenzdioden-Gehäuse mit einer Stellfläche der Abmessung 0402 (entsprechend 0,5 mm × 1,0 mm) und einer Bauteilhöhe von 400 μm – 600 μm verfügbar. Siehe Datenblatt von FAIRCHILD SEMICONDUCTOR® zur Bauform QTLP690C-x. Das entsprechende Bauteilkonzept ist in der Druckschrift US 4,843,280 beschrieben.Luminescent diode housings are now available with a footprint of size 0402 (corresponding to 0.5 mm × 1.0 mm) and a component height of 400 μm - 600 μm. See data sheet from FAIRCHILD SEMICONDUCTOR® for type QTLP690C-x. The corresponding component concept is in the publication US 4,843,280 described.

Eine weitere Verminderung der Bauteilhöhe gestaltet sich mit den herkömmlich verfügbaren Gehäusekonzepten äußerst schwierig. Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Konzept für ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement, insbesondere eine oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenzdiode und/oder Photodiode zur Verfügung zu stellen, das eine weitergehende Verkleinerung der Baugröße erlaubt.Designed a further reduction in component height deal with the conventional available Housing concepts extremely difficult. The object of the present invention is a concept for a surface mount Semiconductor component, in particular a surface-mountable miniature luminescent diode and / or photodiode available to provide, which allows a further reduction in size.

Diese Aufgabe wird durch ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 und durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 18 gelöst.This task is accomplished by a surface mount Semiconductor component with the features of claim 1 and solved by a method with the features of claim 18.

Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen des Halbleiterbauelements und des Verfahrens gehen aus den Unteransprüchen hervor.Advantageous further training and Embodiments of the semiconductor device and the method go from the subclaims out.

Bei einem oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung sind die zwei externen elektrischen Anschlüsse an einer Folie ausgebildet, deren Dicke kleiner oder gleich 100 μm, insbesondere kleiner oder gleich 50 μm ist. Diese Folie besteht vorzugsweise aus Kunststoffmaterial, insbesondere aus PI oder PEN. Der Halbleiterchip ist an einer ersten Hauptfläche der Folie befestigt und die Chipumhüllung ist im wesentlichen ausschließlich auf der ersten Hauptfläche aufgebracht.For a surface mount semiconductor device according to the invention the two external electrical connections are formed on a film, whose thickness is less than or equal to 100 μm, in particular less than or equal to 50 μm is. This film is preferably made of plastic material, in particular from PI or PEN. The semiconductor chip is on a first main surface of the Foil attached and the chip wrap is essentially exclusive on the first main area applied.

Die Erfindung beruht insbesondere auf dem Gedanken, durch Montage des Halbleiterchips auf einer sehr dünnen Folie, auf der die externen elektrischen Anschlüsse ausgebildet sind, Bauformen mit sehr geringer Bauhöhe zu erzielen, die zudem in hoher Packungsdichte und somit mit geringen Produktionskosten hergestellt werden können.The invention is based in particular on the idea of mounting the semiconductor chip on a very thin Foil on which the external electrical connections are formed, designs with a very low height to achieve, which also in high packing density and thus with low Production costs can be produced.

Die erfindungsgemäße Bauform eignet sich bevorzugt zur Anwendung bei elektromagnetische Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Bauelementen mit einem oder mehreren elektromagnetische Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Halbleiterchips, insbesondere für Lumineszenzdioden-Bauelemente mit einer Gehäuse-Stellfläche der Abmessung 0402 (entsprechend 0,5 mm × 1,0 mm) oder kleiner und einer Bauteilhöhe von unter 400 μm, insbesondere unter 350 μm.The design according to the invention is preferably suitable for use with electromagnetic radiation emitting and / or receiving components with one or more electromagnetic Radiation-emitting and / or receiving semiconductor chips, in particular for luminescent diode components with a housing footprint of the Dimension 0402 (corresponding to 0.5 mm × 1.0 mm) or smaller and a component height of less than 400 μm, especially below 350 μm.

Bei Lumineszenzdioden-Bauelementen ist die Chipumhüllung aus einem elektromagnetische Strahlung durchlässigen, insbeson dere transparentem oder transluzentem Material gefertigt, insbesondere aus einem elektromagnetische Strahlung durchlässigen, vorzugsweise ungefülltem klaren Kunststoffmaterial.For luminescent diode components is the chip wrap made of an electromagnetic radiation permeable, in particular transparent or translucent material, in particular made of an electromagnetic Permeable to radiation, preferably unfilled clear plastic material.

Um ein mischfarbiges Licht abstrahlendes erfindungsgemäßes Lumineszenzdioden-Bauelement zur Verfügung zu stellen, kann die Chipumhüllung mit einem Leuchtstoff versetzt sein, der zumindest einen Teil der vom Lumineszenzdiodenchip ausgesandten elektromagnetischen Strahlung absorbiert und elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge und Farbe als die absorbierte Strahlung emittiert.Luminescent diode component according to the invention emitting a mixed-colored light to disposal can put the chip wrap be mixed with a phosphor that at least part of the electromagnetic radiation emitted by the luminescence diode chip absorbs and electromagnetic radiation of a different wavelength and Color as the absorbed radiation emits.

Die Chipumhüllung ist bevorzugt mittels eines Spritzverfahrens hergestellt.The chip cladding is preferably by means of produced by a spraying process.

Die Folie einschließlich den externen elektrischen Anschlüssen ist auf der Seite, auf der die Halbleiterchips angeordnet werden vorzugsweise mit einer zur Chipumhüllung haftvermittelnden Deckschicht beschichtet, die an den Chiptmontagestellen und an den Drahtmontagestellen Montagefenster aufweist, in denen keine Deckschicht vorhanden ist. Dadurch wird vorteilhafterweise erreicht, dass eine unzulässig große Dejustage der Chipmontageanlage und/oder Drahtmontageanlage dadurch schnell erkennbar ist, dass die Halbleiterchips bzw. Anschlußdrähte nach deren Montage auf der Folie nicht haften. Dies ist um so mehr von Bedeutung je kleiner die Bauform ist, denn erstens wird die Zuverlässigkeit der Bauelemente von einer Dejustage der Chipmontage um so mehr beeinträchtigt, je geringer das Volumen der Chipumhüllung ist und zweitens ist die Ausschußmenge bei einer nicht sofort erkannten Dejustage aufgrund der hohen Packungsdichte der Bauelemente und der damit verbundenen großen Menge an Bauelementen pro Längeneinheit auf einem Montageband sehr hoch.The film including the external electrical connections is on the side on which the semiconductor chips are arranged preferably with a cover layer that promotes adhesion to the chip encapsulation coated on the chip assembly points and on the wire assembly points Has assembly window in which there is no cover layer. Thereby is advantageously achieved that an impermissibly large misalignment the chip assembly system and / or wire assembly system quickly it can be seen that the semiconductor chips or connecting wires after their assembly does not adhere to the film. This is all the more of Significance the smaller the design, because firstly the reliability of the Components affected by misalignment of the chip assembly all the more the smaller the volume of the chip wrap is and secondly the reject amount if misalignment is not immediately recognized due to the high packing density of the components and the associated large amount of components per unit of length very high on an assembly line.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform des Halbleiterbauelements sind zwei externe elektrische Anschlüsse jeweils von einem ersten elektrischen Anschlußbereich auf der ersten Hauptfläche der Folie, einem zweiten elektrischen Anschlußbereich auf der zweiten Hauptfläche der Folie und mindestens einer elektrischen Durchführung durch die Folie, die den ersten Anschlußbereich mit dem zugehörigen zweiten Anschlußbereich elektrisch verbindet ausgebildet. Dies ermöglicht vorteilhafterweise eine technisch einfache Herstellung der externen elektrischen Anschlüsse, die zu keiner Vergrößerung der Stellfläche des Bauelements führen.In a preferred embodiment of the semiconductor component, two external electrical connections are in each case from a first electrical connection area on the first main surface of the film, a second electrical connection area the second main surface of the film and at least one electrical feedthrough through the film which electrically connects the first connection region to the associated second connection region. This advantageously enables a technically simple production of the external electrical connections, which do not lead to an increase in the footprint of the component.

Bevorzugt sind die elektrischen Anschlußbereiche mittels strukturierter Metallschichten auf der Folie hergestellt. Zur Strukturierung der Metallschichten können herkömmliche geeignete Verfahren eingesetzt werden.The electrical connection areas are preferred produced by means of structured metal layers on the film. Conventional suitable methods can be used to structure the metal layers be used.

Bei einer zweckmäßigen Ausgestaltung sind die Metallschichten mehrschichtig aufgebaut und weisen vorzugsweise gesehen von der Folie eine erste Schicht aus Kupfer oder einer Kupferbasislegierung, die für die elektrische Leitung der Metallschicht zuständig ist, eine zweite Schicht aus Nickel oder einer Nickelbasislegierung, die eine Sperrschicht darstellt, und eine dritte Schicht aus Gold oder einer Goldbasislegierung auf, die zur Verbesserung der Bond- und Lötbarkeit der Metallschicht dient.In an appropriate embodiment, the Metal layers have a multilayer structure and preferably have seen from the film a first layer of copper or a copper-based alloy, the for the electrical conduction of the metal layer is responsible, a second layer Made of nickel or a nickel-based alloy that has a barrier layer and a third layer of gold or a gold-based alloy on, which serves to improve the bondability and solderability of the metal layer.

Die erste Schicht weist zweckmäßigerweise eine Dicke zwischen einschließlich 5 μm und einschließlich 25 μm auf.The first layer expediently has one Thickness between inclusive 5 μm and including 25 μm.

Um eine ausreichende Wärmeableitung vom Halbleiterchip zu gewährleisten ist dieser auf einem der beiden ersten elektrischen Anschlußbereiche mittels eines thermisch gut leitenden Verbindungsmittels befestigt und ist der entsprechende externe elektrische Anschluß derart ausgebildet, dass er einen hinreichend guten thermischen Anschluß für den Halbleiterchip darstellt. Was bedeutet, dass insbesondere seine Materialzusammensetzung, seine Schichtdicke und die elektrische Durchführung durch die Folie auf gute thermische Leitfähigkeit ausgelegt sind.In order to ensure adequate heat dissipation from the semiconductor chip, it is on one of the first two electrical connection areas attached by means of a thermally highly conductive connecting means and the corresponding external electrical connection is designed such that it represents a sufficiently good thermal connection for the semiconductor chip. This means that in particular its material composition, its layer thickness and the electrical implementation through the film are designed for good thermal conductivity.

Die Chipumhüllung ist vorzugsweise in einem Mittenbereich über dem Halbleiterchip und ggf. einem oder mehreren Bonddrähten zum Halbleiterchip, senkrecht zur Folie eine größere Dicke auf als in einem den Mittenbereich umlaufenden Randbereich. Dadurch ist vorteilhafterweise das Volumen der Chipumhüllung reduziert, wodurch einer Wölbung der Folie während des Herstellverfahrens aufgrund von unterschiedlichen thermischen Ausdehnungen von Folie und Chipumhüllung entgegengewirkt werden kann.The chip casing is preferably in one Center area above the semiconductor chip and possibly one or more bonding wires for Semiconductor chip, a greater thickness perpendicular to the film than in one the peripheral area surrounding the central area. This is advantageous the volume of the chip wrap reduced, causing a curvature of the Slide during of the manufacturing process due to different thermal Expansion of the film and the chip casing can be counteracted can.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform des Halbleiterbauelements, die einerseits eine sichere Bondbarkeit des Halbleiterchips und von Bonddrähten auf den jeweils zugeordneten externen elektrischen Anschlüssen gewährleisten und andererseits keine oder nahezu keine Vergrößerung der Stellfläche des Gehäuses bewirkt, weisen die einander gegenüberliegenden Enden der externen elektrischen Anschlüsse versetzt zueinander jeweils vorspringende Bereiche auf, in denen die elektrischen Durchführungen durch die Folie angeordnet sind. Vorzugsweise verlaufen die einander gegenüberliegenden Enden der externen elektrischen Anschlüsse derart S-artig, dass die vorspringenden Teile überlappen.In a preferred embodiment of the semiconductor component, on the one hand, a secure bondability of the semiconductor chip and of bond wires on the respectively assigned external electrical connections guarantee and on the other hand no or almost no increase in the footprint of the housing causes the opposite ends of the external electrical connections offset each other from projecting areas in which the electrical feedthroughs arranged through the film. They preferably run one another opposite Ends of the external electrical connections so S-like that the projecting parts overlap.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelementen der eingangs genannten Art wird zunächst ein Folienstreifen hergestellt, der beidseitig derart strukturierte und durch den Folienstreifen durchkontaktierte elektrisch leitende Schichten aufweist, dass auf ihm mindestens ein Feld aus einer Vielzahl von nebeneinander angeordneten, die externen elektrischen Anschlüsse aufweisenden Bauelementbereichen ausgebildet ist. Jeder der Bauelementbereiche umfasst sämtliche Strukturen der elektrisch leitenden Schichten für alle externen elektrischen Anschlüsse des späteren Halbleiterbauelements. Auf jeden der Bauelementbereiche wird nachfolgend mindestens ein Halbleiterchip aufgebracht und elektrisch mit den externen elektrischen Anschlüssen verbun den. Danach wird das Feldes in eine Spritzform eingelegt, in der für das gesamte Feld eine einzige sämtliche Halbleiterchips des Feldes überspannende und dort im wesentlichen ausschließlich auf der Seite der Halbleiterchips hohlraumbildende Kavität vorgesehen ist. Das Einspritzen von Umhüllmaterial in die Kavität erfolgt vorzugsweise von der Seite und insbesondere über Filmanguß. Nachdem dann das Umhüllmaterial zumindest teilweise ausgehärtet ist wird das Feld aus der Spritzform herausgenommen und mittels Durchtrennen des Chipumhüllungsmaterials und des Folienstreifens mit den strukturierten elektrisch leitenden Schichten zwischen den Bauelementbereichen in einzelne Halbleiterbauelemente vereinzelt.In the method according to the invention for the simultaneous production of a large number of surface-mountable Semiconductor components of the type mentioned at the beginning are first Film strips made, the structured on both sides and electrically conductive through-plated through the film strip Layers that have at least one field from a variety on it of juxtaposed, having the external electrical connections Component areas is formed. Each of the device areas includes all structures of electrically conductive layers for all external electrical connections of the later semiconductor device. At least one is subsequently added to each of the component areas Semiconductor chip applied and electrical with the external electrical connections connected. Then the field is placed in an injection mold, in the for the entire field a single all Field spanning semiconductor chips and there essentially only on the side of the semiconductor chips cavity-forming cavity is provided. Enveloping material is injected into the cavity preferably from the side and in particular via film sprue. After this then the wrapping material at least partially cured the field is removed from the injection mold and by means of Cutting the chip wrap material and the film strip with the structured electrically conductive layers between the component areas into individual semiconductor components sporadically.

Um einer zu starken Verwölbung des Feldes aufgrund von unterschiedlichen thermischen Ausdehnungen von Umhüllmaterial und Folie entgegenzuwirken weist die Kavität eine Vielzahl von Ausnehmungen auf, die jeweils einen oder mehrere Halbleiterchip überspannt. Auf diese Weise wird das Volumen an Umhüllmaterial reduziert, indem die Dicke des Umhüllmaterials in Bereichen, wo dies zulässig ist, gegenüber der Dicke im Bereich von Halbleiterchips und ggf. einem oder mehreren Bonddrähten zum Halbleiterchip verringert ist.To avoid excessive warping of the Field due to different thermal expansions of wrapping material To counteract the film, the cavity has a large number of recesses on, each spanning one or more semiconductor chips. In this way, the volume of wrapping material is reduced by the thickness of the wrapping material in areas where this is permitted across from the thickness in the area of semiconductor chips and possibly one or more Bond wires for Semiconductor chip is reduced.

Vorzugsweise ist über jedem Halbleiterchip des Feldes eine separate Ausnehmung vorgesehen, derart, dass das Umhüllmaterial nach dem Spritzprozess eine Vielzahl von nebeneinander angeordneten Erhebungen aufweist, insbesondere eine einer Schokoladentafel ähnliche Struktur aufweist.Preferably, the over each semiconductor chip Field provided a separate recess, such that the wrapping material after the spraying process, a large number of elevations arranged side by side has, in particular similar to a chocolate bar Has structure.

Das Vereinzeln des Feldes erfolgt vorteilhafterweise mittels Durchtrennen des Umhüllmaterials und des Folienstreifens mit den strukturierten elektrisch leitenden Schichten in den Gräben zwischen den Erhebungen.The field is separated advantageously by cutting through the wrapping material and the film strip with the structured electrically conductive layers in the trenches between the Surveys.

Zweckmäßigerweise wird vor dem Einlegen des Feldes in die Spritzform auf die Folie und/oder die elektrisch leitenden Schichten ein Haftvermittler aufgebracht, der die Haftung des Umhüllmaterials auf der Folie und/oder den elektrisch leitenden Schichten verbessert. Hierzu wird vorzugsweise ein PI-Decklack verwendet.Advantageously, an adhesion promoter is applied to the film and / or the electrically conductive layers before inserting the field into the injection mold, which promotes the adhesion of the wrapping material improved on the film and / or the electrically conductive layers. A PI topcoat is preferably used for this.

Der Haftvermittler wird vorzugsweise jeweils auf den gesamten Bauelementbereich aufgebracht, ausser auf die Chipmontagebereiche, auf denen die Halbleiterchips befestigt werden, und ggf. auf die Drahtmontagebereiche, auf denen Anschlußdrähte befestigt werden. In diesen Bereichen weist der Haftvermittler Kontaktierungsfenster auf. Eine derartige Haftvermittlerschicht bringt insbesondere die weiter oben in Verbindung mit der Beschreibung des Halbleiterbauelements erläuterten Vorteile hinsichtlich Erkennung einer Dejustage der Produktionsanlage mit sich.The coupling agent is preferred applied to the entire component area, except on the chip mounting areas on which the semiconductor chips are attached and, if necessary, on the wire assembly areas on which connecting wires are fastened become. The bonding agent has contacting windows in these areas on. Such an adhesion promoter layer in particular brings above in connection with the description of the semiconductor device explained Advantages regarding detection of misalignment of the production plant with himself.

Hinsichtlich einer technisch einfachen Handhabung der Halbleiterbauelemente nach dem Vereinzeln wird der Folienstreifen mit den strukturierten elektrisch leitenden Schichten vor dem Einlegen in die Spritzform mit dessen Rückseite auf eine Hilfsfolie auflaminiert wird.Regarding a technically simple Handling of the semiconductor components after the separation is the Film strips with the structured electrically conductive layers before inserting it into the injection mold with its back on an auxiliary film is laminated on.

Die Hilfsfolie weist zweckmäßigerweise einen ähnlichen oder einen größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf als das Umhüllmaterial, derart, dass sie einer Verwölbung des Feldes aufgrund einer gegenüber dem Folienstreifen stärkeren Schrumpfung des Umhüllmaterials während dessen Aushärtung und/oder Abkühlung nach dem Umspritzen des Feldes weitestmöglich entgegenwirkt.The auxiliary film expediently has a similar one or a larger thermal Expansion coefficient on than the wrapping material, such that they a warp of the field due to one opposite the film strip more shrinkage of the wrapping material while its curing and / or cooling counteracts as much as possible after the encapsulation of the field.

Zum grundsätzlich gleichen Zweck kann der Folienstreifen außerhalb der Felder Bohrungen, Durchbrüche und/oder Schlitze zur Verringerung von mechanischen Verspannungen aufgrund von unterschiedlichen thermischen Ausdehnungen und/oder Materialschrumpfungen aufweisen.Can basically for the same purpose the film strip outside drilling, breakthroughs in the fields and / or slots to reduce mechanical tension due to different thermal expansions and / or material shrinkage exhibit.

Alternativ zu den oben beschriebenen Mitteln zur Verminderung der Verwölbung des Feldes kann der Folienstreifen aus einem Material bestehen, das einen ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, wie das Umhüllmaterial.As an alternative to those described above The film strip can be used to reduce the warping of the field are made of a material that has a similar coefficient of thermal expansion has, like the wrapping material.

Als weitere alternative oder zusätzliche Maßnahme kann eine bombierte Spritzform verwendet werden, in der das Feld während des Einspritzens der Umhüllmasse in die Kavität gesehen von der Seite, auf der sich später das Material mit dem größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten befindet, konvex gekrümmt ist.As another alternative or additional measure a convex injection mold can be used in the field while of the coating mass injection into the cavity seen from the side on which later the material with the larger thermal Expansion coefficient is located, is convexly curved.

Um ein elektrisches und/oder optisches Testen der Halbleiterbauelemente zu ermöglichen, wird das Feld vor dem Vereinzeln mit der Umhüllungsseite auf eine Folie aufgebracht und nachfolgend ggf. die Hilfsfolie von der Rückseite der Folie abgezogen. Für den Fall, dass eine optische Vermessung des Halbleiterbauelements erforderlich ist, ist diese Folie vorzugsweise für elektromagnetische Strahlung durchlässig und erfolgt die Messung durch die Folie hindurch.An electrical and / or optical one To enable testing of semiconductor devices, the field is presented separating with the wrapping side applied a film and then, if necessary, the auxiliary film from the back peeled off the film. For the Case that an optical measurement of the semiconductor device is required , this film is preferably for electromagnetic radiation permeable and the measurement is made through the film.

Das Vereinzeln des Feldes erfolgt vorzugsweise mittels Sägen, Lasertrennen und/oder Wasserstrahlschneiden.The field is separated preferably using saws, Laser cutting and / or water jet cutting.

Durch die Verwendung der strukturiert elektrisch leitfähigen flexiblen Folie können alle Prozeßschritte des erfindungsgemäßen Verfahrens Reel-to-Reel (von einer Abwickel- zu einer Aufwickelhaspel) durchgeführt werden, was den Handhabungsaufwand bei der Herstellung minimiert.By using the structured electrically conductive flexible film can all process steps of the method according to the invention Reel-to-reel (from a decoiler to a decoiler), which minimizes the handling effort during production.

Darüber hinaus besteht bei dem beschriebenen Konzept die Möglichkeit, auf das Taping der Bauteile zu verzichten. Falls gewünscht, kann eine Mehrzahl zusammengehöriger Bauteile nach einem Chiptest auf dem flexiblen Rahmen zusammen mit einer Wafermap ausgeliefert werden. Alternativ können die Bauteile nach dem Chiptest wie bisher vereinzelt, getaped und ausgeliefert werden.In addition, the described concept the possibility to avoid taping the components. If desired, can a plurality of related ones Components after a chip test on the flexible frame together with be delivered to a wafer map. Alternatively, the components after the Chip test can be isolated, taped and delivered as before.

Weitere Vorteile, Weiterbildungen und Ausgestaltungen des Halbleiterbauelement und des Verfahrens ergeben sich aus dem im Folgenden in Verbindung mit den 1 bis 7 erläuterten Ausführungsbeispielen. In der Zeichnung sind jeweils nur die für das Verständnis der Erfindung wesentlichen Elemente dargestellt.Further advantages, developments and refinements of the semiconductor component and of the method result from the following in conjunction with the 1 to 7 explained embodiments. In the drawing, only the elements essential for understanding the invention are shown.

Es zeigen:Show it:

1 eine schematische Schnittansicht durch das Halbleiterbauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel; 1 is a schematic sectional view through the semiconductor device according to the embodiment;

2 eine schematische Darstellung einer Draufsicht auf die Vorderseite eines Ausschnitts eines Folienstreifens; 2 is a schematic representation of a plan view of the front of a section of a film strip;

3 eine schematische Darstellung einer Draufsicht auf die Rückseite des Ausschnitts von 2; 3 is a schematic representation of a plan view of the back of the section of 2 ;

4 eine ausschnittsweise schematische Darstellung einer Schnittansicht einer Spritzform mit eingelegtem Folienstreifen; 4 a fragmentary schematic representation of a sectional view of an injection mold with inserted film strip;

5 eine ausschnittsweise schematische Darstellung einer Schnittansicht eines Folienstreifens mit umhüllten Halbleiterchips; 5 a fragmentary schematic representation of a sectional view of a film strip with coated semiconductor chips;

6 eine ausschnittsweise schematische Darstellung einer Draufsicht auf einen Folienstreifen mit umhüllten Halbleiterchips; und 6 a fragmentary schematic representation of a plan view of a film strip with coated semiconductor chips; and

7 eine vergrößerte schematische Darstellung eines Ausschnitts des in 6 dargestellten Folienstreifens . 7 an enlarged schematic representation of a section of the in 6 illustrated film strip.

In den Figuren sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Es sind je weils nur diejenigen Bestandteile beschrieben, die zum Verständnis der Erfindung wesentlich sind.In the figures, the same or Identical components with the same reference numerals Mistake. Only those components are described in each case, those for understanding the invention are essential.

Das in 1 dargestellte Halbleiterbauelement nach der Erfindung ist ein oberflächenmontierbares Miniatur-Leuchtdiodenbauelement mit einem Footprint des Typs 402.This in 1 The illustrated semiconductor device according to the invention is a surface-mountable miniature light-emitting diode device with a type 402 footprint.

Bei diesem sind zwei externen elektrische Anschlüsse 3,4 auf einer Kunststoff-Folie 2 ausgebildet, die beispielsweise aus Polyimid (PI) oder Pelyethylennaphthalat (PEN). Die Dicke der Kunststoff-Folie beträgt ungefähr 50 μm oder weniger. Ein Leuchtdiodenchip 1 ist an einer ersten Hauptfläche 22 der Kunststoff-Folie 2 befestigt und dort mit einer Chipumhüllung 5, die auf der ersten Hauptfläche 22 aufgebracht ist, verkapselt.This has two external electrical connections 3 . 4 on a plastic film 2 formed, for example, from polyimide (PI) or pelyethylene naphthalate (PEN). The thickness of the plastic film is approximately 50 μm or less. A glow diode chip 1 is on a first main surface 22 the plastic film 2 attached and there with a chip wrap 5 that on the first main surface 22 is encapsulated.

Die Chipumhüllung 5 besteht vorzugsweise aus einem klaren Kunststoffmaterial, bevorzugt ein ungefülltes klares Epoxidharzmaterial, das mittels Spritzgießen oder Spritzpressen verarbeitbar ist.The chip wrapper 5 consists preferably of a clear plastic material, preferably an unfilled clear epoxy resin material, which can be processed by injection molding or injection molding.

Die zwei externen elektrischen Anschlüsse 3,4 bestehen jeweils aus einem ersten metallisierten Bereich 31,32 auf der ersten Hauptfläche 22 der Folie 2, einem zweiten metallisierten Bereich 41,42 auf der zweiten Hauptfläche 23 der Folie 2 und mindestens einer metallischen elektrischen Durchführung 314,324 durch die Folie 2, die den ersten metallisierten Bereich 31,32 mit dem zugehörigen zweiten metallisierten Bereich 41,42 elektrisch verbindet.The two external electrical connections 3 . 4 each consist of a first metallized area 31 . 32 on the first main area 22 the slide 2 , a second metallized area 41 . 42 on the second main area 23 the slide 2 and at least one metallic electrical feedthrough 314 . 324 through the slide 2 that the first metallized area 31 . 32 with the associated second metallized area 41 . 42 electrically connects.

Die metallisierten Bereiche 31, 32, 41 und 42 weisen jeweils mehrere Schichten auf und enthalten gesehen von der Folie 2 aufeinanderfolgend eine Kupfer oder eine Kupferbasislegierung aufweisende elektrische Leitungsschicht und eine Nickel oder eine Nickelbasislegierung aufweisende Sperrschicht. Auf der Sperrschicht befindet sich zur Verbesserung der Bond- bzw. Lötbarkeit jeweils eine Gold oder eine Goldbasislegierung aufweisende Anschlußschicht. Unter Kupferbasislegierung, Nik kelbasislegierung bzw. Goldbasislegierung sind alle Legierungen zu verstehen, deren Eigenschaften wesentlich von Kupfer, Nickel bzw. Gold bestimmt werden.The metallized areas 31 . 32 . 41 and 42 each have several layers and contain seen from the film 2 successively a copper or a copper-based alloy electrical conduction layer and a nickel or a nickel-based alloy barrier layer. To improve the bondability or solderability, there is a gold or gold-based alloy connection layer on the barrier layer. Copper-based alloy, nickel-based alloy or gold-based alloy are understood to mean all alloys whose properties are essentially determined by copper, nickel or gold.

Die Dicke der elektrischen Leitungsschicht liegt zwischen einschließlich 5 und einschließlich 25 μm.The thickness of the electrical line layer is between including 5 and including 25 μm.

Der Leuchtdiodenchip 1 ist auf dem elektrischen Anschlußbereich 31 mittels eines thermisch gut leitenden Verbindungsmittels befestigt und der zugehörige externe elektrische Anschluß 31,314,41 ist derart ausgebildet, dass er als thermischer Anschluß für den Leuchtdiodenchip nutzbar ist. Das Verbindungsmittel ist beispielsweise ein hinreichend thermisch leitender Klebstoff.The LED chip 1 is on the electrical connection area 31 attached by means of a thermally highly conductive connecting means and the associated external electrical connection 31 . 314 . 41 is designed such that it can be used as a thermal connection for the LED chip. The connecting means is, for example, a sufficiently thermally conductive adhesive.

Die Chipumhüllung 5 weist vorzugsweise in einem in einem Randbereich 52 zu deren seitlichen Rand hin in senkrechter Richtung zur Folien gesehen eine geringere Dicke auf als in einem Mittenbereich 51, der zumindest den Halbleiterchip 1 und ggf. einen oder mehrere Bonddrähte 6 zum Leuchtdiodenchip 1 überspannt. Dies ist in 1 durch die gestrichelten Linien 53, 54 angedeutet und aus den 5, 6 und 7 ersichtlich.The chip wrapper 5 preferably has in an edge region 52 seen to the side edge in the direction perpendicular to the film a smaller thickness than in a central area 51 who at least the semiconductor chip 1 and possibly one or more bond wires 6 to the LED chip 1 spans. This is in 1 through the dashed lines 53 . 54 indicated and from the 5 . 6 and 7 seen.

Die lateralen Abmessungen des oberflächenmontierbaren Leuchtdiodenbauelements betragen maximal 0,5 mm × 1 mm und die Bauteilhöhe ist kleiner als oder gleich 0,4 mm, vorzugsweise kleiner oder gleich 0,35 μm.The lateral dimensions of the surface mount Light-emitting diode components are a maximum of 0.5 mm × 1 mm and the component height is smaller than or equal to 0.4 mm, preferably less than or equal to 0.35 μm.

Zur Realisierung eines mischfarbiges Licht emittierenden Leuchtdiodenbauelements oder zur Umwandlung eines UV-Anteils der vom Leuchtdiodenchip emittierten Strahlung in sichtbares Licht, kann das Umhüllmaterial mit einem Leuchtstoff versetzt sein, der zumindest einen Teil der vom Lumineszenzdiodenchip ausgesandten elektromagnetischen Strahlung absorbiert und elektromagnetische Strahlung einer größeren Wellenlänge als die absorbierte Strahlung emittiert.To realize a mixed color Light-emitting LED component or for conversion a UV component of the radiation emitted by the LED chip in visible light, the wrapping material can be coated with a phosphor be offset, the at least part of that of the LED chip emitted electromagnetic radiation and absorbs electromagnetic radiation a longer wavelength than the absorbed radiation is emitted.

Wie unter anderem aus der 7 ersichtlich weisen die einander gegenüberliegende Enden der externen elektrischen Anschlüsse 3,4 jeweils einen S-artigen Verlauf auf, bei dem jeweils ein vorspringender Teil des einen Endes in einen rückspringenden Teil des anderen Endes ragt. Die elektrischen Durchführungen 314,315 sind jeweils in einem vorspringenden Teil der S-artig verlaufenden Enden angeordnet.As among others from the 7 the opposite ends of the external electrical connections can be seen 3 . 4 each have an S-like course, in which a projecting part of one end projects into a recessed part of the other end. The electrical feedthroughs 314 . 315 are each arranged in a projecting part of the S-like ends.

Bei dem Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelementen gemäß dem Ausführungsbeispiel wird zunächst ein Folienstreifen 200 hergestellt, der beidseitig mit derart strukturierten und mittels metallischer Durchführungen durch den Folienstreifen durchkontaktierten elektrisch leitenden Schichten 203,204 versehen ist, dass ein Feld 201 aus einer Vielzahl von nebeneinander angeordneten Bauelementbereichen 202 ausgebildet ist. Die Vorderseite des Folienstreifens 200 mit der vorderseitigen Metallisierungsstruktur 203 ist in 2, die Rückseite des Folienstreifens 200 mit der rückseitigen Metallisierungsstruktur 204 ist in 3 dargestellt. Ein Bauelementbereich ist in den vergrößerten Ausschnitten der 2 und 3 durch die strichpunktierten Linien 202 angedeutet. Jeder der Bauelementbereiche 202 weist auf Vorder- und Rückseite des Folienstreifens 200 je eine Metallisierungsstruktur 203,204 auf, die zusammen mit elektrischen Durchführungen 314,324 (vgl. 7) einen ersten 3 und einen zweiten externen elektrischen Kontakt 4 ausbilden.In the method for the simultaneous production of a plurality of surface-mountable semiconductor components according to the exemplary embodiment, a film strip is first used 200 Manufactured, the on both sides with such structured and through-plated through the foil strip electrically conductive layers 203 . 204 is provided that a field 201 from a large number of component areas arranged side by side 202 is trained. The front of the film strip 200 with the front metallization structure 203 is in 2 , the back of the film strip 200 with the back metallization structure 204 is in 3 shown. A component area is in the enlarged sections of the 2 and 3 through the dash-dotted lines 202 indicated. Each of the device areas 202 points to the front and back of the film strip 200 one metallization structure each 203 . 204 on that along with electrical feedthroughs 314 . 324 (see. 7 ) a first 3 and a second external electrical contact 4 form.

In jedem Bauelementbereich 202 sind auf der ersten und der zweit=en Hauptfläche 22,23 des Folienstreifens 2 zwei externe elektrische Anschlüsse 3 (= 31/314/41) und 4 (= 32/324/42) (vgl. 1) ausgebildet, wobei jede der Anschlußflächen 31,32 auf der ersten Hauptfläche 22 mittels mindestens einer elektrischen Durchführung 314,324 durch den Folienstreifen 2 mit einer der Anschlußflächen 41,42 auf der zweiten Hauptfläche 23 elektrisch verbunden ist.In every component area 202 are on the first and the second main surface 22 . 23 of the film strip 2 two external electrical connections 3 (= 31 / 314 / 41 ) and 4 (= 32 / 324 / 42 ) (see. 1 ) formed, each of the pads 31 . 32 on the first main area 22 by means of at least one electrical feedthrough 314 . 324 through the film strip 2 with one of the pads 41 . 42 on the second main area 23 is electrically connected.

Auf jeden der Bauelementbereiche wird ein Leuchtdiodenchip 1 aufgebracht, und zwar unmittelbar auf den strukturiert metallisierten Bereich 31. Die Verbindung zwischen dem Leuchtdiodenchip 1 und der metallischen Schicht 31 erfolgt mittels eines elektrisch und thermisch leitenden Klebstoffes, der einen Rückseitenkontakt des Leuchtdiodenchips 1 sowohl elektrisch als auch thermisch mit der metallischen Schicht 31 des externen elektrischen Anschlusses 3 kontaktiert. Nachfolgend wird ein Vorderseitenkontakt eines jeden Leuchtdiodenchips 1 mittels jeweils einem Bonddraht 6 mit der metallischen Schicht 32 des zugehörigen externen elektrischen Anschlusses 4 verbunden.A light-emitting diode chip is placed on each of the component areas 1 applied, directly to the structured metallized area 31 , The connection between the LED chip 1 and the metallic layer 31 takes place by means of an electrically and thermally conductive adhesive, which makes a backside contact of the LED chip 1 both electrically and thermally with the metallic layer 31 the external electrical connection 3 contacted. Below is a front contact of each LED chip 1 using one bond wire each 6 with the metallic layer 32 the associated external electrical connection 4 connected.

In einem dieser Chipmontage- und -anschlußprozedur nachgeordnetem Schritt wird das mit den Leuchtdiodenchips 1 versehene Feld 201 mit der Vielzahl von Leuchtdiodenchips 1 in eine Spritzform 500 eingelegt (vgl. 4). In dieser Spritzform 500 ist mindestens eine Kavität 501 ausgebildet, die sämtliche Halbleiterchips 1 des Feldes 201 überspannt und nur auf der Seite der Leuchtdiodenchips 1 über dem Folienstreifen einen Hohlraum für die Umhüllmasse läßt. In diese Kavität wird nachfolgend das Umhüllmaterial eingespritzt, vorzugsweise mittels eines Filmangusses von einer Seite der Kavität her.In a step downstream of this chip assembly and connection procedure, this is done with the LED chips 1 provided field 201 with the multitude of LED chips 1 into an injection mold 500 inserted (cf. 4 ). In this mold 500 is at least one cavity 501 trained all semiconductor chips 1 of the field 201 spanned and only on the side of the LED chips 1 leaves a cavity for the wrapping mass over the film strip. The wrapping material is subsequently injected into this cavity, preferably by means of a film sprue from one side of the cavity.

Die Kavität 501 weist eine Vielzahl von Ausnehmungen 502 auf, die beim Spritzgießen jeweils über einem Halbleiterchip 1 positioniert sind. Folglich wird die Dicke der Chipumhüllung 5 jeweils in den Bereichen der Leuchtdiodenchips 1 und der Bonddrähte 6 größer ausgestaltet als im übrigen Bereich des Feldes 201. Das Umhüllmaterial weist nach dem Herausnehmen des Feldes 201 aus der Spritzform eine Vielzahl von nebeneinander angeordneten Erhebungen 51 auf, so dass das Feld insgesamt nach dem Umhüllen eine einer Schokoladentafelstruktur ähnliche Struktur hat (vgl. die 6 und 7).The cavity 501 has a variety of recesses 502 on the injection molding each over a semiconductor chip 1 are positioned. Consequently, the thickness of the chip wrap 5 each in the areas of the LED chips 1 and the bond wires 6 larger than in the rest of the field 201 , The wrapping material shows after removing the field 201 a plurality of elevations arranged side by side from the injection mold 51 so that the field as a whole has a structure similar to a chocolate bar structure after wrapping (cf. 6 and 7 ).

Der Vorteil einer solchen Ausgestaltung ist im allgemeinen Teil der Beschreibung angegeben. Sie vermindert die Verwöl bung des Feldes während des Aushärtens des Umhüllmaterials.The advantage of such a design is given in the general part of the description. It diminishes the warp of the field during the curing of the wrapping material.

Nach einem zumindest teilweisen Aushärten des Umhüllmaterials 50 wird das umspritzte Leuchtdiodenfeld 201 aus der Spritzform 500 herausgenommen und vorzugsweise mit der Rückseite des Folienstreifens 200 auf eine Klebefolie 400 aufgebracht (vgl. 5). Dieses Aufbringen auf eine Klebefolie 400 dient dazu, das Feld 201 während und nach einem späteren Vereinzeln in einzelne Leuchtdiodenbauelemente im Verbund zusammenzuhalten.After at least partial curing of the wrapping material 50 becomes the extrusion-coated LED field 201 from the injection mold 500 removed and preferably with the back of the film strip 200 on an adhesive film 400 upset (cf. 5 ). This application on an adhesive film 400 serves the field 201 to hold together during and after a later separation into individual light-emitting diode components.

Das Vereinzeln des Feldes 201 erfolgt mittels Durchtrennen des Chipumhüllungsmaterials und des Folienstreifens 200 mit den strukturierten Metallisierungen 203,204 zwischen den Bauelementbereichen 202, das heißt in den Gräben 52 zwischen den Erhebungen 51 des Umhüllungsmaterials 50. Hierzu können herkömmliche Methoden wie Sägen, Lasertrennen oder Wasserstrahlschneiden eingesetzt werden.Separating the field 201 is done by cutting the chip wrapping material and the film strip 200 with the structured metallizations 203 . 204 between the component areas 202 , that is in the trenches 52 between the surveys 51 of the wrapping material 50 , Conventional methods such as sawing, laser cutting or water jet cutting can be used for this.

Zur Verbesserung der Haftung zwischen dem Umhüllmaterial 50 und dem Folienstreifen 200 wird auf den Folienstreifen 200 und/oder die elektrisch leitenden Schichten 203,204 ein Haftvermittler insbesondere in Form eines Decklacks aus Polyimid aufgebracht. Vorzugsweise wird der Haftvermittler jeweils auf den gesamten Bereich des Feldes 201 aufgebracht, ausgenommen die Chipmontagebereiche, in denen die Leuchtdiodenchips 1 auf die zugeordneten externen elektrischen Anschlüsse 3 montiert und kontaktiert werden, und ausgenommen die Drahtmontagebereiche, auf denen die Bonddrähte 6 mit den zugehörigen externen elektrischen Anschlüssen 4 verbunden werden.To improve the adhesion between the wrapping material 50 and the film strip 200 will be on the film strip 200 and / or the electrically conductive layers 203 . 204 an adhesion promoter applied in particular in the form of a top coat made of polyimide. The adhesion promoter is preferably applied to the entire area of the field 201 applied, except for the chip assembly areas, in which the LED chips 1 to the assigned external electrical connections 3 assembled and contacted, except for the wire assembly areas on which the bond wires 6 with the associated external electrical connections 4 get connected.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens wird der Folienstreifen 200 mit den strukturierten Metallisierungsschichten 203,204 vor dem Einlegen in die Spritzform 500 auf eine Hilfsfolie auflaminiert, die einen ähnlichen oder einen größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist als das Umhüllmaterial. Damit kann die Hilfsfolie einer Verwöl bung des Feldes aufgrund einer gegenüber dem Folienstreifen 200 stärkeren Schrumpfung des Umhüllmaterials 50 während dessen Aushärtung und/oder Abkühlung nach dem Umspritzen des Feldes 201 entgegenwirken. Die Hilfsfolie kann nachfolgend beim Vereinzeln die Funktion der oben beschriebenen Klebefolie übernehmen.In an advantageous embodiment of the method, the film strip 200 with the structured metallization layers 203 . 204 before inserting into the injection mold 500 laminated onto an auxiliary film which has a similar or a greater coefficient of thermal expansion than the wrapping material. Thus, the auxiliary film can cause a warping of the field due to the film strip 200 greater shrinkage of the wrapping material 50 during its curing and / or cooling after the encapsulation of the field 201 counteract. The auxiliary film can subsequently take over the function of the adhesive film described above when separating.

Eine weitere Maßnahme, der Verwölbung des Feldes aufgrund von mechanischen Verspannungen wegen unterschiedlichen thermischen Ausdehnungen und/oder Materialschrumpfungen von Umhüllmaterial und Folienstreifen entgegenzuwirken ist die Ausbildung von Bohrungen, Durchbrüchen und/oder Schlitzen 210 ausserhalb des Feldes 201.Another measure to counteract the warping of the field due to mechanical tension due to different thermal expansions and / or material shrinkage of the wrapping material and film strips is the formation of bores, openings and / or slots 210 outside the field 201 ,

Alternativ oder zusätzlich zu den oben beschriebenen Maßnahmen kann ein Folienstreifen 200 verwendet werden, der aus einem Material besteht, das einen ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist wie das Umhüllmaterial 50.As an alternative or in addition to the measures described above, a film strip can be used 200 can be used, which consists of a material that has a similar coefficient of thermal expansion as the wrapping material 50 ,

Weiterhin alternativ oder zusätzlich kann aus dem gleichen Grund eine bombierte Spritzform verwendet wird, in der das Feld 201 während des Einspritzens der Umhüllmasse 50 in die Kavität 501 gesehen von der Seite der Leuchtdiodenchips 1 konvex gekrümmt ist.Furthermore, alternatively or additionally, a cambered injection mold can be used for the same reason in which the field 201 during the injection of the coating compound 50 into the cavity 501 seen from the side of the LED chips 1 is convexly curved.

Die Erläuterung der Erfindung an Hand des Ausführungsbeispieles ist selbstverständlich nicht als Beschränkung der Erfindung auf dieses zu verstehen. Vielmehr sind die im vorstehenden allgemeinen Teil der Beschreibung, in der Zeichnung sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung sowohl einzeln als auch in dem Fachmann als geeignet erscheinender Kombination für die Verwirklichung der Erfindung wesentlich.The explanation of the invention on hand of the embodiment is self-evident not as a limitation the invention to understand this. Rather, the above are general part of the description, in the drawing and in the claims disclosed Features of the invention both individually and in the expert as suitable combination for the implementation of the invention essential.

Claims (31)

Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip (1), mindestens zwei externen elektrischen Anschlüssen (3,4), die mit mindestens zwei elektrischen Kontakten des Halbleiterchips (1) elektrisch leitend verbunden sind, und einer Chipumhüllung (5), wobei: – die zwei externen elektrischen Anschlüsse (3,4) an einer Folie (2) ausgebildet sind, die eine Dicke von kleiner oder gleich 100 μm aufweist, – der Halbleiterchip (1) an einer ersten Hauptfläche (22) der Folie (2) befestigt ist, und – die Chipumhüllung (5) auf der ersten Hauptfläche (22) aufgebracht ist.Surface-mountable semiconductor component with a semiconductor chip ( 1 ), at least two external electrical connections ( 3 . 4 ) with at least two electrical contacts of the semiconductor chip ( 1 ) are connected in an electrically conductive manner, and a chip casing ( 5 ), whereby: - the two external electrical connections ( 3 . 4 ) on a slide ( 2 ) are formed that have a thickness of less than or equal to 100 μm, - the semiconductor chip ( 1 ) on a first main surface ( 22 ) the slide ( 2 ) is attached, and - the chip casing ( 5 ) on the first main surface ( 22 ) is applied. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die Chipumhüllung (5) mittels eines Spritzverfahrens hergestellt ist.Semiconductor component according to Claim 1, in which the chip cladding ( 5 ) is produced by means of a spraying process. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die zwei externen elektrischen Anschlüsse (3,4) jeweils von einem ersten elektrischen Anschlußbereich (31,32) auf der ersten Hauptfläche (22) der Folie (2), einem zweiten elektrischen Anschlußbereich (41,42) auf der zweiten Hauptfläche (23) der Folie (2) und mindestens einer elektrischen Durchführung (314, 324) durch die Folie (2), die den ersten Anschlußbereich (31,32) mit dem zugehörigen zweiten Anschlußbereich (41,42) elektrisch verbindet; ausgebildet sind.Semiconductor component according to Claim 1 or 2, in which the two external electrical connections ( 3 . 4 ) each from a first electrical connection area ( 31 . 32 ) on the first main surface ( 22 ) the slide ( 2 ), a second electrical connection area ( 41 . 42 ) on the second main surface ( 23 ) the slide ( 2 ) and at least one electrical feedthrough ( 314 . 324 ) through the foil ( 2 ), the first connection area ( 31 . 32 ) with the associated second connection area ( 41 . 42 ) electrically connects; are trained. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, bei dem die elektrischen Anschlußbereiche (31,32,41,42) strukturierte Metallschichten auf der Folie (2) sind.Semiconductor component according to Claim 3, in which the electrical connection regions ( 31 . 32 . 41 . 42 ) structured metal layers on the foil ( 2 ) are. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, bei dem die Metallschichten mehrschichtig aufgebaut sind und gesehen von der Folie (2) aufeinanderfolgend eine Kupfer oder eine Kupferbasislegierung aufweisende Leitungsschicht und eine Nickel oder eine Nickelbasislegierung aufweisende Sperrschicht enthält.Semiconductor component according to Claim 4, in which the metal layers are constructed in multiple layers and viewed from the film ( 2 ) contains in succession a copper or copper-based alloy conductive layer and a nickel or nickel-based alloy barrier layer. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, bei dem auf der Sperrschicht zur Verbesserung der Bond- und Lötbarkeit eine Gold oder eine Goldbasislegierung aufweisende Anschlußschicht aufgebracht ist.A semiconductor device according to claim 5, in which on the barrier layer to improve the bondability and solderability a connection layer comprising gold or a gold-based alloy is applied. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, bei dem die Leitungsschicht eine Dicke zwischen einschließlich 5 und einschließlich 25 μm aufweist.A semiconductor device according to claim 5, wherein the conduction layer a thickness between and including 5 and including 25 μm. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 3 bis 7, bei dem der Halbleiterchip (1) auf einem der beiden ersten elektrischen Anschlußbereiche (31,32) mittels eines thermisch gut leitenden Verbindungsmittels befestigt ist und der entsprechende externe elektrische Anschluß (31,314,41) derart ausgebildet ist, dass er als thermischer Anschluß für den Halbleiterchip (1) nutzbar ist.Semiconductor component according to at least one of Claims 3 to 7, in which the semiconductor chip ( 1 ) on one of the first two electrical connection areas ( 31 . 32 ) is attached by means of a thermally highly conductive connecting means and the corresponding external electrical connection ( 31 . 314 . 41 ) is designed such that it acts as a thermal connection for the semiconductor chip ( 1 ) can be used. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Chipumhüllung (5) in einem Bereich (51) um deren Mitte, der zumindest den Halbleiterchip (1) und ggf. einen oder mehrere Bonddrähte (6) zum Halbleiterchip umfaßt, in senkrechter Richtung zur Folie (2) gesehen eine größere Dicke aufweist als in einem zweiten Bereich (52) zu deren seitlichen Rand hin.Semiconductor component according to at least one of the preceding claims, in which the chip cladding ( 5 ) in one area ( 51 ) around their center, which at least the semiconductor chip ( 1 ) and possibly one or more bond wires ( 6 ) to the semiconductor chip, in the direction perpendicular to the film ( 2 ) has a greater thickness than in a second area ( 52 ) towards the side edge. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die lateralen Abmessungen maximal 0,5 mm × 1 mm betragen und die Bauteilhöhe kleiner als oder gleich 0,4 mm ist.Semiconductor component according to at least one of the preceding Expectations, in which the lateral dimensions are a maximum of 0.5 mm × 1 mm and the component height is less than or equal to 0.4 mm. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterchip (1) ein Lu mineszenzdiodenchip ist und die Chipumhüllung (5) aus einem elektromagnetische Strahlung durchlässigen Material besteht, insbesondere einen elektromagnetische Strahlung durchlässigen Kunststoff aufweist.Semiconductor component according to at least one of the preceding claims, in which the semiconductor chip ( 1 ) is a luminescence diode chip and the chip casing ( 5 ) consists of a material that is permeable to electromagnetic radiation, in particular has a plastic that is permeable to electromagnetic radiation. Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, bei dem das elektromagnetische Strahlung durchlässige Material einen Leuchtstoff enthält, der zumindest einen Teil der vom Lumineszenzdiodenchip ausgesandten elektromagnetischen Strahlung absorbiert und elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge als die absorbierte Strahlung emittiert.A semiconductor device according to claim 11, wherein the electromagnetic Radiation permeable material contains a phosphor, the at least part of that emitted by the LED chip absorbs electromagnetic radiation and electromagnetic Radiation of a different wavelength than the absorbed radiation emits. Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, bei dem das elektromagnetische Strahlung durchlässige Material ein ungefülltes klares Kunststoffmaterial ist.A semiconductor device according to claim 11, wherein the electromagnetic Radiation permeable material an unfilled is clear plastic material. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Folie (2) eine Dicke von 50 μm oder weniger aufweist.Semiconductor component according to at least one of the preceding claims, in which the film ( 2 ) has a thickness of 50 μm or less. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Folie (2) eine Kunststoff-Folie ist.Semiconductor component according to at least one of the preceding claims, in which the film ( 2 ) is a plastic film. Halbleiterbauelement nach Anspruch 15, bei dem die Folie (2) Polyimid oder Polyethylennaphthalat aufweist.A semiconductor device according to claim 15, wherein the film ( 2 ) Has polyimide or polyethylene naphthalate. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4 oder nach mindestens einem der Ansprüche 5 bis 16 unter Rückbezug auf Anspruch 4, bei dem einander gegenüberliegende Enden der externen elektrischen Anschlüsse (3,4) jeweils S-artig verlaufen und die elektrischen Durchführungen (314,315) jeweils in einem vorspringenden Teil (der S-artig verlaufenden Enden angeordnet sind.Semiconductor component according to Claim 4 or according to at least one of Claims 5 to 16 with reference back to Claim 4, in which opposite ends of the external electrical connections ( 3 . 4 ) run in an S-like manner and the electrical feedthroughs ( 314 . 315 ) are each arranged in a projecting part (the S-like ends. Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelementen mit jeweils mindestens einem Halbleiterchip (1), mindestens zwei externen elektrischen Anschlüssen (3,4), die mit mindestens zwei elektrischen Kontakten des Halbleiterchips (1) elektrisch leitend verbunden sind, und einer Chipumhüllung (5), mit den Verfahrensschritten: a) Bereitstellen eines Folienstreifens (200), der beidseitig mit derart strukturierten und durch den Folienstreifen durchkontaktierten elektrisch leitenden Schichten (203,204) versehen ist, dass ein Feld (201) aus einer Vielzahl von nebeneinander angeordneten Bauelementbereichen (202) ausgebildet ist, die jeweils Strukturen der elektrisch leitenden Schichten (203,204) für die mindestens zwei externen elektrischen Anschlüsse (3,4) umfassen, b) Aufbringen von jeweils mindestens einem Halbleiterchip (1) auf jedem der Bauelementbereiche (202) und elektrisches Verbinden des Halbleiterchips (1) mit den zugehörigen externen elektrischen Anschlüssen (3,4), c) Einlegen des Feldes (201) in eine Spritzform (500) , in der für ein Feld (201) eine einzige sämtliche Halbleiterchips (1) des Feldes (201) überspannende und dort im wesentlichen ausschließlich auf der Seite der Halbleiterchips (1) hohlraumbildenden Kavität (501) vorgesehen ist, d) Einspritzen von Umhüllmaterial (50) in die Kavität (501), e) Zumindest teilweises Aushärten des Umhüllmaterial (50) und Herausnehmen des Feldes (201) aus der Spritzform (500) , und f) Vereinzeln des Feldes (201) in einzelne Halbleiterbauelemente mittels Durchtrennen des Chipumhüllungsmaterials und des Folienstreifens (200) mit den strukturierten elektrisch leitenden Schichten (203,204) zwischen den Bauelementbereichen (202).Method for the simultaneous production of a plurality of surface-mountable semiconductor components, each with at least one semiconductor chip ( 1 ), at least two external electrical connections ( 3 . 4 ) with at least two electrical contacts of the semiconductor chip ( 1 ) are connected in an electrically conductive manner, and a chip casing ( 5 ), with the procedural steps: a) providing a film strip ( 200 ), which is structured on both sides with such electrically conductive layers and through-plated through the foil strip ( 203 . 204 ) is provided that a field ( 201 ) from a large number of component areas arranged side by side ( 202 ) is formed, the structures of the electrically conductive layers ( 203 . 204 ) for the at least two external electri connections ( 3 . 4 ) comprise, b) application of at least one semiconductor chip in each case ( 1 ) on each of the component areas ( 202 ) and electrically connecting the semiconductor chip ( 1 ) with the associated external electrical connections ( 3 . 4 ), c) insert the field ( 201 ) in an injection mold ( 500 ) in which for a field ( 201 ) a single all semiconductor chips ( 1 ) of the field ( 201 ) spanning and there essentially only on the side of the semiconductor chips ( 1 ) cavity-forming cavity ( 501 ) is provided, d) injection of wrapping material ( 50 ) into the cavity ( 501 ), e) At least partial curing of the wrapping material ( 50 ) and removing the field ( 201 ) from the injection mold ( 500 ), and f) separating the field ( 201 ) into individual semiconductor components by cutting through the chip encapsulation material and the film strip ( 200 ) with the structured electrically conductive layers ( 203 . 204 ) between the component areas ( 202 ). Verfahren nach Anspruch 18, bei dem die Kavität (501) eine Vielzahl von Ausnehmungen (502) aufweist, die beim Spritzgießen jeweils über Halbleiterchips (1) positioniert sind, so daß die Dicke des Umhüllmaterials im Bereich von Halbleiterchips (1) und ggf. einem oder mehreren Bonddrähten (6) zum Halbleiterchip (1) größer ist als im übrigen Bereich der Kavität (501).The method of claim 18, wherein the cavity ( 501 ) a large number of recesses ( 502 ), which during injection molding each have semiconductor chips ( 1 ) are positioned so that the thickness of the encapsulation material in the area of semiconductor chips ( 1 ) and possibly one or more bond wires ( 6 ) to the semiconductor chip ( 1 ) is larger than in the rest of the cavity ( 501 ). Verfahren nach Anspruch 19, bei dem über jedem Halbleiterchip (1) des Feldes (201) eine separate Ausnehmung (502) vorgesehen ist, derart, dass das Umhüllmaterial nach dem Schritt e) eine Vielzahl von nebeneinander angeordneten Erhebungen (51), insbesondere eine Schokoladentafelstruktur aufweist.The method of claim 19, wherein over each semiconductor chip ( 1 ) of the field ( 201 ) a separate recess ( 502 ) is provided in such a way that after step e) the wrapping material has a multiplicity of elevations arranged next to one another ( 51 ), in particular has a chocolate bar structure. Verfahren nach Anspruch 20, bei dem das Vereinzeln des Feldes (201) mittels Durchtrennen des Umhüllmaterials (50) und des Folienstreifens (200) mit den strukturierten elektrisch leitenden Schichten (203,204) in den Gräben (52) zwischen den Erhebungen (51) erfolgt.The method of claim 20, wherein the separating the field ( 201 ) by cutting through the wrapping material ( 50 ) and the film strip ( 200 ) with the structured electrically conductive layers ( 203 . 204 ) in the trenches ( 52 ) between the surveys ( 51 ) he follows. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 18 bis 21, bei dem vor dem Einspritzen von Umhüllmaterial (50) in die Kavität (501) auf die Folie (2) und/oder die elektrisch leitenden Schichten (203,204) ein Haftvermittler aufgebracht wird.Method according to at least one of Claims 18 to 21, in which, before the injection of wrapping material ( 50 ) into the cavity ( 501 ) on the slide ( 2 ) and / or the electrically conductive layers ( 203 . 204 ) an adhesion promoter is applied. Verfahren nach Anspruch 22, bei dem der Haftvermittler jeweils auf den gesamten Bauelementbereich (202) aufgebracht wird, ausgenommen ein Chipmontagebereich, auf dem der Halbleiterchip (1) befestigt wird, und ggf. einen oder mehrere Drahtmontagebereiche, auf denen Anschlußdrähte (6) befestigt werden.Method according to claim 22, in which the adhesion promoter in each case extends over the entire component area ( 202 ) is applied, with the exception of a chip mounting area on which the semiconductor chip ( 1 ) and, if necessary, one or more wire mounting areas on which connecting wires ( 6 ) are attached. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 18 bis 23, bei dem das Umhüllmaterial (50) mittels Filmanguss von der Seite in die Kavität (501) eingespritzt wird.Method according to at least one of Claims 18 to 23, in which the wrapping material ( 50 ) from the side into the cavity using a film sprue ( 501 ) is injected. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 18 bis 24, bei dem der Folienstreifen (200) mit den strukturierten elektrisch leitenden Schichten (203,204) vor dem Einlegen in die Spritzform (500) auf eine Hilfsfolie auflaminiert wird.Method according to at least one of Claims 18 to 24, in which the film strip ( 200 ) with the structured electrically conductive layers ( 203 . 204 ) before inserting into the injection mold ( 500 ) is laminated onto an auxiliary film. Verfahren nach Anspruch 25, bei dem die Hilfsfolie einen ähnlichen oder einen größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist als das Umhüllmaterial, derart, dass sie einer Verwölbung des Feldes aufgrund einer gegenüber dem Folienstreifen (200) stärkeren Schrumpfung des Umhüllmaterials (50) während dessen Aushärtung und/oder Abkühlung nach dem Umspritzen des Feldes (201) weitestgehend entgegenwirkt.26. The method of claim 25, wherein the auxiliary film has a similar or a larger coefficient of thermal expansion than the wrapping material, such that it causes warping of the field due to a compared to the film strip ( 200 ) greater shrinkage of the wrapping material ( 50 ) during its curing and / or cooling after overmolding the field ( 201 ) counteracts as far as possible. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 18 bis 26, bei dem der Folienstreifen außerhalb der Felder (201) Bohrungen, Durchbrüche und/oder Schlitze (210) zur Verringerung von mechanischen Verspannungen aufgrund von unterschiedlichen thermischen Ausdehnungen und/oder Materialschrumpfungen aufweist.Method according to at least one of claims 18 to 26, in which the film strip outside the fields ( 201 ) Holes, breakthroughs and / or slots ( 210 ) to reduce mechanical tension due to different thermal expansions and / or material shrinkage. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 18 bis 27, bei dem der Folienstreifen (200) aus einem Material besteht, das einen ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, wie das Umhüllmaterial (50).Method according to at least one of Claims 18 to 27, in which the film strip ( 200 ) consists of a material that has a similar coefficient of thermal expansion as the wrapping material (50). Verfahren nach mindesten einem der Ansprüche 18 bis 28, bei dem eine bombierte Spritzform verwendet wird, in der das Feld (201) während des Einspritzens der Umhüllmasse (50) in die Kavität (501) gesehen von der Seite der Halbleiterchips (1) konvex gekrümmt ist.Method according to at least one of Claims 18 to 28, in which a convex injection mold is used in which the field ( 201 ) during the injection of the coating compound ( 50 ) into the cavity ( 501 ) seen from the side of the semiconductor chips ( 1 ) is convexly curved. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 18 bis 29, bei dem das Feld vor dem Schritt f) auf eine Folie aufgebracht wird.Method according to at least one of claims 18 to 29, wherein the Field is applied to a film before step f). Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 18 bis 30, bei dem beim Schritt f) mindestens eines der Verfahren Sägen, Lasertrennen und Wasserstrahlschneiden verwendet wird.The method according to at least one of claims 18 to 30, in which Step f) at least one of the processes sawing, laser cutting and water jet cutting is used.
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