SU945918A1 - Способ обработки отпа нных электронно-лучевых трубок с газосодержащим газопоглотителем - Google Patents

Description

Изобретение относится к производству электроннолучевых трубок, в частности к обработке отпаянных электроннолучевых трубок.

Известен способ очистки радиоэлектронных деталей путем промывания в ⁵ противотоке ректифицированного трихлорэтилена. с последующей сушкой[1].

Однако этот способ неприменим к отпаянным электроннолучевым трубкам.

Известен также способ обработки отпаянных электроннолучевых трубок с газосодержащим газопоглотителем, содержащий операции распыления газопоглотителя и высоковольного прожига. ₁₅ Распыление газосодержащих газопоглотителей производится с помощью высокочастотной энергии, подводимой к газопоглотителю, и сопровождается повышением давления внутри электрон- 20 нолучевой трубки до 0,1 -1,0 Па за счет выделения а'ктивирующего газа, например азота, который впоследствие поглощается активным вещест2 вом газопоглотителя. После распыления газопоглотителя, для повышения электрической прочности готовых электроннолучевых трубок производится высоковольтный прожиг, сущность*которого заключается в том, что между высоковольтным электродом (анодом) и закороченными между собой и' заземленными электродами элгктроннооптической системы прикладывается высокое напряжение £2].

Однако высоковольтному прожигу присущи возможность возникновения дугового разряда, что приводит к распылению материала электродов и образованию металлического налета на изоляторах электронно-оптической системы и горловине оболочки электроннолучевой трубки, возможность разрушения оксидного покрытия катода, а также низкая эффективность очистки деталей электронно-оптической системы, экранированных близлежащим к аноду электродом.

Цель изобретения - повышение электрической прочности электродной системы и эмиссионной способности катода отпаянных электроннолучевых трубок.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу обработки отпаянных электроннолучевых трубок с газосодержащим· газопоглотителем, содержащему операции распыле-. ния газопоглотителя и высоковольтного прожига^в процессе распыления газопоглотителя между -электродами трубки поддерживают тлеющий разряд с последующим переходом его в высоковольтный прожиг .

На чертеже представлена блок-схема устройства для практического осуществления способа в производстве кинескопов.

Устройство для обработки кинескопов по предлагаемому способу состоит из узла 1 запуска генератора 2, источника 3 напряжения, программного устройства 4 и индуктора 5- Узел 1 запуска обеспечивает одновременное включение генератора 2 высокочастотных колебаний, источника 3 переменного напряжения, и запуск программного устройства 4. Генератор 2 совместно с индуктором 5 вырабатывает высокочастотные колебания, энергия которых передается газопоглотителю 6 кинескопа 7. Напряжение источника 3 приложено между анодом 8 и соединенными вместе остальными электродами электронно-оптической системы 9 кинескопа 7- Программное устройство 4 по заданной программе осуществляет отключение генератора 2 и источника 3 напряжения. Заземление анода 8 обеспечивает экранирование промежутка анод - остальные электроды электронно-оптической системы 9 от воздействия электромагнитного поля индуктора 5 и улучшает условия выполнения предлагаемого способа.

Одновременное с, началом разогрева газопоглотителя приложение напряжения от маломощного источника между анодом и остальными электродами электронно-оптической системы приводит к возникновению тлеющего разряда в газе, выделяющемся при рас'пылении газопоглотителя, В результате происходит эффективная плазменная очистка всех деталей электронно-оптической системы, способствую4 щая повышению электрической прочности готового кинескопа.

Flo мере распыления газопоглотителя и понижения давления внутри кинескопа разряд в зоне электроннооптической системы затухает и со- противление промежутка анод - остальные электроды резко возрастает.. В связи с этим происходит уменьшение ίο падения напряжения на внутреннем сопротивлении источника, приложенное к промежутку анод-остальные электроды напряжение возрастает, в результате чего плазменная очистка, не₎₅ посредственно переходит в высоковольтный прожиг. При испытании способа разряд в зоне анод - остальные электроды электронно-оптической системы возникает спустя 2~3 с с момента включения ₂₀ генератора 2 и источника 3 напряжения и длится 8-10 с, затем в течение 3-5 с происходит высоковольтный прожиг.

Внедрение предлагаемого способа в ₂₅ производство обеспечит эффективную очистку всего объема в зоне электронно-оптической системы, что повысит электрическую прочность готовых электроннолучевых трубок, позволит проводить высоковольтный прожиг при более низких напряжениях, что в значительной мере устранит возмож- . ность разрушения оксидного покрытия катода, существенно сократит время проведения высоковольтного прожига, ³⁵ а следовательно, общее время обработки собранных электроннолучевых трубок.

Внедрение способа позволит также снизить рекламационный возврат на 1,51,7% и эмиссионный брак в производстве на 0,6-0,7%.

Claims (1)

1. Авторское свидетельство СССРМ., Энерги , 1978, с. 251-270

№370673,кл.Н 01 J 9/00,опублик.1973.(прототип).