KR20190044214A - A sensor or an energy generating device including a dome portion, a method of manufacturing the sensor or the energy generating device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 돔 부를 포함하는 센서 또는 에너지 생성장치, 그 센서 또는 에너지 생성장치의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기재의 표면상에 돔 부를 포함시켜서 표면적을 넓힘으로써 민감도가 높아지는 센서 또는 에너지 생성량을 늘리는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a sensor or an energy generating device including a dome, a method of manufacturing the sensor or an energy generating device, and more particularly, to a sensor or an energy generation amount sensor which increases the sensitivity by including a dome portion on the surface of a substrate, To the apparatus.
마찰대전(triboelectric) 발전 기술은, 외부로부터의 압력 또는 진동에 의해, 마찰전기 시리즈(triboelectric series)에서 서로 다른 값을 갖는 부재 사이의 계면에서의 마찰을 발생하도록 하고, 이러한 마찰에 의해 유도된 전위차로부터 전기를 발생시키는 발전 기술이다. 이러한 마찰대전 발전은 마찰대전 재료의 특성 및 표면 구조 등에 영향을 받는다. 따라서 마찰대전 재료의 특성을 고려해야 하는 불편이 따른다.Triboelectric power generation technology allows friction from an interface between members having different values in a triboelectric series to be generated by external pressure or vibration, To generate electricity from the power generation system. Such triboelectric power generation is affected by the characteristics and surface structure of the friction charging material. Therefore, it is inconvenient to consider the characteristics of the friction charging material.
이러한 불편을 해결하기 위하여 출현한 기술 중의 하나가 공개특허 10-2014-0175648호 "접촉 대전 발전기 및 그 제조방법"인데, 접촉 대전 발전기 내부에 홀을 형성하여 삼차원적 적층효과를 얻으려는 접촉대전 발전기가 게재되어 있다.One of the emerging technologies for solving such inconvenience is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2014-0175648 entitled " contact charging generator and its manufacturing method ", which is a contact charging power generator in which holes are formed in the contact charging generator to obtain a three- .
그러나 상기 공개특허 또한 접촉면적의 충분한 증가를 시키는 데는 한계가 있는 문제점이 있다.However, the above-mentioned patent also has a problem in that a sufficient increase in the contact area is limited.
본 발명은 기재의 표면상에 돔 부를 포함시켜서 표면적을 넓힘으로써 민감도가 높아지는 센서 또는 에너지 생성량을 늘리는 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a sensor that increases the sensitivity by increasing the surface area by including a dome portion on the surface of the base material, or an apparatus for increasing the energy generation amount.
본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명은 제1기재, 제1기재의 상면 상에 형성되어 있는 제1돔부, 상기 제1기재 또는 상기 제1돔부 상에 형성되어 있는 제1도전층을 포함하는 제1도전성 부재, 상기 제1도전성 부재에 전기적으로 연결되어 있는 제1전극, 상기 제1도전성 부재의 상면으로부터 이격되어 배치되어 있는 제2도전성 부재 및 상기 제2도전성 부재와 전기적으로 연결되어 있는 제2전극을 포함하고, 상기 제1도전성 부재 및 상기 제2도전성 부재 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전층과 상기 제2도전성 부재가 접촉되면, 상기 제1도전성 부재와 상기 제2도전성 부재가 전기적으로 연결되는 센서를 제공한다.According to one aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a first dome portion formed on a first substrate, a first substrate, and a first conductive layer formed on the first dome portion, A first conductive member, a first electrode electrically connected to the first conductive member, a second conductive member spaced apart from an upper surface of the first conductive member, and a second conductive member electrically connected to the second conductive member, Wherein at least one of the first conductive member and the second conductive member is applied with an external force so that when the first conductive layer contacts the second conductive member, And the second conductive member is electrically connected.
또한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 발명은 제1기재 및 상기 제1기재 상면 상에 형성되어 있는 제1돔부를 포함하는 제1부재, 상기 제1부재에 전기적으로 연결되어 있는 제1전극, 상기 제1부재의 상면으로부터 이격되어 배치되어 있는 제2부재 및 상기 제2부재에 전기적으로 연결되어 있는 제2전극을 포함하고, 상기 제1부재에서 상기 제2부재를 대향하는 면 중 일부 또는 전체는 제1유전체로 형성되어 있고, 상기 제2부재에서 상기 제1부재를 대향하는 면 중 일부 또는 전체는 제2유전체로 형성되어 있고, 상기 제1유전체와 상기 제2유전체는 마철전기 시리즈(triboelectric series)에서 서로 상이한 값을 가지며, 상기 제1부재 및 상기 제2부재 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1유전체와 상기 제2유전체가 접촉과 분리가 반복되면, 상기 제1전극, 상기 제1유전체, 상기 제2유전체 및 상기 제2전극을 통하여 전류가 흐르게 되는 에너지 생성장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising a first member including a first substrate and a first dome portion formed on an upper surface of the first substrate, a first electrode electrically connected to the first member, A second member spaced apart from an upper surface of the first member and a second electrode electrically connected to the second member, wherein a part or all of the surfaces of the first member facing the second member Wherein at least a part of the surface of the second member facing the first member is formed of a second dielectric, and the first dielectric and the second dielectric are formed of a triboelectric wherein when an external force is exerted from at least one of the first member and the second member to cause the first dielectric and the second dielectric to contact and separate from each other, Electrode, through the first dielectric, the second dielectric and the second electrode provides the energy-generating device for the current to flow.
또한 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 본 발명은 제1기재, 상기 제1기재의 상면 상에 일체로 형성되어 있는 제1돔부를 포함하는 제1도전성 부재를 준비하는 단계, 상기 제1돔부 상에 복수 개의 제1나노로드들을 성장시키는 단계, 상기 제1기재, 상기 제1돔부 및 상기 제1나노로드들을 덮도록 제1도전층을 형성하는 단계, 제1전극을 상기 제1도전층에 전기적으로 연결하는 단계, 제2기재, 상기 제2기재의 하면 상에 형성되어 있는 제2도전층을 포함하는 제2도전성 부재를 준비하는 단계, 제2전극을 상기 제2도전층에 전기적으로 연결하는 단계 및 상기 제1도전성 부재와 상기 제2도전성 부재를 서로 이격되어 배치하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극을 외부 전기 회로에 연결하는 단계를 포함하는 센서의 제조방법을 제공한다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: preparing a first substrate, a first conductive member including a first dome integrally formed on an upper surface of the first substrate, Forming a first conductive layer to cover the first substrate, the first dome portion and the first nano-rods, forming a first electrode on the first conductive layer electrically Preparing a second conductive member including a second substrate and a second conductive layer formed on a lower surface of the second substrate; electrically connecting the second electrode to the second conductive layer; And disposing the first conductive member and the second conductive member apart from each other and connecting the first electrode and the second electrode to an external electric circuit.
또한 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 본 발명은 제1기재, 상기 제1기재의 상면 상에 일체로 형성되어 있는 제1돔부를 포함하는 제1 부재를 준비하는 단계, 상기 제1돔부 상에 복수 개의 제1나노로드들을 성장시키는 단계, 제1전극을 상기 제1 부재에 전기적으로 연결하는 단계, 상기 제1부재의 상면으로부터 이격되어 배치되어 있는 제2 부재를 준비하는 단계, 제2전극을 상기 제2 부재에 전기적으로 연결하는 단계 및 상기 제1 부재와 상기 제2 부재를 서로 이격되어 배치하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극을 외부 전기 회로에 연결하는 단계를 포함하는 에너지 생성장치의 제조방법을 제공한다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: preparing a first substrate, a first member including a first dome integrally formed on an upper surface of the first substrate, Growing a plurality of first nano-rods, electrically connecting the first electrode to the first member, preparing a second member spaced apart from the upper surface of the first member, And electrically connecting the first member and the second member to each other; and electrically connecting the first electrode and the second electrode to an external electrical circuit, Of the present invention.
본 발명에 따른 돔 부를 포함하는 기재를 이용한 센서 또는 에너지 생성장치는 다음과 같은 효과를 가진다.The sensor or energy generating device using the substrate including the dome according to the present invention has the following effects.
첫째, 돔 구조를 포함함으로써 장치의 크기를 늘리지 않고서도 제1부재와 제2부재의 접촉면적을 증가시킬 수 있다.First, by including the dome structure, the contact area between the first member and the second member can be increased without increasing the size of the device.
둘째, 돔 구조를 포함함으로써 증가된 접촉면적을 통해서 센서의 민감도를 증가 시키거나, 에너지 생성장치의 에너지 생성량을 증가 시킬 수 있다.Second, by including the dome structure, the sensitivity of the sensor can be increased through the increased contact area, or the energy generation amount of the energy generating device can be increased.
셋째, 돔 구조상에 복수의 나노로드들(nano rods)을 성장시켜서 접촉면적을 더 증가시킴으로써 센서의 민감도를 더 증가 시키거나, 에너지 생성장치의 에너지 생성량을 더 증가 시킬 수 있다.Third, by growing a plurality of nano rods on the dome structure to further increase the contact area, the sensitivity of the sensor can be further increased or the energy generation amount of the energy generating device can be further increased.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서의 개략적인 단면도이다.
도 16은 도 1 내지 도 15에 도시된 센서의 구성 중 제1기재의 상면 상에 형성된 제1돔부의 1차원 또는 2차원 배열의 모식도이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에너지 생성장치의 개략적인 단면도이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에너지 생성장치의 개략적인 단면도이다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에너지 생성장치의 개략적인 단면도이다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에너지 생성장치의 개략적인 단면도이다.
도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에너지 생성장치의 개략적인 단면도이다.
도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에너지 생성장치의 개략적인 단면도이다.
도 23은 도 2에 도시된 센서(200)의 작동 구조를 도시한 모식도이다.
도 24는 도 18에 도시된 에너지 생성장치(1700)의 에너지 생성원리를 도시한 모식도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
6 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
7 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
8 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
9 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
10 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
11 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
12 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
13 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
14 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
15 is a schematic cross-sectional view of a sensor according to another embodiment of the present invention.
16 is a schematic view of a one-dimensional or two-dimensional array of the first dome formed on the upper surface of the first base of the sensor shown in Figs. 1 to 15. Fig.
17 is a schematic cross-sectional view of an energy generating device according to another embodiment of the present invention.
18 is a schematic cross-sectional view of an energy generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
19 is a schematic cross-sectional view of an energy generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
20 is a schematic cross-sectional view of an energy generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
21 is a schematic cross-sectional view of an energy generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
22 is a schematic cross-sectional view of an energy generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
23 is a schematic diagram showing the operating structure of the
24 is a schematic diagram showing an energy generation principle of the
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 센서(100)는 제1도전성 부재(110), 제2도전성 부재(120), 제1전극(115), 제2전극(125), 제어부(130)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(110)는 제1기재(111), 제1돔부(112), 제1도전층(114)을 포함한다. 상기 제2도전성 부재(120)는 도전성이 있는 기재이다.Referring to FIG. 1, a
상기 제1기재(111)는 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, "이하 PDMS라 한다.")으로 형성되어 있다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 변경이 가능하다. 상기 제1기재(111)의 상면 상에는 상기 제1돔부(112) 또는 상기 제1도전층(114)이 형성된다. 상기 제1기재(111)는 신축성이 있으므로 외력이 가해지면 그 외력의 방향으로 힘을 받는다. 상기 제1기재(111)에 가해진 외력에 의해 상기 제1도전층(114)과 상기 제2도전성 부재(120)가 접촉한다. 상기 제1기재(111)는 상기 제1돔부(112)와 일체로서 형성된다.The
상기 제1돔부(112)는 PDMS로 형성되어 있다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 변경이 가능하다. 상기 제1돔부(112)는 상기 제2도전성 부재(120)와의 접촉 시 접촉면적을 넓힌다. 상기 제1돔부(112)는 상기 제1기재(111)의 상면 상에 형성되고 상기 제1돔부(112) 상에는 상기 제1도전층(114)이 형성된다. 상기 제1돔부(112)는 신축성이 있고 상기 제1기재(111) 자체를 이용하는 것보다 상기 제1기재(111)의 상면상에 상기 제1돔부(112)를 형성하는 경우가 표면적이 더 넓으므로 상기 센서(100)의 센싱 민감도를 높인다.The
상기 제1도전층(114)은 탄소나노튜브(carbon nanotubes, "이하 CNT라 한다.")로 형성되어 있다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 변경이 가능하다. 상기 제1도전층(114)은 상기 제1기재(111)또는 상기 제1돔부(112) 상에 형성된다. 외력이 가해지면 상기 제1도전층(114)은 상기 제2도전성 부재(120)와 접촉하여 전기적으로 연결된다.The first
상기 제2도전성 부재(120)는 상기 제1도전성 부재(110)의 상면으로부터 이격되어 배치되고, 외력이 가해지면 상기 제2도전성 부재(120)는 상기 제1도전층(114)과 접촉하여 전기적으로 연결된다.The second
상기 제1전극(115)의 일단은 상기 제1도전성 부재(110)에 전기적으로 연결되고 다른 일단은 상기 제어부(130)에 연결된다. 상기 제2전극(125)의 일단은 상기 제2도전성 부재(120)에 연결되고 다른 일단은 상기 제어부(130)에 연결된다.One end of the
상기 제어부(130)의 일단은 상기 제1전극(115)과 연결되고 다른 일단은 상기 제2전극(125)과 연결된다. 상기 제1도전성 부재(110) 및 상기 제2도전성 부재(120) 중 적어도 하나에 외력이 가해져서, 상기 제1도전층(114)과 상기 제2도전성 부재(120)가 접촉되면, 상기 제1도전성 부재(110)와 상기 제2도전성 부재(120)가 전기적으로 연결되어 전자가 플러스 극 쪽으로 이동하면서 전류가 마이너스 극 방향으로 흐르게 된다. 이때 발생한 전위차나 전류의 변화를 상기 제어부(130)를 통해 측정함으로써 센싱을 한다.One end of the
상기 센서(100)는 상기 제1도전성 부재(110) 및 상기 제2도전성 부재(120) 중 적어도 하나에 외력이 가해져서, 상기 제1도전층(114)과 상기 제2도전성 부재(120)가 접촉되면, 상기 제1도전성 부재(110)와 상기 제2도전성 부재(120)가 전기적으로 연결되어 형성된다.An external force is applied to at least one of the first
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서(200)는 제1도전성 부재(210), 제2도전성 부재(220), 제1전극(215), 제2전극(225), 제어부(230)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(210)는 제1기재(211), 제1돔부(212), 제1나노로드들(nano rods)(213). 제1도전층(214)을 포함한다. 상기 제2도전성 부재(220)는 도전성이 있는 기재이다.2, a
상기 제1나노로드들(nano rods)(213)은 산화 아연(ZnO) 또는 산화 구리(CuO) 로 형성되어 있다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 변경이 가능하다. 상기 제1나노로드들(nano rods)(213)은 상기 제1돔부(212)의 표면상에서 성장하고, 수십 나노미터 지름의 나노 기둥이 빽빽하게 솟아있는 형태가 된다. 상기 제1나노로드들(nano rods)(213)은 지름이 수십 나노미터에 불과해서, 상기 제1돔부(212)의 표면상에서 성장시킬 경우 상기 제1도전성 부재(210)의 전체 표면적이 증가한다. 상기 제1나노로드들(nano rods)(213)로 인해 증가된 표면적은 상기 제2도전성 부재(220)와의 접촉 시 센싱 민감도를 증가시킨다. 상기 제1나노로드들(nano rods)(213) 상에는 상기 제1도전층(214)이 형성된다.The
상기 제1돔부(212)는 표면상에 상기 제1나노로드들(nano rods)(213)이 형성된다. 그 외는 도 1의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 제1도전층(214)은 상기 제1기재(211), 상기 제1돔부(212) 또는 상기 제1나노로드들(nano rods)(213) 상에 형성된다. 그 외는 도 1의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The first
상기 제2도전성 부재(210), 상기 제1전극(215), 상기 제2전극(225), 상기 제어부(230) 및 상기 센서(200)의 작동원리는 도 1의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The operation principle of the second
도 23을 참조하면, 도 2에 도시된 센서(200)의 작동 구조를 나타낸다. 상기 센서(200)는 제1도전성 부재(210), 제2도전성 부재(220), 제1전극(215), 제2전극(225) 및 제어부(230)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(210)는 제1기재(211), 제1돔부(212), 제1나노로드들(nano rods) 및 제1도전층(214)을 포함한다. 도 23의 (a)는 외력이 가해지기 전의 상기 센서(200)의 상태를 도시하고, (b)는 외력이 가해지기 시작하는 시점의 상기 센서(200)의 상태를 도시하고, (c)는 외력에 의해 상기 제1도전층(214)과 상기 제2도전성 부재(220)가 접촉된 시점의 상기 센서(200)의 상태를 도시한다. 도 23은 상기 제2도전성 부재(220)에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전층(214)과 상기 제2도전성 부재(220)가 접촉되면 상기 제1전극(215)과 상기 제2전극(225)에 연결된 상기 제어부(230)를 통해서 센싱하는 작동 구조를 모식적으로 나타낸다.Referring to Fig. 23, the operation structure of the
도 3을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서(300)는 제1도전성 부재(310), 제2도전성 부재(320), 제1전극(315), 제2전극(325), 제어부(330)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(310)는 제1기재(311), 제1돔부(312), 제1도전층(314)을 포함한다. 상기 제2도전성 부재(320)는 제2기재(321), 제2도전층(324)을 포함한다.3, a
상기 제1도전성 부재(310)는 도 1의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The first
상기 제2기재(221)는 PDMS로 형성되어 있다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 변경이 가능하다. 상기 제2기재(221)는 외력이 작용할 때, 외력에 의해 신축된다. 상기 제2기재(221)의 하면 상에는 제2도전층(224)이 형성된다.The second substrate 221 is formed of PDMS. However, the present invention is not limited thereto and can be modified. The second base material 221 is stretched or contracted by an external force when an external force acts. A second conductive layer 224 is formed on the lower surface of the second substrate 221.
상기 제1전극(315), 상기 제2전극(325), 상기 제어부(330)는 도 1의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 센서(300)는 상기 제1도전성 부재(310) 및 상기 제2도전성 부재(320) 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전층(314)과 상기 제2도전층(324)이 접촉되면, 상기 제1도전성 부재(310)와 상기 제2도전성 부재(320)가 전기적으로 연결되어 형성된다.An external force is applied to at least one of the first
도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서(400)는 제1도전성 부재(410), 제2도전성 부재(420), 제1전극(415), 제2전극(425), 제어부(430)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(410)는 제1기재(411), 제1돔부(412), 제1나노로드들(nano rods)(413). 제1도전층(414)을 포함한다. 상기 제2도전성 부재(420)는 제2기재(421), 제2도전층(424)을 포함한다.4, a
상기 제1도전성 부재(410)는 도 3의 실시예와 비교할 때 상기 제1돔부(412)와 상기 제1도전층(414) 사이에 상기 제1나노로드들(nano rods)(413)이 형성되어 있어서 상기 제2도전층(424)과 접촉 시 접촉면적이 증가하는 것에 차이가 있고 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.The first
상기 제2도전성 부재(420)는 도 3의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The second
상기 제1전극(415), 상기 제2전극(425) 및 상기 제어부(430)는 도 3의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 센서(400)는 상기 제1도전성 부재(410) 및 상기 제2도전성 부재(420) 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전층(414)과 상기 제2도전층(424)이 접촉되면, 상기 제1도전성 부재(410)와 상기 제2도전성 부재(420)가 전기적으로 연결되어 형성된다.An external force is applied to at least one of the first
도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서(400)의 제조방법은 다음과 같다. 제1기재(411)와 상기 제1기재(411)의 상면 상에 일체로 형성되어 있는 제1돔부(412)를 포함하는 제1부재(410)를 준비한다. 상기 제1돔부(412)상에는 제1나노로드들(nano rods)(413)을 성장시키고, 제1전극(415)을 상기 제1부재(410)에 전기적으로 연결한다. 상기 제1부재(410)의 상면으로부터 이격되어 배치되도록 제2부재(420)를 준비하고, 제2전극(425)을 상기 제2부재(420)에 전기적으로 연결한다. 끝으로 상기 제1전극(415)과 상기 제2전극(425)을 외부 전기 회로에 연결하여 센서를 제조한다.Referring to FIG. 4, a method of manufacturing the
도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서(500)는 제1도전성 부재(510), 제2도전성 부재(520), 제1전극(515), 제2전극(525), 제어부(530)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(510)는 제1기재(511), 제1돔부(512), 제1도전층(514)을 포함한다. 상기 제2도전성 부재(520)는 제2기재(521), 제2돔부(522), 제2도전층(524)을 포함한다.5, a
상기 제1도전성 부재(510)는 도 3의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The first
상기 제2도전성 부재(520)는 도 3의 실시예와 비교할 때 상기 제2기재(521)와 상기 제2도전층(524) 사이에 상기 제2돔부(524)가 형성되어 있어서 상기 제2도전성 부재(520)의 표면적이 넓어지는 것에 차이가 있고, 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.The second
상기 제1전극(515), 상기 제2전극(525) 및 상기 제어부(530)는 도 3의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 센서(500)는 상기 제1도전성 부재(510) 및 상기 제2도전성 부재(520) 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전층(514)과 상기 제2도전층(524)이 접촉되면, 상기 제1도전성 부재(510)와 상기 제2도전성 부재(520)가 전기적으로 연결되어 형성된다.An external force is applied to at least one of the first
도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서(600)는 제1도전성 부재(610), 제2도전성 부재(620), 제1전극(615), 제2전극(625), 제어부(630)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(610)는 제1기재(611), 제1돔부(612), 제1나노로드들(nano rods)(613), 제1도전층(614)을 포함한다. 상기 제2도전성 부재(620)는 제2기재(621), 제2돔부(622), 제2도전층(624)을 포함한다.6, a
상기 제1도전성 부재(610)는 도 5의 실시예와 비교할 때, 상기 제1돔부(612)와 상기 제1도전층(614) 사이에 상기 제1나노로드들(nano rods)(613)이 형성되어 있어서 상기 제1도전성 부재(610)의 표면적이 넓어지는 것에 차이가 있고, 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.5, the
상기 제2도전성 부재(620)는 도 5의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The second
상기 제1전극(615), 상기 제2전극(625), 상기 제어부(630), 상기 센서(600)의 작동원리는 도 5의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The operation principle of the
도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서(700)는 제1도전성 부재(710), 제2도전성 부재(720), 제1전극(715), 제2전극(725), 제어부(730)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(710)는 제1기재(711), 제1돔부(712)를 포함한다. 상기 제2도전성 부재(720)는 도전성이 있는 기재이다.7, a
상기 제1기재(711)는 도전성이 있고, 상기 제1기재(711)와 일체로 형성되는 제1돔부(712)를 포함한다.The
상기 제1돔부(712)는 도전성이 있고, 상기 제1기재(711)와 일체로 형성된다.The
상기 제2도전성 부재(712)는 도 1의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The second
상기 제1전극(715), 상기 제2전극(725) 및 상기 제어부(730)는 도 1의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 센서(700)는 상기 제1도전성 부재(710) 및 상기 제2도전성 부재(720) 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전성 부재(710)와 상기 제2도전성 부재(720)가 접촉되면, 상기 제1도전성 부재(710)와 상기 제2도전성 부재(720)가 전기적으로 연결되어 형성된다.An external force is applied to at least one of the first
도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서(800)는 제1도전성 부재(810), 제2도전성 부재(820), 제1전극(815), 제2전극(825), 제어부(830)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(810)는 제1기재(811), 제1돔부(812)를 포함한다. 상기 제2도전성 부재(820)는 제2기재(821)와 제2도전층(824)을 포함한다.8, a
상기 제1도전성부재(810)는 도 7의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The first
상기 제2도전성부재(820)는 도 7의 실시예와 비교할 때, 상기 제2기재(821)가 도전성이 없고, 상기 제2기재(821)의 하면상에 상기 제2도전층(824)이 형성되어 있는 것에 차이가 있고 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.7, the
상기 제1전극(815), 상기 제2전극(825) 및 상기 제어부(830)는 도 7의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 센서(800)는 상기 제1도전성 부재(810) 및 상기 제2도전성 부재(820) 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전성 부재(810)와 상기 제2도전층(824)이 접촉되면, 상기 제1도전성 부재(810)와 상기 제2도전성 부재(820)가 전기적으로 연결되어 형성된다.An external force is externally applied to at least one of the first
도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서(900)는 제1도전성 부재(910), 제2도전성 부재(920), 제1전극(915), 제2전극(925), 제어부(930)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(910)는 제1기재(911), 제1돔부(912)를 포함한다. 상기 제2도전성 부재(920)는 제2기재(921), 제2돔부(922), 제2도전층(924)을 포함한다.9, a
상기 제1도전성 부재(910)는 도 8의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The first
상기 제2도전성 부재(920)는 도 8의 실시예와 비교할 때 상기 제2기재(921)와 상기 제2도전층(924) 사이에 상기 제2돔부(922)가 형성되어 있어서 상기 제2도전성 부재(920)의 표면적이 넓어지는 것에 차이가 있고 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.The second
상기 제1전극(915), 상기 제2전극(925) 및 상기 제어부(930)는 도 8의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 센서(900)는 상기 제1도전성 부재(910) 및 상기 제2도전성 부재(920) 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전성 부재(910)와 상기 제2도전층(924)이 접촉되면, 상기 제1도전성 부재(910)와 상기 제2도전성 부재(920)가 전기적으로 연결되어 형성된다.An external force is applied to at least one of the first
도 10을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서((1000)는 제1도전성 부재(1010), 제2도전성 부재(1020), 제1전극(1015), 제2전극(1025), 제어부(1030)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(1030)는 제1기재(1011), 제1돔부(1012), 제1도전층(1014)을 포함한다. 상기 제2도전성 부재(1020)는 제2기재(1021), 제2돔부(1022), 제2나노로드들(nano rods)(1023)을 포함한다.10, a
상기 제1도전성 부재(1010)는 도 5의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The first
상기 제2도전성 부재(1020)는 도 5의 실시예와 비교할 때, 상기 제2돔부(1022)와 상기 제1도전층(1024) 사이에 상기 제2나노로드들(nano rods)(1023)이 형성되어 있어서 상기 제2도전성 부재(1020)의 표면적이 넓어지는 것에 차이가 있고, 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.The second
상기 제1전극(1015), 상기 제2전극(1025), 상기 제어부(1030) 및 상기 센서(1000)의 작동원리는 도 5의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The operation principle of the
도 11을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서(1100)는 제1도전성 부재(1110), 제2도전성 부재(1120), 제1전극(1115), 제2전극(1125), 제어부(1130)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(1110)는 제1기재(1111), 제1돔부(1112), 제1나노로드(nano rods)(1113)들, 1도전층(1114)을 포함한다. 상기 제2도전성 부재(1120)는 제2기재(1121), 제2돔부(1122), 제2나노로드들(nano rods)(1123), 제2도전층(1124)을 포함한다.11, a
상기 제1도전성 부재(1110)는 도 10의 실시예와 비교할 때, 상기 제1돔부(1112)와 상기 제1도전층(1114) 사이에 상기 제1나노로드들(nano rods)(1113)이 형성되어 있어서 상기 제1도전성 부재(1110)의 표면적이 넓어지는 것에 차이가 있고, 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.10, the
상기 제2도전성 부재(1120)는 도 10의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The second
상기 제1전극(1115), 상기 제2전극(1125), 상기 제어부(1130) 및 상기 센서(1100)의 작동원리는 도 10의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The operation principle of the
도 12를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서(1200)는 제1도전성 부재(1210), 제2도전성 부재(1220), 제1전극(1215), 제2전극(1225), 제어부(1230)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(1210)는 제1기재(1211), 제1돔부(1212)를 포함한다. 상기 제2도전성 부재(1220)는 제2기재(1221), 제2돔부(1222), 제2나노로드들(nano rods)(1223), 제2도전층(1224)을 포함한다.12, a
상기 제1도전성 부재(1210)는 도 9의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The first
상기 제2도전성 부재(1220)는 도 9의 실시예와 비교할 때 상기 제2돔부(1222)와 상기 제2도전층(1224) 사이에 상기 제2나노로드들(nano rods)(1223)이 형성되어 있어서 상기 제2도전성 부재(1220)의 표면적이 넓어지는 것에 차이가 있고 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.The second
상기 제1전극(1215), 상기 제2전극(1225), 상기 제어부(1230) 및 상기 센서(1200)의 작동원리는 9의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The operation principle of the
도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 센서(1300)는 제1도전성 부재(1310), 제2도전성 부재(1320), 제1전극(1315), 제2전극(1325), 제어부(1330)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(1310)는 제1기재(1311), 제1돔부(1312), 제1도전층(1314)을 포함한다. 상기 제2도전성 부재(1320)는 제2기재(1321)와 제2돔부(1322)를 포함한다.13, a
상기 제1도전성 부재(1310)는 도1의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The first
상기 제2기재(1321)는 도전성이 있고, 상기 제2기재(1321)와 일체로 형성되는 제2돔부(1322)를 포함한다.The
상기 제2돔부(1322)는 도전성이 있고, 상기 제2기재(1321)와 일체로 형성된다.The
상기 제1전극(1315), 상기 제2전극(1325), 상기 제어부(1330) 및 상기 센서(1300)의 작동원리는 도 1의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The operation principle of the
도 14를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서(1400)는 제1도전성 부재(1410), 제2도전성 부재(1420), 제1전극(1415), 제2전극(1425), 제어부(1430)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(1410)는 제1기재(1411), 제1돔부(1412), 제1나노로드들(nano rods)(1413). 제1도전층(1414)을 포함한다. 상기 제2도전성 부재(1420)는 제2기재(1421)와 제2돔부(1422)를 포함한다.14, a
상기 제1도전성 부재(1410)는 도13의 실시예와 비교할 때, 상기 제1돔부(1412)와 상기 제1도전층(1414) 사이에 제1나노로드들(nano rods)(1413)이 형성되어서 상기 제1도전성 부재(1410)의 표면적을 넓혀주는 것에 차이가 있고, 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.13,
상기 제2기재(1421)는 도13의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 제1전극(1415), 상기 제2전극(1425), 상기 제어부(1430) 및 상기 센서(1400)의 작동원리는 도 13의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The operation principle of the
도 15를 참조하면, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 센서(1500)는 제1도전성 부재(1510), 제2도전성 부재(1520), 제1전극(1515), 제2전극(1525), 제어부(1530)를 포함한다. 상기 제1도전성 부재(1510)는 제1기재(1511), 제1돔부(1512)를 포함한다. 상기 제2도전성 부재(1520)는 제2기재(1521), 제2돔부(1522)를 포함한다.15, a
상기 제1도전성 부재(1511)는 도7의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The first
상기 제2도전성 부재(
1520)는 도7의 실시예와 비교할 때, 상기 제2기재(1521)의 하면상에 상기 제2돔부(1522)를 포함하여서 상기 제2부재(1520)의 표면적이 넓어지는 것에 차이가 있고, 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.The second conductive member (
1520 differs from the embodiment of FIG. 7 in that the surface area of the
상기 제1전극(1515), 상기 제2전극(1525), 상기 제어부(1530) 및 상기 센서(1500)의 작동원리는 도 7의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The operation principle of the
도 16을 참조하면, (b)와 (c)는 (a)의 사시도를 도시한 것으로써, 상기 (b)는 제1돔부(2212)가 일렬로 1차원적 배열인 것을 도시하고, 상기 (c)는 제1돔부(2212')가 매트릭스 형태로 2차원적 배열인 것을 도시한다. Referring to FIG. 16, (b) and (c) show a perspective view of (a), wherein (b) shows that the
도 17을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에너지 생성장치(1600)는 제1부재(1610), 제2부재(1620), 제1전극(1615), 제2전극(1625), 에너지 수집부(1630)를 포함한다. 상기 제1부재(1610)는 제1기재(1611), 제1돔부(1612)를 포함하고 상기 제1부재(1610)에서 상기 제2부재(1620)를 대향하는 면 중 일부 또는 전체는 제1유전체를 포함한다. 상기 제2부재(1620)는 상기 제1부재(1610)와 마철전기 시리즈(triboelectric series)에서 서로 상이한 값을 가지고 상기 제2부재(1620)에서 상기 제1부재(1610)를 대향하는 면 중 일부 또는 전체는 제2유전체를 포함한다.17, an
상기 제1기재(1611)는 PDMS로 형성되어 있다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 변경이 가능하다. 상기 제1기재(1611)의 상면 상에는 상기 제1돔부(1612)가 형성된다. 상기 제1기재(1611)는 신축성이 있으므로 외력이 가해지면 그 외력의 방향으로 힘을 받는다. 상기 제1기재(1611)에 가해진 외력에 의해 상기 제1기재(1611) 또는 상기 제1돔부(1612)와 상기 제2부재(1620)가 접촉한다.The
상기 제1돔부(1612)는 PDMS로 형성되어 있다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 변경이 가능하다. 상기 제1돔부(1612)는 상기 제2부재(1620)와의 접촉 시 접촉면적을 넓힌다. 상기 제1돔부(1612)는 상기 제1기재(1611)의 상면 상에 형성된다. 상기 제1돔부(1612)는 신축성이 있고, 상기 제1기재(1611) 자체를 이용하는 것보다 상기 제1기재(1611)의 상면 상에 상기 제1돔부(1612)를 형성하는 경우가 표면적이 더 넓으므로 상기 에너지 생성장치(1600)의 에너지 생성량을 증가 시킨다.The
상기 제2부재(1620)는 PDMS로 형성되어 있다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 변경이 가능하다. 상기 제2부재(1620)는 상기 제1부재(1610)와 마찰전기 시리즈(triboelectric series)에서 서로 상이한 값을 가지는 기재로서, 상기 제1부재(1610)와 상기 제2부재(1620)가 접촉과 분리가 반복되면 마찰전기 시리즈 값의 차이로 인해서 상기 제1부재(1610)와 상기 제2부재(1620)는 대전이 된다. 상기 제2부재(1620)는 상기 제1부재(1610)의 상면으로부터 이격되어 배치된다.The
상기 제1전극(1615)의 일단은 상기 제1부재(1610)에 전기적으로 연결되고 다른 일단은 상기 에너지 수집부(1630)에 연결된다. 상기 제2전극(1625)의 일단은 상기 제2도전성 부재(1620)에 연결되고 다른 일단은 상기 에너지 수집부(1630)에 연결된다.One end of the
상기 에너지 수집부(1630)의 일단은 상기 제1전극(1615)과 연결되고 다른 일단은 상기 제2전극(1625)과 연결된다. 상기 제1부재(1610) 및 상기 제2부재(1620) 중 적어도 하나에 외력이 가해져서, 상기 제1부재(1610)와 상기 제2부재(1620)가 접촉되면, 상기 제1부재(1610)와 상기 제2부재(1620)의 마찰전기 시리즈(triboelectric series)에서 값의 차이에 의해 전위차가 발생하고 상기 전위차에 의행 생성된 에너지를 상기 에너지 수집부(1630)를 통해서 수집한다.One end of the
상기 에너지 생성장치(1600)는 상기 제1부재(1610) 및 상기 제2부재(1620) 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1부재(1610)와 상기 제2부재(1620)가 접촉되면, 상기 제1부재(1610)와 상기 제2부재(1620)가 전기적으로 연결되어 형성된다.An external force is applied to at least one of the
도 18을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에너지 생성장치(1700)는 제1부재(1710), 제2부재(1720), 제1전극(1715), 제2전극(1725), 에너지 수집부(1730)를 포함한다. 상기 제1부재(1710)는 제1기재(1711), 제1돔부(1712), 제1나노로드들(nano rods)(1713)을 포함한다. 상기 제2부재(1720)는 상기 제1부재(1710)와 마철전기 시리즈(triboelectric series)에서 서로 상이한 값을 가지는 기재이다.Referring to FIG. 18, an
상기 제1나노로드들(nano rods)(1713)은 산화 아연(ZnO) 또는 산화 구리(CuO)로 형성되어 있다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 변경이 가능하다. 상기 제1나노로드들(nano rods)(1713)은 상기 제1돔부(1712)의 표면상에서 성장하고, 수십 나노미터 지름의 나노 기둥이 빽빽하게 솟아있는 형태가 된다. 상기 제1나노로드들(nano rods)(1713)은 지름이 수십 나노미터에 불과해서, 상기 제1돔부(1712)의 표면상에서 성장시킬 경우 상기 제1부재(1710)의 전체 표면적이 증가한다. 상기 제1나노로드들(nano rods)(1713)로 인해 증가된 표면적은 상기 제2부재(1720)와의 접촉 시 대전량을 증가시켜서 에너지 수집량을 증가시킨다. The
상기 제1부재(1700)는 도 17의 예와 비교할 때 제1기재의 표면에 제1나노로드들(nano rods)(1713)을 더 포함하여 상기 제2부재(1720)와의 접촉 시 접촉 면적이 증가하는 것에 차이가 있고 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.17, the
상기 제1전극(1715), 상기 제2전극(1725), 상기 에너지 수집부(1730) 및 상기 에너지 생성장치(1700)의 에너지 수집원리는 도17의 예와 유사한바 설명을 생략한다.The energy collection principle of the
도 18을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에너지 생성장치(1700)의 제조방법은 다음과 같다. 제1기재(1711)와 상기 제1기재(1711)의 상면 상에 일체로 형성되어 있는 제1돔부(1712)를 포함하는 제1부재(1710)를 준비한다. 상기 제1돔부(1712) 상에는 제1나노로드들(nano rods)(1713)을 성장시키고, 제1전극(1715)을 상기 제1부재(1710)에 전기적으로 연결한다. 상기 제1부재(1710)의 상면으로부터 이격되어 배치되도록 제2부재(1720)를 준비하고, 제2전극(1725)을 상기 제2부재(1720)에 전기적으로 연결한다. 끝으로 상기 제1전극(1715)과 상기 제2전극(1725)을 외부 전기 회로에 연결함으로써 상기 에너지 생성장치(1700)를 제조한다.Referring to FIG. 18, a method of manufacturing the
도 24를 참조하면, 도 18에 도시된 에너지 생성장치(1700)의 에너지 생성 원리를 나타낸다. 상기 에너지 생성장치(1700)는 제1부재(1710), 제2부재(1720), 제1전극(1715), 제2전극(1725), 에너지 수집부(1730)를 포함한다. 상기 제1부재(1710)는 제1기재(1711), 제1돔부(1712), 제1나노로드들(nano rods)(1713)을 포함한다. 상기 제1부재(1710) 및 상기 제2부재(1720) 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1부재(1710)와 상기 제2부재(1720)가 접촉되면 상기 제1전극(1715)과 상기 제2전극(1725)에 연결된 상기 에너지 수집부(1730)를 통해서 생성된 마찰전기를 수집한다.Referring to Fig. 24, the energy generating principle of the
도 19를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에너지 생성장치(1800)는 제1부재(1810), 제2부재(1820), 제1전극(1815), 제2전극(1825), 에너지 수집부(1830)를 포함한다. 상기 제1부재(1810)는 제1기재(1811), 제1돔부(1812)를 포함한다. 상기 제2부재(1820)는 제2기재(1821)와 제2돔부(1822)를 포함하고, 상기 제1부재(1810)와 마철전기 시리즈(triboelectric series)에서 서로 상이한 값을 가지는 부재이다.Referring to FIG. 19, an
상기 제1부재(1810)는 도 17의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 제2부재(1820)는 도 17의 실시예와 비교할 때, 상기 제2기재(1821)의 하면상에 상기 제2돔부(1822)가 일체로 형성되어서, 상기 제2부재(1820)의 표면적을 증가시키는 것에 차이가 있고 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 제1전극(1815), 상기 제2전극(1825), 상기 에너지 수집부(1830) 및 상기 에너지 생성장치(1800)의 에너지 수집원리는 도17의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The energy collection principle of the
도 20을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에너지 생성장치(1900)는 제1부재(1910), 제2부재(1920), 제1전극(1915), 제2전극(1925), 에너지 수집부(1930)를 포함한다. 상기 제1부재(1910)는 제1기재(1911), 제1돔부(1912), 제1나노로드들(nano rods)(1913)을 포함한다. 상기 제2부재(1920)는 제2기재(1921)와 제2돔부(1922)를 포함하고, 상기 제1부재(1910)와 마철전기 시리즈(triboelectric series)에서 서로 상이한 값을 가지는 부재이다.20, an
상기 제1부재(1910)는 도 19의 실시예와 비교할 때, 상기 제1돔부(1912)의 표면상에 제1나노로드들(nano rods)을 더 포함하여 표면적이 증가하는 것에 차이가 있고 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 제2부재(1920)는 도19의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 제1전극(1915), 상기 제2전극(1925), 상기 에너지 수집부(1930) 및 상기 에너지 생성장치(1900)의 에너지 수집원리는 도17의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The energy collection principle of the
도 21을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에너지 생성장치(2000)는 제1부재(2010), 제2부재(2020), 제1전극(2015), 제2전극(2025), 에너지 수집부(2030)를 포함한다. 상기 제1부재(2010)는 제1기재(2011), 제1돔부(2012)를 포함한다. 상기 제2부재(2020)는 제2기재(2021), 제2돔부(2022) 및 제2나노로드들(nano rods)(2023)을 포함하고, 상기 제1부재(2010)와 마철전기 시리즈(triboelectric series)에서 서로 상이한 값을 가지는 부재이다.Referring to FIG. 21, an
상기 제1부재(2010)는 도 19의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 제2부재(2020)는 도 19의 실시예와 비교할 때, 상기 제2돔부(2022)의 표면상에 제2나노로드들(nano rods)을 더 포함하여 표면적을 증가시키는 것에 차이가 있고 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 제1전극(2015), 상기 제2전극(2025), 상기 에너지 수집부(2030) 및 상기 에너지 생성장치(2000)의 에너지 수집원리는 도19의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The energy collection principle of the
도 22를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에너지 생성장치(2100)는 제1부재(2110), 제2부재(2120), 제1전극(2115), 제2전극(2125), 에너지 수집부(2130)를 포함한다. 상기 제1부재(2110)는 제1기재(2111), 제1돔부(2112), 제1나노로드들(nano rods)(2113)을 포함한다. 상기 제2부재(2120)는 제2기재(2121), 제2돔부(2122) 및 제2나노로드들(nano rods)(2123)을 포함하고, 상기 제1부재(2110)와 마철전기 시리즈(triboelectric series)에서 서로 상이한 값을 가지는 부재이다.22, an
상기 제1부재(2110)는 도 21의 실시예와 비교할 때, 상기 제1돔부(2112)의 표면상에 상기 제1나노로드들(nano rods)(2113)을 더 포함하여 상기 제1부재의 표면적을 증가시키는 것에 차이가 있고 그 외에는 유사한바 설명을 생략한다.21, the
상기 제2부재(2120)는 도 21의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The
상기 제1전극(2115), 상기 제2전극(2125), 상기 에너지 수집부(2130) 및 상기 에너지 생성장치(2100)의 에너지 수집원리는 도21의 실시예와 유사한바 설명을 생략한다.The energy collection principle of the
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 1100, 1200, 1300, 1400, 1500: 센서
1600, 1700, 1800, 1900, 2000, 2100: 에너지 생성장치
110, 210, 310, 410, 510, 610, 710, 810, 910, 1010, 1110, 1210, 1310, 1410, 1510, 1610, 1710, 1810, 1910, 2010, 2110: 제1도전성 부재
111, 211, 311, 411, 511, 611, 711, 811, 911, 1011, 1111, 1211, 1311, 1411, 1511, 1611, 1711, 1811, 1911, 2011, 2111, 2211, 2211': 제1기재
112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912, 1012, 1112, 1212, 1312, 1412, 1512, 1612, 1712, 1812, 1912, 2012, 2112, 2212, 2212': 제1돔부
213, 413, 613, 1113, 1413, 1713, 1913, 2113: 제1나노로드들(nano rods)
114, 214, 314, 414, 514, 614, 1014, 1114, 1314, 1414: 제1도전층
115, 215, 315, 415, 515, 615, 715, 815, 915, 1015, 1115, 1215, 1315, 1415, 1515, 1615, 1715, 1815, 1915, 2015, 2115: 제1전극
120, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820, 920, 1020, 1120, 1220, 1320, 1420, 1520, 1620, 1720, 1820, 1920, 2020, 2120: 제2도전성 부재
121, 221, 321, 421, 521, 621, 721, 821, 921, 1021, 1121, 1221, 1321, 1421, 1521, 1621, 1721, 1821, 1921, 2021, 2121: 제2기재
522, 622, 922, 1022, 1122, 1222, 1322, 1422, 1522, 1822, 1922, 2022, 2122: 제2돔부
1023, 1123, 1223, 2023, 2123: 제2나노로드들(nano rods)
324, 424, 524, 624, 824, 924, 1024, 1124, 1224: 제2도전층
125, 225, 325, 425, 525, 625, 725, 825, 925, 1025, 1125, 1225, 1325, 1425, 1525, 1625, 1725, 1825, 1925, 2025, 2125: 제2전극
130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 830, 930, 1030, 1130, 1230, 1330, 1430, 1530: 제어부
1630, 1730, 1830, 1930, 2030, 2130: 에너지 수집부100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 1100, 1200, 1300, 1400,
1600, 1700, 1800, 1900, 2000, 2100: Energy generating device
Wherein the first conductive member has a first conductive member and a second conductive member, wherein the first conductive member includes a first conductive member, a second conductive member, a second conductive member, and a second conductive member.
1111, 1111, 1111, 1111, 1111, 1111, 1111, 1111, 1111, 1111, 1111, 1111, 1111,
112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912, 1012, 1112, 1212, 1312, 1412, 1512, 1612, 1712, 1812, 1912, 2012, 2112,
213, 413, 613, 1113, 1413, 1713, 1913, 2113: first nano rods,
114, 214, 314, 414, 514, 614, 1014, 1114, 1314, 1414:
1155, 1315, 1415, 1515, 1615, 1715, 1815, 1915, 2015, 2115,
Wherein the second conductive member is formed of a first conductive member and a second conductive member, and the second conductive member is a conductive member.
121, 221, 321, 421, 521, 621, 721, 821, 921, 1021, 1121, 1221, 1321, 1421, 1521, 1621, 1721, 1821, 1921, 2021,
522, 622, 922, 1022, 1122, 1222, 1322, 1422, 1522, 1822, 1922, 2022, 2122:
1023, 1123, 1223, 2023, 2123: second nano rods,
324, 424, 524, 624, 824, 924, 1024, 1124, 1224:
125, 225, 325, 425, 525, 625, 725, 825, 925, 1025, 1125, 1225, 1325, 1425, 1525, 1625, 1725, 1825, 1925, 2025,
130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 830, 930, 1030, 1130, 1230, 1330, 1430, 1530:
1630, 1730, 1830, 1930, 2030, 2130:
Claims (20)
상기 제1도전성 부재에 전기적으로 연결되어 있는 제1전극;
상기 제1도전성 부재의 상면으로부터 이격되어 배치되어 있는 제2도전성 부재; 및
상기 제2도전성 부재와 전기적으로 연결되어 있는 제2전극을 포함하고,
상기 제1도전성 부재 및 상기 제2도전성 부재 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전층과 상기 제2도전성 부재가 접촉되면, 상기 제1도전성 부재와 상기 제2도전성 부재가 전기적으로 연결되는 센서.A first conductive member comprising a first substrate, a first dome portion formed on an upper surface of the first substrate, and a first conductive layer formed on the first substrate or the first dome portion;
A first electrode electrically connected to the first conductive member;
A second conductive member spaced apart from an upper surface of the first conductive member; And
And a second electrode electrically connected to the second conductive member,
When an external force is applied to at least one of the first conductive member and the second conductive member so that the first conductive layer and the second conductive member come into contact with each other, the first conductive member and the second conductive member are electrically .
상기 제1도전성 부재는,
상기 제1돔부의 표면 상에 형성되어 있는 복수의 제1나노로드들(nano rods)을 더 포함하고,
상기 제1도전층은 상기 제1나노로드들(nano rods) 상에 더 형성되어 있는 센서.The method according to claim 1,
Wherein the first conductive member comprises:
Further comprising a plurality of first nano rods formed on a surface of the first dome portion,
Wherein the first conductive layer is further formed on the first nano rods.
상기 제2도전성 부재는,
제2기재; 및
상기 제2기재의 하면 상에 형성되어 있는 제2도전층을 포함하는 센서.The method according to claim 1,
Wherein the second conductive member comprises:
A second substrate; And
And a second conductive layer formed on the lower surface of the second substrate.
상기 제2도전성 부재는,
제2기재;
상기 제2기재의 하면 상에 형성되어 있는 제2돔부; 및
상기 제2기재 또는 상기 제2돔부 상에 형성되어 있는 제2도전층을 포함하는 센서.The method according to claim 1,
Wherein the second conductive member comprises:
A second substrate;
A second dome portion formed on a lower surface of the second base material; And
And a second conductive layer formed on the second base or the second dome.
상기 제1도전성 부재에 전기적으로 연결되어 있는 제1전극;
도전성 소재로 형성되며, 상기 제1도전성 부재의 상면으로부터 이격되어 배치되어 있는 제2도전성 부재; 및
상기 제2도전성 부재와 전기적으로 연결되어 있는 제2전극을 포함하고,
상기 제1도전성 부재 및 상기 제2도전성 부재 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전성 부재와 상기 제2도전성 부재가 접촉되면, 상기 제1도전성 부재와 상기 제2도전성 부재가 전기적으로 연결되는 센서.A first conductive member comprising a first base material formed of a conductive material, and a first dome portion formed integrally with the first base material of the conductive material;
A first electrode electrically connected to the first conductive member;
A second conductive member formed of a conductive material and spaced apart from an upper surface of the first conductive member; And
And a second electrode electrically connected to the second conductive member,
When an external force is externally applied to at least one of the first conductive member and the second conductive member so that the first conductive member and the second conductive member come into contact with each other, .
상기 제1도전성 부재에 전기적으로 연결되어 있는 제1전극;
상기 제1도전성 부재의 상면으로부터 이격되어 배치되며, 제2기재, 및 상기 제2기재의 하면 상에 형성되는 제2도전층을 포함하는 제2도전성 부재; 및
상기 제2도전성 부재와 전기적으로 연결되어 있는 제2전극을 포함하고,
상기 제1도전성 부재 및 상기 제2도전성 부재 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전성 부재와 상기 제2도전층이 접촉되면, 상기 제1도전성 부재와 상기 제2도전성 부재가 전기적으로 연결되는 센서.A first conductive member comprising a first base material formed of a conductive material, and a first dome portion formed integrally with the first base material of the conductive material;
A first electrode electrically connected to the first conductive member;
A second conductive member disposed apart from the upper surface of the first conductive member, the second conductive member including a second substrate and a second conductive layer formed on a lower surface of the second substrate; And
And a second electrode electrically connected to the second conductive member,
When an external force is externally applied to at least one of the first conductive member and the second conductive member so that the first conductive member and the second conductive layer are brought into contact with each other so that the first conductive member and the second conductive member are electrically .
상기 제1도전성 부재에 전기적으로 연결되어 있는 제1전극;
상기 제1도전성 부재의 상면으로부터 이격되어 배치되며, 제2기재, 상기 제2기재의 하면 상에 형성되어 있는 제2돔부, 및 상기 제2기재 또는 상기 제2돔부 상에 형성되어 있는 제2도전층을 포함하는 제2도전성 부재;
상기 제2도전성 부재와 전기적으로 연결되어 있는 제2전극을 포함하고,
상기 제1도전성 부재 및 상기 제2도전성 부재 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전성 부재와 상기 제2도전층이 접촉되면, 상기 제1도전성 부재와 상기 제2도전성 부재가 전기적으로 연결되는 센서.A first conductive member comprising a first base material formed of a conductive material, and a first dome portion formed integrally with the first base material of the conductive material;
A first electrode electrically connected to the first conductive member;
A second dome portion formed on a lower surface of the second substrate, and a second dome portion formed on the second substrate or the second dome portion, the second dome portion being formed on the lower surface of the second substrate, A second conductive member comprising a layer;
And a second electrode electrically connected to the second conductive member,
When an external force is externally applied to at least one of the first conductive member and the second conductive member so that the first conductive member and the second conductive layer are brought into contact with each other so that the first conductive member and the second conductive member are electrically .
상기 제1도전성 부재에 전기적으로 연결되어 있는 제1전극;
상기 제1도전성 부재의 상면으로부터 이격되어 배치되며, 제2기재, 상기 제2기재의 하면 상에 형성되어 있는 제2돔부, 상기 제2돔부의 표면 상에 형성되어 있는 복수의 제2나노로드들(nano rods), 및 상기 제2기재, 상기 제2돔부 및 상기 제2나노로드들(nano rods) 중 적어도 하나의 표면 상에 형성되어 있는 제2도전층을 포함하는 제2도전성 부재; 및
상기 제2도전성 부재와 전기적으로 연결되어 있는 제2전극을 포함하고,
상기 제1도전성 부재 및 상기 제2도전성 부재 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전층과 상기 제2도전층이 접촉되면, 상기 제1도전성 부재와 제2도전성 부재가 전기적으로 연결되는 센서.A first conductive member comprising a first substrate, a first dome portion formed on an upper surface of the first substrate, and a first conductive layer formed on the first substrate or the first dome portion;
A first electrode electrically connected to the first conductive member;
A second dome portion formed on a lower surface of the second substrate; a plurality of second nano rods formed on a surface of the second dome portion; a second conductive member comprising nano rods and a second conductive layer formed on a surface of at least one of the second substrate, the second dome portion and the second nano rods; And
And a second electrode electrically connected to the second conductive member,
An external force is externally applied to at least one of the first conductive member and the second conductive member so that when the first conductive layer and the second conductive layer are brought into contact with each other, the first conductive member and the second conductive member are electrically Connected sensors.
상기 제1도전성 부재는,
상기 제1돔부의 표면 상에 형성되어 있는 복수의 제1나노로드들(nano rods)을 더 포함하고,
상기 제1도전층은 상기 제1나노로드들(nano rods) 상에 더 형성되어 있는 센서.The method of claim 8,
Wherein the first conductive member comprises:
Further comprising a plurality of first nano rods formed on a surface of the first dome portion,
Wherein the first conductive layer is further formed on the first nano rods.
상기 제1기재, 상기 제1돔부 및 상기 제1도전층은 도전성 소재로 일체로 형성되는 센서.The method of claim 8,
Wherein the first substrate, the first dome portion, and the first conductive layer are integrally formed of a conductive material.
상기 제1도전성 부재에 전기적으로 연결되어 있는 제1전극;
도전성 소재로 형성되는 제2기재, 상기 도전성 소재로 상기 제2기재와 일체로 형성되는 제2돔부를 포함하는 제2도전성 부재; 및
상기 제2도전성 부재와 전기적으로 연결되어 있는 제2전극을 포함하고,
상기 제1도전성 부재 및 상기 제2도전성 부재 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1도전층과 상기 제2도전성 부재가 접촉되면, 상기 제1도전성 부재와 상기 제2도전성 부재가 전기적으로 연결되는 센서.A first conductive member comprising a first substrate, a first dome portion formed on an upper surface of the first substrate, and a first conductive layer formed on the first substrate or the first dome portion;
A first electrode electrically connected to the first conductive member;
A second conductive member including a second substrate formed of a conductive material, and a second dome portion formed integrally with the second substrate with the conductive material; And
And a second electrode electrically connected to the second conductive member,
When an external force is applied to at least one of the first conductive member and the second conductive member so that the first conductive layer and the second conductive member come into contact with each other, the first conductive member and the second conductive member are electrically .
상기 제1기재, 상기 제1돔부 및 상기 제1도전층은 도전성 소재로 일체로 형성되는 센서.The method of claim 11,
Wherein the first substrate, the first dome portion, and the first conductive layer are integrally formed of a conductive material.
상기 제1돔부는 복수 개의 제1돔부들로 형성되며,
상기 제1돔부들은, 상기 제1기재 상에서 일렬로 배열되거나, 상기 제1기재 상에서 2차원 매트릭스 형태로 배열되어 있는 센서.The method according to any one of claims 1 to 12,
The first dome portion is formed of a plurality of first dome portions,
Wherein the first dome portions are arranged in a line on the first substrate or arranged in a two-dimensional matrix form on the first substrate.
상기 제1부재에 전기적으로 연결되어 있는 제1전극;
상기 제1부재의 상면으로부터 이격되어 배치되어 있는 제2부재; 및
상기 제2부재에 전기적으로 연결되어 있는 제2전극을 포함하고,
상기 제1부재에서 상기 제2부재를 대향하는 면 중 일부 또는 전체는 제1유전체로 형성되어 있고,
상기 제2부재에서 상기 제1부재를 대향하는 면 중 일부 또는 전체는 제2유전체로 형성되어 있고,
상기 제1유전체와 상기 제2유전체는 마철전기 시리즈(triboelectric series)에서 서로 상이한 값을 가지며,
상기 제1부재 및 상기 제2부재 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1유전체와 상기 제2유전체가 접촉과 분리가 반복되면, 상기 제1전극, 상기 제1유전체, 상기 제2유전체 및 상기 제2전극을 통하여 전류가 흐르게 되는 에너지 생성장치.A first member including a first base member and a first dome portion formed on an upper surface of the first base member;
A first electrode electrically connected to the first member;
A second member spaced apart from an upper surface of the first member; And
And a second electrode electrically connected to the second member,
A part or all of the surfaces of the first member facing the second member are formed of a first dielectric,
A part of or all of the surface of the second member facing the first member is formed of a second dielectric,
Wherein the first dielectric and the second dielectric have different values from each other in a triboelectric series,
When external force is applied to at least one of the first member and the second member so that the first dielectric and the second dielectric are repeatedly contacted and separated from each other, the first electrode, the first dielectric, And a current is flowed through the dielectric and the second electrode.
상기 제1 부재는,
상기 제1돔부의 표면상에 형성되어 있는 복수의 제1나노로드들(nano rods)을 더 포함하는 에너지 생성장치.15. The method of claim 14,
Wherein the first member comprises:
And a plurality of first nano rods formed on a surface of the first dome portion.
상기 제1 부재에 전기적으로 연결되어 있는 제1전극;
제2기재, 상기 제1부재의 상면으로부터 이격되어 배치되고 상기 제2기재와 일체로 형성되는 제2돔부를 포함하는 제2 부재; 및
상기 제2 부재와 전기적으로 연결되어 있는 제2전극을 포함하고,
상기 제1부재에서 상기 제2부재를 대향하는 면 중 일부 또는 전체는 제1유전체로 형성되어 있고,
상기 제2부재에서 상기 제1부재를 대향하는 면 중 일부 또는 전체는 제2유전체로 형성되어 있고,
상기 제1유전체와 상기 제2유전체는 마철전기 시리즈(triboelectric series)에서 서로 상이한 값을 가지며,
상기 제1부재 및 상기 제2부재 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1유전체와 상기 제2유전체가 접촉과 분리가 반복되면, 상기 제1전극, 상기 제1유전체, 상기 제2유전체 및 상기 제2전극을 통하여 전류가 흐르게 되는 에너지 생성장치.A first member including a first substrate, a first dome portion formed on an upper surface of the first substrate;
A first electrode electrically connected to the first member;
A second member including a second substrate, a second dome portion disposed apart from an upper surface of the first member and integrally formed with the second substrate; And
And a second electrode electrically connected to the second member,
A part or all of the surfaces of the first member facing the second member are formed of a first dielectric,
A part of or all of the surface of the second member facing the first member is formed of a second dielectric,
Wherein the first dielectric and the second dielectric have different values from each other in a triboelectric series,
When external force is applied to at least one of the first member and the second member so that the first dielectric and the second dielectric are repeatedly contacted and separated from each other, the first electrode, the first dielectric, And a current is flowed through the dielectric and the second electrode.
상기 제1 부재에 전기적으로 연결되어 있는 제1전극;
제2기재, 상기 제2기재의 하면 상에 형성되어 있는 제2돔부, 상기 제2돔부의 표면상에 형성되어 있는 복수의 제2나노로드들(nano rods)을 포함하는 제2부재; 및
상기 제2 부재와 전기적으로 연결되어 있는 제2전극을 포함하고,
상기 제1부재에서 상기 제2부재를 대향하는 면 중 일부 또는 전체는 제1유전체로 형성되어 있고,
상기 제2부재에서 상기 제1부재를 대향하는 면 중 일부 또는 전체는 제2유전체로 형성되어 있고,
상기 제1유전체와 상기 제2유전체는 마철전기 시리즈(triboelectric series)에서 서로 상이한 값을 가지며,
상기 제1부재 및 상기 제2부재 중 적어도 하나에 외부로부터 외력이 가해져서, 상기 제1유전체와 상기 제2유전체가 접촉과 분리가 반복되면, 상기 제1전극, 상기 제1유전체, 상기 제2유전체 및 상기 제2전극을 통하여 전류가 흐르게 되는 에너지 생성장치.A first member including a first substrate, a first dome portion formed on an upper surface of the first substrate;
A first electrode electrically connected to the first member;
A second member comprising a second substrate, a second dome portion formed on a lower surface of the second substrate, and a plurality of second nano rods formed on a surface of the second dome portion; And
And a second electrode electrically connected to the second member,
A part or all of the surfaces of the first member facing the second member are formed of a first dielectric,
A part of or all of the surface of the second member facing the first member is formed of a second dielectric,
Wherein the first dielectric and the second dielectric have different values from each other in a triboelectric series,
When external force is applied to at least one of the first member and the second member so that the first dielectric and the second dielectric are repeatedly contacted and separated from each other, the first electrode, the first dielectric, And a current is flowed through the dielectric and the second electrode.
상기 제1돔부의 표면상에 형성되어 있는 복수의 제1나노로드들(nano rods)을 더 포함하는 에너지 생성장치.18. The method of claim 17,
And a plurality of first nano rods formed on a surface of the first dome portion.
상기 제1돔부 상에 복수 개의 제1나노로드들을 성장시키는 단계;
상기 제1기재, 상기 제1돔부 및 상기 제1나노로드들을 덮도록 제1도전층을 형성하는 단계;
제1전극을 상기 제1도전층에 전기적으로 연결하는 단계;
제2기재, 상기 제2기재의 하면 상에 형성되어 있는 제2도전층을 포함하는 제2도전성 부재를 준비하는 단계;
제2전극을 상기 제2도전층에 전기적으로 연결하는 단계; 및
상기 제1도전성 부재와 상기 제2도전성 부재를 서로 이격되어 배치하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극을 외부 전기 회로에 연결하는 단계를 포함하는 센서의 제조방법.Preparing a first conductive member including a first base member and a first dome portion integrally formed on an upper surface of the first base member;
Growing a plurality of first nano rods on the first dome portion;
Forming a first conductive layer to cover the first substrate, the first dome portion and the first nano-rods;
Electrically connecting the first electrode to the first conductive layer;
Preparing a second conductive member including a second substrate and a second conductive layer formed on a lower surface of the second substrate;
Electrically connecting a second electrode to the second conductive layer; And
Disposing the first conductive member and the second conductive member apart from each other, and connecting the first electrode and the second electrode to an external electric circuit.
상기 제1돔부 상에 복수 개의 제1나노로드들을 성장시키는 단계;
제1전극을 상기 제1 부재에 전기적으로 연결하는 단계;
상기 제1부재의 상면으로부터 이격되어 배치되어 있는 제2 부재를 준비하는 단계;
제2전극을 상기 제2 부재에 전기적으로 연결하는 단계; 및
상기 제1 부재와 상기 제2 부재를 서로 이격되어 배치하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극을 외부 전기 회로에 연결하는 단계를 포함하는 에너지 발생장치의 제조방법.Preparing a first member including a first substrate and a first dome portion integrally formed on an upper surface of the first substrate;
Growing a plurality of first nano rods on the first dome portion;
Electrically connecting the first electrode to the first member;
Preparing a second member spaced apart from an upper surface of the first member;
Electrically connecting the second electrode to the second member; And
And disposing the first member and the second member apart from each other and connecting the first electrode and the second electrode to an external electric circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170136347A KR20190044214A (en) | 2017-10-20 | 2017-10-20 | A sensor or an energy generating device including a dome portion, a method of manufacturing the sensor or the energy generating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170136347A KR20190044214A (en) | 2017-10-20 | 2017-10-20 | A sensor or an energy generating device including a dome portion, a method of manufacturing the sensor or the energy generating device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190044214A true KR20190044214A (en) | 2019-04-30 |
Family
ID=66285794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170136347A KR20190044214A (en) | 2017-10-20 | 2017-10-20 | A sensor or an energy generating device including a dome portion, a method of manufacturing the sensor or the energy generating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20190044214A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102103748B1 (en) * | 2019-05-27 | 2020-04-23 | 울산과학기술원 | Apparatus for sensing adhesive force using triboelectricity |
-
2017
- 2017-10-20 KR KR1020170136347A patent/KR20190044214A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102103748B1 (en) * | 2019-05-27 | 2020-04-23 | 울산과학기술원 | Apparatus for sensing adhesive force using triboelectricity |
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