KR20180061482A - Display device - Google Patents

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KR20180061482A
KR20180061482A KR1020160159634A KR20160159634A KR20180061482A KR 20180061482 A KR20180061482 A KR 20180061482A KR 1020160159634 A KR1020160159634 A KR 1020160159634A KR 20160159634 A KR20160159634 A KR 20160159634A KR 20180061482 A KR20180061482 A KR 20180061482A
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KR
South Korea
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layer
sensor
disposed
light
light emitting
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Application number
KR1020160159634A
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Korean (ko)
Inventor
장형욱
김윤호
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
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    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
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Abstract

A display device capable of recognizing a fingerprint of a user comprises: a first base layer; a circuit layer disposed on the first base layer and including a plurality of switching elements; a pixel layer disposed on the circuit layer and receiving current from at least one of the plurality of switching elements to emit first light; and a sensor layer disposed at the lower part of the first base layer and including a sensor receiving second light generated by reflecting the first light by an external object.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 사용자의 지문을 인식할 수 있는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device capable of recognizing a fingerprint of a user.

표시장치는 화면에 접촉하는 사람의 손가락 등을 터치감지유닛을 통해 인식할 수 있다. 터치감지유닛에서의 터치 검출 방식은 저항막 방식, 광학 방식, 정전 용량 방식, 초음파 방식 등 여러 가지가 있으며, 이 중 정전용량 방식은 표시 장치의 화면에 터치 발생 수단이 접촉할 때 변화하는 정전용량을 이용하여 터치 발생 여부를 검출한다. The display device can recognize a finger or the like of a person in contact with the screen through the touch sensing unit. The touch sensing unit in the touch sensing unit has various types such as a resistance film type, an optical type, an electrostatic capacity type, and an ultrasonic type. Among them, the electrostatic capacity type is a capacitance type To detect whether or not a touch is generated.

한편, 최근 보안 관련문제가 대두되면서 스마트폰, 태블릿 PC 등 개인휴대기기에 대한 보안이 화두가 되고 있다. 사용자들의 휴대기기 사용빈도가 증가하면서 휴대기기를 통한 전자상거래 등에 있어서의 보안이 요구되고, 이러한 요구에 따라 지문과 같은 생체 정보를 이용하고 있다.On the other hand, security issues have been raised recently, and security for personal mobile devices such as smart phones and tablet PCs has become a hot topic. As the frequency of users' use of portable devices increases, security in electronic commerce or the like through portable devices is required. Biometric information such as fingerprints are used in response to these demands.

본 발명은 지문을 인식할 수 있는 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a display device capable of recognizing a fingerprint.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제1 베이스층, 회로층, 화소층, 및 센서층을 포함할 수 있다. 상기 회로층은 상기 제1 베이스층 상에 배치되고, 복수의 스위칭 소자들을 포함한다. 상기 화소층은 상기 회로층 상에 배치되고, 상기 복수의 스위칭 소자들 중 적어도 어느 하나로부터 전류를 공급받아 제1 광을 방출하는 발광소자를 포함한다. 상기 센서층은 상기 제1 베이스층 하부에 배치되고, 상기 제1 광이 외부의 물체에 의해 반사되어 생성된 제2 광을 수신하는 센서를 포함한다.A display device according to an embodiment of the present invention may include a first base layer, a circuit layer, a pixel layer, and a sensor layer. The circuit layer is disposed on the first base layer and includes a plurality of switching elements. The pixel layer includes a light emitting element disposed on the circuit layer and receiving a current from at least one of the plurality of switching elements to emit the first light. The sensor layer includes a sensor disposed below the first base layer and receiving the second light generated by the first light reflected by an external object.

상기 제1 베이스층은 상기 제2 광을 투과시킬 수 있다.The first base layer may transmit the second light.

상기 센서층은 상기 센서가 실장된 제2 베이스층을 더 포함할 수 있다.The sensor layer may further include a second base layer on which the sensor is mounted.

본 발명의 일 실시예에서 상기 센서는 포토 다이오드를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the sensor may comprise a photodiode.

본 발명의 일 실시예에서 상기 센서는 포토 트랜지스터를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the sensor may comprise a phototransistor.

본 발명의 일 실시예에서 상기 센서층은 상기 센서 상에 배치되는 광학렌즈를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the sensor layer may further comprise an optical lens disposed on the sensor.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 상기 화소층 및 상기 센서층 사이에 배치되고, 상기 센서에 대응하는 개구부가 정의된 접착층을 더 포함할 수 있다.The display device according to an embodiment of the present invention may further include an adhesive layer disposed between the pixel layer and the sensor layer and defining an opening corresponding to the sensor.

상기 외부의 물체는 지문일 수 있다.The external object may be a fingerprint.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 상기 센서가 수신하는 상기 제2 광의 변화를 감지하여 상기 지문을 인식하는 센서 제어부를 더 포함할 수 있다.The display device according to an embodiment of the present invention may further include a sensor controller for sensing a change in the second light received by the sensor and recognizing the fingerprint.

본 발명의 일 실시예에서 상기 발광소자는 유기발광 다이오드(OLED)일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the light emitting device may be an organic light emitting diode (OLED).

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 베이스층, 회로층, 화소층, 및 센서층을 포함할 수 있다. 상기 베이스층은 입사되는 광 중 적어도 일부를 투과시킨다. 상기 회로층은 상기 베이스층 상에 배치되고, 복수의 스위칭 소자들을 포함한다. 상기 화소층은 상기 회로층 상에 배치되고, 각각이 상기 복수의 스위칭 소자들로부터 전류를 공급받아 광을 방출하는 복수의 발광소자들을 포함한다. 상기 센서층은 상기 베이스층 하부에 배치되고, 상기 복수의 발광소자들 중 적어도 어느 하나로부터 방출되어 외부의 물체에 의해 반사된 광을 수신하는 센서를 포함한다.A display device according to an embodiment of the present invention may include a base layer, a circuit layer, a pixel layer, and a sensor layer. The base layer transmits at least some of the incident light. The circuit layer is disposed on the base layer and includes a plurality of switching elements. The pixel layer includes a plurality of light emitting elements disposed on the circuit layer, each of the plurality of light emitting elements receiving current from the plurality of switching elements to emit light. The sensor layer includes a sensor disposed below the base layer and receiving light emitted from at least one of the plurality of light emitting devices and reflected by an external object.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 상기 화소층 상에 배치되는 터치감지유닛을 더 포함할 수 있다.The display device according to an embodiment of the present invention may further include a touch sensing unit disposed on the pixel layer.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 상기 터치감지유닛 상에 배치되는 윈도우부재를 더 포함할 수 있다.The display device according to an embodiment of the present invention may further include a window member disposed on the touch sensing unit.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 윈도우부재의 일면에 상기 외부의 물체가 접촉되는 지문인식영역이 정의될 수 있다.In one embodiment of the present invention, a fingerprint recognition area in which the external object is in contact with one surface of the window member may be defined.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 복수의 발광소자들 중 상기 지문인식영역에 중첩하는 발광소자들에 의해 생성되는 광은 백색일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the light generated by the light emitting elements overlapping the fingerprint recognition region among the plurality of light emitting elements may be white.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 센서는 복수개 제공되고, 상기 복수의 센서들 중 인접하는 두 센서들의 이격거리는 20μm 이상 100μm 이하일 수 있다.In one embodiment of the present invention, a plurality of the sensors are provided, and the distance between two adjacent sensors of the plurality of sensors may be 20 [mu] m or more and 100 [mu] m or less.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 센서층은 각각이 상기 복수의 센서들 상에 대응하게 배치되는 복수의 광학렌즈들을 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the sensor layer may further comprise a plurality of optical lenses, each of which is arranged correspondingly on the plurality of sensors.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 상기 화소층 및 상기 센서층 사이에 배치되고, 상기 복수의 센서들에 대응하는 복수의 개구부들이 정의된 접착층을 더 포함할 수 있다.The display device according to an embodiment of the present invention may further include an adhesive layer disposed between the pixel layer and the sensor layer and defining a plurality of openings corresponding to the plurality of sensors.

본 발명의 일 실시예에 따르면 높은 해상도로 지문의 이미지를 스캔할 수 있는 표시장치를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a display device capable of scanning an image of a fingerprint with high resolution can be provided.

본 발명의 일 실시예에 따르면 단순한 제조공정과 낮은 비용으로 생산할 수 있는 표시장치를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a display device which can be manufactured with a simple manufacturing process and at low cost.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 2a 및 도 2b는 각각 도 1에 도시된 표시장치에 사용자의 손가락이 접촉되는 것을 도시한 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 표시장치의 단면 중 일부를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 등가회로도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 블록도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 및 센서층의 부분 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 및 센서층의 부분 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 및 센서층의 부분 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 등가회로도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
1 is a perspective view of a display device according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2A and 2B are perspective views showing that the user's finger is brought into contact with the display device shown in FIG. 1, respectively.
Fig. 3 shows a part of a section of the display device shown in Fig.
4 is a plan view of a display panel according to an embodiment of the present invention.
5 is an equivalent circuit diagram of a pixel according to an embodiment of the present invention.
6 is a plan view of a sensor layer in accordance with an embodiment of the present invention.
7 is an equivalent circuit diagram of a sensor according to an embodiment of the present invention.
8 is a block diagram of a display device according to an embodiment of the present invention.
9 is a partial cross-sectional view of a display panel and a sensor layer according to an embodiment of the present invention.
10 is a partial cross-sectional view of a display panel and a sensor layer according to an embodiment of the present invention.
11 is a partial cross-sectional view of a display panel and a sensor layer according to an embodiment of the present invention.
12 is an equivalent circuit diagram of a sensor according to an embodiment of the present invention.
13 is a perspective view of a display device according to an embodiment of the present invention.
14 is a perspective view of a display device according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다. 본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification, when it is mentioned that any element (or region, layer, portion, etc.) is "on", "connected", or "coupled" to another element, Connected / coupled, or a third component may be disposed therebetween.

동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.Like reference numerals refer to like elements. Also, in the drawings, thickness, ratio, and dimensions of components are exaggerated for an effective description of the technical content. "And / or" include all combinations of one or more of which the associated configurations can define.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.Also, terms such as "below "," below ", "above "," above ", and the like are used to describe the relationship of the configurations shown in the drawings. The terms are described relative to the direction shown in the figure in a relative concept.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It will be understood that terms such as "comprise" or "comprise ", when used in this specification, specify the presence of stated features, integers, , &Quot; an ", " an ", " an "

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 사시도이다. 도 2a 및 도 2b는 각각 도 1에 도시된 표시장치(DD)에 사용자의 손가락(FG)이 접촉되는 것을 도시한 사시도이다.1 is a perspective view of a display device DD according to an embodiment of the present invention. FIGS. 2A and 2B are perspective views showing that the user's finger FG is in contact with the display device DD shown in FIG. 1, respectively.

이미지(IM)가 표시되는 표시면(IS)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시면(IS)의 법선 방향, 즉 표시장치(DD)의 두께 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다. 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다.The display surface IS on which the image IM is displayed is parallel to the plane defined by the first directional axis DR1 and the second directional axis DR2. The normal direction of the display surface IS, i.e., the thickness direction of the display device DD, is indicated by the third directional axis DR3. The front surface (or the upper surface) and the back surface (or lower surface) of each of the members are separated by the third directional axis DR3. However, the directions indicated by the first to third direction axes DR1, DR2, DR3 can be converted into different directions as relative concepts. Hereinafter, the first to third directions refer to the same reference numerals in the directions indicated by the first to third direction axes DR1, DR2, and DR3, respectively.

본 발명에 따른 표시장치(DD)는 텔레비전, 모니터 등과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 휴대 전화, 태블릿, 자동차 네비게이션, 게임기, 스마트 와치 등과 같은 중소형 전자장치 등에 사용될 수 있다. The display device DD according to the present invention can be used for a large-sized electronic device such as a television, a monitor, etc., and a small-sized electronic device such as a mobile phone, a tablet, a car navigation system, a game machine,

도 1을 참조하면, 표시장치(DD)의 표시면(IS)은 복수 개의 영역들을 포함할 수 있다. 표시면(IS)은 이미지(IM)가 표시되는 표시영역(DD-DA) 및 표시영역(DD-DA)에 인접한 비표시영역(DD-NDA)을 포함한다. 비표시영역(DD-NDA)은 이미지가 표시되지 않는 영역이다. 도 1에는 이미지(IM)의 일 예로 어플리케이션 아이콘들을 도시하였다. 일 예로써, 표시영역(DD-DA)은 사각형상일 수 있다. 비표시영역(DD-NDA)은 표시영역(DD-DA)을 에워싸을 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시영역(DD-DA)의 형상과 비표시영역(DD-NDA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다.Referring to FIG. 1, the display surface IS of the display device DD may include a plurality of areas. The display surface IS includes a display area DD-DA in which the image IM is displayed and a non-display area DD-NDA adjacent to the display area DD-DA. The non-display area (DD-NDA) is an area where no image is displayed. FIG. 1 shows application icons as an example of an image IM. As an example, the display area DD-DA may be rectangular. The non-display area DD-NDA can surround the display area DD-DA. However, the shape of the display area DD-DA and the shape of the non-display area DD-NDA can be relatively designed, without being limited thereto.

도 2a를 참조하면, 표시장치(DD)는 사용자 손가락(FG)의 지문(FP)을 인식할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 지문(FP)을 인식할 수 있는 영역은 표시영역(DD-DA)과 실질적으로 동일할 수 있다. 즉, 표시영역(DD-DA)에 사용자 손가락(FG)의 지문(FP)이 접촉하게 되면, 표시장치(DD)는 이를 인식할 수 있게 된다. Referring to FIG. 2A, the display device DD can recognize a fingerprint FP of the user finger FG. In one embodiment of the present invention, the area capable of recognizing the fingerprint (FP) may be substantially the same as the display area DD-DA. That is, when the fingerprint FP of the user finger FG touches the display area DD-DA, the display device DD can recognize the fingerprint FP.

표시장치(DD)는 사용자의 지문(FP)을 인식하여 정당한 사용자인지 여부를 판단할 수 있다. 또한, 사용자의 지문(FP)은 휴대기기 보안, 금융거래, 시스템 제어 등을 위해서 사용될 수 있다.The display device (DD) recognizes the fingerprint (FP) of the user and judges whether or not the user is a legitimate user. In addition, the user's fingerprint (FP) can be used for security of mobile devices, financial transactions, system control, and the like.

본 발명의 일 실시예에서 표시영역(DD-DA)의 일 부분만이 지문(FP)을 인식할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 표시영역(DD-DA)이 아닌 비표시영역(DD-NDA)이 지문(FP)을 인식할 수 있다.In one embodiment of the present invention, only a part of the display area DD-DA can recognize the fingerprint FP. In one embodiment of the present invention, the non-display area (DD-NDA) other than the display area (DD-DA) can recognize the fingerprint (FP).

도 2b를 참조하면, 사용자 손가락(FG)이 접촉하는 영역은 지문접촉영역(FCA)으로 정의될 수 있다. 손가락(FG)이 접촉되는 위치가 변경됨에 따라, 지문접촉영역(FCA)의 위치는 이에 대응하여 변경될 수 있다.Referring to FIG. 2B, the area where the user's finger FG contacts can be defined as the fingerprint contact area FCA. As the position at which the finger FG is contacted is changed, the position of the fingerprint contact area FCA can be correspondingly changed.

지문접촉영역(FCA)에서 방출되는 광은 백색일 수 있다. 백색 광은 다른 색의 광에 비해 반사율이 높기 때문에, 백색 광을 이용해서 지문(FP)을 인식하는 경우 표시장치(DD)의 지문(FP) 인식률이 높아질 수 있다.Light emitted from the fingerprint contact area (FCA) may be white. Since the white light has a higher reflectivity than the light of the other colors, the recognition rate of the fingerprint (FP) of the display device (DD) can be increased when the fingerprint (FP) is recognized using white light.

도 3은 도 1에 도시된 표시장치(DD)의 단면 중 일부를 도시한 것이다.Fig. 3 shows a part of a section of the display device DD shown in Fig.

보호필름(PM), 윈도우(WM), 및 표시모듈(DM)를 포함한다. 표시모듈(DM)는 보호필름(PM)과 윈도우(WM) 사이에 배치된다. 표시장치(DD)는 제1 접착부재(미도시) 및 제2 접착부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 제1 접착부재는 표시모듈(DM)과 보호필름(PM)을 결합시키고, 제2 접착부재는 표시모듈(DM)과 윈도우(WM)를 결합시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 보호필름(PM)과 윈도우(WM) 각각이 코팅공정을 통해 연속적으로 형성될 수 도 있다.A protective film PM, a window WM, and a display module DM. The display module DM is disposed between the protective film PM and the window WM. The display device DD may further include a first adhesive member (not shown) and a second adhesive member (not shown). The first adhesive member combines the display module DM with the protective film PM and the second adhesive member can combine the display module DM and the window WM. In one embodiment of the present invention, each of the protective film PM and the window WM may be continuously formed through a coating process.

본 발명의 일 실시예에서 제1 접착부재 및 제2 접착부재 각각은 광학투명접착필름(OCA, Optically Clear Adhesive film), 광학투명접착수지(OCR, Optically Clear Resin) 또는 감압접착필름(PSA, Pressure Sensitive Adhesive film)일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 접착부재 및 제2 접착부재 각각은 광경화 접착물질 또는 열경화 접착물질을 포함하고, 그 재료는 특별히 제한되지 않는다.In one embodiment of the present invention, each of the first adhesive member and the second adhesive member is made of an optically clear adhesive film (OCA), an optically clear resin (OCR) Sensitive Adhesive film). In one embodiment of the present invention, each of the first adhesive member and the second adhesive member includes a photocurable adhesive material or a thermosetting adhesive material, and the material thereof is not particularly limited.

보호필름(PM)은 표시모듈(DM)을 보호한다. 보호필름(PM)은 외부의 습기가 표시모듈(DM)에 침투하는 것을 방지하고, 외부 충격을 흡수한다.The protective film PM protects the display module DM. The protective film (PM) prevents external moisture from penetrating into the display module (DM) and absorbs external impact.

보호필름(PM)은 플라스틱 필름을 베이스층으로써 포함할 수 있다. 보호필름(PM)은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN, polyethylenenaphthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethyleneterephthalate), 폴리페닐렌설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리아릴렌에테르술폰(poly(arylene ethersulfone)) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 플라스틱 필름을 포함할 수 있다.The protective film (PM) may include a plastic film as a base layer. The protective film (PM) may be formed of at least one selected from the group consisting of polyethersulfone (PES), polyacrylate, polyetherimide (PEI), polyethylenenaphthalate (PEN), polyethyleneterephthalate (PET) (PPS), polyarylate, polyimide (PI), polycarbonate (PC), polyarylene ether sulfone (poly (arylene ethersulfone) And a plastic film containing any one selected from the group consisting of

보호필름(PM)을 구성하는 물질은 플라스틱 수지들에 제한되지 않고, 유/무기 복합재료를 포함할 수 있다. 보호필름(PM)은 다공성 유기층 및 유기층의 기공들에 충전된 무기물을 포함할 수 있다. 보호필름(PM)은 플라스틱 필름에 형성된 기능층을 더 포함할 수 있다. 상기 기능층은 수지층을 포함할 수 있다. 상기 기능층은 코팅 방식에 의해 형성될 수 있다.The material constituting the protective film (PM) is not limited to plastic resins, and may include an organic / inorganic composite material. The protective film PM may comprise a porous organic layer and an inorganic material filled in the pores of the organic layer. The protective film PM may further comprise a functional layer formed on the plastic film. The functional layer may include a resin layer. The functional layer may be formed by a coating method.

윈도우(WM)는 외부 충격으로부터 표시모듈(DM)을 보호하고, 사용자에게 터치감지면을 제공할 수 있다. 도 1 내지 도 2b에 도시된 표시면(IS)이 사용자의 터치여부를 감지하기 위한 터치감지면 일 수 있다. 또한, 표시면(IS)이 사용자의 지문을 인식하기 위한 지문인식면일 수 있다.The window WM protects the display module DM from external impact and can provide the user with a touch sensitive surface. The display surface IS shown in Figs. 1 and 2B may be a touch sensitive surface for detecting whether or not the user touches the display surface IS. Further, the display surface IS may be a fingerprint recognition surface for recognizing the fingerprint of the user.

본 발명의 일 실시예에서, 표시모듈(DM)은 표시패널(DP), 터치감지유닛(TS), 및 센서층(FPS)을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the display module DM may include a display panel DP, a touch sensing unit TS, and a sensor layer FPS.

표시패널(DP)은 복수의 발광소자들을 포함할 수 있다. 표시패널(DP)은 입력된 영상 데이터에 대응하는 이미지(IM, 도 1 참조)를 생성한다. 표시패널(DP)을 생성하는 공정은 LTPS(Low Temperature Polycrystaline Silicon) 또는 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide) 공정을 포함할 수 있다. The display panel DP may include a plurality of light emitting elements. The display panel DP generates an image IM (see Fig. 1) corresponding to the input image data. The process of forming the display panel DP may include a Low Temperature Polycrystalline Silicon (LTPS) process or a Low Temperature Polycrystalline Oxide (LTPO) process.

터치감지유닛(TS)은 표시패널(DP) 상에 배치된다. 터치감지유닛(TS)은 외부입력의 좌표정보를 획득할 수 있다. 터치감지유닛(TS)은 표시패널(DP)의 일면에 직접 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 터치감지유닛(TS)은 표시패널(DP)과 연속공정에 의해 제조될 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니며, 본 발명의 다른 실시예에서 터치감지유닛(TS)은 별도의 공정에 의해 제조되어, 표시패널(DP)에 접착될 수 있다.The touch sensing unit TS is disposed on the display panel DP. The touch sensing unit TS can acquire the coordinate information of the external input. The touch sensing unit TS can be disposed directly on one surface of the display panel DP. In one embodiment of the present invention, the touch sensing unit (TS) can be manufactured by a continuous process with a display panel (DP). However, the present invention is not limited thereto. In another embodiment of the present invention, the touch sensing unit TS may be manufactured by a separate process and adhered to the display panel DP.

본 발명의 일 실시예에서 터치감지유닛(TS)은 단층형일 수 있다. 즉, 터치감지유닛(TS)은 단일 도전층을 포함할 수 있다. 여기서 단일 도전층이란 "절연층으로 구분되는 도전층이 하나라는 것"을 의미한다. 제1 금속층/제2 금속층/금속 산화물층의 적층구조는 단일 도전층에 해당하고, 제1 금속층/절연층/금속 산화물층은 이중 도전층에 해당한다. 단, 이에 제한되는 것은 아니며 터치감지유닛(TS)은 복수의 도전층을 포함하는 복층형일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the touch sensing unit (TS) may be of a single-layer type. That is, the touch sensing unit TS may include a single conductive layer. Here, a single conductive layer means "one conductive layer is divided into an insulating layer ". The laminated structure of the first metal layer / second metal layer / metal oxide layer corresponds to a single conductive layer, and the first metal layer / insulating layer / metal oxide layer corresponds to a double conductive layer. However, the present invention is not limited thereto, and the touch sensing unit TS may be a multi-layer type including a plurality of conductive layers.

단일 도전층을 패터닝하여 복수의 터치센서들과 복수의 터치신호라인들을 형성한다. 즉, 터치감지유닛(TS)의 터치센서들은 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다. 터치센서들은 박막봉지층(TFE, 도 9 참조) 상에 직접 배치될 수 있다. 또한, 터치신호라인들 각각의 일부분은 터치센서들과 동일한 층상에 배치될 수 있다. A plurality of touch sensors and a plurality of touch signal lines are formed by patterning a single conductive layer. That is, the touch sensors of the touch sensing unit TS may be disposed on the same layer. The touch sensors can be placed directly on the thin-film encapsulation layer (TFE, see Fig. 9). In addition, a portion of each of the touch signal lines may be disposed on the same layer as the touch sensors.

본 발명의 일 실시예에서, 터치신호라인들 및 터치센서들은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), PEDOT, 금속 나노 와이어, 그라핀을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 터치신호라인들 및 터치센서들은 금속층, 예컨대 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 터치신호라인들 및 센서들은 서로 동일한 물질을 포함하거나, 서로 상이한 물질을 포함할 수 있다. In an embodiment of the present invention, the touch signal lines and the touch sensors may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium tin zinc oxide (ITZO), PEDOT, Graphene. ≪ / RTI > In one embodiment of the present invention, the touch signal lines and touch sensors may comprise a metal layer, such as molybdenum, silver, titanium, copper, aluminum, or alloys thereof. The touch signal lines and sensors may comprise the same material or may comprise different materials from each other.

센서층(FPS)은 표시패널(DP) 하부에 배치된다. 센서층(FPS)은 손가락(FG)의 지문(FP)을 인식하기 위한 복수의 센서들(SN, 도 6 참조)을 포함할 수 있다. The sensor layer FPS is disposed under the display panel DP. The sensor layer FPS may include a plurality of sensors SN (see Fig. 6) for recognizing the fingerprint FP of the finger FG.

표시패널(DP) 내의 발광소자에서 방출된 광(L1, 이하 제1 광)은 지문(FP)의 지문의 융선(ridge) 또는 골(valley)에 의해 반사된다. 지문의 융선(ridge) 또는 골(valley)에 의해 반사된 광(L2, 이하 제2 광)은 센서층(FPS)의 센서들(SN, 도 6참조) 중 적어도 어느 하나에 입사된다. 표시장치(DD)는 제1 광(L1) 및 제2 광(L2)을 이용하여 사용자의 지문(FP)을 인식할 수 있으며, 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.The light L1 emitted from the light emitting element in the display panel DP is reflected by the ridge or valley of the fingerprint FP. (L2) (hereinafter referred to as a second light) reflected by a ridge or valley of the fingerprint is incident on at least one of the sensors (SN, see FIG. 6) of the sensor layer FPS. The display device DD can recognize the user's fingerprint (FP) using the first light L1 and the second light L2, and a detailed description thereof will be described later.

별도로 도시하지 않았으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)은 반사방지층을 더 포함할 수도 있다. 반사방지층은 컬러필터 또는 도전층/유전체층/도전층의 적층 구조물 또는 광학부재를 포함할 수 있다. 반사방지층은 외부로부터 입사된 광을 흡수 또는 상쇄간섭 또는 편광시켜 외부광 반사율을 감소시킬 수 있다.Although not shown separately, the display module DM according to an embodiment of the present invention may further include an anti-reflection layer. The antireflection layer may include a color filter or a laminated structure of a conductive layer / dielectric layer / conductive layer or an optical member. The antireflection layer can reduce the external light reflectance by absorbing or destructively interfering or polarizing light incident from the outside.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 평면도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX)의 등가회로도이다.4 is a plan view of a display panel DP according to an embodiment of the present invention. 5 is an equivalent circuit diagram of a pixel PX according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 표시패널(DP)은 평면상에서 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시패널(DP)의 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)은 표시장치(DD, 도 1 참조)의 표시영역(DD-DA, 도 1 참조) 및 비표시영역(DD-NDA, 도 1 참조)에 각각 대응한다. 표시패널(DP)의 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)은 표시장치(DD)의 표시영역(DD-DA) 및 비표시영역(DD-NDA)과 반드시 동일할 필요는 없고, 표시패널(DP)의 구조/디자인에 따라 변경될 수 있다.Referring to Fig. 4, the display panel DP includes a display area DA and a non-display area NDA on a plane. The display area DA and the non-display area NDA of the display panel DP are divided into a display area DD-DA (see Fig. 1) and a non-display area DD-NDA 1), respectively. The display area DA and the non-display area NDA of the display panel DP are not necessarily the same as the display area DD-DA and the non-display area DD-NDA of the display device DD, Can be changed according to the structure / design of the panel (DP).

표시패널(DP)은 복수 개의 신호라인들(SGL) 및 복수 개의 화소들(PX)을 포함한다. 복수 개의 화소들(PX)이 배치된 영역이 표시영역(DA)으로 정의된다. 본 실시예에서 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)의 테두리를 따라 정의될 수 있다. The display panel DP includes a plurality of signal lines SGL and a plurality of pixels PX. An area in which a plurality of pixels PX are arranged is defined as a display area DA. In the present embodiment, the non-display area NDA can be defined along the rim of the display area DA.

복수 개의 신호라인들(SGL)은 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호 라인(CSL)을 포함한다. 게이트 라인들(GL)은 복수 개의 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결되고, 데이터 라인들(DL)은 복수 개의 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결된다. 전원 라인(PL)은 복수 개의 화소들(PX)에 연결된다. 비표시영역(NDA)의 일측에는 게이트 라인들(GL)이 연결된 게이트 구동회로(DCV)가 배치될 수 있다. 제어신호 라인(CSL)은 게이트 구동회로(DCV)에 제어신호들을 제공할 수 있다.The plurality of signal lines SGL includes gate lines GL, data lines DL, a power supply line PL, and a control signal line CSL. The gate lines GL are connected to the corresponding pixels PX of the plurality of pixels PX and the data lines DL are connected to the corresponding pixels PX of the plurality of pixels PX, do. The power supply line PL is connected to the plurality of pixels PX. A gate driving circuit DCV to which the gate lines GL are connected may be disposed on one side of the non-display area NDA. The control signal line CSL may provide control signals to the gate drive circuit DCV.

게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호 라인(CSL) 중 일부는 동일한 층에 배치되고, 일부는 다른 층에 배치된다. 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호 라인(CSL) 중 어느 하나의 층에 배치된 신호라인들이 제1 신호라인으로 정의될 때, 다른 하나의 층에 배치된 신호라인들은 제2 신호라인으로 정의될 수 있다. 또 다른 하나의 층에 배치된 신호라인들은 제3 신호라인으로 정의될 수 있다.Some of the gate lines GL, the data lines DL, the power supply line PL, and the control signal line CSL are arranged in the same layer, and some are arranged in different layers. When the signal lines arranged in any one of the gate lines GL, the data lines DL, the power supply line PL and the control signal line CSL are defined as the first signal line, The signal lines disposed in the layer may be defined as the second signal line. And the signal lines arranged in another layer may be defined as a third signal line.

게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호 라인(CSL) 각각은 신호 배선부와 신호 배선부의 말단에 연결된 표시패널 패드들(PD-DP)을 포함할 수 있다. 신호 배선부는 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호 라인(CSL) 각각의 표시패널 패드들(PD-DP)을 제외한 부분으로 정의될 수 있다.Each of the gate lines GL, the data lines DL, the power supply line PL and the control signal line CSL includes a signal wiring portion and display panel pads PD-DP connected to the ends of the signal wiring portion can do. The signal wiring portion can be defined as a portion excluding the display panel pads PD-DP of each of the gate lines GL, data lines DL, power supply line PL, and control signal line CSL.

표시패널 패드들(PD-DP)은 화소들(PX)을 구동하기 위한 트랜지스터들과 같은 공정에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 표시패널 패드들(PD-DP)은 화소들(PX)을 구동하기 위한 트랜지스터들과 같은 LTPS(Low Temperature Polycrystaline Silicon) 공정 또는 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide) 공정에서 형성될 수 있다. The display panel pads PD-DP may be formed in the same process as the transistors for driving the pixels PX. For example, the display panel pads PD-DP may be formed in a Low Temperature Polycrystalline Silicon (LTPS) process or a Low Temperature Polycrystalline Oxide (LTPO) process, such as transistors for driving the pixels PX.

본 발명의 일 실시예에서 표시패널 패드들(PD-DP)은 제어 패드(CSL-P), 데이터 패드(DL-P), 및 전원 패드(PL-P)를 포함할 수 있다. 게이트 패드부는 미 도시되었으나, 게이트 구동회로(DCV)와 중첩하며 게이트 구동회로(DCV)에 연결될 수 있다. 별도로 표기하지 않았으나, 제어 패드(CSL-P), 데이터 패드(DL-P), 및 전원 패드(PL-P)가 얼라인되어 있는 비표시영역(NDA)의 일부분은 패드영역으로 정의된다. 후술하는 것과 같이, 터치감지유닛(TS, 도 3 참조)의 패드들은 상술한 표시패널(DP)의 패드들과 인접하게 배치될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the display panel pads PD-DP may include a control pad CSL-P, a data pad DL-P, and a power pad PL-P. The gate pad portion is not shown but may overlap the gate driving circuit DCV and may be connected to the gate driving circuit DCV. A part of the non-display area NDA where the control pad CSL-P, the data pad DL-P, and the power source pad PL-P are aligned is defined as a pad area. As described later, the pads of the touch sensing unit TS (see Fig. 3) may be disposed adjacent to the pads of the display panel DP described above.

도 5에는 어느 하나의 게이트 라인(GL)과 어느 하나의 데이터 라인(DL), 및 전원 라인(PL)에 연결된 화소(PX)를 예시적으로 도시하였다. 화소(PX)의 구성은 이에 제한되지 않고 변형될 수 있다.FIG. 5 exemplarily shows a gate line GL, a data line DL, and a pixel PX connected to the power supply line PL. The configuration of the pixel PX is not limited thereto and can be modified.

화소(PX)는 표시소자로써 발광소자(LM)를 포함한다. 발광소자(LM)는 전면 발광형 다이오드이거나, 배면 발광형 다이오드일 수 있다. 또는 발광소자(LM)는 양면 발광형 다이오드일 수 있다. 발광소자(LM)는 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)일 수 있다. 화소(PX)는 발광소자(LM)를 구동하기 위한 회로부로써 제1 트랜지스터(TFT1, 또는 스위칭 트랜지스터), 제2 트랜지스터(TFT2, 또는 구동 트랜지스터), 및 커패시터(CP)를 포함한다. 발광소자(LM)는 트랜지스터(TFT1, TFT2)로부터 제공되는 전기적 신호의 의해 광을 생성한다.The pixel PX includes a light emitting element LM as a display element. The light emitting element LM may be a top emission type diode or a bottom emission type diode. Or the light emitting element LM may be a double-sided light emitting diode. The light emitting device LM may be an organic light emitting diode. The pixel PX includes a first transistor TFT1 or a switching transistor, a second transistor TFT2 or a driving transistor, and a capacitor CP as a circuit part for driving the light emitting element LM. The light emitting element LM generates light by electrical signals provided from the transistors TFT1 and TFT2.

제1 트랜지스터(TFT1)는 게이트 라인(GL)에 인가된 주사 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)에 인가된 데이터 신호를 출력한다. 커패시터(CP)는 제1 트랜지스터(TFT1)로부터 수신한 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전한다. The first transistor TFT1 outputs a data signal applied to the data line DL in response to a scan signal applied to the gate line GL. The capacitor CP charges the voltage corresponding to the data signal received from the first transistor TFT1.

제2 트랜지스터(TFT2)는 발광소자(LM)에 연결된다. 제2 트랜지스터(TFT2)는 커패시터(CP)에 저장된 전하량에 대응하여 발광소자(LM)에 흐르는 구동전류를 제어한다. 발광소자(LM)는 제2 트랜지스터(TFT2)의 턴-온 구간 동안 발광한다.The second transistor TFT2 is connected to the light emitting element LM. The second transistor TFT2 controls the driving current flowing to the light emitting element LM in accordance with the amount of charge stored in the capacitor CP. The light emitting element LM emits light during the turn-on period of the second transistor TFT2.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층(FPS)의 평면도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서(SN)의 등가회로도이다. 6 is a plan view of a sensor layer (FPS) according to one embodiment of the present invention. 7 is an equivalent circuit diagram of a sensor SN according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 센서층(FPS)은 평면상에서 지문인식영역(FPA) 및 비지문인식영역(NFPA)을 포함한다. 센서층(FPS)의 지문인식영역(FPA) 및 비지문인식영역(NFPA)은 표시장치(DD, 도 1 참조)의 표시영역(DD-DA, 도 1 참조) 및 비표시영역(DD-NDA, 도 1 참조)에 각각 대응할 수 있다. 센서층(FPS)의 지문인식영역(FPA) 및 비지문인식영역(NFPA)은 표시장치(DD)의 표시영역(DD-DA) 및 비표시영역(DD-NDA)과 반드시 동일할 필요는 없고, 센서층(FPS)의 구조/디자인에 따라 변경될 수 있다.Referring to FIG. 6, the sensor layer FPS includes a fingerprint recognition area FPA and a non-fingerprint recognition area NFPA on a plane. The fingerprint recognition area FPA and the non-fingerprint recognition area NFPA of the sensor layer FPS are arranged in the display area DD-DA (see Fig. 1) and the non-display area DD-NDA of the display device DD 1), respectively. The fingerprint recognition area FPA and the non-recognition area NFPA of the sensor layer FPS do not necessarily have to be the same as the display area DD-DA and the non-display area DD-NDA of the display device DD, May be changed depending on the structure / design of the sensor layer (FPS).

센서층(FPS)은 복수 개의 스캔 라인들(SL), 복수 개의 리드아웃 라인들(RL), 및 복수 개의 센서들(SN)을 포함한다. 복수 개의 센서들(SN)이 배치된 영역이 지문인식영역(FPA)으로 정의된다. The sensor layer FPS includes a plurality of scan lines SL, a plurality of lead-out lines RL, and a plurality of sensors SN. An area in which a plurality of sensors SN are arranged is defined as a fingerprint recognition area FPA.

스캔 라인들(SL)은 복수 개의 센서들(SN) 중 대응하는 센서(SN)에 각각 연결되고, 리드아웃 라인들(RL)은 복수 개의 센서들(SN) 중 대응하는 센서(SN)에 각각 연결된다. The scan lines SL are connected to corresponding ones of the plurality of sensors SN and the lead out lines RL are connected to corresponding ones of the plurality of sensors SN .

복수 개의 센서들(SN) 중 인접하는 센서들(SN) 간의 이격거리는 3μm 이상 120μm 이하일 수 있으며, 바람직하게는 센서들(SN) 간의 이격거리는 20μm 이상 100μm 이하일 수 있다. 센서들(SN) 간의 이격거리가 100μm보다 큰 경우, 지문을 인식하는데 필요한 충분한 해상도를 가지는 스캔 이미지를 얻지 못할 수 있다. 이격거리가 20μm보다 작은 경우는 공정이 복잡하고 제조단가 상승이 발생할 수 있다. The spacing distance between adjacent sensors (SN) among the plurality of sensors (SN) may be not less than 3 μm and not more than 120 μm, and preferably the spacing distance between the sensors (SN) may be not less than 20 μm and not more than 100 μm. If the separation distance between the sensors SN is greater than 100 mu m, it may not be possible to obtain a scan image having sufficient resolution necessary for recognizing the fingerprint. If the spacing distance is less than 20 μm, the process is complicated and the manufacturing cost may increase.

비지문인식영역(NFPA)의 일측에는 스캔 라인들(SL)이 연결된 스캔 구동회로(SCV)가 배치될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서 스캔 구동회로(SCV)는 게이트 구동회로(DCV, 도 4 참조)와 동일할 수 있다.A scan driver circuit (SCV) to which the scan lines SL are connected may be disposed at one side of the non-image recognition area (NFPA). In another embodiment of the present invention, the scan drive circuit SCV may be the same as the gate drive circuit DCV (see FIG. 4).

비지문인식영역(NFPA)의 일측에는 리드아웃 라인들(RL)이 연결된 리드아웃 회로(RCV)가 배치될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서는 리드아웃 회로(RCV) 없이 외부의 집적회로로부터 인가되는 신호가 리드아웃 라인들(RL)에 인가될 수 있다.A lead-out circuit RCV to which lead-out lines RL are connected may be disposed at one side of the non-printable area NFPA. In another embodiment of the present invention, a signal applied from an external integrated circuit can be applied to the lead-out lines RL without the lead-out circuit RCV.

스캔 라인들(SL) 및 리드아웃 라인들(RL) 각각은 말단에 연결된 센서 패드들(PD-SN)을 포함할 수 있다. Each of the scan lines SL and the lead-out lines RL may include sensor pads PD-SN connected to the ends.

센서 패드들(PD-SN)은 센서들(SN)을 구동하기 위한 트랜지스터들과 같은 공정에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 센서 패드들(PD-SN)은 센서들(SN)을 구동하기 위한 트랜지스터들과 같은 공정에서 형성될 수 있다.The sensor pads PD-SN may be formed in the same process as the transistors for driving the sensors SN. For example, the sensor pads PD-SN may be formed in the same process as the transistors for driving the sensors SN.

스캔 라인들(SL)에는 순차적으로 스캔 신호가 공급되며, 리드아웃 라인들(RL)은 센서(SN)로부터 출력되는 신호들을 수신하여 이를 리드아웃 회로(RCV)로 전달할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 센서(SN)로부터 출력되는 신호들은 이를 처리하는 다른 회로(미도시)로 전달될 수 있다.The scan lines SL are sequentially supplied with a scan signal, and the lead-out lines RL may receive signals output from the sensor SN and may transmit the signals to the lead-out circuit RCV. In another embodiment of the present invention, signals output from the sensor SN may be delivered to other circuitry (not shown) that processes it.

도 7에는 어느 하나의 스캔 라인(SL)과 어느 하나의 리드아웃 라인(RL)에 연결된 센서(SN)를 예시적으로 도시하였다. 센서(SN)의 구성은 이에 제한되지 않고 변형될 수 있다.FIG. 7 exemplarily shows a sensor SN connected to one of the scan lines SL and one of the lead-out lines RL. The configuration of the sensor SN may be modified without being limited thereto.

센서(SN)는 제3 트랜지스터(TFT3), 제4 트랜지스터(TFT4), 센싱 커패시터(CP-SN)를 포함할 수 있다. The sensor SN may include a third transistor TFT3, a fourth transistor TFT4, and a sensing capacitor CP-SN.

제3 트랜지스터(TFT3)는 스위칭 소자로써, 제3 트랜지스터(TFT3)의 제어 전극은 스캔 라인(SL)과 연결되고, 출력 전극은 리드아웃 라인(RL)과 연결되며, 입력 전극은 센싱 커패시터(CP-SN)와 연결된다. 한편, 제4 트랜지스터(TFT4)의 입력 전극은 입력 전압 라인(VDD)에 연결되고, 출력 전극은 센싱 커패시터(CP-SN)와 연결되며, 제어 전극은 공통 전압 라인(VSS)에 연결된다.The third transistor TFT3 is a switching element. The control electrode of the third transistor TFT3 is connected to the scan line SL. The output electrode of the third transistor TFT3 is connected to the lead-out line RL. The input electrode of the third transistor TFT3 is connected to the sensing capacitor CP -SN). On the other hand, the input electrode of the fourth transistor TFT4 is connected to the input voltage line VDD, the output electrode thereof is connected to the sensing capacitor CP-SN, and the control electrode is connected to the common voltage line VSS.

제4 트랜지스터(TFT4)에 외부 물체로부터 반사된 광이 공급되면, 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘으로 이루어진 채널부의 반도체가 전류를 형성하게 되는데, 이러한 전류는 입력 전압 라인(VDD)에 입력되는 입력 전압에 의해 센싱 커패시터(CP-CN)와 제3 트랜지스터(TFT3) 방향으로 흐른다. 즉, 제4 트랜지스터(TFT4)는 포토 트랜지스터이다. 포토 트랜지스터는 빛에너지를 전기에너지로 변환하는 광센서의 일종으로, 빛의 세기에 따라 흐르는 전류가 변화하는 광기전력 효과를 이용한다. 이 때의 광전류를 트랜지스터를 이용하여 증폭시킨 것이 포토 트랜지스터이다. When light reflected from an external object is supplied to the fourth transistor (TFT4), a semiconductor of a channel portion made of amorphous silicon or polycrystalline silicon forms a current. This current is generated by the input voltage inputted to the input voltage line (VDD) And flows in the direction of the sensing capacitor CP-CN and the third transistor TFT3. That is, the fourth transistor TFT4 is a phototransistor. A phototransistor is a type of optical sensor that converts light energy into electrical energy. It uses a photovoltaic effect that changes the current flowing according to the intensity of light. The photocurrent amplified at this time is a phototransistor.

스캔 라인(SL)에 선택신호가 입력되면, 상기 전류가 리드아웃 라인(RL)을 통해 흐르게 된다. When the selection signal is inputted to the scan line SL, the current flows through the lead-out line RL.

본 발명의 일 실시예에서, 화소들(PX)의 개수와 센서들(SN)의 개수는 서로 다를 수 있다. 센서들(SN)의 개수는 화소들(PX)의 개수보다 작을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In an embodiment of the present invention, the number of pixels PX and the number of sensors SN may be different from each other. The number of sensors SN may be smaller than the number of pixels PX, but is not limited thereto.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 블록도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치(DD)는 센서 제어부(SC) 및 표시 구동부(PC)를 더 포함할 수 있다.8 is a block diagram of a display device DD according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, the display device DD according to an exemplary embodiment of the present invention may further include a sensor control unit SC and a display drive unit PC.

센서 제어부(SC)는 센서층(FPS)의 동작을 제어할 수 있으며 센서층(FPS)에서의 광 변화량 등을 감지함으로써 사용자의 지문을 인식할 수 있다. The sensor control unit SC can control the operation of the sensor layer FPS and can recognize the fingerprint of the user by detecting the amount of light change in the sensor layer FPS.

표시 구동부(PC)은 표시 패널(DP)로 영상 구동 신호를 공급함으로써, 표시 패널(DP)의 영상 표시 동작을 제어할 수 있다. 이를 위하여, 표시 구동부(PC)는 외부로부터 공급되는 영상 데이터와 제어 신호를 이용하여, 영상 구동 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 표시 구동부(PC)는 영상 데이터와 제어 신호를 호스트(미도시)로부터 공급받을 수 있고, 제어 신호는 수직 동기 신호(Vertical Synchronization Signal), 수평 동기 신호(Horizontal Synchronization Signal), 메인 클럭 신호(Main Clock Signal) 등을 포함할 수 있다. 또한, 영상 구동 신호는 주사 신호, 및 영상 데이터를 이용하여 생성된 데이터 신호 등을 포함할 수 있다. The display driver (PC) can control the image display operation of the display panel (DP) by supplying an image driving signal to the display panel (DP). To this end, the display driver PC can generate a video driving signal using video data and control signals supplied from the outside. For example, the display driver PC may receive image data and a control signal from a host (not shown), and the control signal may include a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, Signal (Main Clock Signal), and the like. Also, the image driving signal may include a scanning signal, a data signal generated using image data, and the like.

센서 제어부(SC)와 표시 구동부(PC)는 하나의 구성으로 통합될 수 있다. 예를 들어, 센서 제어부(SC)와 표시 구동부(PC)는 하나의 IC(integrated circuit)로 구현될 수 있다.The sensor control unit SC and the display drive unit PC may be integrated into one configuration. For example, the sensor control unit SC and the display drive unit PC may be implemented as an integrated circuit (IC).

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP) 및 센서층(FPS)의 부분 단면도이다. 구체적으로, 도 9는 도 5 및 도 7에 도시된 제2 트랜지스터(TFT2), 제4 트랜지스터(TFT4), 및 발광소자(LM)에 대응하는 부분의 단면을 도시하였다. 9 is a partial cross-sectional view of a display panel DP and a sensor layer FPS according to an embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 9 shows a cross section of a portion corresponding to the second transistor TFT2, the fourth transistor TFT4, and the light emitting element LM shown in FIGS. 5 and 7.

표시패널(DP)은 제1 베이스층(SUB1), 회로층(CL), 화소층(ELL), 및 박막봉지층(TFE)을 포함한다.The display panel DP includes a first base layer SUB1, a circuit layer CL, a pixel layer ELL, and a thin-film encapsulation layer (TFE).

제1 베이스층(SUB1)은 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 제1 베이스층(SUB1)은 입사되는 광 중 적어도 일부를 투과시킬 수 있다. The first base layer SUB1 may include an organic material or an inorganic material. The first base layer SUB1 can transmit at least part of incident light.

제1 베이스층(SUB1) 상에 회로층(CL)이 배치된다. 제1 베이스층(SUB1) 상에 제2 트랜지스터(TFT2)의 반도체 패턴(AL2, 이하 제2 반도체 패턴)이 배치된다. 제2 반도체 패턴(AL2)은 아몰포스 실리콘, 폴리 실리콘, 금속 산화물 반도체에서 선택될 수 있다.A circuit layer CL is disposed on the first base layer SUB1. A semiconductor pattern AL2 (hereinafter referred to as a second semiconductor pattern) of the second transistor TFT2 is disposed on the first base layer SUB1. The second semiconductor pattern AL2 may be selected from amorphous silicon, polysilicon, and metal oxide semiconductors.

회로층(CL)은 유기/무기층들(BR, BF, 12, 14, 16) 및 제2 트랜지스터(TFT2)를 포함하고, 유기/무기층들(BR, BF, 12, 14, 16)은 기능층(BR, BF), 제1 절연층(12), 제2 절연층(14), 및 제3 절연층(16)을 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 회로층(CL)은 제1 트랜지스터(TFT1, 도 5 참조) 및 커패시터(CP, 도 5 참조)를 포함할 수 있다.The circuit layer CL comprises organic / inorganic layers BR, BF, 12, 14, 16 and a second transistor TFT2 and the organic / inorganic layers BR, BF, 12, 14, And may include functional layers BR and BF, a first insulating layer 12, a second insulating layer 14, and a third insulating layer 16. Although not shown, the circuit layer CL may include a first transistor (TFT1, see FIG. 5) and a capacitor CP (see FIG. 5).

기능층(BR, BF)은 제1 베이스층(SUB1)의 일면 상에 배치될 수 있다. 기능층(BR, BF)은 배리어층(BR) 또는 버퍼층(BF) 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 제2 반도체 패턴(AL2)은 배리어층(BR) 또는 버퍼층(BF) 상에 배치될 수 있다.The functional layers BR and BF may be disposed on one surface of the first base layer SUB1. The functional layers BR and BF include at least one of a barrier layer BR and a buffer layer BF. The second semiconductor pattern AL2 may be disposed on the barrier layer BR or the buffer layer BF.

제1 베이스층(SUB1) 상에 제2 반도체 패턴(AL2)을 커버하는 제1 절연층(12)이 배치된다. 제1 절연층(12)은 유기층 및/또는 무기층을 포함한다. 특히, 제1 절연층(12)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다.A first insulating layer 12 covering the second semiconductor pattern AL2 is disposed on the first base layer SUB1. The first insulating layer 12 includes an organic layer and / or an inorganic layer. In particular, the first insulating layer 12 may include a plurality of inorganic thin films. The plurality of inorganic thin films may include a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, and a silicon oxide layer.

제1 절연층(12) 상에 제2 트랜지스터(TFT2)의 제어전극(GE2, 이하, 제2 제어전극)이 배치된다. 제2 제어전극(GE2)은 게이트 라인들(GL, 도 5 참조)과 동일한 포토리소그래피 공정에 따라 제조될 수 있다. 다시 말해, 제2 제어전극(GE2)은 게이트 라인들(GL)과 동일한 물질로 구성되고, 동일한 적층 구조를 갖고, 동일한 층 상에 배치될 수 있다.A control electrode GE2 (hereinafter referred to as a second control electrode) of the second transistor TFT2 is disposed on the first insulating layer 12. [ The second control electrode GE2 may be manufactured according to the same photolithography process as the gate lines GL (see FIG. 5). In other words, the second control electrode GE2 is made of the same material as the gate lines GL, has the same lamination structure, and can be disposed on the same layer.

제1 절연층(12) 상에 제2 제어전극(GE2)을 커버하는 제2 절연층(14)이 배치된다. 제2 절연층(14)은 유기층 및/또는 무기층을 포함한다. 특히, 제2 절연층(14)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다.A second insulating layer (14) covering the second control electrode (GE2) is disposed on the first insulating layer (12). The second insulating layer 14 includes an organic layer and / or an inorganic layer. In particular, the second insulating layer 14 may include a plurality of inorganic thin films. The plurality of inorganic thin films may include a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, and a silicon oxide layer.

제2 절연층(14) 상에 제2 트랜지스터(TFT2)의 입력전극(SE2: 이하, 제2 입력전극) 및 출력전극(DE2: 이하, 제2 출력전극)이 배치된다. 제2 입력전극(SE2)은 전원 라인(PL, 도 5 참조)으로부터 분기될 수 있다.An input electrode SE2 (hereinafter referred to as a second input electrode) and an output electrode DE2 (hereinafter referred to as a second output electrode) of the second transistor TFT2 are disposed on the second insulating layer 14. [ The second input electrode SE2 may be branched from the power supply line PL (see Fig. 5).

제2 입력전극(SE2) 및 제2 출력전극(DE2)은 데이터 라인들(DL, 도 5 참조) 및 전원 라인(PL, 도 5 참조)과 동일한 포토리소그래피 공정에 따라 제조될 수 있고, 동일한 물질로 구성되고, 동일한 적층 구조를 갖고, 동일한 층 상에 배치될 수 있다.The second input electrode SE2 and the second output electrode DE2 can be manufactured according to the same photolithography process as the data lines DL (see FIG. 5) and the power supply line PL (see FIG. 5) , Has the same lamination structure, and can be disposed on the same layer.

제2 입력전극(SE2)과 제2 출력전극(DE2)은 제1 절연층(12) 및 제2 절연층(14)을 관통하는 제1 관통홀(CH1)과 제2 관통홀(CH2)을 통해 제2 반도체 패턴(AL2)에 각각 연결된다. 한편, 본 발명의 다른 실시예에서 제2 트랜지스터(TFT2)는 바텀 게이트 구조로 변형되어 실시될 수 있다.The second input electrode SE2 and the second output electrode DE2 are electrically connected to each other through a first through hole CH1 and a second through hole CH2 through the first insulating layer 12 and the second insulating layer 14, Respectively, to the second semiconductor pattern AL2. Meanwhile, in another embodiment of the present invention, the second transistor (TFT2) may be implemented by being modified into a bottom gate structure.

제2 절연층(14) 상에 제2 입력전극(SE2), 및 제2 출력전극(DE2)을 커버하는 제3 절연층(16)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(16)은 유기층 및/또는 무기층을 포함한다. 특히, 제3 절연층(16)은 평탄면을 제공하기 위해서 유기물질을 포함할 수 있다. A second input electrode SE2 may be disposed on the second insulating layer 14 and a third insulating layer 16 may be disposed to cover the second output electrode DE2. The third insulating layer 16 includes an organic layer and / or an inorganic layer. In particular, the third insulating layer 16 may comprise an organic material to provide a planar surface.

제1 절연층(12), 제2 절연층(14), 및 제3 절연층(16) 중 어느 하나는 화소의 회로 구조에 따라 생략될 수 있다. 제2 절연층(14), 및 제3 절연층(16) 각각은 층간 절연층(interlayer)으로 정의될 수 있다. 층간 절연층은 층간 절연층을 기준으로 하부에 배치된 도전패턴과 상부에 배치된 도전패턴의 사이에 배치되어 도전패턴들을 절연시킨다.Either the first insulating layer 12, the second insulating layer 14, or the third insulating layer 16 may be omitted depending on the circuit structure of the pixel. The second insulating layer 14, and the third insulating layer 16 may each be defined as an interlayer insulating layer. The interlayer insulating layer is interposed between the conductive pattern disposed on the lower side and the conductive pattern disposed on the upper side with respect to the interlayer insulating layer to insulate the conductive patterns.

제3 절연층(16) 상에 화소층(ELL)이 배치된다. 화소층(ELL)은 화소정의막(PXL) 및 발광소자(LM)를 포함한다. 제3 절연층(16) 상에 애노드(AE)가 배치된다. 애노드(AE)는 제3 절연층(16)을 관통하는 제3 관통홀(CH3)을 통해 제2 출력전극(DE2)에 연결된다. 화소정의막(PXL)에는 개구부(OP)가 정의된다. 화소정의막(PXL)의 개구부(OP)는 애노드(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다. A pixel layer (ELL) is disposed on the third insulating layer (16). The pixel layer ELL includes a pixel defining layer PXL and a light emitting element LM. An anode (AE) is disposed on the third insulating layer (16). The anode AE is connected to the second output electrode DE2 through the third through hole CH3 passing through the third insulating layer 16. [ An opening OP is defined in the pixel defining film PXL. The opening OP of the pixel defining layer PXL exposes at least a part of the anode AE.

화소층(ELL)은 발광영역(PXA)과 발광영역(PXA)에 인접한 비발광영역(NPXA)을 포함한다. 비발광영역(NPXA)은 발광영역(PXA)을 에워싸을수 있다. 본 실시예에서 발광영역(PXA)은 애노드(AE)에 대응하게 정의되었다. 그러나, 발광영역(PXA)은 이에 제한되지 않고, 발광영역(PXA)은 광이 발생되는 영역으로 정의되면 충분하다. 발광영역(PXA)은 개구부(OP)에 의해 노출된 애노드(AE)의 일부영역에 대응하게 정의될 수도 있다.The pixel layer ELL includes a light emitting region PXA and a non-light emitting region NPXA adjacent to the light emitting region PXA. The non-emission area NPXA can surround the emission area PXA. In this embodiment, the light emitting region PXA is defined corresponding to the anode AE. However, the light emitting region PXA is not limited thereto, and it is sufficient if the light emitting region PXA is defined as a region where light is generated. The light emitting region PXA may be defined corresponding to a part of the region of the anode AE exposed by the opening OP.

정공 제어층(HCL)은 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 별도로 도시되지 않았으나, 정공 제어층(HCL)과 같은 공통층은 복수 개의 화소들(PX, 도 4 참조)에 공통으로 형성될 수 있다.The hole control layer HCL may be disposed in common to the light emitting region PXA and the non-light emitting region NPXA. Although not separately shown, a common layer such as the hole control layer (HCL) may be formed in common to the plurality of pixels PX (see FIG. 4).

정공 제어층(HCL) 상에 발광층(EML)이 배치된다. 발광층(EML)은 개구부(OP)에 대응하는 영역에만 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EML)은 복수 개의 화소들(PX) 각각에 분리되어 형성될 수 있다. A light emitting layer (EML) is disposed on the hole control layer (HCL). The light emitting layer (EML) may be disposed only in the region corresponding to the opening (OP). That is, the light emitting layer (EML) may be formed separately for each of the plurality of pixels PX.

발광층(EML)은 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다.The light emitting layer (EML) may include an organic material or an inorganic material.

발광층(EML) 상에 전자 제어층(ECL)이 배치된다. 전자 제어층(ECL) 상에 캐소드(CE)가 배치된다. 캐소드(CE)는 복수 개의 화소들(PX)에 공통적으로 배치된다. An electron control layer (ECL) is disposed on the light-emitting layer (EML). A cathode CE is disposed on the electron control layer (ECL). The cathode CE is disposed in common to the plurality of pixels PX.

본 실시예에서 패터닝된 발광층(EML)을 예시적으로 도시하였으나, 발광층(EML)은 복수 개의 화소들(PX)에 공통적으로 배치될 수 있다. Although the patterned light emitting layer (EML) is illustrated as an example in the present embodiment, the light emitting layer (EML) may be disposed in common to the plurality of pixels PX.

본 발명의 일 실시예에서, 발광층(EML)은 청색 광, 적색 광, 및 녹색 광 중 적어도 어느 하나를 생성할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 발광층(EML)은 백색 광을 생성할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 다층구조를 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the light emitting layer (EML) may produce at least one of blue light, red light, and green light. In another embodiment of the present invention, the light emitting layer (EML) can produce white light. Further, the light-emitting layer (EML) may have a multi-layer structure.

본 발명의 일 실시예에서 박막봉지층(TFE)은 캐소드(CE)를 직접 커버할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서 박막봉지층(TFE)은 별도의 접착제를 통해 화소층(ELL) 상에 배치될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the thin film encapsulation layer (TFE) can directly cover the cathode CE. In another embodiment of the present invention, the thin film encapsulation layer (TFE) may be disposed on the pixel layer (ELL) through a separate adhesive.

본 발명의 일 실시예에서, 캐소드(CE)를 커버하는 캡핑층이 더 배치될 수 있다. 이때 박막봉지층(TFE)은 캡핑층을 직접 커버할 수 있다. 박막봉지층(TFE)은 유기물을 포함하는 유기층 및 무기물을 포함하는 무기층을 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, a capping layer covering the cathode CE may be further disposed. At this time, the thin film encapsulation layer (TFE) can directly cover the capping layer. The thin film encapsulation layer (TFE) may comprise an organic layer comprising an organic material and an inorganic layer comprising an inorganic material.

표시패널(DP)의 하부에는 센서층(FPS)이 배치된다. 센서층(FPS)은 제2 베이스층(SUB2), 제4 트랜지스터(TFT4), 제4 절연층(22), 및 제5 절연층(24)을 포함할 수 있다. A sensor layer FPS is disposed under the display panel DP. The sensor layer FPS may include a second base layer SUB2, a fourth transistor TFT4, a fourth insulating layer 22, and a fifth insulating layer 24.

제2 베이스층(SUB2)은 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제2 베이스층(SUB2)은 폴리이미드(Polyimide)를 포함하는 필름일 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서 제2 베이스층(SUB2)은 유리를 포함하는 박막층일 수 있다. The second base layer SUB2 may include an organic material or an inorganic material. In an embodiment of the present invention, the second base layer SUB2 may be a film containing polyimide. In another embodiment of the present invention, the second base layer SUB2 may be a thin film layer containing glass.

제2 베이스층(SUB2) 상에 제4 트랜지스터(TFT4)의 제어전극(GE4: 이하, 제4 제어전극)이 배치된다.A control electrode GE4 (hereinafter referred to as a fourth control electrode) of the fourth transistor TFT4 is disposed on the second base layer SUB2.

제2 베이스층(SUB2) 상에 제4 제어전극(GE4)을 커버하는 제4 절연층(22)이 배치된다. 제4 절연층(22)은 유기층 및/또는 무기층을 포함한다. 특히, 제4 절연층(22)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다A fourth insulating layer 22 covering the fourth control electrode GE4 is disposed on the second base layer SUB2. The fourth insulating layer 22 includes an organic layer and / or an inorganic layer. In particular, the fourth insulating layer 22 may include a plurality of inorganic thin films. The plurality of inorganic thin films may include a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, and a silicon oxide layer

제4 절연층(22) 상에 제4 트랜지스터(TFT4)의 반도체 패턴(AL4: 이하, 제4 반도체 패턴)이 배치된다. 제4 반도체 패턴(AL4)은 아몰포스 실리콘, 폴리 실리콘, 금속 산화물 반도체에서 서로 동일하게 또는 서로 다르게 선택될 수 있다.A semiconductor pattern (AL4 (hereinafter referred to as a fourth semiconductor pattern) of the fourth transistor (TFT4) is arranged on the fourth insulating layer 22. [ The fourth semiconductor pattern AL4 may be the same or different from each other in the amorphous silicon, the polysilicon, and the metal oxide semiconductor.

제4 트랜지스터(TFT4)의 입력전극(SE4: 이하, 제4 입력전극) 및 출력전극(DE: 이하, 제4 출력전극)은 각각 제4 반도체 패턴(AL4)의 일부와 중첩하도록 배치된다. The input electrode SE4 (hereinafter referred to as a fourth input electrode) and the output electrode DE (hereinafter referred to as a fourth output electrode) of the fourth transistor TFT4 are arranged so as to overlap with a part of the fourth semiconductor pattern AL4, respectively.

제4 절연층(22) 상에 제4 입력전극(SE4) 및 제4 출력전극(DE4)를 커버하는 제5 절연층(24)이 배치된다. 제5 절연층(24)은 유기층 및/또는 무기층을 포함한다. 특히, 제5 절연층(24)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제5 절연층(24)은 제1 베이스층(SUB1)의 하부면에 직접 배치될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 제5 절연층(24)은 접착부재에 의해 제1 베이스층(SUB1)에 접착될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 각각 별도의 공정을 통해 생성된 표시패널(DP) 및 센서층(FPS)이 부착 공정을 통해 결합되는 경우, 제조의 편의성이 향상된다. A fifth insulating layer 24 covering the fourth input electrode SE4 and the fourth output electrode DE4 is disposed on the fourth insulating layer 22. [ The fifth insulating layer 24 includes an organic layer and / or an inorganic layer. In particular, the fifth insulating layer 24 may include a plurality of inorganic thin films. The plurality of inorganic thin films may include a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, and a silicon oxide layer. In an embodiment of the present invention, the fifth insulating layer 24 may be disposed directly on the lower surface of the first base layer SUB1. In another embodiment of the present invention, the fifth insulating layer 24 may be adhered to the first base layer SUB1 by an adhesive member. In an embodiment of the present invention, when the display panel DP and the sensor layer FPS generated through separate processes are combined through the adhesion process, the manufacturing convenience is improved.

도 3 및 도 9를 참조하면, 발광소자(LM)에서 생성된 제1 광(L1)은 손가락(FG)의 지문(FP)에 반사되어 제2 광(L2)이 된다. 제2 광(L2)은 표시패널(DP)의 각 층들을 투과하여, 제4 트랜지스터(TFT4)의 제4 반도체 패턴(AL4)에 도달 할 수 있다. 제4 트랜지스터(TFT4)는 제2 광(L2)의 변화를 감지하여, 지문(FP)을 인식할 수 있다. 제4 트랜지스터(TFT4)는 제4 반도체 패턴(AL4)을 통해 제2 광(L2)의 변화를 용이하게 감지하기 위해서, 도시된 것과 같이 바텀 게이트 구조를 갖는 것이 바람직하다.3 and 9, the first light L1 generated in the light emitting device LM is reflected on the fingerprint FP of the finger FG to become the second light L2. The second light L2 can pass through the respective layers of the display panel DP and reach the fourth semiconductor pattern AL4 of the fourth transistor TFT4. The fourth transistor TFT4 senses the change of the second light L2 and can recognize the fingerprint FP. The fourth transistor TFT4 preferably has a bottom gate structure as shown in the figure so as to easily detect the change of the second light L2 through the fourth semiconductor pattern AL4.

본 발명의 일 실시예에서, 제4 트랜지스터(TFT4) 상에 배치된 복수의 층들 중 제4 트랜지스터(TFT4)와 중첩하는 부분은 일부 제거하여, 제2 광(L2)의 투과율을 향상시킬 수 있다.In an embodiment of the present invention, a portion of the plurality of layers disposed on the fourth transistor (TFT4) overlapping with the fourth transistor (TFT4) may be partially removed to improve the transmittance of the second light L2 .

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP) 및 센서층(FPS-1)의 부분 단면도이다.10 is a partial cross-sectional view of a display panel DP and a sensor layer FPS-1 according to an embodiment of the present invention.

센서층(FPS-1)은 제4 트랜지스터(TFT4)의 제4 반도체 패턴(AL4) 상에 배치되는 광학렌즈(LNS)를 포함할 수 있다. 광학렌즈(LNS)는 제2 광(L2, 도 3 참조)이 인접하는 다른 트랜지스터의 반도체 패턴이 아닌 본래 대응되는 위치의 반도체 패턴에 인가되도록 제2 광(L2, 도 3 참조)을 집광한다. 광학렌즈(LNS)에 의해, 지문을 스캔하는 해상도가 향상될 수 있다. The sensor layer FPS-1 may include an optical lens LNS disposed on the fourth semiconductor pattern AL4 of the fourth transistor TFT4. The optical lens LNS condenses the second light L2 (see FIG. 3) so that the second light L2 (see FIG. 3) is applied to the semiconductor pattern at the original corresponding position, not the semiconductor pattern of the adjacent transistor. By the optical lens (LNS), the resolution for scanning the fingerprint can be improved.

센서층(FPS-1)은 광학렌즈(LNS)를 커버하는 접착부재(AD)를 포함할 수 있다. 접착부재(AD)에 의해 센서층(FPS-1)과 표시패널(DP)이 접착될 수 있다. 그 외 다른 구성들에 대한 설명은 도 9에서 설명한 내용과 실질적으로 동일하므로 생략한다.The sensor layer FPS-1 may include an adhesive member AD covering the optical lens LNS. The sensor layer FPS-1 and the display panel DP can be bonded by the adhesive member AD. Explanations of other configurations are substantially the same as those described in Fig.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP) 및 센서층(FPS-2)의 부분 단면도이다.11 is a partial cross-sectional view of a display panel DP and a sensor layer FPS-2 according to an embodiment of the present invention.

센서층(FPS-2)은 제5 절연층(24) 상에 배치되는 접착부재(AD-1)를 더 포함할 수 있다. 접착부재(AD-1)에는 센서(SN, 도 7 참조)의 제4 트랜지스터(TFT4)에 대응하는 개구부(OP-AD)가 정의될 수 있다. The sensor layer FPS-2 may further include an adhesive member AD-1 disposed on the fifth insulating layer 24. An opening OP-AD corresponding to the fourth transistor TFT4 of the sensor SN (see Fig. 7) may be defined in the adhesive member AD-1.

본 발명의 일 실시예에서, 접착부재(AD-1)의 개구부(OP-AD)가 정의된 영역 외의 다른 영역은 광을 투과시키지 않을 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다.In an embodiment of the present invention, another region other than the region where the opening OP-AD of the bonding member AD-1 is defined may not transmit light. However, the present invention is not limited thereto.

접착부재(AD-1)는 소정의 두께(HH)를 갖는다. 접착부재(AD-1)의 개구부(OP-AD)는 도 10의 광학렌즈(LNS)과 유사한 역할을 할 수 있다. 즉, 접착부재(AD-1)의 개구부(OP-AD) 및 소정의 두께(HH)에 의해, 제2 광(L2, 도 3 참조)이 인접하는 다른 트랜지스터의 반도체 패턴이 아닌 본래 대응되는 위치의 반도체 패턴에 인가되는 확률이 높아질 수 있다. 그 외 다른 구성들에 대한 설명은 도 9에서 설명한 내용과 실질적으로 동일하므로 생략한다.The adhesive member AD-1 has a predetermined thickness HH. The opening OP-AD of the adhesive member AD-1 may serve similar to the optical lens LNS of Fig. That is, the second light L2 (see FIG. 3) is not originally corresponding to the semiconductor pattern of the adjacent transistor by the opening OP-AD of the bonding member AD-1 and the predetermined thickness HH The probability of being applied to the semiconductor pattern of FIG. Explanations of other configurations are substantially the same as those described in Fig.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서(SN-1)의 등가회로도이다.12 is an equivalent circuit diagram of the sensor SN-1 according to an embodiment of the present invention.

센서(SN-1)는 제3 트랜지스터(TFT3), 센싱 커패시터(CP-SN), 및 포토 다이오드(PD)를 포함할 수 있다. The sensor SN-1 may include a third transistor TFT3, a sensing capacitor CP-SN, and a photodiode PD.

포토 다이오드(PD)는 도 7의 제4 트랜지스터(TFT4)가 수행하는 역할을 대신 할 수 있다. 포토 다이오드(PD)가 가지는 구조적 특성 및 동작 특성에 대응하여, 센서(SN-1)의 등가회로는 도 7에 도시된 센서(SN)의 등가회로와 다를 수 있다.The photodiode PD may replace the role performed by the fourth transistor TFT4 in Fig. Corresponding to the structural characteristics and operating characteristics of the photodiode PD, the equivalent circuit of the sensor SN-1 may be different from the equivalent circuit of the sensor SN shown in Fig.

포토 다이오드(PD)는 빛을 쪼였을 때 별도의 전류의 증폭이 없기 때문에, 포토 트랜지스터에 비해 빛에 대한 민감성은 떨어지나 반응속도가 빠를 수 있다.Photodiodes (PDs) are less susceptible to light than phototransistors because they do not have a separate current amplification when light is applied, but the reaction rate can be faster.

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD2)의 사시도이다. 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD3)의 사시도이다.13 is a perspective view of a display device DD2 according to an embodiment of the present invention. 14 is a perspective view of a display device DD3 according to an embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 표시장치(DD2)는 일부분 또는 전체가 벤딩 또는 롤링될 수 있다. Referring to Fig. 13, the display device DD2 may be partially or wholly bent or rolled.

도 14를 참조하면, 표시장치(DD3)는 신체의 일부에 착용하는 웨어러블 장치 일 수 있다. 도 14에 시계형 장치를 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 사용자의 몸에 착용되는 다양한 형태를 가질 수 있다.Referring to Fig. 14, the display device DD3 may be a wearable device worn on a part of the body. 14 shows an example of a watch device, but the present invention is not limited thereto and may have various forms to be worn on the user's body.

실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims There will be. In addition, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, and all technical ideas which fall within the scope of the following claims and equivalents thereof should be interpreted as being included in the scope of the present invention .

DD: 표시장치 DM: 표시모듈
DP: 표시패널 TS: 터치감지유닛
FPS: 센서층 SN: 센서
TFT4: 포토 트랜지스터 PD: 포토 다이오드
DD: Display DM: Display module
DP: Display panel TS: Touch sensing unit
FPS: Sensor layer SN: Sensor
TFT4: Phototransistor PD: Photodiode

Claims (20)

제1 베이스층;
상기 제1 베이스층 상에 배치되고, 복수의 스위칭 소자들을 포함하는 회로층;
상기 회로층 상에 배치되고, 상기 복수의 스위칭 소자들 중 적어도 어느 하나로부터 전류를 공급받아 제1 광을 방출하는 발광소자를 포함하는 화소층; 및
상기 제1 베이스층 하부에 배치되고, 상기 제1 광이 외부의 물체에 의해 반사되어 생성된 제2 광을 수신하는 센서를 포함하는 센서층을 포함하는 표시장치.
A first base layer;
A circuit layer disposed on the first base layer and including a plurality of switching elements;
A pixel layer disposed on the circuit layer and including a light emitting element that receives a current from at least one of the plurality of switching elements and emits a first light; And
And a sensor disposed under the first base layer and receiving a second light generated by reflecting the first light by an external object.
제1 항에 있어서,
상기 제1 베이스층은 상기 제2 광을 투과시키는 표시장치.
The method according to claim 1,
And the first base layer transmits the second light.
제2 항에 있어서,
상기 센서층은 상기 센서가 실장된 제2 베이스층을 더 포함하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the sensor layer further comprises a second base layer on which the sensor is mounted.
제3 항에 있어서,
상기 센서는 포토 다이오드를 포함하는 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the sensor comprises a photodiode.
제3 항에 있어서,
상기 센서는 포토 트랜지스터를 포함하는 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the sensor comprises a phototransistor.
제3 항에 있어서,
상기 센서층은 상기 센서 상에 배치되는 광학렌즈를 더 포함하는 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the sensor layer further comprises an optical lens disposed on the sensor.
제3 항에 있어서,
상기 제1 베이스층 및 상기 센서층 사이에 배치되고, 상기 센서에 대응하는 개구부가 정의된 접착층을 더 포함하는 표시장치.
The method of claim 3,
And an adhesive layer disposed between the first base layer and the sensor layer and defining an opening corresponding to the sensor.
제3 항에 있어서,
상기 화소층 상에 배치되는 터치감지유닛을 더 포함하는 표시장치.
The method of claim 3,
And a touch sensing unit disposed on the pixel layer.
제1 항에 있어서,
상기 외부의 물체는 지문인 표시장치.
The method according to claim 1,
And the external object is a fingerprint.
제9 항에 있어서,
상기 센서가 수신하는 상기 제2 광의 변화를 감지하여 상기 지문을 인식하는 센서 제어부를 더 포함하는 표시장치.
10. The method of claim 9,
And a sensor control unit for sensing a change in the second light received by the sensor and recognizing the fingerprint.
제1 항에 있어서,
상기 발광소자는 유기발광 다이오드(OLED)인 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting device is an organic light emitting diode (OLED).
입사되는 광 중 적어도 일부를 투과시키는 베이스층;
상기 베이스층 상에 배치되고, 복수의 스위칭 소자들을 포함하는 회로층;
상기 회로층 상에 배치되고, 각각이 상기 복수의 스위칭 소자들로부터 전류를 공급받아 광을 방출하는 복수의 발광소자들을 포함하는 화소층; 및
상기 베이스층 하부에 배치되고, 상기 복수의 발광소자들 중 적어도 어느 하나로부터 방출되어 외부의 물체에 의해 반사된 광을 수신하는 센서를 포함하는 센서층을 포함하는 표시장치.
A base layer for transmitting at least a part of incident light;
A circuit layer disposed on the base layer and including a plurality of switching elements;
A pixel layer disposed on the circuit layer, the pixel layer including a plurality of light emitting elements each of which receives light from the plurality of switching elements to emit light; And
And a sensor layer disposed below the base layer and receiving a light emitted from at least one of the plurality of light emitting devices and reflected by an external object.
제12 항에 있어서,
상기 외부의 물체는 지문인 표시장치.
13. The method of claim 12,
And the external object is a fingerprint.
제13 항에 있어서,
상기 화소층 상에 배치되는 터치감지유닛을 더 포함하는 표시장치.
14. The method of claim 13,
And a touch sensing unit disposed on the pixel layer.
제14 항에 있어서,
상기 터치감지유닛 상에 배치되는 윈도우부재를 더 포함하는 표시장치.
15. The method of claim 14,
And a window member disposed on the touch sensing unit.
제15 항에 있어서,
상기 센서는 바텀 게이트 구조의 트랜지스터를 포함하는 표시장치.
16. The method of claim 15,
Wherein the sensor comprises a transistor of a bottom gate structure.
제16 항에 있어서,
상기 윈도우부재의 일면에 상기 지문이 접촉되는 지문접촉영역이 정의되고, 상기 복수의 발광소자들 중 상기 지문접촉영역에 중첩하는 발광소자들에 의해 생성되는 광은 백색인 표시장치.
17. The method of claim 16,
Wherein a fingerprint contact area in which the fingerprint is contacted is defined on one surface of the window member and light generated by the light emitting elements overlapping the fingerprint contact area among the plurality of light emitting elements is white.
제12 항에 있어서,
상기 센서는 복수 개로 제공되고,
상기 복수의 센서들 중 인접하는 두 센서들의 이격거리는 20μm 이상 100μm 이하인 표시장치.
13. The method of claim 12,
The sensor is provided in a plurality of,
Wherein a distance between two adjacent sensors among the plurality of sensors is 20 占 퐉 or more and 100 占 퐉 or less.
제18 항에 있어서,
상기 센서층은 각각이 상기 복수의 센서들 상에 대응하게 배치되는 복수의 광학렌즈들을 더 포함하는 표시장치.
19. The method of claim 18,
Wherein the sensor layer further comprises a plurality of optical lenses each correspondingly disposed on the plurality of sensors.
제18 항에 있어서,
상기 화소층 및 상기 센서층 사이에 배치되고, 상기 복수의 센서들에 대응하는 복수의 개구부들이 정의된 접착층을 더 포함하는 표시장치.
19. The method of claim 18,
And a bonding layer disposed between the pixel layer and the sensor layer and defining a plurality of openings corresponding to the plurality of sensors.
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