KR20170092542A - Positive-acting photosensitive resin composition - Google Patents

Positive-acting photosensitive resin composition Download PDF

Info

Publication number
KR20170092542A
KR20170092542A KR1020177013575A KR20177013575A KR20170092542A KR 20170092542 A KR20170092542 A KR 20170092542A KR 1020177013575 A KR1020177013575 A KR 1020177013575A KR 20177013575 A KR20177013575 A KR 20177013575A KR 20170092542 A KR20170092542 A KR 20170092542A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
component
photosensitive resin
mass
resin composition
parts
Prior art date
Application number
KR1020177013575A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102622165B1 (en
Inventor
카요 타케다
타다시 하타나카
Original Assignee
닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 filed Critical 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
Publication of KR20170092542A publication Critical patent/KR20170092542A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102622165B1 publication Critical patent/KR102622165B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/04Acids; Metal salts or ammonium salts thereof
    • C08F220/06Acrylic acid; Methacrylic acid; Metal salts or ammonium salts thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L51/50
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

[과제] 현상시의 밀착성을 유지한 채 고감도로 패턴 형성 가능하며, 패턴 내 잔사가 적은 경화막을 형성할 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.
[해결수단] 하기 (A)성분, (B)성분, (C)성분, 및 (D)용제를 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
(A)성분: 하기 (A1)~(A4)를 공중합시켜 얻어지는 알칼리가용성 아크릴 공중합체 (A1)불포화카르본산 및/또는 불포화카르본산 무수물, (A2)페놀성 수산기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머, (A3)하이드록시알킬기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머, (A4)N치환 말레이미드 화합물; (B)성분: 1,2-퀴논디아지드 화합물, (C)성분: 가교제; (D)용제.
[PROBLEMS] To provide a positive photosensitive resin composition capable of forming a pattern with high sensitivity while maintaining the adhesiveness at the time of development, and capable of forming a cured film having little residue in the pattern.
[Solution] A positive photosensitive resin composition comprising the following components (A), (B), (C), and (D)
(A): an alkali-soluble acrylic copolymer (A1) obtained by copolymerizing the following (A1) to (A4): unsaturated carboxylic acid and / or unsaturated carboxylic acid anhydride, (A2) a monomer having a phenolic hydroxyl group and a polymerizable unsaturated group, (A3) a monomer having a hydroxyalkyl group and a polymerizable unsaturated group, (A4) an N-substituted maleimide compound; (B): 1,2-quinonediazide compound, (C) component: crosslinking agent; (D) Solvent.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물{POSITIVE-ACTING PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}[0001] POSITIVE-ACTING PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION [0002]

본 발명은, 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 얻어지는 경화막에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은, 디스플레이재료의 용도에 있어서 호적한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그의 경화막, 그리고 이 경화막을 이용한 각종 재료에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive resin composition and a cured film obtained therefrom. More specifically, the present invention relates to a positive-working photosensitive resin composition and a cured film thereof, which are suitable for use as a display material, and various materials using the cured film.

일반적으로, 박막 트랜지스터(TFT)형 액정표시소자, 유기EL(electroluminescent)소자 등의 디스플레이소자에 있어서는, 패턴 형성된 전극보호막, 평탄화막, 절연막 등이 마련되어 있다. 이들 막을 형성하는 재료로는, 감광성 수지 조성물 중에서도, 필요로 하는 패턴형상을 얻기 위한 공정수(工程數)가 적을 뿐 아니라 충분한 평탄성을 가진다는 특징을 갖는 감광성 수지 조성물이, 종래부터 폭넓게 사용되고 있다.Generally, in a display element such as a thin film transistor (TFT) type liquid crystal display element or an organic EL (electroluminescent) element, a patterned electrode protecting film, a planarizing film, an insulating film and the like are provided. As a material for forming these films, a photosensitive resin composition having a feature that not only the number of steps (steps) for obtaining a required pattern shape is small, but also has sufficient flatness is widely used in the photosensitive resin composition.

그리고, 상기 서술한 이들 막에는, 내열성, 내용제성, 장시간 소성 내성, 메탈스퍼터 내성 등의 프로세스 내성이 우수할 것, 하지(下地)와의 밀착성이 양호할 것, 사용목적에 맞춘 여러 가지 프로세스 조건으로 패턴을 형성할 수 있는 넓은 프로세스마진(マ-ジン)을 가질 것, 이에 더하여, 고감도이면서 고투명성일 것 그리고 현상 후의 막 얼룩(ムラ)이 적을 것 등의 여러 특성이 요구된다. 이에, 이러한 요구특성의 점으로부터, 지금까지, 상기의 감광성 수지 조성물로는, 나프토퀴논디아지드 화합물을 포함하는 수지가 범용되어 왔다.The above-mentioned films are required to have good process resistance such as heat resistance, solvent resistance, long time firing resistance and metal sputter resistance, good adhesion to the base (undercoat), and various process conditions It is required to have a large process margin capable of forming a pattern, and furthermore, various characteristics such as high sensitivity, high transparency, and small film unevenness after development are required. From the viewpoint of such required characteristics, up to now, a resin containing a naphthoquinone diazide compound has been widely used as the above-mentioned photosensitive resin composition.

이들 재료는 에폭시가교제를 첨가하거나, 아크릴 수지 중에 카르복실기와 에폭시기를 함유시킴으로써, 형성된 패턴을 열가교시키고 경화시키는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1 및 2). 그러나, 이러한 수지를 이용한 경우 충분한 감도를 얻지 못해, 디스플레이 제조시의 스루풋(スル-プット) 저하로 이어진다. 또한 포스트베이크시의 베이크온도에 의해 패턴형상이 쉽게 변화하여 정밀한 온도제어가 필요해졌다.These materials have been proposed to thermally crosslink the formed pattern by adding an epoxy crosslinking agent or by containing a carboxyl group and an epoxy group in the acrylic resin and curing them (Patent Documents 1 and 2). However, when such a resin is used, sufficient sensitivity can not be obtained, leading to deterioration of the throughput (throw-away) in the manufacture of a display. Further, the pattern shape easily changes due to the bake temperature at the time of post-baking, and precise temperature control is required.

일본특허공개 2000-103937호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-103937 일본특허공개 H4-352101호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. H4-352101

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 현상시의 밀착성을 유지한 채 고감도로 패턴 형성 가능하며, 패턴 내 잔사가 적은 경화막을 형성할 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a positive photosensitive resin composition capable of forming a pattern with high sensitivity while maintaining adhesion at the time of development, and capable of forming a cured film with little residue in the pattern.

본 발명자는, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 연구를 행한 결과, 본 발명을 발견하기에 이르렀다. 즉, 본 발명은 하기에 관한 것이다.Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies in order to solve the above problems, and as a result, they have found the present invention. That is, the present invention relates to the following.

1. 하기 (A)성분, (B)성분, (C)성분, 및 (D)용제를 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.1. A positive-working photosensitive resin composition comprising a component (A), a component (B), a component (C), and a solvent (D).

(A)성분: 하기 (A1)~(A4)를 공중합시켜 얻어지는 알칼리가용성 아크릴 공중합체(A): An alkali-soluble acrylic copolymer obtained by copolymerizing the following (A1) to (A4)

(A1)불포화카르본산 및/또는 불포화카르본산 무수물, (A2)페놀성 수산기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머, (A3)하이드록시알킬기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머, (A4)N치환 말레이미드 화합물;(A1) an unsaturated carboxylic acid and / or an unsaturated carboxylic acid anhydride, (A2) a monomer having a phenolic hydroxyl group and a polymerizable unsaturated group, (A3) a monomer having a hydroxyalkyl group and a polymerizable unsaturated group, (A4) ;

(B)성분: 1,2-퀴논디아지드 화합물,Component (B): 1,2-quinonediazide compound,

(C)성분: 가교제Component (C): Crosslinking agent

(D)용제.(D) Solvent.

2. (A2)페놀성 수산기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머가, p-하이드록시페닐(메트)아크릴레이트인 상기 1에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.2. The positive photosensitive resin composition according to 1 above, wherein (A2) the monomer having a phenolic hydroxyl group and a polymerizable unsaturated group is p-hydroxyphenyl (meth) acrylate.

3. (A)성분인 알칼리가용성 아크릴 중합체의 수평균분자량이 폴리스티렌 환산으로 2,000 내지 30,000인 상기 1 또는 2에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.3. The positive photosensitive resin composition according to 1 or 2, wherein the number average molecular weight of the alkali-soluble acrylic polymer as the component (A) is 2,000 to 30,000 in terms of polystyrene.

4. (A)성분의 100질량부에 대하여, (B)성분이 5 내지 100질량부인 것을 특징으로 하는 상기 1 내지 3에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.4. The positive photosensitive resin composition as described in any one of 1 to 3 above, wherein the amount of the component (B) is 5 to 100 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (A).

5. (A)성분의 100질량부에 대하여, (C)성분이 5 내지 50질량부인 것을 특징으로 하는 상기 1 내지 4 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.5. The positive photosensitive resin composition as described in any one of 1 to 4 above, wherein the amount of the component (C) is 5 to 50 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (A).

6. (E)성분으로서, 계면활성제를 추가로 (A)성분의 100질량부에 대하여 0.01 내지 1.0질량부 함유하는, 상기 1 내지 5 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.6. The positive photosensitive resin composition as described in any one of 1 to 5 above, which further contains, as a component (E), a surfactant in an amount of 0.01 to 1.0 part by mass per 100 parts by mass of the component (A).

7. (F)성분으로서, 밀착촉진제를 추가로 (A)성분의 100질량부에 대하여 0.1 내지 20질량부 함유하는, 상기 1 내지 6 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.7. The positive photosensitive resin composition as described in any one of 1 to 6 above, which contains, as the component (F), an adhesion promoter in an amount of 0.1 to 20 parts by mass per 100 parts by mass of the component (A).

8. 상기 1 내지 7 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막.(8) A cured film obtained by curing the positive photosensitive resin composition as described in any one of (1) to (7) above.

9. 상기 8에 기재된 경화막을 가지는 표시소자.9. A display element having the cured film described in 8 above.

10. 상기 8에 기재된 경화막을 디스플레이용 어레이평탄화막으로서 가지는 표시소자.10. A display element having the cured film as described in 8 above as an array planarizing film for display.

11. 상기 8에 기재된 경화막을 층간절연막으로서 가지는 표시소자.11. A display element having the cured film as described in 8 above as an interlayer insulating film.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 현상시의 밀착성을 유지한 채 고감도로 패턴 형성 가능하며, 패턴 잔사가 적은 경화막을 형성할 수 있다.The positive photosensitive resin composition of the present invention can form a pattern with high sensitivity while maintaining the adhesiveness at the time of development, and can form a cured film having less pattern residue.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 하기 (A)성분, (B)성분, (C)성분, 및 (D)용제를 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물이다.The photosensitive resin composition of the present invention is a positive photosensitive resin composition containing the following components (A), (B), (C), and (D)

(A)성분: 하기 (A1)~(A4)를 공중합시켜 얻어지는 알칼리가용성 아크릴 공중합체(A): An alkali-soluble acrylic copolymer obtained by copolymerizing the following (A1) to (A4)

(A1)불포화카르본산 및/또는 불포화카르본산 무수물, (A2)페놀성 수산기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머, (A3)하이드록시알킬기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머, (A4)N치환 말레이미드 화합물;(A1) an unsaturated carboxylic acid and / or an unsaturated carboxylic acid anhydride, (A2) a monomer having a phenolic hydroxyl group and a polymerizable unsaturated group, (A3) a monomer having a hydroxyalkyl group and a polymerizable unsaturated group, (A4) ;

(B)성분: 1,2-퀴논디아지드 화합물,Component (B): 1,2-quinonediazide compound,

(C)성분: 가교제Component (C): Crosslinking agent

(D)용제.(D) Solvent.

이하, 각 성분에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, each component will be described in detail.

<(A)성분>&Lt; Component (A) >

(A)성분은, (A1)불포화카르본산 및/또는 불포화카르본산 무수물, (A2)페놀성 수산기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머, (A3)하이드록시알킬기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머, (A4)N치환 말레이미드 화합물을 공중합하여 얻어진 알칼리가용성 아크릴 중합체이다.(A2) a monomer having a phenolic hydroxyl group and a polymerizable unsaturated group, (A3) a monomer having a hydroxyalkyl group and a polymerizable unsaturated group, (A4) a monomer having a hydroxyalkyl group and a polymerizable unsaturated group, (A4) ) N-substituted maleimide compound.

본 발명에 있어서, 아크릴 중합체란 아크릴산에스테르, 메타크릴산에스테르, 스티렌, 말레이미드 등의 중합성 불포화기, 즉, 구조 중에 C=C이중결합을 포함하는 중합성기를 가지는 모노머를 이용하여 얻어지는 중합체를 말한다.In the present invention, the acrylic polymer is a polymer obtained by using a polymerizable unsaturated group such as an acrylate ester, a methacrylate ester, styrene, or maleimide, that is, a monomer having a polymerizable group having a C = C double bond in its structure It says.

(A)성분인 알칼리가용성 아크릴 중합체는, 알칼리가용성 아크릴 중합체이면 되고, 아크릴 중합체를 구성하는 고분자의 주쇄의 골격 및 측쇄의 종류 등에 대하여 특별히 한정되지 않는다.The alkali-soluble acrylic polymer as the component (A) may be an alkali-soluble acrylic polymer, and is not particularly limited as to the skeleton of the main chain of the polymer constituting the acrylic polymer and the kind of the side chain.

(A)성분인 알칼리가용성 아크릴 중합체는, 수평균분자량이 30,000을 초과하여 과대한 것이면, 단차에 대한 평탄화성능이 저하되는 한편, 수평균분자량이 2,000 미만으로 과소한 것이면, 열경화시에 경화부족이 되어 용제내성이 저하되는 경우가 있다. 따라서, 수평균분자량이 2,000 내지 30,000의 범위 내에 있는 것이다.If the number average molecular weight of the alkali-soluble acrylic polymer as the component (A) is excessively larger than 30,000, the planarization performance to the step is lowered, while if the number average molecular weight is less than 2,000, And the solvent resistance may be lowered. Therefore, the number average molecular weight is in the range of 2,000 to 30,000.

상기 서술한 바와 같이, (A)성분의 알칼리가용 아크릴 중합체의 합성방법은, (A1)카르복실기 및/또는 산 무수물기를 가지는 모노머, (A2)페놀성 수산기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머, (A3)하이드록시알킬기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머, 및 (A4)N치환 말레이미드를 포함하는 모노머 혼합물을 공중합하는 방법이 간편하다.(A1) a monomer having a carboxyl group and / or an acid anhydride group, (A2) a monomer having a phenolic hydroxyl group and a polymerizable unsaturated group, (A3) a monomer having a hydroxyl group and a polymerizable unsaturated group, A monomer having a hydroxyalkyl group and a polymerizable unsaturated group, and (A4) a monomer mixture containing an N-substituted maleimide.

이하, (A)성분의 구성 모노머의 구체예를 드나, 이것들로 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the constituent monomers of the component (A) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

(A1)성분의 불포화카르본산을 가지는 모노머로는, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 모노-(2-(아크릴로일옥시)에틸)프탈레이트, 모노-(2-(메타크릴로일옥시)에틸)프탈레이트, N-(카르복시페닐)말레이미드, N-(카르복시페닐)메타크릴아미드, N-(카르복시페닐)아크릴아미드 등, 또한 불포화카르본산 무수물을 가지는 모노머로는, 무수말레산, 무수이타콘산 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having an unsaturated carboxylic acid as the component (A1) include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, mono- (2- (acryloyloxy) ethyl) phthalate, mono- (2- Examples of monomers having an unsaturated carboxylic acid anhydride such as roloyloxyethyl) phthalate, N- (carboxyphenyl) maleimide, N- (carboxyphenyl) methacrylamide, N- (carboxyphenyl) acrylamide, Acid, itaconic anhydride, and the like.

(A2)성분의 페놀성 수산기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머로는, 예를 들어, p-하이드록시스티렌, α-메틸-p-하이드록시스티렌, N-하이드록시페닐말레이미드, N-하이드록시페닐아크릴아미드, N-하이드록시페닐메타크릴아미드, p-하이드록시페닐아크릴레이트, p-하이드록시페닐메타크릴레이트 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이 중에서도, p-하이드록시페닐아크릴레이트와 p-하이드록시페닐메타크릴레이트로부터 선택되는 모노머가 바람직하다.Examples of the monomer having a phenolic hydroxyl group and a polymerizable unsaturated group of the component (A2) include p-hydroxystyrene,? -Methyl-p-hydroxystyrene, N-hydroxyphenylmaleimide, N- Phenylacrylamide, N-hydroxyphenylmethacrylamide, p-hydroxyphenyl acrylate, and p-hydroxyphenyl methacrylate. These may be used alone or in combination of two or more. Of these, monomers selected from p-hydroxyphenyl acrylate and p-hydroxyphenyl methacrylate are preferable.

(A3)하이드록시알킬기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 4-하이드록시부틸아크릴레이트, 2,3-디하이드록시프로필아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 2-하이드록시프로필메타크릴레이트, 4-하이드록시부틸메타크릴레이트, 2,3-디하이드록시프로필메타크릴레이트, 글리세린모노메타크릴레이트, 5-아크릴로일옥시-6-하이드록시노보넨-2-카르복시릭-6-락톤 등을 들 수 있다.Examples of the monomer (A3) having a hydroxyalkyl group and a polymerizable unsaturated group include, for example, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, Hydroxypropyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 2,3-dihydroxypropyl methacrylate, glycerin monomethacrylate, 5-acryloyloxy-6-hydroxy norbornene-2-carboxy-6-lactone, and the like.

(A4)N치환 말레이미드 화합물로는, 예를 들어, N-메틸말레이미드, N-페닐말레이미드, 및 N-시클로헥실말레이미드 등을 들 수 있다.(A4) N-substituted maleimide compounds include, for example, N-methylmaleimide, N-phenylmaleimide, and N-cyclohexylmaleimide.

또한, 본 발명에 있어서는, (A)성분의 아크릴 중합체를 얻을 때에, 상기 모노머(A1)~(A4)와 공중합 가능한, 기타 모노머를 병용할 수 있다. 이러한 모노머의 구체예로는, 아크릴산에스테르 화합물, 메타크릴산에스테르 화합물, 말레이미드, 아크릴아미드 화합물, 아크릴로니트릴, 스티렌 화합물 및 비닐 화합물 등을 들 수 있다. 이하, 해당 기타 모노머의 구체예를 드나, 이것들로 한정되는 것은 아니다.In the present invention, other monomers copolymerizable with the above monomers (A1) to (A4) can be used in combination with the acrylic polymer of component (A). Specific examples of such monomers include acrylic acid ester compounds, methacrylic acid ester compounds, maleimide, acrylamide compounds, acrylonitrile, styrene compounds and vinyl compounds. Specific examples of the other monomers include, but are not limited to, the following.

상기 아크릴산에스테르 화합물로는, 예를 들어, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 나프틸아크릴레이트, 안트릴아크릴레이트, 안트릴메틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 2,2,2-트리플루오로에틸아크릴레이트, tert-부틸아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 2-에톡시에틸아크릴레이트, 2-아미노에틸아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴아크릴레이트, 3-메톡시부틸아크릴레이트, 2-메틸-2-아다만틸아크릴레이트, 2-프로필-2-아다만틸아크릴레이트, 8-메틸-8-트리시클로데실아크릴레이트, 및, 8-에틸-8-트리시클로데실아크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노아크릴레이트, 카프로락톤2-(아크릴로일옥시)에틸에스테르, 폴리(에틸렌글리콜)에틸에테르아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the acrylate compound include methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, benzyl acrylate, naphthyl acrylate, anthryl acrylate, anthryl methyl acrylate, phenyl acrylate, Dodecyl acrylate, dodecyl acrylate, phenoxyethyl acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl acrylate, tert-butyl acrylate, cyclohexyl acrylate, isobornyl acrylate, 2- methoxyethyl acrylate, methoxy tri Acrylates such as ethylene glycol acrylate, 2-ethoxyethyl acrylate, 2-aminoethyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, 3-methoxybutyl acrylate, 2- Adamantyl acrylate, 8-methyl-8-tricyclodecyl acrylate, and 8-ethyl-8-tricyclodecyl acrylate, diethylene glycol monoacryl Sites, caprolactone 2- (acryloyloxy) ethyl ester, poly (ethylene glycol) and the like ether acrylate.

상기 메타크릴산에스테르 화합물로는, 예를 들어, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 이소프로필메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 나프틸메타크릴레이트, 안트릴메타크릴레이트, 안트릴메틸메타크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 페녹시에틸메타크릴레이트, 2,2,2-트리플루오로에틸메타크릴레이트, tert-부틸메타크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 이소보닐메타크릴레이트, 2-메톡시에틸메타크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 2-에톡시에틸메타크릴레이트, 2-아미노메틸메타크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴메타크릴레이트, 3-메톡시부틸메타크릴레이트, 2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트, γ-부티로락톤메타크릴레이트, 2-프로필-2-아다만틸메타크릴레이트, 8-메틸-8-트리시클로데실메타크릴레이트, 및, 8-에틸-8-트리시클로데실메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노메타크릴레이트, 카프로락톤2-(메타크릴로일옥시)에틸에스테르, 폴리(에틸렌글리콜)에틸에테르메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the methacrylic acid ester compound include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, isopropyl methacrylate, benzyl methacrylate, naphthyl methacrylate, anthryl methacrylate, anthrylmethyl methacrylate Methyl methacrylate, isopropyl methacrylate, isopropyl methacrylate, isopropyl methacrylate, isobutyl methacrylate, isopropyl methacrylate, isobutyl methacrylate, isobutyl methacrylate, Methoxyethyl methacrylate, 2-methoxyethyl methacrylate, 2-methoxyethyl methacrylate, 2-ethoxyethyl methacrylate, 2-aminomethyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, 3- Methyl-2-adamantyl methacrylate,? -Butyrolactone methacrylate, 2-propyl-2-adamantyl methacrylate, 8-methyl-8-tricyclo Dehermesse (Ethylene glycol) ethyl ether methacrylate, poly (ethylene glycol) ethyl ether methacrylate, and poly (ethylene glycol) ethyl methacrylate, And the like.

상기 아크릴아미드 화합물로는, 예를 들어, N-메틸아크릴아미드, N-메틸메타크릴아미드, N,N-디메틸아크릴아미드, N,N-디메틸메타크릴아미드, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-메톡시메틸메타크릴아미드, N-부톡시메틸아크릴아미드, N-부톡시메틸메타크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of the acrylamide compound include N-methylacrylamide, N-methylmethacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, N, N-dimethylmethacrylamide, N-methoxymethylacrylamide, N -Methoxymethyl methacrylamide, N-butoxymethylacrylamide, N-butoxymethyl methacrylamide and the like.

상기 비닐 화합물로는, 예를 들어, 메틸비닐에테르, 벤질비닐에테르, 시클로헥실비닐에테르, 비닐나프탈렌, 비닐안트라센, 비닐카바졸, 알릴글리시딜에테르, 3-에테닐-7-옥사비시클로[4.1.0]헵탄, 1,2-에폭시-5-헥센, 및, 1,7-옥타디엔모노에폭사이드 등을 들 수 있다.Examples of the vinyl compound include methyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, cyclohexyl vinyl ether, vinyl naphthalene, vinyl anthracene, vinyl carbazole, allyl glycidyl ether, 3-ethenyl-7-oxabicyclo [ 4.1.0] heptane, 1,2-epoxy-5-hexene, and 1,7-octadiene monoepoxide.

상기 스티렌 화합물로는, 하이드록시기를 가지지 않는 스티렌, 예를 들어, 스티렌, α-메틸스티렌, 클로로스티렌, 브로모스티렌 등을 들 수 있다.Examples of the styrene compound include styrene having no hydroxy group such as styrene,? -Methylstyrene, chlorostyrene, and bromostyrene.

본 발명에 이용하는 알칼리가용성 아크릴 중합체를 얻는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 알칼리가용성 모노머(A1)~(A4), 그 이외의 공중합 가능한 모노머 및 필요에 따라 중합개시제 등을 공존시킨 용제 중에 있어서, 50 내지 110℃의 온도하에서 중합반응시킴으로써, 얻어진다. 이때, 이용되는 용제는, 알칼리가용성 아크릴 중합체를 구성하는 모노머 및 특정 관능기를 가지는 아크릴 중합체를 용해하는 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 구체예로는, 후술하는 (D)용제에 기재하는 용제를 들 수 있다.The method for obtaining the alkali-soluble acrylic polymer to be used in the present invention is not particularly limited. For example, a method in which the alkali-soluble monomers (A1) to (A4), the other copolymerizable monomers and the polymerization initiator , And polymerizing at a temperature of 50 to 110 캜. Here, the solvent to be used is not particularly limited as long as it dissolves the monomer constituting the alkali-soluble acrylic polymer and the acrylic polymer having the specific functional group. Specific examples include the solvents described in the solvent (D) described later.

이렇게 하여 얻어지는 특정 관능기를 가지는 아크릴 중합체는, 통상, 용제에 용해한 용액의 상태이다.The acrylic polymer having the specific functional group thus obtained is usually in the state of a solution dissolved in a solvent.

또한, 상기와 같이 하여 얻어진 특정 공중합체의 용액을, 디에틸에테르나 물 등의 교반 하에 투입하여 재침전시키고, 생성된 침전물을 여과·세정한 후, 상압 또는 감압하에서, 상온 혹은 가열건조함으로써, 특정 공중합체의 분체로 할 수 있다. 이러한 조작을 통해, 특정 공중합체와 공존하는 중합개시제나 미반응모노머를 제거할 수 있고, 그 결과, 정제한 특정 공중합체의 분체를 얻을 수 있다. 한번의 조작으로 충분히 정제할 수 없는 경우에는, 얻어진 분체를 용제에 재용해하여, 상기 조작을 반복 행하면 된다.The solution of the specific copolymer thus obtained may be re-precipitated by the addition of diethyl ether, water or the like with stirring, and the resultant precipitate may be filtered and washed and then dried at room temperature or under reduced pressure or by heating and drying, It can be a powder of a specific copolymer. Through such operations, the polymerization initiator coexisting with the specific copolymer and the unreacted monomer can be removed, and as a result, the purified specific copolymer powder can be obtained. When the powder can not be sufficiently purified by one operation, the obtained powder may be redissolved in a solvent and the above operation may be repeated.

본 발명에 있어서는, 상기 특정 공중합체의 분체를 그대로 이용할 수도 있고, 혹은 그 분체를, 예를 들어 후술하는 (D)용제에 재용해하여 용액의 상태로 하여 이용할 수도 있다.In the present invention, the powder of the specific copolymer may be used as it is, or the powder may be used as a solution state by, for example, reusing it in a solvent (D) described later.

또한, 본 발명에 있어서는, (A)성분의 아크릴 중합체는, 복수종의 특정 공중합체의 혼합물일 수도 있다.Further, in the present invention, the acrylic polymer of component (A) may be a mixture of plural kinds of specific copolymers.

<(B)성분>&Lt; Component (B) >

(B)성분인 1,2-퀴논디아지드 화합물로는, 수산기 또는 아미노기 중 어느 일방이거나, 수산기 및 아미노기의 양방을 가지는 화합물로서, 이들의 수산기 또는 아미노기(수산기와 아미노기의 양방을 가지는 경우에는, 이들의 합계량) 중, 바람직하게는 10 내지 100몰%, 특히 바람직하게는 20 내지 95몰%가 1,2-퀴논디아지드설폰산으로 에스테르화, 또는 아미드화된 화합물을 이용할 수 있다.The 1,2-quinonediazide compound as the component (B) is a compound having either a hydroxyl group or an amino group or a compound having both a hydroxyl group and an amino group. The hydroxyl group or the amino group (when both of the hydroxyl group and the amino group are present, The total amount thereof), preferably 10 to 100 mol%, particularly preferably 20 to 95 mol%, is esterified or amidated with 1,2-quinonediazide sulfonic acid.

상기 수산기를 가지는 화합물로는 예를 들어, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 하이드로퀴논, 레조르시놀, 카테콜, 갈산메틸, 갈산에틸, 1,3,3-트리스(4-하이드록시페닐)부탄, 2,2-비스(4-하이드록시페닐)프로판, 1,1-비스(4-하이드록시페닐)시클로헥산, 4,4'-디하이드록시페닐설폰, 4,4-헥사플루오로이소프로필리덴디페놀, 1,1,1-트리스(4-하이드록시페닐)에탄, 4,4'-[1-[4-[1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 2,4-디하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,2',3,4,4'-펜타하이드록시벤조페논, 2,5-비스(2-하이드록시-5-메틸벤질)메틸 등의 페놀화합물, 에탄올, 2-프로판올, 4-부탄올, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 2-메톡시에탄올, 2-부톡시에탄올, 2-메톡시프로판올, 2-부톡시프로판올, 유산에틸, 유산부틸 등의 지방족 알코올류를 들 수 있다.Examples of the compound having a hydroxyl group include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, hydroquinone, resorcinol, catechol, methyl gallate, ethyl gallate, Hydroxyphenyl) butane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 4,4'-dihydroxyphenylsulfone, (4-hydroxyphenyl) ethane, hexafluoroisopropylidene diphenol, 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) Methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, 2,4-dihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ', 3,4,4'-pentahydroxybenzophenone, 2,5-bis (2-hydroxy-5-methylbenzyl) Phenol compounds, ethanol, 2-propanol, 4-butanol, cyclohexanol, ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol , There may be mentioned the 2-methoxyethanol, 2-butoxyethanol, 2-methoxypropanol, aliphatic alcohols such as 2-butoxy-propanol, ethyl lactate, lactic acid butyl.

또한, 상기 아미노기를 함유하는 화합물로는, 아닐린, o-톨루이딘, m-톨루이딘, p-톨루이딘, 4-아미노디페닐메탄, 4-아미노디페닐, o-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 등의 아닐린류, 아미노시클로헥산을 들 수 있다.Examples of the compound containing an amino group include aniline, o-toluidine, m-toluidine, p-toluidine, 4-aminodiphenylmethane, 4-aminodiphenyl, o-phenylenediamine, m- p-phenylenediamine, 4,4'-diaminophenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, and aminocyclohexane.

나아가, 수산기와 아미노기 양방을 함유하는 화합물로는, 예를 들어, o-아미노페놀, m-아미노페놀, p-아미노페놀, 4-아미노레조르시놀, 2,3-디아미노페놀, 2,4-디아미노페놀, 4,4'-디아미노-4''-하이드록시트리페닐메탄, 4-아미노-4',4''-디하이드록시트리페닐메탄, 비스(4-아미노-3-카르복시-5-하이드록시페닐)에테르, 비스(4-아미노-3-카르복시-5-하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스(4-아미노-3-카르복시-5-하이드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-카르복시-5-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 등의 아미노페놀류, 2-아미노에탄올, 3-아미노프로판올, 4-아미노시클로헥산올 등의 알칸올아민류를 들 수 있다.Furthermore, examples of the compound containing both a hydroxyl group and an amino group include o-aminophenol, m-aminophenol, p-aminophenol, 4-aminoresorcinol, 2,3-diaminophenol, Diaminophenol, 4,4'-diamino-4''-hydroxytriphenylmethane, 4-amino-4 ', 4 "-dihydroxytriphenylmethane, bis (4-amino-3-carboxy-5-hydroxyphenyl) propane, 2 , 2-bis (4-amino-3-carboxy-5-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and the like, alkanolamines such as 2-aminoethanol, 3-aminopropanol and 4-aminocyclohexanol .

이들 1,2-퀴논디아지드 화합물은 단독 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.These 1,2-quinonediazide compounds may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 (B)성분의 함유량은, (A)성분의 100질량부에 대하여, 바람직하게는 5 내지 100질량부, 보다 바람직하게는 8 내지 50질량부, 더욱 바람직하게는 10 내지 40질량부이다. 5질량부 미만인 경우, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 노광부와 미노광부의 현상액에 대한 용해속도차가 작아지고, 현상에 의한 패터닝이 곤란한 경우가 있다. 또한, 100질량부를 초과하면, 단시간으로의 노광으로 1,2-퀴논디아지드 화합물이 충분히 분해되지 않으므로 감도가 저하되는 경우나, (B)성분이 광을 흡수해 버려 경화막의 투명성을 저하시키는 경우가 있다.The content of the component (B) in the positive photosensitive resin composition of the present invention is preferably 5 to 100 parts by mass, more preferably 8 to 50 parts by mass, more preferably 5 to 100 parts by mass, And preferably 10 to 40 parts by mass. When the amount is less than 5 parts by mass, the difference in dissolution rate between the exposed portion of the positive photosensitive resin composition and the developing solution of the unexposed portion becomes small, and patterning due to development may be difficult. On the other hand, when the amount exceeds 100 parts by mass, the 1,2-quinonediazide compound is not sufficiently decomposed by exposure in a short time, so that the sensitivity is lowered, or when the component (B) absorbs light and the transparency of the cured film is lowered .

<(C)성분>&Lt; Component (C) >

(C)성분은 가교제이며, 보다 구체적으로는, (A)성분과 열반응에 의해 가교구조를 형성할 수 있는 구조를 가지는 화합물이다. 이하, 구체예를 드나 이들로 한정되는 것은 아니다. 열가교제는, 예를 들어, (C1)알콕시메틸기 및 하이드록시메틸기로부터 선택되는 치환기를 2개 이상 가지는 가교성 화합물이나 (C2) 후술하는 식(2)로 표시되는 가교성 화합물로부터 선택되는 것이 바람직하다. 이들 가교제는 단독 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.The component (C) is a crosslinking agent, and more specifically, a compound having a structure capable of forming a crosslinking structure by thermal reaction with the component (A). Hereinafter, the present invention is not limited to these specific examples. The thermal crosslinking agent is preferably selected from, for example, a crosslinkable compound having at least two substituents selected from (C1) an alkoxymethyl group and a hydroxymethyl group, and (C2) a crosslinkable compound represented by the following formula (2) Do. These crosslinking agents may be used alone or in combination of two or more.

(C1)성분의 알콕시메틸기 및 하이드록시메틸기로부터 선택되는 치환기를 2개 이상 가지는 가교성 화합물은, 열경화시 고온에 노출되면, 탈수축합반응에 의해 가교반응이 진행되는 것이다. 이러한 화합물로는, 예를 들어, 알콕시메틸화글리콜우릴, 알콕시메틸화벤조구아나민, 및 알콕시메틸화멜라민 등의 화합물, 및 페노플라스트계 화합물을 들 수 있다.When a crosslinkable compound having two or more substituents selected from an alkoxymethyl group and a hydroxymethyl group of the component (C1) is exposed to a high temperature during thermal curing, the crosslinking reaction proceeds by a dehydration condensation reaction. Such compounds include, for example, compounds such as alkoxymethylated glycoluril, alkoxymethylated benzoguanamine, and alkoxymethylated melamine, and phenoplast-based compounds.

알콕시메틸화글리콜우릴의 구체예로는, 예를 들어, 1,3,4,6-테트라키스(메톡시메틸)글리콜우릴, 1,3,4,6-테트라키스(부톡시메틸)글리콜우릴, 1,3,4,6-테트라키스(하이드록시메틸)글리콜우릴, 1,3-비스(하이드록시메틸)요소, 1,1,3,3-테트라키스(부톡시메틸)요소, 1,1,3,3-테트라키스(메톡시메틸)요소, 1,3-비스(하이드록시메틸)-4,5-디하이드록시-2-이미다졸리논, 및 1,3-비스(메톡시메틸)-4,5-디메톡시-2-이미다졸리논 등을 들 수 있다. 시판품으로서, 미쯔이사이텍(주)제 글리콜우릴 화합물(상품명: 사이멜(등록상표)1170, 파우다링크 (등록상표)1174) 등의 화합물, 메틸화요소 수지(상품명: UFR(등록상표)65), 부틸화요소 수지(상품명: UFR(등록상표)300, U-VAN10S60, U-VAN10R, U-VAN11HV), DIC(주)제 요소/포름알데히드계 수지(고축합형, 상품명: 베카민(등록상표)J-300S, 동 P-955, 동 N) 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkoxymethylated glycoluril include, for example, 1,3,4,6-tetrakis (methoxymethyl) glycoluril, 1,3,4,6-tetrakis (butoxymethyl) glycoluril, 1,3,4-tetrakis (hydroxymethyl) glycoluril, 1,3-bis (hydroxymethyl) urea, 1,1,3,3-tetrakis (butoxymethyl) (Methoxymethyl) urea, 1,3-bis (hydroxymethyl) -4,5-dihydroxy-2-imidazolinone, and 1,3-bis ) -4,5-dimethoxy-2-imidazolidinone. As a commercial product, a compound such as a glycoluril compound (trade name: Cymel (registered trademark) 1170 and Powderlink (registered trademark) 1174) manufactured by Mitsui Cytec Co., a methylation urea resin (trade name: UFR (registered trademark) 65) (Trade name: UFR (registered trademark) 300, U-VAN10S60, U-VAN10R, U-VAN11HV), a urea / formaldehyde resin J-300S, P-955, N).

알콕시메틸화벤조구아나민의 구체예로는 테트라메톡시메틸벤조구아나민 등을 들 수 있다. 시판품으로서, 미쯔이사이텍(주)제(상품명: 사이멜(등록상표)1123), (주)산와케미컬제(상품명: 니카락(등록상표)BX-4000, 동 BX-37, 동 BL-60, 동 BX-55H) 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkoxymethylated benzoguanamine include tetramethoxymethylbenzoguanamine and the like. (Trade name: Nikarac (registered trademark) BX-4000, copper BX-37, copper BL-60, manufactured by Mitsui Cytec Co., Ltd. (trade name: Cymel (registered trademark) BX-55H), and the like.

알콕시메틸화멜라민의 구체예로는, 예를 들어, 헥사메톡시메틸멜라민 등을 들 수 있다. 시판품으로서, 미쯔이사이텍(주)제 메톡시메틸타입 멜라민 화합물(상품명: 사이멜(등록상표)300, 동 301, 동 303, 동 350), 부톡시메틸타입 멜라민 화합물(상품명: 마이코트(등록상표)506, 동 508), 산와케미컬제 메톡시메틸타입 멜라민 화합물(상품명: 니카락(등록상표)MW-30, 동 MW-22, 동 MW-11, 동 MW-100LM, 동 MS-001, 동 MX-002, 동 MX-730, 동 MX-750, 동 MX-035), 부톡시메틸타입 멜라민 화합물(상품명: 니카락(등록상표)MX-45, 동 MX-410, 동 MX-302) 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkoxymethylated melamine include, for example, hexamethoxymethylmelamine and the like. As a commercial product, a methoxymethyl type melamine compound (trade name: Cymel (registered trademark) 300, Copper 301, Copper 303, Copper 350) manufactured by Mitsui Cytec Ltd., a butoxymethyl type melamine compound (trade name: 506 and 508 manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.), a methoxymethyl type melamine compound (trade name: NIKARAK (registered trademark) MW-30, copper MW-22, copper MW-11, copper MW-100LM, copper MS- (Trade name: NIKARAK (registered trademark) MX-45, MX-410, MX-302) and the like .

또한, 이러한 아미노기의 수소원자가 메틸올기 또는 알콕시메틸기로 치환된 멜라민 화합물, 요소 화합물, 글리콜우릴 화합물 및 벤조구아나민 화합물을 축합시켜 얻어지는 화합물일 수도 있다. 예를 들어, 미국특허 제6323310호에 기재되어 있는 멜라민 화합물 및 벤조구아나민 화합물로부터 제조되는 고분자량의 화합물을 들 수 있다. 상기 멜라민 화합물의 시판품으로는, 상품명: 사이멜(등록상표)303(미쯔이사이텍(주)제) 등을 들 수 있으며, 상기 벤조구아나민 화합물의 시판품으로는, 상품명: 사이멜(등록상표)1123(미쯔이사이텍(주)제) 등을 들 수 있다.A compound obtained by condensing a melamine compound, a urea compound, a glycoluril compound and a benzoguanamine compound in which the hydrogen atom of the amino group is substituted with a methylol group or an alkoxymethyl group. For example, a high molecular weight compound prepared from a melamine compound and a benzoguanamine compound described in U.S. Patent 6,323,310 can be mentioned. Commercially available products of the above-mentioned melamine compounds include trade names: Cymel (registered trademark) 303 (manufactured by Mitsui Cytec) and the like. Commercially available products of the benzoguanamine compound include Cymel (registered trademark) 1123 (Manufactured by Mitsui Cytec Co., Ltd.).

페노플라스트계 화합물의 구체예로는, 예를 들어, 2,6-비스(하이드록시메틸)페놀, 2,6-비스(하이드록시메틸)크레졸, 2,6-비스(하이드록시메틸)-4-메톡시페놀, 3,3',5,5'-테트라키스(하이드록시메틸)비페닐-4,4'-디올, 3,3'-메틸렌비스(2-하이드록시-5-메틸벤젠메탄올), 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스[2-메틸-6-하이드록시메틸페놀], 4,4'-메틸렌비스[2-메틸-6-하이드록시메틸페놀], 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스[2,6-비스(하이드록시메틸)페놀], 4,4'-메틸렌비스[2,6-비스(하이드록시메틸)페놀], 2,6-비스(메톡시메틸)페놀, 2,6-비스(메톡시메틸)크레졸, 2,6-비스(메톡시메틸)-4-메톡시페놀, 3,3',5,5'-테트라키스(메톡시메틸)비페닐-4,4'-디올, 3,3'-메틸렌비스(2-메톡시-5-메틸벤젠메탄올), 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스[2-메틸-6-메톡시메틸페놀], 4,4'-메틸렌비스[2-메틸-6-메톡시메틸페놀], 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스[2,6-비스(메톡시메틸)페놀], 4,4'-메틸렌비스[2,6-비스(메톡시메틸)페놀] 등을 들 수 있다. 시판품으로도 입수가 가능하며, 그 구체예로는, 26DMPC, 46DMOC, DM-BIPC-F, DM-BIOC-F, TM-BIP-A, BISA-F, BI25X-DF, BI25X-TPA(이상, 아사히유기재공업(주)제) 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenoplast compound include, for example, 2,6-bis (hydroxymethyl) phenol, 2,6-bis (hydroxymethyl) cresol, 2,6- 4-methoxyphenol, 3,3 ', 5,5'-tetrakis (hydroxymethyl) biphenyl-4,4'-diol, 3,3'-methylenebis (2-hydroxy- Methyl-6-hydroxymethylphenol], 4,4'- (1-methylethylidene) bis [2-methyl-6-hydroxymethylphenol] Bis (hydroxymethyl) phenol], 4,4'- (1-methylethylidene) bis [2,6-bis Bis (methoxymethyl) cresol, 2,6-bis (methoxymethyl) -4-methoxyphenol, 3,3 ', 5,5'- (Methoxymethyl) biphenyl-4,4'-diol, 3,3'-methylenebis (2-methoxy-5-methylbenzene methanol), 4,4 '- (1-methylethylidene) Bis [2-methyl-6-methoxymethylphenol], 4,4'-methylenebis [2-methyl-6-methoxymethylphenol] Ethylidene) bis [2,6-bis (methoxymethyl) phenol] and 4,4'-methylenebis [2,6-bis (methoxymethyl) phenol]. DM-BIPC-F, DM-BIP-A, BISA-F, BI25X-DF, BI25X-TPA (hereinafter referred to as &quot; Manufactured by Asahi Organic Materials Industry Co., Ltd.).

나아가, (C1)성분으로는, N-하이드록시메틸아크릴아미드, N-메톡시메틸메타크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-부톡시메틸메타크릴아미드 등의 하이드록시메틸기 또는 알콕시메틸기로 치환된 아크릴아미드 화합물 또는 메타크릴아미드 화합물을 사용하여 제조되는 폴리머도 이용할 수 있다.Furthermore, examples of the component (C1) include hydroxymethyl groups such as N-hydroxymethylacrylamide, N-methoxymethylmethacrylamide, N-ethoxymethylacrylamide and N-butoxymethylmethacrylamide, or alkoxymethyl groups Or a polymer prepared by using a methacrylamide compound may also be used.

이러한 폴리머로는, 예를 들어, 폴리(N-부톡시메틸아크릴아미드), N-부톡시메틸아크릴아미드와 스티렌의 공중합체, N-하이드록시메틸메타크릴아미드와 메틸메타크릴레이트의 공중합체, N-에톡시메틸메타크릴아미드와 벤질메타크릴레이트의 공중합체, 및 N-부톡시메틸아크릴아미드와 벤질메타크릴레이트와 2-하이드록시프로필메타크릴레이트의 공중합체 등을 들 수 있다. 이러한 폴리머의 중량평균분자량은, 1,000 내지 50,000이고, 바람직하게는, 1,500 내지 20,000이고, 보다 바람직하게는 2,000 내지 10,000이다.Such polymers include, for example, poly (N-butoxymethylacrylamide), copolymers of N-butoxymethylacrylamide and styrene, copolymers of N-hydroxymethylmethacrylamide and methylmethacrylate, A copolymer of N-ethoxymethylmethacrylamide and benzylmethacrylate, and a copolymer of N-butoxymethylacrylamide and benzylmethacrylate and 2-hydroxypropylmethacrylate. The weight average molecular weight of such a polymer is 1,000 to 50,000, preferably 1,500 to 20,000, and more preferably 2,000 to 10,000.

이들 가교성 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These crosslinkable compounds may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 가교제로서 (C1)성분을 선택한 경우의 함유량은, (A)성분의 100질량부에 대하여, 바람직하게는 5 내지 50질량부, 보다 바람직하게는 10 내지 40질량부이다. 5질량부 미만인 경우, 메탈스퍼터 후의 내열성이 저하되거나, 단차평탄화성이 저하되는 경우가 있다. 또한, 50질량부를 초과하면, 현상시의 밀착성이 저하되거나, 감도가 저하될 가능성이 있다.When the component (C1) is selected as the crosslinking agent in the positive photosensitive resin composition of the present invention, the content is preferably 5 to 50 parts by mass, more preferably 10 to 50 parts by mass, per 100 parts by mass of the component (A) 40 parts by mass. If the amount is less than 5 parts by mass, the heat resistance after the metal sputtering may be lowered or the stepwise planarization property may be lowered. If it exceeds 50 parts by mass, there is a possibility that the adhesion at the time of development is lowered and the sensitivity is lowered.

또한 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, (C2)성분으로서, 식(2)로 표시되는 가교성 화합물을 함유할 수 있다.The positive photosensitive resin composition of the present invention may contain a crosslinkable compound represented by the formula (2) as the component (C2).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

(식 중, k는 2~10의 정수, m은 0~4의 정수를 나타내고, R1은 k가의 유기기를 나타낸다)(Wherein k represents an integer of 2 to 10, m represents an integer of 0 to 4, and R 1 represents a k-valent organic group)

(C2)성분은, 식(2)로 표시되는 시클로알켄옥사이드 구조를 가지는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예로는, 하기 식 C2-1 및 C2-2나, 이하에 나타내는 시판품 등을 들 수 있다.The component (C2) is not particularly limited as long as it is a compound having a cycloalkene oxide structure represented by the formula (2). Specific examples thereof include commercially available products represented by the following formulas C2-1 and C2-2, and the following.

[화학식 2](2)

Figure pct00002
Figure pct00002

[화학식 3](3)

Figure pct00003
Figure pct00003

시판품으로는, 에폴리드GT-401, 동 GT-403, 동 GT-301, 동 GT-302, 셀록사이드2021, 셀록사이드3000(다이셀화학공업(주)제 상품명), 지환식 에폭시 수지인 데나콜EX-252(나가세켐텍스(주)제 상품명), CY175, CY177, CY179(이상, CIBA-GEIGY A.G제 상품명), 아랄다이트CY-182, 동 CY-192, 동 CY-184(이상, CIBA-GEIGY A.G제 상품명), 에피클론200, 동 400(이상, DIC(주)제 상품명), 에피코트871, 동 872(이상, 유화쉘에폭시(주)제 상품명), ED-5661, ED-5662(이상, 셀라니스코팅(주)제 상품명) 등을 들 수 있다. 또한, 이들 가교성 화합물은, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 이용할 수 있다.Examples of commercially available products include EPOLED GT-401, GT-403, GT-301, GT-302, Celloxide 2021 and Celllock 3000 (trade names, manufactured by Daicel Chemical Industries, (Commercially available from CIBA-GEIGY AG), Araldite CY-182, CY-192 and CY-184 (trade names, manufactured by Nagase ChemteX Corporation), CY175, CY177 and CY179 (Trade name, manufactured by CIBA-GEIGY AG), Epiclon 200, and EP-400 (manufactured by DIC Corporation), Epikote 871 and Epikote 872 -5662 (trade name, manufactured by Selenium Coatings Co., Ltd.). These crosslinkable compounds may be used alone or in combination of two or more.

이들 중, 내열성, 내용제성, 내장시간 소성 내성 등의 내프로세스성, 및 투명성의 관점으로부터 시클로헥센옥사이드 구조를 가지는, 상기 식 C2-1 및 식 C2-2로 표시되는 화합물, 에폴리드GT-401, 동 GT-403, 동 GT-301, 동 GT-302, 셀록사이드2021, 셀록사이드3000이 바람직하다.Among them, from the viewpoints of the process resistance and transparency such as heat resistance, solvent resistance, internal time-plastic resistance and the like, the compounds represented by the above formulas C2-1 and C2-2 having a cyclohexene oxide structure, 401, GT-403, GT-301, GT-302, Celloxide 2021, and Celloxide 3000 are preferable.

상기 가교제로서 (C2)성분을 선택한 경우의 함유량은, (A)성분의 100질량부에 대하여 3 내지 50질량부, 바람직하게는 7 내지 40질량부, 보다 바람직하게는 10 내지 30질량부이다. 가교성 화합물의 함유량이 적은 경우에는, 가교성 화합물에 의해 형성되는 가교의 밀도가 충분하지 않으므로, 패턴 형성 후의 내열성, 내용제성, 장시간의 소성에 대한 내성 등을 향상시키는 효과가 얻어지지 않는 경우가 있다. 한편, 50질량부를 초과하는 경우에는, 미가교의 가교성 화합물이 존재하여, 패턴 형성 후의 내열성, 내용제성, 장시간의 소성에 대한 내성 등이 저하되고, 또한, 감광성 수지 조성물의 보존안정성이 나빠지는 경우가 있다.When the component (C2) is selected as the crosslinking agent, the content is 3 to 50 parts by mass, preferably 7 to 40 parts by mass, and more preferably 10 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). When the content of the crosslinking compound is small, the crosslinking density formed by the crosslinking compound is insufficient, so that the effect of improving the heat resistance, solvent resistance, resistance to firing for a long time after pattern formation can not be obtained have. On the other hand, when the amount is more than 50 parts by mass, uncrosslinked crosslinkable compounds are present to reduce heat resistance, solvent resistance, resistance to firing for a long time after pattern formation, and the storage stability of the photosensitive resin composition deteriorates .

<(D)용제>&Lt; (D) Solvent >

본 발명에 이용하는 (D)용제는, (A)성분, (B)성분 및 (C)성분을 용해하고, 또한 필요에 따라 첨가되는 후술하는 (E)성분 내지 (F)성분 등을 용해하는 것이며, 이러한 용해능을 가지는 용제이면, 그 종류 및 구조 등은 특별히 한정되는 것은 아니다.The solvent (D) used in the present invention is obtained by dissolving the components (A), (B) and (C) and dissolving the components (E) to , And the type and structure of the solvent are not particularly limited as long as they have such solubility.

이러한 (D)용제로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 시클로펜탄온, 시클로헥사논, 2-부탄온, 3-메틸-2-펜탄온, 2-펜탄온, 2-헵탄온, γ-부티로락톤, 2-하이드록시프로피온산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 유산에틸, 유산부틸, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 및 N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다.Examples of the solvent (D) include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, Propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, 2-butanone, 3-methyl- 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, 2-hydroxynaphthoate, Methyl 3-methylbutanoate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, And the like can be set acid ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, lactic acid butyl, N, N- dimethylformamide, N, N- dimethylacetamide and N- methylpyrrolidone.

이들 용제는, 1종 단독으로, 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.These solvents may be used singly or in combination of two or more.

이들 (D)용제 중, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 2-헵탄온, 프로필렌글리콜프로필에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 유산에틸, 유산부틸 등이, 도막성이 양호하고 안전성이 높다는 관점으로부터 바람직하다. 이들 용제는, 일반적으로 포토레지스트재료를 위한 용제로서 이용되고 있다.Among these solvents, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, 2-heptanone, propylene glycol propyl ether, propylene glycol propyl ether acetate, ethyl lactate and butyl lactate are preferable because of good film properties and safety Is high. These solvents are generally used as a solvent for a photoresist material.

<(E)성분>&Lt; Component (E) >

(E)성분은, 계면활성제이다. 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 있어서는, 그 도포성을 향상시킨다는 목적으로, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 추가로 계면활성제를 함유할 수 있다.Component (E) is a surfactant. In the positive photosensitive resin composition of the present invention, a surfactant may be further contained so long as the effect of the present invention is not impaired for the purpose of improving its coatability.

(E)성분의 계면활성제로는, 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 비이온계 계면활성제 등을 들 수 있다. 이러한 종류의 계면활성제로는, 예를 들어, 스미토모쓰리엠(주)제, DIC(주)제 혹은 AGC세이미케미컬(주)제 등의 시판품을 이용할 수 있다. 이들 시판품은, 용이하게 입수할 수 있으므로, 적합하다. 그 구체적인 예로는, 폴리폭스PF-136A, 151, 156A, 154N, 159, 636, 6320, 656, 6520(Omnova사제), 메가팍 R30, R08, R40, R41, R43, F251, F477, F552, F553, F554, F555, F556, F557, F558, F559, F560, F561, F562, F563, F565, F567, F570(DIC(주)제), FC4430, FC4432(스미토모쓰리엠(주)제), 아사히가드 AG710, 사프론 S-386, S-611, S-651, (AGC세이미케미컬(주)제), 프터전트FTX-218, DFX-18, 220P, 251, 212M, 215M((주)네오스제) 등의 불소계 계면활성제, BYK-300, 302, 306, 307, 310, 313, 315, 320, 322, 323, 325, 330, 331, 333, 342, 345, 346, 347, 348, 349, 370, 377, 378, 3455(빅케미재팬(주)제), SH3746, SH3749, SH3771, SH8400, SH8410, SH8700, SF8428(도레이·다우코닝·실리콘(주)제), KF-351, KF-352, KF-353, KF-354L, KF-355A, KF-615A, KF-945, KF-618, KF-6011, KF-6015(신에쯔화학공업(주)제) 등의 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다.The surfactant of the component (E) is not particularly limited, and examples thereof include a fluorine surfactant, a silicone surfactant, and a nonionic surfactant. As such a surfactant, for example, commercially available products such as those available from Sumitomo 3M Ltd., DIC Ltd. or AGC Seimei Chemical Co., Ltd. can be used. These commercially available products are suitable because they are readily available. Specific examples thereof include polypox PF-136A, 151, 156A, 154N, 159, 636, 6320, 656 and 6520 (manufactured by Omnova), Megapark R30, R08, R40, R41, R43, F251, F477, F552 and F553 , F554, F555, F556, F557, F558, F559, F560, F561, F562, F563, F565, F567, F570 (manufactured by DIC), FC4430, FC4432 (manufactured by Sumitomo 3M Ltd.), Asahi Guard AG710, (Manufactured by NEOS), Saffron S-386, S-611, S-651, AGC Seiyaku Chemical Co., Ltd., Fructose FTX-218, DFX-18, 220P, 251, 212M, 300, 302, 306, 307, 310, 313, 315, 320, 322, 323, 325, 330, 331, 333, 342, 345, 346, 347, 348, 349, 370, KF-351, KF-352, and KF-357 (manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.), 377, 378, 3455 (manufactured by Big Chemie Japan K.K.), SH3746, SH3749, SH3771, SH8400, SH8410, SH8700, SF8428 Silicone surfactants such as KF-353, KF-354L, KF-355A, KF-615A, KF-945, KF-618, KF-6011 and KF-6015 (manufactured by Shinetsu Kagaku Kogyo K.K.) .

(E)성분의 계면활성제는, 1종 단독으로, 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.The surfactant (E) may be used singly or in combination of two or more.

계면활성제가 사용되는 경우, 그 함유량은, (A)성분 100질량부에 기초하여 통상 0.01 내지 1.0질량부이고, 바람직하게는 0.02 내지 0.8질량부이다. (E)성분의 계면활성제의 사용량이 1.0질량부를 초과하는 양으로 설정되어도, 상기 도포성의 개량효과는 둔해지고, 경제적이지 못하게 된다. 0.01질량부 이하인 경우, 도포성 개선의 효과가 발현되지 않는 경우가 있다.When a surfactant is used, its content is usually 0.01 to 1.0 part by mass, preferably 0.02 to 0.8 part by mass based on 100 parts by mass of the component (A). Even when the amount of the surfactant (E) used is set to an amount exceeding 1.0 part by mass, the effect of improving the coating property becomes dull and uneconomical. When the amount is 0.01 parts by mass or less, the effect of improving the coating property may not be exhibited.

<(F)성분>&Lt; Component (F) >

(F)성분은, 밀착촉진제이다. 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 현상 후의 기판과의 밀착성을 향상시킬 목적으로, 밀착촉진제를 첨가할 수도 있다. 이러한 밀착촉진제의 구체예로는, 트리메틸클로로실란, 디메틸비닐클로로실란, 메틸디페닐클로로실란, 클로로메틸디메틸클로로실란 등의 클로로실란류, 트리메틸메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 메틸디메톡시실란, 디메틸비닐에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 비닐트리클로로실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴로일옥시프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-(N-피페리디닐)프로필트리에톡시실란, 3-우레이드프로필트리에톡시실란, 3-우레이드프로필트리메톡시실란 등의 알콕시실란류, 헥사메틸디실라잔, N,N'-비스(트리메틸실릴)우레아, 디메틸트리메틸실릴아민, 트리메틸실릴이미다졸 등의 실라잔류, 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 인다졸, 이미다졸, 2-메르캅토벤즈이미다졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 우라졸, 티오우라실, 메르캅토이미다졸, 메르캅토피리미딘 등의 복소환상 화합물이나, 1,1-디메틸우레아, 1,3-디메틸우레아 등의 요소, 또는 티오요소 화합물을 들 수 있다.Component (F) is an adhesion promoter. The positive photosensitive resin composition of the present invention may be added with an adhesion promoter for the purpose of improving the adhesion with the substrate after development. Specific examples of such adhesion promoters include chlorosilanes such as trimethylchlorosilane, dimethylvinylchlorosilane, methyldiphenylchlorosilane and chloromethyldimethylchlorosilane, trimethylmethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, methyldimethoxysilane, Dimethylvinylethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, vinyl trichlorosilane,? -Aminopropyltriethoxysilane,? -Methacryloyloxypropyltriethoxysilane,? -Methacryloxy (N-piperidinyl) propyltriethoxysilane, 3-ureide propyltriethoxysilane, 3-ureide propyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, Silane residues such as hexamethyldisilazane, N, N'-bis (trimethylsilyl) urea, dimethyltrimethylsilylamine and trimethylsilylimidazole, benzotriazole, benzimidazole, Indazole, A heterocyclic compound such as mercapto benzimidazole, 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzoxazole, uraazole, thiouracil, mercaptoimidazole and mercaptopyrimidine , 1,1-dimethylurea, and 1,3-dimethylurea, and thiourea compounds.

상기 밀착촉진제는, 예를 들어, 신에쯔화학공업(주)제, Momentive Performance Materials Worldwide Inc.제나 도레이·다우코닝·실리콘(주)제 등의 시판품의 화합물을 이용할 수 있으며, 이들 시판품은 용이하게 입수 가능하다.The adhesion promoter may be a commercially available compound such as, for example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Momentive Performance Materials Worldwide Inc., Jenna Toray, Dow Corning Silicone Co., .

(F)성분으로서, 상기 밀착성촉진제 중 1종 또는 2종류 이상을 조합하여 이용할 수 있다.As the component (F), one kind or two or more kinds of the above adhesion promoters may be used in combination.

이들 (F)성분 중, 알콕시실란류(즉, 실란커플링제)가 양호한 밀착성이 얻어지는 점에서 바람직하다.Of these components (F), alkoxysilanes (that is, a silane coupling agent) are preferable in that good adhesion is obtained.

이들 밀착촉진제의 첨가량은, (A)성분의 100질량부에 대하여, 통상, 0.1 내지 20질량부, 바람직하게는 0.5 내지 10질량부이다. 20질량부 이상 이용하면 감도가 저하되는 경우가 있고, 또한, 0.1질량부 미만이면 밀착촉진제의 충분한 효과가 얻어지지 않는 경우가 있다.The amount of the adhesion promoter to be added is usually 0.1 to 20 parts by mass, preferably 0.5 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the component (A). If the amount is more than 20 parts by mass, the sensitivity may be lowered. If the amount is less than 0.1 part by mass, sufficient effect of the adhesion promoter may not be obtained.

<기타 첨가제><Other additives>

추가로, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 필요에 따라, 레올로지조정제, 안료, 염료, 보존안정제, 소포제, 또는 다가페놀, 다가카르본산 등의 용해촉진제 등을 함유할 수 있다.Further, the positive-working photosensitive resin composition of the present invention can be dissolved in a rheology modifier, a pigment, a dye, a storage stabilizer, a defoaming agent, or a polyhydric phenol, a polyvalent carboxylic acid or the like Accelerators and the like.

<포지티브형 감광성 수지 조성물>&Lt; Positive photosensitive resin composition >

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, (A)성분의 (A1)~(A4)를 공중합시켜 얻어지는 공중합체, (B)성분의 1,2-퀴논디아지드 화합물, (C)성분의 가교제가 (D)용제에 용해된 것이며, 또한, 각각 필요에 따라, (E)성분의 계면활성제, (F)성분의 밀착촉진제, 및 기타 첨가제 중 1종 이상을 추가로 함유할 수 있는 조성물이다.The positive photosensitive resin composition of the present invention comprises a copolymer obtained by copolymerizing components (A1) to (A4) of component (A), a 1,2-quinonediazide compound of component (B), and a crosslinking agent of component (D) a solvent, and, if necessary, may further contain at least one of surfactant (E), adhesion promoter of component (F), and other additives.

이 중에서도, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물의 바람직한 예는, 이하와 같다.Among them, preferred examples of the positive photosensitive resin composition of the present invention are as follows.

[1]: (A)성분 100질량부에 기초하여, 5 내지 100질량부의 (B)성분, 5 내지 50질량부의 (C)성분을 함유하고, 이들 성분이 (D)용제에 용해된 포지티브형 감광성 수지 조성물.(B) and 5 to 50 parts by mass of a component (C) based on 100 parts by mass of the component (A), wherein the component (D) is a positive Sensitive resin composition.

[2]: 상기 [1]의 조성물에 있어서, 추가로 (E)성분을 (A)성분 100질량부에 기초하여, 0.01 내지 1.0질량부 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[2] The positive photosensitive resin composition according to the above [1], further comprising 0.01 to 1.0 part by mass of the component (E) based on 100 parts by mass of the component (A).

[3]: 상기 [1] 또는 [2]의 조성물에 있어서, 추가로 (F)성분을 (A)성분 100질량부에 기초하여 0.1 내지 20질량부 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[3] The positive photosensitive resin composition according to the above [1] or [2], further comprising 0.1 to 20 parts by mass of the component (F) based on 100 parts by mass of the component (A).

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 고형분의 비율은, 각 성분이 균일하게 용제에 용해되어 있는 한, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 1 내지 80질량%이고, 또한 예를 들어 5 내지 60질량%이고, 또는 10 내지 50질량%이다. 여기서, 고형분이란, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 전체성분으로부터 (D)용제를 제외한 것을 말한다.The proportion of the solid content in the positive photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited as long as each component is uniformly dissolved in a solvent, and is, for example, 1 to 80 mass% 60% by mass or 10% by mass to 50% by mass. Here, the solid content means that the solvent (D) is excluded from the total components of the positive photosensitive resin composition.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물의 조제방법은, 특별히 한정되지 않으나, 그 조제법으로는, 예를 들어, (A)성분(알칼리가용성 수지)을 (D)용제에 용해하고, 이 용액에 (B)성분의 1,2-퀴논디아지드 화합물, (C)성분의 가교제를 소정의 비율로 혼합하여, 균일한 용액으로 하는 방법, 혹은, 이 조제법의 적당한 단계에 있어서, 필요에 따라 (E)성분(계면활성제), (F)성분(밀착촉진제) 및 기타 첨가제를 추가로 첨가하여 혼합하는 방법을 들 수 있다.(A) (alkali-soluble resin) is dissolved in a solvent (D), and a solution of (B) is added to this solution, ) Or a crosslinking agent of the component (C) at a predetermined ratio to prepare a homogeneous solution, or a method in which, in an appropriate step of this preparation method, the component (E) (Surfactant), component (F) (adhesion promoter) and other additives are added and mixed.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물의 조제시에는, (D)용제 중에 있어서의 중합반응에 의해 얻어지는 공중합체의 용액을 그대로 시용할 수 있고, 이 경우, 이 (A)성분의 용액에 상기와 동일하게 (B)성분, (C)성분 등을 넣어 균일한 용액으로 할 때에, 농도 조정을 목적으로 (D)용제를 더 추가 투입할 수도 있다. 이때, 특정 공중합체의 형성 과정에서 이용되는 (D)용제와, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 조제시에 농도 조정을 위해 이용되는 (D)용제는 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.When the positive photosensitive resin composition of the present invention is prepared, the solution of the copolymer obtained by the polymerization reaction in the solvent (D) can be used as it is. In this case, the solution of the component (A) (D) solvent may be further added for the purpose of adjusting the concentration when the components (B) and (C) are added to a uniform solution. Here, the solvent (D) used in the formation of the specific copolymer and the solvent (D) used for adjusting the concentration at the time of preparing the positive photosensitive resin composition may be the same or different.

그리하여, 조제된 포지티브형 감광성 수지 조성물의 용액은, 구멍직경이 0.2μm 정도인 필터 등을 이용하여 여과한 후, 사용하는 것이 바람직하다.Thus, the solution of the prepared positive-working photosensitive resin composition is preferably filtered after using a filter having a pore diameter of about 0.2 mu m or the like.

<도막 및 경화막>&Lt; Coating film and cured film &

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 반도체 기판(예를 들어, 실리콘/이산화실리콘 피복 기판, 실리콘나이트라이드 기판, 금속 예를 들어 알루미늄, 몰리브덴, 크롬 등이 피복된 기판, 유리 기판, 석영 기판, ITO 기판 등) 상에, 회전 도포, 흘림 도포, 롤 도포, 슬릿 도포, 슬릿에 이은 회전 도포, 잉크젯 도포 등에 의해 도포하고, 그 후, 핫플레이트 또는 오븐 등에서 예비건조함으로써, 도막을 형성할 수 있다. 그 후, 이 도막을 가열처리함으로써, 포지티브형 감광성 수지막이 형성된다.The positive photosensitive resin composition of the present invention may be applied to a semiconductor substrate (e.g., a silicon / silicon dioxide coated substrate, a silicon nitride substrate, a substrate coated with a metal such as aluminum, molybdenum or chromium, a glass substrate, A substrate, or the like) by spin coating, flow coating, roll coating, slit coating, rotary coating followed by slit, inkjet coating, and the like, and thereafter preliminarily drying in a hot plate or oven. Thereafter, this coating film is subjected to heat treatment to form a positive photosensitive resin film.

이 가열처리의 조건으로는, 예를 들어, 온도 70℃ 내지 160℃, 시간 0.3 내지 60분간의 범위 내로부터 적당히 선택된 가열온도 및 가열시간이 채용된다. 가열온도 및 가열시간은, 바람직하게는 80℃ 내지 140℃, 0.5 내지 10분간이다.As the conditions of the heat treatment, for example, a heating temperature and a heating time appropriately selected from the range of 70 ° C to 160 ° C in the temperature range of 0.3 to 60 minutes are employed. The heating temperature and the heating time are preferably 80 占 폚 to 140 占 폚 for 0.5 to 10 minutes.

또한, 포지티브형 감광성 수지 조성물로부터 형성되는 포지티브형 감광성 수지막의 막두께는, 예를 들면 0.1 내지 30μm이고, 또 예를 들면 0.2 내지 10μm이고, 추가로 예를 들면 0.3 내지 8μm이다.The thickness of the positive photosensitive resin film formed from the positive photosensitive resin composition is, for example, from 0.1 to 30 占 퐉, for example, from 0.2 to 10 占 퐉, and further, for example, from 0.3 to 8 占 퐉.

상기에서 얻어진 도막 상에, 소정의 패턴을 가지는 마스크를 장착하여 자외선 등의 광을 조사하고, 알칼리현상액으로 현상함으로써, 노광부가 씻겨져 단면(端面)이 샤프한 릴리프패턴이 얻어진다.A mask having a predetermined pattern is mounted on the coating film obtained above, and light such as ultraviolet rays is irradiated and developed with an alkali developing solution, whereby the exposed portion is washed to obtain a relief pattern having a sharp end face.

사용될 수 있는 알칼리성 현상액으로는, 예를 들어, 탄산칼륨, 탄산나트륨, 수산화칼륨, 수산화나트륨 등의 알칼리 금속수산화물의 수용액, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 콜린 등의 수산화제4급암모늄의 수용액, 에탄올아민, 프로필아민, 에틸렌디아민 등의 아민 수용액 등의 알칼리성 수용액을 들 수 있다. 나아가, 이들 현상액에는, 계면활성제 등을 첨가할 수도 있다.Examples of the alkaline developer which can be used include aqueous solutions of alkali metal hydroxides such as potassium carbonate, sodium carbonate, potassium hydroxide and sodium hydroxide, aqueous solutions of quaternary ammonium hydroxide of tetraethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, , An aqueous solution of an amine such as ethanolamine, propylamine or ethylenediamine, and the like. Further, a surfactant or the like may be added to these developers.

상기 중, 수산화테트라에틸암모늄 0.1 내지 2.38질량% 수용액은, 포토레지스트의 현상액으로서 일반적으로 사용되고 있으며, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서도, 이 알칼리성 현상액을 이용하여, 팽윤 등의 문제를 일으키는 일 없이 양호하게 현상할 수 있다.The above aqueous solution of 0.1 to 2.38 mass% of tetraethylammonium hydroxide is generally used as a developer for a photoresist. Even in the photosensitive resin composition of the present invention, the alkaline developer can be used for the development of a good .

또한, 현상방법으로는, 액성법(液盛り法), 디핑법, 요동침지법 등, 모두 이용할 수 있다. 이때의 현상시간은, 통상, 15 내지 180초간이다.As the developing method, a liquid method, a dipping method, a calendering method, or the like can be used. The developing time at this time is usually 15 to 180 seconds.

현상 후, 포지티브형 감광성 수지막에 대하여 유수에 의한 세정을 예를 들어 20 내지 120초간 행하고, 이어서 압축공기 또는 압축질소를 이용하거나 또는 스피닝에 의해 풍건(風乾)함으로써, 기판 상의 수분이 제거되고, 그리고 패턴 형성된 막이 얻어진다.After the development, the positive-type photosensitive resin film is washed with water by, for example, 20 to 120 seconds, then air-dried by using compressed air, compressed nitrogen, or spinning to remove moisture on the substrate, Then, a patterned film is obtained.

이어서, 이러한 패턴 형성막에 대하여, 열경화를 위해 포스트베이크를 행함으로써, 구체적으로는 핫플레이트, 오븐 등을 이용하여 가열함으로써, 내열성, 투명성, 평탄화성, 저흡수성, 내약품성 등이 우수하고, 양호한 릴리프패턴을 가지는 막이 얻어진다.Then, the pattern-formed film is subjected to post-baking for thermal curing, specifically by heating using a hot plate, an oven, or the like to obtain a pattern-forming film having excellent heat resistance, transparency, flatness, low water- A film having a good relief pattern is obtained.

포스트베이크로는, 일반적으로, 온도 140℃ 내지 270℃의 범위 내로부터 선택된 가열온도에서, 핫플레이트 상인 경우에는 5 내지 30분간, 오븐 내인 경우에는 30 내지 90분간 처리한다는 방법이 채용된다.The post bake process is generally carried out at a heating temperature selected from the range of 140 ° C to 270 ° C, for 5 to 30 minutes in the case of a hot plate, and for 30 to 90 minutes in the case of an oven.

그리하여, 이러한 포스트베이크에 의해, 목적으로 하는, 양호한 패턴형상을 가지는 경화막을 얻을 수 있다.Thus, by the post-baking, a cured film having a desired pattern shape can be obtained.

이상과 같이, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 의해, 보존안정성이 높고, 충분히 고감도이면서 현상시에 미노광부의 막감소가 매우 적으며, 미세한 패턴을 가지는 도막을 형성할 수 있다.As described above, the positive photosensitive resin composition of the present invention can form a coating film having a high storage stability, a sufficiently high sensitivity, a very small reduction in film thickness at the time of development, and a fine pattern by the positive photosensitive resin composition of the present invention.

또한, 이 도막으로부터 얻어지는 경화막은 패턴 잔사가 적다는 특징을 갖는다. 그러므로, 액정디스플레이나 유기EL디스플레이에 있어서의 각종 막, 예를 들어 층간절연막, 보호막, 절연막 등과 함께, TFT형 액정소자의 어레이평탄화막 등의 용도에서 호적하게 이용할 수 있다.In addition, the cured film obtained from this coating film has a feature that there are few pattern residues. Therefore, various films such as an interlayer insulating film, a protective film, an insulating film, and the like in a liquid crystal display or an organic EL display can be suitably used in applications such as an array planarizing film of a TFT type liquid crystal element.

실시예Example

이하, 실시예를 들어, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하나, 본 발명은, 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.

[실시예에서 사용하는 약기호][Abbreviations used in the examples]

이하의 실시예에서 사용하는 약기호의 의미는, 다음과 같다.The meanings of the weak symbols used in the following examples are as follows.

MAA: 메타크릴산MAA: methacrylic acid

MMA: 메틸메타크릴레이트MMA: methyl methacrylate

HEMA: 2-하이드록시에틸메타크릴레이트HEMA: 2-hydroxyethyl methacrylate

PQMA: 4-하이드록시페닐메타크릴레이트PQMA: 4-hydroxyphenyl methacrylate

CHMI: N-시클로헥실말레이미드CHMI: N-cyclohexylmaleimide

AIBN: 아조비스이소부티로니트릴AIBN: azobisisobutyronitrile

PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate

PGME: 프로필렌글리콜모노메틸에테르PGME: Propylene glycol monomethyl ether

QD: α,α,α'-트리스(4-하이드록시페닐)-1-에틸-4-이소프로필벤젠 1mol과 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-설포닐클로라이드 1.5mol의 축합반응에 의해 합성되는 화합물QD: 1 mol of?,?,? '- tris (4-hydroxyphenyl) -1-ethyl-4-isopropylbenzene and 1.5 mol of 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonyl chloride A compound synthesized by a condensation reaction

CEL-2021P: 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3',4'-에폭시시클로헥산카르복실레이트CEL-2021P: 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ', 4'-epoxycyclohexanecarboxylate

GT-401: 부탄테트라카르본산 테트라(3,4-에폭시시클로헥실메틸) 수식 ε-카프로락톤GT-401: Butane tetracarboxylic acid tetra (3,4-epoxycyclohexylmethyl) -substituted ε-caprolactone

MPTS: γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란MPTS:? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane

R30: DIC(주)제 메가팍 R-30(상품명)R30: DIC ImegaPac R-30 (trade name)

[수평균분자량 및 중량평균분자량의 측정][Measurement of number-average molecular weight and weight-average molecular weight]

이하의 합성예에 따라 얻어진 특정 공중합체 및 특정 가교체의 수평균분자량 및 중량평균분자량을, 일본분광(주)제 GPC장치(Shodex(등록상표)컬럼KF803L 및 KF804L)를 이용하고, 용출용매테트라하이드로푸란을 유량 1ml/분으로 컬럼 중에 (컬럼온도 40℃) 흘려 용리시킨다는 조건으로 측정하였다. 한편, 하기의 수평균분자량(이하, Mn이라 칭함.) 및 중량평균분자량(이하, Mw라 칭함.)은, 폴리스티렌 환산값으로 표시된다.The number average molecular weight and the weight average molecular weight of the specific copolymer and the specific crosslinked product obtained according to the following Synthesis Examples were measured using a GPC apparatus (Shodex (registered trademark) columns KF803L and KF804L, manufactured by Nippon Bunko K.K.) Hydrofluorene was measured under the condition that it was eluted by flowing in a column (column temperature: 40 캜) at a flow rate of 1 ml / min. On the other hand, the following number average molecular weight (hereinafter referred to as Mn) and weight average molecular weight (hereinafter referred to as Mw) are expressed as polystyrene conversion values.

<합성예 1>&Lt; Synthesis Example 1 &

특정 공중합체를 구성하는 모노머성분으로서, MAA 12.0g, CHMI 21.0g, MMA 27.0g을 사용하고, 라디칼중합개시제로서 AIBN 3.8g을 사용하고, 이것들을 용제 PGMEA 95.8g 중에 있어서 온도 60℃ 내지 100℃에서 중합반응시킴으로써, Mn 4,500, Mw 7,800인 알칼리가용성 아크릴 중합체성분(특정 공중합체)의 용액(특정 공중합체농도: 40.0질량%)을 얻었다.(P1)12.0 g of MAA, 21.0 g of CHMI and 27.0 g of MMA were used as monomer components constituting the specific copolymer and 3.8 g of AIBN was used as a radical polymerization initiator, and these were dissolved in 95.8 g of solvent PGMEA at a temperature of 60 ° C to 100 ° C (Specific copolymer concentration: 40.0 mass%) of an alkali-soluble acrylic polymer component (specific copolymer) having Mn of 4,500 and a Mw of 7,800 was obtained. (P1)

<합성예 2>&Lt; Synthesis Example 2 &

특정 공중합체를 구성하는 모노머성분으로서, MAA 4.2g, CHMI 21.0g, HEMA 27.6g, MMA 7.2g을 사용하고, 라디칼중합개시제로서 AIBN 3.8g을 사용하고, 이것들을 용제 PGME 95.8g 중에 있어서 온도 60℃ 내지 100℃에서 중합반응시킴으로써, Mn 4,200, Mw 7,500인 알칼리가용성 아크릴 중합체성분(특정 공중합체)의 용액(특정 공중합체농도: 40.0질량%)을 얻었다.(P2)4.2 g of MAA, 21.0 g of CHMI, 27.6 g of HEMA and 7.2 g of MMA were used as the monomer components constituting the specific copolymer and 3.8 g of AIBN was used as the radical polymerization initiator, and these were dissolved in 95.8 g of solvent PGME at a temperature of 60 (Specific copolymer concentration: 40.0% by mass) of an alkali-soluble acrylic polymer component (specific copolymer) having Mn of 4,200 and Mw of 7,500 was obtained by carrying out a polymerization reaction at a temperature of 0 to 100 ° C. (P2)

<합성예 3>&Lt; Synthesis Example 3 &

특정 공중합체를 구성하는 모노머성분으로서, MAA 11.0g, CHMI 20.9g, PQMA 15.0 g, MMA 12.9g을 사용하고, 라디칼중합개시제로서 AIBN 2.9g을 사용하고, 이것들을 용제 PGMEA 95.4g 중에 있어서 온도 60℃ 내지 100℃에서 중합반응시킴으로써, Mn 5,400, Mw 10,000인 알칼리가용성 아크릴 중합체성분(특정 공중합체)의 용액(특정 공중합체농도: 40.0질량%)을 얻었다.(P3)11.0 g of MAA, 20.9 g of CHMI, 15.0 g of PQMA and 12.9 g of MMA were used as the monomer components constituting the specific copolymer and 2.9 g of AIBN was used as a radical polymerization initiator. These were dissolved in 95.4 g of solvent PGMEA at a temperature of 60 (Specific copolymer concentration: 40.0% by mass) of an alkali-soluble acrylic polymer component (specific copolymer) having Mn of 5,400 and Mw of 10,000 was obtained by carrying out polymerization reaction at a temperature of 100 to 100 ° C. (P3)

<합성예 4>&Lt; Synthesis Example 4 &

특정 공중합체를 구성하는 모노머성분으로서, MAA 7.8g, CHMI 21.0g, HEMA 15.0g, PQMA 1.2 g, MMA 15.0g을 사용하고, 라디칼중합개시제로서 AIBN 3.8g을 사용하고, 이것들을 용제 PGMEA 95.8g 중에 있어서 온도 60℃ 내지 100℃에서 중합반응시킴으로써, Mn 4,100, Mw 7,600인 알칼리가용성 아크릴 중합체성분(특정 공중합체)의 용액(특정 공중합체농도: 40.0질량%)을 얻었다.(P4)7.8 g of MAA, 21.0 g of CHMI, 15.0 g of HEMA, 1.2 g of PQMA and 15.0 g of MMA were used as monomer components constituting the specific copolymer, and 3.8 g of AIBN as a radical polymerization initiator was used, (Specific copolymer concentration: 40.0 mass%) of an alkali-soluble acrylic polymer component (specific copolymer) having Mn of 4,100 and Mw of 7,600 was obtained by polymerization reaction at a temperature of 60 to 100 ° C. (P4)

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

알칼리가용성 수지용액으로서, 상기 합성예 4로부터 얻어진 특정 공중합체용액(P4)에, QD(이하, 감광제라 칭함.), 가교성 화합물, 계면활성제, 밀착조제, 용제를 첨가한 후, 실온에서 8시간 교반하여 표 1에 나타내는 조성의 포지티브형 감광성 조성물을 조제하였다.(Hereinafter referred to as a photosensitive agent), a crosslinking compound, a surfactant, an adhesion promoter and a solvent were added to the specific copolymer solution (P4) obtained in Synthesis Example 4 as an alkali-soluble resin solution, And the mixture was stirred for a time to prepare a positive photosensitive composition having the composition shown in Table 1.

<비교예 1 내지 비교예 3>&Lt; Comparative Examples 1 to 3 >

알칼리가용성 수지용액으로서, 상기 합성예 1~3에서 얻어진 특정 공중합체용액(P1~P3)에, 감광제, 가교성 화합물, 계면활성제, 밀착조제, 용제를 첨가한 후, 실온에서 8시간 교반하여 표 1에 나타내는 조성의 포지티브형 감광성 조성물을 조제하였다.A sensitizer, a crosslinking compound, a surfactant, an adhesion promoter and a solvent were added to the specific copolymer solutions (P1 to P3) obtained in Synthesis Examples 1 to 3 as an alkali-soluble resin solution, and then stirred at room temperature for 8 hours, A positive photosensitive composition having the composition shown in Table 1 was prepared.

Figure pct00004
Figure pct00004

얻어진 실시예 1 그리고 비교예 1 내지 비교예 3의 각 포지티브형 감광성 수지 조성물에 대하여, 각각, 감도, 현상시의 밀착성, 열경화시의 패턴 내 잔사의 평가를 하기에 나타내는 방법으로 행하였다.Each of the obtained positive photosensitive resin compositions of Example 1 and Comparative Examples 1 to 3 was evaluated for sensitivity, adhesion at the time of development, and residue in a pattern at the time of thermal curing by the methods described below.

[감도의 평가][Evaluation of Sensitivity]

포지티브형 감광성 수지 조성물을 실리콘웨이퍼 상에 스핀코터를 이용하여 도포한 후, 온도 110℃에서 120초간 핫플레이트 상에 있어서 프리베이크를 행하여 막두께 4.0μm의 도막을 형성하였다. 막두께는 FILMETRICS제 F20을 이용하여 측정하였다. 이 도막에 캐논(주)제 자외선 조사장치 PLA-600FA에 의해 365nm에 있어서의 광강도가 5.5mW/cm2인 자외선을 일정시간 조사하였다. 그 후 0.4질량%의 수산화테트라메틸암모늄(이하, TMAH라 칭함)수용액에 90초간 침지함으로써 현상을 행한 후, 초순수로 20초간 유수세정을 행하였다. 노광부에 있어서 용해잔사가 없어지는 최저의 노광량(mJ/cm2)을 감도로 하였다.The positive-type photosensitive resin composition was coated on a silicon wafer using a spin coater, and then pre-baked on a hot plate at a temperature of 110 캜 for 120 seconds to form a coating film having a film thickness of 4.0 탆. The film thickness was measured using a FILMETICS F20 . This coating film was irradiated with ultraviolet light having a light intensity of 5.5 mW / cm 2 at 365 nm for a certain period of time by an ultraviolet irradiation apparatus PLA-600FA manufactured by Canon Inc. Thereafter, development was carried out by immersing in an aqueous solution of 0.4 mass% of tetramethylammonium hydroxide (hereinafter referred to as TMAH) for 90 seconds, followed by water washing with ultra pure water for 20 seconds. The lowest exposure dose (mJ / cm 2 ) at which the dissolved residue disappears in the exposed area was taken as the sensitivity.

[밀착성의 평가][Evaluation of adhesion]

포지티브형 감광성 수지 조성물을 실리콘웨이퍼 상에 스핀코터를 이용하여 도포한 후, 온도 110℃에서 120초간 핫플레이트 상에 있어서 프리베이크를 행하여 도막을 형성하였다. 이 도막에 365nm에 있어서의 광강도가 5.5mW/cm2인 자외선을 마스크를 통해 일정시간 조사하고, 10μm×10μm의 콘택트홀을 130μm 간격으로 배치한 패턴을 제작하였다. 그 후 0.4질량%의 수산화테트라메틸암모늄(이하, TMAH라 칭함)수용액에 90초간 침지함으로써 현상을 행한 후, 초순수로 90초간 유수세정을 행하였다. 그 후, 에스펙(주)제 CLEANOVENPVHC-210을 이용하여 230℃에서 30분간 포스트베이크를 행하고, 막두께 약 4.0μm의 경화막을 형성하였다. 그 후, 제작한 10μm×10μm의 보이드(拔き)패턴의 밀착성을, 히타치 전계방출형 주사전자현미경 S-4100을 이용하여 평가하였다. 보이드패턴의 끝이 뜨지 않고 밀착되어 있는 것을 양호(○), 끝이 떠 있는 것을 불량(×)이라 판단하였다.The positive photosensitive resin composition was coated on a silicon wafer using a spin coater and then pre-baked on a hot plate at a temperature of 110 캜 for 120 seconds to form a coating film. This coating film was irradiated with ultraviolet rays having a light intensity of 5.5 mW / cm 2 at 365 nm through a mask for a predetermined period of time, and a pattern in which 10 μm × 10 μm contact holes were arranged at intervals of 130 μm was produced. Thereafter, development was carried out by immersing in an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (hereinafter referred to as TMAH) of 0.4 mass% for 90 seconds, followed by washing with ultrapure water for 90 seconds. Thereafter, post-baking was performed at 230 DEG C for 30 minutes using CLEANOVENPVHC-210 manufactured by Espec Co., Ltd. to form a cured film having a film thickness of about 4.0 mu m. Thereafter, the adhesion of the 10 탆 x 10 탆 formed pattern was evaluated using a Hitachi field emission scanning electron microscope S-4100. It was judged that the end of the void pattern was not open but closely adhered (?), And that the end was floating was bad (X).

[패턴 내 잔사의 평가][Evaluation of residue in pattern]

상기, 밀착성의 평가에서 제작한 10μm×10μm의 보이드패턴 내의 잔사를 히타치 전계방출형 주사전자현미경 S-4100에 의해 확인하였다. 이때, 보이드패턴 내에 잔사가 남아있지 않은 것을 양호(○), 남아 있는 것을 불량(×)이라 판단하였다.The residue in the void pattern of 10 mu m x 10 mu m prepared in the above evaluation of the adhesion was confirmed by a Hitachi field emission scanning electron microscope S-4100. At this time, it was judged that the residue remained in the void pattern was good (O) and the remaining remnant was bad (X).

[평가의 결과][Results of evaluation]

이상의 평가를 행한 결과를, 다음의 표 2에 나타낸다.The results of the above evaluation are shown in Table 2 below.

Figure pct00005
Figure pct00005

표 2에 나타내는 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 모두 고감도였으며, 현상시의 밀착성도 충분하였다. 나아가 패턴 형성 후의 패턴 내의 잔사가 전혀 없다는 우수한 특성을 나타내었다.As can be seen from the results shown in Table 2, all of the positive photosensitive resin compositions of Example 1 had high sensitivity and had sufficient adhesion at the time of development. Furthermore, there was no residue in the pattern after pattern formation.

본 발명에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 박막 트랜지스터(TFT)형 액정표시소자, 유기EL소자 등의 각종 디스플레이에 있어서의 보호막, 평탄화막, 절연막 등의 경화막을 형성하는 재료로서 호적하고, 특히, TFT형 액정소자의 층간절연막, 컬러필터의 보호막, 어레이평탄화막, 반사형 디스플레이의 반사막 하측의 요철막, 유기EL소자의 절연막 등을 형성하는 재료로서도 호적할 뿐 아니라, 마이크로렌즈재료 등의 각종 전자재료로서도 호적하다.The positive photosensitive resin composition according to the present invention is suitable as a material for forming a cured film such as a protective film, a planarizing film and an insulating film in various displays such as a thin film transistor (TFT) type liquid crystal display element and an organic EL element, But also as a material for forming an interlayer insulating film of a TFT type liquid crystal element, a protective film of a color filter, an array planarizing film, a concave-convex film on the lower side of a reflective film of a reflective display, an insulating film of an organic EL element, It is also a good material.

Claims (11)

하기 (A)성분, (B)성분, (C)성분, 및 (D)용제를 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
(A)성분: 하기 (A1)~(A4)를 공중합시켜 얻어지는 알칼리가용성 아크릴 공중합체
(A1)불포화카르본산 및/또는 불포화카르본산 무수물, (A2)페놀성 수산기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머, (A3)하이드록시알킬기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머, (A4)N치환 말레이미드 화합물;
(B)성분: 1,2-퀴논디아지드 화합물,
(C)성분: 가교제
(D)용제.
A positive photosensitive resin composition comprising a component (A), a component (B), a component (C), and a solvent (D).
(A): An alkali-soluble acrylic copolymer obtained by copolymerizing the following (A1) to (A4)
(A1) an unsaturated carboxylic acid and / or an unsaturated carboxylic acid anhydride, (A2) a monomer having a phenolic hydroxyl group and a polymerizable unsaturated group, (A3) a monomer having a hydroxyalkyl group and a polymerizable unsaturated group, (A4) ;
Component (B): 1,2-quinonediazide compound,
Component (C): Crosslinking agent
(D) Solvent.
제1항에 있어서,
(A2)페놀성 수산기와 중합성 불포화기를 가지는 모노머가, p-하이드록시페닐(메트)아크릴레이트인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
(A2) A positive photosensitive resin composition wherein the monomer having a phenolic hydroxyl group and a polymerizable unsaturated group is p-hydroxyphenyl (meth) acrylate.
제1항 또는 제2항에 있어서,
(A)성분인 알칼리가용성 아크릴 중합체의 수평균분자량이 폴리스티렌 환산으로 2,000 내지 30,000인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the number average molecular weight of the alkali-soluble acrylic polymer as the component (A) is 2,000 to 30,000 in terms of polystyrene.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
(A)성분의 100질량부에 대하여, (B)성분이 5 내지 100질량부인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the amount of the component (B) is 5 to 100 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (A).
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
(A)성분의 100질량부에 대하여, (C)성분이 5 내지 50질량부인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the amount of the component (C) is 5 to 50 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (A).
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
(E)성분으로서, 계면활성제를 추가로 (A)성분의 100질량부에 대하여 0.01 내지 1.0질량부 함유하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the surfactant is further contained as the component (E) in an amount of 0.01 to 1.0 part by mass based on 100 parts by mass of the component (A).
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
(F)성분으로서, 밀착촉진제를 추가로 (A)성분의 100질량부에 대하여 0.1 내지 20질량부 함유하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the positive-pressure photosensitive resin composition further contains, as the component (F), an adhesion promoter in an amount of 0.1 to 20 parts by mass per 100 parts by mass of the component (A).
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막.
A cured film obtained by curing the positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7.
제8항에 기재된 경화막을 가지는 표시소자.
A display element having the cured film according to claim 8.
제8항에 기재된 경화막을 디스플레이용 어레이평탄화막으로서 가지는 표시소자.
9. A display element having the cured film according to claim 8 as an array planarizing film for display.
제8항에 기재된 경화막을 층간절연막으로서 가지는 표시소자.
9. A display element having the interlayer insulating film as set forth in claim 8.
KR1020177013575A 2014-12-04 2015-12-01 Positive-acting photosensitive resin composition KR102622165B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-245972 2014-12-04
JP2014245972 2014-12-04
PCT/JP2015/083771 WO2016088757A1 (en) 2014-12-04 2015-12-01 Positive-acting photosensitive resin composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170092542A true KR20170092542A (en) 2017-08-11
KR102622165B1 KR102622165B1 (en) 2024-01-08

Family

ID=56091699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177013575A KR102622165B1 (en) 2014-12-04 2015-12-01 Positive-acting photosensitive resin composition

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6744577B2 (en)
KR (1) KR102622165B1 (en)
CN (1) CN107003607B (en)
TW (1) TWI738634B (en)
WO (1) WO2016088757A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102080079B1 (en) 2018-10-30 2020-02-21 인하대학교 산학협력단 Highly fluorinated monomolecular photoresist having solubility in high fluorine solvent and method of forming pattern using the same

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6807148B2 (en) * 2015-07-30 2021-01-06 東京応化工業株式会社 Photosensitive composition
KR101947150B1 (en) * 2016-08-09 2019-02-12 주식회사 엘지화학 Method for manufacturing insulating film and multilayered printed circuit board
KR102040224B1 (en) * 2016-08-09 2019-11-06 주식회사 엘지화학 Method for manufacturing insulating film and multilayered printed circuit board
WO2018088754A1 (en) * 2016-11-11 2018-05-17 주식회사 엘지화학 Insulating layer manufacturing method and multi-layered printed circuit board manufacturing method
KR102040225B1 (en) * 2016-11-11 2019-11-06 주식회사 엘지화학 Method for manufacturing insulating film and multilayered printed circuit board
WO2024024501A1 (en) * 2022-07-29 2024-02-01 日産化学株式会社 Positive photosensitive resin composition

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04352101A (en) 1991-05-30 1992-12-07 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Radiation sensitive resin composition for microlens
JP2000103937A (en) 1998-09-29 2000-04-11 Jsr Corp Thermosetting resin composition
JP2002333709A (en) * 2001-05-08 2002-11-22 Mitsubishi Chemicals Corp Positive type image forming material and positive image forming method using the same
JP2012208517A (en) * 2012-07-06 2012-10-25 Nissan Chem Ind Ltd Positive photosensitive resin composition containing compound having unsaturated group at terminal
JP2014137454A (en) * 2013-01-16 2014-07-28 Jsr Corp Positive-type radiation-sensitive resin composition, cured film, method for producing the same, semiconductor element, and display device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005097546A (en) * 2003-08-22 2005-04-14 Okamoto Kagaku Kogyo Kk Lithographic printing original plate
EP1577330B1 (en) * 2003-08-22 2012-02-15 Okamoto Chemical Industry Co., Ltd Copolymer, image-forming composition and plate for lithography
TWI424270B (en) * 2004-05-26 2014-01-21 Nissan Chemical Ind Ltd Positive-type photosensitive resin composition, and interlayer insulator and microlens produced from the composition
CN1904736B (en) * 2005-07-25 2012-06-13 日产化学工业株式会社 Positive-type photosensitive resin composition and cured film manufactured therefrom
KR101280478B1 (en) * 2005-10-26 2013-07-15 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition
JP5019055B2 (en) * 2006-01-25 2012-09-05 日産化学工業株式会社 Positive photosensitive resin composition and cured film obtained therefrom
KR20090010044A (en) * 2006-05-16 2009-01-28 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 Positive photosensitive resin composition and porous film obtained therefrom
JP5274132B2 (en) * 2007-07-17 2013-08-28 富士フイルム株式会社 Curable composition, curable composition for color filter, pattern forming method, color filter, and production method thereof
JP5496482B2 (en) * 2007-08-27 2014-05-21 富士フイルム株式会社 Novel compound, photopolymerizable composition, photopolymerizable composition for color filter, color filter and method for producing the same, solid-state imaging device, and lithographic printing plate precursor
KR101754676B1 (en) * 2010-02-02 2017-07-06 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 Positive photosensitive resin composition and liquid-repellent film
US8796349B2 (en) * 2010-11-30 2014-08-05 Nissan Chemical Industries, Ltd. Photosensitive resin composition for microlenses
KR102115817B1 (en) * 2013-01-16 2020-05-27 제이에스알 가부시끼가이샤 Thermosetting resin composition for forming cured film, negative radiation-sensitive resin composition, positive radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the same, semiconductor device and display device
JP6157193B2 (en) * 2013-04-22 2017-07-05 昭和電工株式会社 (Meth) acrylate polymer, composition containing the polymer and use thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04352101A (en) 1991-05-30 1992-12-07 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Radiation sensitive resin composition for microlens
JP2000103937A (en) 1998-09-29 2000-04-11 Jsr Corp Thermosetting resin composition
JP2002333709A (en) * 2001-05-08 2002-11-22 Mitsubishi Chemicals Corp Positive type image forming material and positive image forming method using the same
JP2012208517A (en) * 2012-07-06 2012-10-25 Nissan Chem Ind Ltd Positive photosensitive resin composition containing compound having unsaturated group at terminal
JP2014137454A (en) * 2013-01-16 2014-07-28 Jsr Corp Positive-type radiation-sensitive resin composition, cured film, method for producing the same, semiconductor element, and display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102080079B1 (en) 2018-10-30 2020-02-21 인하대학교 산학협력단 Highly fluorinated monomolecular photoresist having solubility in high fluorine solvent and method of forming pattern using the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW201635033A (en) 2016-10-01
JP6744577B2 (en) 2020-08-19
TWI738634B (en) 2021-09-11
KR102622165B1 (en) 2024-01-08
CN107003607B (en) 2021-05-28
JPWO2016088757A1 (en) 2017-09-21
WO2016088757A1 (en) 2016-06-09
CN107003607A (en) 2017-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107003607B (en) Positive photosensitive resin composition
JP4640037B2 (en) Positive photosensitive insulating resin composition and cured product thereof
TWI390350B (en) Positive photosensitive insulating resin composition and hardened product thereof
TWI506373B (en) Photosensitive resin composition and display unit
KR100940469B1 (en) Positively photosensitive resin composition and method of pattern formation
JP6826327B2 (en) Positive photosensitive resin composition
KR101229381B1 (en) Positive photosensitive resin composition, and interlayer dielectrics and microlenses made therefrom
KR102229661B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition
TWI227375B (en) Negative photosensitive resin composition and display device using it
TWI655501B (en) Negative photosensitive resin composition, partition and optical component
TW201341951A (en) Photosensitive resin composition
JP4240204B2 (en) Positive photosensitive resin composition
JP7045001B2 (en) Photosensitive resin composition
TW537933B (en) A method of forming protective coating
KR20060040686A (en) Photosensitive resin composition
KR100983210B1 (en) Photosensitive resin composition
JP3842750B2 (en) Photosensitive resin composition
KR101180541B1 (en) Radiosensitive resin composition
JP5293937B2 (en) Photosensitive resin composition
TWI761433B (en) Photosensitive resin composition, cured film, method for producing the same, and electronic component
JP5339034B2 (en) Photosensitive resin composition containing sulfonic acid compound
JP4447941B2 (en) Resin composition for positive spacer and method for producing adhesive spacer

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant