KR20170077053A - Radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the cured film, and display device - Google Patents

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Abstract

(과제) 양호한 방사선 감도를 갖고, 비노광부의 막 두께 변화량이 작아, 고굴절률로, 투명성, 절연성 및 부식 방지성이 우수한 경화막을 얻을 수 있는 감방사선성 수지 조성물, 이 조성물로 형성되는 경화막, 이 경화막의 형성 방법 및, 이 경화막을 갖는 표시 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 발명은, 중합체, 감방사선성 산 발생체 및 식(1)로 나타나는 기를 2개 이상 갖는 화합물을 함유하는 감방사선성 수지 조성물에 의해서 달성된다.
A radiation-sensitive resin composition having a good radiation sensitivity, a small amount of change in the film thickness of an unexposed portion, and a high refractive index, excellent in transparency, insulation, and corrosion resistance can be obtained, a cured film formed of the composition, A method of forming the cured film, and a display element having the cured film.
(Solution) The invention made to solve the above problems is achieved by a radiation-sensitive resin composition containing a polymer, a radiation-sensitive acid generator and a compound having two or more groups represented by formula (1).

Description

감방사선성 수지 조성물, 경화막, 그의 형성 방법 및 표시 소자{RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, METHOD FOR FORMING THE CURED FILM, AND DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition, a cured film, a method of forming the same, and a display device,

본 발명은, 감방사선성 수지 조성물, 경화막, 그의 형성 방법 및 표시 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition, a cured film, a method of forming the same, and a display device.

표시 소자에는, 층 형상으로 배치되는 배선 간을 절연하는 층간 절연막, 스페이서, 보호막 등의 경화막이 형성되어 있다. 층간 절연막 등의 경화막에는, 절연성(저유전성)이나, 부식 방지성(피복한 기판에 설치되어 있는 배선의 부식을 억제할 수 있는 것) 등이 요구된다.The display element is provided with a cured film such as an interlayer insulating film, a spacer, a protective film or the like which insulates wiring arranged in layers. A cured film such as an interlayer insulating film is required to have insulating properties (low dielectric constant), corrosion resistance (which can suppress corrosion of wiring provided on a coated substrate) and the like.

한편, 층간 절연막 등의 형성 재료로서는, 감방사선성 수지 조성물이 널리 사용되고 있다. 감방사선성 수지 조성물로는, 방사선에 대한 감도가 양호한 것 등이 요구된다.On the other hand, as a material for forming an interlayer insulating film or the like, a radiation-sensitive resin composition is widely used. The radiation sensitive resin composition is required to have good sensitivity to radiation, and the like.

이러한 감방사선성 수지 조성물로서는, 보호기가 산에 의해 해리하고, 알칼리 수용액에 가용으로 되는 수지, 가교제 및 산 발생제를 함유하는 조성물이나, 아세탈 구조 또는 케탈 구조와 에폭시기를 갖는 수지 및 산 발생제를 함유하는 조성물이 제안되어 있다(일본공개특허공보 2004-4669호, 일본공개특허공보 2004-264623호 참조).Examples of such a radiation-sensitive resin composition include a composition containing a resin dissociated by an acid and being soluble in an aqueous alkali solution, a crosslinking agent and an acid generator, a resin having an acetal structure or a ketal structure and an epoxy group, (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-4669 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-264623).

상기 종래의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 표시 소자의 경화막의 형성을 시도한 경우, 현상 후의 가열 공정에 있어서의 비노광부의 막 두께 감소량이 커서, 경화막의 평탄성이 손상되거나, 혹은 설계 막 두께로부터의 어긋남이 발생하는 문제가 있다. 또한, 방사선 감도 등에 대해서도, 개선의 여지가 있다.In the case of attempting to form a cured film of a display element by using the above conventional radiation-sensitive resin composition, the amount of decrease in the film thickness of the non-exposed portion in the heating step after development is large and the flatness of the cured film is impaired, There is a problem that a deviation occurs. There is also room for improvement in the radiation sensitivity and the like.

일본공개특허공보 2004-4669호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-4669 일본공개특허공보 2004-264623호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623

본 발명은, 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 그의 목적은, 양호한 방사선 감도를 갖고, 비노광부의 막 두께 변화량이 작아, 고굴절률로, 투명성, 절연성 및 부식 방지성이 우수한 경화막을 얻을 수 있는 감방사선성 수지 조성물, 이 조성물로 형성되는 경화막, 이 경화막의 형성 방법 및, 이 경화막을 갖는 표시 소자를 제공하는 것이다.The present invention has been made based on the above-described circumstances, and its object is to provide a cured film having good radiation sensitivity, a small amount of change in the film thickness of the unexposed portion, a high refractive index and excellent transparency, A cured film formed from the composition, a method of forming the cured film, and a display element having the cured film.

상기 과제를 해결하기 위하여 이루어진 발명은, 중합체(이하, 「[A]중합체」라고도 함), 감방사선성 산 발생체(이하, 「[B]산 발생체」라고도 함) 및, 하기식(1)로 나타나는 기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물(이하, 「[C]화합물」이라고도 함)을 함유하는 감방사선성 수지 조성물이다.(A) polymer, a radiation-sensitive acid generator (hereinafter also referred to as " [B] acid generator ") and a compound represented by the following formula ) (Hereinafter, also referred to as a " compound [C] ") having at least two groups in one molecule.

Figure pat00001
Figure pat00001

(식(1) 중, Z는 황 원자 또는 질소 원자를 나타내고, X는 탄소수 2 이상의 2가의 탄화수소기를 나타내고, Y는 산 해리성기 또는 산 해리성기를 포함하는 유기기를 나타내고, *는 결합 위치를 나타냄)(In the formula (1), Z represents a sulfur atom or a nitrogen atom, X represents a divalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms, Y represents an organic group including an acid dissociable group or an acid dissociable group, )

상기 과제를 해결하기 위하여 이루어진 다른 발명은, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막이다. 추가로, 기판 상에 도막을 형성하는 공정, 이 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정, 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및, 상기 현상된 도막을 가열하는 공정을 구비하고, 상기 도막의 형성에 당해 감방사선성 수지 조성물을 이용하는 경화막의 형성 방법 그리고 당해 경화막을 구비하는 표시 소자도 본 발명에 포함된다. Another invention made to solve the above problems is a cured film formed from the radiation sensitive resin composition. The method may further comprise a step of forming a coating film on the substrate, a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation, a step of developing the coating film irradiated with the radiation, and a step of heating the developed coating film, A method of forming a cured film using the radiation sensitive resin composition and a display element having the cured film are also included in the present invention.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물 및 경화막의 형성 방법은, 양호한 방사선 감도를 갖고, 비노광부의 막 두께 변화량이 작아, 얻어지는 경화막이, 고굴절률로, 우수한 투명성, 절연성 및 부식 방지성을 발휘할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화막은, 우수한 절연성 및 부식 방지성을 발휘할 수 있어, 표시 소자에 적합하게 이용할 수 있다. The method of forming a radiation sensitive resin composition and a cured film according to the present invention can exhibit excellent transparency, insulation and corrosion resistance with a high refractive index, a good radiation sensitivity, a small amount of change in the film thickness of the unexposed portion, . Further, the cured film of the present invention can exhibit excellent insulating properties and corrosion resistance, and can be suitably used for display devices.

도 1은, 실시예의 부식 방지성 평가에 있어서 배선 부식이 없는 상태를 나타낸 사진이다.
도 2는, 배선 부식이 있는 상태를 나타낸 사진이다.
Fig. 1 is a photograph showing a state in which there is no wiring corrosion in the corrosion prevention evaluation of the embodiment. Fig.
Fig. 2 is a photograph showing a state of wiring corrosion.

<감방사선성 수지 조성물><Radiation-Resistant Resin Composition>

당해 감방사선성 수지 조성물은, [A]중합체, [B]산 발생체 및, [C]화합물을 함유한다. 당해 감방사선성 수지 조성물은, 그 외의 임의 성분으로서, 산화 방지제 등을 추가로 함유해도 좋다.The radiation sensitive resin composition contains the [A] polymer, the [B] acid generator, and the [C] compound. The radiation sensitive resin composition may further contain, as other optional components, an antioxidant and the like.

당해 감방사선성 수지 조성물은, 표시 소자용의 경화막의 형성에 이용된다. 또한, 당해 감방사선성 수지 조성물은, 통상, 알칼리 현상액을 이용한 포지티브형의 패턴 형성에 이용된다. 당해 감방사선성 수지 조성물에 있어서는, 패턴 형성 시의 노광에 의해, 노광부에 있어서 [B]산 발생체로부터 산이 발생하고, 이 산에 의해 [C]화합물의 산 해리성기가 해리한다. 이에 따라, 노광부와 비노광부의 사이의 현상액에 대한 용해성의 차이가 높아져, 양호한 방사선 감도가 발휘된다. 또한, 이와 같이, [A]중합체와 비교하여 저분자량의 [C]화합물이 산 해리성기를 가짐으로써, 산 해리성기를 갖는 중합체를 이용한 감방사선성 조성물과 비교하여, 현상액에 대한 용해성의 변화가 현저해진다. 또한, 노광 후의 가열에 의해 [A]중합체가 경화하여, 막 두께 변화량이 작아, 유전율이 낮고, 우수한 부식 방지성을 갖는 경화막을 얻을 수 있다. [C]화합물이 황 원자를 포함하기 때문에 경화막의 굴절률 향상이 가능해진다. 이하, 각 성분에 대해서 설명한다.The radiation sensitive resin composition is used for forming a cured film for a display element. Further, the radiation-sensitive resin composition is usually used for forming a positive pattern using an alkali developing solution. In the radiation sensitive resin composition, an acid is generated from the acid generator [B] in the exposed portion by exposure at the time of pattern formation, and the acid dissociable group of the [C] compound is dissociated by the acid. As a result, the difference in solubility between the exposed portion and the non-exposed portion in the developing solution increases, and good radiation sensitivity is exhibited. Further, as described above, since the [C] compound having a low molecular weight as compared with the [A] polymer has an acid-dissociable group, a change in solubility in a developer is less than that of a radiation- It becomes remarkable. Further, the cured film [A] is cured by heating after exposure, the cured film having a small change in film thickness, a low dielectric constant, and excellent corrosion resistance can be obtained. Since the [C] compound contains a sulfur atom, the refractive index of the cured film can be improved. Each component will be described below.

<[A]중합체><[A] Polymer>

[A]중합체는 얻어지는 경화막의 주재(主材)가 되는 성분이다. [A]중합체로서는, 통상, 감방사선성 수지 조성물에 함유되는 공지의 중합체를 1종 또는 2종 이상 혼합하여 이용할 수 있다. 또한, [A]중합체로서는, 산 해리성기를 갖고 있지 않은 중합체를 이용하는 것이 바람직하다. 산 해리성기를 갖고 있지 않은 중합체를 이용함으로써, 막 두께 변화량을 보다 작게하는 것 등을 할 수 있다.The polymer [A] is a component which becomes a main material of the obtained cured film. As the polymer [A], conventionally known polymers contained in the radiation-sensitive resin composition may be used alone or in combination of two or more. As the [A] polymer, it is preferable to use a polymer having no acid dissociable group. By using a polymer having no acid dissociable group, the film thickness variation can be made smaller.

[A]중합체는, 통상, 알칼리 현상액에 대한 적당한 용해성 및 가열에 의한 경화성을 갖는 것이 적합하게 이용된다. 이러한 [A]중합체로서는, (A-1)카복시기를 갖는 아크릴 수지, (A-2)폴리이미드 또는 폴리이미드 전구체, (A-3)폴리실록산 및, (A-4)방향족 폴리에테르의 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 중합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 이들 중합체를 이용함으로써, 막 두께 변화량을 보다 작게 하여, 절연성이나 부식 방지성을 보다 높일 수 있다. 또한, [A]중합체가 이들 중합체인 것에 의해, 당해 감방사선성 수지 조성물은, 알칼리 현상액을 이용하는 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물로서 적합하게 기능한다.The polymer [A] is suitably used, usually having suitable solubility in an alkali developing solution and curing property by heating. Examples of the polymer (A) include polymers selected from the group consisting of (A-1) an acrylic resin having a carboxyl group, (A-2) a polyimide or polyimide precursor, (A- 3) polysiloxane and And at least one polymer selected from the group consisting of at least one polymer selected from the group consisting of: By using these polymers, the amount of change in the film thickness can be further reduced, and the insulating property and the corrosion prevention property can be further improved. Further, since the polymer [A] is one of these polymers, the radiation-sensitive resin composition suitably functions as a positive radiation-sensitive resin composition using an alkali developing solution.

((A-1)카복시기를 갖는 아크릴 수지)((A-1) an acrylic resin having a carboxyl group)

(A-1)카복시기를 갖는 아크릴 수지는, 카복시기에 의해 알칼리 용해성을 갖는다. (A-1)카복시기를 갖는 아크릴 수지는, 카복시기를 갖는 구조 단위와 중합성기를 갖는 구조 단위를 갖는 것이 바람직하다. 이 경우, 알칼리 현상액에 대한 가용성(알칼리 현상성)과 경화성을 양호하게 발휘할 수 있다.(A-1) The acrylic resin having a carboxy group has alkali solubility by a carboxy group. (A-1) The acrylic resin having a carboxy group preferably has a structural unit having a carboxy group and a structural unit having a polymerizable group. In this case, the solubility (alkali developability) and curability of the alkali developing solution can be excellently exerted.

중합성기를 갖는 구조 단위는, 에폭시기를 갖는 구조 단위 및 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구조 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 구조 단위인 것이 바람직하다. 카복시기를 갖는 아크릴 수지가, 상기 특정의 구조 단위를 포함함으로써, 보다 강고한 경화막을 형성할 수 있다.The structural unit having a polymerizable group is preferably at least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit having an epoxy group and a structural unit having a (meth) acryloyloxy group. When the acrylic resin having a carboxy group contains the above specific structural unit, a stronger cured film can be formed.

(메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구조 단위는, 예를 들면 중합체 중의 에폭시기에 (메타)아크릴산을 반응시키는 방법, 중합체 중의 카복시기에 에폭시기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르를 반응시키는 방법, 중합체 중의 수산기에 이소시아네이트기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르를 반응시키는 방법, 중합체 중의 산 무수물 부위에 (메타)아크릴산 하이드록시에스테르를 반응시키는 방법 등에 의해 형성할 수 있다. 이들 중에서도, 중합체 중의 카복시기에 에폭시기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르를 반응시키는 방법이 바람직하다.Examples of the structural unit having a (meth) acryloyloxy group include a method in which (meth) acrylic acid is reacted with an epoxy group in a polymer, a method in which a (meth) acrylic acid ester having an epoxy group is reacted with a carboxyl group in the polymer, A method of reacting a (meth) acrylic acid ester having an isocyanate group, a method of reacting a (meth) acrylic acid hydroxy ester to an acid anhydride moiety in the polymer, and the like. Among these, a method of reacting a (meth) acrylic acid ester having an epoxy group in a carboxy group in the polymer is preferred.

카복시기를 갖는 구조 단위와 중합성기로서 에폭시기를 갖는 구조 단위를 포함하는 아크릴 수지는, 용매 중에서 중합 개시제의 존재하, (a1)불포화 카본산 및 불포화 카본산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종(이하, 「(a1)화합물」이라고도 함)과, (a2)에폭시기 함유 불포화 화합물(이하, 「(a2)화합물」이라고도 함)을 공중합하여 합성할 수 있다. (a3)수산기 함유 구조 단위를 부여하는 수산기 함유 불포화 화합물(이하, 「(a3)화합물」이라고도 함)을 추가로 첨가하여, 공중합체로 할 수 도 있다. 또한, 카복시기를 갖는 아크릴 수지의 제조에 있어서는, 상술의 (a1)∼(a3)화합물 이외의 (a4)화합물(상술의 (a1)∼(a3)화합물에 유래하는 구조 단위 이외의 구조 단위를 부여하는 불포화 화합물)을 추가로 첨가하여, 공중합체로 할 수도 있다. 다음으로, (a1)∼(a4)의 각 화합물을 상세히 서술한다.The acrylic resin comprising a structural unit having a carboxy group and a structural unit having an epoxy group as a polymerizable group is obtained by reacting (a1) at least one member selected from the group consisting of an unsaturated carboxylic acid and an unsaturated carboxylic acid anhydride (Hereinafter also referred to as "(a1) compound") and (a2) epoxy group-containing unsaturated compound (hereinafter also referred to as "(a2) compound"). (a3) a hydroxyl group-containing unsaturated compound giving a hydroxyl group-containing structural unit (hereinafter also referred to as &quot; (a3) compound &quot;) may be further added to form a copolymer. In the production of an acrylic resin having a carboxy group, structural units other than the structural units derived from the compounds (a4) to (a3) other than the above-mentioned (a1) , May be further added to form a copolymer. Next, each of the compounds (a1) to (a4) will be described in detail.

((a1)화합물)((a1) compound)

(a1)화합물로서는, 불포화 모노카본산, 불포화 디카본산, 불포화 디카본산의 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the compound (a1) include an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid, and an anhydride of an unsaturated dicarboxylic acid.

불포화 모노카본산으로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid.

불포화 디카본산으로서는, 예를 들면 말레인산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid, and the like.

불포화 디카본산의 무수물로서는, 예를 들면 상기 불포화 디카본산으로서 예시한 화합물의 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the anhydrides of the unsaturated dicarboxylic acids include anhydrides of the compounds exemplified as the unsaturated dicarboxylic acids.

이들 (a1)화합물 중, 아크릴산, 메타크릴산 및 무수 말레인산이, 공중합 반응성, 알칼리 수용액에 대한 용해성 및 입수의 용이성 등에서 보다 바람직하다. 이들 (a1)화합물은, 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 좋다.Of these compounds (a1), acrylic acid, methacrylic acid, and maleic anhydride are more preferable in terms of copolymerization reactivity, solubility in an aqueous alkali solution, and availability. These (a1) compounds may be used alone or in combination of two or more.

(a1)화합물의 사용 비율의 하한값으로서는, (A-1)카복시기를 갖는 아크릴 수지를 형성하는 전체 모노머의 합계에 기초하여, 5질량%가 바람직하고, 10질량%가 보다 바람직하다. 한편, 이 상한값으로서는, 30질량%가 바람직하고, 25질량%가 보다 바람직하다. (a1)화합물의 사용 비율을 이러한 범위로 함으로써, 카복시기를 갖는 아크릴 수지의 알칼리 수용액에 대한 용해성을 최적화함과 함께, 방사선 감도가 우수한 막을 형성할 수 있다.The lower limit of the use ratio of the compound (a1) is preferably 5% by mass, more preferably 10% by mass based on the total amount of the monomers forming the acrylic resin having the carboxyl group (A-1). On the other hand, the upper limit is preferably 30% by mass, more preferably 25% by mass. By setting the ratio of the compound (a1) to be within this range, it is possible to optimize the solubility of the acrylic resin having a carboxyl group in an aqueous alkali solution and to form a film having excellent radiation sensitivity.

((a2)화합물)((a2) compound)

(a2)화합물은, 라디칼 중합성을 갖는 에폭시기 함유 불포화 화합물이다. 에폭시기로서는, 옥시라닐기(1,2-에폭시 구조), 옥세타닐기(1,3-에폭시 구조), 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02,6]데실기 등을 들 수 있다.(a2) is an epoxy group-containing unsaturated compound having a radical polymerizing property. Examples of the epoxy group include an oxiranyl group (1,2-epoxy structure), an oxetanyl group (1,3-epoxy structure) and 3,4-epoxy tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl group.

옥시라닐기를 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜, 아크릴산 3,4-에폭시부틸, 메타크릴산 3,4-에폭시부틸, 아크릴산 6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산 6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸, 아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실 등을 들 수 있다. 이들 중, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜, 메타크릴산 6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실, 아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실 및, 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02,6]데실아크릴레이트가, 공중합 반응성 및 절연막 등의 내용매성 등의 향상의 관점에서 바람직하다.Examples of the unsaturated compound having an oxiranyl group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxybutyl methacrylate , 6,7-epoxyheptyl acrylate, 6,7-epoxyhexyl methacrylate,? -Ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p Vinylbenzyl glycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl acrylate, and the like. Of these, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 6,7-epoxyhexyl methacrylate, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p- Vinylbenzyl glycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl acrylate, and 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl acrylate are preferable because of the copolymerization reactivity And solvent resistance of an insulating film and the like.

옥세타닐기를 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 3-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄 등의 아크릴산 에스테르;Examples of the unsaturated compound having an oxetanyl group include 3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 3- Acrylic acid esters such as ethyl oxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyl oxetane and 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane;

3-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2,2-디플루오로옥세탄 등의 메타크릴산 에스테르 등을 들 수 있다.3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane, 3- , 2-difluorooxetane and the like, and the like.

이들 (a2)화합물 중, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄이 바람직하다. 이들 (a2)화합물은, 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 좋다.Among these compounds (a2), glycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate and 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane are preferable. These (a2) compounds may be used alone or in combination of two or more.

(a2)화합물의 사용 비율의 하한값으로서는, (A-1)카복시기를 갖는 아크릴 수지를 형성하는 전체 모노머 합계에 기초하여, 5질량%가 바람직하고, 10질량%가 보다 바람직하다. 한편, 이 상한값으로서는, 60질량%가 바람직하고, 50질량%가 보다 바람직하다. (a2)화합물의 사용 비율을 이러한 범위로 함으로써, 우수한 경화성 등을 갖는 경화막을 형성할 수 있다.The lower limit of the use ratio of the compound (a2) is preferably 5% by mass, more preferably 10% by mass, based on the total monomer forming the acrylic resin having the carboxyl group (A-1). On the other hand, the upper limit is preferably 60% by mass, more preferably 50% by mass. By setting the use ratio of the compound (a2) within this range, a cured film having excellent curability can be formed.

((a3)화합물)((a3) compound)

(a3)화합물로서는, 수산기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르, 페놀성 수산기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르, 하이드록시스티렌 등을 들 수 있다.Examples of the compound (a3) include a (meth) acrylic acid ester having a hydroxyl group, a (meth) acrylic acid ester having a phenolic hydroxyl group, and hydroxystyrene.

수산기를 갖는 아크릴산 에스테르로서는, 아크릴산 2-하이드록시에틸, 아크릴산 3-하이드록시프로필, 아크릴산 4-하이드록시부틸, 아크릴산 5-하이드록시펜틸, 아크릴산 6-하이드록시헥실 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic acid ester having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, and 6-hydroxyhexyl acrylate.

수산기를 갖는 메타크릴산 에스테르로서는, 메타크릴산 2-하이드록시에틸, 메타크릴산 3-하이드록시프로필, 메타크릴산 4-하이드록시부틸, 메타크릴산 5-하이드록시펜틸, 메타크릴산 6-하이드록시헥실 등을 들 수 있다.Examples of the methacrylic acid ester having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl methacrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 6- Hydroxyhexyl and the like.

페놀성 수산기를 갖는 아크릴산 에스테르로서는, 아크릴산 2-하이드록시페닐, 아크릴산 4-하이드록시페닐 등을 들 수 있다. 페놀성 수산기를 갖는 메타크릴산 에스테르로서는, 메타크릴산 2-하이드록시페닐, 메타크릴산 4-하이드록시페닐 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic acid ester having a phenolic hydroxyl group include 2-hydroxyphenyl acrylate and 4-hydroxyphenyl acrylate. Examples of the methacrylic acid ester having a phenolic hydroxyl group include 2-hydroxyphenyl methacrylate, 4-hydroxyphenyl methacrylate and the like.

하이드록시스티렌으로서는, o-하이드록시스티렌, p-하이드록시스티렌, α-메틸-p-하이드록시스티렌 등을 들 수 있다. 이들 (A3)화합물은, 단독으로 이용해도 좋고 2종 이상을 혼합하여 이용해도 좋다.Examples of the hydroxystyrene include o-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, and? -Methyl-p-hydroxystyrene. These (A3) compounds may be used alone or in combination of two or more.

(a3)화합물의 사용 비율의 하한값으로서는, (A-1)카복시기를 갖는 아크릴 수지를 형성하는 전체 모노머의 합계에 기초하여, 1질량%가 바람직하고, 5질량%가 보다 바람직하다. 한편, 이 상한값으로서는, 30질량%가 바람직하고, 25질량%가 보다 바람직하다. (a3)화합물의 사용 비율을 이러한 범위로 함으로써, 알칼리 수용액에 대한 용해성을 최적화하는 것 등을 할 수 있다.The lower limit of the amount of the compound (a3) used is preferably 1% by mass, more preferably 5% by mass based on the total amount of all the monomers forming the acrylic resin having a carboxyl group (A-1). On the other hand, the upper limit is preferably 30% by mass, more preferably 25% by mass. By optimizing the solubility of the compound (a3) in the alkaline aqueous solution, it is possible to optimize the solubility of the compound in the alkali aqueous solution.

((a4)화합물)((a4) compound)

(a4)화합물은, (a1)∼(a3)화합물 이외의 불포화 화합물이면, 특별히 제한되는 것은 아니다. (a4)화합물로서는, 예를 들면 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르, 메타크릴산 환상 알킬에스테르, 아크릴산 쇄상 알킬에스테르, 아크릴산 환상 알킬에스테르, 메타크릴산 아릴에스테르, 아크릴산 아릴에스테르, 불포화 디카본산 디에스테르, 말레이미드 화합물, 불포화 방향족 화합물, 공액 디엔, 테트라하이드로푸란 골격 등을 갖는 불포화 화합물 및, 그 외의 불포화 화합물 등을 들 수 있다.The compound (a4) is not particularly limited as long as it is an unsaturated compound other than the compounds (a1) to (a3). Examples of the compound (a4) include methacrylic acid chain alkyl esters, methacrylic acid cyclic alkyl esters, acrylic acid chain alkyl esters, acrylic acid cyclic alkyl esters, methacrylic acid aryl esters, acrylic acid aryl esters, unsaturated dicarboxylic acid diesters, Unsaturated compounds having a conjugated diene compound, a mid-compound, an unsaturated aromatic compound, a conjugated diene, a tetrahydrofuran skeleton and the like, and other unsaturated compounds.

메타크릴산 쇄상 알킬에스테르로서는, 예를 들면 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 sec-부틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 이소데실, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산 트리데실, 메타크릴산 n-스테아릴 등을 들 수 있다.Examples of the methacrylic acid straight chain alkyl ester include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, Isodecyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, tridecyl methacrylate, n-stearyl methacrylate, and the like.

메타크릴산 환상 알킬에스테르로서는, 예를 들면 메타크릴산 사이클로헥실, 메타크릴산 2-메틸사이클로헥실, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 메타크릴산 이소보닐 등을 들 수 있다.Examples of the methacrylic acid cyclic alkyl esters include cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, methacrylic tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, methacrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxyethyl, isobornyl methacrylate, and the like.

아크릴산 쇄상 알킬에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 sec-부틸, 아크릴산 t-부틸, 아크릴산 2-에틸헥실, 아크릴산 이소데실, 아크릴산 n-라우릴, 아크릴산 트리데실, 아크릴산 n-스테아릴 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic acid chain alkyl ester include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, isodecyl acrylate, Stearyl acrylate, and the like.

아크릴산 환상 알킬에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산 사이클로헥실, 아크릴산 2-메틸사이클로헥실, 아크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 아크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 아크릴산 이소보닐 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic acid cyclic alkyl esters include acrylic acid cyclohexyl, acrylic acid 2-methylcyclohexyl, acrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, acrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] 8-yloxyethyl, isobonyl acrylate, and the like.

메타크릴산 아릴에스테르로서는, 예를 들면 메타크릴산 페닐, 메타크릴산 벤질 등을 들 수 있다.Examples of the methacrylic acid aryl esters include phenyl methacrylate and benzyl methacrylate.

아크릴산 아릴에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산 페닐, 아크릴산 벤질 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic acid aryl esters include phenyl acrylate and benzyl acrylate.

불포화 디카본산 디에스테르로서는, 예를 들면 말레인산 디에틸, 푸마르산 디에틸, 이타콘산 디에틸 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated dicarboxylic acid diester include diethyl maleate, diethyl fumarate and diethyl itaconate.

말레이미드 화합물로서는, 예를 들면 N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-(4-하이드록시페닐)말레이미드, N-(4-하이드록시벤질)말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부틸레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등을 들 수 있다.Examples of the maleimide compound include N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleimide, N- (4-hydroxybenzyl) maleimide Maleimide benzoate, N-succinimidyl-4-maleimide butyrate, N-succinimidyl-6-maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimide Propionate, N- (9-acridinyl) maleimide, and the like.

불포화 방향족 화합물로서는, 예를 들면 스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시스티렌 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated aromatic compound include styrene,? -Methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxystyrene and the like.

공액 디엔으로서는, 예를 들면 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등을 들 수 있다.Examples of the conjugated dienes include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene and the like.

테트라하이드로푸란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 메타크릴산 테트라하이드로푸르푸릴, 2-메타크릴로일옥시-프로피온산 테트라하이드로푸르푸릴에스테르, 3-(메타)아크릴로일옥시테트라하이드로푸란-2-온 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound containing a tetrahydrofuran skeleton include tetrahydrofurfuryl methacrylate, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran- 2-one.

그 외의 불포화 화합물로서는, 예를 들면 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 염화 비닐, 염화 비닐리덴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 아세트산 비닐 등을 들 수 있다.Examples of other unsaturated compounds include acrylonitrile, methacrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, acrylamide, methacrylamide, and vinyl acetate.

이들 (a4)화합물 중, 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르, 메타크릴산 환상 알킬에스테르, 메타크릴산 아릴에스테르, 말레이미드 화합물, 테트라하이드로푸란 골격, 불포화 방향족 화합물, 아크릴산 환상 알킬에스테르가 바람직하다. 이들 중, 특히, 스티렌, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산 벤질, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, p-메톡시스티렌, 아크릴산 2-메틸사이클로헥실, N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드 및 메타크릴산 테트라하이드로푸르푸릴이, 공중합 반응성 및 알칼리 수용액에 대한 용해성의 점에서 바람직하다. 이들 (a4)화합물은, 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 좋다.Among these compounds, methacrylic acid chain alkyl ester, methacrylic acid cyclic alkyl ester, methacrylic acid aryl ester, maleimide compound, tetrahydrofuran skeleton, unsaturated aromatic compound and acrylic acid cyclic alkyl ester are preferable. Among these, styrene, methyl methacrylate, t-butyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, benzyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan- , p-methoxystyrene, 2-methylcyclohexyl acrylate, N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide and tetrahydrofurfuryl methacrylate are preferable in terms of copolymerization reactivity and solubility in an aqueous alkali solution. These (a4) compounds may be used alone or in combination of two or more.

(a4)화합물의 사용 비율로서는, (A-1)카복시기를 갖는 아크릴 수지를 형성하는 전체 모노머의 합계에 기초하여, 10질량% 이상 80질량% 이하가 바람직하다.The use ratio of the compound (a4) is preferably 10% by mass or more and 80% by mass or less based on the total amount of all the monomers forming the acrylic resin having the carboxyl group (A-1).

카복시기를 갖는 아크릴 수지의 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)의 하한값으로서는 1,000이 바람직하고, 3,000이 보다 바람직하다. 한편, 이 상한값으로서는, 15,000이 바람직하고, 10,000이 보다 바람직하다. Mw를 상기 하한값 이상으로 함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물의 성막성을 개선할 수 있다. 한편, Mw를 상기 상한값 이하로 함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물의 현상성의 저하를 방지할 수 있다.The lower limit value of the polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin having a carboxy group is preferably 1,000, more preferably 3,000. On the other hand, the upper limit value is preferably 15,000, more preferably 10,000. By setting Mw to the lower limit value or more, the film forming property of the radiation sensitive resin composition can be improved. On the other hand, lowering the Mw below the upper limit value can prevent deterioration of the developability of the radiation sensitive resin composition.

((A-2)폴리이미드 또는 폴리이미드 전구체)((A-2) polyimide or polyimide precursor)

(A-2)폴리이미드 또는 폴리이미드 전구체로서는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산(폴리암산) 또는 폴리아미드산 에스테르이다. 폴리이미드 전구체로서는, 하기식(M-1)로 나타나는 구조 단위를 주(主) 구조로 하는 폴리머를 들 수 있다. 식(M-1)로 나타나는 구조 단위를 주 구조로 하는 폴리머는, 가열 혹은 적당한 촉매에 의해, 이미드환, 옥사졸환, 그 외의 환상 구조 등을 갖는 폴리머로 될 수 있는 것이다. 환상 구조로 됨으로써, 내열성, 내용매성이 비약적으로 향상된다. 여기서, 주 구조란, 그의 구조 단위가 전체 구조 단위의 50몰% 이상 갖는 것을 의미한다. 식(M-1)로 나타나는 구조 단위는, 70몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 90몰% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하다.(A-2) The polyimide or polyimide precursor is not particularly limited, but is preferably polyamide acid (polyamic acid) or polyamide acid ester which is a polyimide precursor. As the polyimide precursor, there can be mentioned a polymer having a structural unit represented by the following formula (M-1) as a main structure. The polymer having the main structural unit represented by the formula (M-1) can be a polymer having an imide ring, an oxazole ring or other cyclic structure by heating or a suitable catalyst. By having a cyclic structure, heat resistance and solvent resistance are remarkably improved. Here, the main structure means that the structural unit thereof has 50 mol% or more of the total structural units. The structural unit represented by the formula (M-1) is preferably contained in an amount of 70 mol% or more, more preferably 90 mol% or more.

Figure pat00002
Figure pat00002

식(M-1) 중, R1c는 탄소수 2 이상의 (2+p+m)가의 유기기를 나타낸다. 이 유기기로서는, 치환 또는 비치환의 탄화수소기 등을 들 수 있다. R1c는, 다가 카본산에 유래하는 구조이다. 다가 카본산으로서는, 테레프탈산, 이소프탈산, 디페닐에테르디카본산, 나프탈렌디카본산, 비스(카복시페닐)프로판 등의 방향족 디카본산, 사이클로헥산디카본산, 아디프산 등의 지방족 디카본산, 트리멜리트산, 트리메스산 등의 트리카본산, 피로멜리트산, 벤조페논테트라카본산, 비페닐테트라카본산, 디페닐에테르테트라카본산, 디페닐술폰테트라카본산, 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카본산-1,4-페닐렌에스테르 등의 방향족 테트라카본산, 부탄테트라카본산, 사이클로펜탄테트라카본산(2,3,5-트리카복시사이클로펜틸아세트산 등) 등의 지방족 테트라카본산, 이들 카복시기의 수소 원자를 메틸기나 에틸기로 치환한 에스테르 화합물이나 산 무수물 등을 들 수 있다. 또한, 하이드록시프탈산, 하이드록시트리멜리트산 등의 수산기를 갖는 산도 들 수 있다. 이들 산을 2종 이상 이용할 수도 있다. 알칼리 현상액에 대한 용해성이나 감광성의 점에서, 상기 구조 단위는 수산기를 갖는 산의 잔기를 50몰% 이상 포함하는 것이 바람직하다. R1c는, 내열성의 점에서 방향족환을 갖는 것이 바람직하고, 탄소수 6∼30의 3가 또는 4가의 유기기가 바람직하다.In the formula (M-1), R 1c represents a (2 + p + m) organic group having 2 or more carbon atoms. Examples of the organic group include a substituted or unsubstituted hydrocarbon group and the like. R 1c is a structure derived from a polyvalent carboxylic acid. Examples of the polyvalent carboxylic acid include aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, diphenyl ether dicarboxylic acid, naphthalenedicarboxylic acid and bis (carboxyphenyl) propane, aliphatic dicarboxylic acids such as cyclohexanedicarboxylic acid and adipic acid, Trimellitic acid, trimellitic acid, trimellitic acid, trimellitic acid, trimellitic acid, and trimesic acid; pyromellitic acid, benzophenonetetracarboxylic acid, biphenyltetracarboxylic acid, diphenylether tetracarboxylic acid, diphenylsulfone tetracarboxylic acid, Aromatic tetracarboxylic acids such as dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4-phenylene ester, butane tetracarboxylic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid (2,3,5-tricarboxycyclopentyl acetic acid, etc.) Aliphatic tetracarboxylic acids, ester compounds in which the hydrogen atoms of these carboxy groups are substituted with methyl groups or ethyl groups, and acid anhydrides. In addition, acid such as hydroxyphthalic acid and hydroxy trimellitic acid having a hydroxyl group can be used. Two or more of these acids may be used. From the viewpoint of solubility and photosensitivity to an alkali developing solution, it is preferable that the above structural unit contains a residue of an acid having a hydroxyl group in an amount of 50 mol% or more. R 1c preferably has an aromatic ring in view of heat resistance and is preferably a trivalent or tetravalent organic group having 6 to 30 carbon atoms.

식(M-1) 중, R2c는 탄소수 2 이상의 (2+q+r)가의 유기기를 나타낸다. 이 유기기로서는, 치환 또는 비치환의 탄화수소기나, 치환 또는 비치환의 탄화수소기가 산소 원자로 연결된 기(에테르기) 등을 들 수 있다. R2c는, 디아민에 유래하는 구조이다. R2c는, 내열성의 점에서 방향족환을 갖는 것이 바람직하다. 디아민으로서는, 페닐렌디아민, 디아미노디페닐에테르, 아미노페녹시벤젠, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐술폰, 비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 비스(아미노페녹시페닐)프로판, 비스(아미노페녹시페닐)술폰, 비스(아미노-하이드록시-페닐)헥사플루오로프로판, 디아미노디하이드록시피리미딘, 디아미노디하이드록시피리딘, 하이드록시-디아미노-피리미딘, 디아미노페놀, 디하이드록시벤지딘, 디아미노벤조산, 디아미노테레프탈산, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 이들 방향족환의 수소를 알킬기나 할로겐 원자로 치환한 화합물이나, 지방족의 사이클로헥실디아민, 메틸렌비스사이클로헥실아민, 헥사메틸렌디아민 등을 들 수 있다.In the formula (M-1), R 2c represents a (2 + q + r) organic group having 2 or more carbon atoms. Examples of the organic group include a substituted or unsubstituted hydrocarbon group or a group in which a substituted or unsubstituted hydrocarbon group is bonded by an oxygen atom (ether group). R 2c is a structure derived from a diamine. It is preferable that R 2c has an aromatic ring in view of heat resistance. Examples of the diamine include phenylenediamine, diaminodiphenyl ether, aminophenoxybenzene, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, bis (trifluoromethyl) benzidine, bis (aminophenoxyphenyl) Aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (amino-hydroxy-phenyl) hexafluoropropane, diaminodihydroxypyrimidine, diaminodihydroxypyridine, hydroxy-diamino-pyrimidine, diaminophenol, di (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, compounds obtained by substituting the hydrogen of these aromatic rings with an alkyl group or a halogen atom, aliphatic Cyclohexyldiamine, methylenebiscyclohexylamine, hexamethylenediamine, and the like.

식(M-1) 중, R3c 및 R4c는, 각각 독립적으로, 수소 또는 탄소수 1∼20의 1가의 유기기이다. 이 유기기로서는, 치환 또는 비치환의 지방족 또는 방향족 탄화수소기 등을 들 수 있다. 알칼리 현상액에 대한 용해성과, 얻어지는 감방사선성 수지 조성물의 용액 안정성의 점에서, R3c 및 R4c의 각각 10몰% 이상 90몰% 이하가 수소인 것이 바람직하다. 또한, R3c 및 R4c가, 각각 탄소수 1∼16의 1가의 탄화수소기를 적어도 1개 이상 함유하고, 그 외는 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.In the formula (M-1), R 3c and R 4c each independently represent hydrogen or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. Examples of the organic group include a substituted or unsubstituted aliphatic or aromatic hydrocarbon group. From the viewpoints of solubility in an alkali developing solution and solution stability of the resulting radiation-sensitive resin composition, it is preferable that 10 mol% or more and 90 mol% or less of R 3c and R 4c are hydrogen. It is more preferable that R 3c and R 4c each contain at least one monovalent hydrocarbon group of 1 to 16 carbon atoms, and the others are hydrogen atoms.

식(M-1) 중, p 및 q는, 각각 독립적으로, 0∼4의 정수이고, p+q>0이 바람직하다. 또한, m 및 r은, 각각 독립적으로, 0∼2의 정수이고, 1 및 2가 바람직하다. n2는, 10 이상 100000 이하이다. n2가 10 미만이면, 폴리머의 알칼리 현상액으로의 용해성이 너무 커져서, 노광부와 비노광부의 콘트라스트가 얻어지지 않아, 소망하는 패턴을 형성할 수 없는 경우가 있다. 한편, n2가 100000보다 크면, 폴리머의 알칼리 현상액으로의 용해성이 너무 작아져서, 노광부가 용해하지 않아, 소망하는 패턴을 형성할 수 없는 경우가 있다. 폴리머의 알칼리 현상액으로의 용해성 등의 점에서, n2의 상한으로서는 1000이 바람직하고, 100이 보다 바람직하다. 또한, 용해성이나 신도 향상 등의 점에서, n2의 하한으로서는 20이 바람직하다.In the formula (M-1), p and q are each independently an integer of 0 to 4, and p + q> 0 is preferable. M and r are each independently an integer of 0 to 2, and 1 and 2 are preferable. n 2 is 10 or more and 100000 or less. If n 2 is less than 10, the solubility of the polymer in an alkali developing solution becomes too high, and the contrast between the exposed portion and the non-exposed portion can not be obtained, and a desired pattern can not be formed. On the other hand, if n 2 is larger than 100000, the solubility of the polymer in an alkali developing solution becomes too small, and the exposed portion is not dissolved and a desired pattern can not be formed. From the viewpoint of solubility of the polymer in an alkali developing solution and the like, the upper limit of n 2 is preferably 1000, more preferably 100. From the viewpoint of solubility and elongation improvement, the lower limit of n 2 is preferably 20.

((A-3)폴리실록산)((A-3) polysiloxane)

(A-3)폴리실록산은, 실록산 결합을 갖는 중합체이면 특별히 제한되지 않지만, 가수 분해성 실란 화합물의 가수 분해 축합물이 바람직하다.(A-3) The polysiloxane is not particularly limited as long as it is a polymer having a siloxane bond, but a hydrolysis-condensation product of a hydrolyzable silane compound is preferable.

「가수 분해성 실란 화합물」이란, 통상, 무촉매 또한 과잉의 물의 공존하, 실온(약 25℃) 이상 100℃ 이하의 온도 범위 내에서 가열함으로써, 가수 분해하여 실라놀기 또는 실록산 축합물을 생성하는 가수 분해기를 갖는 화합물을 말한다. 또한, 당해 감방사선성 수지 조성물 중에 있어서, 일부 가수 분해성 실란 화합물은, 그의 분자 중의 일부 또는 전부의 가수 분해성기가 미가수 분해의 상태로, 또한 다른 가수 분해성 실란 화합물과 축합하지 않고 단량체의 상태로 남아 있어도 좋다.The term "hydrolyzable silane compound" generally refers to a silane compound that hydrolyzes to produce a silanol group or a siloxane condensate by heating in a temperature range of room temperature (about 25 ° C.) to 100 ° C. in the presence of an excess of water, Refers to a compound having a decomposer. Further, in the radiation-sensitive resin composition, the hydrolyzable group of some or all of the molecules of the partially hydrolyzable silane compound remains in the form of an unmolyzed hydrolysis and condensation with other hydrolyzable silane compounds, There may be.

「가수 분해 축합물」은, 가수 분해된 실란 화합물의 일부 실라놀기끼리가 축합한 가수 분해 축합물을 의미한다.The term "hydrolysis-condensation product" means a hydrolysis-condensation product in which some silanol groups of the hydrolyzed silane compound are condensed.

가수 분해성 실란 화합물로서는, 하기식(S-1)로 나타나는 화합물(이하, 「(S1)화합물」이라고도 함)을 들 수 있다.As the hydrolyzable silane compound, there may be mentioned a compound represented by the following formula (S-1) (hereinafter also referred to as "(S1) compound").

Figure pat00003
Figure pat00003

식(S-1) 중, R1d는, 탄소수 1∼6의 알킬기이다. R2d는, 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 불화 알킬기, 페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 에폭시기, 3,4-사이클로에폭시기, 옥세타닐기, 아미노기 또는 이소시아네이트기이다. q1은 0∼20의 정수이다. n3은 0∼3의 정수이다. 단, R1d 및 R2d가 복수로 되는 경우, 복수의 R1d 및 R2d는 각각 독립적으로 상기 정의를 충족시킨다.In the formula (S-1), R 1d is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 2d is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a fluorinated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, a tolyl group, a naphthyl group, an epoxy group, a 3,4- q 1 is an integer of 0 to 20; n 3 is an integer of 0 to 3; Provided that when R 1d and R 2d are plural, plural R 1d and R 2d each independently satisfy the above definition.

상기 R1d로 나타나는 탄소수 1∼6의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, 부틸기 등을 들 수 있다. 이들 중, 가수 분해의 용이성의 관점에서, 메틸기 및 에틸기가 바람직하다.Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 1d include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, and a butyl group. Of these, methyl and ethyl are preferable from the viewpoint of ease of hydrolysis.

상기 R2d로 나타나는 탄소수 1∼20의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 3-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 1-메틸부틸기, 2,2-디메틸프로필기, n-헥실기, 4-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 1∼20의 알킬기의 탄소수로서는, 1∼10이 바람직하고, 1∼3이 보다 바람직하다.Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 2d include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, a sec- Methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 2,2-dimethylpropyl group, n-hexyl group, 4-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, . The number of carbon atoms of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 3.

탄소수 1∼20의 불화 알킬기로서는, 트리플루오로메틸기, 테트라플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기 등을 들 수 있다.Examples of the fluorinated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include a trifluoromethyl group, a tetrafluoroethyl group, and a heptafluoropropyl group.

n3이 1인 (S-1)화합물은, 1개의 비가수 분해성기와 3개의 가수 분해성기를 갖는 실란 화합물이다. 이 실란 화합물로서는, 예를 들면 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리-i-프로폭시실란, 메틸트리부톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리-i-프로폭시실란, 에틸트리부톡시실란, 부틸트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 톨릴트리메톡시실란, 나프틸트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 나프틸트리에톡시실란, 아미노트리메톡시실란, 아미노트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-이소시아노프로필트리메톡시실란, 3-이소시아노프로필트리에톡시실란 o-톨릴트리메톡시실란, m-톨릴트리메톡시실란, p-톨릴트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 2-메타크릴옥시에틸트리메톡시실란, 2-메타크릴옥시에틸트리에톡시실란, 2-메타크릴옥시에틸트리프로폭시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리프로폭시실란, 2-아크릴옥시에틸트리메톡시실란, 2-아크릴옥시에틸트리에톡시실란, 2-아크릴옥시에틸트리프로폭시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리프로폭시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리프로폭시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리에톡시실란, 트리플루오로부틸트리메톡시실란, 3-(트리메톡시실릴)프로필 무수 숙신산 등의 트리알콕시실란 화합물 등을 들 수 있다.The compound (S-1) wherein n 3 is 1 is a silane compound having one non-hydrolyzable group and three hydrolyzable groups. Examples of the silane compound include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-i-propoxysilane, methyltributoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltriethoxysilane, but are not limited to, i-propoxysilane, ethyltributoxysilane, butyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, tolyltrimethoxysilane, naphtyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, naphthyltriethoxysilane, 3-isocyanopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltrimethoxysilane, 3- -Isocyanopropyltriethoxysilane o-tolyltrimethoxysilane, m-tolyltrimethoxysilane, p-tolyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 2-methacryloxyethyltri Methoxysilane, 2-methacryloxyethyltriethoxysilane, 2-methacryloxy 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltripropoxysilane, 2-acryloxyethyltrimethoxysilane, 2-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, - methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltripropoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, trifluoropropyltriethoxysilane, And trialkoxysilane compounds such as trifluoro butyltrimethoxysilane and 3- (trimethoxysilyl) propylsuccinic anhydride.

n3이 2인 (S-1)화합물은, 2개의 비가수 분해성기와 2개의 가수 분해성기를 갖는 실란 화합물이다. 이 실란 화합물로서는, 예를 들면 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필메틸디메톡시실란 등을 들 수 있다.The compound (S-1) wherein n 3 is 2 is a silane compound having two non-hydrolyzable groups and two hydrolyzable groups. Examples of the silane compound include 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldimethoxysilane,? -Aminopropylmethyldimethoxysilane,? -Isocyanatepropylmethyldimethoxysilane, and the like. .

n3이 3인 (S-1)화합물은, 3개의 비가수 분해성기와 1개의 가수 분해성기를 갖는 실란 화합물이다. 이 실란 화합물로서는, 예를 들면 3-메타크릴옥시프로필디메틸메톡시실란, γ-글리시독시프로필디메틸메톡시실란, γ-아미노프로필디메틸메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필디메틸메톡시실란 등을 들 수 있다.The compound (S-1) wherein n 3 is 3 is a silane compound having three non-hydrolyzable groups and one hydrolyzable group. Examples of the silane compound include 3-methacryloxypropyldimethylmethoxysilane,? -Glycidoxypropyldimethylmethoxysilane,? -Aminopropyldimethylmethoxysilane,? -Isocyanatepropyldimethylmethoxysilane, and the like. .

n3이 0인 (S-1)화합물은, 4개의 가수 분해성기를 갖는 실란 화합물이다. 이 실란 화합물로서는, 예를 들면 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라부톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-i-프로폭시실란 등을 들 수 있다.The (S-1) compound wherein n 3 is 0 is a silane compound having four hydrolysable groups. Examples of the silane compound include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrabutoxysilane, tetra-n-propoxysilane and tetra-i-propoxysilane.

(폴리실록산의 합성(가수 분해 축합))(Synthesis of polysiloxane (hydrolysis and condensation))

폴리실록산은, 통상, 과잉의 물의 공존하, 필요에 따라서 용매나 촉매의 공존하, 실온(약 25℃) 이상 100℃ 이하의 온도 범위 내에서 가열하여, 가수 분해성 실란 화합물의 가수 분해에 의해 얻어지는 실라놀기를 축합함으로써 합성할 수 있다.The polysiloxane is usually heated in the temperature range of room temperature (about 25 ° C) to 100 ° C under the coexistence of a solvent and a catalyst as necessary in the coexistence of excess water, and a silane obtained by hydrolysis of the hydrolyzable silane compound It can be synthesized by condensing the play.

가수 분해 축합 반응을 위한 용매로서는, 예를 들면 알코올류, 에테르류, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 그 외의 에스테르류 등을 들 수 있다. 이들 용매는, 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 병용해도 좋다. 가수 분해 축합 반응을 위한 촉매로서는, 산 촉매, 염기 촉매, 알콕사이드가 바람직하다.Examples of the solvent for the hydrolysis and condensation reaction include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl Ether propionate, aromatic hydrocarbons, ketones, and other esters. These solvents may be used alone or in combination of two or more. As the catalyst for the hydrolysis and condensation reaction, an acid catalyst, a base catalyst and an alkoxide are preferable.

가수 분해 축합물 등의 폴리실록산의 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)의 하한값으로서는, 500이 바람직하고, 1,000이 보다 바람직하다. 한편, 이 상한값으로서는, 15,000이 바람직하고, 10,000이 보다 바람직하다. 폴리실록산의 Mw를 상기 하한값 이상으로 함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물의 성막성을 개선할 수 있다. 한편, 폴리실록산의 Mw를 상기 상한값 이하로 함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물의 현상성의 저하를 방지할 수 있다.The lower limit of the polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polysiloxane such as hydrolysis condensate is preferably 500, more preferably 1,000. On the other hand, the upper limit value is preferably 15,000, more preferably 10,000. By setting the Mw of the polysiloxane to the lower limit value or more, the film-forming property of the radiation-sensitive resin composition can be improved. On the other hand, by lowering the Mw of the polysiloxane to the upper limit value or less, deterioration of the developability of the radiation sensitive resin composition can be prevented.

((A-4)방향족 폴리에테르)((A-4) aromatic polyether)

(A-4)방향족 폴리에테르는, 방향환이 에테르 결합(산소 원자)으로 연결된 구조를 갖는 폴리머를 말한다. 방향족 폴리에테르로서는, 하기식(T-1)로 나타나는 구조 단위, 하기식(T-2)로 나타나는 구조 단위 또는 이들의 조합을 갖는 것이 바람직하다.(A-4) An aromatic polyether refers to a polymer having a structure in which an aromatic ring is linked by an ether bond (oxygen atom). The aromatic polyether preferably has a structural unit represented by the following formula (T-1), a structural unit represented by the following formula (T-2), or a combination thereof.

Figure pat00004
Figure pat00004

식(T-1) 중, R1e∼R4e는, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼12의 1가의 유기기이다. a∼d는, 각각 독립적으로, 0∼4의 정수이다.In the formula (T-1), R 1e to R 4e each independently represent a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms. a to d are each independently an integer of 0 to 4;

Figure pat00005
Figure pat00005

식(T-2) 중, R1e∼R4e 및 a∼d의 정의는, 상기식(T-1)의 것과 동일하다. Y는, 단결합, -SO2- 또는 -C(=O)-이다. R5e 및 R6e는, 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 탄소수 1∼12의 1가의 유기기 또는 니트로기이다. e 및 f는, 각각 독립적으로, 0∼4의 정수이다. m1은, 0 또는 1이다. 단, m1이 0일 때, R6e는 시아노기가 아니다.In the formula (T-2), the definitions of R 1e to R 4e and a to d are the same as those of the formula (T-1). Y is a single bond, -SO 2 - or -C (= O) -. R 5e and R 6e are each independently a halogen atom, a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms or a nitro group. e and f are each independently an integer of 0 to 4; m1 is 0 or 1; However, m1 is when 0, R 6e is not a cyano group.

식(T-1) 및 (T-2) 중의 R1e∼R4e로 나타나는 탄소수 1∼12의 1가의 유기기로서는, 지방족 또는 방향족의 탄화수소기, 알콕시기, 카복시기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 1e to R 4e in the formulas (T-1) and (T-2) include aliphatic or aromatic hydrocarbon groups, alkoxy groups and carboxy groups.

(A-4)방향족 폴리에테르로서는, 하기식(T-3)으로 나타나는 구조 단위, 하기식(T-4)로 나타나는 구조 단위 또는 이들의 조합을 갖는 것도 바람직하다.As the aromatic polyether (A-4), it is also preferable to have a structural unit represented by the following formula (T-3), a structural unit represented by the following formula (T-4)

Figure pat00006
Figure pat00006

상기식(T-3) 중, R7e 및 R8e는, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼12의 1가의 유기기이다. Z는, 단결합, -O-, -S-, -SO2-, >C=O, -CONH-, -COO-, 탄소수 1∼12의 2가의 탄화수소기, 또는 탄소수 1∼12의 2가의 탄화수소기의 수소 원자 중 적어도 일부가 카복시기, 수산기, 술포기 및 불소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 치환된 기이다. g 및 h는, 각각 독립적으로, 0∼4의 정수이다. n은, 0 또는 1이다.In the formula (T-3), R 7e and R 8e each independently represent a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms. Z represents a single bond, -O-, -S-, -SO 2 -,> C═O, -CONH-, -COO-, a divalent hydrocarbon group of 1 to 12 carbon atoms, or a divalent At least a part of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group is a group substituted with at least one member selected from the group consisting of a carboxy group, a hydroxyl group, a sulfo group and a fluorine atom. g and h are each independently an integer of 0 to 4; n is 0 or 1;

R7e 및 R8e로 나타나는 탄소수 1∼12의 1가의 유기기로서는, 지방족 또는 방향족의 탄화수소기, 알콕시기, 카복시기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 7e and R 8e include an aliphatic or aromatic hydrocarbon group, an alkoxy group and a carboxy group.

Z로 나타나는 탄소수 1∼12의 2가의 탄화수소기로서는, 메탄디일기, 에탄-1,1-디일기, 프로판-2,2-디일기, n-펜탄-2,2-디일기, n-헥산-2,2-디일기 등의 알칸디일기, 알켄디일기, 아렌디일기 등을 들 수 있다.Examples of the divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms represented by Z include a methane di- yl group, an ethane-1,1-diyl group, a propane-2,2-diyl group, And an alkanediyl group such as a 2,2-diyl group, an alkenediyl group, an areenediyl group, and the like.

Figure pat00007
Figure pat00007

상기식(T-4) 중, R5e, R6e, Y, m1, e 및 f는, 각각 독립적으로, 상기식(T-2) 중의 R5e, R6e, Y, m1, e 및 f와 동일한 의미이다. R7e, R8e, Z, n, g 및 h는, 각각 독립적으로, 상기식(T-3) 중의 R7e, R8e, Z, n, g 및 h와 동일한 의미이다.The formula (T-4) of, R 5e, R 6e, Y, m1, e and f, R 5e, R 6e, Y, m1, e and f in each independently, the above formula (T-2) and The same meaning. R 7e, R 8e, Z, n, g and h are, each independently, the same as defined the above formula (T-3) in the R 7e, R 8e, Z, n, g and h.

방향족 폴리에테르의 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)의 하한값으로서는, 3,000이 바람직하고, 5,000이 보다 바람직하다. 한편, 이 상한값으로서는, 20,000이 바람직하고, 15,000이 보다 바람직하다. Mw를 상기 하한값 이상으로 함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물의 성막성을 개선할 수 있다. 한편, Mw를 상기 상한값 이하로 함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물의 현상성의 저하를 방지할 수 있다.The lower limit of the polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the aromatic polyether is preferably 3,000, more preferably 5,000. On the other hand, the upper limit value is preferably 20,000, more preferably 15,000. By setting Mw to the lower limit value or more, the film forming property of the radiation sensitive resin composition can be improved. On the other hand, lowering the Mw below the upper limit value can prevent deterioration of the developability of the radiation sensitive resin composition.

<[B]산 발생체><[B] acid generator>

[B]산 발생체는, 방사선의 조사에 의해서 산을 발생하는 화합물이다. 여기서, 방사선으로서는, 예를 들면 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선(하전 입자선), X선 등을 사용할 수 있다. [B]산 발생체로서는, 방사선의 조사에 의해서 산(예를 들면 카본산, 술폰산 등)을 발생시키는 것인 한, 특별히 한정되지 않는다. [B]산 발생체의 형태로서는, 후술하는 바와 같은 화합물인 산 발생제의 형태라도 좋고, 중합체의 일부로서 조합된 광 산 발생기의 형태라도 좋고, 이들 양쪽의 형태라도 좋다.[B] The acid generator is a compound which generates an acid upon irradiation with radiation. As the radiation, visible rays, ultraviolet rays, deep ultraviolet rays, electron rays (charged particle rays), X rays and the like can be used. The acid generator [B] is not particularly limited as long as it generates an acid (for example, carbonic acid, sulfonic acid, etc.) upon irradiation with radiation. The acid generator [B] may be in the form of an acid generator, which will be described later, or may be in the form of a photo acid generator combined as a part of the polymer, or both of them.

감방사선성 산 발생체로서는, 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, N-술포닐옥시이미드(술폰이미드 화합물), 할로겐 함유 화합물, 디아조메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물, 카본산 에스테르 화합물, 퀴논디아지드 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 옥심술포네이트 화합물 및 N-술포닐옥시이미드가 바람직하고, 옥심술포네이트 화합물이 더욱 바람직하다.Examples of the radiation-sensitive acid generator include oxime sulfonate compounds, onium salts, N-sulfonyloxyimide (sulfonimide compounds), halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, , Quinone diazide compounds, and the like. Among them, an oxime sulfonate compound and N-sulfonyloxyimide are preferable, and an oxime sulfonate compound is more preferable.

(옥심술포네이트 화합물)(Oxime sulfonate compound)

상기 옥심술포네이트 화합물로서는, 하기식(5) 또는 하기식(6)으로 나타나는 기를 포함하는 화합물이 바람직하다.As the oxime sulfonate compound, a compound containing a group represented by the following formula (5) or (6) is preferable.

Figure pat00008
Figure pat00008

Figure pat00009
Figure pat00009

(식(5) 및 식(6) 중, R14 또는 R15는, 각각, 알킬기, 지환식 탄화수소기, 아릴기 또는 이들 기가 갖는 수소 원자의 적어도 일부가 치환기로 치환된 기를 나타내고, *는, 결합하는 부위를 나타냄)(In the formulas (5) and (6), R 14 or R 15 each represent an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aryl group or a group in which at least a part of the hydrogen atoms of these groups are substituted with a substituent, Lt; / RTI &gt;

상기식(5) 및 식(6)에 있어서, R14 또는 R15로 나타나는 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-헥실기, n-옥틸기 등의 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 들 수 있다. R14 또는 R15로 나타나는 지환식 탄화수소기로서는, 사이클로프로필기, 사이클로헥실기 등의 단환 또는 다환의 탄소수 3∼20의 지환식 탄화수소기를 들 수 있다. R14 또는 R15로 나타나는 아릴기로서는, 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등의 탄소수 6∼20의 아릴기를 들 수 있다. 이들 알킬기, 지환식 탄화수소기, 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 지환식기(7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 유교(有橋)식 지환식기를 포함하는, 바람직하게는 바이사이클로알킬기 등) 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group represented by R 14 or R 15 in the formulas (5) and (6) include a methyl group, an ethyl group, a n-propyl group, an i- Or a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Examples of the alicyclic hydrocarbon group represented by R 14 or R 15 include a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms such as cyclopropyl group and cyclohexyl group. Examples of the aryl group represented by R 14 or R 15 include an aryl group having 6 to 20 carbon atoms such as a phenyl group, a tolyl group and a naphthyl group. Examples of the substituent which the alkyl group, alicyclic hydrocarbon group or aryl group may have include a halogen atom, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, an alicyclic group (such as a bridged group such as a 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl group, Preferably a bicycloalkyl group including an alicyclic group), and the like.

상기식(5)로 나타나는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물로서는, 예를 들면 하기식(3-ⅰ)∼(3-ⅴ)로 각각 나타나는 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the oxime sulfonate group-containing compound represented by the above formula (5) include compounds represented by the following formulas (3-i) to (3-v), respectively.

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 화합물(3-i)[(5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴], 화합물(3-ⅱ)[(5H-옥틸술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴], 화합물(3-ⅲ)[(캠퍼술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴], 화합물(3-ⅳ)[(5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴] 및, 화합물(3-v)[2-(옥틸술포닐옥시이미노)-2-(4-메톡시페닐)아세토니트릴]은, 시판품으로서 입수할 수 있다.(3-i) [(5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2- methylphenyl) acetonitrile] (3-iii) [(camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile] -Methylphenyl) acetonitrile], compound (3-iv) [(5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) v) [2- (octylsulfonyloxyimino) -2- (4-methoxyphenyl) acetonitrile] is commercially available.

상기식(5)로 나타나는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물로서는, N-술포닐옥시이미드(술폰이미드 화합물)를 들 수 있다.Examples of the compound containing an oxime sulfonate group represented by the above formula (5) include N-sulfonyloxyimide (sulfonimide compound).

이러한 N-술포닐옥시이미드(술폰이미드 화합물)로서는, 예를 들면 N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-플루오로페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)디페닐말레이미드, 트리플루오로메탄술폰산-1,8-나프탈이미드 등을 들 수 있다.Examples of the N-sulfonyloxyimide (sulfonimide compound) include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (4- N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-fluorophenylsulfonyloxy) phthalimide, N- Amide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (camphorsulfonyloxy) diphenylmaleimide, trifluoromethanesulfonic acid-1,8-naphthalimide and the like .

감방사선성 산 발생체는, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 당해 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 감방사선성 산 발생체의 함유량의 하한값으로서는, [A]중합체 100질량부에 대하여, 0.1질량부가 바람직하고, 1질량부가 보다 바람직하다. 한편, 이 상한값으로서는, 10질량부가 바람직하고, 5질량부가 보다 바람직하다. 감방사선성 산 발생체의 함유량이 상기 범위에 있으면, 방사선 감도를 최적화할 수 있고, 또한, 얻어지는 경화막의 투명성 등도 적합한 것으로 된다.The radiation-sensitive acid generators may be used singly or in combination of two or more. The lower limit of the content of the radiation-sensitive acid generator in the radiation sensitive resin composition is preferably 0.1 part by mass, more preferably 1 part by mass, per 100 parts by mass of the polymer [A]. On the other hand, the upper limit is preferably 10 parts by mass, more preferably 5 parts by mass. When the content of the radiation sensitive acid generator is within the above range, the radiation sensitivity can be optimized, and the transparency of the resulting cured film becomes suitable.

<[C]화합물>&Lt; Compound [C] >

[C]화합물은, 하기식(1)로 나타나는 기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이다. 예를 들면, 식(1)의 Z가 황 원자인 경우, 하기 도에 나타내는 바와 같이, 아세탈화로 카복실기가 아세탈기로 보호된 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 1분자 중에 복수개 티올기를 갖는 화합물과의 엔티올 반응에 의해서 얻어지는 기이고, 이러한 기를 1분자 중에 2 이상 포함하는 화합물이 [C]화합물로 된다((C-1)화합물의 합성예). 이러한 화합물은 황 원자를 1분자 중에 복수개 포함하기 때문에, 얻어지는 경화막의 굴절률을 향상시킬 수 있고, 막의 황변화를 막을 수 있는 점에서 투과율의 향상도 가능하게 한다.The [C] compound is a compound having two or more groups represented by the following formula (1) in one molecule. For example, in the case where Z in the formula (1) is a sulfur atom, as shown in the following diagrams, an acetylation reaction of a compound having an unsaturated double bond in which a carboxyl group is protected with an acetal group and a compound having a plurality of thiol groups in a molecule , And a compound containing two or more of these groups in one molecule is a [C] compound (a synthesis example of a compound (C-1)). Since such a compound contains a plurality of sulfur atoms in one molecule, the refractive index of the resulting cured film can be improved, and the transmittance can be improved in that the sulfur change of the film can be prevented.

또한, 예를 들면, 식(1)의 Z가 질소 원자인 경우, 1분자 중에 복수의 질소 원자와 카복실기를 갖는 화합물을 아세탈화함으로써, [C]화합물을 얻을 수 있다.For example, when Z in the formula (1) is a nitrogen atom, the compound [C] can be obtained by acetalizing a compound having a plurality of nitrogen atoms and a carboxyl group in one molecule.

Figure pat00011
Figure pat00011

Figure pat00012
Figure pat00012

식(1) 중, Z는 황 원자 또는 질소 원자를 나타내고, X는 탄소수 2 이상의 2가의 탄화수소기를 나타내고, Y는 산 해리성기 또는 산 해리성기를 갖는 유기기를 나타낸다. *는 결합 위치를 나타낸다. 이들 화합물은 단독으로, 또는 서로 조합하여 사용할 수 있다.In the formula (1), Z represents a sulfur atom or a nitrogen atom, X represents a divalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms, and Y represents an organic group having an acid dissociable group or an acid dissociable group. * Indicates the binding position. These compounds may be used alone or in combination with each other.

산 해리성기 또는 산 해리성기를 갖는 유기기에 있어서의 산 해리성기란, 카복시기나 페놀성 수산기 등의 수소 원자를 치환하고, 산의 작용에 의해 해리할 수 있는 기를 말한다. 유기기란, 적어도 1개의 탄소 원자를 포함하는 기를 말한다. Y로 나타나는 산 해리성기에 있어서는, 산 해리성기의 해리에 의해, 카복시기나 페놀성 수산기 등이 발생한다.The acid dissociable group in the organic group having an acid dissociable group or an acid dissociable group means a group capable of substituting a hydrogen atom such as a carboxy group or a phenolic hydroxyl group and dissociating by the action of an acid. An organic group refers to a group containing at least one carbon atom. In the acid dissociable group represented by Y, a carboxy group and phenolic hydroxyl group are generated by dissociation of the acid dissociable group.

Y로 나타나는 산 해리성기로서는, 하기식(2), 하기식(3) 및 하기식(4)로 나타나는 기를 들 수 있다. Y로 나타나는 유기기가 이러한 구조의 산 해리성기를 포함하는 경우, 가열에 의해서도 이 산 해리성기가 해리될 수 있다. 따라서, 이러한 기를 포함하는 [C]화합물은, 감방사선성 수지 조성물로 형성된 도포막의 노광 공정 후의 현상 공정에 있어서의 패턴 형성을 촉진하는 화합물로 된다.Examples of the acid dissociable group represented by Y include groups represented by the following formulas (2), (3) and (4). When the organic group represented by Y includes an acid dissociable group having such a structure, the acid dissociable group may be dissociated by heating. Accordingly, the [C] compound containing such a group promotes the pattern formation in the developing step of the coated film formed from the radiation-sensitive resin composition after the exposure step.

Figure pat00013
Figure pat00013

Figure pat00014
Figure pat00014

Figure pat00015
Figure pat00015

식(2) 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 30의 탄화수소기, 또는 탄소수 1 내지 30의 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부를 하이드록실기, 할로겐 원자 혹은 시아노기로 치환한 기이다(단, R1 및 R2가 함께 수소 원자인 경우는 없음). R3은, 탄소수 1 내지 30의 에테르기, 탄소수 1 내지 30의 탄화수소기, 또는 탄소수 1 내지 30의 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부를 하이드록실기, 할로겐 원자 혹은 시아노기로 치환한 기이다. 식(3) 중, R4 내지 R10은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 12의 탄화수소기이다. n은 1 또는 2의 정수이다. 식(4) 중, R11 내지 R13은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 30의 탄화수소기, 또는 탄소수 1 내지 12의 에테르기이다. *는 결합 위치를 나타낸다.In formula (2), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, or a hydrogen atom of a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms in the presence of a hydroxyl group, (Provided that R 1 and R 2 are not hydrogen atoms together). R 3 is an ether group having 1 to 30 carbon atoms, a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, or a group in which a part of hydrogen atoms contained in a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms is substituted with a hydroxyl group, a halogen atom or a cyano group. In the formula (3), R 4 to R 10 are each independently a hydrogen atom or a hydrocarbon group of 1 to 12 carbon atoms. n is an integer of 1 or 2; In the formula (4), R &lt; 11 &gt; To R 13 each independently represent a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, or an ether group having 1 to 12 carbon atoms. * Indicates the binding position.

상기 탄소수 1 내지 30의 탄화수소기로서는, 탄소수 1 내지 30의 직쇄상 및 분기상 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 지환식 탄화수소기, 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기 등을 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms include a linear and branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms, and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms.

직쇄상 및 분기상 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-도데실기, n-테트라데실기, n-옥타데실기 등의 직쇄상 알킬기, i-프로필기, i-부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 2-헥실기, 3-헥실기 등의 분기상 알킬기 등을 들 수 있다.Examples of the linear and branched alkyl groups include linear, branched and cyclic alkyl groups such as methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, n-pentyl, n-hexyl, , and n-octadecyl; branched alkyl groups such as i-propyl, i-butyl, t-butyl, neopentyl, 2-hexyl and 3-hexyl groups .

탄소수 1 내지 12의 에테르기로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, t-부톡시기 등을 들 수 있다.Examples of the ether group having 1 to 12 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, and a t-butoxy group.

지환식 탄화수소기는, 단환이라도 다환이라도 좋고, 예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 보르닐기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.The alicyclic hydrocarbon group may be either a monocyclic or a polycyclic group, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a boronyl group, a norbornyl group and an adamantyl group.

방향족 탄화수소기는, 단환, 단환이 연결된 구조, 축합환이라도 좋고, 방향환과 지방족 탄화수소기가 연결된 구조라도 좋다. 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들면 페닐기, 나프틸기, 톨릴기, 벤질기 등을 들 수 있다.The aromatic hydrocarbon group may be a monocyclic ring, a monocyclic ring-linked structure, a condensed ring, or a structure in which an aromatic ring and an aliphatic hydrocarbon group are connected to each other. Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group, a naphthyl group, a tolyl group, and a benzyl group.

상기 R1로서는, 수소 원자가 바람직하다. 상기 R2로서는, 탄소수 1∼6의 직쇄상 및 분기상 알킬기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다.As R &lt; 1 & gt ;, a hydrogen atom is preferable. As R 2 , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable, and a methyl group is more preferable.

상기 R3으로서는, 결합손측 말단에 산소 원자를 포함하는 탄소수 1 내지 30의 탄화수소기(탄소수 1 내지 30의 알콕시기)가 바람직하고, 탄소수 1 내지 20의 직쇄상 및 분기상 알콕시기 그리고 탄소수 3∼20의 사이클로알콕시기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 및 분기상 알콕시기 그리고 탄소수 3 내지 8의 사이클로알콕시기가 더욱 바람직하다.The R 3 is preferably a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms (an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms) containing an oxygen atom at the bond terminal of the bond, a straight chain and branched alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, More preferably a cycloalkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably a linear and branched alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms and a cycloalkoxy group having 3 to 8 carbon atoms.

식(2)의 구체예로서는, 예를 들면, 이하에 나타내는 (2-1) 내지 (2-6)에 나타난 기를 들 수 있다. *는 결합 위치를 나타낸다.Specific examples of the formula (2) include, for example, groups represented by the following (2-1) to (2-6). * Indicates the binding position.

Figure pat00016
Figure pat00016

식(3)의 구체예로서는, 예를 들면, 이하에 나타내는 (3-1) 내지 (3-4)에 나타낸 기를 들 수 있다. *는 결합 위치를 나타낸다.Specific examples of the formula (3) include, for example, the groups shown in the following (3-1) to (3-4). * Indicates the binding position.

Figure pat00017
Figure pat00017

식(4)의 구체예로서는, 예를 들면, 이하에 나타내는 (4-1) 내지 (4-6)에 나타낸 기를 들 수 있다. *는 결합 위치를 나타낸다.Specific examples of the formula (4) include, for example, the groups shown in the following (4-1) to (4-6). * Indicates the binding position.

Figure pat00018
Figure pat00018

산 해리성기를 갖는 유기기로서는, 하기식(7)로 나타난다.An organic group having an acid dissociable group is represented by the following formula (7).

Figure pat00019
Figure pat00019

(식(7) 중, W는 2가 유기기를 나타내고, Y1은 산 해리성기를 나타내고, 상기식(2), 상기식(3), 상기식(4)와 동일한 의미이고, *는 결합 위치를 나타냄)(Wherein W represents a divalent organic group, Y1 represents an acid dissociable group, and has the same meaning as in the formula (2), the formula (3) and the formula (4) )

W의 2가의 유기기로서는, 예를 들면, 탄소수 2 내지 40의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기, 2가의 지환식기, 탄소수 2 내지 40의 알킬렌기 중 적어도 하나 이상의 수소 원자가 수산기, 할로겐, 아미노기, 시아노기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 1 내지 12의 알콕실기, 탄소수 1 내지 12의 아시기로 치환되어도 좋고, 탄소수 2 내지 40의 알킬렌기의 도중이 페닐렌기, 에스테르 결합, 에테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 우레아 결합으로 중단되어도 좋다.As the divalent organic group represented by W, for example, at least one hydrogen atom of an alkylene group having 2 to 40 carbon atoms, a phenylene group, a naphthylene group, a divalent alicyclic group, and an alkylene group having 2 to 40 carbon atoms is substituted with a hydroxyl group, , A cyano group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 12 carbon atoms, an acyl group having 1 to 12 carbon atoms, and an alkylene group having 2 to 40 carbon atoms may be substituted with a phenylene group, Bond, urethane bond or urea bond.

이러한 산 해리성기를 갖는 유기기의 구체예로서는, 예를 들면 이하의 (7-1), (7-2)로 나타나는 기를 들 수 있다. *는 결합 위치를 나타낸다.Specific examples of such an organic group having an acid-dissociable group include groups represented by the following (7-1) and (7-2). * Indicates the binding position.

Figure pat00020
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식(1) 중, X는 탄소수 2 이상의 2가의 탄화수소기를 나타낸다. 탄소수 2 내지 40의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기, 2가의 지환식기, 탄소수 2 내지 40의 알킬렌기 중 적어도 1개 이상의 수소 원자가 수산기, 할로겐, 아미노기, 시아노기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 1 내지 12의 알콕실기, 탄소수 1 내지 12의 아시기로 치환되어도 좋고, 탄소수 2 내지 40의 알킬렌기의 도중이 페닐렌기, 에스테르 결합, 에테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 우레아 결합으로 중단되어도 좋다.In the formula (1), X represents a divalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms. At least one hydrogen atom in the alkylene group having 2 to 40 carbon atoms, the phenylene group, the naphthylene group, the bivalent alicyclic group and the alkylene group having 2 to 40 carbon atoms is substituted with a hydroxyl group, a halogen atom, an amino group, a cyano group, An alkoxyl group having 1 to 12 carbon atoms, an acyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkylene group having 2 to 40 carbon atoms may be interrupted by a phenylene group, an ester bond, an ether bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond .

상기 탄소수 2 내지 40의 알킬렌기로서는, 하기식(8)로 나타나는 기이며, 식 중 Ra는 수소 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 나타내고, b는 1 내지 39의 정수이다. *는 결합 위치를 나타낸다.The alkylene group having 2 to 40 carbon atoms is a group represented by the following formula (8): wherein R a is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and b is an integer of 1 to 39. * Indicates the binding position.

Figure pat00021
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이러한 [C]화합물의 구체예로서는, 예를 들면 (C-1) 내지 (C-9)로 나타내는 화합물을 들 수 있다.Specific examples of such [C] compounds include, for example, compounds represented by (C-1) to (C-9).

Figure pat00022
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Figure pat00023
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Figure pat00024
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Figure pat00025
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Figure pat00026
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당해 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 [C]화합물의 함유량의 하한값으로서는, [A]중합체 100질량부에 대하여, 5질량부가 바람직하고, 10질량부가 보다 바람직하고, 15질량부가 더욱 바람직하다. 한편, 이 상한값으로서는, 200질량부가 바람직하고, 100질량부가 보다 바람직하고, 40질량부가 더욱 바람직하다. [C]화합물의 함유량을 이러한 범위로 함으로써, 예를 들면 현상액으로 되는 알칼리 수용액에 대한 방사선의 조사 부분과 비조사 부분의 용해도의 차이를 크게 하여, 패터닝 성능을 향상시키는 것 등을 할 수 있다.The lower limit of the content of the [C] compound in the radiation-sensitive resin composition is preferably 5 parts by mass, more preferably 10 parts by mass, further preferably 15 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer [A]. On the other hand, the upper limit is preferably 200 parts by mass, more preferably 100 parts by mass, still more preferably 40 parts by mass. By setting the content of the [C] compound within this range, it is possible to improve the patterning performance by increasing the difference in solubility between the irradiated portion of the radiation and the non-irradiated portion of the aqueous alkaline solution as the developer, for example.

또한, 이러한 화합물은 황 원자를 1분자 중에 복수개 포함하기 때문에, 얻어지는 경화막의 굴절률을 향상시킬 수 있어, 막의 황변화를 막을 수 있는 점에서 투과율의 향상도 가능하게 한다.In addition, since such a compound contains a plurality of sulfur atoms in one molecule, the refractive index of the resulting cured film can be improved, and the transmittance can be improved in that the change in sulfur of the film can be prevented.

<그 외의 임의 성분>&Lt; Other optional components >

당해 감방사선성 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 필요에 따라서 산화 방지제, 다관능 아크릴레이트, 계면 활성제, 밀착 조제, 무기 산화물 입자, 환상 에테르기를 갖는 화합물, 산 확산 제어제, 용매 등의 그 외의 임의 성분을 함유해도 좋다. 그 외의 임의 성분은, 각각 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 좋다.The radiation sensitive resin composition may contain, if necessary, additives such as antioxidants, polyfunctional acrylates, surfactants, adhesion aids, inorganic oxide particles, compounds having a cyclic ether group, Solvents and other optional components. The other optional components may be used singly or in combination of two or more.

산화 방지제는, 페놀계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 아민계 산화 방지제 등을 들 수 있지만, 페놀계 산화 방지제가 특히 바람직하다. 산화 방지제는, 단독으로, 혹은 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다. 산화 방지제의 함유량은, 본 실시 형태의 감방사선성 수지 조성물에 함유되는 [A]중합체 성분의 합계 100질량부에 대하여, 0.1질량부∼10질량부가 바람직하고, 특히 바람직하게는 0.2질량부∼5질량부이다. 이 범위에서 사용함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 층간 절연막의 내열성을 보다 높일 수 있다.Examples of the antioxidant include a phenol-based antioxidant, a sulfur-based antioxidant, and an amine-based antioxidant, but a phenol-based antioxidant is particularly preferable. The antioxidants may be used alone or in combination of two or more. The content of the antioxidant is preferably 0.1 part by mass to 10 parts by mass, particularly preferably 0.2 parts by mass to 5 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the total amount of the polymer component [A] contained in the radiation sensitive resin composition of the present embodiment Mass part. When used in this range, the heat resistance of the interlayer insulating film formed of the radiation sensitive resin composition can be further improved.

산화 방지제로서는, 일본공개특허공보 2011-227106호 등에 기재된 산화 방지제를 이용할 수 있다.As the antioxidant, an antioxidant described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-227106 can be used.

다관능 아크릴레이트는 [A]중합체 성분 100질량부에 대하여, 100질량부 이하이고, 0.1질량부 이상 80질량부 이하가 바람직하고, 0.5질량부 이상 50질량부 이하가 보다 바람직하고, 1질량부 이상 25질량부 이하가 더욱 바람직하다. 이 범위에서 사용함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 층간 절연막의 내열성, 내용매성을 보다 높일 수 있다.The polyfunctional acrylate is preferably 100 parts by mass or less, more preferably 0.1 parts by mass or more and 80 parts by mass or less, more preferably 0.5 parts by mass or more and 50 parts by mass or less, and most preferably 1 part by mass or less, relative to 100 parts by mass of the polymer component [A] And not more than 25 parts by mass. When used in this range, the heat resistance and solvent resistance of the interlayer insulating film formed of the radiation sensitive resin composition can be further improved.

다관능 아크릴레이트로서는, 일본공개특허공보 2005-227525호 등에 기재된 다관능 아크릴레이트를 이용할 수 있다.As polyfunctional acrylates, polyfunctional acrylates described in JP-A-2005-227525 can be used.

계면 활성제는, 당해 감방사선성 수지 조성물의 도막 형성성을 높이는 성분이다. 당해 감방선성 수지 조성물은, 계면 활성제를 함유함으로써, 도막의 표면 평활성을 향상할 수 있고, 그 결과, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 적외선 차폐막의 막 두께 균일성을 보다 향상할 수 있다.The surfactant is a component for enhancing the film-forming property of the radiation-sensitive resin composition. By containing the surfactant, the above-mentioned cell-free resin composition can improve the surface smoothness of the coating film, and as a result, it is possible to further improve the uniformity of the film thickness of the infrared shielding film formed of the above radiation- sensitive resin composition.

밀착 조제는, 기판 등의 막 형성 대상물과 적외선 차폐막과의 접착성을 향상시키는 성분이다. 밀착 조제는, 특히 무기물의 기판과 적외선 차폐막의 접착성을 향상시키기 위하여 유용하다.The adhesion aid is a component that improves the adhesion between the film formation object such as a substrate and the infrared ray shielding film. The adhesion aid is particularly useful for improving the adhesion between the inorganic substrate and the infrared shielding film.

밀착 조제로서는, 관능성 실란 커플링제가 바람직하다.As the adhesion aid, a functional silane coupling agent is preferred.

무기 산화물 입자로서는, 규소, 알루미늄, 지르코늄, 티탄, 아연, 인듐, 주석, 안티몬, 스트론튬, 바륨, 세륨 및 하프늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 원소를 포함하는 산화물인 무기 산화물 입자를 이용할 수 있다. 일본공개특허공보 2011-128385호에 기재된 무기 산화물 입자를 이용할 수 있다.As the inorganic oxide particles, inorganic oxide particles which are oxides containing at least one element selected from the group consisting of silicon, aluminum, zirconium, titanium, zinc, indium, tin, antimony, strontium, barium, cerium and hafnium can be used . The inorganic oxide particles described in JP-A-2011-128385 can be used.

<환상 에테르기를 갖는 화합물>&Lt; Compound having cyclic ether group >

환상 에테르기를 갖는 화합물은, 환상 에테르기를 갖고, 또한 [A]중합체 성분이 갖는 중합체와는 상이한 화합물이다. 당해 감방사선성 수지 조성물은, 환상 에테르기를 갖는 화합물을 함유함으로써, 환상 에테르기를 갖는 화합물의 열 반응성에 의해 [A]중합체 성분 등의 가교를 촉진하고, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 적외선 차폐막의 경도를 보다 높일 수 있음과 함께, 당해 감방사선성 수지 조성물의 방사선 감도를 높일 수 있다.The compound having a cyclic ether group is a compound having a cyclic ether group and different from the polymer having the polymer component [A]. The radiation sensitive resin composition contains a compound having a cyclic ether group, thereby promoting crosslinking of the polymer component and the like by the thermal reactivity of the compound having a cyclic ether group, and the infrared shielding film formed of the radiation sensitive resin composition The hardness of the radiation-sensitive resin composition can be further increased, and the radiation sensitivity of the radiation-sensitive resin composition can be increased.

환상 에테르기를 갖는 화합물로서는, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기(옥시라닐기, 옥세타닐기)를 갖는 화합물이 바람직하다. 환상 에테르기를 갖는 화합물로서의 에폭시기를 갖는 화합물로서는, 일본공개특허공보 2011-257537호에 기재된 화합물을 이용할 수 있다.As the compound having a cyclic ether group, a compound having two or more epoxy groups (oxiranyl group, oxetanyl group) in the molecule is preferable. As the compound having an epoxy group as the compound having a cyclic ether group, the compounds described in JP-A No. 2011-257537 can be used.

이들 중에서, 환상 에테르기를 갖는 화합물로서는, 분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물이 바람직하고, 이소프탈산 비스[(3-에틸옥세탄-3-일)메틸], 1,4-비스[(3-에틸옥세탄-3-일)메톡시메틸]벤젠, 2,2-비스(하이드록시메틸)-1-부탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시라닐)사이클로헥산 부가물(EHPE3150(다이셀화학(주)제조))이 보다 바람직하다.Among them, the compound having a cyclic ether group is preferably a compound having at least two oxetanyl groups in the molecule, and the isophthalic acid bis [(3-ethyloxetan-3-yl) methyl], 1,4-bis [ Epoxy-4- (2-oxiranyl) cyclohexane adduct of 2,2-bis (hydroxymethyl) -1- EHPE3150 (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.)) is more preferable.

환상 에테르기를 갖는 화합물의 함유량으로서는, [A]중합체 성분 100질량부에 대하여, 통상 150질량부 이하이고, 0.5질량부 이상 100질량부 이하가 바람직하고, 1질량부 이상 50질량부 이하가 보다 바람직하고, 10질량부 이상 25질량부 이하가 더욱 바람직하다. 환상 에테르기를 갖는 화합물의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 적외선 차폐막의 경도를 보다 높일 수 있다.The content of the cyclic ether group-containing compound is preferably 150 parts by mass or less, more preferably 0.5 parts by mass or more and 100 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer component [A] And more preferably 10 parts by mass or more and 25 parts by mass or less. By setting the content of the compound having a cyclic ether group within the above range, the hardness of the infrared shielding film formed of the radiation sensitive resin composition can be further increased.

산 확산 제어제로서는, 화학 증폭 레지스트로 이용되는 것으로부터 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 당해 감방사선성 수지 조성물은 산 확산 제어제를 함유함으로써, 노광에 의해 감방사성 산 발생체로부터 발생한 산의 확산 길이를 적절히 제어할 수 있어, 패턴 현상성을 양호하게 할 수 있다. 산 확산 제어제로서는, 일본공개특허공보 2011-232632호에 기재된 산 확산 제어제를 이용할 수 있다.As the acid diffusion controlling agent, it can be arbitrarily selected from those used as the chemically amplified resist. The radiation-sensitive resin composition contains an acid diffusion control agent, so that the diffusion length of the acid generated from the radiation-sensitive acid generator can be appropriately controlled by exposure, and the pattern developing property can be improved. As the acid diffusion controlling agent, the acid diffusion controlling agent disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-232632 can be used.

산 확산 제어제의 함유량으로서는, [A]중합체 성분 100질량부에 대하여, 통상 2질량부 이하이고, 0.001질량부 이상 1질량부 이하가 바람직하고, 0.005질량부 이상 0.2질량부 이하가 보다 바람직하다. 산 확산 제어제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 패턴 현상성이 보다 향상된다.The content of the acid diffusion control agent is preferably 2 parts by mass or less, more preferably 0.001 parts by mass or more and 1 part by mass or less, more preferably 0.005 parts by mass or more and 0.2 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer component [A] . When the content of the acid diffusion control agent is within the above range, the pattern developing property is further improved.

<감방사선성 수지 조성물의 조제 방법>&Lt; Preparation method of radiation-sensitive resin composition >

당해 감방사선성 수지 조성물은, 용매에 [A]중합체 성분, [B]감방사선성 산 발생체 및 [C]화합물과 필요에 따라서 적합 성분, 그 외의 임의 성분을 혼합함으로써 용해 또는 분산시킨 상태로 조제된다. 예를 들면, 용매 중에서 각 성분을 소정의 비율로 혼합함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물을 조제할 수 있다.The radiation sensitive resin composition is prepared by dissolving or dispersing the [A] polymer component, the [B] radiation-sensitive acid generator and the [C] compound, and optionally the optional components, It is prepared. For example, the radiation-sensitive resin composition can be prepared by mixing the respective components in a predetermined ratio in a solvent.

<용매><Solvent>

용매로서는, 당해 감방사선성 수지 조성물 중의 다른 성분을 균일하게 용해 또는 분산하고, 상기 다른 성분과 반응하지 않는 것이 적합하게 이용된다. 이러한 용매로서는, 예를 들면, 알코올류, 에테르류, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 다른 에스테르류 등을 들 수 있다. 용매로서는, 일본공개특허공보 2011-232632호에 기재된 용매를 이용할 수 있다.The solvent is suitably used so that the other components in the radiation-sensitive resin composition are uniformly dissolved or dispersed and do not react with the other components. Examples of such solvents include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionates , Aromatic hydrocarbons, ketones, and other esters. As the solvent, a solvent described in JP-A-2011-232632 can be used.

<경화막><Cured film>

당해 경화막은, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성된다. 당해 경화막은, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되어 있기 때문에, 절연성이나 부식 방지성이 우수하다. 이러한 특성을 갖는 당해 경화막은, 예를 들면 표시 소자의 전자 디바이스의 층간 절연막, 평탄화막, 발광층을 형성하기 위한 영역을 규정하는 뱅크(격벽), 스페이서, 보호막, 컬러 필터용 착색 패턴 등에 사용할 수 있다. 또한, 당해 경화막의 형성 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 이어서 설명하는 경화막의 형성 방법을 적용하는 것이 바람직하다.The cured film is formed of the radiation sensitive resin composition. Since the cured film is formed of the radiation sensitive resin composition, the cured film is excellent in insulation and corrosion resistance. Such a cured film having such characteristics can be used for, for example, a bank (partition wall) for defining an area for forming an interlayer insulating film, a planarizing film, and a light emitting layer of a display device, a spacer, a protective film, . The method of forming the cured film is not particularly limited, but it is preferable to apply the following method of forming a cured film.

<경화막의 형성 방법>&Lt; Method of forming a cured film &

당해 경화막의 형성 방법은, 당해 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 기판 상에 도막을 형성하는 공정(이하, 「도막 형성 공정」이라고도 함), 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정(이하, 「조사 공정」이라고도 함), 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정(이하, 「현상 공정」이라고도 함) 및, 상기 현상된 도막을 가열하는 공정(이하, 「가열 공정」이라고도 함)을 갖는다.The method of forming the cured film includes a step of forming a coating film on a substrate (hereinafter also referred to as a &quot; coating film formation step &quot;) using the radiation sensitive resin composition, a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation (Hereinafter also referred to as a &quot; developing step &quot;) and a step of heating the developed coating film (hereinafter also referred to as &quot; heating step &quot; .

당해 형성 방법에 의하면, 방사선 감도가 우수하고, 비노광부의 막 두께 변화량이 작아, 절연성 및 부식 방지성이 우수한 경화막을 얻을 수 있다.According to this forming method, a cured film excellent in radiation sensitivity and small in film thickness change amount in the non-visible portion and excellent in insulating property and corrosion prevention property can be obtained.

(도막 형성 공정)(Coating film forming step)

본 공정에서는, 당해 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 기판 상에 도포하여 도막을 형성한다. 당해 감방사선성 수지 조성물이 용매를 포함하는 경우에는, 도포면을 프리베이킹함으로써 용매를 제거하는 것이 바람직하다.In this step, the radiation-sensitive resin composition is applied to a substrate to form a coating film. When the radiation sensitive resin composition contains a solvent, it is preferable to remove the solvent by pre-baking the coated surface.

상기 기판으로서는, 예를 들면 유리, 석영, 실리콘, 수지 등을 들 수 있다. 상기 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 환상 올레핀의 개환 중합체 및 그의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라서도 상이하지만, 통상 70℃ 이상 120℃ 이하, 1분 이상 10분 이하이다.Examples of the substrate include glass, quartz, silicon, resin, and the like. Examples of the resin include ring-opening polymers of polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, polyimide, cyclic olefin, and hydrogenated products thereof. The conditions for the prebaking are usually 70 deg. C or more and 120 deg. C or less, and 1 minute or more and 10 minutes or less, depending on the kind of each component and the mixing ratio.

(조사 공정)(Irradiation process)

본 공정에서는, 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하여 노광한다. 노광할 때에는, 통상 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여 노광한다. 노광에 사용되는 방사선으로서는, 가시광선, 자외선, 원자외선, 극단 자외선, X선, 감마선 등의 전자파, 전자선, α선 등의 하전자 입자선 등을 들 수 있다. 방사선으로서는, 파장이 190㎚ 이상 450㎚ 이하의 범위에 있는 방사선이 바람직하고, 365㎚의 자외선을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다. 노광량의 상한으로서는, 20,000J/㎡가 바람직하고, 10,000J/㎡가 보다 바람직하다. 한편, 노광량의 하한으로서는, 예를 들면 1J/㎡로 할 수 있고, 500J/㎡가 바람직하고, 1,500J/㎡가 보다 바람직하다. 이 노광량은, 방사선의 파장 365㎚에 있어서의 강도를 조도계(OAI Optical Associates사의 「OAI model356」)에 의해 측정한 값이다.In this step, at least a part of the coating film is exposed to radiation. When exposure is performed, exposure is usually performed through a photomask having a predetermined pattern. Examples of the radiation used for exposure include electromagnetic waves such as visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, extreme ultraviolet light, X-ray, and gamma ray, electron beams, and subordinate electron beams such as alpha rays. As the radiation, radiation having a wavelength in the range of 190 nm to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is more preferable. The upper limit of the exposure dose is preferably 20,000 J / m 2, more preferably 10,000 J / m 2. On the other hand, the lower limit of the exposure dose may be, for example, 1 J / m 2, preferably 500 J / m 2, and more preferably 1,500 J / m 2. The exposure dose is a value obtained by measuring the intensity of the radiation at a wavelength of 365 nm by a light meter ("OAI model 356" manufactured by OAI Optical Associates).

(현상 공정)(Developing step)

본 공정에서는, 방사선이 조사된 도막을 현상한다. 노광 후의 도막을 현상함으로써, 불필요한 부분(방사선의 조사 부분)을 제거하여 소정의 패턴을 형성한다.In this step, the coated film irradiated with the radiation is developed. By developing the coated film after exposure, unnecessary portions (irradiated portions of radiation) are removed to form a predetermined pattern.

이 공정에서 사용되는 현상액으로서는, 알칼리성의 수용액이 바람직하다. 알칼리로서는, 예를 들면 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아 등의 무기 알칼리; 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드 등의 4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 현상액으로서는, 케톤계 유기 용매, 알코올계 유기 용매 등의 유기 용매를 사용할 수도 있다.As the developer used in this step, an alkaline aqueous solution is preferable. Examples of the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and ammonia; Quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and the like. As the developer, an organic solvent such as a ketone-based organic solvent or an alcohol-based organic solvent may be used.

알칼리 수용액에는, 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면 활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 알칼리 수용액에 있어서의 알칼리의 농도로서는, 적합한 현상성을 얻는 관점에서, 0.1질량% 이상 5질량% 이하가 바람직하다.To the aqueous alkali solution, a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant may be added in an appropriate amount. The concentration of the alkali in the aqueous alkali solution is preferably 0.1% by mass or more and 5% by mass or less from the viewpoint of obtaining suitable developability.

현상 방법으로서는, 예를 들면 퍼들법, 디핑법, 요동 침지법, 샤워법 등을 들 수 있다. 현상 시간으로서는, 당해 감방사선성 수지 조성물의 조성에 따라서 상이하지만, 통상 10초 이상 180초 이하이다.Examples of the developing method include a puddle method, a dipping method, a swing dipping method, a shower method, and the like. The developing time varies depending on the composition of the radiation sensitive resin composition, but is usually from 10 seconds to 180 seconds.

이러한 현상 처리에 이어서, 예를 들면 유수 세정을 30초 이상 90초 이하 행한 후, 예를 들면 압축 공기나 압축 질소로 풍건시킴으로써, 소망하는 패턴을 형성할 수 있다.Following this developing treatment, for example, water washing is carried out for 30 seconds to 90 seconds, followed by air drying with compressed air or compressed nitrogen, for example, to form a desired pattern.

(가열 공정)(Heating process)

본 공정에서는, 현상된 도막을 가열한다. 가열에는, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 패터닝된 박막을 가열함으로써, [A]중합체의 경화 반응을 촉진하여, 경화막을 형성할 수 있다. 가열 온도로서는, 예를 들면 120℃ 이상 250℃ 이하이다. 가열 시간으로서는, 가열 기기의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들면 핫 플레이트에서는 5분 이상 30분 이하, 오븐에서는 30분 이상 90분 이하이다. 또한, 2회 이상의 가열 공정을 행하는 스텝 베이킹법 등을 이용할 수도 있다. 이와 같이 하여, 목적으로 하는 경화막에 대응하는 패턴상 박막을 기판의 표면 상에 형성할 수 있다.In this step, the developed coating film is heated. For the heating, the patterned thin film is heated by using a heating device such as a hot plate or oven to accelerate the curing reaction of the [A] polymer, thereby forming a cured film. The heating temperature is, for example, 120 DEG C or more and 250 DEG C or less. The heating time varies depending on the type of the heating apparatus, but is, for example, 5 minutes to 30 minutes or less for a hot plate and 30 minutes or more to 90 minutes or less for an oven. Further, a step baking method in which two or more heating steps are performed may be used. In this manner, a patterned thin film corresponding to a desired cured film can be formed on the surface of the substrate.

<표시 소자><Display element>

당해 표시 소자는, 당해 경화막을 구비하고 있다. 당해 표시 소자로서는, 예를 들면 액정 표시 소자, 유기 EL 표시 소자 등을 들 수 있다.The display element is provided with the cured film. Examples of the display element include a liquid crystal display element and an organic EL display element.

액정 표시 소자는, 예를 들면 액정 셀, 편광판 등에 의해 구성되어 있다. 이 액정 표시 소자는, 절연성이나 부식 방지성 등이 우수한 당해 경화막을 구비하고 있기 때문에, 장기간의 신뢰성 등에 우수하다.The liquid crystal display element is constituted by, for example, a liquid crystal cell, a polarizing plate or the like. This liquid crystal display element is excellent in long-term reliability because the liquid crystal display element is provided with the cured film excellent in insulation property and corrosion prevention property.

액정 표시 소자의 제조 방법을 이하에 예시한다. 우선, 편면에 투명 도전막(전극)을 갖는 투명 기판을 한 쌍(2매) 준비한다. 이 기판의 투명 도전막 상에, 당해 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 상기 <경화막의 형성 방법>에 기재된 방법에 따라, 경화막으로서의 층간 절연막, 스페이서, 보호막 등을 형성한다. 이어서, 이들 경화막이 형성된 기판 상에 액정 배향능을 갖는 배향막을 형성한다. 이들 기판을, 그 배향막이 형성된 측의 면을 내측으로 하고, 각각의 배향막의 액정 배향 방향이 직교 또는 역평행이 되도록 일정한 간극(셀 갭)을 통하여 대향 배치한다. 이어서, 기판의 표면(배향막) 및 스페이서에 의해 구획된 셀 갭 내에 액정을 충전하고, 충전공을 봉지하여 액정 셀을 구성한다. 그리고, 액정 셀의 양 외표면에, 편광판을 접합함으로써, 액정 표시 소자가 얻어진다.A method of manufacturing a liquid crystal display element will be exemplified below. First, a pair (two pieces) of transparent substrates having a transparent conductive film (electrode) on one surface are prepared. An interlayer insulating film as a cured film, a spacer, a protective film, and the like are formed on the transparent conductive film of this substrate by the method described in the above &quot; Method of forming a cured film &quot; Then, an alignment film having liquid crystal alignability is formed on the substrate on which these cured films are formed. These substrates are arranged opposite to each other with a certain gap (cell gap) so that the liquid crystal aligning directions of the respective alignment films are orthogonal or antiparallel, with the side on which the alignment film is formed inside. Subsequently, the liquid crystal is filled in the cell gap defined by the surface (alignment film) and the spacer of the substrate, and the filling hole is sealed to constitute the liquid crystal cell. Then, a polarizing plate is bonded to both outer surfaces of the liquid crystal cell to obtain a liquid crystal display element.

한편, 유기 일렉트로루미네선스 소자에 있어서는, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막은, TFT 소자 상에 형성되는 평탄화막, 발광 부위를 규정하는 격벽 등으로서 사용할 수 있다. On the other hand, in the organic electroluminescence element, the cured film formed of the radiation sensitive resin composition can be used as a planarizing film formed on the TFT element, a partition wall defining the light emitting portion, and the like.

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하는데, 본 발명은, 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, [A]중합체 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은, 이하의 방법에 의해 측정했다.Hereinafter, the present invention will be described concretely based on examples, but the present invention is not limited to these examples. The weight average molecular weight (Mw) of the polymer component [A] was measured by the following method.

[중량 평균 분자량(Mw)][Weight average molecular weight (Mw)]

하기 조건하, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정했다.Was measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.

장치:쇼와전공사의 「GPC-101」Device: "GPC-101" of Showa major

칼럼 :GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804

이동상:테트라하이드로푸란Mobile phase: tetrahydrofuran

칼럼 온도:40℃Column temperature: 40 DEG C

유속:1.0mL/분Flow rate: 1.0 mL / min

시료 농도:1.0질량%Sample concentration: 1.0 mass%

시료 주입량:100μLSample injection amount: 100 μL

검출기:시차 굴절계Detector: differential refractometer

표준 물질:단분산 폴리스티렌Standard material: monodisperse polystyrene

1H-NMR(분석 기기:일본전자사의 「ECX400P」), 13C-NMR(분석 기기:일본전자사의 「ECX400P」), FT-IR(분석 기기:Nicolet사의 「Nexus470」) 및 열 분해 가스 크로마토그래피 질량 분석(분석 기기:일본분석공업사의 「JPS330」(Py), Agilent사의 「GC6890A」(GC), Agilent사의 「5973Inert」(MS))에 의해, 중합체의 구조 및 중합체의 구조 단위의 함유량(함유 비율)을 구했다. 1 H-NMR (analyzer: "ECX400P" Japan Electronics Corporation), 13 C-NMR (analyzing device: Japan Electronics Corporation "ECX400P"), FT-IR (analysis apparatus: Nicolet's "Nexus470") and thermal decomposition gas chromatography The structure of the polymer and the content of the structural units of the polymer ((JPS330) (Py), Agilent's GC6890A (GC) and Agilent's 5973Inert Content ratio).

<[A]중합체의 합성예><Synthesis Example of [A] Polymer>

[합성예 1] 중합체(A-1)의 합성[Synthesis Example 1] Synthesis of polymer (A-1)

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 8질량부 및 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 220질량부를 투입했다. 이어서, 메타크릴산 13질량부, 메타크릴산 글리시딜 40질량부, α-메틸-p-하이드록시스티렌 10질량부, 테트라하이드로푸르푸릴메타크릴레이트 12질량부, N-사이클로헥실말레이미드 15질량부 및 n-라우릴메타크릴레이트 10질량부를 투입하고, 질소 치환한 후, 천천히 교반하면서, 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보전하여 중합했다. 이에 따라 알칼리 가용성 수지인 (A-1)카복시기를 갖는 아크릴 수지로서의 중합체(A-1)을 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이 중합체 용액의 고형분 농도는, 31.9질량%이고, 중합체(A-1)의 Mw는 8,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.3이었다.A cooling tube and a stirrer, 8 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether were charged. Subsequently, 13 parts by mass of methacrylic acid, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, 10 parts by mass of? -Methyl-p-hydroxystyrene, 12 parts by mass of tetrahydrofurfuryl methacrylate, 15 parts by mass of N-cyclohexylmaleimide 15 And 10 parts by mass of n-lauryl methacrylate were charged, and after replacing with nitrogen, the temperature of the solution was raised to 70 占 폚 while stirring slowly, and the polymerization was carried out at this temperature for 5 hours. Thus, a polymer solution containing a polymer (A-1) as an acrylic resin having an (A-1) carboxy group as an alkali-soluble resin was obtained. The solid concentration of the polymer solution was 31.9 mass%, the polymer (A-1) had an Mw of 8,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.3.

[합성예 2] 중합체(A-2)의 합성[Synthesis Example 2] Synthesis of polymer (A-2)

반응 용기에 중합 용매로서 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 80질량부를 첨가한 후, 중합 용매의 합계 80g에 대하여 고형분 농도 20질량%가 되도록, 디아민 화합물 및 테트라카본산 유도체인 테트라카본산 2무수물을 중합 용매 중에 첨가했다. 디아민 화합물로서는, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판(BAHF)을 이용하고, 이를 용해시킨 후, 테트라카본산 2무수물로서 2,3,5-트리카복시사이클로펜틸아세트산 2무수물(TCA)과 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카본산-1,4-페닐렌에스테르(TMHQ)를, 테트라카본산 2무수물의 조성이 TCA:TMHQ=95:5(몰비)가 되도록 투입했다. 그리고, 디아민 화합물의 전체량 100몰부에 대하여, 테트라카본산 2무수물은 90몰부를 첨가했다. 그 후, 이 혼합물을 60℃에서 3시간 반응시켰다. 이에 따라, 고형분 농도 20질량%에서의 용액 점도 100mPa·s의 (A-2)폴리이미드 또는 폴리이미드 전구체로서의 폴리암산인 중합체(A-2)를 함유하는 용액을 약 100g 얻었다.After adding 80 parts by mass of propylene glycol monoethyl ether acetate as a polymerization solvent to the reaction vessel, the diamine compound and the tetracarboxylic acid derivative tetracarboxylic acid dianhydride were added to a polymerization solvent / RTI &gt; As the diamine compound, 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (BAHF) was used, and after dissolving the 2,3,4,5-tetraacetic acid dianhydride, Carboxycyclopentyl acetic acid dianhydride (TCA) and 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4-phenylene ester (TMHQ) in the presence of tetracarboxylic acid dianhydride And a composition of TCA: TMHQ = 95: 5 (molar ratio). Then, 90 parts by mol of tetracarboxylic acid dianhydride was added to 100 parts by mol of the total amount of the diamine compound. Thereafter, the mixture was reacted at 60 DEG C for 3 hours. Thus, about 100 g of a solution containing a polyimide (A-2) having a solution viscosity of 20 mPa · s at a solid concentration of 20 mass% and a polymer (A-2) as a polyamic acid as a polyimide precursor was obtained.

[합성예 3] 중합체(A-3)의 합성[Synthesis Example 3] Synthesis of polymer (A-3)

교반기 부착의 용기 내에, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 20질량부를 투입하고, 이어서, 메틸트리메톡시실란 70질량부 및, 톨릴트리메톡시실란 30질량부를 투입하고, 용액 온도가 60℃로 될 때까지 가열했다. 용액 온도가 60℃에 도달 후, 인산 0.15질량부, 이온 교환수 19질량부를 투입하고, 75℃로 될 때까지 가열하여, 4시간 보전했다. 추가로, 용액 온도를 40℃로 하고, 이 온도를 유지하면서 이배포레이션함으로써, 이온 교환수 및 가수 분해 축합으로 발생한 메탄올을 제거했다. 이에 따라 알칼리 가용성 수지인 (A-3)폴리실록산으로서의 중합체(A-3)을 얻었다. 이 중합체(A-3)의 Mw는 6,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.3이었다.20 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether was charged into a container equipped with a stirrer, and then 70 parts by mass of methyltrimethoxysilane and 30 parts by mass of tolyltrimethoxysilane were charged. The solution was heated did. After the solution temperature reached 60 占 폚, 0.15 parts by mass of phosphoric acid and 19 parts by mass of ion-exchanged water were charged and heated to 75 占 폚 and maintained for 4 hours. Further, methanol was removed by ion exchange water and hydrolysis and condensation by this dissolution while maintaining the solution temperature at 40 占 폚 while maintaining this temperature. Thus, a polymer (A-3) as the polysiloxane (A-3) which is an alkali-soluble resin was obtained. The polymer (A-3) had an Mw of 6,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.3.

[합성예 4] 중합체(A-4)의 합성[Synthesis Example 4] Synthesis of polymer (A-4)

냉각관, 딘스타크 및 교반기를 구비한 플라스크에, 모노머로서 2,6-디플루오로벤조니트릴을 1.7질량부, 2,2-비스(4-하이드록시페닐)프로판을 0.5질량부, 5,5-비스(4-하이드록시페닐)헥산산을 0.5질량부, 염기로서 탄산 칼륨 2.2질량부를 투입하고, 용매로서 N,N-디메틸아세토아미드 100질량부, 톨루엔 25질량부를 첨가했다. 진공 흡인과 질소 치환을 반복하여, 계 중의 물을 제거했다. 그 후, 반응계 중을 질소 가압하로 하여, 천천히 교반하면서, 용액의 온도를 130℃로 상승시켜, 이 온도를 4시간 보전하여 중합했다. 이에 따라, 알칼리 가용성 수지인 (A-4)방향족 폴리에테르로서의 중합체(A-4)를 함유하는 용액을 얻었다. 얻어진 중합체 용액에 이온 교환 수지를 첨가하고, 4시간 교반하여 여과했다. 중합체 용액을 여과하여, N,N-디메틸아세토아미드로 고형분을 세정한 후, 용액을 회수하고, 얻어진 용액을 물로 재침함으로써 목적의 수지를 얻었다. 중합체(A-4)의 Mw는 12,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.5였다.1.7 parts by mass of 2,6-difluorobenzonitrile as a monomer, 0.5 parts by mass of 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, and 4.5 parts by mass of 5,5 , 0.5 parts by mass of bis (4-hydroxyphenyl) hexanoic acid and 2.2 parts by mass of potassium carbonate as a base, 100 parts by mass of N, N-dimethylacetoamide and 25 parts by mass of toluene were added as a solvent. Vacuum suction and nitrogen substitution were repeated to remove water in the system. Thereafter, while the reaction system was under nitrogen pressure, the temperature of the solution was raised to 130 캜 while stirring slowly, and the temperature was maintained for 4 hours to polymerize. Thus, a solution containing a polymer (A-4) as an aromatic polyether (A-4) which is an alkali-soluble resin was obtained. An ion-exchange resin was added to the obtained polymer solution, which was then stirred for 4 hours and filtered. The polymer solution was filtered, the solid was washed with N, N-dimethylacetoamide, the solution was recovered, and the obtained solution was reprecipitated with water to obtain the desired resin. The polymer (A-4) had an Mw of 12,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.5.

[합성예 5] 중합체(A-5)의 합성[Synthesis Example 5] Synthesis of polymer (A-5)

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 8질량부 및 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 220질량부를 투입했다. 이어서, 메타크릴산 13질량부, 메타크릴산 글리시딜 20질량부, 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일) 57질량부 및 N-사이클로헥실말레이미드 10질량부를 투입하고, 질소 치환한 후, 천천히 교반하면서, 용액의 온도를 70℃로 상승시켜, 이 온도를 5시간 보전하여 중합했다. 이에 따라 알칼리 가용성 수지인 (A-1)카복시기를 갖는 아크릴 수지로서의 중합체(A-5)를 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이 중합체 용액의 고형분 농도는, 32.2질량%이고, 중합체(A-5)의 Mw는 11,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.4였다.A cooling tube and a stirrer, 8 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether were charged. Subsequently, 13 parts by mass of methacrylic acid, 20 parts by mass of glycidyl methacrylate, 57 parts by mass of methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) and 10 parts by mass of N-cyclohexylmaleimide were charged, After the substitution, the temperature of the solution was raised to 70 캜 while being slowly stirred, and the temperature was maintained for 5 hours to polymerize. Thus, a polymer solution containing a polymer (A-5) as an acrylic resin having an (A-1) carboxy group as an alkali-soluble resin was obtained. The solid content concentration of the polymer solution was 32.2% by mass, the polymer (A-5) had an Mw of 11,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.4.

[합성예 6] 중합체(A-6)의 합성[Synthesis Example 6] Synthesis of polymer (A-6)

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 8질량부 및 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 220질량부를 투입했다. 이어서, 메타크릴산 10질량부, 아크릴산 5질량부, 스티렌 10질량부, 메타크릴산 벤질 30질량부 및 메타크릴산 n-부틸 45질량부를 투입하고, 질소 치환한 후, 천천히 교반하면서, 용액의 온도를 70℃로 상승시켜, 이 온도를 5시간 보전하여 중합했다. 이에 따라 알칼리 가용성 수지인 (A-1)카복시기를 갖는 아크릴 수지로서의 중합체(A-6)을 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이 중합체 용액의 고형분 농도는, 31.5질량%이고, 중합체(A-6)의 Mw는 12,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.4였다.A cooling tube and a stirrer, 8 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether were charged. Subsequently, 10 parts by mass of methacrylic acid, 5 parts by mass of acrylic acid, 10 parts by mass of styrene, 30 parts by mass of benzyl methacrylate, and 45 parts by mass of n-butyl methacrylate were charged, and after nitrogen substitution, The temperature was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to polymerize. Thus, a polymer solution containing a polymer (A-6) as an acrylic resin having an (A-1) carboxy group as an alkali-soluble resin was obtained. The solid concentration of the polymer solution was 31.5% by mass, the polymer (A-6) had an Mw of 12,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.4.

[비교 합성예 1] [A]중합체의 비교 중합체(a-1)의 합성[Comparative Synthesis Example 1] Synthesis of Comparative Polymer (a-1) of Polymer [A]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 투입했다. 이어서, 1-에톡시에틸메타크릴레이트 40질량부, 스티렌 10질량부, 메타크릴산 글리시딜 40질량부, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 10질량부 및, α-메틸스티렌다이머 3질량부를 투입하여 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보전하여 비교 중합체(a-1)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 이 중합체 용액의 고형분 농도는, 31.8질량%이고, 비교 중합체(a-1)의 중량 평균 분자량(Mw)은 9,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.3이었다.7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were fed into a flask equipped with a condenser and a stirrer. Subsequently, 40 parts by mass of 1-ethoxyethyl methacrylate, 10 parts by mass of styrene, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 3 parts by mass of -methylstyrene dimer After the reaction mixture was purged with nitrogen, stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the comparative polymer (a-1). The solid polymer concentration of the polymer solution was 31.8 mass%, the weight average molecular weight (Mw) of the comparative polymer (a-1) was 9,000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.3.

<[C]화합물의 합성><Synthesis of [C] compound>

[합성예 7] 화합물(C-1)의 합성[Synthesis Example 7] Synthesis of Compound (C-1)

교반기를 구비한 반응 용기에, 메타크릴산을 10질량부(시그마알드리치사), 3,4-디하이드로푸란(시그마알드리치사)을 8.2질량부, 촉매로서 p-톨루엔술폰산 1수화물(시그마알드리치사)을 0.02질량부, 테트라하이드로푸란 20질량부를 넣은 후, 실온에서 2시간 교반했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5질량부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하여, 불용물을 여과 후, 농축함으로써, 메타크릴산 테트라하이드로푸란-2-일 17질량부를 무색 액체물로서 얻었다. 다른 교반기를 구비한 반응 용기에, 얻어진 메타크릴산 테트라하이드로푸란-2-일을 17질량부, 4,4'-티오비스벤젠티올(시그마알드리치사)을 13.6질량부, 탄산 칼륨(시그마알드리치사)을 75질량부, 테트라하이드로푸란(시그마알드리치사)을 100질량부 넣은 후, 실온에서 3시간 교반했다. 얻어진 반응 생성물을 물 세정한 후, 미반응물을 감압 증류 제거함으로써 목적의 산 해리성기를 갖는 화합물(C-1)을 수율 80%로 얻었다. 화합물(C-1)의 1H-NMR(300㎒, CDCL3)은, δ1.25(6H, d), δ1.85-2.11(8H, m), δ2.82-3.09(6H, m), δ3.55-3.92(4H, m), δ6.02(2H, t), δ7.22(2H, d), δ7.42(2H, d)였다.To a reaction vessel equipped with a stirrer were added 10 parts by mass of methacrylic acid (Sigma Aldrich), 8.2 parts by mass of 3,4-dihydrofuran (Sigma Aldrich), p-toluenesulfonic acid monohydrate (Sigma Aldrich Corp. ), And 20 parts by mass of tetrahydrofuran were placed, followed by stirring at room temperature for 2 hours. 5 parts by mass of sodium hydrogencarbonate was added to the reaction solution, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The insoluble material was filtered and concentrated to obtain 17 parts by mass of tetrahydrofuran-2-methacrylate as a colorless liquid. To the reaction vessel equipped with another stirrer, 17 parts by mass of the obtained tetrahydrofuran-2-methacrylate-2-yl, 13.6 parts by mass of 4,4'-thiobisbenzenethiol (Sigma Aldrich Co.) ) And 100 parts by mass of tetrahydrofuran (manufactured by Sigma-Aldrich Co.), and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After the obtained reaction product was washed with water, the unreacted material was distilled off under reduced pressure to obtain the intended compound (C-1) having an acid-dissociable group in a yield of 80%. 1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3) of Compound (C-1) was 隆 1.25 (6H, d), 隆 1.85-2.11 (8H, m), 隆 2.82-3.09 (2H, t),? 7.22 (2H, d),? 7.42 (2H, d).

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Figure pat00027

[합성예 8] 화합물(C-2)의 합성[Synthesis Example 8] Synthesis of Compound (C-2)

교반기를 구비한 반응 용기에, M-5400(동아합성)을 30질량부, 에틸비닐에테르(시그마알드리치사)를 8.2질량부, 촉매로서 p-톨루엔술폰산 1수화물(시그마알드리치사)을 0.02질량부, 테트라하이드로푸란 20질량부를 넣은 후, 실온에서 2시간 교반했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5질량부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하여, 불용물을 여과 후, 농축함으로써, 프탈산(1-에톡시에틸)2-(아크릴로일옥시)에틸 36질량부를 무색 액체물로서 얻었다. 다른 교반기를 구비한 반응 용기에, 얻어진 프탈산(1-에톡시에틸)2-(아크릴로일옥시)에틸을 30질량부, 1,4-벤젠디메탄티올(시그마알드리치사)을 7.6질량부, 탄산 칼륨(시그마알드리치사)을 62질량부, 테트라하이드로푸란(시그마알드리치사)을 80질량부 넣은 후, 실온에서 3시간 교반했다. 얻어진 반응 생성물을 물 세정한 후, 미반응물을 감압 증류 제거함으로써 목적의 산 해리성기를 갖는 화합물(C-2)를 수율 80%로 얻었다. 1H-NMR(300㎒, CDCL3)로 구조를 동정(同定)했다.To a reaction vessel equipped with a stirrer, 30 parts by mass of M-5400 (East Asia Synthesis), 8.2 parts by mass of ethyl vinyl ether (Sigma Aldrich), 0.02 parts by mass of p-toluenesulfonic acid monohydrate (Sigma Aldrich) And 20 parts by mass of tetrahydrofuran, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. To the reaction mixture, 5 parts by mass of sodium hydrogencarbonate was added and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The insoluble material was filtered and concentrated to obtain 36 parts by mass of phthalic acid (1-ethoxyethyl) 2- (acryloyloxy) Water. 30 parts by mass of the obtained phthalic acid (1-ethoxyethyl) 2- (acryloyloxy) ethyl, 7.6 parts by mass of 1,4-benzene dimethanethiol (Sigma Aldrich) 62 parts by mass of potassium carbonate (Sigma-Aldrich) and 80 parts by mass of tetrahydrofuran (Sigma-Aldrich) were added and stirred at room temperature for 3 hours. After the obtained reaction product was washed with water, the unreacted material was distilled off under reduced pressure to obtain the intended compound (C-2) having an acid-dissociable group in a yield of 80%. The structure was identified with 1 H-NMR (300 MHz, CDCL 3).

Figure pat00028
Figure pat00028

[합성예 9] 화합물(C-3)의 합성[Synthesis Example 9] Synthesis of Compound (C-3)

교반기를 구비한 반응 용기에, 메타크릴산을 10질량부(시그마알드리치사), 3,4-디하이드로-2H-피란(시그마알드리치사)을 9.8질량부, 촉매로서 p-톨루엔술폰산 1수화물(시그마알드리치사)을 0.02질량부, 테트라하이드로푸란 20질량부를 넣은 후, 실온에서 2시간 교반했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5질량부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하여, 불용물을 여과 후, 농축함으로써, 메타크릴산 테트라하이드로-2H-피란-2-일 18질량부를 무색 액체물로서 얻었다. 다른 교반기를 구비한 반응 용기에, 얻어진 메타크릴산 테트라하이드로-2H-피란-2-일을 17질량부, TS-G(시코쿠화성)를 9.6질량부, 탄산 칼륨(시그마알드리치사)을 34질량부, 테트라하이드로푸란(시그마알드리치사)을 50질량부 넣은 후, 실온에서 3시간 교반했다. 얻어진 반응 생성물을 물 세정한 후, 미반응물을 감압 증류 제거함으로써 목적의 산 해리성기를 갖는 화합물(C-3)을 수율 92%로 얻었다. 1H-NMR(300㎒, CDCL3)로 구조를 동정했다.10 parts by mass of methacrylic acid (Sigma Aldrich Co.), 9.8 parts by mass of 3,4-dihydro-2H-pyran (Sigma-Aldrich Co.), and p-toluenesulfonic acid monohydrate Manufactured by Sigma-Aldrich), and 20 parts by mass of tetrahydrofuran, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. 5 parts by mass of sodium hydrogencarbonate was added to the reaction mixture, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The insoluble material was filtered and concentrated to obtain 18 parts by mass of tetrahydro-2H-pyran-2-ylmethacrylate as a colorless liquid. 17 parts by mass of the resulting tetrahydro-2H-pyran-2-ylmethacrylate obtained, 9.6 parts by mass of TS-G (Shikoku Chemical), 34 parts by mass of potassium carbonate (Sigma Aldrich Co.) And 50 parts by mass of tetrahydrofuran (manufactured by Sigma-Aldrich Co.) were added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After the obtained reaction product was washed with water, the unreacted material was distilled off under reduced pressure to obtain the desired compound (C-3) having an acid-dissociable group in a yield of 92%. The structure was identified by 1 H-NMR (300 MHz, CDCL 3).

Figure pat00029
Figure pat00029

[합성예 10] 화합물(C-4)의 합성[Synthesis Example 10] Synthesis of Compound (C-4)

교반기를 구비한 반응 용기에, 메타크릴산을 10질량부(시그마알드리치사), 부틸비닐에테르(시그마알드리치사)를 11.6질량부, 촉매로서 p-톨루엔술폰산 1수화물(시그마알드리치사)을 0.02질량부, 테트라하이드로푸란 20질량부를 넣은 후, 실온에서 2시간 교반했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5질량부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하여, 불용물을 여과 후, 농축함으로써, 메타크릴산 1-부톡시에틸 22질량부를 무색 액체물로서 얻었다. 다른 교반기를 구비한 반응 용기에, 얻어진 메타크릴산 1-부톡시에틸을 20질량부, 트리스-[(3-메르캅토프로피오닐옥시)-에틸]-이소시아누레이트(사카이화학)를 18.8질량부, 탄산 칼륨(시그마알드리치사)을 50질량부, 테트라하이드로푸란(시그마알드리치사)을 70질량부 넣은 후, 실온에서 3시간 교반했다. 얻어진 반응 생성물을 물 세정한 후, 미반응물을 감압 증류 제거함으로써 목적의 산 해리성기를 갖는 화합물(C-4)를 수율 87%로 얻었다. 1H-NMR(300㎒, CDCL3)로 구조를 동정했다.11.6 parts by mass of methacrylic acid (Sigma Aldrich), butyl vinyl ether (Sigma Aldrich), and 0.02 mass parts of p-toluenesulfonic acid monohydrate (Sigma Aldrich) as a catalyst were added to a reaction vessel equipped with a stirrer And 20 parts by mass of tetrahydrofuran were placed, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. To the reaction mixture was added 5 parts by mass of sodium hydrogencarbonate, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The insoluble material was filtered and concentrated to obtain 22 parts by mass of 1-butoxyethyl methacrylate as a colorless liquid. 20 parts by mass of the resulting 1-butoxyethyl methacrylate and 18.8 parts by mass of tris- [(3-mercaptopropionyloxy) -ethyl] -isocyanurate (Sakai Chemical) were added to a reaction vessel equipped with another stirrer , 50 parts by mass of potassium carbonate (Sigma Aldrich) and 70 parts by mass of tetrahydrofuran (Sigma Aldrich) were added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After the obtained reaction product was washed with water, the unreacted material was distilled off under reduced pressure to obtain the intended compound (C-4) having an acid-dissociable group in a yield of 87%. The structure was identified by 1 H-NMR (300 MHz, CDCL 3).

Figure pat00030
Figure pat00030

[합성예 11] 화합물(C-5)의 합성[Synthesis Example 11] Synthesis of Compound (C-5)

교반기를 구비한 반응 용기에, 6-((6-(아크릴로일옥시)헥사노일)옥시)헥산산을 30질량부(시그마알드리치사), 3,4-디하이드로-2H-피란(시그마알드리치사)을 8.4질량부, 촉매로서 p-톨루엔술폰산 1수화물(시그마알드리치사)을 0.02질량부, 테트라하이드로푸란 20질량부를 넣은 후, 실온에서 2시간 교반했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5질량부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하여, 불용물을 여과 후, 농축함으로써, 6-(아크릴로일옥시)헥산산 6-(1-(사이클로헥실옥시)에톡시)-6-옥소헥실 38질량부를 무색 액체물로서 얻었다. 다른 교반기를 구비한 반응 용기에, 얻어진 6-(아크릴로일옥시)헥산산 6-(1-(사이클로헥실옥시)에톡시)-6-옥소헥실을 20질량부, 카렌즈 MTPE1(쇼와전공)를 6.4질량부, 탄산 칼륨(시그마알드리치사)을 16질량부, 테트라하이드로푸란(시그마알드리치사)을 30질량부 넣은 후, 실온에서 3시간 교반했다. 얻어진 반응 생성물을 물 세정한 후, 미반응물을 감압 증류 제거함으로써 목적의 산 해리성기를 갖는 화합물(C-5)를 수율 90%로 얻었다. 1H-NMR(300㎒, CDCL3)로 구조를 동정했다.30 parts by mass of 6 - ((6- (acryloyloxy) hexanoyl) oxy) hexanoic acid (Sigma Aldrich), 3,4-dihydro-2H-pyran (Sigma Aldrich Toluene sulfonic acid monohydrate (Sigma Aldrich) as a catalyst, and 20 parts by mass of tetrahydrofuran, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. To the reaction mixture was added 5 parts by mass of sodium hydrogencarbonate and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The insoluble material was filtered and concentrated to obtain 6- (acryloyloxy) hexanoic acid 6- (1- (cyclohexyloxy) Oxy) -6-oxohexyl (38 parts by mass) as a colorless liquid. 20 parts by mass of the obtained 6- (acryloyloxy) hexanoic acid 6- (1- (cyclohexyloxy) ethoxy) -6-oxohexyl was added to a reaction vessel equipped with another stirrer, 6.4 parts by mass), 16 parts by mass of potassium carbonate (Sigma-Aldrich Co.) and 30 parts by mass of tetrahydrofuran (Sigma Aldrich) were added and stirred at room temperature for 3 hours. After the obtained reaction product was washed with water, the unreacted material was distilled off under reduced pressure to obtain the intended compound (C-5) having an acid-dissociable group in a yield of 90%. The structure was identified by 1 H-NMR (300 MHz, CDCL 3).

Figure pat00031
Figure pat00031

[합성예 12] 화합물(C-6)의 합성[Synthesis Example 12] Synthesis of Compound (C-6)

교반기를 구비한 반응 용기에, 메타크릴산을 10질량부(시그마알드리치사), 클로로트리메틸실란(시그마알드리치사)을 12.6질량부, 1-메틸이미다졸(시그마알드리치사)을 9.5질량부, 테트라하이드로푸란 20질량부를 넣은 후, 실온에서 2시간 교반했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5질량부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하여, 불용물을 여과 후, 농축함으로써, 메타크릴산 트리메틸실릴 17질량부를 무색 액체물로서 얻었다. 다른 교반기를 구비한 반응 용기에, 얻어진 메타크릴산 트리메틸실릴을 15질량부, TS-G(시코쿠화성)를 9.1질량부, 탄산 칼륨(시그마알드리치사)을 33질량부, 테트라하이드로푸란(시그마알드리치사)을 50질량부 넣은 후, 실온에서 3시간 교반했다. 얻어진 반응 생성물을 물 세정한 후, 미반응물을 감압 증류 제거함으로써 목적의 산 해리성기를 갖는 화합물(C-6)을 수율 80%로 얻었다. 1H-NMR(300㎒, CDCL3)로 구조를 동정했다.10 parts by mass of methacrylic acid (Sigma Aldrich), 12.6 parts by mass of chlorotrimethylsilane (Sigma Aldrich), 9.5 parts by mass of 1-methylimidazole (Sigma Aldrich) And 20 parts by mass of tetrahydrofuran were added thereto, followed by stirring at room temperature for 2 hours. To the reaction mixture was added 5 parts by mass of sodium hydrogencarbonate, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The insoluble material was filtered and concentrated to obtain 17 parts by mass of trimethylsilyl methacrylate as a colorless liquid. 15 parts by mass of the obtained trimethylsilyl methacrylate, 9.1 parts by mass of TS-G (Shikoku Chemical), 33 parts by mass of potassium carbonate (Sigma Aldrich Co.), and 10 parts by mass of tetrahydrofuran 50 parts by mass was added thereto, followed by stirring at room temperature for 3 hours. The resulting reaction product was washed with water, and the unreacted material was distilled off under reduced pressure to obtain the desired compound (C-6) having an acid-dissociable group in a yield of 80%. The structure was identified by 1 H-NMR (300 MHz, CDCL 3).

Figure pat00032
Figure pat00032

[합성예 13] 화합물(C-7)의 합성[Synthesis Example 13] Synthesis of Compound (C-7)

교반기를 구비한 반응 용기에, 메타크릴산을 10질량부(시그마알드리치사), 3,4-디하이드로-2H-피란(시그마알드리치사)을 9.8질량부, 촉매로서 p-톨루엔술폰산 1수화물(시그마알드리치사)을 0.02질량부, 테트라하이드로푸란 20질량부를 넣은 후, 실온에서 2시간 교반했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5질량부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하여, 불용물을 여과 후, 농축함으로써, 메타크릴산 테트라하이드로-2H-피란-2-일 18질량부를 무색 액체물로서 얻었다. 다른 교반기를 구비한 반응 용기에, 얻어진 메타크릴산 테트라하이드로-2H-피란-2-일을 15질량부, 5-(트리플루오로메틸)벤젠-1,3-디아민(시그마알드리치사)을 7.8질량부, 탄산 칼륨(시그마알드리치사)을 60질량부, 테트라하이드로푸란(시그마알드리치사)을 80질량부 넣은 후, 60℃의 오일 배스에 담궈 5시간 교반했다. 얻어진 반응 생성물을 실온으로 되돌린 후, 물 세정하고, 미반응물을 감압 증류 제거함으로써 목적의 산 해리성기를 갖는 화합물(C-7)을 수율 85%로 얻었다. 1H-NMR(300㎒, CDCL3)로 구조를 동정했다.10 parts by mass of methacrylic acid (Sigma-Aldrich Co.), 9.8 parts by mass of 3,4-dihydro-2H-pyran (Sigma Aldrich Co.), and p-toluenesulfonic acid monohydrate Manufactured by Sigma-Aldrich), and 20 parts by mass of tetrahydrofuran, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. 5 parts by mass of sodium hydrogencarbonate was added to the reaction mixture, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The insoluble matter was filtered and concentrated to obtain 18 parts by mass of tetrahydro-2H-pyran-2-ylmethacrylate as a colorless liquid. 15 parts by mass of the obtained tetrahydro-2H-pyran-2-ylmethacrylate obtained in the above, and 5- (trifluoromethyl) benzene-1,3-diamine (Sigma Aldrich) 60 parts by mass of potassium carbonate (Sigma-Aldrich) and 80 parts by mass of tetrahydrofuran (Sigma Aldrich) were placed in an oil bath at 60 ° C and stirred for 5 hours. The obtained reaction product was returned to room temperature, washed with water, and the unreacted material was distilled off under reduced pressure to obtain the desired compound (C-7) having an acid-dissociable group in a yield of 85%. The structure was identified by 1 H-NMR (300 MHz, CDCL 3).

Figure pat00033
Figure pat00033

[합성예 14] 화합물(C-8)의 합성[Synthesis Example 14] Synthesis of Compound (C-8)

교반기를 구비한 반응 용기에, 메타크릴산 4-하이드록시페닐을 20질량부(시그마알드리치사), 에틸비닐에테르(시그마알드리치사)를 8.1질량부, 촉매로서 p-톨루엔술폰산 1수화물(시그마알드리치사)을 0.02질량부, 테트라하이드로푸란 20질량부를 넣은 후, 실온에서 2시간 교반했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5질량부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하여, 불용물을 여과 후, 농축함으로써, 메타크릴산 4-(1-에톡시에톡시)페닐 26질량부를 무색 액체물로서 얻었다. 다른 교반기를 구비한 반응 용기에, 얻어진 메타크릴산 4-(1-에톡시에톡시)페닐을 20질량부, TS-G(시코쿠화성)를 7.6질량부, 탄산 칼륨(시그마알드리치사)을 28질량부, 테트라하이드로푸란(시그마알드리치사)을 40질량부 넣은 후, 실온에서 3시간 교반했다. 얻어진 반응 생성물을 물 세정한 후, 미반응물을 감압 증류 제거함으로써 목적의 산 해리성기를 갖는 화합물(C-8)을 수율 89%로 얻었다. 1H-NMR(300㎒, CDCL3)로 구조를 동정했다.In a reaction vessel equipped with a stirrer, 20 parts by mass of 4-hydroxyphenyl methacrylate (Sigma Aldrich), 8.1 parts by mass of ethyl vinyl ether (Sigma Aldrich), and p-toluenesulfonic acid monohydrate (Sigma Aldrich 0.02 part by mass, and 20 parts by mass of tetrahydrofuran, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. 5 parts by mass of sodium hydrogencarbonate was added to the reaction mixture, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour, insoluble matter was filtered off and concentrated to obtain 26 parts by mass of 4- (1-ethoxyethoxy) methacrylate as a colorless liquid . 20 parts by mass of the obtained 4- (1-ethoxyethoxy) methacrylate, 7.6 parts by mass of TS-G (Shikoku Chemical), 28 parts by mass of potassium carbonate (Sigma Aldrich) And 40 parts by mass of tetrahydrofuran (manufactured by Sigma-Aldrich Co.) were added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After the obtained reaction product was washed with water, the unreacted material was distilled off under reduced pressure to obtain the desired compound (C-8) having an acid-dissociable group in a yield of 89%. The structure was identified by 1 H-NMR (300 MHz, CDCL 3).

Figure pat00034
Figure pat00034

[합성예 15] 화합물(C-9)의 합성[Synthesis Example 15] Synthesis of Compound (C-9)

교반기를 구비한 반응 용기에, 3,3',3''-(2,4,6-트리옥소-1,3,5-트리아지난-1,3,5-트리일)트리프로피온산(시코쿠화성)을 10질량부(시그마알드리치사), 3,4-디하이드로-2H-피란(시그마알드리치사)을 7.3질량부, 촉매로서 p-톨루엔술폰산 1수화물(시그마알드리치사)을 0.02질량부, 테트라하이드로푸란 20질량부를 넣은 후, 실온에서 3시간 교반했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5질량부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하여, 불용물을 여과 후, 농축했다. 얻어진 반응 생성물을 물 세정한 후, 미반응물을 감압 증류 제거함으로써 목적의 산 해리성기를 갖는 화합물(C-9)를 수율 70%로 얻었다. 1H-NMR(300㎒, CDCL3)로 구조를 동정했다.To a reaction vessel equipped with a stirrer, 3,3 ', 3 "- (2,4,6-trioxo-1,3,5-triazine-1,3,5-triyl) ), 7.3 parts by mass of 3,4-dihydro-2H-pyran (Sigma Aldrich), 0.02 parts by mass of p-toluenesulfonic acid monohydrate (Sigma Aldrich) as a catalyst, And 20 parts by mass of hydrofuran were added thereto, followed by stirring at room temperature for 3 hours. To the reaction solution, 5 parts by mass of sodium hydrogencarbonate was added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The insoluble matter was filtered and then concentrated. After the reaction product obtained was washed with water, the unreacted material was distilled off under reduced pressure to obtain the desired compound (C-9) having an acid-dissociable group in a yield of 70%. The structure was identified by 1 H-NMR (300 MHz, CDCL 3).

Figure pat00035
Figure pat00035

<감방사선성 수지 조성물의 조제>&Lt; Preparation of radiation-sensitive resin composition >

실시예 및 비교예의 감방사선성 수지 조성물의 조제에 이용한 [B]산 발생체 및 [D]산화 방지제 등을 이하에 나타낸다.The [B] acid generator and [D] antioxidant used for preparing the radiation sensitive resin compositions of the examples and comparative examples are shown below.

[B]산 발생체[B] acid generator

B-1:[(5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴](BASF사 조제의 「IRGACURE PAG 103」)B-1: [(5-Propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile] ("IRGACURE PAG 103"

B-2:[(5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴](BASF사 조제의 「IRGACURE PAG 121」)B-2: [(5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2- methylphenyl) acetonitrile] ("IRGACURE PAG 121"

B-3:트리플루오로메탄술폰산-1,8-나프탈이미드B-3: Trifluoromethanesulfonic acid-1,8-naphthalimide

B-4:1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)에탄(1.0몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 염화물(2.0몰)과의 축합물B-4: A condensate of 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol)

B-5:미도리화학사 제조 PAI-101B-5: PAI-101 manufactured by Midori Chemical Industry Co., Ltd.

B-6:산아프로사 제조 CPI-100PB-6: CPI-100P

[D]산화 방지제[D] Antioxidant

D-1:트리스-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시벤질)-이소시아누레이트(ADEKA사의 「아데카스타브 AO-20」)D-1: Tris- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate (Adekastab AO-

D-2:펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트](ADEKA사의 「아데카스타브 AO-60」)D-2: pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (Adekastab AO-60 from ADEKA)

[E]가교제[E] Crosslinking agent

E-1:페놀 노볼락형 에폭시 수지(재팬에폭시레진사의 「JER 157S65」)E-1: phenol novolak type epoxy resin ("JER 157S65" manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.)

E-2:OGSOL PG-100(오사카가스케미컬사 제조)E-2: OGSOL PG-100 (manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.)

E-3:ETERNACOLL OXBP(우베흥산사 제조)E-3: ETERNACOLL OXBP (manufactured by Ube Industries, Ltd.)

[F]증감제[F] Thickener

F-1:안트라큐어-UVS-1331(가와사키화성공업사 제조)F-1: Anthracure-UVS-1331 (manufactured by Kawasaki Chemical Industry Co., Ltd.)

[G]산 확산 제어제[G] acid diffusion control agent

G-1:1,5-디아자바이사이클로[4.3.0]-5-노넨(시그마알드리치사)G-1: 1,5-Diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene (Sigma Aldrich)

G-2:2-페닐벤조이미다졸(시그마알드리치사)G-2: 2-phenylbenzoimidazole (Sigma Aldrich)

<감방사선성 수지 조성물의 조제>&Lt; Preparation of radiation-sensitive resin composition >

[실시예 1][Example 1]

중합체(A-1) 100질량부(고형분)에 상당하는 양에 대하여, 산 발생체(B-1) 3질량부, [C]화합물(C-1) 10질량부 및 밀착 조제로서 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란 3질량부를 혼합하여, 고형분 농도가 30질량%가 되도록 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해시킨 후, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 감방사선성 수지 조성물을 조제했다., 3 parts by mass of the acid generator (B-1), 10 parts by mass of the [C] compound (C-1), and 3 parts by mass of the 3-glycidyl ether as the adhesion assistant were added to 100 parts by mass (solid content) And 3 parts by mass of cydyloxypropyltrimethoxysilane were mixed and dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether so as to have a solid content concentration of 30% by mass, followed by filtration through a membrane filter having a pore size of 0.2 탆 to prepare a radiation- did.

[실시예 2 내지 21 및 비교예 1 내지 5][Examples 2 to 21 and Comparative Examples 1 to 5]

하기표 1, 표 2에 나타내는 종류 및 배합량의 [A]중합체, [B]산 발생체, [C]화합물, [D]산화 방지제, [E]가교제, [F]증감제 및 [G]산 확산 제어제를 각각 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 조작하여, 실시예 2∼21 및 비교예 1∼5의 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. 또한, 어느 감방사선성 수지 조성물에 있어서도, 실시예 1과 동일하게, 밀착 조제로서 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란 3질량부를 혼합하고 있다. 표 1, 표 2에 있어서, 「-」은 해당하는 성분을 배합하지 않은 것을 나타낸다.[A] polymer, [B] acid generator, [C] compound, [D] antioxidant, [E] crosslinking agent, [F] sensitizer and [G] acid Sensitive adhesive compositions of Examples 2 to 21 and Comparative Examples 1 to 5 were prepared in the same manner as in Example 1, Further, in any of the radiation-sensitive resin compositions, 3 parts by mass of 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane was mixed as an adhesion aid in the same manner as in Example 1. In Table 1 and Table 2, &quot; - &quot; indicates that the corresponding components are not blended.

<평가><Evaluation>

실시예 1∼21 및 비교예 1∼5의 감방사선성 수지 조성물로 경화막을 형성하고, 이하에 설명하는 수법에 의해, 방사선 감도, 잔막율, 굴절률, 투과율, 비유전율(절연성) 및 배선 부식(부식 방지성)을 평가했다. 실시예 1∼21 및 비교예 1∼5의 평가 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다.The cured film was formed from the radiation sensitive resin compositions of Examples 1 to 21 and Comparative Examples 1 to 5 and the radiation sensitivity, the residual film ratio, the refractive index, the transmittance, the relative dielectric constant (insulation) and the wiring corrosion Corrosion resistance) was evaluated. The evaluation results of Examples 1 to 21 and Comparative Examples 1 to 5 are shown in Tables 1 and 2.

[감방사선성 조성물의 방사선 감도의 평가][Evaluation of radiation sensitivity of radiation sensitive composition]

스피너를 이용하여, 60℃에서 60초간 HMDS 처리한 실리콘 기판 상에 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이 도막에 캐논사 제조의 MPA-600FA 노광기를 이용하여, 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 갖는 패턴 마스크를 개재하여, 수은 램프에 의해서 소정량의 자외선을 조사했다. 이어서, 테트라메틸암모늄하이드록시드 2.38질량% 수용액으로 이루어지는 현상액을 이용하여, 25℃에서 60초 현상 처리를 행한 후, 초순수로 1분간 유수 세정을 행했다. 이 때, 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 형성 가능한 최소 노광량을 측정했다. 이 측정값이 150mJ/㎡ 미만인 경우에 감도는 양호하고, 150mJ/㎡ 이상인 경우에 불량으로 평가할 수 있다.The radiation-sensitive resin composition was coated on a silicon substrate subjected to HMDS treatment at 60 占 폚 for 60 seconds using a spinner, and then prebaked on a hot plate at 90 占 폚 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 占 퐉. This coating film was irradiated with a predetermined amount of ultraviolet light by a mercury lamp through a pattern mask having a line-and-space pattern of width 10 mu m using an MPA-600FA exposure machine manufactured by Canon Inc. Subsequently, development was carried out at 25 DEG C for 60 seconds using a developer consisting of 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, followed by water washing with ultrapure water for 1 minute. At this time, the minimum exposure amount capable of forming a line-and-space pattern having a width of 10 mu m was measured. When the measured value is less than 150 mJ / m &lt; 2 &gt;, the sensitivity is good, and when the measured value is not less than 150 mJ / m &

[잔막율의 평가][Evaluation of residual film ratio]

상기 「감방사선성 조성물의 방사선 감도의 평가」와 동일하게, 실리콘 기판 상에 도막을 형성했다. 이어서, 100㎛의 라인·앤드·스페이스(1대1)의 패턴을 갖는 마스크를 개재하여, 도막에 대하여 소정량의 자외선을 조사한 후, 2.38질량%의 테트라메틸암모늄하이드록시드 수용액으로 25℃에서 80초간 현상 처리를 행했다. 이어서, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하여, 건조함으로써, 패턴을 형성했다.A coating film was formed on the silicon substrate in the same manner as in &quot; Evaluation of radiation sensitivity of the radiation sensitive composition &quot;. Subsequently, a predetermined amount of ultraviolet light was irradiated to the coating film through a mask having a pattern of a line-and-space (one-to-one) of 100 mu m, and then the coating film was irradiated with ultraviolet light of 2.38 mass% in tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 25 DEG C And development processing was performed for 80 seconds. Subsequently, the substrate was washed with ultra-pure water for 1 minute and dried to form a pattern.

현상 후 패턴 높이(T1)를 촉침식 막 두께 측정 장치 α-스텝(KLA 텐콜사 제조)에 의해 측정했다. 그 후, 패턴 형성된 실리콘 기판을 클린 오븐 내에서 220℃에서 1시간 가열하여, 열 경화 후의 패턴을 얻었다. 동일하게 하여, 열 경화 후의 패턴 높이(t1)를 측정했다. 이들 측정값으로부터, 잔막율{(T1-t1)/T1}×100[%]를 산출했다. 이 때, 잔막율이 80% 이상인 경우에 양호하고, 80% 미만인 경우에 불량으로 평가할 수 있다.After development, the pattern height (T1) was measured by a stylus type film thickness measuring apparatus? -Step (manufactured by KLA Tencor Corporation). Thereafter, the patterned silicon substrate was heated in a clean oven at 220 캜 for 1 hour to obtain a pattern after heat curing. In the same manner, the pattern height t1 after thermosetting was measured. From these measured values, the residual film ratio {(T1-t1) / T1} x 100 [%] was calculated. At this time, it is good when the residual film ratio is 80% or more, and can be evaluated as poor when it is less than 80%.

[절연성(비유전율)의 평가][Evaluation of dielectric property (relative dielectric constant)] [

스피너를 이용하여, SUS 기판 상에 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 노광기(캐논사의 「MPA-600FA」)를 이용하여, 적산 조사량이 9,000J/㎡가 되도록 상기 도막을 노광하고, 노광한 기판을 클린 오븐 내에서 200℃에서 30분 가열함으로써, SUS 기판 상에 절연막을 형성했다. 이어서, 증착법에 의해, 상기 절연막 상에 Pt/Pd 전극 패턴을 형성하여 유전율 측정용 샘플을 제작했다. 이 전극 패턴을 갖는 기판에 대하여, 전극(요코가와·뷰렛패커드사의 「HP16451B,」) 및 프레시젼 LCR 미터(요코가와·뷰렛패커드사의 「HP4284A」)를 이용하여, 주파수 10㎑에서 CV법에 의해 비유전율의 측정을 행했다. 비유전율이 3.7 이하인 경우에 절연성이 양호라고, 3.7을 초과하는 경우에 절연성이 불량이라고 평가할 수 있다.Using a spinner, a radiation-sensitive resin composition was coated on an SUS substrate and prebaked on a hot plate at 90 占 폚 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 占 퐉. The above coated film was exposed using an exposure machine ("MPA-600FA" manufactured by Canon Inc.) so that the cumulative amount of irradiation was 9,000 J / m 2, and the exposed substrate was heated in a clean oven at 200 ° C for 30 minutes, . Then, a Pt / Pd electrode pattern was formed on the insulating film by a vapor deposition method to prepare a sample for measuring a dielectric constant. Using a electrode (HP16451B, manufactured by Yokogawa Buret Packard Co., Ltd.) and a Precision LCR meter (HP4284A manufactured by Yokogawa Buret Packard Co., Ltd.), a substrate having this electrode pattern was subjected to a CV method To measure the relative dielectric constant. When the relative dielectric constant is 3.7 or less, the insulation property is good, and when it is 3.7 or more, the insulation property is inferior.

[배선 부식의 평가][Evaluation of Wiring Corrosion]

스피너를 이용하여, 알루미늄으로 형성된 빗살형의 배선 기판 상에 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃로 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 노광기(캐논사의 「MPA-600FA」)를 이용하여, 적산 조사량이 9,000J/㎡가 되도록 상기 도막을 노광하고, 노광한 기판을 클린 오븐 내에서 200℃로 30분 가열함으로써, 배선 기판 상에 절연막을 형성했다. 이 배선 기판에 대하여, 65℃/90%의 습열 조건하에서, 500시간 방치하여, 배선 부식 시험을 실시했다. 시험 후의 기판에 대해서, 배선 부식의 유무를 광학 현미경으로 관찰(하기 도)하여 배선 부식성을 이하의 기준으로 평가했다. A:배선 부식 없음, B:배선 부식 있음.Using a spinner, a radiation-sensitive resin composition was coated on a comb-shaped wiring board formed of aluminum, and then baked on a hot plate at 90 DEG C for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 mu m. The above coated film was exposed using an exposure machine ("MPA-600FA" manufactured by Canon Inc.) so that the cumulative irradiation amount was 9,000 J / m 2, and the exposed substrate was heated in a clean oven at 200 ° C for 30 minutes, . The wiring board was allowed to stand under a moist heat condition of 65 占 폚 / 90% for 500 hours to conduct a wiring corrosion test. With respect to the substrate after the test, the presence or absence of the wiring corrosion was observed with an optical microscope (see also below), and the wiring corrosion resistance was evaluated based on the following criteria. A: No wiring corrosion, B: Wiring corrosion.

A:배선 부식 없음(도 1 참조)A: No wiring corrosion (see Fig. 1)

B:배선 부식 있음(도 2 참조)B: Wiring corrosion (see Fig. 2)

[굴절률의 평가][Evaluation of refractive index]

유리 기판 상에 스피너를 이용하여, 실시예 및 비교예로서 조제한 감방사선성 수지 조성물 중 어느 것을 도포한 후, 90℃로 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 3,000J/㎡가 되도록 자외선을 조사했다.Each of the radiation sensitive resin compositions prepared as Examples and Comparative Examples was coated on a glass substrate using a spinner and then prebaked on a hot plate at 90 占 폚 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 占 퐉. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the cumulative irradiation amount was 3,000 J / m 2 by a mercury lamp.

이어서, 이 유리 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃, 60분간 가열했다. 얻어진 경화막의 굴절률을 Metricon사의 「프리즘 커플러 모델 2010」으로 측정했다. 굴절률은, 408㎚, 633㎚ 및 828㎚의 3파장에서 측정하고, Cauchy의 식을 이용하여 D선(589㎚)에서의 굴절률(nD)을 구했다. F선(486㎚) 및 C선(656㎚)의 굴절률에 대해서도 동일하게 하여 구하여, 아베수(vD)를 산출했다. 굴절률(nD)은, 1.56 이상인 경우를 「A」, 1.56 미만인 경우를 「B」로서 평가했다.Subsequently, this glass substrate was heated on a hot plate at 200 DEG C for 60 minutes. The refractive index of the obtained cured film was measured by "Prism Coupler Model 2010" manufactured by Metricon. The refractive index was measured at three wavelengths of 408 nm, 633 nm, and 828 nm, and the refractive index (nD) at the D line (589 nm) was determined using the Cauchy equation. The refractive indices of the F-line (486 nm) and the C-line (656 nm) were similarly calculated to calculate Abbe's number vD. The refractive index nD was evaluated as "A" when the refractive index was 1.56 or more and "B" when the refractive index was less than 1.56.

[투과율의 평가][Evaluation of transmittance]

스피너를 이용하여, 유리 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃로 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 1,000J/㎡가 되도록 자외선을 조사했다. 이어서, 이 유리 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃로 30분간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 투과율을 자외 가시 분광 광도계(V-630, 일본분광 제조)를 이용하여 측정했다. 이 때, 파장 400㎚의 빛의 투과율이 90% 이상인 경우를 양호(투명성이 좋음)로, 90% 미만인 경우를 불량(투명성이 나쁨)으로 평가할 수 있다. 결과를 표에 나타낸다.Using the spinner, each resin composition for forming a cured film was applied onto a glass substrate, and then prebaked on a hot plate at 90 DEG C for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 mu m. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the cumulative amount of irradiation was 1,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, this glass substrate was heated on a hot plate at 200 DEG C for 30 minutes to obtain a cured film. The transmittance of the resulting cured film was measured using an ultraviolet visible spectrophotometer (V-630, manufactured by JASCO Corporation). In this case, the case where the transmittance of light having a wavelength of 400 nm is 90% or more is evaluated as good (good transparency), and the case of less than 90% is evaluated as bad (poor transparency). The results are shown in the table.

Figure pat00036
Figure pat00036

표 1 중, 「-」은 첨가하지 않은 것을 나타낸다.In Table 1, "-" indicates that no addition is made.

Figure pat00037
Figure pat00037

표 2 중, 「-」은 첨가하지 않은 것을 나타낸다.In Table 2, &quot; - &quot; indicates that no addition was made.

표 1, 표 2의 결과로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1 내지 21의 감방사선성 수지 조성물 및 경화막은, 비교예 1 내지 5의 감방사선성 수지 조성물 및 경화막에 비교하여, 방사선 감도가 높고, 잔막율도 높고, 얻어지는 경화막은 고굴절률이고, 투명성, 절연성 및 부식 방지성이 우수한 것이었다.As apparent from the results of Tables 1 and 2, the radiation-sensitive resin compositions and the cured films of Examples 1 to 21 are superior to the radiation-sensitive resin compositions and cured films of Comparative Examples 1 to 5 in radiation sensitivity, And the resulting cured film had a high refractive index and was excellent in transparency, insulation, and corrosion resistance.

Claims (7)

[A]중합체,
[B]감방사선성 산 발생체, 그리고
[C]하기식(1)로 나타나는 기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물
을 함유하는 감방사선성 수지 조성물:
Figure pat00038

(식(1) 중, Z는 황 원자 또는 질소 원자를 나타내고, X는 탄소수 2 이상의 2가의 탄화수소기를 나타내고, Y는 산 해리성기 또는 산 해리성기를 갖는 유기기를 나타내고;
*는 결합 위치를 나타냄).
[A] Polymer,
[B] Radiation-sensitive acid generator, and
[C] a compound having two or more groups represented by the following formula (1) in one molecule:
Wherein the radiation-sensitive resin composition comprises:
Figure pat00038

(In the formula (1), Z represents a sulfur atom or a nitrogen atom, X represents a divalent hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms, Y represents an organic group having an acid dissociable group or an acid dissociable group;
* Represents the binding position).
제1항에 있어서,
상기 산 해리성기가, 하기식(2), 하기식(3) 및 하기식(4)로부터 선택되는 1개의 기인 감방사선성 수지 조성물:
Figure pat00039

Figure pat00040

Figure pat00041

(식(2) 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 30의 탄화수소기, 또는 탄소수 1 내지 30의 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부를 하이드록실기, 할로겐 원자 혹은 시아노기로 치환한 기이고(단, R1 및 R2가 함께 수소 원자인 경우는 없음); R3은, 탄소수 1 내지 30의 에테르기, 탄소수 1 내지 30의 탄화수소기, 또는 탄소수 1 내지 30의 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부를 하이드록실기, 할로겐 원자 혹은 시아노기로 치환한 기이고;
식(3) 중, R4 내지 R10은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 12의 탄화수소기이고; n은 1 또는 2의 정수이고;
식(4) 중, R11 내지 R13은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 30의 탄화수소기, 또는 탄소수 1 내지 12의 에테르기이고;
*는 결합 위치를 나타냄).
The method according to claim 1,
Wherein the acid dissociable group is one group selected from the following formulas (2), (3) and (4):
Figure pat00039

Figure pat00040

Figure pat00041

(In the formula (2), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, or a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, a cyano group a group substituted with a (where, R 1 and R 2 a is not a hydrogen atom with a); R 3 is a group containing 1 to 30 carbon atoms in the ether group, carbon number of the hydrocarbon group of 1 to 30, or 1 to 30 carbon atoms Is a group in which a part of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group is substituted with a hydroxyl group, a halogen atom or a cyano group;
In the formula (3), R 4 to R 10 are each independently a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms; n is an integer of 1 or 2;
In the formula (4), R 11 to R 13 each independently represent a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, or an ether group having 1 to 12 carbon atoms;
* Represents the binding position).
제1항에 있어서,
상기 [A]중합체가, 카복시기를 갖는 아크릴 수지, 폴리이미드 혹은 폴리이미드 전구체, 폴리실록산, 방향족 폴리에테르 또는 이들의 조합인 감방사선성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the polymer [A] is an acrylic resin having a carboxyl group, a polyimide or polyimide precursor, a polysiloxane, an aromatic polyether or a combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 [B]감방사선성 산 발생체가, 하기식(5) 또는 하기식(6)으로 나타나는 기를 포함하는 화합물인 감방사선성 수지 조성물:
Figure pat00042

Figure pat00043

(식(5) 및 식(6) 중, R14 또는 R15는, 각각, 알킬기, 지환식 탄화수소기, 아릴기 또는 이들 기가 갖는 수소 원자의 적어도 일부가 치환기로 치환된 기를 나타내고;
*는, 결합하는 부위를 나타냄).
The method according to claim 1,
Wherein the radiation-sensitive acid generator [B] is a compound containing a group represented by the following formula (5) or (6)
Figure pat00042

Figure pat00043

(In the formulas (5) and (6), R 14 or R 15 each represent an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aryl group or a group in which at least a part of the hydrogen atoms of these groups are substituted with a substituent;
* Indicates the binding site).
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막.A cured film formed from the radiation sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 4. 기판 상에 도막을 형성하는 공정,
이 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,
상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,
상기 현상된 도막을 가열하는 공정을 구비하고,
상기 도막의 형성에 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 수지 조성물을 이용하는 경화막의 형성 방법.
A step of forming a coating film on a substrate,
A step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
A step of developing the coated film irradiated with the radiation,
And a step of heating the developed coating film,
A method for forming a cured film using the radiation sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 4 for forming the coating film.
제5항에 기재된 경화막을 구비하는 표시 소자.A display device comprising the cured film according to claim 5.
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