JP6206071B2 - RESIN COMPOSITION, POLYIMIDE RESIN FILM USING THE SAME, COLOR FILTER CONTAINING THE SAME, TFT SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THEM - Google Patents

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Description

本発明は、エポキシ化合物を含むポリイミド前駆体樹脂組成物、それを用いたポリイミド樹脂膜、それを含むカラーフィルタ、TFT基板、表示デバイスおよびそれらの製造方法に関するものである。さらに詳しくは、フラットパネルディスプレイ、タッチパネル、電子ペーパー、カラーフィルタ、TFT基板、太陽電池等に適用可能なフレキシブル基板、フレキシブルプリント基板などの回路基板に好適に用いられる樹脂組成物等に関するものである。   The present invention relates to a polyimide precursor resin composition containing an epoxy compound, a polyimide resin film using the same, a color filter containing the same, a TFT substrate, a display device, and methods for producing them. More specifically, the present invention relates to a resin composition suitably used for a circuit board such as a flexible substrate and a flexible printed circuit board applicable to a flat panel display, a touch panel, electronic paper, a color filter, a TFT substrate, a solar cell and the like.

有機フィルムはガラスに比べて屈曲性に富み、割れにくく、軽量といった特長を有する。最近では、表示デバイスや受光デバイスの基板を、有機フィルムにより形成することで、ディスプレイを軽量化、フレキシブル化する検討が活発化している。表示デバイスとは、液晶パネル、有機ELパネル、電子ペーパー等を指す。また、受光デバイスとは、タッチパネル、カラーフィルタ等を指す。一般に、有機フィルムに用いられる樹脂としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、アクリル、エポキシなどが挙げられる。特にポリイミド樹脂は、高い耐熱性に加え、高機械強度、耐磨耗性、寸法安定性、耐薬品性などの優れた機械特性、絶縁性などの優れた電気特性を併せ持つことから、ガラス基板の代替材料として注目されている。   Organic films are more flexible than glass, and are not easily broken and light. Recently, studies have been actively made to reduce the weight and flexibility of displays by forming substrates of display devices and light receiving devices using organic films. A display device refers to a liquid crystal panel, an organic EL panel, electronic paper, or the like. The light receiving device refers to a touch panel, a color filter, and the like. In general, examples of the resin used for the organic film include polyester, polyamide, polyimide, polycarbonate, polyethersulfone, acrylic, and epoxy. In particular, polyimide resin has high mechanical strength such as high mechanical strength, abrasion resistance, dimensional stability, chemical resistance, and excellent electrical properties such as insulation, in addition to high heat resistance. It is attracting attention as an alternative material.

表示デバイスや受光デバイスの基板に用いられる材料しては、第一に耐熱性、低い線熱膨張係数(CTE)低線熱膨張(CTE)性が要求される。例えば、有機ELパネル用のTFT基板として使用されているアクティブマトリックス駆動の低温ポリシリコン薄膜トランジスター(TFT)や酸化物TFTをポリイミド膜上に形成するためには、一般的に300℃〜650℃の耐熱性が必要である。さらに、加工時の寸法安定性の点から、低CTE性も必要とされる。   As a material used for a substrate of a display device or a light receiving device, first, heat resistance, low linear thermal expansion coefficient (CTE), and low linear thermal expansion (CTE) property are required. For example, in order to form an active matrix driven low-temperature polysilicon thin film transistor (TFT) or oxide TFT used as a TFT substrate for an organic EL panel on a polyimide film, it is generally 300 ° C. to 650 ° C. Heat resistance is necessary. Furthermore, low CTE properties are also required from the viewpoint of dimensional stability during processing.

基板に用いられる材料に求められる第二の特性としては、透明性が挙げられる。例えば、カラーフィルタ基板としては、可視光領域での高い光線透過率(無色性)と透明性(白濁の無いこと)が必要である。また、TFT基板も透明であることが好ましい。一般的に、TFTの加工にはフォトリソグラフィ法が用いられる。この場合は、デバイスの加工精度は基材とマスクの位置合わせの精度に強く依存する。一般的に、位置合わせにはアライメントマークが使用され、アライメントマーク上に樹脂膜が形成される場合、樹脂に白濁が生じていると、アライメントマークの認識が困難となり、樹脂基板上への素子作製が困難となったり、素子の加工精度が低下したりしてしまう。さらに、形成した樹脂膜の欠陥検査の感度向上の観点からも、樹脂膜は透明であることが好ましい。   Transparency is mentioned as the 2nd characteristic calculated | required by the material used for a board | substrate. For example, a color filter substrate requires high light transmittance (colorlessness) and transparency (no white turbidity) in the visible light region. The TFT substrate is also preferably transparent. In general, a photolithography method is used for processing TFTs. In this case, the processing accuracy of the device strongly depends on the alignment accuracy of the base material and the mask. In general, alignment marks are used for alignment, and when a resin film is formed on the alignment marks, if the resin is clouded, it becomes difficult to recognize the alignment marks, and devices are fabricated on the resin substrate. Or the processing accuracy of the element is lowered. Furthermore, it is preferable that the resin film is transparent from the viewpoint of improving the sensitivity of defect inspection of the formed resin film.

耐熱性や低CTE性を有するポリイミドとしては、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を酸二無水物成分として含むポリイミドが開示されており(例えば、特許文献1〜10参照)、例えば、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とp−フェニレンジアミン、2,2'−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニル、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、トランス−1,4−シクロヘキシルジアミンなどから得られるポリイミドが開示されている。   As a polyimide having heat resistance and low CTE property, a polyimide containing 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride as an acid dianhydride component is disclosed (for example, Patent Documents 1 to 4). 10)), for example, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and p-phenylenediamine, 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2′-bis Polyimides obtained from (trifluoromethyl) benzidine, trans-1,4-cyclohexyldiamine and the like are disclosed.

特開2002−161136号公報JP 2002-161136 A 国際公開第2010/113412号International Publication No. 2010/13412 特開2003−176356号公報JP 2003-176356 A 特開2012−041530号公報JP 2012-041530 A 特開2012−184281号公報JP 2012-184281 A 特開2012−144603号公報JP 2012-144603 A 特開2013−082774号公報JP2013-082774A 特開2010−202729号公報JP 2010-202729 A 特開2005−314630号公報JP 2005-314630 A 特開2012−051995号公報JP 2012-051995 A

上述したように、耐熱性を有する材料が提案されているものの、特許文献10に記載されているように、ポリイミド膜は熱イミド化工程の条件によっては分子鎖の結晶化により白濁が生じるという問題がある。さらに特許文献10には、ポリイミド膜の白濁の低減方法が開示されているが、その方法を用いて得られるポリイミド膜(10ミクロン厚)のヘイズ値は2〜4%程度であり、膜の外観は白濁しており、透明性の観点からは不十分である。   As described above, although a material having heat resistance has been proposed, as described in Patent Document 10, the polyimide film may become clouded due to crystallization of molecular chains depending on the conditions of the thermal imidization process. There is. Furthermore, Patent Document 10 discloses a method for reducing the white turbidity of a polyimide film. The haze value of a polyimide film (10 micron thickness) obtained by using this method is about 2 to 4%, and the appearance of the film Is cloudy, which is insufficient from the viewpoint of transparency.

本発明は、上記課題に鑑み、低ヘイズ値のポリイミド樹脂膜を与えるポリイミド前駆体樹脂組成物、前記樹脂組成物を加熱処理して得られるポリイミド樹脂膜、及びそのポリイミド樹脂膜を基材として含む表示デバイス、受光デバイス、回路基板を提供することを目的とする。   In view of the above problems, the present invention includes a polyimide precursor resin composition that gives a polyimide resin film having a low haze value, a polyimide resin film obtained by heat-treating the resin composition, and the polyimide resin film as a base material. An object is to provide a display device, a light receiving device, and a circuit board.

本発明者らは上記課題について検討し、膜の白濁原因である結晶化を抑制する観点から課題の解決に取り組むことにより本発明の構成に至った。   The inventors of the present invention have studied the above problems, and have reached the configuration of the present invention by working on solving the problems from the viewpoint of suppressing crystallization, which is a cause of cloudiness of the film.

すなわち本発明は、表示デバイス、受光デバイス、回路基板またはTFT基板のいずれかの基材として用いられるポリイミド樹脂膜を得るための基材用樹脂組成物であって、(a)一般式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体と、(b)一般式(2)で表されるエポキシ化合物とを含む基材用樹脂組成物である。 That is, this invention is a resin composition for base materials for obtaining the polyimide resin film used as a base material in any one of a display device, a light receiving device, a circuit board, or a TFT substrate, (a) General formula (1) It is the resin composition for base materials containing the polyimide precursor which has a structural unit represented by (b), and the epoxy compound represented by (b) general formula (2).

Figure 0006206071
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(一般式(1)中、X、Xは各々独立に水素原子または炭素数1〜10の1価の有機基であり、Aは4価の有機基であり、Bは2価の有機基である。) (In the general formula (1), X 1 and X 2 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, A is a tetravalent organic group, and B is a divalent organic group. Group.)

Figure 0006206071
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(一般式(2)中、R、Rは各々独立に炭素数1〜10の2価の有機基であり、R、R、R、Rは各々独立に水素原子、ハロゲン原子または炭素数1〜10の1価の有機基であり、a、b、c、dは各々独立に0〜4の整数である。) (In General Formula (2), R 1 and R 2 are each independently a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, and R 3 , R 4 , R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, halogen, An atom or a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, and a, b, c and d are each independently an integer of 0 to 4).

本発明によれば、低ヘイズ値のポリイミド樹脂膜を与えるポリイミド前駆体樹脂組成物を得ることができる。これは、例えば、前記ポリイミド樹脂膜を用いた表示デバイス、受光デバイス、回路基板等の加工精度の向上や、デバイス基板の透過率向上による表示画像の視認性の向上につながる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the polyimide precursor resin composition which gives the polyimide resin film of a low haze value can be obtained. This leads to, for example, an improvement in processing accuracy of a display device, a light receiving device, a circuit board and the like using the polyimide resin film, and an improvement in the visibility of a display image due to an improvement in the transmittance of the device substrate.

以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail. In addition, this invention is not limited to the following embodiment, It can implement by changing variously within the range of the summary.

<樹脂組成物>
本発明の樹脂組成物は、(a)一般式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体と、(b)一般式(2)で表されるエポキシ化合物とを含む。
<Resin composition>
The resin composition of the present invention includes (a) a polyimide precursor having a structural unit represented by the general formula (1), and (b) an epoxy compound represented by the general formula (2).

Figure 0006206071
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一般式(1)中、X、Xは各々独立に水素原子または炭素数1〜10の1価の有機基であり、Aは4価の有機基であり、Bは2価の有機基である。 In the general formula (1), X 1 and X 2 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, A is a tetravalent organic group, and B is a divalent organic group. It is.

Figure 0006206071
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一般式(2)中、R、Rは各々独立に炭素数1〜10の2価の有機基であり、R、R、R、Rは各々独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基または炭素数1〜10の1価の有機基であり、a、b、c、dは各々独立に0〜4の整数である。 In general formula (2), R 1 and R 2 are each independently a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, and R 3 , R 4 , R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom or a halogen atom. , A hydroxyl group or a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, and a, b, c and d are each independently an integer of 0 to 4.

[(a)一般式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体]
一般式(1)中、X、Xは各々独立に水素原子または炭素数1〜10の1価の有機基を示す。一般式(1)中のX、Xが炭素数1〜10の1価の有機基である場合の例としては、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族基、アルキルシリル基などが挙げられる。飽和炭化水素基としては例えば、メチル基、エチル基、tert-ブチル基などのアルキル基が挙げられる。不飽和炭化水素基としては例えば、ビニル基、エチニル基、ビフェニル基、フェニルエチニル基などが挙げられる。飽和炭化水素基はさらにハロゲン原子で置換されていてもよい。芳香族基としては例えばフェニル基などが挙げられる。芳香族基はさらに飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基やハロゲン原子で置換されていてもよい。アルキルシリル基の例としては、トリメチルシリル基などが挙げられる。
[(A) Polyimide precursor having a structural unit represented by the general formula (1)]
In the general formula (1), X 1 and X 2 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms. Examples of the case where X 1 and X 2 in the general formula (1) are a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms include a saturated hydrocarbon group, an unsaturated hydrocarbon group, an aromatic group, and an alkylsilyl group. Etc. Examples of the saturated hydrocarbon group include alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, and a tert-butyl group. Examples of the unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, an ethynyl group, a biphenyl group, and a phenylethynyl group. The saturated hydrocarbon group may be further substituted with a halogen atom. Examples of the aromatic group include a phenyl group. The aromatic group may be further substituted with a saturated hydrocarbon group, an unsaturated hydrocarbon group or a halogen atom. Examples of the alkylsilyl group include a trimethylsilyl group.

一般式(1)中Aは4価の有機基を示し、酸二無水物及びその誘導体残基である。Aの炭素数は1〜40であることが好ましい。Aとしては、4価の芳香族基、脂環式脂肪族基、鎖状脂肪族基が挙げられる。   In general formula (1), A represents a tetravalent organic group, which is an acid dianhydride and a derivative residue thereof. A preferably has 1 to 40 carbon atoms. Examples of A include a tetravalent aromatic group, an alicyclic aliphatic group, and a chain aliphatic group.

芳香族酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ターフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−オキシフタル酸二無水物、2,3,3’,4’−オキシフタル酸二無水物、2,3,2’,3’−オキシフタル酸二無水物、ジフェニルスルホン−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノン−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、1,4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、p−フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)、ビス(1,3−ジオキソ−1,3−ジヒドロイソベンズフラン−5−カルボン酸)1,4−フェニレン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、9,9−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)フルオレン二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンニ無水物、2,2−ビス(4−(3,4−ジカルボキシベンゾイルオキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、1,6−ジフルオロプロメリット酸二無水物、1−トリフルオロメチルピロメリット酸二無水物、1,6−ジトリフルオロメチルピロメリット酸二無水物、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ビフェニル二無水物、2,2’−ビス[(ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、2,2’−ビス[(ジカルボキシフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパンニ無水物、あるいはこれらの芳香族環にアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子などで置換した酸二無水物化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   As aromatic dianhydrides, pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-oxyphthale Acid dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-oxyphthalic dianhydride, 2,3,2 ′, 3′-oxyphthalic dianhydride, diphenylsulfone-3,3 ′, 4,4′- Tetracarboxylic dianhydride, benzophenone-3,3 ′, 4,4′-tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1,1 Bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, 1,4- (3,4-dicarboxyphenoxy) benzene dianhydride, p-phenylenebis (trimellitic acid monoester acid anhydride), bis (1 , 3-Dioxo-1,3-dihydroisobenzfuran-5-carboxylic acid) 1,4-phenylene, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 1,2,5,6 -Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis (3,4-dicarboxyphenyl) fluorene dianhydride, 2,3 5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2 , 2-bis (4- (3,4-dicarboxybenzoyloxy) phenyl) hexafluoropropane dianhydride, 1,6-difluoropromellitic dianhydride, 1-trifluoromethylpyromellitic dianhydride, 1,6-ditrifluoromethylpyromellitic dianhydride, 2,2′-bis (trifluoromethyl) -4,4′-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) biphenyl dianhydride, 2,2 ′ -Bis [(dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride, 2,2'-bis [(dicarboxyphenoxy) phenyl] hexafluoropropane dianhydride Or acid dianhydride compounds in which these aromatic rings are substituted with an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, or the like, but are not limited thereto.

脂環式酸二無水物としては、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−テトラメチル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2−ジメチル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,3−ジメチル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロヘプタンテトラカルボン酸二無水物、2,3,4,5−テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、3,4−ジカルボキシ−1−シクロヘキシルコハク酸二無水物、2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、3,4−ジカルボキシ−1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフタレンコハク酸二無水物、ビシクロ[3,3,0]オクタン−2,4,6,8−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[4,3,0]ノナン−2,4,7,9−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[4,4,0]デカン−2,4,7,9−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[4,4,0]デカン−2,4,8,10−テトラカルボン酸二無水物、トリシクロ[6,3,0,0<2,6>]ウンデカン−3,5,9,11−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2,2,2]オクタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2,2,2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2,2,1]ヘプタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2,2,1]ヘプタン−5−カルボキシメチル−2,3,6−トリカルボン酸二無水物、7−オキサビシクロ[2,2,1]ヘプタン−2,4,6,8−テトラカルボン酸二無水物、オクタヒドロナフタレン−1,2,6,7−テトラカルボン酸二無水物、テトラデカヒドロアントラセン−1,2,8,9−テトラカルボン酸二無水物、3,3’、4,4’−ジシクロへキサンテトラカルボン酸二無水物、3,3’、4,4’−オキシジシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボンサン無水物、及び“リカシッド”(登録商標)BT−100(以上、商品名、新日本理化(株)製)及びそれらの誘導体、あるいはこれらの脂環にアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子などで置換した酸二無水物化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Examples of the alicyclic acid dianhydride include 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5. -Cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-tetramethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride Anhydride, 1,2-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,3-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2 , 3,4-cycloheptanetetracarboxylic dianhydride, 2,3,4,5-tetrahydrofurantetracarboxylic dianhydride, 3,4-dicarboxy-1-cyclohexylsuccinic dianhydride, 2,3 5-tri Ruboxycyclopentyl acetic acid dianhydride, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalene succinic dianhydride, bicyclo [3,3,0] octane-2,4,6, 8-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [4,3,0] nonane-2,4,7,9-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [4,4,0] decane-2,4,7, 9-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [4,4,0] decane-2,4,8,10-tetracarboxylic dianhydride, tricyclo [6,3,0,0 <2,6>] undecane -3,5,9,11-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2,2,2] octane-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2,2,2] oct -7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, bi Chlo [2,2,1] heptanetetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2,2,1] heptane-5-carboxymethyl-2,3,6-tricarboxylic dianhydride, 7-oxabicyclo [2, 2,1] heptane-2,4,6,8-tetracarboxylic dianhydride, octahydronaphthalene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, tetradecahydroanthracene-1,2,8 , 9-tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-dicyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-oxydicyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylicsan anhydride, and “Licacid” ® BT-100 (above, trade name, New Nippon Rika Co., Ltd.) and derivatives thereof, or acid dianhydride compounds in which these alicyclic rings are substituted with an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, or the like, are not limited thereto.

脂肪族酸二無水物としては、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ペンタンテトラカルボン酸二無水物及びそれらの誘導体などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Examples of the aliphatic dianhydride include 1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-pentanetetracarboxylic dianhydride, and derivatives thereof. It is not limited to these.

これらの芳香族酸二無水物、脂環式芳香族酸二無水物、又は脂肪族芳香族酸二無水物は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。   These aromatic acid dianhydrides, alicyclic aromatic acid dianhydrides, or aliphatic aromatic acid dianhydrides can be used alone or in combination of two or more.

これらのうち、耐熱性、低CTE性の観点から、Aが下記式(3)〜(7)から選択される4価の有機基であることが好ましい。すなわち、酸二無水物としてピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ターフェニルテトラカルボン酸二無水物、p−フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物を用いることが好ましい。   Among these, A is preferably a tetravalent organic group selected from the following formulas (3) to (7) from the viewpoints of heat resistance and low CTE properties. That is, pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-terphenyltetracarboxylic dianhydride as the acid dianhydride P-phenylenebis (trimellitic acid monoester anhydride), 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride is preferably used.

Figure 0006206071
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さらに、前記の酸二無水物と共に用いる共重合成分としては、市販され手に入れやすい観点、反応性の観点、およびポリイミド樹脂膜の透明性向上の観点から、Aが下記式(8)〜(12)で表されるから選択される4価の有機基であることが好ましい。すなわち、酸二無水物として3,3’,4,4’−オキシフタル酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンニ無水物、2,2’−ビス[(ジカボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、3,3’、4,4’−ジシクロへキサンテトラカルボン酸二無水物を用いることが好ましく、さらに耐熱性の観点、酸化黄変性の観点から、3,3,4’,4’−オキシフタル酸二無水物(式(8)、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンニ無水物(式(9))、2,2’−ビス[(ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物(式(10))を用いることがより好ましい。   Furthermore, as a copolymerization component used with the said acid dianhydride, from the viewpoint of being commercially available and easy to obtain, from the viewpoint of reactivity, and from the viewpoint of improving the transparency of the polyimide resin film, A is represented by the following formulas (8) to ( It is preferably a tetravalent organic group selected from those represented by 12). That is, 3,3 ′, 4,4′-oxyphthalic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2′-bis as acid dianhydride [(Dicaboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-dicyclohexanetetracarboxylic dianhydride In addition, from the viewpoint of heat resistance and oxidation yellowing, 3,3,4 ', 4'-oxyphthalic dianhydride (formula (8), 2,2-bis (3,4-di) More preferably, carboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride (formula (9)), 2,2′-bis [(dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride (formula (10)) is used.

Figure 0006206071
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一般式(1)中Bは2価の有機基を示し、ジアミン残基である。Bの炭素数は1〜40であることが好ましい。Bとしては芳香族基、脂環式脂肪族基、鎖状脂肪族基が挙げられる。   In general formula (1), B represents a divalent organic group and is a diamine residue. B preferably has 1 to 40 carbon atoms. Examples of B include an aromatic group, an alicyclic aliphatic group, and a chain aliphatic group.

芳香族ジアミン化合物としては、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルヒド、4,4’−ジアミノジフェニルスルヒド、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、ベンジジン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、2,2’−ジメチルベンジジン、3,3’−ジメチルベンジジン、2,2’3,3’−テトラメチルベンジジン、2,2’−ジクロロベンジジン、3,3’−ジクロロベンジジン、2,2’3,3’−テトラクロロベンジジン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−ナフタレンジアミン、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、2,2’−ビス[3−(3−アミノベンズアミド)−4−ヒドロキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン、4−アミノフェニル−4’−アミノベンゾエート、4,4’−ジアミノベンズアニリドあるいはこれらの芳香族環にアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子などで置換したジアミン化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   As aromatic diamine compounds, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-diaminodiphenylsulfone, 3, 4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, benzidine 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 3,3'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 2,2'-dimethylbenzidine, 3,3'-dimethylbenzidine, 2,2'3,3 '-Tetramethylbenzidine, 2,2'-dichlorobenzidine, 3,3'-di Lolobenzidine, 2,2′3,3′-tetrachlorobenzidine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, Bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} ether, 1,4 -Bis (4-aminophenoxy) benzene, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, 2,2'-bis [3- (3-aminobenzamido) -4-hydroxyphenyl] hexafluoropropane, 4- Aminophenyl-4'-aminobenzoate, 4,4'-diaminobenzani De or an alkyl group in these aromatic ring, an alkoxy group, and a diamine compound substituted with a halogen atom, but is not limited thereto.

脂環式ジアミン化合物としては、シクロブタンジアミン、イソホロンジアミン、ビシクロ[2,2,1]ヘプタンビスメチルアミン、トリシクロ[3,3,1,13,7]デカン−1,3−ジアミン、1,2−シクロヘキシルジアミン、1,3−シクロヘキシルジアミン、1,4−シクロヘキシルジアミン、trans−1,4−ジアミノシクロへキサン、4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、3,3’,5,5’−テトラエチル−4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、3,5−ジエチル−3’,5’−ジメチル−4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、4,4’−ジアミノジシクロヘキシルエーテル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジシクロヘキシルエーテル、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジシクロヘキシルエーテル、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ジアミノジシクロヘキシルエーテル、3,3’,5,5’−テトラエチル−4,4’−ジアミノジシクロヘキシルエーテル、3,5−ジエチル−3’,5’−ジメチル−4,4’−ジアミノジシクロヘキシルエーテル、2,2−ビス(4−アミノシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(3−メチル−4−アミノシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(3−エチル−4−アミノシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−アミノシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(3,5−ジエチル−4−アミノシクロヘキシル)プロパン、2,2−(3,5−ジエチル−3’,5’−ジメチル−4,4’−ジアミノジシクロヘキシル)プロパン、あるいはこれらの脂環にアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子などで置換したジアミン化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Examples of the alicyclic diamine compound include cyclobutane diamine, isophorone diamine, bicyclo [2,2,1] heptane bismethylamine, tricyclo [3,3,1,13,7] decane-1,3-diamine, 1,2 -Cyclohexyldiamine, 1,3-cyclohexyldiamine, 1,4-cyclohexyldiamine, trans-1,4-diaminocyclohexane, 4,4'-diaminodicyclohexylmethane, 3,3'-dimethyl-4,4'- Diaminodicyclohexylmethane, 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodicyclohexylmethane, 3,3 ′, 5,5′-tetramethyl-4,4′-diaminodicyclohexylmethane, 3,3 ′, 5,5 '-Tetraethyl-4,4'-diaminodicyclohexylmethane, 3,5-diethyl-3', 5 ' Dimethyl-4,4′-diaminodicyclohexylmethane, 4,4′-diaminodicyclohexyl ether, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminodicyclohexyl ether, 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodicyclohexyl Ether, 3,3 ′, 5,5′-tetramethyl-4,4′-diaminodicyclohexyl ether, 3,3 ′, 5,5′-tetraethyl-4,4′-diaminodicyclohexyl ether, 3,5-diethyl -3 ′, 5′-dimethyl-4,4′-diaminodicyclohexyl ether, 2,2-bis (4-aminocyclohexyl) propane, 2,2-bis (3-methyl-4-aminocyclohexyl) propane, 2, 2-bis (3-ethyl-4-aminocyclohexyl) propane, 2,2-bis (3,5-dimethyl) Ru-4-aminocyclohexyl) propane, 2,2-bis (3,5-diethyl-4-aminocyclohexyl) propane, 2,2- (3,5-diethyl-3 ′, 5′-dimethyl-4,4 '-Diaminodicyclohexyl) propane, or a diamine compound in which these alicyclic rings are substituted with an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, or the like, is not limited thereto.

脂肪族ジアミン化合物としては、エチレンジアミン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノヘキサン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカンなどのアルキレンジアミン類、ビス(アミノメチル)エーテル、ビス(2−アミノエチル)エーテル、ビス(3−アミノプロピル)エーテルなどのエチレングリコールジアミン類、及び1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(4−アミノブチル)テトラメチルジシロキサン、α,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサンなどのシロキサンジアミン類が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Examples of the aliphatic diamine compound include ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, and 1,8-diaminooctane. Alkylene glycols such as 1,9-diaminononane and 1,10-diaminodecane, ethylene glycol diamines such as bis (aminomethyl) ether, bis (2-aminoethyl) ether, bis (3-aminopropyl) ether, And 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (4-aminobutyl) tetramethyldisiloxane, and α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane Although diamine is mentioned, it is not limited to these.

これらの芳香族ジアミン、脂環式芳香族ジアミン、又は脂肪族芳香族ジアミンは、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。   These aromatic diamines, alicyclic aromatic diamines, or aliphatic aromatic diamines can be used alone or in combination of two or more.

これらのうち、市販され手に入れやすい観点、耐熱性、低CTE性の観点から、Bが下記式(13)〜(18)から選択される2価の有機基であることが好ましい。すなわち、ジアミンとしてp−フェニレンジアミン、2,2’−ジメチルベンジジン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、4−アミノフェニル−4’−アミノベンゾエート、4,4’−ジアミノベンズアニリド、trans−1,4−ジアミノシクロへキサンを用いることが好ましく、これらの中でも可視光領域での高透過率の観点からは、trans−1,4−ジアミノシクロへキサンが好ましい。無色透明性樹脂膜としては、厚さ10μmの膜に対し波長400nmにおける光線透過率が80%以上であることが好ましい。ディスプレイ基材として好適に用いることができることから、より好ましくは85%以上であり、さらに好ましくは90%以上である。   Among these, it is preferable that B is a divalent organic group selected from the following formulas (13) to (18) from the viewpoint of being commercially available and easy to obtain, heat resistance, and low CTE properties. That is, p-phenylenediamine, 2,2′-dimethylbenzidine, 2,2′-bis (trifluoromethyl) benzidine, 4-aminophenyl-4′-aminobenzoate, 4,4′-diaminobenzanilide as a diamine, It is preferable to use trans-1,4-diaminocyclohexane, and among these, trans-1,4-diaminocyclohexane is preferable from the viewpoint of high transmittance in the visible light region. The colorless and transparent resin film preferably has a light transmittance of 80% or more at a wavelength of 400 nm with respect to a film having a thickness of 10 μm. Since it can be suitably used as a display substrate, it is more preferably 85% or more, and further preferably 90% or more.

Figure 0006206071
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また、シロキサンジアミン類はポリイミド樹脂膜と基板との接着性を向上させることができるため、ポリイミド樹脂膜や表示デバイスの製造工程における樹脂膜の剥がれやクラックの発生を抑制することできる。共重合比としては、耐熱性や光学特性などが損なわれない範囲であれば特に限定されないが、0.1〜10モル%の範囲が好ましい。   Further, since siloxane diamines can improve the adhesion between the polyimide resin film and the substrate, it is possible to suppress the peeling of the resin film and the occurrence of cracks in the manufacturing process of the polyimide resin film and the display device. The copolymerization ratio is not particularly limited as long as heat resistance and optical characteristics are not impaired, but a range of 0.1 to 10 mol% is preferable.

なお、ポリマーの構造単位の比率は、ポリイミド前駆体やポリイミドの質量分析、熱分解ガスクロマトグラフィー(GC)、NMR、IR測定により、測定することができる。   In addition, the ratio of the structural unit of a polymer can be measured by the mass analysis of a polyimide precursor or a polyimide, pyrolysis gas chromatography (GC), NMR, and IR measurement.

本発明のポリイミド前駆体の分子量は、特に限定されるものではないが、機械強度の観点、およびワニスの塗布性の観点から5000〜200000の範囲が好ましい。なお、ポリイミド前駆体の分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)測定により、測定することができる。   Although the molecular weight of the polyimide precursor of this invention is not specifically limited, The range of 5000-200000 is preferable from a viewpoint of mechanical strength and the applicability | paintability of a varnish. The molecular weight of the polyimide precursor can be measured by gel permeation chromatography (GPC) measurement.

本発明のポリイミド前駆体は、分子量を好ましい範囲に調整するために末端封止剤により両末端を封止してもよい。酸二無水物と反応する末端封止剤としては、モノアミンや一価のアルコールなどが挙げられる。また、ジアミン化合物と反応する末端封止剤としては、酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物、二炭酸エステル類、ビニルエーテル類などが挙げられる。また、末端封止剤を反応させることにより、末端基として種々の有機基を導入することができる。   The polyimide precursor of the present invention may be sealed at both ends with a terminal blocking agent in order to adjust the molecular weight to a preferred range. Examples of the terminal blocking agent that reacts with the acid dianhydride include monoamines and monohydric alcohols. Examples of the terminal blocking agent that reacts with the diamine compound include acid anhydrides, monocarboxylic acids, monoacid chloride compounds, monoactive ester compounds, dicarbonates, and vinyl ethers. Moreover, various organic groups can be introduce | transduced as a terminal group by making terminal blocker react.

酸無水物基末端の封止剤に用いられるモノアミンとしては、5−アミノ−8−ヒドロキシキノリン、4−アミノ−8−ヒドロキシキノリン、1−ヒドロキシ−8−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−7−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−6−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−5−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−4−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−3−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−2−アミノナフタレン、1−アミノ−7−ヒドロキシナフタレン、2−ヒドロキシ−7−アミノナフタレン、2−ヒドロキシ−6−アミノナフタレン、2−ヒドロキシ−5−アミノナフタレン、2−ヒドロキシ−4−アミノナフタレン、2−ヒドロキシ−3−アミノナフタレン、1−アミノ−2−ヒドロキシナフタレン、1−カルボキシ−8−アミノナフタレン、1−カルボキシ−7−アミノナフタレン、1−カルボキシ−6−アミノナフタレン、1−カルボキシ−5−アミノナフタレン、1−カルボキシ−4−アミノナフタレン、1−カルボキシ−3−アミノナフタレン、1−カルボキシ−2−アミノナフタレン、1−アミノ−7−カルボキシナフタレン、2−カルボキシ−7−アミノナフタレン、2−カルボキシ−6−アミノナフタレン、2−カルボキシ−5−アミノナフタレン、2−カルボキシ−4−アミノナフタレン、2−カルボキシ−3−アミノナフタレン、1−アミノ−2−カルボキシナフタレン、2−アミノニコチン酸、4−アミノニコチン酸、5−アミノニコチン酸、6−アミノニコチン酸、4−アミノサリチル酸、5−アミノサリチル酸、6−アミノサリチル酸、アメライド、2−アミノ安息香酸、3−アミノ安息香酸、4−アミノ安息香酸、2−アミノベンゼンスルホン酸、3−アミノベンゼンスルホン酸、4−アミノベンゼンスルホン酸、3−アミノ−4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−アミノフェノール、3−アミノフェノール、4−アミノフェノール、5−アミノ−8−メルカプトキノリン、4−アミノ−8−メルカプトキノリン、1−メルカプト−8−アミノナフタレン、1−メルカプト−7−アミノナフタレン、1−メルカプト−6−アミノナフタレン、1−メルカプト−5−アミノナフタレン、1−メルカプト−4−アミノナフタレン、1−メルカプト−3−アミノナフタレン、1−メルカプト−2−アミノナフタレン、1−アミノ−7−メルカプトナフタレン、2−メルカプト−7−アミノナフタレン、2−メルカプト−6−アミノナフタレン、2−メルカプト−5−アミノナフタレン、2−メルカプト−4−アミノナフタレン、2−メルカプト−3−アミノナフタレン、1−アミノ−2−メルカプトナフタレン、3−アミノ−4,6−ジメルカプトピリミジン、2−アミノチオフェノール、3−アミノチオフェノール、4−アミノチオフェノール、2−エチニルアニリン、3−エチニルアニリン、4−エチニルアニリン、2,4−ジエチニルアニリン、2,5−ジエチニルアニリン、2,6−ジエチニルアニリン、3,4−ジエチニルアニリン、3,5−ジエチニルアニリン、1−エチニル−2−アミノナフタレン、1−エチニル−3−アミノナフタレン、1−エチニル−4−アミノナフタレン、1−エチニル−5−アミノナフタレン、1−エチニル−6−アミノナフタレン、1−エチニル−7−アミノナフタレン、1−エチニル−8−アミノナフタレン、2−エチニル−1−アミノナフタレン、2−エチニル−3−アミノナフタレン、2−エチニル−4−アミノナフタレン、2−エチニル−5−アミノナフタレン、2−エチニル−6−アミノナフタレン、2−エチニル−7−アミノナフタレン、2−エチニル−8−アミノナフタレン、3,5−ジエチニル−1−アミノナフタレン、3,5−ジエチニル−2−アミノナフタレン、3,6−ジエチニル−1−アミノナフタレン、3,6−ジエチニル−2−アミノナフタレン、3,7−ジエチニル−1−アミノナフタレン、3,7−ジエチニル−2−アミノナフタレン、4,8−ジエチニル−1−アミノナフタレン、4,8−ジエチニル−2−アミノナフタレン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Monoamines used as the acid anhydride group terminal blocking agent include 5-amino-8-hydroxyquinoline, 4-amino-8-hydroxyquinoline, 1-hydroxy-8-aminonaphthalene, 1-hydroxy-7-amino. Naphthalene, 1-hydroxy-6-aminonaphthalene, 1-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-hydroxy-4-aminonaphthalene, 1-hydroxy-3-aminonaphthalene, 1-hydroxy-2-aminonaphthalene, 1-amino -7-hydroxynaphthalene, 2-hydroxy-7-aminonaphthalene, 2-hydroxy-6-aminonaphthalene, 2-hydroxy-5-aminonaphthalene, 2-hydroxy-4-aminonaphthalene, 2-hydroxy-3-aminonaphthalene 1-amino-2-hydroxynaphthalene, 1-cal Xyl-8-aminonaphthalene, 1-carboxy-7-aminonaphthalene, 1-carboxy-6-aminonaphthalene, 1-carboxy-5-aminonaphthalene, 1-carboxy-4-aminonaphthalene, 1-carboxy-3-amino Naphthalene, 1-carboxy-2-aminonaphthalene, 1-amino-7-carboxynaphthalene, 2-carboxy-7-aminonaphthalene, 2-carboxy-6-aminonaphthalene, 2-carboxy-5-aminonaphthalene, 2-carboxy -4-aminonaphthalene, 2-carboxy-3-aminonaphthalene, 1-amino-2-carboxynaphthalene, 2-aminonicotinic acid, 4-aminonicotinic acid, 5-aminonicotinic acid, 6-aminonicotinic acid, 4- Aminosalicylic acid, 5-aminosalicylic acid, 6-amino Lithic acid, Amelide, 2-aminobenzoic acid, 3-aminobenzoic acid, 4-aminobenzoic acid, 2-aminobenzenesulfonic acid, 3-aminobenzenesulfonic acid, 4-aminobenzenesulfonic acid, 3-amino-4, 6-dihydroxypyrimidine, 2-aminophenol, 3-aminophenol, 4-aminophenol, 5-amino-8-mercaptoquinoline, 4-amino-8-mercaptoquinoline, 1-mercapto-8-aminonaphthalene, 1-mercapto -7-aminonaphthalene, 1-mercapto-6-aminonaphthalene, 1-mercapto-5-aminonaphthalene, 1-mercapto-4-aminonaphthalene, 1-mercapto-3-aminonaphthalene, 1-mercapto-2-aminonaphthalene 1-amino-7-mercaptonaphthalene, 2-mer Capto-7-aminonaphthalene, 2-mercapto-6-aminonaphthalene, 2-mercapto-5-aminonaphthalene, 2-mercapto-4-aminonaphthalene, 2-mercapto-3-aminonaphthalene, 1-amino-2-mercapto Naphthalene, 3-amino-4,6-dimercaptopyrimidine, 2-aminothiophenol, 3-aminothiophenol, 4-aminothiophenol, 2-ethynylaniline, 3-ethynylaniline, 4-ethynylaniline, 2,4 -Diethynylaniline, 2,5-diethynylaniline, 2,6-diethynylaniline, 3,4-diethynylaniline, 3,5-diethynylaniline, 1-ethynyl-2-aminonaphthalene, 1-ethynyl- 3-aminonaphthalene, 1-ethynyl-4-aminonaphthalene, 1-ethini -5-aminonaphthalene, 1-ethynyl-6-aminonaphthalene, 1-ethynyl-7-aminonaphthalene, 1-ethynyl-8-aminonaphthalene, 2-ethynyl-1-aminonaphthalene, 2-ethynyl-3-aminonaphthalene 2-ethynyl-4-aminonaphthalene, 2-ethynyl-5-aminonaphthalene, 2-ethynyl-6-aminonaphthalene, 2-ethynyl-7-aminonaphthalene, 2-ethynyl-8-aminonaphthalene, 3,5- Diethynyl-1-aminonaphthalene, 3,5-diethynyl-2-aminonaphthalene, 3,6-diethynyl-1-aminonaphthalene, 3,6-diethynyl-2-aminonaphthalene, 3,7-diethynyl-1-aminonaphthalene 3,7-diethynyl-2-aminonaphthalene, 4,8-diethynyl-1-amino Naphthalene, 4,8-diethynyl-2-amino-naphthalene, and the like, but is not limited thereto.

酸無水物基末端の封止剤として用いられる一価のアルコールとしては、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、1−ヘプタノール、2−ヘプタノール、3−ヘプタノール、1−オクタノール、2−オクタノール、3−オクタノール、1−ノナノール、2−ノナノール、1−デカノール、2−デカノール、1−ウンデカノール、2−ウンデカノール、1−ドデカノール、2−ドデカノール、1−トリデカノール、2−トリデカノール、1−テトラデカノール、2−テトラデカノール、1−ペンタデカノール、2−ペンタデカノール、1−ヘキサデカノール、2−ヘキサデカノール、1−へプタデカノール、2−ヘプタデカノール、1−オクタデカノール、2−オクタデカノール、1−ノナデカノール、2−ノナデカノール、1−イコサノール、2−メチル−1−プロパノール、2−メチル−2−プロパノール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、2−メチル−2−ブタノール、3−メチル−2−ブタノール、2−プロピル−1−ペンタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、4−メチル−3−ヘプタノール、6−メチル−2−ヘプタノール、2, 4,4−トリメチル−1−ヘキサノール、2,6−ジメチル−4−ヘプタノール、イソノニルアルコール、3,7ジメチル−3−オクタノール、2,4ジメチル−1−ヘプタノール、2−ヘプチルウンデカノール、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール1−メチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルシクロペンタノール、シクロヘキサノール、シクロペンタンモノメチロール、ジシクロペンタンモノメチロール、トリシクロデカンモノメチロール、ノルボネオール、テルピネオール等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Examples of the monohydric alcohol used as the acid anhydride group terminal blocking agent include methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, 1-pentanol, 2-pentanol, 3 -Pentanol, 1-hexanol, 2-hexanol, 3-hexanol, 1-heptanol, 2-heptanol, 3-heptanol, 1-octanol, 2-octanol, 3-octanol, 1-nonanol, 2-nonanol, 1- Decanol, 2-decanol, 1-undecanol, 2-undecanol, 1-dodecanol, 2-dodecanol, 1-tridecanol, 2-tridecanol, 1-tetradecanol, 2-tetradecanol, 1-pentadecanol, 2- Pentadecanol, 1-hexadecanol, 2- Xadecanol, 1-heptadecanol, 2-heptadecanol, 1-octadecanol, 2-octadecanol, 1-nonadecanol, 2-nonadecanol, 1-icosanol, 2-methyl-1-propanol, 2-methyl-2 -Propanol, 2-methyl-1-butanol, 3-methyl-1-butanol, 2-methyl-2-butanol, 3-methyl-2-butanol, 2-propyl-1-pentanol, 2-ethyl-1- Hexanol, 4-methyl-3-heptanol, 6-methyl-2-heptanol, 2,4,4-trimethyl-1-hexanol, 2,6-dimethyl-4-heptanol, isononyl alcohol, 3,7 dimethyl-3 -Octanol, 2,4 dimethyl-1-heptanol, 2-heptylundecanol, ethylene glycol Cole monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol 1-methyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether cyclopentanol, cyclohexanol, cyclopentane monomethylol, dicyclopentane mono Examples include, but are not limited to, methylol, tricyclodecane monomethylol, norbonol, terpineol, and the like.

アミノ基末端の封止剤として用いられる酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物およびモノ活性エステル化合物としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水ナジック酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、3−ヒドロキシフタル酸無水物等の酸無水物、2−カルボキシフェノール、3−カルボキシフェノール、4−カルボキシフェノール、2−カルボキシチオフェノール、3−カルボキシチオフェノール、4−カルボキシチオフェノール、1−ヒドロキシ−8−カルボキシナフタレン、1−ヒドロキシ−7−カルボキシナフタレン、1−ヒドロキシ−6−カルボキシナフタレン、1−ヒドロキシ−5−カルボキシナフタレン、1−ヒドロキシ−4−カルボキシナフタレン、1−ヒドロキシ−3−カルボキシナフタレン、1−ヒドロキシ−2−カルボキシナフタレン、1−メルカプト−8−カルボキシナフタレン、1−メルカプト−7−カルボキシナフタレン、1−メルカプト−6−カルボキシナフタレン、1−メルカプト−5−カルボキシナフタレン、1−メルカプト−4−カルボキシナフタレン、1−メルカプト−3−カルボキシナフタレン、1−メルカプト−2−カルボキシナフタレン、2−カルボキシベンゼンスルホン酸、3−カルボキシベンゼンスルホン酸、4−カルボキシベンゼンスルホン酸、2−エチニル安息香酸、3−エチニル安息香酸、4−エチニル安息香酸、2,4−ジエチニル安息香酸、2,5−ジエチニル安息香酸、2,6−ジエチニル安息香酸、3,4−ジエチニル安息香酸、3,5−ジエチニル安息香酸、2−エチニル−1−ナフトエ酸、3−エチニル−1−ナフトエ酸、4−エチニル−1−ナフトエ酸、5−エチニル−1−ナフトエ酸、6−エチニル−1−ナフトエ酸、7−エチニル−1−ナフトエ酸、8−エチニル−1−ナフトエ酸、2−エチニル−2−ナフトエ酸、3−エチニル−2−ナフトエ酸、4−エチニル−2−ナフトエ酸、5−エチニル−2−ナフトエ酸、6−エチニル−2−ナフトエ酸、7−エチニル−2−ナフトエ酸、8−エチニル−2−ナフトエ酸等のモノカルボン酸類およびこれらのカルボキシル基が酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、およびテレフタル酸、フタル酸、マレイン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、3−ヒドロキシフタル酸、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸、1,2−ジカルボキシナフタレン、1,3−ジカルボキシナフタレン、1,4−ジカルボキシナフタレン、1,5−ジカルボキシナフタレン、1,6−ジカルボキシナフタレン、1,7−ジカルボキシナフタレン、1,8−ジカルボキシナフタレン、2,3−ジカルボキシナフタレン、2,6−ジカルボキシナフタレン、2,7−ジカルボキシナフタレン等のジカルボン酸類のモノカルボキシル基だけが酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、モノ酸クロリド化合物とN−ヒドロキシベンゾトリアゾールやN−ヒドロキシ−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミドとの反応により得られる活性エステル化合物が挙げられる。   Examples of the acid anhydride, monocarboxylic acid, monoacid chloride compound, and monoactive ester compound used as the amino group terminal blocking agent include phthalic anhydride, maleic anhydride, nadic anhydride, cyclohexanedicarboxylic anhydride, 3- Acid anhydrides such as hydroxyphthalic anhydride, 2-carboxyphenol, 3-carboxyphenol, 4-carboxyphenol, 2-carboxythiophenol, 3-carboxythiophenol, 4-carboxythiophenol, 1-hydroxy-8- Carboxynaphthalene, 1-hydroxy-7-carboxynaphthalene, 1-hydroxy-6-carboxynaphthalene, 1-hydroxy-5-carboxynaphthalene, 1-hydroxy-4-carboxynaphthalene, 1-hydroxy-3-carboxynaphthalene, 1- Droxy-2-carboxynaphthalene, 1-mercapto-8-carboxynaphthalene, 1-mercapto-7-carboxynaphthalene, 1-mercapto-6-carboxynaphthalene, 1-mercapto-5-carboxynaphthalene, 1-mercapto-4-carboxy Naphthalene, 1-mercapto-3-carboxynaphthalene, 1-mercapto-2-carboxynaphthalene, 2-carboxybenzenesulfonic acid, 3-carboxybenzenesulfonic acid, 4-carboxybenzenesulfonic acid, 2-ethynylbenzoic acid, 3-ethynyl Benzoic acid, 4-ethynylbenzoic acid, 2,4-diethynylbenzoic acid, 2,5-diethynylbenzoic acid, 2,6-diethynylbenzoic acid, 3,4-diethynylbenzoic acid, 3,5-diethynylbenzoic acid, 2 -Ethynyl-1-naphtho 3-ethynyl-1-naphthoic acid, 4-ethynyl-1-naphthoic acid, 5-ethynyl-1-naphthoic acid, 6-ethynyl-1-naphthoic acid, 7-ethynyl-1-naphthoic acid, 8-ethynyl- 1-naphthoic acid, 2-ethynyl-2-naphthoic acid, 3-ethynyl-2-naphthoic acid, 4-ethynyl-2-naphthoic acid, 5-ethynyl-2-naphthoic acid, 6-ethynyl-2-naphthoic acid, Monocarboxylic acids such as 7-ethynyl-2-naphthoic acid and 8-ethynyl-2-naphthoic acid, monoacid chloride compounds in which these carboxyl groups are acid chloride, and terephthalic acid, phthalic acid, maleic acid, cyclohexanedicarboxylic acid 3-hydroxyphthalic acid, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid, 1,2-dicarboxynaphthalene, 1,3-dicarboxyna Phthalene, 1,4-dicarboxynaphthalene, 1,5-dicarboxynaphthalene, 1,6-dicarboxynaphthalene, 1,7-dicarboxynaphthalene, 1,8-dicarboxynaphthalene, 2,3-dicarboxynaphthalene, Monoacid chloride compounds in which only the monocarboxyl group of dicarboxylic acids such as 2,6-dicarboxynaphthalene and 2,7-dicarboxynaphthalene is acid chloride, monoacid chloride compounds and N-hydroxybenzotriazole and N-hydroxy-5 -Active ester compounds obtained by reaction with norbornene-2,3-dicarboximide.

アミノ基末端の封止剤として用いられる二炭酸エステル化合物としては、二炭酸ジ−tert−ブチル、二炭酸ジベンジル、二炭酸ジメチル、二炭酸ジエチルなどが挙げられる。   Examples of the dicarbonate compound used as the amino group terminal blocking agent include di-tert-butyl dicarbonate, dibenzyl dicarbonate, dimethyl dicarbonate, and diethyl dicarbonate.

アミノ基末端の封止剤として用いられるビニルエーテル化合物としては、クロロギ酸−tert−ブチル、クロロギ酸−n−ブチル、クロロギ酸イソブチル、クロロギ酸ベンジル、クロロギ酸アリル、クロロギ酸エチル、クロロギ酸イソプロピルなどのクロロギ酸エステル類、イソシアン酸ブチル、イソシアン酸1−ナフチル、イソシアン酸オクタデシル、イソシアン酸フェニルなどのイソシアナート化合物類、ブチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、n-プロピルビニルエーテル、tert−ブチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテルなどが挙げられる。   Examples of the vinyl ether compound used as the amino group terminal blocking agent include tert-butyl chloroformate, n-butyl chloroformate, isobutyl chloroformate, benzyl chloroformate, allyl chloroformate, ethyl chloroformate, and isopropyl chloroformate. Isocyanates such as chloroformates, butyl isocyanate, 1-naphthyl isocyanate, octadecyl isocyanate, phenyl isocyanate, butyl vinyl ether, cyclohexyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, 2-ethylhexyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether, isopropyl vinyl ether, n -Propyl vinyl ether, tert-butyl vinyl ether, benzyl vinyl ether and the like.

アミノ基末端の封止剤として用いられるその他の化合物としては、クロロギ酸ベンジル、ベンゾイルクロリド、クロロギ酸フルオレニルメチル、クロロギ酸2,2,2−トリクロロエチル、クロロギ酸アリル、メタンスルホン酸クロリド、p−トルエンスルホン酸クロリド、フェニルイソシアネ−トなどが挙げられる。   Examples of other compounds used as an amino group terminal blocking agent include benzyl chloroformate, benzoyl chloride, fluorenylmethyl chloroformate, 2,2,2-trichloroethyl chloroformate, allyl chloroformate, methanesulfonic acid chloride, Examples thereof include p-toluenesulfonic acid chloride and phenyl isocyanate.

酸無水物基末端の封止剤の導入割合は、酸二無水物成分に対して、0.1〜60モル%の範囲が好ましく、特に好ましくは5〜50モル%である。また、アミノ基末端の封止剤の導入割合は、ジアミン成分に対して、0.1〜100モル%の範囲が好ましく、特に好ましくは5〜90モル%である。複数の末端封止剤を反応させることにより、複数の異なる末端基を導入してもよい。   The introduction ratio of the acid anhydride group terminal sealing agent is preferably in the range of 0.1 to 60 mol%, particularly preferably 5 to 50 mol%, relative to the acid dianhydride component. Moreover, the introduction ratio of the amino group terminal sealing agent is preferably in the range of 0.1 to 100 mol%, particularly preferably 5 to 90 mol%, relative to the diamine component. A plurality of different end groups may be introduced by reacting a plurality of end-capping agents.

ポリイミド前駆体に導入された末端封止剤は、以下の方法で容易に検出できる。例えば、末端封止剤が導入されたポリマーを酸性溶液に溶解し、ポリマーの構成単位であるアミン成分と酸無水成分に分解し、これをガスクロマトグラフィー(GC)や、NMR測定することにより、末端封止剤を容易に検出できる。その他に、末端封止剤が導入されたポリマーを直接、熱分解ガスクロマトグラフ(PGC)や赤外スペクトルおよび13C NMRスペクトル測定でも、容易に検出可能である。 The end-capping agent introduced into the polyimide precursor can be easily detected by the following method. For example, by dissolving a polymer having an end capping agent dissolved in an acidic solution and decomposing it into an amine component and an acid anhydride component, which are constituent units of the polymer, this is measured by gas chromatography (GC) or NMR measurement, The end capping agent can be easily detected. In addition, the polymer in which the end-capping agent is introduced can be easily detected directly by pyrolysis gas chromatograph (PGC), infrared spectrum and 13 C NMR spectrum measurement.

[(b)一般式(2)で表されるエポキシ化合物]
前述したように、ポリイミド膜の白濁は、ポリイミド分子鎖の結晶化が原因と考えられる。一般的に、高分子化合物の結晶化には分子鎖の再配置が必要なため、分子鎖の運動性がある程度高いときに結晶化が起こる。ポリイミド前駆体樹脂組成物溶液の塗布膜を乾燥させて形成したポリイミド前駆体膜には溶剤分子が残存しており、その溶剤分子が可塑剤として作用することで、熱イミド化工程の時のポリイミド前駆体分子鎖の運動性が高まり、結晶化が進行すると考えられる。特に、一般式(1)中Aが式(3)〜(7)から選択される4価の有機基であり、Bが式(13)〜(18)から選択される2価の有機基であると、ポリイミド前駆体やポリイミド分子鎖の剛直性が高く、結晶化しやすいと考えられる。すなわち、高耐熱性や低CTE性を有するポリイミドでは、白濁しやすいと推定される。
[(B) Epoxy compound represented by general formula (2)]
As described above, the white turbidity of the polyimide film is considered to be caused by crystallization of polyimide molecular chains. In general, since crystallization of a polymer compound requires rearrangement of molecular chains, crystallization occurs when molecular chain mobility is high to some extent. Solvent molecules remain in the polyimide precursor film formed by drying the coating film of the polyimide precursor resin composition solution, and the solvent molecules act as a plasticizer, so that the polyimide at the time of the thermal imidization step It is considered that the mobility of the precursor molecular chain increases and crystallization proceeds. In particular, in General Formula (1), A is a tetravalent organic group selected from Formulas (3) to (7), and B is a divalent organic group selected from Formulas (13) to (18). If so, it is considered that the polyimide precursor and the polyimide molecular chain have high rigidity and are easily crystallized. That is, it is estimated that the polyimide having high heat resistance and low CTE property is likely to become cloudy.

本発明における(b)成分であるエポキシ化合物が、白濁を抑制する機構の詳細は明らかになっていないが、以下2つのポリイミド分子鎖の結晶化の阻害が原因と推定される。   Although the details of the mechanism for suppressing the white turbidity of the epoxy compound which is the component (b) in the present invention have not been clarified, it is presumed to be caused by the inhibition of crystallization of the two polyimide molecular chains below.

(1)架橋構造の形成
(b)成分はカルボキシル基との反応性が高いエポキシ基を有しているため、(a)成分のポリイミド前駆体のカルボキシル基とエポキシ基の反応によりポリイミド前駆体分子鎖が架橋されることで分子鎖の運動性が低下し、その結果、結晶化が阻害されると考えられる。
(1) Formation of a crosslinked structure (b) Since the component has an epoxy group highly reactive with a carboxyl group, a polyimide precursor molecule is obtained by the reaction of the carboxyl group and the epoxy group of the polyimide precursor of component (a). It is considered that molecular chain mobility decreases due to cross-linking of the chains, and as a result, crystallization is inhibited.

(2)フルオレン環の立体障害
高分子鎖の結晶化には分子鎖の均一な凝集構造が必要である。(b)成分は、嵩高い9,9−ビスフェニルフルオレン構造を有するため、架橋構造がポリイミド分子鎖の均一な凝集構造の形成を阻害することで、結晶化が阻害されると考えられる。
(2) Steric hindrance of fluorene ring Crystallization of a polymer chain requires a uniform aggregate structure of molecular chains. Since the component (b) has a bulky 9,9-bisphenylfluorene structure, it is considered that the cross-linking structure inhibits the formation of a uniform aggregate structure of polyimide molecular chains, thereby inhibiting crystallization.

一般式(2)中、R、Rは各々独立に炭素数1〜10の2価の有機基である。有機基としては飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族基などが挙げられる。飽和炭化水素基としては例えば、メチレン基、エチレン基、−CH(OCHCH−(nは1〜10の整数)などのアルキレン基等が挙げられる。不飽和炭化水素基としては例えば、−CH=CHCH−、−CH=CHCHCH−基等が挙げられる。芳香族基としては例えばフェニレン基やナフチレン基などが挙げられる。飽和炭化水素基はさらにハロゲン原子で置換されていてもよい。芳香族基はさらに飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基やハロゲン原子で置換されていてもよい。 In general formula (2), R 1 and R 2 are each independently a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms. Examples of the organic group include a saturated hydrocarbon group, an unsaturated hydrocarbon group, and an aromatic group. Examples of the saturated hydrocarbon group include an alkylene group such as a methylene group, an ethylene group, and —CH 2 (OCH 2 CH 2 ) n — (n is an integer of 1 to 10). Examples of the unsaturated hydrocarbon group include —CH═CHCH 2 — and —CH═CHCH 2 CH 2 — groups. Examples of the aromatic group include a phenylene group and a naphthylene group. The saturated hydrocarbon group may be further substituted with a halogen atom. The aromatic group may be further substituted with a saturated hydrocarbon group, an unsaturated hydrocarbon group or a halogen atom.

〜Rは各々独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基または炭素数1〜10の1価の有機基であり、有機基としては飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族基などが挙げられる。飽和炭化水素基としては例えば、メチル基、エチル基、tert-ブチル基などのアルキル基が挙げられる。不飽和炭化水素基としては例えば、ビニル基、エチニル基、ビフェニル基、フェニルエチニル基などが挙げられる。飽和炭化水素基はさらにハロゲン原子で置換されていてもよい。芳香族基としては例えばフェニル基などが挙げられる。芳香族基はさらに飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基やハロゲン原子で置換されていてもよい。a、b、c、dは置換基の数を表し、各々独立に0〜4の整数である。 R 3 to R 6 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, or a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, and examples of the organic group include a saturated hydrocarbon group, an unsaturated hydrocarbon group, and an aromatic group. Is mentioned. Examples of the saturated hydrocarbon group include alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, and a tert-butyl group. Examples of the unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, an ethynyl group, a biphenyl group, and a phenylethynyl group. The saturated hydrocarbon group may be further substituted with a halogen atom. Examples of the aromatic group include a phenyl group. The aromatic group may be further substituted with a saturated hydrocarbon group, an unsaturated hydrocarbon group or a halogen atom. a, b, c and d represent the number of substituents, each independently an integer of 0 to 4;

フルオレン環を有するエポキシ化合物としては、例えば9,9−ビス(グリシジルオ
キシアリール)フルオレン類や9,9−ビス(ヒドロキシ(ポリ)アルコキシアリール)フルオレン類が挙げられ、具体的には、9,9−ビス(グリシジルオキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(アルキル−グリシジルオキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(アリール−グリシジルオキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(グリシジルオキシC2−4アルコキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(C1−4アルキル−グリシジルオキシC2−4アルコキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(グリシジルオキシジ乃至テトラC2−4アルコキシフェニル)フルオレン等がある。より具体的には、9,9−ビス(4−グリシジルオキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−グリシジルオキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス(モノ又はジC1−4アルキル−グリシジルオキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(モノ又はジC6−10アリール−グリシジルオキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(6−グリシジルオキシ−2−ナフチル)フルオレン、9,9−ビス[4−(2−グリシジルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス(4−(2−グリシジルオキシエトキシ)−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−グリシジルオキシエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(グリシジルオキシC2−4アルコキシナフチル)フルオレン等が挙げられるが、これらに限定されない。また、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
Examples of the epoxy compound having a fluorene ring include 9,9-bis (glycidyloxyaryl) fluorenes and 9,9-bis (hydroxy (poly) alkoxyaryl) fluorenes, specifically, 9,9. -Bis (glycidyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (alkyl-glycidyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (aryl-glycidyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (glycidyloxy C2-4 alkoxyphenyl) ) Fluorene, 9,9-bis (C1-4 alkyl-glycidyloxy C2-4 alkoxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (glycidyloxydi to tetra C2-4 alkoxyphenyl) fluorene, and the like. More specifically, 9,9-bis (4-glycidyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-glycidyloxy-3-methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (3-methyl-4-) Hydroxyphenyl) fluorene, 9,9-bis [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis (mono or diC1-4alkyl-glycidyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (mono) Or diC6-10 aryl-glycidyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (6-glycidyloxy-2-naphthyl) fluorene, 9,9-bis [4- (2-glycidyloxyethoxy) phenyl] fluorene, 9 , 9-bis (4- (2-glycidyloxyethoxy) -3-methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4- 2-glycidyloxyethoxy) -3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (glycidyloxy C2-4 alkoxy naphthyl) but fluorene and the like, without limitation. Two or more types may be used in combination.

これらのうち、入手のしやすさの観点から、9,9−ビス(4−グリシジルオキシフェニル)フルオレンが好ましい。   Of these, 9,9-bis (4-glycidyloxyphenyl) fluorene is preferred from the viewpoint of availability.

樹脂組成物中のエポキシ化合物は、以下の方法で容易に検出できる。例えば、エポキシ化合物が添加されたポリイミド前駆体樹脂組成物、またはそのポリイミド樹脂組成物を直接、熱分解ガスクロマトグラフ(PGC)や赤外スペクトルおよび13C、15N NMRスペクトル測定でも、容易に検出可能である。 The epoxy compound in the resin composition can be easily detected by the following method. For example, a polyimide precursor resin composition to which an epoxy compound is added, or the polyimide resin composition can be easily detected by direct pyrolysis gas chromatography (PGC), infrared spectrum and 13 C, 15 N NMR spectrum measurement. It is.

樹脂組成物中の(b)一般式(2)で表されるエポキシ化合物の含有量は特に限定されないが、(a)ポリイミド前駆体100重量部に対して、5〜40重量部であることが好ましく、10〜30重量部であることがより好ましい。   Although content of the epoxy compound represented by (b) general formula (2) in a resin composition is not specifically limited, It is 5-40 weight part with respect to 100 weight part of (a) polyimide precursor. The amount is preferably 10 to 30 parts by weight.

本発明の樹脂組成物は、一般式(2)で表されるエポキシ化合物を含むものであれば、本発明の効果を損なわない範囲であれば熱架橋剤としてその他の多官能エポキシ化合物を含んでもよい。その他の多官能エポキシ化合物としては、ビスフェノールF型エポキシ化合物;ビスフェノールA型エポキシ化合物;フェノールノボラック型グリシジルエーテル化物、トリスフェノール型トリグリシジルエーテル化合物;クレゾールノボラック型グリシジルエーテル化物等のポリフェノール型エポキシ化合物;アニリン、トルイジン、メチレンジアミン、アミノフェノール等のアニリン誘導体のグリシジルアミン型エポキシ化合物;フタル酸ジグリシジルエステル、トリメリット酸トリグリシジルエステル、トリメシン酸トリグリシジルエステル、ピロメリット酸テトラグリシジルエステル等のグリシジルエステル型エポキシ化合物;1−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸ジグリシジルエステル、3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸ジグリシジルエステル、4−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジクリジシルエステル、3−メチルヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、4−メチルヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、1,2,4−シクロヘキサントリカルボン酸トリグリシジルエステル、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸テトラグリシジルエステル等の脂環式ポリカルボン酸グリシジルエステル;グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールテトラグリシジルエーテル、ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル等のグリシジルエーテル型エポキシ化合物;トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のイソシアヌル型エポキシ化合物;水添ビスフェノールAジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールFジグリシジルエーテル等の水添ポリフェノール型エポキシ化合物;1−ビニル−3−シクロヘキセンジオキサイド、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3′,4′−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシル−3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、ビス(3,4−エポキシ−6−メチルヘキシル)アジペート、テトラキス(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)ブタンテトラカルボキシレート、ジ(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)−4,5−エポキシテトラヒドロフタレート)、エチレンビス(3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート)、エチレンビス(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキサンカルボキシレート)、リモネンジオキサイド、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル)メタン、2,2−ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロパン、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル)、1,2,5,6−シクロオクタジエンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド等の脂環式エポキシ化合物; 1,2−エタンジオールジグリシジルエーテル、1,3−プロパンジオールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,5−ペンタンジオールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ化合物が挙げられるが、これらに限定されない。また、グリシジルエーテル基以外の基がアルキル基、エーテル基、ハロゲン基等で置換されていてもよく、これらの多官能エポキシ化合物を2種以上含有してもよい。   If the resin composition of this invention contains the epoxy compound represented by General formula (2), if it is a range which does not impair the effect of this invention, even if it contains another polyfunctional epoxy compound as a thermal crosslinking agent. Good. Other polyfunctional epoxy compounds include bisphenol F type epoxy compounds; bisphenol A type epoxy compounds; phenol novolac type glycidyl ether compounds, trisphenol type triglycidyl ether compounds; polyphenol type epoxy compounds such as cresol novolac type glycidyl ether compounds; aniline Glycidylamine type epoxy compounds of aniline derivatives such as toluidine, methylenediamine, and aminophenol; glycidyl ester type epoxies such as phthalic acid diglycidyl ester, trimellitic acid triglycidyl ester, trimesic acid triglycidyl ester, pyromellitic acid tetraglycidyl ester Compound: 1-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid diglycidyl ester, 3-cyclohexene-1,2-dica Bonic acid diglycidyl ester, 4-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid diglycidyl ester, hexahydrophthalic acid diglycidyl ester, 3-methylhexahydrophthalic acid diglycidyl ester, 4-methylhexahydrophthalic acid diglycidyl ester 1,2,4-cyclohexanetricarboxylic acid triglycidyl ester, alicyclic polycarboxylic acid glycidyl ester such as 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic acid tetraglycidyl ester; glycerin triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl Glycidyl ether type epoxy compounds such as ether, neopentyl glycol tetraglycidyl ether, polyalkylene glycol diglycidyl ether, sorbitol polyglycidyl ether; Isocyanur type epoxy compounds such as glycidyl isocyanurate and monoallyl diglycidyl isocyanurate; Hydrogenated polyphenol type epoxy compounds such as hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether and hydrogenated bisphenol F diglycidyl ether; 1-vinyl-3-cyclohexene dioxide 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ', 4'-epoxycyclohexanecarboxylate, 3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl-3,4-epoxy-6-methylcyclohexanecarboxylate, bis (3,4- Epoxycyclohexylmethyl) adipate, bis (3,4-epoxy-6-methylhexyl) adipate, tetrakis (3,4-epoxycyclohexylmethyl) butanetetracarboxylate, di (3,4-ethylene) Poxycyclohexylmethyl) -4,5-epoxytetrahydrophthalate), ethylene bis (3,4-epoxycyclohexanecarboxylate), ethylene bis (3,4-epoxy-6-methylcyclohexanecarboxylate), limonene dioxide, bis ( 3,4-epoxycyclohexyl) methane, 2,2-bis (3,4-epoxycyclohexyl) propane, bis (3,4-epoxycyclohexyl), 1,2,5,6-cyclooctadiene dioxide, dicyclo Cycloaliphatic epoxy compounds such as pentadiene dioxide; 1,2-ethanediol diglycidyl ether, 1,3-propanediol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, 1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,5 − Emissions Tan diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, cyclohexanedimethanol diglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, Aliphatic epoxy compounds such as neopentyl glycol diglycidyl ether, and the like. Further, groups other than the glycidyl ether group may be substituted with an alkyl group, an ether group, a halogen group or the like, and two or more of these polyfunctional epoxy compounds may be contained.

本発明の樹脂組成物は、モノエポキシ化合物を含んでもよい。モノエポキシ化合物としては、ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、オルソクレジルグリシジルエーテル、メタパラクレジルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、ベンジルグリシジルエーテル、1,3−ブタジエンモノエポキシド、tert−ブチルグリシジルエーテル、1−クロロ−2,3−エポキシプロパン、1,2−エポキシシクロヘキサン、1,4−エポキシシクロヘキサン、1,2−エポキシシクロペンタン、1,2−エポキシデカン、1,2−エポキシ−9−デセン、1,2−エポキシドデカン、1,2−エポキシヘプタン、1,2−エポキシペンタン、3,4−エポキシテトラヒドロフラン、1,2−エポキシ−4−ビニルシクロヘキサン、エチルグリシジルエーテル、プロピレンオキシド、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のモノエポキシ化合物が挙げられるが、これらに限定されない。また、グリシジルエーテル基以外の基がアルキル基、エーテル基、ハロゲン基等で置換されていてもよく、これらのモノエポキシ化合物を2種以上含有してもよい。   The resin composition of the present invention may contain a monoepoxy compound. Examples of the monoepoxy compound include butyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, orthocresyl glycidyl ether, metaparacresyl glycidyl ether, allyl glycidyl ether, benzyl glycidyl ether, 1,3-butadiene monoepoxide, tert-butyl glycidyl ether, 1- Chloro-2,3-epoxypropane, 1,2-epoxycyclohexane, 1,4-epoxycyclohexane, 1,2-epoxycyclopentane, 1,2-epoxydecane, 1,2-epoxy-9-decene, 1, 2-epoxydodecane, 1,2-epoxyheptane, 1,2-epoxypentane, 3,4-epoxytetrahydrofuran, 1,2-epoxy-4-vinylcyclohexane, ethyl glycidyl ether, propylene oxide, 2- (3,4 − Poxycyclohexyl) monotrioxy compounds such as ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, and the like. It is not limited. Moreover, groups other than the glycidyl ether group may be substituted with an alkyl group, an ether group, a halogen group, or the like, and two or more of these monoepoxy compounds may be contained.

本発明の樹脂組成物は、エポキシ化合物以外の熱架橋剤を含有していてもよい。熱架橋剤としては、オキセタン環やアルコキシメチル基またはメチロール基を少なくとも2つ有する化合物が好ましい。これらの基を少なくとも2つ有することで、樹脂および同種分子と縮合反応して架橋構造体が形成され、加熱処理後の硬化膜の機械強度や耐薬品性を向上させることができる。   The resin composition of the present invention may contain a thermal crosslinking agent other than the epoxy compound. As the thermal crosslinking agent, a compound having at least two oxetane rings, alkoxymethyl groups, or methylol groups is preferable. By having at least two of these groups, a crosslinked structure is formed by a condensation reaction with the resin and the same kind of molecules, and the mechanical strength and chemical resistance of the cured film after heat treatment can be improved.

2官能性オキセタン化合物としては、“エタナコール“OXBP、“エタナコール”OXTP、“エタナコール”OXIPA(以上、商品名、宇部興産(株)製)、PNOX−1009、OXT−121、OXT−221(以上、商品名、東亜合成(株)製)、3つ以上のオキセタニル基を有する化合物としては、オキセタン化フェノール樹脂や、オキセタニルシリケートが挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。   Examples of the bifunctional oxetane compound include “Ethanacol” OXBP, “Ethanacol” OXTP, “Ethanacol” OXIPA (trade name, manufactured by Ube Industries, Ltd.), PNOX-1009, OXT-121, OXT-221 (above, Examples of the compound having three or more oxetanyl groups include oxetanilated phenol resin and oxetanyl silicate. Two or more of these may be contained.

アルコキシメチル基またはメチロール基を少なくとも2つ有する化合物としては、例えば、DML−PC、DML−PEP、DML−OC、DML−OEP、DML−34X、DML−PTBP、DML−PCHP、DML−OCHP、DML−PFP、DML−PSBP、DML−POP、DML−MBOC、DML−MBPC、DML−MTrisPC、DML−BisOC−Z、DML−BisOCHP−Z、DML−BPC、DML−BisOC−P、DMOM−PC、DMOM−PTBP、DMOM−MBPC、TriML−P、TriML−35XL、TML−HQ、TML−BP、TML−pp−BPF、TML−BPE、TML−BPA、TML−BPAF、TML−BPAP、TMOM−BP、TMOM−BPE、TMOM−BPA、TMOM−BPAF、TMOM−BPAP、HML−TPPHBA、HML−TPHAP、HMOM−TPPHBA、HMOM−TPHAP(以上、商品名、本州化学工業(株)製)、NIKALAC(登録商標) MX−290、NIKALAC MX−280、NIKALAC MX−270、NIKALAC MX−279、NIKALAC MW−100LM、NIKALAC MX−750LM(以上、商品名、(株)三和ケミカル製)が挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。   Examples of the compound having at least two alkoxymethyl groups or methylol groups include DML-PC, DML-PEP, DML-OC, DML-OEP, DML-34X, DML-PTBP, DML-PCHP, DML-OCHP, and DML. -PFP, DML-PSBP, DML-POP, DML-MBOC, DML-MBPC, DML-MTrisPC, DML-BisOC-Z, DML-BisOCHP-Z, DML-BPC, DML-BisOC-P, DMOM-PC, DMOM -PTBP, DMOM-MBPC, TriML-P, TriML-35XL, TML-HQ, TML-BP, TML-pp-BPF, TML-BPE, TML-BPA, TML-BPAF, TML-BPAP, TMOM-BP, TMOM -BPE, TMO -BPA, TMOM-BPAF, TMOM-BPAP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP, HMOM-TPPHBA, HMOM-TPPHAP (above, trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), NIKALAC (registered trademark) MX-290, NIKALAC MX-280, NIKALAC MX-270, NIKACALAC MX-279, NIKACAL MW-100LM, NIKACALAC MX-750LM (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.). Two or more of these may be contained.

一般式(2)で表されるエポキシ化合物以外の熱架橋剤は、ポリイミド前駆体樹脂100重量部に対し、0.01〜50重量部含有することが好ましい。   It is preferable to contain 0.01-50 weight part of thermal crosslinking agents other than the epoxy compound represented by General formula (2) with respect to 100 weight part of polyimide precursor resin.

[(c)溶剤]
本発明の樹脂組成物は、溶剤を含有する樹脂組成物とすることが好ましい。溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、ガンマブチロラクトン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、N,N’−ジプロピルエチレンジアミン、N,N’−ジ
イソプロピルエチレンジアミン、N,N’−ジブチルエチレンジアミン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシドなどの極性の非プロトン性溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトン、ジアセトンアルコールなどのケトン類、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチルなどのエステル類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類などを単独、または2種以上使用することができる。
[(C) Solvent]
The resin composition of the present invention is preferably a resin composition containing a solvent. As the solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, gamma butyrolactone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diethyl-2-imidazolidinone, N, N Polar aprotic solvents such as' -dipropylethylenediamine, N, N'-diisopropylethylenediamine, N, N'-dibutylethylenediamine, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, tetrahydrofuran, dioxane , Ethers such as propylene glycol monomethyl ether, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, diisobutyl ketone, diacetone alcohol, esters such as ethyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl lactate, toluene Aromatic hydrocarbons such as xylene and the like may be used alone, or two or more.

溶剤の含有量は、ポリイミド前駆体100重量部に対して、好ましくは50重量部以上、より好ましくは100重量部以上であり、好ましくは2,000重量部以下、より好ましくは1,500重量部以下である。50〜2,000重量部の範囲であれば、塗布に適した粘度となり、塗布後の膜厚を容易に調節することができる。   The content of the solvent is preferably 50 parts by weight or more, more preferably 100 parts by weight or more, preferably 2,000 parts by weight or less, more preferably 1,500 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyimide precursor. It is as follows. If it is the range of 50-2,000 weight part, it will become a viscosity suitable for application | coating and the film thickness after application | coating can be adjusted easily.

[その他の成分]
本発明の樹脂組成物は、界面活性剤を含有していてもよい。界面活性剤としては、フロラード(商品名、住友3M(株)製)、メガファック(商品名、DIC(株)製)、スルフロン(商品名、旭硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤があげられる。また、KP341(商品名、信越化学工業(株)製)、DBE(商品名、チッソ(株)製)、ポリフロー、グラノール(商品名、共栄社化学(株)製)、BYK(ビック・ケミー(株)製)等の有機シロキサン界面活性剤が挙げられる。エマルミン(三洋化成工業(株)等のポリオキシアルキレンラウリエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテルおよびポリオキシエチレンセチルエーテル界面活性剤が挙げられる。さらに、ポリフロー(商品名、共栄社化学(株)製)等のアクリル重合物界面活性剤が挙げられる。
[Other ingredients]
The resin composition of the present invention may contain a surfactant. Fluorosurfactants such as Florard (trade name, manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), Megafuck (trade name, manufactured by DIC Corporation), Sulflon (trade name, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), etc. Can be given. In addition, KP341 (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), DBE (trade name, manufactured by Chisso Corporation), Polyflow, Granol (trade name, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), BYK (Bic Chemie Corporation) )) And other organic siloxane surfactants. Emulmin (Sanyo Kasei Kogyo Co., Ltd., polyoxyalkylene lauryl ether, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene oleyl ether and polyoxyethylene cetyl ether surfactants are included. In addition, polyflow (trade name, Kyoeisha Chemical ( Acrylic polymer surfactants such as those manufactured by KK).

界面活性剤は、樹脂組成物100重量部に対し、0.01〜10重量部含有することが好ましい。   It is preferable to contain 0.01-10 weight part of surfactant with respect to 100 weight part of resin compositions.

本発明の樹脂組成物は、内部離型剤を含有していてもよい。内部離型剤としては、長鎖脂肪酸等が挙げられる。   The resin composition of the present invention may contain an internal release agent. Examples of the internal mold release agent include long chain fatty acids.

本発明の樹脂組成物は、基材との接着性向上のため、シランカップリング剤、チタンカップリング剤等のカップリング剤を添加することができる。上記カップリング剤としては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、γ−アミノエチルトリエトキシシラン、γ−アミノエチルトリメトキシシラン、γ−アミノエチルトリプロポキシシラン、γ−アミノエチルトリブトキシシラン、γ−アミノブチルトリエトキシシラン、γ−アミノブチルトリメトキシシラン、γ−アミノブチルトリプロポキシシラン、γ−アミノブチルトリブトキシシラン、などが挙げられ、また上記チタンカップリング剤としては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシチタン、γ−アミノプロピルトリメトキシチタン、γ−アミノプロピルトリプロポキシチタン、γ−アミノプロピルトリブトキシチタン、γ−アミノエチルトリエトキシチタン、γ−アミノエチルトリメトキシチタン、γ−アミノエチルトリプロポキシチタン、γ−アミノエチルトリブトキシチタン、γ−アミノブチルトリエトキシチタン、γ−アミノブチルトリメトキシチタン、γ−アミノブチルトリプロポキシチタン、γ−アミノブチルトリブトキシチタン、などが挙げられる。これらは2種以上を併用してもよい。このときの使用量は、ポリイミド前駆体に対して、0.1重量%以上、3重量%以下が好ましい。   A coupling agent such as a silane coupling agent or a titanium coupling agent can be added to the resin composition of the present invention in order to improve adhesion to the substrate. Examples of the coupling agent include γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltripropoxysilane, γ-aminopropyltributoxysilane, γ-aminoethyltriethoxysilane, γ -Aminoethyltrimethoxysilane, γ-aminoethyltripropoxysilane, γ-aminoethyltributoxysilane, γ-aminobutyltriethoxysilane, γ-aminobutyltrimethoxysilane, γ-aminobutyltripropoxysilane, γ-amino Examples of the titanium coupling agent include γ-aminopropyltriethoxytitanium, γ-aminopropyltrimethoxytitanium, γ-aminopropyltripropoxytitanium, and γ-aminopropylene. Tributoxytitanium, γ-aminoethyltriethoxytitanium, γ-aminoethyltrimethoxytitanium, γ-aminoethyltripropoxytitanium, γ-aminoethyltributoxytitanium, γ-aminobutyltriethoxytitanium, γ-aminobutyltrimethoxy Examples thereof include titanium, γ-aminobutyl tripropoxy titanium, γ-aminobutyl tributoxy titanium, and the like. Two or more of these may be used in combination. The amount used at this time is preferably 0.1% by weight or more and 3% by weight or less with respect to the polyimide precursor.

その他、必要に応じて、各種添加剤を配合することも可能である。   In addition, it is also possible to mix | blend various additives as needed.

本発明の樹脂組成物は、着色剤を含有していてもよい。着色剤を添加することで、樹脂組成物の熱処理膜の色味を調節することができる。例えば、黄色味がかったポリイミド膜に青色顔料を添加することで、色味を白色に近づけることができる。   The resin composition of the present invention may contain a colorant. By adding a colorant, the color of the heat-treated film of the resin composition can be adjusted. For example, the color can be brought close to white by adding a blue pigment to a yellowish polyimide film.

着色剤としては、染料、有機顔料、無機顔料等を用いることができるが、耐熱性、透明性の面から有機顔料が好ましい。中でも透明性が高く、耐光性、耐熱性、耐薬品性に優れたものが好ましい。代表的な有機顔料の具体的な例をカラ−インデックス(CI)ナンバ−で示すと、次のようなものが好ましく使用されるが、いずれもこれらに限定されるものではない。   As the colorant, dyes, organic pigments, inorganic pigments and the like can be used, but organic pigments are preferable from the viewpoint of heat resistance and transparency. Among them, those having high transparency and excellent light resistance, heat resistance, and chemical resistance are preferable. When specific examples of typical organic pigments are represented by color index (CI) numbers, the following are preferably used, but they are not limited to these.

黄色顔料の例としては、ピグメントイエロ−(以下PYと略す)12、13、17、20、24、83、86、93、95、109、110、117、125、129、137、138、139、147、148、150、153、154、166、168、185などが使用される。また、オレンジ色顔料の例としては、ピグメントオレンジ(以下POと略す)13、36、38、43、51、55、59、61、64、65、71などが使用される。また、赤色顔料の例としては、ピグメントレッド(以下PRと略す)9、48、97、122、123、144、149、166、168、177、179、180、192、209、215、216、217、220、223、224、226、227、228、240、254などが使用される。また、紫色顔料の例としては、ピグメントバイオレット(以下PVと略す)19、23、29、30、32、37、40、50などが使用される。また、青色顔料の例としては、ピグメントブル−(以下PBと略す)15、15:3、15:4、15:6、22、60、64などが使用される。また、緑色顔料の例としては、ピグメントグリ−ン(以下PGと略す)7、10、36、58などが使用される。これらの顔料は、必要に応じて、ロジン処理、酸性基処理、塩基性処理などの表面処理をされていてもかまわない。   Examples of yellow pigments include pigment yellow (hereinafter abbreviated as PY) 12, 13, 17, 20, 24, 83, 86, 93, 95, 109, 110, 117, 125, 129, 137, 138, 139, 147, 148, 150, 153, 154, 166, 168, 185, etc. are used. Examples of orange pigments include pigment orange (hereinafter abbreviated as PO) 13, 36, 38, 43, 51, 55, 59, 61, 64, 65, 71, and the like. Examples of red pigments include pigment red (hereinafter abbreviated as PR) 9, 48, 97, 122, 123, 144, 149, 166, 168, 177, 179, 180, 192, 209, 215, 216, 217. 220, 223, 224, 226, 227, 228, 240, 254, etc. are used. Examples of purple pigments include pigment violet (hereinafter abbreviated as PV) 19, 23, 29, 30, 32, 37, 40, 50, and the like. Examples of blue pigments include pigment blue (hereinafter abbreviated as PB) 15, 15: 3, 15: 4, 15: 6, 22, 60, 64, and the like. Examples of green pigments include pigment green (hereinafter abbreviated as PG) 7, 10, 36, 58, and the like. These pigments may be subjected to surface treatment such as rosin treatment, acidic group treatment, basic treatment and the like, if necessary.

本発明の樹脂組成物は、無機フィラーを含有していてもよい。無機フィラーとしては、シリカ微粒子、アルミナ微粒子、チタニア微粒子、ジルコニア微粒子などが挙げられる。   The resin composition of the present invention may contain an inorganic filler. Examples of the inorganic filler include silica fine particles, alumina fine particles, titania fine particles, zirconia fine particles, and the like.

無機フィラーの形状は特に限定されず、球状、楕円形状、偏平状、ロッド状、繊維状などが挙げられる。   The shape of the inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include a spherical shape, an elliptical shape, a flat shape, a rod shape, and a fiber shape.

含有させた無機フィラーは光の散乱を防ぐため粒径が小さいことが好ましい。平均粒径は0.5〜100nmであり、0.5〜30nmの範囲が好ましい。   The contained inorganic filler preferably has a small particle size in order to prevent light scattering. The average particle size is 0.5 to 100 nm, preferably in the range of 0.5 to 30 nm.

無機フィラーの含有量は、ポリイミド前駆体100重量部に対し、好ましくは1〜50重量部、より好ましくは10〜30重量部である。含有量の増加に伴い、可とう性や耐折性が低下する。   The content of the inorganic filler is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 10 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyimide precursor. As the content increases, flexibility and folding resistance decrease.

樹脂組成物に無機フィラーを含有させる方法としては、種々公知の方法を用いることができる。例えば、オルガノ無機フィラーゾルをポリイミド前駆体と混合させることが挙げられる。オルガノ無機フィラーゾルは、有機溶剤に無機フィラーを30重量%程度の割合で分散させたもので、有機溶剤としては、メタノール、イソプロパノール、ノルマルブタノール、エチレングリコール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチルイミダゾリジノン、ガンマブチロラクトンなどが挙げられる。   Various known methods can be used as a method of incorporating an inorganic filler into the resin composition. For example, an organoinorganic filler sol can be mixed with a polyimide precursor. Organo inorganic filler sol is an organic solvent in which an inorganic filler is dispersed at a ratio of about 30% by weight. Examples of organic solvents include methanol, isopropanol, normal butanol, ethylene glycol, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, propylene glycol monomethyl acetate, Examples include propylene glycol monomethyl ether, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethylimidazolidinone, and gamma butyrolactone.

無機フィラーのポリイミド前駆体に対する分散性を向上させるために、オルガノ無機フィラーゾルをシランカップリング剤で処理してもよい。シランカップリング剤の末端官能基にエポキシ基やアミノ基を有していると、ポリイミド前駆体のカルボン酸と結合することで、ポリイミド前駆体との親和性が高まり、より効果的な分散を行うことができる。   In order to improve the dispersibility of the inorganic filler with respect to the polyimide precursor, the organoinorganic filler sol may be treated with a silane coupling agent. When the terminal functional group of the silane coupling agent has an epoxy group or an amino group, the affinity with the polyimide precursor is increased by bonding with the carboxylic acid of the polyimide precursor, and more effective dispersion is performed. be able to.

エポキシ基を有するものとしては、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。   Examples of those having an epoxy group include 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and 3-glycidoxypropylmethyl. Examples thereof include diethoxysilane and 3-glycidoxypropyltriethoxysilane.

アミノ基を有するものとしては、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチル−ブチリデン)プロピルアミン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。   As those having an amino group, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, Examples include 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl-butylidene) propylamine, and N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane.

オルガノ無機フィラーゾルのシランカップリング剤による処理方法としては、種々公知の方法を用いることができる。例えば、濃度を調整したオルガノ無機フィラーゾルにシランカップリング剤を添加し、室温〜80℃で0.5〜2時間、撹拌することにより処理することができる。   Various known methods can be used as a method of treating the organoinorganic filler sol with a silane coupling agent. For example, it can be processed by adding a silane coupling agent to an organoinorganic filler sol having a controlled concentration and stirring at room temperature to 80 ° C. for 0.5 to 2 hours.

本発明の樹脂組成物は、光酸発生剤を含有していてもよい。光酸発生剤を含有することにより、露光パターンが描かれたマスクを介して光を照射すると露光部に酸が発生し、露光部のアルカリ水溶液に対する溶解性が増大するため、ポジ型感光性樹脂組成物として用いることができる。   The resin composition of the present invention may contain a photoacid generator. By containing a photoacid generator, when light is irradiated through a mask on which an exposure pattern is drawn, an acid is generated in the exposed portion and the solubility of the exposed portion in an alkaline aqueous solution is increased. It can be used as a composition.

本発明に用いられる光酸発生剤としては、キノンジアジド化合物、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩などが挙げられる。中でも優れた溶解抑止効果を発現し、高感度かつ低膜減りのポジ型感光性樹脂組成物を得られるという点から、キノンジアジド化合物が好ましく用いられる。また、光酸発生剤を2種以上含有してもよい。これにより、露光部と未露光部の溶解速度の比をより大きくすることができ、高感度なポジ型感光性樹脂組成物を得ることができる。   Examples of the photoacid generator used in the present invention include quinonediazide compounds, sulfonium salts, phosphonium salts, diazonium salts and iodonium salts. Among them, a quinonediazide compound is preferably used from the standpoint that a positive photosensitive resin composition exhibiting an excellent dissolution inhibiting effect and having a high sensitivity and a low film thickness can be obtained. Moreover, you may contain 2 or more types of photo-acid generators. Thereby, the ratio of the dissolution rate of an exposed part and an unexposed part can be enlarged more, and a highly sensitive positive type photosensitive resin composition can be obtained.

キノンジアジド化合物としては、ポリヒドロキシ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステルで結合したもの、ポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がスルホンアミド結合したもの、ポリヒドロキシポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステル結合および/またはスルホンアミド結合したものなどが挙げられる。これらポリヒドロキシ化合物やポリアミノ化合物の全ての官能基がキノンジアジドで置換されていなくても良いが、官能基全体の50モル%以上がキノンジアジドで置換されていることが好ましい。このようなキノンジアジド化合物を用いることで、一般的な紫外線である水銀灯のi線(波長365nm)、h線(波長405nm)、g線(波長436nm)により反応するポジ型感光性樹脂組成物を得ることができる。   The quinonediazide compound includes a polyhydroxy compound in which a sulfonic acid of quinonediazide is bonded with an ester, a polyamino compound in which a sulfonic acid of quinonediazide is bonded to a sulfonamide, and a sulfonic acid of quinonediazide in an ester bond and / or sulfone. Examples include amide-bonded ones. Although all the functional groups of these polyhydroxy compounds and polyamino compounds may not be substituted with quinonediazide, it is preferable that 50 mol% or more of the entire functional groups are substituted with quinonediazide. By using such a quinonediazide compound, a positive photosensitive resin composition that reacts with i-ray (wavelength 365 nm), h-ray (wavelength 405 nm), and g-ray (wavelength 436 nm) of a mercury lamp, which is a general ultraviolet ray, is obtained. be able to.

本発明において、キノンジアジド化合物は5−ナフトキノンジアジドスルホニル基、4−ナフトキノンジアジドスルホニル基のいずれも好ましく用いられる。同一分子中にこれらの基を両方有する化合物を用いてもよいし、異なる基を用いた化合物を併用してもよい。   In the present invention, the quinonediazide compound is preferably a 5-naphthoquinonediazidesulfonyl group or a 4-naphthoquinonediazidesulfonyl group. A compound having both of these groups in the same molecule may be used, or a compound using different groups may be used in combination.

本発明に用いられるキノンジアジド化合物は、特定のフェノール化合物から、次の方法により合成される。例えば5−ナフトキノンジアジドスルホニルクロライドとフェノール化合物をトリエチルアミン存在下で反応させる方法が挙げられる。フェノール化合物の合成方法は、酸触媒下で、α−(ヒドロキシフェニル)スチレン誘導体を多価フェノール化合物と反応させる方法などが挙げられる。   The quinonediazide compound used in the present invention is synthesized from a specific phenol compound by the following method. For example, a method of reacting 5-naphthoquinonediazide sulfonyl chloride and a phenol compound in the presence of triethylamine can be mentioned. Examples of the method for synthesizing a phenol compound include a method in which an α- (hydroxyphenyl) styrene derivative is reacted with a polyhydric phenol compound under an acid catalyst.

光酸発生剤の含有量は、ポリイミド前駆体100重量部に対して、好ましくは3〜40重量部である。光酸発生剤の含有量をこの範囲とすることにより、より高感度化を図ることができる。さらに増感剤などを必要に応じて含有してもよい。   The content of the photoacid generator is preferably 3 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyimide precursor. By setting the content of the photoacid generator within this range, higher sensitivity can be achieved. Furthermore, you may contain a sensitizer etc. as needed.

ポジ型感光性樹脂のパターンを形成するには、ポジ型感光性樹脂のワニスを基板上に塗布し、露光後、現像液を用いて露光部を除去する。現像液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によっては、これらのアルカリ水溶液にN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ガンマブチロラクトン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶剤、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を組み合わせたものを添加してもよい。現像後は水にてリンス処理をすることが好ましい。ここでもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えてリンス処理をしてもよい。   In order to form a pattern of the positive photosensitive resin, a varnish of the positive photosensitive resin is applied onto the substrate, and after exposure, the exposed portion is removed using a developer. Developers include tetramethylammonium hydroxide, diethanolamine, diethylaminoethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, triethylamine, diethylamine, methylamine, dimethylamine, dimethylaminoethyl acetate, dimethylaminoethanol, dimethyl An aqueous solution of a compound showing alkalinity such as aminoethyl methacrylate, cyclohexylamine, ethylenediamine, hexamethylenediamine and the like is preferable. In some cases, these alkaline aqueous solutions may contain polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, gamma butyrolactone, dimethylacrylamide, methanol, ethanol, isopropanol. Alcohols such as ethyl lactate, esters such as propylene glycol monomethyl ether acetate, ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, isobutyl ketone, and methyl isobutyl ketone may be added singly or in combination. . After development, it is preferable to rinse with water. Here, alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol, and esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate may be added to water for rinsing treatment.

以下では、一般式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体の製造方法について説明する。ポリアミド酸やポリアミド酸エステル、ポリアミド酸シリルエステルなどのポリイミド前駆体は、ジアミン化合物と酸二無水物又はその誘導体との反応により合成することができる。誘導体としては、該酸二無水物のテトラカルボン酸、そのテトラカルボン酸のモノ、ジ、トリ、又はテトラエステル、酸塩化物などが挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n―ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基などでエステル化された構造が挙げられる。重合反応の反応方法は、目的のポリイミド前駆体が製造できれば特に制限はなく、公知の反応方法を用いることができる。   Below, the manufacturing method of the polyimide precursor which has a structural unit represented by General formula (1) is demonstrated. Polyimide precursors such as polyamic acid, polyamic acid ester, and polyamic acid silyl ester can be synthesized by a reaction between a diamine compound and an acid dianhydride or a derivative thereof. Examples of the derivatives include tetracarboxylic acids of the acid dianhydrides, mono-, di-, tri-, or tetra-esters of the tetracarboxylic acids, acid chlorides, and the like, and specifically include methyl groups, ethyl groups, and n-propyl. And a structure esterified with a group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, and the like. The reaction method of the polymerization reaction is not particularly limited as long as the target polyimide precursor can be produced, and a known reaction method can be used.

具体的な反応方法としては、所定量の全てのジアミン成分および溶剤を反応器に仕込み溶解させた後、所定量の酸二無水物成分を仕込み、室温〜80℃で0.5〜30時間撹拌する方法などが挙げられる。   As a specific reaction method, a predetermined amount of all diamine components and a solvent are charged and dissolved in a reactor, and then a predetermined amount of acid dianhydride component is charged and stirred at room temperature to 80 ° C. for 0.5 to 30 hours. The method of doing is mentioned.

以下では、本発明の樹脂組成物を用いてポリイミド樹脂膜を製造する方法について説明する。なお、ポリイミド樹脂膜には、前述の界面活性剤、内部離型剤、熱架橋剤、着色剤、無機フィラー、光酸発生剤等が含まれていてもよい。   Below, the method to manufacture a polyimide resin film using the resin composition of this invention is demonstrated. The polyimide resin film may contain the aforementioned surfactant, internal release agent, thermal crosslinking agent, colorant, inorganic filler, photoacid generator, and the like.

まず、ポリイミド前駆体樹脂組成物を基板上に塗布する。基板としては例えばシリコンウエハ、セラミックス類、ガリウムヒ素、ソーダ石灰ガラス、無アルカリガラスなどが用いられるが、これらに限定されない。塗布方法は、例えば、スリットコート法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法、バーコート法などの方法があり、これらの手法を組み合わせて塗布してもかまわない。これらの中でも、スピンコートもしくはスリットコートによる塗布法が好ましい。   First, a polyimide precursor resin composition is applied on a substrate. As the substrate, for example, a silicon wafer, ceramics, gallium arsenide, soda-lime glass, alkali-free glass, or the like is used, but is not limited thereto. Examples of the coating method include a slit coating method, a spin coating method, a spray coating method, a roll coating method, and a bar coating method, and these methods may be used in combination. Among these, spin coating or slit coating is preferable.

次に、基板に塗布したポリイミド前駆体樹脂組成物を乾燥して、ポリイミド前駆体樹脂組成物膜を得る。乾燥はホットプレート、オーブン、赤外線、真空チャンバーなどを使用する。ホットプレートを用いる場合、プレート上に直接、もしくは、プレート上に設置したプロキシピン等の治具上に被加熱体を保持して加熱する。プロキシピンの材質としては、アルミニウムやステレンレス等の金属材料、あるいはポリイミド樹脂や“テフロン”(登録商標)等の合成樹脂があり、いずれの材質のプロキシピンを用いてもかまわない。プロキシピンの高さは、基板のサイズ、被加熱体である樹脂層の種類、加熱の目的等により様々であるが、例えば300mm×350mm×0.7mmのガラス基板上に塗布した樹脂層を加熱する場合、プロキシピンの高さは2〜12mm程度が好ましい。   Next, the polyimide precursor resin composition applied to the substrate is dried to obtain a polyimide precursor resin composition film. For drying, a hot plate, an oven, an infrared ray, a vacuum chamber or the like is used. When a hot plate is used, the object to be heated is heated by holding it directly on the plate or on a jig such as a proxy pin installed on the plate. As a material of the proxy pin, there are a metal material such as aluminum or sterylene, or a synthetic resin such as polyimide resin or “Teflon” (registered trademark), and any proxy pin may be used. The height of the proxy pin varies depending on the size of the substrate, the type of the resin layer to be heated, the purpose of heating, etc. For example, the resin layer coated on a 300 mm × 350 mm × 0.7 mm glass substrate is heated. In this case, the height of the proxy pin is preferably about 2 to 12 mm.

中でも、真空チャンバーを用いて真空乾燥させることが好ましく、真空乾燥後にさらに乾燥のための加熱を行ったり、真空乾燥しながら乾燥のための加熱を行ったりすることがさらに好ましい。これにより、乾燥処理時間の短縮が可能となり、さらに、均一な塗布膜を得ることができる。乾燥のための加熱の温度は被加熱体の種類や目的により様々であり、室温から170℃の範囲で1分から数時間行うことが好ましい。室温とは通常20〜30℃であるが好ましくは25℃である。さらに、乾燥工程は同一の条件、又は異なる条件で複数回行ってもよい。   Among these, it is preferable to perform vacuum drying using a vacuum chamber, and it is more preferable to perform heating for drying after vacuum drying, or heating for drying while vacuum drying. As a result, the drying process time can be shortened, and a uniform coating film can be obtained. The heating temperature for drying varies depending on the type and purpose of the object to be heated, and it is preferably performed in the range of room temperature to 170 ° C. for 1 minute to several hours. The room temperature is usually 20 to 30 ° C, preferably 25 ° C. Furthermore, you may perform a drying process in multiple times on the same conditions or different conditions.

次に、イミド化のための加熱を行う。ポリイミド前駆体樹脂組成物膜を180℃以上650℃以下の範囲で加熱してポリイミド樹脂膜に変換する。これを熱イミド化工程という。なお、熱イミド化工程は、上記乾燥工程の後に何らかの工程を経てから行われても構わない。   Next, heating for imidization is performed. The polyimide precursor resin composition film is heated in the range of 180 ° C. or more and 650 ° C. or less to be converted into a polyimide resin film. This is called a thermal imidization step. The thermal imidization process may be performed after passing through some process after the drying process.

熱イミド化工程の雰囲気は特に限定されず、空気でも窒素やアルゴン等の不活性ガスでもよい。ただし、一般式(1)中のBがtrans−1,4−ジアミノシクロへキサンのジアミン残基である場合など無色透明性が求められる場合は、酸素濃度が5%以下の雰囲気で加熱して熱イミド化を行うことが好ましい。一般的に、酸素濃度を低くすることで、加熱時のポリイミド膜の酸化着色を低減し、高い透明性を保つことができるが、一方で、ppmオーダーでの酸素濃度管理は、製造現場では困難であることが多い。本発明のポリイミド樹脂膜は、加熱硬化時の酸素濃度が5%以下であればより高い透明性を保つことができるため好ましい。   The atmosphere of the thermal imidization step is not particularly limited, and may be air or an inert gas such as nitrogen or argon. However, when colorless transparency is required, such as when B in the general formula (1) is a diamine residue of trans-1,4-diaminocyclohexane, it is heated in an atmosphere having an oxygen concentration of 5% or less. It is preferable to perform thermal imidization. In general, by reducing the oxygen concentration, the oxidation coloring of the polyimide film during heating can be reduced and high transparency can be maintained, but on the other hand, oxygen concentration management in the ppm order is difficult at the manufacturing site. Often. The polyimide resin film of the present invention is preferable if the oxygen concentration at the time of heat curing is 5% or less because higher transparency can be maintained.

また、熱イミド化のための加熱温度に到達するまでに要する時間は特に限定されず、製造ラインの加熱形式にあわせた昇温方法を選択することができる。例えば、オーブン内にて、基材上に形成されたポリイミド前駆体樹脂膜を室温から加熱温度まで5〜120分かけて昇温してもよいし、予め200℃以上650℃以下の範囲に加熱されたオーブン内に基材上に形成されたポリイミド前駆体樹脂膜をいきなり投入して加熱処理を行ってもよい。一般的に、昇温速度を高くすると、白濁が顕著になる。これは、ポリイミド前駆体膜を急速に加熱すると、徐々に昇温させた場合と比較して、熱イミド化過程においても膜中に溶剤がより多く残存することになる。したがって、その可塑化効果のためポリイミド前駆体分子鎖の運動性がより高くなることで、結晶化が進行しやすいと考えられる。前述したように、本発明の樹脂組成物は(b)成分によりポリイミド分子鎖の結晶化が抑制されるため、熱イミド化工程の条件によらず低ヘイズ値のポリイミド樹脂膜を得ることができる。したがって、加熱工程に要する時間を短縮することができる。   In addition, the time required to reach the heating temperature for thermal imidization is not particularly limited, and a temperature raising method that matches the heating type of the production line can be selected. For example, in the oven, the polyimide precursor resin film formed on the substrate may be heated from room temperature to the heating temperature over 5 to 120 minutes, or heated in the range of 200 ° C. to 650 ° C. in advance. The polyimide precursor resin film formed on the base material may be suddenly put into the oven and the heat treatment may be performed. Generally, when the heating rate is increased, white turbidity becomes remarkable. This is because when the polyimide precursor film is rapidly heated, more solvent remains in the film even in the process of thermal imidization than when the temperature is gradually raised. Therefore, it is considered that crystallization is likely to proceed by increasing the mobility of the polyimide precursor molecular chain due to its plasticizing effect. As described above, since the crystallization of the polyimide molecular chain is suppressed by the component (b) in the resin composition of the present invention, a polyimide resin film having a low haze value can be obtained regardless of the conditions of the thermal imidization step. . Therefore, the time required for the heating process can be shortened.

上記のように得られたポリイミド樹脂膜は高透明性、可とう性を有しており、フレキシブル基板として好適に用いることができる。フレキシブル基板としては、ヘイズ値(%)は0.2%以下であることがより好ましく、0%であることがさらに好ましい。ヘイズ値が0.2%以下であることで、外観検査でも白濁が見られない。このことは、後述のようにぼやけのない明瞭な表示画像を得る上で重要であり、ヘイズ値が0.2%以下となることは従来技術からの大きな改良である。   The polyimide resin film obtained as described above has high transparency and flexibility, and can be suitably used as a flexible substrate. As a flexible substrate, the haze value (%) is more preferably 0.2% or less, and further preferably 0%. When the haze value is 0.2% or less, white turbidity is not observed even in appearance inspection. This is important in obtaining a clear display image without blur as will be described later, and a haze value of 0.2% or less is a significant improvement from the prior art.

以下では、本発明で得られたポリイミド樹脂膜を基材に用いた表示デバイス、受光デバイス、回路基板、TFT基板等の製造方法について記すが、上記のように得られた基材上のポリイミド樹脂膜は、基材から剥離しても、剥離せずにそのまま樹脂膜上に表示デバイス、受光デバイス、回路、TFTなどの製造を行ってもよい。後者の場合は、表示デバイス、受光デバイス、回路、TFTなどをポリイミド樹脂膜ごと基材から剥離する必要があるが、剥離方法は特に限定されるものではなく、水に浸漬する方法、塩酸やフッ酸などの薬液に浸漬する方法、紫外光から赤外光の波長範囲のレーザー光をポリイミド樹脂膜と基板の界面に照射する方法などが挙げられる。なお、剥離作業を容易にするために、ポリイミド前駆体樹脂組成物を基材へ塗布する前に、基板に離型剤や犠牲層を塗布しておいてもよい。係る離型剤としては、植物油系、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、芳香族高分子系、アルコキシシラン系等が挙げられる。係る犠牲層としては、金属膜、酸化物膜、アモルファスシリコン膜等が挙げられる。   Below, although it describes about the manufacturing method of the display device, light receiving device, circuit board, TFT substrate, etc. which used the polyimide resin film obtained by this invention for the base material, the polyimide resin on the base material obtained as mentioned above is described. Even if the film is peeled off from the base material, a display device, a light receiving device, a circuit, a TFT, or the like may be produced on the resin film as it is without being peeled off. In the latter case, it is necessary to peel the display device, light receiving device, circuit, TFT, etc. from the substrate together with the polyimide resin film, but the peeling method is not particularly limited, and is a method of immersing in water, hydrochloric acid or fluorine. Examples thereof include a method of immersing in a chemical solution such as an acid, and a method of irradiating the interface between the polyimide resin film and the substrate with laser light in a wavelength range from ultraviolet light to infrared light. In order to facilitate the peeling operation, a release agent or a sacrificial layer may be applied to the substrate before applying the polyimide precursor resin composition to the substrate. Examples of the release agent include vegetable oils, alkyds, silicones, fluorines, aromatic polymers, alkoxysilanes, and the like. Examples of the sacrificial layer include a metal film, an oxide film, and an amorphous silicon film.

本発明のポリイミド樹脂膜は、TFT基板の基材に好適に使用することができる。すなわち、本発明のポリイミド樹脂膜上に無機膜およびTFTを備えたTFT基板を得ることができる。   The polyimide resin film of this invention can be used conveniently for the base material of a TFT substrate. That is, a TFT substrate having an inorganic film and a TFT on the polyimide resin film of the present invention can be obtained.

本発明のポリイミド樹脂膜を利用したTFT基板は少なくとも以下の工程を経て製造することができる。
(1)本発明の樹脂組成物を基板上に塗布する工程
(2)塗布された樹脂組成物から溶剤を除去する工程
(3)樹脂組成物中のポリイミド前駆体をイミド化してポリイミド樹脂膜を得る工程
(4)ポリイミド樹脂膜上に無機膜を形成する工程
(5)TFTを形成する工程。
A TFT substrate using the polyimide resin film of the present invention can be manufactured through at least the following steps.
(1) Step of applying the resin composition of the present invention on the substrate (2) Step of removing the solvent from the applied resin composition (3) Imidating the polyimide precursor in the resin composition to form a polyimide resin film Step of obtaining (4) Step of forming inorganic film on polyimide resin film (5) Step of forming TFT.

ガラス基板上にポリイミド前駆体樹脂溶組成物を塗布する。次に、前記の乾燥方法によって塗布された樹脂組成物から溶剤を除去する。さらに、前記の熱イミド化によって樹脂組成物中のポリイミド前駆体をイミド化してポリイミド樹脂膜を得る。ポリイミド樹脂膜の上に、無機膜を形成する。   A polyimide precursor resin-soluble composition is applied onto a glass substrate. Next, the solvent is removed from the resin composition applied by the drying method. Further, the polyimide precursor in the resin composition is imidized by the thermal imidization to obtain a polyimide resin film. An inorganic film is formed on the polyimide resin film.

無機膜としては、ポリイミド樹脂膜の少なくとも片面に、水蒸気や酸素などのガスの透過を抑制するためにガスバリア膜を形成することが好ましい。好ましいガスバリア膜としては、例えば、ケイ素、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、ジルコニウム、チタン、イットリウム、およびタンタルからなる群から選ばれる1種または2種以上の金属を主成分とする金属酸化物、ケイ素、アルミニウム、ホウ素の金属窒化物またはこれらの混合物を挙げることができる。中でも、ガスバリア性、透明性、表面平滑性、屈曲性、膜応力、コスト等の点からケイ素の酸化物、窒化物、または酸窒化物を主成分とすることが好ましい。これら無機のガスバリア膜は例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法等の気相中より材料を堆積させて膜を形成する気相堆積法により作製することができる。中でも、特に優れたガスバリア性が得られるという観点から、スパッタリング法が好ましい。また、無機ガスバリア膜の厚さは10〜300nmであることが好ましく、30〜200nmであることがさらに好ましい。   As the inorganic film, it is preferable to form a gas barrier film on at least one surface of the polyimide resin film in order to suppress permeation of gas such as water vapor and oxygen. Preferred gas barrier films include, for example, metal oxides composed mainly of one or more metals selected from the group consisting of silicon, aluminum, magnesium, zinc, zirconium, titanium, yttrium, and tantalum, silicon, aluminum , Boron metal nitrides or mixtures thereof. Of these, silicon oxide, nitride, or oxynitride is the main component from the viewpoint of gas barrier properties, transparency, surface smoothness, flexibility, film stress, cost, and the like. These inorganic gas barrier films can be produced by a vapor deposition method in which a film is formed by depositing a material in a vapor phase, such as sputtering, vacuum deposition, ion plating, and plasma CVD. Among these, the sputtering method is preferable from the viewpoint that particularly excellent gas barrier properties can be obtained. The thickness of the inorganic gas barrier film is preferably 10 to 300 nm, and more preferably 30 to 200 nm.

TFTを形成するための半導体層としては、アモルファスシリコン半導体、多結晶シリコン半導体、IGZOに代表される酸化物半導体、ペンタセンやポリチオフェンに代表される有機物半導体が挙げられる。例えば、本発明のポリイミド樹脂膜を基材として、ガスバリア膜、ゲート電極、ゲート絶縁膜、IGZO半導体層、エッチングストッパ膜、ソース・ドレイン電極を公知の方法によって順次形成してボトムゲート型TFTを作製する。上記の工程を経てポリイミド樹脂膜を利用したTFT基板を製造することができる。このようなTFT基板は、液晶デバイスや有機EL素子の駆動基板として用いることができる。   Examples of the semiconductor layer for forming the TFT include an amorphous silicon semiconductor, a polycrystalline silicon semiconductor, an oxide semiconductor typified by IGZO, and an organic semiconductor typified by pentacene and polythiophene. For example, using the polyimide resin film of the present invention as a base material, a gas barrier film, a gate electrode, a gate insulating film, an IGZO semiconductor layer, an etching stopper film, and a source / drain electrode are sequentially formed by a known method to produce a bottom gate type TFT. To do. A TFT substrate using a polyimide resin film can be manufactured through the above steps. Such a TFT substrate can be used as a driving substrate for a liquid crystal device or an organic EL element.

例えばボトムエミッション型有機ELパネルの使用者はTFT基板を透過してきた光を感知するため、基板に白濁が見られると、表示画像がぼやけてしまう。一方、本発明のポリイミド樹脂膜を用いることで低ヘイズの基板を得られるため、はっきりとした表示画像を得ることができる。また、TFT基板の製造において、本発明のポリイミド樹脂膜はヘイズが低いため、ゲート電極、ゲート絶縁膜、IGZO半導体層、エッチングストッパ膜、ソース・ドレイン電極の形成に際しての各パターンの位置合わせで使用するアライメントマークの視認性が良好であり、TFTを高い精度で作製できる。その結果、駆動性能の良好なTFT基板が得られる。   For example, since a user of a bottom emission type organic EL panel senses light transmitted through a TFT substrate, a display image is blurred if white turbidity is seen on the substrate. On the other hand, since the low haze substrate can be obtained by using the polyimide resin film of the present invention, a clear display image can be obtained. Moreover, since the polyimide resin film of the present invention has a low haze in the manufacture of TFT substrates, it is used to align each pattern when forming the gate electrode, gate insulating film, IGZO semiconductor layer, etching stopper film, and source / drain electrodes. Therefore, the visibility of the alignment mark is good, and the TFT can be manufactured with high accuracy. As a result, a TFT substrate with good driving performance can be obtained.

本発明のポリイミド樹脂膜のうち、可視光領域で高透過率を有するものは、カラーフィルタ基材に好適に使用することができる。すなわち、本発明のポリイミド樹脂膜上にブラックマトリックスおよび着色画素を備えたカラーフィルタを得ることができる。表示パネルの使用者はカラーフィルタを透過してきた光を感知するため、白濁の見られる樹脂基板を用いると、表示画像がぼやけてしまう。一方、本発明のポリイミド樹脂膜を用いることで低ヘイズ値の基板を得られるため、ぼやけのない明瞭な表示画像を得ることができる。   Among the polyimide resin films of the present invention, those having a high transmittance in the visible light region can be suitably used for a color filter substrate. That is, a color filter having a black matrix and colored pixels on the polyimide resin film of the present invention can be obtained. Since the user of the display panel senses the light transmitted through the color filter, the display image becomes blurred if a resin substrate with white turbidity is used. On the other hand, since a substrate having a low haze value can be obtained by using the polyimide resin film of the present invention, a clear display image without blur can be obtained.

本発明のポリイミド樹脂膜を利用したカラーフィルタは少なくとも以下の工程を経て製造することができる。
(1)本発明の樹脂組成物を基板上に塗布する工程
(2)塗布された樹脂組成物から溶剤を除去する工程
(3)樹脂組成物中のポリイミド前駆体をイミド化してポリイミド樹脂膜を得る工程
(4)ブラックマトリックスおよび着色画素を形成する工程。
A color filter using the polyimide resin film of the present invention can be produced through at least the following steps.
(1) Step of applying the resin composition of the present invention on the substrate (2) Step of removing the solvent from the applied resin composition (3) Imidating the polyimide precursor in the resin composition to form a polyimide resin film Obtaining step (4) forming a black matrix and colored pixels;

その製造方法の一例について説明する。   An example of the manufacturing method will be described.

ガラス基板上にポリイミド樹脂膜を塗布する。次に、前記の乾燥方法によって塗布された樹脂組成物から溶剤を除去する。さらに、前記の熱イミド化によって樹脂組成物中のポリイミド前駆体をイミド化してポリイミド樹脂膜を得る。ポリイミド樹脂膜の上に、前記のガスバリア層を形成することが好ましい。   A polyimide resin film is applied on a glass substrate. Next, the solvent is removed from the resin composition applied by the drying method. Further, the polyimide precursor in the resin composition is imidized by the thermal imidization to obtain a polyimide resin film. The gas barrier layer is preferably formed on the polyimide resin film.

ポリイミド樹脂膜の上に、カーボンブラックまたはチタンブラックからなる黒色顔料を分散したポリアミック酸からなるブラックマトリックス用ペーストをスピンコーター又はダイコーター等の方法でキュア後の厚さが1μmになるように塗布し、60Pa以下まで減圧乾燥した後に、110〜140℃の熱風オーブン又はホットプレートでセミキュアを行う。   On the polyimide resin film, a black matrix paste made of polyamic acid in which a black pigment made of carbon black or titanium black is dispersed is applied by a method such as spin coater or die coater so that the thickness after curing becomes 1 μm. After drying under reduced pressure to 60 Pa or less, semi-cure is performed in a hot air oven or hot plate at 110 to 140 ° C.

ポジ型レジストをスピンコーター又はダイコーター等の方法で、プリベーク後の膜厚が1.2μmになるように塗布後、80Paまで減圧乾燥を行い、80〜110℃の熱風オーブン又はホットプレートでプリベークを行い、レジスト膜を形成する。その後、プロキシミティ露光機又はプロジェクション露光機等により、フォトマスクを介して紫外線により選択的に露光を行った後、1.5〜3重量%の水酸化カリウム又はテトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリ現像液に20〜300秒浸漬することにより露光部を除去する。剥離液を用いてポジレジストを剥離後、200〜300℃の熱風オーブン又はホットプレートで10〜60分加熱することで、ポリアミック酸をポリイミドに転換させることで、ポリイミド樹脂に黒色顔料を分散した樹脂ブラックマトリックスを形成する。   After applying the positive resist by spin coater or die coater so that the film thickness after pre-baking is 1.2 μm, it is dried under reduced pressure to 80 Pa and pre-baked in a hot air oven or hot plate at 80 to 110 ° C. And a resist film is formed. Then, after selectively exposing with ultraviolet rays through a photomask by a proximity exposure machine or a projection exposure machine, alkali development such as 1.5 to 3% by weight of potassium hydroxide or tetramethylammonium hydroxide The exposed portion is removed by immersing in the solution for 20 to 300 seconds. Resin in which a black pigment is dispersed in a polyimide resin by removing the positive resist using a stripping solution and then heating it in a hot air oven or hot plate at 200 to 300 ° C. for 10 to 60 minutes to convert the polyamic acid to polyimide. Form a black matrix.

着色画素は、着色剤と樹脂とを用いて形成する。着色剤として顔料を使用する場合には、顔料に高分子分散剤および溶剤を混合して分散処理を行った後、アルカリ可溶性樹脂、モノマーおよび光重合開始剤等を添加して作製する。一方、着色剤として染料を使用する場合には、染料に溶剤、アルカリ可溶性樹脂、モノマーおよび光重合性開始剤等を添加して作製する。この場合の全固形分は、樹脂成分である高分子分散剤、アルカリ可溶性樹脂およびモノマーと着色剤との合計である。   The colored pixel is formed using a colorant and a resin. When a pigment is used as the colorant, the pigment is mixed with a polymer dispersant and a solvent and subjected to a dispersion treatment, and then added with an alkali-soluble resin, a monomer, a photopolymerization initiator, and the like. On the other hand, when a dye is used as the colorant, the dye is prepared by adding a solvent, an alkali-soluble resin, a monomer, a photopolymerization initiator, and the like. The total solid content in this case is the total of the polymer dispersant, the alkali-soluble resin, the monomer and the colorant, which are resin components.

得られた着色剤組成物を、樹脂ブラックマトリックスが形成された透明基板上に、スピンコーター又はダイコーター等の方法で加熱処理後の厚さが0.8〜3.0μmの目的の膜厚になるように塗布後、80Paまで減圧乾燥を行い、80〜110℃の熱風オーブン又はホットプレートでプリベークを行い、着色剤の塗膜を形成する。   The obtained colorant composition is applied to a target film thickness of 0.8 to 3.0 μm after heat treatment on a transparent substrate on which a resin black matrix is formed by a method such as a spin coater or a die coater. After coating, the film is dried under reduced pressure up to 80 Pa and prebaked in a hot air oven or hot plate at 80 to 110 ° C. to form a coating film of the colorant.

次に、プロキシミティ露光機又はプロジェクション露光機等によりフォトマスクを介して、紫外線等により選択的に露光を行う。その後、0.02〜1重量%の水酸化カリウム又はテトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリ現像液に20〜300秒浸漬することにより未露光部を除去する。得られた塗膜パターンを180〜250℃の熱風オーブン又はホットプレートで5〜40分加熱処理することで、着色画素を形成する。着色画素の色毎に作製した着色剤組成物を使用して、上記のようなパターンニング工程を赤の着色画素、緑の着色画素および青の着色画素について順次行う。   Next, exposure is selectively performed with ultraviolet rays or the like through a photomask by a proximity exposure machine or a projection exposure machine. Thereafter, the unexposed portion is removed by immersing in an alkaline developer such as 0.02 to 1% by weight of potassium hydroxide or tetramethylammonium hydroxide for 20 to 300 seconds. A colored pixel is formed by heat-processing the obtained coating-film pattern for 5 to 40 minutes with a 180-250 degreeC hot air oven or a hotplate. Using the colorant composition prepared for each color of the color pixel, the patterning process as described above is sequentially performed on the red color pixel, the green color pixel, and the blue color pixel.

その後、アクリル樹脂をスピンコーター又はダイコーター等の方法で塗布後、真空乾燥し、80〜110℃の熱風オーブン又はホットプレートでプリベークを行い、150〜250℃の熱風オーブン又はホットプレートで5〜40分加熱することで平坦化膜を形成する。   Then, after applying acrylic resin by a method such as a spin coater or die coater, vacuum drying, prebaking in a hot air oven or hot plate at 80 to 110 ° C., and 5 to 40 in a hot air oven or hot plate at 150 to 250 ° C. A flattening film is formed by partial heating.

上記の工程を経てポリイミド樹脂膜を利用したカラーフィルタを製造することができる。なお、着色画素のパターンニングの順序は特に限定されない。   A color filter using a polyimide resin film can be manufactured through the above steps. The order of patterning the colored pixels is not particularly limited.

本発明のポリイミド樹脂膜はヘイズ値が低いため、該ポリイミド樹脂膜を利用したカラーフィルタを使用することによって、カラーフィルタを透過してきた光を感知する使用者にとってぼやけのない明瞭な表示画像を提供できる良好な表示デバイスが得られる。   Since the polyimide resin film of the present invention has a low haze value, the use of a color filter using the polyimide resin film provides a clear display image without blurring for the user who senses the light transmitted through the color filter. An excellent display device that can be obtained is obtained.

本発明のポリイミド樹脂膜は、少なくとも片面に透明導電層を形成することができ、タッチパネル基材として好適に用いることができる。透明導電層としては、公知の金属膜、金属酸化物膜等を適用できるが、中でも透明性、導電性および機械特性の観点から、金属酸化物膜を適用することが好ましい。前記金属酸化物膜としては、例えば、不純物としてスズ、テルル、カドミウム、モリブテン、タングステン、フッ素、亜鉛、ゲルマニウム等を添加した酸化インジウム、酸化カドミウムおよび酸化スズ、不純物としてアルミニウムを添加した酸化亜鉛、酸化チタン等の金属酸化物膜が挙げられる。中でも酸化スズまたは酸化亜鉛を2〜15重量%含有した酸化インジウムの薄膜は、透明性および導電性が優れているため好ましく用いられる。   The polyimide resin film of the present invention can form a transparent conductive layer on at least one side, and can be suitably used as a touch panel substrate. As the transparent conductive layer, a known metal film, metal oxide film, or the like can be applied. In particular, it is preferable to apply a metal oxide film from the viewpoint of transparency, conductivity, and mechanical properties. Examples of the metal oxide film include indium oxide, cadmium oxide and tin oxide to which tin, tellurium, cadmium, molybdenum, tungsten, fluorine, zinc, germanium and the like are added as impurities, zinc oxide to which aluminum is added as an impurity, and oxide. Examples thereof include metal oxide films such as titanium. Among them, an indium oxide thin film containing 2 to 15% by weight of tin oxide or zinc oxide is preferably used because of its excellent transparency and conductivity.

上記透明導電層の成膜方法は、目的の薄膜を形成できる方法であれば、いかなる方法で
もよいが、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマ
CVD法等の気相中より材料を堆積させて膜を形成する気相堆積法などが適している。中でも、特に優れた導電性・透明性が得られるという観点から、スパッタリング法を用いて成膜することが好ましい。また、透明導電層の膜厚は20〜500nmであることが好ましく、50〜300nmであることがさらに好ましい。
The transparent conductive layer may be formed by any method as long as the target thin film can be formed. For example, from the gas phase such as sputtering, vacuum deposition, ion plating, and plasma CVD. A vapor deposition method or the like in which a material is deposited to form a film is suitable. Especially, it is preferable to form into a film using sputtering method from a viewpoint that the outstanding electroconductivity and transparency are acquired. Moreover, it is preferable that the film thickness of a transparent conductive layer is 20-500 nm, and it is more preferable that it is 50-300 nm.

本発明のポリイミド樹脂膜は、フレキシブル回路基板の基材に好適に使用することができる。フレキシブル回路基板としては特に限定はなく、本発明のポリイミド樹脂膜をベースフィルムとしてその上に何らかの回路を形成したものが挙げられる。例えば、本発明のポリイミド樹脂膜をベースフィルムとし、その片面又は両面に接着剤層を介して銅箔を設けた銅張りポリイミドフィルム(CCL)にフォトレジスト膜形成、露光/現像、エッチング、レジスト剥離、ソルダーレジスト膜形成、電解金メッキを行ない、この上に保護層となるカバーレイフィルムが張り付けることで回路基板が得られる。   The polyimide resin film of this invention can be used conveniently for the base material of a flexible circuit board. There is no limitation in particular as a flexible circuit board, What formed some circuits on it by using the polyimide resin film of this invention as a base film is mentioned. For example, a photoresist film is formed on a copper-clad polyimide film (CCL) in which the polyimide resin film of the present invention is used as a base film and a copper foil is provided on one or both sides via an adhesive layer, exposure / development, etching, resist peeling Then, a solder resist film is formed, electrolytic gold plating is performed, and a cover lay film serving as a protective layer is pasted thereon to obtain a circuit board.

本発明のポリイミド樹脂膜は、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、電子ペーパーといった表示デバイス、カラーフィルタ、タッチパネル、太陽電池、CMOSなどの受光デバイス等に使用することができる。特にこれらの表示デバイスや受光デバイスを、折り曲げ可能なフレキシブルデバイスとして活用する上で、本発明のフレキシブル基板が好ましく用いられる。   The polyimide resin film of the present invention can be used for display devices such as liquid crystal displays, organic EL displays, and electronic paper, light receiving devices such as color filters, touch panels, solar cells, and CMOS. In particular, in utilizing these display devices and light receiving devices as flexible devices that can be bent, the flexible substrate of the present invention is preferably used.

フレキシブルデバイスの製造工程の一例としては、基板上に形成したポリイミド樹脂膜の上に、表示デバイスや受光デバイスに必要な回路を形成し、レーザー照射等の公知の方法を用いてポリイミド樹脂膜を基板から剥離することが挙げられる。   As an example of a manufacturing process of a flexible device, a circuit necessary for a display device or a light receiving device is formed on a polyimide resin film formed on a substrate, and the polyimide resin film is formed on the substrate using a known method such as laser irradiation. Peeling off.

例えばフレキシブル有機ELディスプレイを例に挙げると、基板上に形成したポリイミド樹脂膜の上に、まず無機ガスバリア膜を製膜する。その上にアモルファスシリコン、低温ポリシリコン、酸化物半導体等からなるTFTを形成する。次に電極を形成し、さらに正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの有機層を積層する。その上にもう一方の電極を形成し、さらにガスバリア層を製膜して封止を行う。その後、レーザー照射等の公知の方法を用いてポリイミド樹脂膜を基板から剥離することが挙げられる。   For example, taking a flexible organic EL display as an example, an inorganic gas barrier film is first formed on a polyimide resin film formed on a substrate. A TFT made of amorphous silicon, low-temperature polysilicon, oxide semiconductor or the like is formed thereon. Next, an electrode is formed, and organic layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are stacked. The other electrode is formed thereon, and a gas barrier layer is further formed for sealing. Thereafter, the polyimide resin film is peeled off from the substrate using a known method such as laser irradiation.

また、前記表示デバイスや受光デバイスは、本発明のフレキシブル基板を利用したカラーフィルタを備えたものとすることもできる。例えば、本発明のフレキシブル基板を利用したカラーフィルタに発光デバイスを貼り合わせることにより、フルカラー表示のフレキシブル表示デバイスを得ることができる。特に、白色発光機能を備えた発光デバイス、例えば白色発光型の有機EL素子と、本発明のフレキシブル基板を利用したカラーフィルタを組み合わせることが好ましい。   The display device and the light receiving device may include a color filter using the flexible substrate of the present invention. For example, a flexible display device for full color display can be obtained by attaching a light emitting device to a color filter using the flexible substrate of the present invention. In particular, it is preferable to combine a light emitting device having a white light emitting function, for example, a white light emitting organic EL element, and a color filter using the flexible substrate of the present invention.

以下実施例等をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples and the like, but the present invention is not limited to these examples.

(1)ポリイミド樹脂膜(ガラス基板上)の作製
50mm×50mm×1.1mm厚のガラス基板(テンパックス)に、ミカサ(株)製のスピンコーターMS−A200を用いて140℃×4分のプリベーク後の厚さが15±0.5μmになるようにポリイミド前駆体組成物溶液(ワニス)をスピン塗布した。その後、送風乾燥機を用いて140℃×10分のプリベーク処理を行った。プリベーク膜を送風乾燥器から取り出し、樹脂膜/基板の温度が室温に下がった後、窒素気流下(酸素濃度20ppm以下)250℃に加熱したイナートオーブン(光洋サーモシステム(株)製 INH−21CD)に投入し、350℃まで10分で昇温させ、到達温度で30分間の加熱処理を行い、ポリイミド樹脂膜(ガラス基板上)を作製した。得られたポリイミド樹脂膜の膜厚は10μmであった。
(1) Production of polyimide resin film (on glass substrate) A glass substrate (Tempax) having a thickness of 50 mm × 50 mm × 1.1 mm was used at 140 ° C. for 4 minutes using a spin coater MS-A200 manufactured by Mikasa Co., Ltd. A polyimide precursor composition solution (varnish) was spin-coated so that the thickness after pre-baking was 15 ± 0.5 μm. Then, the prebaking process for 140 degreeC x 10 minutes was performed using the ventilation dryer. After removing the pre-baked film from the blower / dryer and the temperature of the resin film / substrate dropped to room temperature, an inert oven heated to 250 ° C. under a nitrogen stream (oxygen concentration 20 ppm or less) (INH-21CD, manufactured by Koyo Thermo Systems Co., Ltd.) And heated to 350 ° C. over 10 minutes, and subjected to a heat treatment for 30 minutes at the ultimate temperature to produce a polyimide resin film (on a glass substrate). The film thickness of the obtained polyimide resin film was 10 μm.

(2)ヘイズ値の測定
直読ヘーズコンピュータ(スガ試験機株式会社製 HGM2DP、C光源)を用い、(1)で作製したガラス基板上ポリイミド樹脂膜のヘイズ値(%)を測定した。なお各々の値としては1回測定の値を用いた。
(2) Measurement of haze value Using a direct reading haze computer (HGM2DP, C light source manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.), the haze value (%) of the polyimide resin film on the glass substrate prepared in (1) was measured. As each value, a value measured once was used.

(3)外観検査
目視によりガラス基板上ポリイミド樹脂膜を検査し、白濁が認められたものは「白濁」、弱い白濁が認められたものは「弱い白濁」、白濁が認められない場合は「白濁なし」とした。
(3) Appearance inspection By visually inspecting the polyimide resin film on the glass substrate, those with white turbidity are “white turbid”, those with weak white turbidity are “weakly cloudy”, and when white turbidity is not found, “white turbidity” None ”.

以下、実施例で使用する化合物の略号を記載する。
BPDA:3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
ODPA:3,3’,4,4’−オキシフタル酸無水物
BSAA:2,2’−ビス[(ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物
CRD−H:p−フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)
CHDA:trans−1,4−ジアミノシクロへキサン
m−TB:2,2’−ジメチルベンジジン
TFMB:2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
DAE:4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
SiDA:ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン
添加剤A:9,9−ビス(4−グリシジルオキシフェニル)フルオレン(PG−100、大阪ガスケミカル(株)社)
添加剤B:トリグリシジルイソシアヌレート(TEPIC、日産化学工業(株)社)
添加剤C:3',4'-エポキシシクロヘキシルメチル−3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート(セロキサイド2021P、(株)ダイセル)
添加剤D:1,3−ビス[(3−エチルオキセタン−3−イル)メトキシ]ベンゼン。
Hereinafter, the abbreviations of the compounds used in the examples are described.
BPDA: 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride ODPA: 3,3 ′, 4,4′-oxyphthalic anhydride BSAA: 2,2′-bis [(dicarboxyphenoxy) phenyl ] Propane dianhydride CRD-H: p-phenylenebis (trimellitic acid monoester anhydride)
CHDA: trans-1,4-diaminocyclohexane m-TB: 2,2′-dimethylbenzidine TFMB: 2,2′-bis (trifluoromethyl) benzidine NMP: N-methyl-2-pyrrolidone DAE: 4, 4′-diaminodiphenyl ether SiDA: bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane additive A: 9,9-bis (4-glycidyloxyphenyl) fluorene (PG-100, Osaka Gas Chemical Co., Ltd.)
Additive B: Triglycidyl isocyanurate (TEPIC, Nissan Chemical Industries, Ltd.)
Additive C: 3 ′, 4′-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate (Celoxide 2021P, Daicel Corporation)
Additive D: 1,3-bis [(3-ethyloxetane-3-yl) methoxy] benzene.

合成例1
乾燥窒素気流下、200mL4つ口フラスコにBPDA15.8137g(53.7mmol)、CHDA6.1375g(53.7mmol)、NMP100gを入れて65℃で加熱撹拌した。6時間後、冷却してワニスとした。
Synthesis example 1
Under a dry nitrogen stream, BPDA 15.8137 g (53.7 mmol), CHDA 6.1375 g (53.7 mmol), and NMP 100 g were placed in a 200 mL four-necked flask, and the mixture was heated and stirred at 65 ° C. After 6 hours, it was cooled to obtain a varnish.

合成例2
乾燥窒素気流下、200mL4つ口フラスコにBPDA10.9411g(37.2mmol)、ODPA4.9439g(15.9mmol)、CHDA6.0662g(53.1mmol)、NMP100gを入れて65℃で加熱撹拌した。6時間後、冷却してワニスとした。
Synthesis example 2
Under a dry nitrogen stream, BPDA 10.9411 g (37.2 mmol), ODPA 4.9439 g (15.9 mmol), CHDA 6.0662 g (53.1 mmol), and NMP 100 g were placed in a 200 mL four-necked flask and heated and stirred at 65 ° C. After 6 hours, it was cooled to obtain a varnish.

合成例3
乾燥窒素気流下、200mL4つ口フラスコにBPDA15.2078g(51.7mmol)、BSAA0.6898g(1.3mmol)、CHDA6.0536g(53.0mmol)、NMP100gを入れて65℃で加熱撹拌した。6時間後、冷却してワニスとした。
Synthesis example 3
Under a dry nitrogen stream, BPDA 15.2078 g (51.7 mmol), BSAA 0.6898 g (1.3 mmol), CHDA 6.0536 g (53.0 mmol), and NMP 100 g were placed in a 200 mL four-necked flask and heated and stirred at 65 ° C. After 6 hours, it was cooled to obtain a varnish.

合成例4
乾燥窒素気流下、200mL4つ口フラスコにBPDA11.9709g(40.7mmol)、TFMB13.0291g(40.7mmol)、NMP100gを入れて65℃で加熱撹拌した。6時間後、冷却してワニスとした。
Synthesis example 4
Under a dry nitrogen stream, 11.9709 g (40.7 mmol) of BPDA, 13.0291 g (40.7 mmol) of TFMB, and 100 g of NMP were placed in a 200 mL four-necked flask and heated and stirred at 65 ° C. After 6 hours, it was cooled to obtain a varnish.

合成例5
乾燥窒素気流下、200mL4つ口フラスコにBPDA14.5219g(49.4mmol)、m−TB10.4781g(49.4mmol)、NMP100gを入れて65℃で加熱撹拌した。6時間後、冷却してワニスとした。
Synthesis example 5
Under a dry nitrogen stream, BPDA (14.5219 g, 49.4 mmol), m-TB (10.4781 g, 49.4 mmol)) and NMP (100 g) were placed in a 200 mL four-necked flask and heated and stirred at 65 ° C. After 6 hours, it was cooled to obtain a varnish.

合成例6
乾燥窒素気流下、200mL4つ口フラスコにCRD−H14.7172g(32.1mmol)、TFMB10.2828g(32.1mmol)、NMP100gを入れて65℃で加熱撹拌した。6時間後、冷却してワニスとした。
Synthesis Example 6
CRD-H14.7172g (32.1mmol), TFMB10.2828g (32.1mmol), and NMP100g were put into a 200 mL four neck flask under dry nitrogen stream, and it heated and stirred at 65 degreeC. After 6 hours, it was cooled to obtain a varnish.

合成例7
乾燥窒素気流下、200mL4つ口フラスコにCRD−H17.0861g(37.3mmol)、m−TB7.9139g(37.3mmol)、NMP100gを入れて65℃で加熱撹拌した。6時間後、冷却してワニスとした。
Synthesis example 7
Under a dry nitrogen stream, CRD-H 17.0861 g (37.3 mmol), m-TB 7.9139 g (37.3 mmol), and NMP 100 g were placed in a 200 mL four-necked flask and heated and stirred at 65 ° C. After 6 hours, it was cooled to obtain a varnish.

実施例1
合成例1で得たワニス10gに、添加剤A0.18g(ポリマー100重量部に対して10重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Example 1
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 1, 0.18 g of additive A (10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

実施例2
合成例1で得たワニス10gに、添加剤A0.36g(ポリマー100重量部に対して20重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Example 2
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 1, 0.36 g of additive A (20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

実施例3
合成例2で得たワニス10gに、添加剤A0.18g(ポリマー100重量部に対して10重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Example 3
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 2, 0.18 g of additive A (10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

実施例4
合成例2で得たワニス10gに、添加剤A0.36g(ポリマー100重量部に対して10重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Example 4
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 2, 0.36 g of additive A (10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

実施例5
合成例3で得たワニス10gに、添加剤A0.18g(ポリマー100重量部に対して10重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Example 5
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 3, 0.18 g of additive A (10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

実施例6
合成例3で得たワニス10gに、添加剤A0.36g(ポリマー100重量部に対して20重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Example 6
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 3, 0.36 g of additive A (20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

実施例7
合成例4で得たワニス10gに、添加剤A0.36g(ポリマー100重量部に対して20重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Example 7
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 4, 0.36 g of additive A (20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

実施例8
合成例5で得たワニス10gに、添加剤A0.36g(ポリマー100重量部に対して20重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Example 8
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 5, 0.36 g of additive A (20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

実施例9
合成例6で得たワニス10gに、添加剤A0.36g(ポリマー100重量部に対して20重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Example 9
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 6, 0.36 g of additive A (20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

実施例10
合成例7で得たワニス10gに、添加剤A0.36g(ポリマー100重量部に対して20重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Example 10
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 7, 0.36 g of additive A (20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

比較例1
合成例1で得たワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Comparative Example 1
Using the varnish obtained in Synthesis Example 1, a polyimide resin film was formed on the glass substrate by the above-described method, and haze value measurement and appearance inspection were performed.

比較例2
合成例2で得たワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Comparative Example 2
Using the varnish obtained in Synthesis Example 2, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

比較例3
合成例3で得たワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Comparative Example 3
Using the varnish obtained in Synthesis Example 3, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and haze value measurement and appearance inspection were performed.

比較例4
合成例4で得たワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Comparative Example 4
Using the varnish obtained in Synthesis Example 4, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and haze value measurement and appearance inspection were performed.

比較例5
合成例5で得たワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Comparative Example 5
Using the varnish obtained in Synthesis Example 5, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and haze value measurement and appearance inspection were performed.

比較例6
合成例6で得たワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Comparative Example 6
Using the varnish obtained in Synthesis Example 6, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and haze value measurement and appearance inspection were performed.

比較例7
合成例7で得たワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Comparative Example 7
Using the varnish obtained in Synthesis Example 7, a polyimide resin film was formed on the glass substrate by the above-described method, and haze value measurement and appearance inspection were performed.

比較例8
合成例3で得たワニス10gに、添加剤B0.36g(ポリマー100重量部に対して20重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Comparative Example 8
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 3, 0.36 g of additive B (20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

比較例9
合成例4で得たワニス10gに、添加剤B0.36g(ポリマー100重量部に対して20重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Comparative Example 9
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 4, 0.36 g of additive B (20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

比較例10
合成例3で得たワニス10gに、添加剤C0.36g(ポリマー100重量部に対して20重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Comparative Example 10
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 3, 0.36 g of additive C (20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

比較例11
合成例4で得たワニス10gに、添加剤C0.36g(ポリマー100重量部に対して20重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
比較例12
合成例3で得たワニス10gに、添加剤D0.36g(ポリマー100重量部に対して20重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Comparative Example 11
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 4, 0.36 g of additive C (20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.
Comparative Example 12
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 3, 0.36 g of additive D (20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

比較例13
合成例4で得たワニス10gに、添加剤D0.36g(ポリマー100重量部に対して20重量部)を添加し、樹脂ワニスとした。得られたワニスを用い、前記方法によりガラス基板上にポリイミド樹脂膜を形成し、ヘイズ値測定および外観検査を行った。
Comparative Example 13
To 10 g of the varnish obtained in Synthesis Example 4, 0.36 g of additive D (20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer) was added to obtain a resin varnish. Using the obtained varnish, a polyimide resin film was formed on a glass substrate by the above method, and a haze value measurement and an appearance inspection were performed.

実施例1〜10、および比較例1〜13のヘイズ値、及び外観検査の結果を表1に示す。   Table 1 shows the haze values of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 13 and the results of visual inspection.

Figure 0006206071
Figure 0006206071

実施例11 ポリイミド基板カラーフィルタの作製
[1]ポリイミド樹脂膜の作製
300mm×400mm×0.7mm厚のガラス基板(AN100(旭硝子(株)))に、140℃×10分のプリベーク後の厚さが15±0.5μmになるように実施例2で調製したワニスをスピン塗布した。その後、送風乾燥器を用いて140℃×10分のプリベーク処理を行った。プリベーク膜を350℃に加熱したイナートオーブンに直接投入し、窒素気流下(酸素濃度20ppm以下)で30分間保持し、5℃/minで50℃まで冷却しポリイミド樹脂膜(ガラス基板上)を作製した。
Example 11 Preparation of polyimide substrate color filter [1] Preparation of polyimide resin film Thickness after pre-baking at 140 ° C. for 10 minutes on a glass substrate (AN100 (Asahi Glass Co., Ltd.)) of 300 mm × 400 mm × 0.7 mm thickness The varnish prepared in Example 2 was spin-coated so that the thickness was 15 ± 0.5 μm. Then, the prebaking process for 140 degreeC x 10 minutes was performed using the ventilation dryer. The pre-baked film is directly put into an inert oven heated to 350 ° C., held for 30 minutes under a nitrogen stream (oxygen concentration 20 ppm or less), and cooled to 50 ° C. at 5 ° C./min to produce a polyimide resin film (on a glass substrate). did.

[2]樹脂ブラックマトリクスの作製
BPDA、DAE及びSiDAをNMP溶剤中で反応させ、ポリイミド前駆体(ポリアミド酸)溶液を得た。
[2] Production of resin black matrix BPDA, DAE and SiDA were reacted in an NMP solvent to obtain a polyimide precursor (polyamide acid) solution.

下記の組成を有するカーボンブラックミルベースを、ホモジナイザーを用い、7000rpmで30分間分散し、ガラスビーズをろ過してブラックマトリックス用ペーストを調製した。   A carbon black mill base having the following composition was dispersed at 7000 rpm for 30 minutes using a homogenizer, and glass beads were filtered to prepare a black matrix paste.

カーボンブラックミルベースの組成
カーボンブラック(MA100 三菱化成(株)製):4.6部
ポリイミド前駆体溶液:24.0部
NMP : 61.4部
ガラスビーズ : 90.0部。
Carbon black mill base composition Carbon black (MA100 manufactured by Mitsubishi Kasei Co., Ltd.): 4.6 parts Polyimide precursor solution: 24.0 parts NMP: 61.4 parts Glass beads: 90.0 parts.

上記で作製したガラス基板上のポリイミド樹脂膜に上記ブラックマトリックス用ペーストをスピン塗布し、ホットプレートで130℃、10分間乾燥し、黒色の樹脂塗膜を形成した。ポジ型フォトレジスト(シプレー社製、“SRC−100”)をスピン塗布、ホットプレートで120℃、5分間プリベークし、超高圧水銀灯を用いて100mJ/cm紫外線照射してマスク露光した後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、フォトレジストの現像と黒色の樹脂塗膜のエッチングを同時に行い、パターンを形成、メチルセロソルブアセテートでレジスト剥離し、ホットプレートで280℃、10分間加熱させることでイミド化させ、ポリイミド樹脂にカーボンブラックを分散した樹脂ブラックマトリクスを形成した。ブラックマトリクスの厚さを測定したところ、1.4μmであった。 The black matrix paste was spin-coated on the polyimide resin film on the glass substrate prepared above, and dried on a hot plate at 130 ° C. for 10 minutes to form a black resin coating film. A positive type photoresist (SRP-100, manufactured by Shipley Co., Ltd.) is spin coated, pre-baked on a hot plate at 120 ° C. for 5 minutes, exposed to 100 mJ / cm 2 ultraviolet rays using an ultra-high pressure mercury lamp, and exposed to a mask. Using 38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, simultaneously develop photoresist and etch black resin coating to form pattern, strip resist with methyl cellosolve acetate, 280 ° C on hot plate for 10 minutes By imidizing by heating, a resin black matrix in which carbon black was dispersed in a polyimide resin was formed. When the thickness of the black matrix was measured, it was 1.4 μm.

[3]感光性カラーレジストの作製
ピグメントレッドPR177、8.05gを3−メチル−3−メトキシブタノール50gとともに仕込み、ホモジナイザーを用い、7000rpmで5時間分散後、ガラスビーズを濾過し、除去した。アクリル共重合体溶液(ダイセル化学工業(株)製“サイクロマー”P、ACA−250、43重量%溶液)70.00g、多官能モノマーとしてペンタエリスリトールテトラメタクリレート30.00g、光重合開始剤として“イルガキュア”369、15.00gにシクロペンタノン260.00gを加えた濃度20重量%の感光性アクリル樹脂溶液(AC)134.75gを加え、感光性赤レジストを得た。同様にして、ピグメントグリーンPG38とピグメントイエローPY138からなる感光性緑レジスト、ピグメントブルーPB15:6からなる感光性青レジストを得た。
[3] Preparation of Photosensitive Color Resist Pigment Red PR177, 8.05 g was charged together with 50 g of 3-methyl-3-methoxybutanol, and dispersed at 7000 rpm for 5 hours using a homogenizer, and then the glass beads were filtered and removed. 70.00 g of acrylic copolymer solution ("Cyclomer" P, ACA-250, 43 wt% solution manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), 30.00 g of pentaerythritol tetramethacrylate as a polyfunctional monomer, " A photosensitive red resist was obtained by adding 134.75 g of a photosensitive acrylic resin solution (AC) with a concentration of 20% by weight of 260.00 g of cyclopentanone to 15.00 g of “Irgacure” 369. Similarly, a photosensitive green resist composed of Pigment Green PG38 and Pigment Yellow PY138 and a photosensitive blue resist composed of Pigment Blue PB15: 6 were obtained.

[4]着色層の作製
ブラックマトリクスがパターン加工されたガラス基板上ポリイミド樹脂膜上に熱処理後のブラックマトリクス開口部での膜厚が2.0μmになるようにスピナーの回転数を調整し、感光性赤レジストをポリイミド膜上に塗布、ホットプレートで100℃、10分間プリベークすることにより、赤色着色層を得た。次に、キャノン(株)製、紫外線露光機“PLA−5011”を用い、ブラックマトリクス開口部とブラックマトリクス上の一部の領域についてアイランド状に光が透過するクロム製フォトマスクを介して、100mJ/cm(365nmの紫外線強度)で露光した。露光後に0.2重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液からなる現像液に浸漬を行い現像し、続いて純水洗浄後、230℃のオーブンで30分間加熱処理し、赤画素を作製した。
[4] Preparation of colored layer The spinner rotation speed is adjusted so that the film thickness at the black matrix opening after heat treatment is adjusted to 2.0 μm on the polyimide resin film on the glass substrate on which the black matrix is patterned. The red coloring layer was obtained by apply | coating a neutral red resist on a polyimide film, and prebaking for 10 minutes at 100 degreeC with a hotplate. Next, using a UV exposure machine “PLA-5011” manufactured by Canon Inc., a black matrix opening and a partial area on the black matrix are passed through a chrome photomask through which light is transmitted in an island shape. / cm 2 (ultraviolet intensity of 365 nm). After exposure, the film was dipped in a developer composed of a 0.2% by weight tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, developed, washed with pure water, and then heat-treated in an oven at 230 ° C. for 30 minutes to produce a red pixel.

同様にして、感光性緑レジストからなる緑画素、感光性青レジストからなる青画素を作製し、ガラス基板上作製されたポリイミド基板カラーフィルタを得た。   Similarly, a green pixel made of a photosensitive green resist and a blue pixel made of a photosensitive blue resist were produced to obtain a polyimide substrate color filter produced on a glass substrate.

[5]ポリイミド基板カラーフィルタのガラス基板からの剥離
上記でガラス基板上に作製したポリイミド基板カラーフィルタに切り込みを入れ、水に12時間浸漬させることで、ポリイミド基板カラーフィルタをガラス基板から剥離した。なお、光学顕微鏡を用いて画素パターン形状を確認したところ、剥離前後でパターン形状に変化はなかった。また、カラーフィルタに濁りは見られず、外観について、ガラス基板カラーフィルタと比較して、遜色の無いものであった。
[5] Peeling of the polyimide substrate color filter from the glass substrate The polyimide substrate color filter prepared above on the glass substrate was cut and immersed in water for 12 hours, whereby the polyimide substrate color filter was peeled from the glass substrate. In addition, when the pixel pattern shape was confirmed using the optical microscope, the pattern shape did not change before and after peeling. Further, the color filter was not turbid, and the appearance was not inferior to that of the glass substrate color filter.

実施例12 ポリイミド基板カラーフィルタの作製
実施例1で調製したワニスの代わりに実施例4で調製したワニスを用いて、実施例11と同様にポリイミド基板カラーフィルタを作製した。光学顕微鏡を用いて画素パターン形状を確認したところ、剥離前後でパターン形状に変化はなかった。また、カラーフィルタに濁りは見られず、外観について、ガラス基板カラーフィルタと比較して、遜色の無いものであった。
Example 12 Production of Polyimide Substrate Color Filter A polyimide substrate color filter was produced in the same manner as in Example 11 except that the varnish prepared in Example 4 was used instead of the varnish prepared in Example 1. When the pixel pattern shape was confirmed using an optical microscope, there was no change in the pattern shape before and after peeling. Further, the color filter was not turbid, and the appearance was not inferior to that of the glass substrate color filter.

実施例13 ポリイミド基板カラーフィルタの作製
実施例1で調製したワニスの代わりに実施例6で調製したワニスを用いて、実施例11と同様にポリイミド基板カラーフィルタを作製した。光学顕微鏡を用いて画素パターン形状を確認したところ、剥離前後でパターン形状に変化はなかった。また、カラーフィルタに濁りは見られず、外観について、ガラス基板カラーフィルタと比較して、遜色の無いものであった。
Example 13 Production of Polyimide Substrate Color Filter A polyimide substrate color filter was produced in the same manner as in Example 11 except that the varnish prepared in Example 6 was used instead of the varnish prepared in Example 1. When the pixel pattern shape was confirmed using an optical microscope, there was no change in the pattern shape before and after peeling. Further, the color filter was not turbid, and the appearance was not inferior to that of the glass substrate color filter.

比較例14 ポリイミド基板カラーフィルタの作製
実施例1で調製したワニスの代わりに比較例1で調製したワニスを用いて、実施例11と同様にポリイミド基板カラーフィルタを作製した。光学顕微鏡を用いて画素パターン形状を確認したところ、剥離前後でパターン形状に変化はなかった。ただし、カラーフィルタにはうっすらと濁りが見られ、外観について、ガラス基板カラーフィルタと比較して、劣るものであった。
Comparative Example 14 Production of Polyimide Substrate Color Filter A polyimide substrate color filter was produced in the same manner as in Example 11 except that the varnish prepared in Comparative Example 1 was used instead of the varnish prepared in Example 1. When the pixel pattern shape was confirmed using an optical microscope, there was no change in the pattern shape before and after peeling. However, the color filter was slightly turbid, and the appearance was inferior to that of the glass substrate color filter.

比較例15 ポリイミド基板カラーフィルタの作製
実施例1で調製したワニスの代わりに比較例2で調製したワニスを用いて、実施例11と同様にポリイミド基板カラーフィルタを作製した。光学顕微鏡を用いて画素パターン形状を確認したところ、剥離前後でパターン形状に変化はなかった。ただし、カラーフィルタには濁りが見られ、外観について、ガラス基板カラーフィルタと比較して、劣るものであった。
Comparative Example 15 Production of Polyimide Substrate Color Filter A polyimide substrate color filter was produced in the same manner as in Example 11 except that the varnish prepared in Comparative Example 2 was used instead of the varnish prepared in Example 1. When the pixel pattern shape was confirmed using an optical microscope, there was no change in the pattern shape before and after peeling. However, the color filter was turbid and the appearance was inferior to that of the glass substrate color filter.

比較例16 ポリイミド基板カラーフィルタの作製
実施例1で調製したワニスの代わりに比較例3で調製したワニスを用いて、実施例11と同様にポリイミド基板カラーフィルタを作製した。光学顕微鏡を用いて画素パターン形状を確認したところ、剥離前後でパターン形状に変化はなかった。ただし、カラーフィルタにはうっすらと濁りが見られ、外観について、ガラス基板カラーフィルタと比較して、劣るものであった
実施例14 ポリイミド基板アクティブマトリックス型有機EL素子の作製
[1]ポリイミド樹脂膜の作製
300mm×400mm×0.7mm厚のガラス基板(AN100(旭硝子(株)))に、140℃×10分のプリベーク後の厚さが15±0.5μmになるように実施例2で調製したワニスをスピン塗布した。その後、送風乾燥器を用いて140℃×10分のプリベーク処理を行った。プリベーク膜を350℃に加熱したイナートオーブンに直接投入し、窒素気流下(酸素濃度20ppm以下)で30分間保持し、5℃/minで50℃まで冷却しポリイミド樹脂膜(ガラス基板上)を作製した。
Comparative Example 16 Production of Polyimide Substrate Color Filter A polyimide substrate color filter was produced in the same manner as in Example 11 except that the varnish prepared in Comparative Example 3 was used instead of the varnish prepared in Example 1. When the pixel pattern shape was confirmed using an optical microscope, there was no change in the pattern shape before and after peeling. However, the color filter was slightly turbid, and the appearance was inferior to that of the glass substrate color filter. Example 14 Production of polyimide substrate active matrix type organic EL element [1] Polyimide resin film Preparation Prepared in Example 2 so that the thickness after pre-baking at 140 ° C. for 10 minutes on a 300 mm × 400 mm × 0.7 mm thick glass substrate (AN100 (Asahi Glass Co., Ltd.)) was 15 ± 0.5 μm. Varnish was spin coated. Then, the prebaking process for 140 degreeC x 10 minutes was performed using the ventilation dryer. The pre-baked film is directly put into an inert oven heated to 350 ° C., held for 30 minutes under a nitrogen stream (oxygen concentration 20 ppm or less), and cooled to 50 ° C. at 5 ° C./min to produce a polyimide resin film (on a glass substrate). did.

[2]TFT基板の作製
上記で作製したポリイミド樹脂膜(ガラス基板上)に、プラズマCVD法を用いてSiOから成る無機ガスバリア膜を製膜した。その後、ボトムゲート型のTFTを形成し、このTFTを覆う状態でSiから成る絶縁膜を形成した。次に、この絶縁膜に、コンタクトホールを形成した後、このコンタクトホールを介してTFTに接続される配線(高さ1.0μm)を絶縁膜上に形成した。この配線は、TFT間または、後の工程で形成される有機EL素子とTFTとを接続するためのものである。さらに、配線の形成による凹凸を平坦化するために、配線による凹凸を埋め込む状態で絶縁膜上へ平坦化膜を形成した。平坦化膜の形成は、感光性ポリイミドワニスを基板上にスピンコートし、ホットプレート上でプリベーク(120℃×3分間)した後、所望のパターンのマスクを介して露光、現像し、空気フロー下において230℃で60分間加熱処理することにより行った。ワニスを塗布する際の塗布性は良好で、露光、現像、加熱処理の後に得られた平坦化膜にはしわやクラックの発生は認められなかった。さらに、配線の平均段差は500nm、作製した平坦化膜には5μm四方のコンタクトホールが形成され、厚さは約2μmであった。
[2] Production of TFT substrate An inorganic gas barrier film made of SiO was formed on the polyimide resin film produced above (on a glass substrate) by plasma CVD. Thereafter, a bottom gate type TFT was formed, and an insulating film made of Si 3 N 4 was formed so as to cover the TFT. Next, after forming a contact hole in the insulating film, a wiring (height: 1.0 μm) connected to the TFT through the contact hole was formed on the insulating film. This wiring is for connecting an organic EL element formed between TFTs or an organic EL element formed in a later process and the TFT. Further, in order to flatten the unevenness due to the formation of the wiring, a planarizing film was formed on the insulating film in a state where the unevenness due to the wiring was embedded. The planarization film is formed by spin-coating a photosensitive polyimide varnish on a substrate, pre-baking on a hot plate (120 ° C. × 3 minutes), exposing and developing through a mask having a desired pattern, and under an air flow The heat treatment was performed at 230 ° C. for 60 minutes. The applicability when applying the varnish was good, and no wrinkles or cracks were observed in the planarized film obtained after exposure, development and heat treatment. Furthermore, the average level difference of the wiring was 500 nm, a 5 μm square contact hole was formed in the produced planarization film, and the thickness was about 2 μm.

[3]ボトムエミッション型有機EL素子の作製
得られた平坦化膜上に、ボトムエミッション型の有機EL素子を形成した。まず、平坦化膜上に、ITOからなる第一電極を、コンタクトホールを介して配線に接続させて形成した。その後、レジストを塗布、プリベークし、所望のパターンのマスクを介して露光し、現像した。このレジストパターンをマスクとして、ITOエッチャント用いたウエットエッチングにより第一電極のパターン加工を行った。その後、レジスト剥離液(モノエタノールアミンとジエチレングリコールモノブチルエーテルの混合液)を用いて該レジストパターンを剥離した。剥離後の基板を水洗し、200℃で30分間加熱脱水して平坦化膜付き電極基板を得た。平坦化膜の膜厚寸法変化は、剥離液処理前に対して加熱脱水後で1%未満であった。こうして得られた第一電極は、有機EL素子の陽極に相当する。次に、第一電極の端部を覆う形状の絶縁層を形成した。絶縁層には、同じく感光性ポリイミドワニスを用いた。この絶縁層を設けることによって、第一電極とこの後の工程で形成する第二電極との間のショートを防止することができる。さらに、真空蒸着装置内で所望のパターンマスクを介して、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層を順次蒸着して設けた。次いで、基板上方の全面にAl/Mgからなる第二電極を形成した。さらにCVD成膜によりSiON封止膜を形成した。得られた上記基板を蒸着機から取り出し、エキシマレーザー(波長308nm)をガラス基板側から照射することにより、ガラス基板から有機EL素子を剥離した。得られたアクティブマトリックス型の有機EL素子に駆動回路を介して電圧を印加したところ、良好な発光を示した。また、得られた有機EL素子の表示部に濁りは見られず、外観について、ガラス基板を用いて作成した有機EL素子と比較して、遜色の無いものであった。
[3] Production of bottom emission type organic EL element A bottom emission type organic EL element was formed on the obtained flattened film. First, a first electrode made of ITO was formed on a planarizing film by connecting it to a wiring through a contact hole. Thereafter, a resist was applied, prebaked, exposed through a mask having a desired pattern, and developed. Using this resist pattern as a mask, patterning of the first electrode was performed by wet etching using an ITO etchant. Thereafter, the resist pattern was stripped using a resist stripping solution (mixed solution of monoethanolamine and diethylene glycol monobutyl ether). The substrate after peeling was washed with water and dehydrated by heating at 200 ° C. for 30 minutes to obtain an electrode substrate with a planarizing film. The film thickness dimensional change of the planarizing film was less than 1% after heat dehydration with respect to the treatment before the stripping solution treatment. The first electrode thus obtained corresponds to the anode of the organic EL element. Next, an insulating layer having a shape covering the end portion of the first electrode was formed. The photosensitive polyimide varnish was also used for the insulating layer. By providing this insulating layer, it is possible to prevent a short circuit between the first electrode and the second electrode formed in the subsequent process. Furthermore, a hole transport layer, an organic light emitting layer, and an electron transport layer were sequentially deposited through a desired pattern mask in a vacuum deposition apparatus. Next, a second electrode made of Al / Mg was formed on the entire surface above the substrate. Further, a SiON sealing film was formed by CVD film formation. The obtained said board | substrate was taken out from the vapor deposition machine, and the organic EL element was peeled from the glass substrate by irradiating an excimer laser (wavelength 308nm) from the glass substrate side. When a voltage was applied to the obtained active matrix organic EL element through a drive circuit, good light emission was exhibited. Moreover, turbidity was not seen in the display part of the obtained organic EL element, and it was an inferior thing about the external appearance compared with the organic EL element produced using the glass substrate.

比較例17 ポリイミド基板アクティブマトリックス型有機EL素子の作製
実施例2で調製したワニスの代わりに比較例1で調製したワニスを用いて、実施例14と同様にポリイミド基板アクティブマトリックス型有機EL素子を作製した。得られたアクティブマトリックス型の有機EL素子に駆動回路を介して電圧を印加したところ、良好な発光を示した。しかし、得られた有機EL素子の表示部にうっすらと濁りが見られ、外観について、ガラス基板を用いて作成した有機EL素子と比較して、劣るものであった。
Comparative Example 17 Production of Polyimide Substrate Active Matrix Organic EL Device Using the varnish prepared in Comparative Example 1 instead of the varnish prepared in Example 2, a polyimide substrate active matrix organic EL device was produced in the same manner as in Example 14. did. When a voltage was applied to the obtained active matrix organic EL element through a drive circuit, good light emission was exhibited. However, the display part of the obtained organic EL element was slightly turbid, and the appearance was inferior to that of an organic EL element prepared using a glass substrate.

実施例15 アライメントマークの視認性の確認
50mm×50mm×1.1mm厚のガラス基板(テンパックス)に、実施例11で作製したブラックペーストをスピン塗布し、実施例11と同様の方法で塗布/乾燥/露光/現像/熱イミド化を行い、ガラス基板上にアライメントマーク(一辺の長さが5mmの十字形)を形成した。
Example 15 Confirmation of alignment mark visibility The black paste prepared in Example 11 was spin-coated on a 50 mm × 50 mm × 1.1 mm thick glass substrate (Tempax), and applied in the same manner as in Example 11. Drying / exposure / development / thermal imidization was performed to form an alignment mark (cross shape having a side length of 5 mm) on the glass substrate.

上記で作製したアライメントマーク基板上に、実施例7で調製したワニスを用い、前記の手順でポリイミド樹脂膜を作製した。   A polyimide resin film was prepared on the alignment mark substrate prepared above using the varnish prepared in Example 7 according to the above procedure.

得られたポリイミド樹脂膜には白濁は見られず、ガラス基板上に形成したアライメントマークを視認することができず、実施例14記載の手順で有機EL素子を作製できた。得られた有機EL素子に駆動回路を介して電圧を印加したところ、良好な発光を示した。   No white turbidity was observed in the obtained polyimide resin film, the alignment mark formed on the glass substrate could not be visually confirmed, and an organic EL device could be produced according to the procedure described in Example 14. When a voltage was applied to the obtained organic EL element via a drive circuit, good light emission was exhibited.

比較例18 アライメントマークの視認性の確認
実施例18と同様の手順でガラス基板上にアライメントマークを形成し、実施例7で調製したワニスの代わりに比較例4で調製したワニスを用いて、実施例18と同様にポリイミド樹脂膜を形成した。
Comparative Example 18 Confirmation of Visibility of Alignment Mark An alignment mark was formed on a glass substrate in the same procedure as in Example 18, and the varnish prepared in Comparative Example 4 was used instead of the varnish prepared in Example 7. A polyimide resin film was formed in the same manner as in Example 18.

得られたポリイミド樹脂膜は白濁しており、ガラス基板上に形成したアライメントマークを視認することができず、実施例14記載の手順で有機EL素子を作製できなかった。   The obtained polyimide resin film was cloudy, the alignment mark formed on the glass substrate could not be visually confirmed, and the organic EL device could not be produced by the procedure described in Example 14.

実施例11〜15および比較例14〜18の結果から、ポリイミド樹脂膜のヘイズ値が1%を超えるような場合はもちろんのこと、ヘイズ値が0.4%であってもそのポリイミド樹脂膜を利用したカラーフィルタや有機EL素子には濁りが見られ、表示装置としての性能が十分に発揮されないものであるのに対し、ヘイズ値が0.2%以下であればそのような問題が全く生じないことがわかった。   From the results of Examples 11 to 15 and Comparative Examples 14 to 18, not only when the haze value of the polyimide resin film exceeds 1%, but even when the haze value is 0.4%, the polyimide resin film The used color filter and organic EL element are turbid, and the performance as a display device is not fully exhibited. On the other hand, if the haze value is 0.2% or less, such a problem occurs at all. I knew it was n’t there.

Claims (15)

表示デバイス、受光デバイス、回路基板またはTFT基板のいずれかの基材として用いられるポリイミド樹脂膜を得るための基材用樹脂組成物であって、(a)一般式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体と、(b)一般式(2)で表されるエポキシ化合物とを含む基材用樹脂組成物。
Figure 0006206071
(一般式(1)中、X、Xは各々独立に水素原子または炭素数1〜10の1価の有機基であり、Aは4価の有機基であり、Bは2価の有機基である。)
Figure 0006206071
(一般式(2)中、R、Rは各々独立に炭素数1〜10の2価の有機基であり、R、R、R、Rは各々独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基または炭素数1〜10の1価の有機基であり、a、b、c、dは各々独立に0〜4の整数である。)
A resin composition for a base material for obtaining a polyimide resin film used as a base material for any one of a display device, a light receiving device, a circuit board or a TFT substrate, comprising: (a) a structure represented by the general formula (1) The resin composition for base materials containing the polyimide precursor which has a unit, and the epoxy compound represented by (b) General formula (2).
Figure 0006206071
(In the general formula (1), X 1 and X 2 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, A is a tetravalent organic group, and B is a divalent organic group. Group.)
Figure 0006206071
(In General Formula (2), R 1 and R 2 are each independently a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, and R 3 , R 4 , R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, halogen, An atom, a hydroxyl group or a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, and a, b, c and d are each independently an integer of 0 to 4).
一般式(1)中Aが下記式(3)〜(7)から選択される4価の有機基であり、Bは下記式(13)〜(18)から選択される2価の有機基である請求項1記載の基材用樹脂組成物。
Figure 0006206071
In general formula (1), A is a tetravalent organic group selected from the following formulas (3) to (7), and B is a divalent organic group selected from the following formulas (13) to (18). The resin composition for base materials according to claim 1.
Figure 0006206071
前記エポキシ化合物が、9,9−ビス(4−グリシジルオキシフェニル)フルオレンである請求項1または2記載の基材用樹脂組成物 The resin composition for a substrate according to claim 1 or 2, wherein the epoxy compound is 9,9-bis (4-glycidyloxyphenyl) fluorene. さらに溶剤を含む請求項1〜3のいずれかに記載の基材用樹脂組成物。 Furthermore, the resin composition for base materials in any one of Claims 1-3 containing a solvent. 請求項1から4のいずれかに記載の基材用樹脂組成物を加熱してなる、表示デバイス、受光デバイス、回路基板またはTFT基板のいずれかの基材として用いられるポリイミド樹脂基材。 The polyimide resin base material used as a base material in any one of a display device, a light-receiving device, a circuit board, or a TFT board formed by heating the resin composition for base materials in any one of Claim 1 to 4. 請求項5記載のポリイミド樹脂基材上にブラックマトリックスおよび着色画素を備えたカラーフィルタ。 A color filter comprising a black matrix and colored pixels on the polyimide resin substrate according to claim 5. 前記ブラックマトリックスが、ポリイミド樹脂に黒色顔料を分散した樹脂ブラックマトリックスである請求項6記載のカラーフィルタ。 The color filter according to claim 6, wherein the black matrix is a resin black matrix in which a black pigment is dispersed in a polyimide resin. 以下の工程を含むことを特徴とする請求項6または7に記載のカラーフィルタの製造方法。
(1)請求項4に記載の基材用樹脂組成物を基板上に塗布する工程
(2)塗布された基材用樹脂組成物から溶剤を除去する工程
(3)基材用樹脂組成物中のポリイミド前駆体をイミド化してポリイミド樹脂基材を得る工程
(4)ブラックマトリックスおよび着色画素を形成する工程
The method for producing a color filter according to claim 6, comprising the following steps.
(1) The process of apply | coating the resin composition for base materials of Claim 4 on a board | substrate (2) The process of removing a solvent from the apply | coated resin composition for base materials (3) In the resin composition for base materials Step of obtaining a polyimide resin substrate by imidizing the polyimide precursor of (4) Step of forming a black matrix and colored pixels
請求項5に記載のポリイミド樹脂基材上に無機膜およびTFTを備えたTFT基板。 A TFT substrate comprising an inorganic film and a TFT on the polyimide resin substrate according to claim 5. 前記無機膜が、ケイ素の酸化物、窒化物、または酸窒化物を含む請求項9に記載のTFT基板。 The TFT substrate according to claim 9, wherein the inorganic film contains an oxide, nitride, or oxynitride of silicon. 以下の工程を含むことを特徴とする請求項9または10に記載のTFT基板の製造方法。
(1)請求項4に記載の基材用樹脂組成物を基板上に塗布する工程
(2)塗布された基材用樹脂組成物から溶剤を除去する工程
(3)基材用樹脂組成物中のポリイミド前駆体をイミド化してポリイミド樹脂基材を得る工程
(4)ポリイミド樹脂基材上に無機膜を形成する工程
(5)TFTを形成する工程
The method for manufacturing a TFT substrate according to claim 9 or 10, comprising the following steps.
(1) The process of apply | coating the resin composition for base materials of Claim 4 on a board | substrate (2) The process of removing a solvent from the apply | coated resin composition for base materials (3) In the resin composition for base materials (4) Step of forming an inorganic film on a polyimide resin substrate (5) Step of forming a TFT
請求項6または7に記載のカラーフィルタに発光デバイスを貼り合わせてなる表示デバイス。 A display device comprising a light-emitting device bonded to the color filter according to claim 6. 請求項9または10に記載のTFT基板を有する表示デバイス。 A display device comprising the TFT substrate according to claim 9. 前記表示デバイスが有機EL素子である請求項12または13に記載の表示デバイス。 The display device according to claim 12 or 13, wherein the display device is an organic EL element. 請求項5記載のポリイミド樹脂基材上に透明導電層を備えたタッチパネル。A touch panel comprising a transparent conductive layer on the polyimide resin substrate according to claim 5.
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