KR20170045048A - Electric compressor, and method for detecting a fault of gate in insulated gate bipolar transistor thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an air conditioner apparatus and an electric compressor. By applying a gate signal in accordance with the signal application combination of six insulated gate bipolar transistors (IGBTs) being used as the switching devices for the high and low parts of first to third phases (phase U, phase V, and phase W) to sense the flow of a current, the electric compressor can sense the output terminal burnout of an IGBT gate and a gate driver. The present invention also relates to a method for detecting the output terminal burnout of the IGBT gate. According to the present invention, the electric compressor includes: a three-phase switching unit including a high switching device (UH) of the first phase (phase U), a low switching device (UL) of the first phase (phase U), a high switching device (VH) of the second phase (phase V), a low switching device (VL) of the second phase (phase V), a high switching device (WH) of the third phase (phase W), and a low switching device (WL) of the third phase (phase W); a motor unit connected to the three phase switching unit; a gate driver which applies high or low signals to the gate terminal of each switching device in the three phase switching unit in accordance with the signal application combination; a detection unit which detects whether there is a flowing current or not in accordance with the switching operation executed by the signal application combination of the three phase switching unit; and a control unit which determines the burnout of each output terminal of the gate driver of the burnout of the gate terminal in accordance with whether there is a flowing current or not.

Description

전동 압축기 및 그것의 IGBT 게이트 소손 검출 방법{Electric compressor, and method for detecting a fault of gate in insulated gate bipolar transistor thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an electric compressor and an IGBT gate burn-

본 발명은 전동 압축기 및 그것의 IGBT 게이트 소손 검출 방법에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 공기 조화기(Air Condition Device)의 전동 압축기에서, 제1 상(Phase U)과 제2 상(Phase V) 및 제3 상(Phase W)에 대한 상측(High)과 하측(Low) 각각의 스위칭 소자인 6 개의 절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor : 이하 IGBT)에 신호 인가 조합에 따라 게이트 신호를 인가하여 전류 흐름을 감지함으로써 IGBT 게이트 및 게이트 드라이버의 출력단 소손을 감지할 수 있도록 하는, 전동 압축기 및 그것의 IGBT 게이트 소손 검출 방법에 관한 것이다.[0001] The present invention relates to an electric compressor and an IGBT gate burn-out detecting method thereof, and more particularly to an electric compressor of an air condition device, in which a first phase (Phase U), a second phase (Phase V) Gate signals are applied to six insulated gate bipolar transistors (IGBTs), which are the switching elements of the upper and lower sides, respectively, for three phases (phase W) To detect an IGBT gate and an output terminal of the gate driver, and to an IGBT gate burn-out detection method thereof.

일반적으로, IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)는 전기 흐름을 막거나 통하게 하는 스위칭 기능을 빠르게 수행할 수 있게 만든 고전력 스위칭용 반도체 소자이다.Generally, an insulated gate bipolar transistor (IGBT) is a high-power switching semiconductor device which can quickly perform a switching function to block or pass an electric current.

전기의 흐름을 막거나 통하게 하는 스위칭 기능은 다른 부품이나 회로로도 구현할 수 있지만 정밀한 동작을 필요로 하는 제품일수록 동작속도가 빠르고 전력의 손실이 적은 전용부품을 필요로 하게 된다.Switching functions that block or allow the flow of electricity can be implemented with other components or circuits, but those that require precise operation require dedicated components that operate at high speeds and have low power dissipation.

그러나 기존 스위칭반도체인 트랜지스터는 가격이 저렴한 대신 회로구성이 복잡하고 동작속도가 느린 단점이 있고, MOSFET는 저전력이고 속도가 빠른 대신 비싼 단점이 있다. IGBT는 바로 이 두 제품의 장점만을 결합한 제품으로 평가받고 있다. 이에 따라, IGBT는 인버터나 컨버터와 같은 다양한 전력 변환 장치에서 스위칭 소자로 사용되고 있다.However, transistors, which are conventional switching semiconductors, have a disadvantage in that they are complicated in circuit configuration and slow in operation speed, and have a disadvantage in that they are low in power and fast in speed. IGBTs are considered to combine the merits of these two products. As a result, IGBTs are used as switching devices in various power conversion devices such as inverters and converters.

도 1은 일반적인 전동 압축기에 사용되는 인버터 회로를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of an inverter circuit used in a general motor-operated compressor.

도 1에 도시된 바와 같이, 전동 압축기의 인버터에서 6개의 IGBT 중 1 개의 IGBT collector-emitter 소손이 발생한 경우, 동일 상의 나머지 IGBT 소손에 의한 armshort 방지를 위해 2차 소손 방지 보호 로직을 운영하고 있다.As shown in FIG. 1, when one IGBT collector-emitter is burned out of six IGBTs in an inverter of a motor-driven compressor, a second-stage burn-out protection logic is operated to prevent armshort due to burnout of remaining IGBTs on the same phase.

예를 들어 U상 상측 IGBT(UH)가 소손된 경우 기동신호가 인가되면 U상 하측 IGBT(UL)이 턴 온되어 U상 armshort에 의해 순간적으로 아주 큰 전류가 흐른다. 이때의 전류를 shoot-though라 하고 장시간의 shoot-through 전류가 흐를 경우 UL이 소손되어 고전압 입력 측이 short 상태가 된다.For example, when the U phase upper IGBT (UH) is destroyed, the U phase lower IGBT (UL) turns on when a start signal is applied, and a very large current flows instantaneously through the U phase armshort. At this time, the shoot-through current is called shoot-through, and when the shoot-through current for a long time flows, UL is burned and the high voltage input side becomes short state.

이러한 과정을 방지하기 위해 2차 소손 방지 로직을 운영한다. 하지만 IGBT의 gate-emitter 간 소손이 발생하고, gate driver 출력단 소손이 발생한 경우 모터가 회전하지 못하고 무한 재기동 형태를 나타낸다. 이러한 소손 모드에 대한 검출 로직은 운영되지 않고 있다. To prevent this process, a second anti-tamper logic is run. However, if the gate-emitter of the IGBT is burned out and the output of the gate driver is burned out, the motor does not rotate and it shows an infinite restart mode. The detection logic for this burnout mode is not operational.

종래 인버터 회로의 경우, IGBT의 gate-emitter 간에 소손이 발생한 경우 모터가 회전하지 않고 무한 재기동 형태를 나타내고, Gate driver 출력단에 소손이 발생한 경우에도 모터가 회전하지 않고 무한 재기동 형태를 나타내며, 무한 재기동 동작시 강제정렬(위치제어)이 진행되어 전류가 계속 소모되는 문제점이 있었다.In the case of the conventional inverter circuit, if the gate-emitter of the IGBT is burned off, the motor does not rotate and shows an infinite restart mode. Even if a gate driver output terminal is burned, the motor does not rotate and shows an infinite restart mode. There is a problem that the current is continuously consumed due to the forced alignment (position control) at the time.

한국 공개특허공보 제10-2008-0045927호(공개일 : 2008.05.26)Korean Patent Publication No. 10-2008-0045927 (published on May 26, 2008)

전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 공기 조화기(Air Condition Device)의 전동 압축기에서, 제1 상(Phase U)과 제2 상(Phase V) 및 제3 상(Phase W)에 대한 상측(High)과 하측(Low) 각각의 스위칭 소자인 6 개의 IGBT에 신호 인가 조합에 따라 게이트 신호를 인가하여 전류 흐름을 감지함으로써 IGBT 게이트 및 게이트 드라이버의 출력단 소손을 감지할 수 있도록 하는, 전동 압축기 및 그것의 IGBT 게이트 소손 검출 방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above problems and provide an electric compressor of an air conditioner which is capable of operating in a first phase (Phase U), a second phase (Phase V) and a third phase Which detects the current flow by applying a gate signal in accordance with signal combination to the six IGBTs, which are the switching elements of the upper and lower sides of the IGBT gate and the gate driver, Compressor and its IGBT gate burn-out detection method.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전동 압축기는, 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH), 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL), 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH), 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL), 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH), 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)를 구비하는 3상 스위칭부; 상기 3상 스위칭부에 연결된 모터부; 상기 3상 스위칭부의 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호 인가 조합에 따라 하이(High) 또는 로우(Low) 신호를 인가하는 게이트 드라이버(Gate Driver); 상기 3상 스위칭부의 신호 인가 조합에 의한 스위칭 동작에 따라 전류 흐름의 유무를 검출하는 검출부; 및 상기 전류 흐름의 유무에 따라 게이트 단자의 소손 또는 게이트 드라이버의 각 출력단 소손을 결정하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a motor compressor according to the present invention includes a first phase U, a first phase U, a second phase U, a second phase U, A second phase V lower switching element VL, a third phase upper switching element WH, and a second switching element VH. A third phase (Phase W) lower switching element (WL); A motor connected to the three-phase switching unit; A gate driver for applying a high or a low signal to the gate terminals of the respective switching elements of the three-phase switching unit in accordance with signal combination; A detection unit for detecting the presence or absence of a current flow in accordance with a switching operation by a signal applied combination of the three-phase switching unit; And a control unit for determining a burnout of the gate terminal or a burnout of each output terminal of the gate driver according to the presence or absence of the current flow.

또한, 상기 게이트 드라이버는, 상기 신호 인가 조합의 제1 조합에 따라 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(UH-VL)(①), 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-WL)(②), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(WH-UL)(③)하게 된다.The gate driver may further include a first phase UH switching device UH and a second phase V lower switching device UH according to a first combination of the signal application combinations, (UH-VL) (1), a second phase (Phase V) switching element (VH) and a third phase (Phase W) A signal is applied to each gate terminal of the switching element WL or a signal VH-WL is applied to the gate terminal of the switching element WL, or the switching element WH of the third phase W and the switching element WH of the first phase (WH-UL) (3) to each gate terminal of the (Low) switching element UL.

또한, 상기 게이트 드라이버는, 상기 신호 인가 조합의 제2 조합에 따라 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-UL)(①), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-VL)(②), 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(UH-WL)(③)하게 된다.The gate driver may further include a second switching element VH connected to the second phase V and a second switching element VH connected to the first phase U, (VH-UL) (1), a third phase (Phase W) of a high-side switching element (WH) and a second phase (Phase V) A signal is applied to each gate terminal of the switching device VL (WH-VL) (2), the first switching device UH of the first phase U and the lower switching device UH of the third phase (UH-WL) (3) to each gate terminal of the low-level switching element WL.

또한, 상기 게이트 드라이버는, 상기 신호 인가 조합의 제3 조합에 따라 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(UH-VL)(①), 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-WL)(②), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-UL)(③), 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-UL)(④), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-VL)(⑤), 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(UH-WL)(⑥)하게 된다.The gate driver may further include a first phase UH switching device UH and a second phase V lower switching device UH according to a third combination of the signal application combinations, (UH-VL) (1), a second phase (Phase V) switching element (VH) and a third phase (Phase W) A signal is applied to each gate terminal of the switching element WL or a signal VH-WL is applied to the gate terminal of the switching element WL, or the switching element WH of the third phase W and the switching element WH of the first phase A signal is applied to each gate terminal of the low-level switching element UL (WH-UL) (3), the second phase V of the high-level switching element VH and the first phase (VH-UL) (4), or the third phase (W) upper switching device (WH) and the second switching device A signal is applied to each gate terminal of the phase V lower switching element VL (WH-VL) (5), the first phase U of the switching element UH and the third phase W of the lower switching element WL, The signal is applied (UH-WL) (6).

그리고, 메시지를 디스플레이하기 위한 디스플레이부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 게이트 단자의 소손 또는 상기 게이트 드라이버의 출력단 소손으로 검출된 경우에, 폴트 모드(Fault Mode)로 진입하고 인버터 점검을 실시할 수 있도록 게이트 단자 소손이나 게이트 드라이버의 출력단 소손 메시지 또는 인버터 점검 메시지를 상기 디스플레이부를 통해 화면 상에 디스플레이하게 된다.The controller may further include a display unit for displaying a message, and when the control unit detects the burnout of the gate terminal or the burnout of the output terminal of the gate driver, the controller enters the fault mode, A gate terminal is burned out, an output terminal burnout message of the gate driver, or an inverter check message is displayed on the screen through the display unit.

한편, 전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법은, 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH), 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL), 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH), 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL), 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH), 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)를 포함하는 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법으로서, (a) 상기 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호 인가 조합에 따라 신호를 인가하는 단계; (b) 상기 각 스위칭 소자에 신호를 인가함에 따른 전류 흐름의 유무를 검출하는 단계; 및 (c) 상기 전류 흐름의 유무에 따라 게이트 단자의 소손 또는 게이트 드라이버의 각 출력단 소손을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an IGBT gate burn-out detection method for a motor-driven compressor, including: a first phase U high switching element UH; a first phase U low The switching element UL, the phase V upper switching element VH, the phase V lower switching element VL and the upper third phase W A method for detecting an IGBT gate burn-out in a motor-driven compressor, the method comprising: (a) applying a signal to a gate terminal of each switching element; Applying a signal according to the combination; (b) detecting presence or absence of a current flow caused by applying a signal to each of the switching elements; And (c) determining the burnout of the gate terminal or the burnout of each output terminal of the gate driver according to the presence or absence of the current flow.

여기서, 상기 (a) 단계는, 상기 신호 인가 조합의 제1 조합에 따라 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(UH-VL)(①), 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-WL)(②), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(WH-UL)(③)하게 된다.In the step (a), the first phase UH of the switching element UH and the second phase V of the first switching element UH are switched according to the first combination of the signal applied combinations. A signal is applied to each gate terminal of the element VL or a signal UH-VL is applied to the gate terminal of the element VL through the first switching element VH and the second switching element VH, (VH-WL) (2), the third phase (W) upper switching device (WH) and the first phase (Phase U) are applied to the gate terminals of the switching elements (WH-UL) (3) to each gate terminal of the lower switching element UL.

또한, 상기 (a) 단계는, 상기 신호 인가 조합의 제2 조합에 따라 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-UL)(①), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-VL)(②), 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(UH-WL)(③)하게 된다.In the step (a), the second phase (V) high switching element (VH) and the first phase (U) lower switching A signal is applied to each gate terminal of the device UL or VH-UL (Phase 1), the upper phase of the switching device WH and the phase of the second phase (Phase V) The first switching element UH and the third switching element UH are connected in parallel to each other by applying a signal to each gate terminal of the switching element VL (WH-VL) (UH-WL) (3) to each gate terminal of the low-side switching element WL.

또한, 상기 (a) 단계는, 상기 신호 인가 조합의 제3 조합에 따라 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(UH-VL)(①), 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-WL)(②), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-UL)(③), 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-UL)(④), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-VL)(⑤), 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(UH-WL)(⑥)하게 된다.In the step (a), the first phase UH and the second phase U are switched according to a third combination of the signal application combination. A signal is applied to each gate terminal of the element VL or a signal UH-VL is applied to the gate terminal of the element VL through the first switching element VH and the second switching element VH, (VH-WL) (2), the third phase (W) upper switching device (WH) and the first phase (Phase U) are applied to the gate terminals of the switching elements A signal is applied to each gate terminal of the low-side switching element UL (WH-UL) (3), the second phase V of the switching element VH, (VH-UL) (4), the third phase (W) upper switching device (WH) and the second switching device (WH) are applied to the respective gate terminals of the low- A signal is applied to each gate terminal of the second phase (Phase V) lower (Low) switching element (VL) A signal is applied to each gate terminal of the first phase-U switching device UH and the third phase-lower switching device WL, (UH-WL) (6).

그리고, 상기 (c) 단계는 상기 게이트 단자의 소손 또는 상기 게이트 드라이버의 출력단 소손으로 검출된 경우에, 폴트 모드(Fault Mode)로 진입하여 게이트 단자 소손이나 게이트 드라이버의 출력단 소손에 대한 메시지 또는 인버터 점검 메시지를 디스플레이부를 통해 화면 상에 디스플레이하게 된다.In the step (c), when the gate terminal is detected to be burned or the output terminal of the gate driver is burned out, a fault mode is entered and the gate terminal is burned out or the output terminal of the gate driver is burned, A message is displayed on the screen through the display unit.

본 발명에 의하면, IGBT 게이트 또는 게이트 드라이버의 출력단 소손을 감지하여 전동 압축기의 무한 재기동을 방지할 수 있다.According to the present invention, endless restarting of the motor-driven compressor can be prevented by detecting burnout of the output terminal of the IGBT gate or the gate driver.

또한, 전동 압축기의 무한 재기동 방지를 통해 강제 정렬 반복 시의 전류 소모를 방지할 수 있다.In addition, it is possible to prevent current consumption during forced alignment repetition by preventing infinite restart of the motor-driven compressor.

그리고, 전동 압축기의 인버터에 이상이 있음을 표시하여 점검 및 교체가 가능하도록 할 수 있다. It is also possible to indicate that there is an abnormality in the inverter of the motor-driven compressor and to check and replace it.

도 1은 일반적인 전동 압축기에 사용되는 인버터 회로를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 IGBT 게이트 소손 검출 방법이 적용된 전동 압축기의 구성을 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 신호 인가 조합의 제1 조합에 따라 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호를 인가하는 예를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 신호 인가 조합의 제2 조합에 따라 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호를 인가하는 예를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 신호 인가 조합의 제3 조합에 따라 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호를 인가하는 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법에서 검출 로직 1에 따른 제1 조합에 따라 각 게이트 단자에 신호를 인가하여 게이트 소손을 검출하는 동작을 설명하기 위한 동작 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법에서 검출 로직 1에 따른 제2 조합에 따라 각 게이트 단자에 신호를 인가하여 게이트 소손을 검출하는 동작을 설명하기 위한 동작 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법에서 검출 로직 2에 따라 각 게이트 단자에 신호를 인가하여 게이트 소손을 검출하는 동작을 설명하기 위한 동작 흐름도이다.1 is a schematic view of an inverter circuit used in a general motor-operated compressor.
2 is a block diagram schematically illustrating the configuration of an electric compressor to which an IGBT gate burn-out detection method according to an embodiment of the present invention is applied.
3 is a diagram illustrating an example of applying a signal to the gate terminal of each switching element according to a first combination of signal applying combinations according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating an example of applying a signal to the gate terminal of each switching element according to a second combination of signal applying combinations according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating an example of applying a signal to gate terminals of each switching element according to a third combination of signal applying combinations according to an embodiment of the present invention.
6 is an operational flowchart for explaining an operation of detecting a gate burnout by applying a signal to each gate terminal according to a first combination according to detection logic 1 in an IGBT gate burn-out detection method of an electric compressor according to an embodiment of the present invention .
7 is an operational flowchart for explaining an operation of detecting a gate burnout by applying a signal to each gate terminal according to a second combination according to detection logic 1 in an IGBT gate burn-out detection method of a motor-driven compressor according to an embodiment of the present invention .
8 is an operational flowchart for explaining an operation of detecting a gate burnout by applying a signal to each gate terminal in accordance with the detection logic 2 in the IGBT gate burn-out detection method of the motor-driven compressor according to the embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, which will be readily apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another part in between . Also, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise.

어느 부분이 다른 부분의 "위에" 있다고 언급하는 경우, 이는 바로 다른 부분의 위에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 부분이 수반될 수 있다. 대조적으로 어느 부분이 다른 부분의 "바로 위에" 있다고 언급하는 경우, 그 사이에 다른 부분이 수반되지 않는다.If any part is referred to as being "on" another part, it may be directly on the other part or may be accompanied by another part therebetween. In contrast, when a section is referred to as being "directly above" another section, no other section is involved.

제1, 제2 및 제3 등의 용어들은 다양한 부분, 성분, 영역, 층 및/또는 섹션들을 설명하기 위해 사용되나 이들에 한정되지 않는다. 이들 용어들은 어느 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션을 다른 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션과 구별하기 위해서만 사용된다. 따라서, 이하에서 서술하는 제1 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 제2 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션으로 언급될 수 있다.The terms first, second and third, etc. are used to describe various portions, components, regions, layers and / or sections, but are not limited thereto. These terms are only used to distinguish any moiety, element, region, layer or section from another moiety, moiety, region, layer or section. Thus, a first portion, component, region, layer or section described below may be referred to as a second portion, component, region, layer or section without departing from the scope of the present invention.

여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the invention. The singular forms as used herein include plural forms as long as the phrases do not expressly express the opposite meaning thereto. Means that a particular feature, region, integer, step, operation, element and / or component is specified and that the presence or absence of other features, regions, integers, steps, operations, elements, and / It does not exclude addition.

"아래", "위" 등의 상대적인 공간을 나타내는 용어는 도면에서 도시된 한 부분의 다른 부분에 대한 관계를 보다 쉽게 설명하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 용어들은 도면에서 의도한 의미와 함께 사용중인 장치의 다른 의미나 동작을 포함하도록 의도된다. 예를 들면, 도면중의 장치를 뒤집으면, 다른 부분들의 "아래"에 있는 것으로 설명된 어느 부분들은 다른 부분들의 "위"에 있는 것으로 설명된다. 따라서 "아래"라는 예시적인 용어는 위와 아래 방향을 전부 포함한다. 장치는 90˚ 회전 또는 다른 각도로 회전할 수 있고, 상대적인 공간을 나타내는 용어도 이에 따라서 해석된다.Terms indicating relative space such as "below "," above ", and the like may be used to more easily describe the relationship to other portions of a portion shown in the figures. These terms are intended to include other meanings or acts of the apparatus in use, as well as intended meanings in the drawings. For example, when inverting a device in the figures, certain parts that are described as being "below" other parts are described as being "above " other parts. Thus, an exemplary term "below" includes both up and down directions. The device can be rotated by 90 degrees or rotated at different angles, and terms indicating relative space are interpreted accordingly.

다르게 정의하지는 않았지만, 여기에 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 보통 사용되는 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms including technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Commonly used predefined terms are further interpreted as having a meaning consistent with the relevant technical literature and the present disclosure, and are not to be construed as ideal or very formal meanings unless defined otherwise.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 IGBT 게이트 소손 검출 방법이 적용된 전동 압축기의 구성을 개략적으로 나타낸 구성도이다.2 is a block diagram schematically illustrating the configuration of an electric compressor to which an IGBT gate burn-out detection method according to an embodiment of the present invention is applied.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 전동 압축기(100)는, 게이트 드라이버(Gate Driver)(110), 3 상 스위칭부(120), 모터부(130), 검출부(140), 제어부(150) 및 디스플레이부(160)를 포함한다.2, the motor-driven compressor 100 according to the present invention includes a gate driver 110, a three-phase switching unit 120, a motor unit 130, a detecting unit 140, a controller 150, And a display unit 160.

게이트 드라이버(110)는 각 스위칭 소자의 게이트 단자와 각각 연결되고, 신호 인가 조합 또는 제어부(150)의 제어 신호에 따라 각 게이트 단자에 하이(High) 또는 로우(Low) 신호를 인가한다.The gate driver 110 is connected to each gate terminal of each switching element and applies a high or low signal to each gate terminal in accordance with a control signal of the signal application combination or control unit 150.

3상 스위칭부(120)는 6 개의 IGBT를 포함하고, 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH), 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL), 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH), 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL), 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH), 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)로 이루어진다.The three-phase switching unit 120 includes six IGBTs and includes a first phase U high switching device UH, a first phase U low switching device UL, A second phase V lower switching element VL, a third phase upper switching element WH, and a second switching element VH. And a third (Phase W) low (Low) switching element WL.

여기서, 각 스위칭 소자(UH, VH, WH, UL, VL, WL)의 에미터(E)와 컬렉터(C) 간에는 다이오드(D)가 각각 연결되어 있다.Diodes D are connected between the emitters E and the collectors C of the switching elements UH, VH, WH, UL, VL and WL.

모터부(130)는 3상 스위칭부(120)에 U상, V상, W상으로 각각 연결되고, 3상 스위칭부(120)의 스위칭 동작에 따라 전원을 인가받아 회전하여 발생된 구동력을 압축부(미도시)에 제공한다.The motor unit 130 is connected to the three-phase switching unit 120 in U-phase, V-phase, and W-phase. The motor unit 130 is powered by the switching operation of the three-phase switching unit 120, (Not shown).

검출부(140)는 검출 로직1에 따라, 게이트 드라이버(110)를 통해 3상 스위칭부(120)의 각 게이트 단자에 제1 조합 또는 제2 조합으로 신호를 인가함에 따른 3상 스위칭부(120)의 스위칭 동작에 의해 발생되는 전류 흐름의 유무를 검출한다.The detection unit 140 detects the phase of the three-phase switching unit 120 according to the detection logic 1 by applying a signal in a first combination or a second combination to each gate terminal of the three-phase switching unit 120 through the gate driver 110, The presence or absence of a current flow generated by the switching operation of the switch SW1 is detected.

이때, 게이트 드라이버(110)는, 도 3에 도시된 바와 같이 신호 인가 조합의 제1 조합에 따라 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(UH-VL)(①), 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-WL)(②), 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가한다(WH-UL)(③). 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 신호 인가 조합의 제1 조합에 따라 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호를 인가하는 예를 나타낸 도면이다. 따라서, 검출부(140)는 신호 인가 조합의 제1 조합에 따라 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호를 인가함에 따른 전류 흐름의 유무를 검출하게 된다. At this time, the gate driver 110 applies a first phase U high switching element UH and a second phase V lower side according to a first combination of signal application combinations as shown in FIG. (UH-VL) (1), a second phase (Phase V), a high-side switching element VH and a third phase (Phase W) by applying a signal to each gate terminal of the low- (VH-WL) (2), a third phase (Phase W), a high-side switching device (WH) and a first phase (Phase U) by applying a signal to each gate terminal of the low- ) The signal is applied to each gate terminal of the lower switching element UL (WH-UL) (3). 3 is a diagram illustrating an example of applying a signal to the gate terminal of each switching element according to a first combination of signal applying combinations according to an embodiment of the present invention. Accordingly, the detection unit 140 detects the presence or absence of current flow as a signal is applied to the gate terminal of each switching element according to the first combination of signal application combinations.

또한, 게이트 드라이버(110)는, 도 4에 도시된 바와 같이 신호 인가 조합의 제2 조합에 따라 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-UL)(①), 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-VL)(②), 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가한다(UH-WL)(③). 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 신호 인가 조합의 제2 조합에 따라 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호를 인가하는 예를 나타낸 도면이다. 따라서, 검출부(140)는 신호 인가 조합의 제2 조합에 따라 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호를 인가함에 따른 전류 흐름의 유무를 검출하게 된다. 4, the gate driver 110 includes a second phase (V) switching device (VH) and a first switching device (VH) below the first phase (Phase U) according to a second combination of signal application combinations, (VH-UL) (1), a third phase (Phase W), a high-side switching element (WH) and a second phase (Phase V) A signal is applied to each gate terminal of the lower switching element VL (WH-VL) (2), the first switching element UH and the third switching element UH (Phase W) ) A signal is applied to each gate terminal of the lower switching element WL (UH-WL) (3). 4 is a diagram illustrating an example of applying a signal to the gate terminal of each switching element according to a second combination of signal applying combinations according to an embodiment of the present invention. Therefore, the detection unit 140 detects the presence or absence of a current flow due to the application of the signal to the gate terminal of each switching element according to the second combination of signal application combinations.

또한, 검출부(140)는 검출 로직2에 따라, 게이트 드라이버(110)를 통해 3상 스위칭부(120)의 각 게이트 단자에 신호를 인가함에 따른 3상 스위칭부(120)의 스위칭 동작에 의해 발생되는 전류 흐름의 유무를 검출한다.The detection unit 140 is generated by the switching operation of the three-phase switching unit 120 according to the detection logic 2 when signals are applied to the respective gate terminals of the three-phase switching unit 120 through the gate driver 110 The presence or absence of current flow is detected.

즉, 게이트 드라이버(110)는, 도 5에 도시된 바와 같이 신호 인가 조합의 제3 조합에 따라 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(UH-VL)(①), 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-WL)(②), 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-UL)(③), 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-UL)(④), 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-VL)(⑤), 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가한다(UH-WL)(⑥). 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 신호 인가 조합의 제3 조합에 따라 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호를 인가하는 예를 나타낸 도면이다. 따라서, 검출부(140)는 신호 인가 조합의 제3 조합에 따라 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호를 인가함에 따른 전류 흐름의 유무를 검출하게 된다.That is, the gate driver 110 is connected to the first switching element UH and the second switching element UH in accordance with the third combination of signal application combinations as shown in FIG. 5, (UH-VL) (1), a second phase (Phase V), a high-side switching element VH and a third phase (Phase W) by applying a signal to each gate terminal of the low- (VH-WL) (2), a third phase (Phase W), a high-side switching device (WH) and a first phase (Phase U) by applying a signal to each gate terminal of the low- (WH-UL) (3), a second phase (Phase V), a high-side switching element (VH) and a first phase (VH-UL) (4), a third phase (Phase W), a high-side switching element (WH) and a second phase Phase V) Applying a signal to each gate terminal of the low-side switching element VL (WH-VL) (5) A signal is applied to each gate terminal of the high-level switching element UH and the low-level switching element WL of the third phase (UH-WL) (6). 5 is a diagram illustrating an example of applying a signal to gate terminals of each switching element according to a third combination of signal applying combinations according to an embodiment of the present invention. Therefore, the detection unit 140 detects the presence or absence of current flow due to the application of the signal to the gate terminal of each switching element in accordance with the third combination of signal application combinations.

제어부(150)는 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호가 인가됨에 따라 검출부(140)를 통해 전류 흐름의 유무를 검출하게 되면, 검출된 전류 흐름의 유무에 따라 게이트 단자의 소손 또는 게이트 드라이버의 각 출력단 소손을 결정하게 된다.When a signal is applied to the gate terminal of each switching element, the control unit 150 detects the presence or absence of current flow through the detection unit 140. If the current flows through the detection unit 140, It will determine the burnout.

또한, 제어부(150)는 게이트 단자의 소손 또는 게이트 드라이버의 각 출력단 소손으로 결정된 경우에, 폴트 모드(Fault Mode)로 진입하고 인버터 점검을 실시할 수 있도록 소손 메시지 또는 인버터 점검 메시지를 화면 상에 표시하거나 저장하게 된다.The controller 150 also displays a burn-out message or an inverter check message on the screen in order to enter the fault mode and check the inverter when the gate terminal is destroyed or the output terminals of the gate driver are destroyed. Or stored.

디스플레이부(160)는 게이트 단자 또는 게이트 드라이버의 각 출력단에 대한 소손 메시지를 화면 상에 디스플레이하거나, 인버터 점검 메시지를 화면 상에 디스플레이한다.The display unit 160 displays a burn-out message for each output terminal of the gate terminal or the gate driver on the screen or displays an inverter check message on the screen.

그리고, 도시하지는 않았지만 게이트 단자의 소손 또는 게이트 드라이버의 각 출력단 소손에 대한 메시지나, 신호 인가 조합에 대한 데이터를 저장하기 위한 저장부를 더 포함할 수 있다.Further, it may further include a storage unit for storing data regarding a signal input combination, a message about a burnout of the gate terminal or a burnout of each output terminal of the gate driver, though not shown.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법에서 검출 로직 1에 따른 제1 조합에 따라 각 게이트 단자에 신호를 인가하여 게이트 소손을 검출하는 동작을 설명하기 위한 동작 흐름도이다.6 is an operational flowchart for explaining an operation of detecting a gate burnout by applying a signal to each gate terminal according to a first combination according to detection logic 1 in an IGBT gate burn-out detection method of an electric compressor according to an embodiment of the present invention .

도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 전동 압축기(100)는, 먼저 검출 로직 1에 따른 제1 조합에 따라 게이트 드라이버(110)를 통해 도 3에 도시된 바와 같이 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(UH-VL)(①), 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-WL)(②), 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(WH-UL)(③)한다(S610).Referring to FIG. 6, the motor-driven compressor 100 according to the present invention firstly drives the gate U1 through the gate driver 110 according to the first combination according to the detection logic 1, (UH-VL) (1) and a second phase (Phase V) are applied to the gate terminals of the high-side switching element UH and the low-side switching element VL of the second phase, A signal is applied (VH-WL) (2) to each gate terminal of the high-side switching element VH and the low-side switching element WL of the third phase (Phase W) A signal is applied (WH-UL) (3) to each gate terminal of the high-side switching element WH and the low-side switching element UL of the first phase (Phase U) (S610).

이어, 전동 압축기(100)는 제1 조합에 따라 UH-VL 게이트(①)와, VH-WL 게이트(②) 및 WH-UL 게이트(③)에 각각 신호를 인가한 후 검출부(140)를 통해 전류를 감지하여, ①과 ② 및 ③ 과정 모두 전류 흐름이 있을 경우에(S620-예), 강제 정렬(위치 제어) 로직(Logic)을 진행한다(S630).The motor compressor 100 applies a signal to the UH-VL gate (1), the VH-WL gate (2) and the WH-UL gate (3) according to the first combination, When the current is sensed and both of the processes (1), (2), and (3) exist (S620-YES), the forced alignment (position control) logic is performed (S630).

이때, 전동 압축기(100)는 검출부(140)를 통해 ① 과정에서 전류 흐름이 있을 경우에 ②와 ③ 과정을 각각 진행하여 전류 흐름이 있는지를 검출하며, 검출 순서는 바뀌어도 무방하다.At this time, when the electric current flows in the process (1) through the detecting unit (140), the electric compressor (100) detects whether there is a current flow through each of the processes (2) and (3), and the detection order may be changed.

그러나, ①과 ② 및 ③ 과정 중 하나의 과정이라도 전류 흐름이 없을 경우에(S620-아니오), 전류 흐름이 없는 U 상에 속한 상측 및 하측 IGBT 게이트에 각각 동시에 신호를 인가한다(S640).However, if there is no current flow even in one of the processes 1), 2) and 3) (S620-No), signals are simultaneously applied to the upper and lower IGBT gates belonging to the U-phase without current flow at S640.

예를 들면, 제1 조합에 따라 UH-VL ①의 과정을 진행하여 전류 흐름이 없을 경우에(S620-아니오), 전동 압축기(100)는 ① 과정의 IGBT에 해당하는 UH, VL 스위칭 소자의 게이트 소손 또는 게이트 드라이버 출력단 소손으로 결정할 수 있다. 하지만, UH, VL의 IGBT 중에 어느 것에 이상이 있는지 더욱 자세하게 검출하기 위해, U상 상측(H) 및 하측(L)의 게이트에 각각 신호를 동시에 인가한다(S640). For example, if there is no current flow in the UH-VL (1) according to the first combination (S620-No), the motor-driven compressor 100 sets the gate of the UH and VL switching elements It can be determined by burnout or burnout of the gate driver output stage. However, in order to more precisely detect which of the UH and VL IGBTs are abnormal, signals are simultaneously applied to the upper side H and lower side L of the U phase (S640).

이때, U상 상측(H) 및 하측(L)에 전류 흐름이 있는 경우에(S650-예), UH-VL 해당 조합에서 전류 흐름이 없는 VL의 IGBT 게이트 또는 게이트 드라이버 출력단의 소손으로 결정한다(S660).At this time, when there is a current flow on the upper side (H) and the lower side (L) of the U phase (S650- YES), it is determined by burning out the IGBT gate or gate driver output terminal of VL without current flow in the UH- S660).

한편, 전동 압축기(100)는 U상 상측(H) 및 하측(L)의 게이트에 각각 신호를 동시에 인가하여 전류 흐름이 없는 경우에(S650-아니오), UH-VL 해당 조합의 IGBT 게이트 모두 또는 게이트 드라이버 출력단의 소손으로 결정한다(S670).On the other hand, when the electric compressor 100 simultaneously applies a signal to the upper side H and the lower side L of the U-phase and there is no current flow (S650-No), all of the IGBT gates of the UH- It is determined by burnout of the gate driver output stage (S670).

이어, 전동 압축기(100)는 폴트 모드(Fault Mode)로 진입하여 게이트 단자 소손이나 게이트 드라이버의 출력단 소손에 대한 메시지 또는 인버터 점검 메시지를 디스플레이부(160)를 통해 화면 상에 표시(Display)한다(S680).Next, the motor-driven compressor 100 enters a fault mode and displays a message on the gate terminal or the output terminal of the gate driver or an inverter check message on the screen through the display unit 160 S680).

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법에서 검출 로직 1에 따른 제2 조합에 따라 각 게이트 단자에 신호를 인가하여 게이트 소손을 검출하는 동작을 설명하기 위한 동작 흐름도이다.7 is an operational flowchart for explaining an operation of detecting a gate burnout by applying a signal to each gate terminal according to a second combination according to detection logic 1 in an IGBT gate burn-out detection method of a motor-driven compressor according to an embodiment of the present invention .

도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 전동 압축기(100)는, 먼저 검출 로직 1에 따른 제2 조합에 따라 게이트 드라이버(110)를 통해 도 4에 도시된 바와 같이 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-UL)(①), 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-VL)(②), 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(UH-WL)(③)한다(S710).Referring to FIG. 7, the motor-driven compressor 100 according to the present invention firstly drives the gate driver 110 according to the second combination according to the detection logic 1, (VH-UL) (1) or a third phase (Phase W) is applied to each gate terminal of the high-level switching element VH and the low-level switching element UL of the first phase, A signal is applied to each gate terminal of the high-side switching element WH and the low-side switching element VL of the second phase (Phase V) (WH-VL) A signal is applied (UH-WL) (3) to each gate terminal of the high-side switching element UH and the low-side switching element WL of the third phase (Phase W) (S710).

이어, 전동 압축기(100)는 제2 조합에 따라 VH-UL 게이트(①)와, WH-VL 게이트(②) 및 UH-WL 게이트(③)에 각각 신호를 인가한 후 검출부(140)를 통해 전류를 감지하여, ①과 ② 및 ③ 과정 모두 전류 흐름이 있을 경우에(S720-예), 강제 정렬(위치 제어) 로직(Logic)을 진행한다(S730).Next, the motor-driven compressor 100 applies a signal to the VH-UL gate (1), the WH-VL gate (2) and the UH-WL gate (3) according to the second combination, When the current is sensed and the current flows in both steps ①, ② and ③ (S720-YES), the forced alignment (position control) logic is performed (S730).

이때, 전동 압축기(100)는 검출부(140)를 통해 ① 과정에서 전류 흐름이 있을 경우에 ②와 ③ 과정을 각각 진행하여 전류 흐름이 있는지를 검출하며, 검출 순서는 바뀌어도 무방하다.At this time, when the electric current flows in the process (1) through the detecting unit (140), the electric compressor (100) detects whether there is a current flow through each of the processes (2) and (3), and the detection order may be changed.

그러나, ①과 ② 및 ③ 과정 중 하나의 과정이라도 전류 흐름이 없을 경우에(S720-아니오), 전류 흐름이 없는 과정에 속한 IGBT 상측 및 하측 게이트에 각각 동시에 신호를 인가한다(S740).However, if there is no current flow in any one of the processes (1), (2) and (3) (S720-No), the signal is simultaneously applied to the upper and lower gates of the IGBT belonging to the process without current flow at S740.

예를 들면, 제2 조합에 따라 VH-UL ①의 과정을 진행하여 전류 흐름이 없을 경우에(S720-아니오), 전동 압축기(100)는 ① 과정의 IGBT에 해당하는 VH, UL 스위칭 소자의 게이트 소손 또는 게이트 드라이버 출력단 소손으로 결정할 수 있다. 하지만, VH, UL의 IGBT 중에 어느 것에 이상이 있는지 더욱 자세하게 검출하기 위해, V상 상측(H) 및 하측(L)의 게이트에 각각 신호를 동시에 인가한다(S740). For example, if the VH-UL (1) process is performed according to the second combination and there is no current flow (S720-No), the motor-driven compressor 100 sets VH corresponding to the IGBT It can be determined by burnout or burnout of the gate driver output stage. However, in order to more precisely detect which one of the VH and UL IGBTs is abnormal, signals are simultaneously applied to the gates of the upper side H and the lower side of the V-phase (S740).

이때, V상 상측(H) 및 하측(L)에 전류 흐름이 있는 경우에(S750-예), VH-UL 해당 조합에서 전류 흐름이 없는 UL의 IGBT 게이트 또는 게이트 드라이버 출력단의 소손으로 결정한다(S760).At this time, when there is a current flow on the upper side (H) and the lower side (L) of the V-phase (S750-Yes), it is determined that the VH-UL corresponding combination is burned out of the UL IGBT gate or gate driver output stage without current flow S760).

한편, 전동 압축기(100)는 V상 상측(H) 및 하측(L)의 게이트에 각각 신호를 동시에 인가하여 전류 흐름이 없는 경우에(S750-아니오), VH-UL 해당 조합의 IGBT 게이트 모두 또는 게이트 드라이버 출력단의 소손으로 결정한다(S770).On the other hand, when the electric compressor 100 simultaneously applies signals to the gates of the upper side H and the lower side of the V-phase so as not to flow current (S750-No), all of the IGBT gates of the VH- It is determined by burnout of the gate driver output stage (S770).

이어, 전동 압축기(100)는 폴트 모드(Fault Mode)로 진입하여 게이트 단자 소손이나 게이트 드라이버의 출력단 소손에 대한 메시지 또는 인버터 점검 메시지를 디스플레이부(160)를 통해 화면 상에 표시(Display)한다(S780).Next, the motor-driven compressor 100 enters a fault mode and displays a message on the gate terminal or the output terminal of the gate driver or an inverter check message on the screen through the display unit 160 S780).

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법에서 검출 로직 2에 따라 각 게이트 단자에 신호를 인가하여 게이트 소손을 검출하는 동작을 설명하기 위한 동작 흐름도이다.8 is an operational flowchart for explaining an operation of detecting a gate burnout by applying a signal to each gate terminal in accordance with the detection logic 2 in the IGBT gate burn-out detection method of the motor-driven compressor according to the embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 전동 압축기(100)는, 먼저 검출 로직 2에 따라 게이트 드라이버(110)를 통해 도 5에 도시된 바와 같이 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(UH-VL)(①), 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-WL)(②), 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-UL)(③), 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-UL)(④), 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-VL)(⑤), 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(UH-WL)(⑥)한다(S810). 여기서, 순서는 바뀌어도 무방하다.Referring to FIG. 8, the motor compressor 100 according to the present invention includes a first phase (High) switching device (not shown) as shown in FIG. 5 through a gate driver 110 according to detection logic 2, (UH-VL) (1) and a second phase (Phase V) high switching (UH-VL) are applied to the respective gate terminals of the switching element VL and the switching element VL of the second phase A signal is applied (VH-WL) (2) and a third phase (Phase W) is applied to each gate terminal of the element VH and the low-side switching element WL of the third phase (Phase W) A signal is applied to each gate terminal of the switching element WH and the lower phase switching element UL of the first phase (WH) (WH-UL) (3) (VH-UL) (4) and the third phase (Phase W) by applying a signal to each gate terminal of the switching element VH and the lower phase switching element UL of the first phase High) switching element WH and the second (Phase V) lower (Low) switching element VL. (WH-VL) (5), Phase U High switching element UH and Phase W lower switching element WL are connected to the respective gate terminals (UH-WL) (6) (S810). Here, the order may be changed.

이어, 전동 압축기(100)는 검출부(140)를 통해 전류를 감지하여, ①과 ②, ③, ④, ⑤, ⑥ 과정에서, UH-VL ① 과정에 전류 흐름이 없을 경우에(S820-예), UH, VL의 IGBT 게이트 소손 또는 게이트 드라이버의 출력단 소손으로 결정한다(S830).The electric compressor 100 senses a current through the detecting unit 140. If there is no current flow in the UH-VL (1) and (2), (3), (4), (5) , UH and VL of the IGBT gate or the output terminal of the gate driver (S830).

그러나, UH-VL ① 과정에 전류 흐름이 있을 경우에(S820-아니오), 강제 정렬(위치 제어) 로직(Logic)을 진행한다(S822).However, if there is a current flow in the UH-VL (1) process (S820-No), the forced alignment (position control) logic is performed (S822).

이때, UH-WL ⑥의 과정에 전류 흐름이 있는 것으로 감지되면(S840-예), 전동 압축기(100)는 UH는 정상이고 VL의 IGBT 게이트 소손으로 결정한다(S850).At this time, if it is detected that there is a current flow in the process of UH-WL (S840-Yes), the motor-driven compressor 100 determines that the UH is normal and the VL IGBT gate is burned (S850).

따라서, 전동 압축기(100)는 게이트 단자의 소손 또는 게이트 드라이버의 출력단 소손으로 검출된 경우에, 폴트 모드(Fault Mode)로 진입하여 게이트 단자 소손이나 게이트 드라이버의 출력단 소손에 대한 메시지 또는 인버터 점검 메시지를 디스플레이부(160)를 통해 화면 상에 디스플레이 한다(S860).Therefore, when the motor compressor 100 is detected as a malfunction of the gate terminal or a malfunction of the output terminal of the gate driver, the motor compressor 100 enters the fault mode and outputs a message for destroying the gate terminal, And displays it on the screen through the display unit 160 (S860).

즉, 전동 압축기의 인버터에 이상이 있음을 관리자 또는 사용자에게 알게 함으로써 점검 및 교체가 가능하도록 하는 것이다.That is, the controller or the user is informed that there is an abnormality in the inverter of the motor-driven compressor, so that the check or replacement is possible.

한편, UH-WL ⑥의 과정에서 전류 흐름이 없을 경우(S840-아니오), 전동 압축기(100)는 WH-VL ⑤의 과정을 통해 VL의 소손 여부를 확인 할 수 있다(S870).On the other hand, if there is no current flow in the process of UH-WL (S840-No), the motor-driven compressor 100 can confirm whether or not the VL is burned through the process of WH-VL (S870).

전술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 공기 조화기(Air Condition Device)의 전동 압축기에서, 제1 상(Phase U)과 제2 상(Phase V) 및 제3 상(Phase W)에 대한 상측(High)과 하측(Low) 각각의 스위칭 소자인 6 개의 IGBT에 신호 인가 조합에 따라 게이트 신호를 인가하여 전류 흐름을 감지함으로써 IGBT 게이트 및 게이트 드라이버의 출력단 소손을 감지할 수 있도록 하는, 전동 압축기 및 그것의 IGBT 게이트 소손 검출 방법을 실현할 수 있다.As described above, according to the present invention, in the motor compressor of the air conditioner, the upper (Up), the lower (Up) and the lower ) And the lower (Low) IGBTs by sensing the current flow by applying a gate signal according to a combination of signal application to six IGBTs, which are switching elements of the IGBT gate and the gate driver The IGBT gate burn-out detection method can be realized.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims and their equivalents. Only. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

100 : 전동 압축기
110 : 게이트 드라이버
120 : 3 상 스위칭부
130 : 모터부
140 : 검출부
150 : 제어부
160 : 디스플레이부100: Electric compressor
110: gate driver
120: Three-phase switching unit
130:
140:
150:
160:

Claims (10)

제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH), 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL), 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH), 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL), 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH), 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)를 구비하는 3상 스위칭부;
상기 3상 스위칭부에 연결된 모터부;
상기 3상 스위칭부의 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호 인가 조합에 따라 하이(High) 또는 로우(Low) 신호를 인가하는 게이트 드라이버(Gate Driver);
상기 3상 스위칭부의 신호 인가 조합에 의한 스위칭 동작에 따라 전류 흐름의 유무를 검출하는 검출부; 및
상기 전류 흐름의 유무에 따라 게이트 단자의 소손 또는 게이트 드라이버의 각 출력단 소손을 결정하는 제어부;
를 포함하는 전동 압축기.
Phase U A high switching element UH, a first phase U low switching element UL, a second phase V high switching element VH, (Phase V), a lower phase (Low) switching element VL, a third phase (Phase W), a higher phase switching element WH, a third phase (Phase W) A three-phase switching unit having a three-phase switching unit;
A motor connected to the three-phase switching unit;
A gate driver for applying a high or a low signal to the gate terminals of the respective switching elements of the three-phase switching unit in accordance with signal combination;
A detection unit for detecting the presence or absence of a current flow in accordance with a switching operation by a signal applied combination of the three-phase switching unit; And
A controller for determining a burnout of the gate terminal or a burnout of each output terminal of the gate driver according to the presence or absence of the current flow;
.
청구항 1에 있어서,
상기 게이트 드라이버는, 상기 신호 인가 조합의 제1 조합에 따라 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(UH-VL)(①), 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-WL)(②), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(WH-UL)(③)하는 것을 특징으로 하는 전동 압축기.
The method according to claim 1,
The gate driver may switch the first phase UH and the second phase V lower by a first combination of the signal application combinations, (UH-VL) (1), the second phase (Phase V) switching element (VH) and the third phase (Phase W) lower switching element (VH-WL) (2), the third phase W switching element WH and the first phase U lower (Low) ) A signal (WH-UL) (3) is applied to each gate terminal of the switching element (UL).
청구항 1에 있어서,
상기 게이트 드라이버는, 상기 신호 인가 조합의 제2 조합에 따라 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-UL)(①), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-VL)(②), 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(UH-WL)(③)하는 것을 특징으로 하는 전동 압축기.
The method according to claim 1,
The gate driver may further include a second phase V upper switching device VH and a first phase lower switching device UL according to a second combination of the signal application combinations. (VH-UL) (1), a third phase (Phase W) switching device (WH) and a second phase (Phase V) lower switching device (WH-VL) (2), the first phase U switching device UH and the third phase switching device UH ) Applies a signal (UH-WL) (3) to each gate terminal of the switching element (WL).
청구항 1에 있어서,
상기 게이트 드라이버는, 상기 신호 인가 조합의 제3 조합에 따라 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(UH-VL)(①), 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-WL)(②), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-UL)(③), 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-UL)(④), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-VL)(⑤), 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(UH-WL)(⑥)하는 것을 특징으로 하는 전동 압축기.
The method according to claim 1,
The gate driver may be configured to switch the first phase UH and the second phase V low switching elements VL according to a third combination of the signal application combinations. (UH-VL) (1), the second phase (Phase V) switching element (VH) and the third phase (Phase W) lower switching element (VH-WL) (2), the third phase W switching element WH and the first phase U lower (Low) A signal is applied to each gate terminal of the switching element UL and the second phase V of the switching element VH and the first phase U, A signal is applied to each gate terminal of the low-side switching element UL (VH-UL) (4), the third phase W of the high-side switching element WH and the second phase Phase V) A signal is applied to each gate terminal of the lower switching element VL (WH-VL) (5), the first phase U of the switching element UH and the third phase W of the lower switching element WL are connected to the respective gate terminals (UH-WL) (6).
청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,
메시지를 디스플레이하기 위한 디스플레이부를 더 포함하고,
상기 제어부는 상기 게이트 단자의 소손 또는 상기 게이트 드라이버의 출력단 소손으로 검출된 경우에, 폴트 모드(Fault Mode)로 진입하고 인버터 점검을 실시할 수 있도록 게이트 단자 소손이나 게이트 드라이버의 출력단 소손 메시지 또는 인버터 점검 메시지를 상기 디스플레이부를 통해 화면 상에 디스플레이하는 것을 특징으로 하는 전동 압축기.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Further comprising a display unit for displaying a message,
When the control unit detects the burnout of the gate terminal or the burnout of the output terminal of the gate driver, the control unit enters the fault mode and checks the inverter so that the gate terminal is burned out, the output terminal burnout message of the gate driver, And displays a message on the screen through the display unit.
제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH), 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL), 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH), 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL), 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH), 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)를 포함하는 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법으로서,
(a) 상기 각 스위칭 소자의 게이트 단자에 신호 인가 조합에 따라 신호를 인가하는 단계;
(b) 상기 각 스위칭 소자에 신호를 인가함에 따른 전류 흐름의 유무를 검출하는 단계; 및
(c) 상기 전류 흐름의 유무에 따라 게이트 단자의 소손 또는 게이트 드라이버의 각 출력단 소손을 결정하는 단계;
를 포함하는 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법.
Phase U A high switching element UH, a first phase U low switching element UL, a second phase V high switching element VH, (Phase V), a lower phase (Low) switching element VL, a third phase (Phase W), a higher phase switching element WH, a third phase (Phase W) ), Characterized in that the IGBT gate burn-
(a) applying a signal to a gate terminal of each switching element in accordance with a signal combination;
(b) detecting presence or absence of a current flow caused by applying a signal to each of the switching elements; And
(c) determining a burnout of the gate terminal or a burnout of each output terminal of the gate driver according to the presence or absence of the current flow;
Wherein the IGBT gate burn-out detection method comprises:
청구항 6에 있어서,
상기 (a) 단계는, 상기 신호 인가 조합의 제1 조합에 따라 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(UH-VL)(①), 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-WL)(②), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(WH-UL)(③)하는 것을 특징으로 하는 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법.
The method of claim 6,
The method of claim 1, wherein the step (a) comprises: applying the first phase U high switching element UH and the second phase V low switching element (UH-VL) (1), a second phase (Phase V) switching element (VH) and a third phase (Phase W) A signal is applied to each gate terminal of the switching element WL or a signal VH-WL is applied to the gate terminal of the switching element WL, or the switching element WH of the third phase W and the switching element WH of the first phase (WH-UL) (3) is applied to each gate terminal of the low-level switching element (UL).
청구항 6에 있어서,
상기 (a) 단계는, 상기 신호 인가 조합의 제2 조합에 따라 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-UL)(①), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-VL)(②), 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(UH-WL)(③)하는 것을 특징으로 하는 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법.
The method of claim 6,
Wherein the step (a) includes the steps of: applying the second phase V high switching element VH and the first phase lower switching element VH according to a second combination of the signal application combination; (VH-UL) (1), a third phase (Phase W) of a high-side switching element (WH) and a second phase (Phase V) A signal is applied to each gate terminal of the switching device VL (WH-VL) (2), the first switching device UH of the first phase U and the lower switching device UH of the third phase (UH-WL) (3) is applied to each gate terminal of the low-level switching element (WL).
청구항 6에 있어서,
상기 (a) 단계는, 상기 신호 인가 조합의 제3 조합에 따라 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(UH-VL)(①), 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-WL)(②), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-UL)(③), 상기 제2 상(Phase V) 상측(High) 스위칭 소자(VH)와 상기 제1 상(Phase U) 하측(Low) 스위칭 소자(UL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(VH-UL)(④), 상기 제3 상(Phase W) 상측(High) 스위칭 소자(WH)와 상기 제2 상(Phase V) 하측(Low) 스위칭 소자(VL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가하거나(WH-VL)(⑤), 상기 제1 상(Phase U) 상측(High) 스위칭 소자(UH)와 상기 제3 상(Phase W) 하측(Low) 스위칭 소자(WL)의 각 게이트 단자에 신호를 인가(UH-WL)(⑥)하는 것을 특징으로 하는 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법.
The method of claim 6,
The method of claim 1, wherein the step (a) comprises: applying the first phase U switching device UH and the second phase V switching device (UH-VL) (1), a second phase (Phase V) switching element (VH) and a third phase (Phase W) A signal is applied to each gate terminal of the switching element WL or a signal VH-WL is applied to the gate terminal of the switching element WL, or the switching element WH of the third phase W and the switching element WH of the first phase A signal is applied to each gate terminal of the low-level switching element UL (WH-UL) (3), the second phase V of the high-level switching element VH and the first phase (VH-UL) (4), or the third phase (W) upper switching device (WH) and the second switching device (VL) by applying a signal to each gate terminal of the low-side switching element VL (Phase-V) A signal UH-WL is applied to each gate terminal of the first phase U-phase high switching element UH and the third phase phase low-side switching element WL, (6) is performed.
청구항 6에 있어서,
상기 (c) 단계는 상기 게이트 단자의 소손 또는 상기 게이트 드라이버의 출력단 소손으로 검출된 경우에, 폴트 모드(Fault Mode)로 진입하여 게이트 단자 소손이나 게이트 드라이버의 출력단 소손에 대한 메시지 또는 인버터 점검 메시지를 디스플레이부를 통해 화면 상에 디스플레이하는 것을 특징으로 하는 전동 압축기의 IGBT 게이트 소손 검출 방법.
The method of claim 6,
In the step (c), when the gate terminal is detected to be burned or the output terminal of the gate driver is burned out, a fault mode is entered and a message for burnout of the gate terminal or burnout of the output terminal of the gate driver or an inverter check message And the display is displayed on the screen through a display unit.
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