KR20160102429A - Glass laminate and method for manufacturing same - Google Patents

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KR20160102429A
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다이스케 우치다
요시타카 마츠야마
경 훈 민
요시미 오타니
사토시 모토타니
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아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 지지 기재의 층과 실리콘 수지층과 유리 기판의 층을 이 순으로 구비하는 유리 적층체로서, 상기 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 하기 식 (D)로 표시되는 D 단위와 하기 식 (Q)로 표시되는 Q 단위를 갖는 축중합물이고, 상기 실리콘 수지층의 상기 유리 기판의 층에 대한 계면의 박리 강도와 상기 실리콘 수지층의 상기 지지 기재의 층에 대한 계면의 박리 강도가 상이한 유리 적층체에 관한 것이다:

Figure pct00011

식 중, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 4 이하의 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기를 나타낸다.The present invention relates to a glass laminate comprising a support substrate layer, a silicone resin layer and a glass substrate layer in this order, wherein the silicone resin of the silicone resin layer has a D unit represented by the following formula (D) ), Wherein the peel strength of the interface between the silicon resin layer and the glass substrate layer is different from the peel strength of the interface between the silicon resin layer and the support substrate layer, Lt; / RTI >
Figure pct00011

In the formulas, R a and R b each independently represent an alkyl group having 4 or less carbon atoms or a phenyl group which may have a substituent.

Description

유리 적층체 및 그 제조 방법{GLASS LAMINATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a glass laminate,

본 발명은 유리 적층체 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 소정의 실리콘 수지층을 구비하는 유리 적층체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a glass laminate and a method of manufacturing the same, and more particularly to a glass laminate having a predetermined silicone resin layer and a method of manufacturing the same.

최근 들어 태양 전지(PV), 액정 패널(LCD), 유기 EL 패널(OLED) 등의 디바이스(전자 기기)의 박형화, 경량화가 진행되고 있고, 이들 디바이스에 이용하는 유리 기판의 박판화가 진행되고 있다. 박판화에 의해 유리 기판의 강도가 부족하면 디바이스의 제조 공정에 있어서 유리 기판의 핸들링성이 저하된다.BACKGROUND ART In recent years, devices (electronic devices) such as a solar cell (PV), a liquid crystal panel (LCD), and an organic EL panel (OLED) have been made thinner and lighter in weight. If the strength of the glass substrate is insufficient due to thinning, the handling property of the glass substrate in the manufacturing process of the device is deteriorated.

최근에는 상기 과제에 대응하기 위해서 유리 기판과 지지 유리판을 적층한 유리 적층체를 준비하고, 유리 적층체의 유리 기판 상에 표시 장치 등의 전자 디바이스용 부재를 형성한 후, 유리 기판으로부터 지지 유리판을 분리하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어 특허문헌 1 참조). 보다 구체적으로는 특허문헌 1의 실시예란에 있어서는 유리 기판 및 지지 유리판의 한쪽 표면에 디메틸실리콘 오일(SH200)을 이용한 표면 처리를 행하고, 양자를 적층시켜 얻어지는 유리 적층체가 개시되어 있다.In recent years, in order to cope with the above problem, a glass laminate in which a glass substrate and a supporting glass plate are laminated is prepared, an electronic device member such as a display device is formed on a glass substrate of the glass laminate, (See, for example, Patent Document 1). More specifically, in the embodiment of Patent Document 1, there is disclosed a glass laminate obtained by subjecting one surface of a glass substrate and a supporting glass plate to surface treatment using dimethyl silicone oil (SH200) and laminating them.

국제 공개 제2011/048979호International Publication No. 2011/048979

최근 들어 유리 적층체에 관하여 유리 기판의 가일층의 박막화 때문에, 그 취급성이 어려워지고, 가열 처리 후에 보다 용이하게 유리 기판을 박리시킬 것이 요구되고 있다. 바꿔 말하면 유리 적층체로부터의 유리 기판의 박리 강도가 보다 작을 것이 요구되고 있다.In recent years, with respect to the glass laminate, the ease of handling thereof becomes difficult due to the thinning of a single layer of the glass substrate, and it is required to more easily peel off the glass substrate after the heat treatment. In other words, it is required that the peeling strength of the glass substrate from the glass laminate is smaller.

특허문헌 1에 기재된 SH200을 이용하여 얻어진 유리 적층체는 대기 중 450℃, 1시간의 가열 처리 후에도 박리 가능하다. 그러나, 전술한 바와 같이 현재보다 용이하게 유리 기판을 박리할 것이 요구되고 있고, 특허문헌 1의 형태는 그 요구 레벨을 만족하고 있지 않아 더한층 개량이 필요하였다.The glass laminate obtained using the SH200 described in Patent Document 1 can be peeled off even after heating treatment at 450 ° C for 1 hour in the atmosphere. However, as described above, it is required that the glass substrate be easily peeled off from the present, and the form of Patent Document 1 does not satisfy the required level, and further improvement is required.

또한, 특허문헌 1에 기재되는 바와 같은 SH200을 이용하도록 하는 표면 처리에 의해 층을 형성하는 경우, 제조 로트마다 표면 처리 조건을 동일하게 하여도 사용되는 액의 상태나 온도 등의 환경 조건에 따라, 제조 로트에 따라 층의 두께가 바뀌는 경우가 있다. 특허문헌 1에 기재되는 바와 같은 SH200을 이용한 경우에는 형성되는 층의 두께가 두꺼워지면 당해 층이 발포되어 버려 다량의 아웃 가스가 발생한다. 이러한 아웃 가스의 발생은 유리 기판 상에 형성되는 전자 디바이스용 부재를 오염시키고, 결과적으로 전자 디바이스의 생산성을 저하시키는 원인이 된다.In the case of forming a layer by surface treatment using SH200 as described in Patent Document 1, even if the surface treatment conditions are the same for each production lot, depending on the conditions of the liquid used and the environmental conditions such as temperature, The thickness of the layer may be changed depending on the production lot. In the case of using SH200 as described in Patent Document 1, when the thickness of the layer to be formed becomes thick, the layer is foamed and a large amount of outgas is generated. Such generation of outgas causes contamination of a member for an electronic device formed on a glass substrate, which results in deterioration of the productivity of the electronic device.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 고온 가열 처리 후에도 유리 기판을 용이하게 박리할 수 있고, 두께에 따른 발포의 정도의 차가 적은 실리콘 수지층을 구비하는 유리 적층체 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems and provides a glass laminate having a silicon resin layer which can easily peel off a glass substrate even after high temperature heating treatment and has a small difference in degree of foaming with respect to thickness, .

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 행한 결과, 본 발명을 완성하였다.Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to solve the above problems and have completed the present invention.

즉, 본 발명의 제1 형태는 지지 기재의 층과 실리콘 수지층과 유리 기판의 층을 이 순으로 구비하는 유리 적층체로서, 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 후술하는 식 (D)로 표시되는 D 단위와 후술하는 식 (Q)로 표시되는 Q 단위를 갖는 축중합물이고, 실리콘 수지층의 유리 기판의 층에 대한 계면의 박리 강도와 실리콘 수지층의 지지 기재의 층에 대한 계면의 박리 강도가 상이한 유리 적층체이다.That is, the first embodiment of the present invention is a glass laminate comprising a support substrate layer, a silicone resin layer, and a glass substrate layer in this order, wherein the silicone resin of the silicone resin layer is a D Unit and a Q unit expressed by the following formula (Q), wherein the peel strength of the interface with respect to the glass substrate layer of the silicon resin layer is different from the peel strength of the interface between the silicon resin layer and the support substrate layer Glass laminate.

제1 형태에 있어서, 축중합물에 있어서의 D 단위와 상기 Q 단위의 몰비(D 단위/Q 단위)가 0.02 내지 2인 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the molar ratio (D unit / Q unit) of the D unit and the Q unit in the axial polymerizate is 0.02 to 2.

제1 형태에 있어서, 식 (D)에 있어서의 Ra 및 Rb가 모두 메틸기인 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that R a and R b in formula (D) are all methyl groups.

제1 형태에 있어서, 실리콘 수지층의 두께가 5 내지 2000nm인 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the thickness of the silicone resin layer is 5 to 2000 nm.

제1 형태에 있어서, 축중합물이 후술하는 식 (X)로 표시되는 규소 화합물 (X) 또는 그 다량체와 후술하는 식 (Y)로 표시되는 규소 화합물 (Y) 또는 그 다량체의 혼합물, 또는 혼합물의 부분 축중합물을 포함하는 경화성 화합물이 축중합한 축중합물인 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the axial polymer is a mixture of the silicon compound (X) represented by the formula (X) to be described later or a large amount thereof and the silicon compound (Y) represented by the formula (Y) It is preferable that the curable compound containing the partial-axis condensation polymer of the mixture is a condensation polymerization polymer.

제1 형태에 있어서, 식 (X)에 있어서의 Ra 및 Rb가 모두 메틸기이고, 가수분해성 기가 탄소수 4 이하의 알콕시기인 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that R a and R b in formula (X) are all methyl groups and the hydrolyzable group is an alkoxy group having 4 or less carbon atoms.

제1 형태에 있어서, 실리콘 수지층의 유리 기판의 층에 대한 계면의 박리 강도가 실리콘 수지층의 지지 기재의 층에 대한 계면의 박리 강도보다도 낮은 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the peel strength of the interface with respect to the layer of the glass substrate of the silicon resin layer is lower than the peel strength of the interface of the silicon resin layer to the support substrate layer.

제1 형태에 있어서, 실리콘 수지층의 유리 기판의 층에 대한 계면의 박리 강도가 실리콘 수지층의 지지 기재의 층에 대한 계면의 박리 강도보다도 높은 것도 바람직하다.In the first aspect, it is also preferable that the peel strength at the interface of the silicon resin layer with respect to the glass substrate layer is higher than the peel strength at the interface with the support substrate layer of the silicon resin layer.

제1 형태에 있어서, 지지 기재의 층이 지지 유리판의 층과 제2 실리콘 수지층을 갖는 적층 지지 기재이고, 제2 실리콘 수지층이 상기 실리콘 수지층에 접하고 있는 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the layer of the supporting substrate is a laminated supporting substrate having a layer of the supporting glass plate and the second silicon resin layer, and the second silicon resin layer is in contact with the silicon resin layer.

제1 형태에 있어서, 제2 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 경화성 오르가노폴리실록산의 경화물을 포함하고, 경화성 오르가노폴리실록산이 후술하는 식 (1)로 표시되는 실록산 단위 (A)와 후술하는 식 (2)로 표시되는 실록산 단위 (B)를 포함하는 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the silicone resin of the second silicone resin layer contains a cured organopolysiloxane having a curing property, and the curable organopolysiloxane has a siloxane unit (A) represented by the formula (1) (B) represented by the following general formula (2).

제1 형태에 있어서, 제2 실리콘 수지층의 두께가 실리콘 수지층의 두께보다도 두껍고, 또한 50㎛ 이하인 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the thickness of the second silicon resin layer is thicker than the thickness of the silicon resin layer, and is 50 mu m or less.

본 발명의 제2 형태는 제1 형태의 유리 적층체의 제조 방법으로서, 유리 기판 및 지지 기재 중 어느 한쪽의 표면 상에 경화성 화합물을 도포하고, 가열 처리를 실시하여 유리 기판 및 지지 기재 중 어느 한쪽의 표면 상에 실리콘 수지층을 형성하는 공정과, 실리콘 수지층 상에 유리 기판 및 지지 기재 중 어느 다른 쪽을 적층하는 공정을 구비하는 유리 적층체의 제조 방법이다.A second mode of the present invention is a method for producing a glass laminate of the first mode, wherein a curable compound is applied onto the surface of either the glass substrate or the supporting substrate, And a step of laminating the other of the glass substrate and the supporting substrate on the silicon resin layer.

본 발명에 따르면, 고온 가열 처리 후에도 유리 기판을 용이하게 박리할 수 있고, 두께에 따른 발포의 정도의 차가 적은 실리콘 수지층을 구비하는 유리 적층체 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a glass laminate having a silicon resin layer which can easily peel off a glass substrate even after a high-temperature heating treatment and has a small difference in degree of foaming with respect to a thickness, and a method of manufacturing the same.

도 1은 본 발명에 따른 유리 적층체의 제1 형태의 모식적 단면도이다.
도 2의 (A) 내지 (D)는 본 발명에 따른 부재 딸린 유리 기판의 제조 방법의 일 실시 형태를 공정순으로 나타내는 모식적 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 유리 적층체의 제2 형태의 모식적 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 유리 적층체의 제2 형태의 변형예의 모식적 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a first form of a glass laminate according to the present invention.
2 (A) to 2 (D) are schematic cross-sectional views showing one embodiment of a manufacturing method of a glass substrate with a member according to the present invention in the order of process.
3 is a schematic cross-sectional view of a second form of the glass laminate according to the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of a modification of the second form of the glass laminate according to the present invention.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 이하의 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications and substitutions may be made without departing from the scope of the present invention. .

본 발명의 유리 적층체의 특징점으로서는 실리콘 수지층 중의 실리콘 수지가 후술하는 식 (D)로 표시되는 D 단위와 후술하는 식 (Q)로 표시되는 Q 단위를 갖는 축중합물인 점을 들 수 있다. 해당 축중합물 중에는 상기 Q 단위가 포함됨으로써 실리콘 수지층 중에 3차원 가교 구조가 형성되어 내열성이 향상되고, 두께가 두꺼워져도 실리콘 수지층의 발포가 억제됨과 함께 고온 처리 조건 처리 후여도 유리 기판의 층과의 박리성이 우수하다. 또한, 상기 D 단위가 포함됨으로써, 유리 적층체를 구성하는 각 층의 적층성이 향상되었다고 추측된다. 여기서, 적층성이 향상되었다란, 얻어진 유리 적층체의 박리가 적어지는 상태나 단부의 들뜸이 적어지는 상태를 말한다.The feature of the glass laminate of the present invention is that the silicone resin in the silicone resin layer is a chain polymer having a D unit represented by the formula (D) to be described later and a Q unit represented by the formula (Q) described later. When the Q polymer is included in the polymer, the three-dimensional crosslinked structure is formed in the silicone resin layer to improve the heat resistance. When the thickness is increased, foaming of the silicone resin layer is suppressed, Is excellent in peelability. Further, it is presumed that the lamination property of each layer constituting the glass laminate is improved by including the D unit. Here, the improvement in lamination property means a state in which the peeling of the obtained glass laminate is reduced and the lifting of the end portion is reduced.

또한, 유리 적층체에 있어서 실리콘 수지층의 유리 기판의 층에 대한 계면의 박리 강도와 실리콘 수지층의 지지 기재의 층에 대한 계면의 박리 강도는 상이한 것을 특징으로 한다. 예를 들어 제1 실시 형태에 있어서는 실리콘 수지층의 유리 기판의 층에 대한 계면의 박리 강도가 실리콘 수지층의 지지 기재의 층에 대한 계면의 박리 강도보다 낮아 실리콘 수지층과 유리 기판의 층이 박리되어 실리콘 수지층과 지지 기재의 층의 적층체와 유리 기판의 층으로 분리된다. 또한, 제2 실시 형태에 있어서는 실리콘 수지층의 유리 기판의 층에 대한 계면의 박리 강도가 실리콘 수지층의 지지 기재의 층에 대한 계면의 박리 강도보다 높아 실리콘 수지층과 지지 기재의 층이 박리되어 유리 기판의 층과 실리콘 수지층의 적층체와 지지 기재의 층으로 분리된다.Further, in the glass laminate, the peel strength at the interface with respect to the glass substrate layer of the silicon resin layer is different from the peel strength at the interface between the silicon resin layer and the support substrate layer. For example, in the first embodiment, the peel strength at the interface of the silicon resin layer to the glass substrate layer is lower than the peel strength at the interface of the silicon resin layer to the support substrate layer, so that the silicon resin layer and the glass substrate layer are peeled And separated into a laminate of a layer of a silicone resin layer and a support substrate and a layer of a glass substrate. In the second embodiment, the peel strength at the interface with respect to the glass substrate layer of the silicon resin layer is higher than the peel strength at the interface with the support substrate layer of the silicone resin layer, so that the silicone resin layer and the support substrate layer are peeled off And is separated into a layer of a glass substrate and a layer of a silicon resin layer and a layer of a supporting substrate.

이하에서는 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태로 나누어 설명한다. Hereinafter, the first embodiment and the second embodiment will be described separately.

<제1 실시 형태>&Lt; First Embodiment >

도 1은 본 발명에 따른 유리 적층체의 제1 실시 형태의 모식적 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a first embodiment of a glass laminate according to the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이 유리 적층체(10)는 지지 기재(12)의 층과 유리 기판(16)의 층과 이들의 사이에 실리콘 수지층(14)(이후, 적절히 「제1 실리콘 수지층(14)」이라고도 칭함)이 존재하는 적층체이다. 실리콘 수지층(14)은 그 한쪽 면이 지지 기재(12)의 층에 접함과 함께 그 다른 쪽 면이 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 접하고 있다.1, the glass laminate 10 includes a layer of a supporting substrate 12, a layer of a glass substrate 16, and a layer of a silicone resin layer 14 (hereinafter referred to as &quot; (14) &quot;) is present. One side of the silicone resin layer 14 is in contact with the layer of the supporting substrate 12 and the other side of the silicon resin layer 14 is in contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16. [

지지 기재(12)의 층 및 실리콘 수지층(14)을 포함하는 2층 부분은 액정 패널 등의 전자 디바이스용 부재를 제조하는 부재 형성 공정에 있어서 유리 기판(16)을 보강한다. 또한, 유리 적층체(10)의 제조를 위해서 미리 제조되는 지지 기재(12)의 층 및 실리콘 수지층(14)을 포함하는 2층 부분을 수지층 딸린 지지 기재(18)라고 한다.The two-layer portion including the layer of the supporting substrate 12 and the silicon resin layer 14 reinforces the glass substrate 16 in the member forming process for manufacturing the electronic device member such as the liquid crystal panel. The two-layer portion including the layer of the supporting substrate 12 and the silicon resin layer 14 previously prepared for the production of the glass laminate 10 is referred to as a supporting substrate 18 with a resin layer.

이 유리 적층체(10)는 후술하는 부재 형성 공정까지 사용된다. 즉, 이 유리 적층체(10)는 그 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 표면 상에 액정 표시 장치 등의 전자 디바이스용 부재가 형성될 때까지 사용된다. 그 후, 전자 디바이스용 부재가 형성된 유리 적층체는 수지층 딸린 지지 기재(18)와 부재 딸린 유리 기판으로 분리되고, 수지층 딸린 지지 기재(18)는 전자 디바이스를 구성하는 부분으로는 되지 않는다. 수지층 딸린 지지 기재(18)는 새로운 유리 기판(16)과 적층되어 새로운 유리 적층체(10)로서 재이용할 수 있다.This glass laminate 10 is used until the member forming process described later. That is, this glass laminate 10 is used on the surface of the second main surface 16b of the glass substrate 16 until a member for an electronic device such as a liquid crystal display device is formed. Thereafter, the glass laminate on which the electronic device member is formed is separated into the supporting substrate 18 with the resin layer and the glass substrate with the member, and the supporting substrate 18 with the resin layer does not constitute a part constituting the electronic device. The resin supporting base material 18 with the resin layer can be laminated with the new glass substrate 16 and reused as a new glass laminate 10.

지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면은 박리 강도 (x)를 갖고, 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면에 박리 강도 (x)를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면이 박리된다. 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면은 박리 강도 (y)를 갖고, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면에 박리 강도 (y)를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면이 박리된다.The interface between the supporting substrate 12 and the silicone resin layer 14 has a peeling strength x and a stress in the peeling direction exceeding the peeling strength x is applied to the interface between the supporting substrate 12 and the silicon resin layer 14 The interface between the supporting substrate 12 and the silicone resin layer 14 is peeled off. The interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 has a peel strength y and a stress in the peeling direction exceeding the peel strength y is exerted on the interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 The interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 is peeled off.

유리 적층체(10)에 있어서는 상기 박리 강도 (x)는 상기 박리 강도 (y)보다도 높다. 따라서, 유리 적층체(10)에 지지 기재(12)와 유리 기판(16)을 떼는 방향의 응력이 가해지면, 유리 적층체(10)는 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면에서 박리되어 유리 기판(16)과 수지층 딸린 지지 기재(18)로 분리된다.In the glass laminate 10, the peel strength (x) is higher than the peel strength (y). Therefore, when the stress in the direction in which the supporting substrate 12 and the glass substrate 16 are separated from each other is applied to the glass laminate 10, the glass laminate 10 is bonded to the interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 And separated into the glass substrate 16 and the supporting substrate 18 with the resin layer.

박리 강도 (x)는 박리 강도 (y)와 비교하여 충분히 높은 것이 바람직하다. 박리 강도 (x)를 높이는 것은 지지 기재(12)에 대한 실리콘 수지층(14)의 부착력을 높이고, 또한 가열 처리 후에 있어서 유리 기판(16)에 대해서보다도 상대적으로 높은 부착력을 유지할 수 있음을 의미한다.The peel strength (x) is preferably sufficiently high as compared with the peel strength (y). Raising the peel strength x means that the adhesion force of the silicone resin layer 14 to the support substrate 12 can be increased and a relatively high adhesion force to the glass substrate 16 can be maintained after the heat treatment .

지지 기재(12)에 대한 실리콘 수지층(14)의 부착력을 높이기 위해서는 예를 들어 실리콘 수지층(14)을 지지 기재(12) 상에서 형성하는 방법(예를 들어 후술하는 경화성 화합물을 지지 기재(12) 상에서 경화시켜 실리콘 수지층(14)을 형성하는 방법)이 바람직하다. 해당 방법이라면, 실리콘 수지층(14) 형성시의 경화시의 접착력으로 지지 기재(12)에 대하여 높은 결합력으로 결합한 실리콘 수지층(14)을 형성할 수 있다.In order to increase the adhesion of the silicone resin layer 14 to the support substrate 12, for example, a method of forming the silicone resin layer 14 on the support substrate 12 (for example, a method in which a curable compound ) To form the silicone resin layer 14). The silicone resin layer 14 bonded to the supporting substrate 12 with high bonding force can be formed by the adhesive force at the time of curing at the time of forming the silicone resin layer 14. [

한편, 경화 후의 실리콘 수지의 유리 기판(16)에 대한 결합력은 상기 경화시에 발생하는 결합력보다도 낮은 것이 일반적이다. 따라서, 지지 기재(12) 상에서 실리콘 수지층(14)을 형성하고, 그 후 실리콘 수지층(14)의 면에 유리 기판(16)을 적층함으로써 유리 적층체(10)를 제조할 수 있다.On the other hand, the bonding force of the silicone resin to the glass substrate 16 after curing is generally lower than the bonding force generated at the time of curing. The glass laminate 10 can be manufactured by forming the silicone resin layer 14 on the supporting substrate 12 and then laminating the glass substrate 16 on the surface of the silicone resin layer 14. [

이하에서 먼저 유리 적층체(10)를 구성하는 각 층(지지 기재(12), 유리 기판(16), 실리콘 수지층(14))에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후 유리 적층체의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, each of the layers (supporting substrate 12, glass substrate 16, and silicone resin layer 14) constituting the glass laminate 10 will be described in detail, and then the glass laminate body 10 Will be described in detail.

[지지 기재][Supporting substrate]

지지 기재(12)는 유리 기판(16)을 지지하여 보강하고, 후술하는 부재 형성 공정(전자 디바이스용 부재를 제조하는 공정)에 있어서 전자 디바이스용 부재의 제조시에 유리 기판(16)의 변형, 흠집 발생, 파손 등을 방지한다.The supporting substrate 12 supports and reinforces the glass substrate 16 and is capable of deforming and deforming the glass substrate 16 at the time of manufacturing the electronic device member in the member forming process (the process for manufacturing the electronic device member) It prevents scratches, breakage, and the like.

지지 기재(12)로서는 예를 들어 유리판, 플라스틱판, SUS판 등의 금속판 등이 이용된다. 통상 부재 형성 공정이 열처리를 수반하기 때문에 지지 기재(12)는 유리 기판(16)과의 선팽창 계수의 차가 작은 재료로 형성되는 것이 바람직하고, 유리 기판(16)과 동일 재료로 형성되는 것이 보다 바람직하고, 지지 기재(12)는 유리판인 것이 바람직하다. 특히 지지 기재(12)는 유리 기판(16)과 동일한 유리 재료를 포함하는 유리판인 것이 바람직하다.As the supporting substrate 12, for example, a metal plate such as a glass plate, a plastic plate, an SUS plate, or the like is used. It is preferable that the supporting substrate 12 is formed of a material having a small difference in coefficient of linear expansion from the glass substrate 16 and is formed of the same material as that of the glass substrate 16 And the supporting substrate 12 is preferably a glass plate. In particular, the supporting substrate 12 is preferably a glass plate containing the same glass material as the glass substrate 16.

또한, 후술하는 바와 같이 지지 기재(12)는 2종 이상의 층을 포함하는 적층체여도 된다.Further, as described later, the supporting substrate 12 may be a laminate including two or more layers.

지지 기재(12)의 두께는 유리 기판(16)보다도 두꺼워도 되고 얇아도 된다. 바람직하게는 유리 기판(16)의 두께, 실리콘 수지층(14)의 두께 및 유리 적층체(10)의 두께에 기초하여 지지 기재(12)의 두께가 선택된다. 예를 들어 현행의 부재 형성 공정이 두께 0.5mm의 기판을 처리하도록 설계된 것으로서, 유리 기판(16)의 두께와 실리콘 수지층(14)의 두께의 합이 0.1mm인 경우, 지지 기재(12)의 두께를 0.4mm로 한다. 지지 기재(12)의 두께는 통상의 경우, 0.2 내지 5.0mm인 것이 바람직하다. 또한, 지지 기재(12)가 2종 이상의 층을 포함하는 적층체인 경우, 「지지 기재(12)의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.The thickness of the supporting substrate 12 may be thicker or thinner than that of the glass substrate 16. The thickness of the supporting substrate 12 is preferably selected based on the thickness of the glass substrate 16, the thickness of the silicon resin layer 14, and the thickness of the glass laminate 10. [ For example, the present member forming process is designed to process a substrate having a thickness of 0.5 mm. When the sum of the thickness of the glass substrate 16 and the thickness of the silicon resin layer 14 is 0.1 mm, The thickness is 0.4 mm. The thickness of the supporting substrate 12 is usually 0.2 to 5.0 mm. Further, in the case where the supporting substrate 12 is a laminate including two or more kinds of layers, the &quot; thickness of the supporting substrate 12 &quot; means the total thickness of all the layers.

지지 기재(12)가 유리판인 경우, 유리판의 두께는 취급하기 쉽고, 깨지기 어려운 등의 이유로부터 0.08mm 이상인 것이 바람직하다. 또한, 유리판의 두께는 전자 디바이스용 부재 형성 후에 박리할 때에 깨지지 않고 적절하게 휘도록 하는 강성이 요망되는 이유로부터 1.0mm 이하인 것이 바람직하다.When the supporting substrate 12 is a glass plate, the thickness of the glass plate is preferably 0.08 mm or more for ease of handling and difficulty in breaking. The thickness of the glass plate is preferably not more than 1.0 mm from the viewpoint of the rigidity required to warp properly without breaking when peeling off after formation of the electronic device member.

지지 기재(12)와 유리 기판(16)의 25 내지 300℃에서의 평균 선팽창 계수의 차는 바람직하게는 500×10-7/℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 300×10-7/℃ 이하이고, 더욱 바람직하게는 200×10-7/℃ 이하이다. 차가 너무 크면, 부재 형성 공정에 있어서의 가열 냉각시에 유리 적층체(10)가 심하게 휘거나 지지 기재(12)와 유리 기판(16)이 박리될 가능성이 있다. 지지 기재(12)의 재료가 유리 기판(16)의 재료와 동일한 경우, 이러한 문제가 발생하는 것을 억제할 수 있다.The difference in average coefficient of linear expansion between the support substrate 12 and the glass substrate 16 at 25 to 300 占 폚 is preferably 500 占10-7 / 占 폚 or less, more preferably 300 占10-7 / 占 폚 or less, More preferably 200 x 10 &lt; -7 &gt; / DEG C or less. When the difference is too large, there is a possibility that the glass laminate 10 is severely bent and the supporting substrate 12 and the glass substrate 16 are peeled off during the heating and cooling in the member forming process. When the material of the supporting substrate 12 is the same as the material of the glass substrate 16, occurrence of such a problem can be suppressed.

[유리 기판][Glass Substrate]

유리 기판(16)은 제1 주면(16a)이 실리콘 수지층(14)과 접하고, 실리콘 수지층(14)측과는 반대측의 제2 주면(16b)에 전자 디바이스용 부재가 설치된다.The glass substrate 16 is provided with the electronic device member on the second main surface 16b on the side opposite to the side of the silicon resin layer 14 with the first main surface 16a contacting with the silicon resin layer 14. [

유리 기판(16)의 종류는 일반적인 것이어도 되며, 예를 들어 LCD, OLED와 같은 표시 장치용의 유리 기판 등을 들 수 있다. 유리 기판(16)은 내약품성, 내투습성이 우수하고 또한 열수축률이 낮다. 열수축률의 지표로서는 JIS R 3102(1995년 개정)에 규정되어 있는 선팽창 계수가 이용된다. 또한, JIS R 3102(1995년 개정)의 내용은 여기에 참조로서 도입된다.The type of the glass substrate 16 may be a general one, and examples thereof include glass substrates for display devices such as LCDs and OLEDs. The glass substrate 16 is excellent in chemical resistance and moisture permeability, and has a low heat shrinkage rate. The coefficient of thermal expansion specified in JIS R 3102 (revised in 1995) is used as an index of the heat shrinkage ratio. The contents of JIS R 3102 (revised in 1995) are also incorporated herein by reference.

유리 기판(16)의 선팽창 계수가 크면 부재 형성 공정은 가열 처리를 수반하는 경우가 많으므로 여러 가지 문제가 발생하기 쉽다. 예를 들어 유리 기판(16) 상에 TFT를 형성하는 경우, 가열하에서 TFT가 형성된 유리 기판(16)을 냉각하면, 유리 기판(16)의 열수축에 의해 TFT의 위치 어긋남이 과대해질 우려가 있다.If the coefficient of linear expansion of the glass substrate 16 is large, the member forming process often involves heat treatment, and thus various problems are likely to occur. For example, when the TFT is formed on the glass substrate 16, if the glass substrate 16 on which the TFT is formed under heating is cooled, the positional deviation of the TFT may be excessive due to heat shrinkage of the glass substrate 16. [

유리 기판(16)은 유리 원료를 용융하고, 용융 유리를 판상으로 성형하여 얻어진다. 이러한 성형 방법은 일반적인 것이어도 되며, 예를 들어 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운드로법, 푸르콜법, 러버스법 등이 이용된다. 또한, 특히 두께가 얇은 유리 기판(16)은 일단 판상으로 성형한 유리를 성형 가능 온도로 가열하고, 연신 등의 수단으로 잡아늘여서 얇게 하는 방법(리드로우법)으로 성형하여 얻어진다.The glass substrate 16 is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate. Such a forming method may be a general one, and for example, a float method, a fusion method, a slot down-draw method, a fur co-ling method, a lub bus method, and the like are used. In particular, the glass substrate 16 having a small thickness can be obtained by heating the glass molded into a plate shape at one time to a moldable temperature, stretching it by means of drawing or the like and thinning it (lead-through method).

유리 기판(16)의 유리 종류는 특별히 한정되지 않지만, 무알칼리 붕규산 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리가 바람직하다. 산화물계 유리로서는 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 내지 90질량%인 유리가 바람직하다.The kind of glass of the glass substrate 16 is not particularly limited, but is preferably an alkali-free borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, or other oxide-based glass mainly containing silicon oxide. As the oxide-based glass, glass having a silicon oxide content of 40 to 90 mass% in terms of an oxide is preferable.

유리 기판(16)의 유리로서는 전자 디바이스용 부재의 종류나 그 제조 공정에 적합한 유리가 채택된다. 예를 들어 액정 패널용의 유리 기판은 알칼리 금속 성분의 용출이 액정에 영향을 미치기 쉬운 점에서, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)를 포함한다(단, 통상 알칼리 토금속 성분은 포함된다). 이와 같이 유리 기판(16)의 유리는 적용되는 디바이스의 종류 및 그 제조 공정에 기초하여 적절히 선택된다.As the glass for the glass substrate 16, glass suitable for the kind of the electronic device member and its manufacturing process is adopted. For example, a glass substrate for a liquid crystal panel includes a glass (alkali-free glass) substantially free of an alkali metal component from the viewpoint that elution of an alkali metal component easily affects the liquid crystal . Thus, the glass of the glass substrate 16 is appropriately selected based on the kind of the applied device and the manufacturing process thereof.

유리 기판(16)의 두께는 유리 기판(16)의 박형화 및/또는 경량화의 관점에서 0.3mm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.15mm 이하이다. 0.3mm 이하인 경우, 유리 기판(16)에 양호한 가요성을 부여하는 것이 가능하다. 0.15mm 이하인 경우, 유리 기판(16)을 롤 형상으로 권취하는 것이 가능하다.The thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.3 mm or less, more preferably 0.15 mm or less, from the viewpoint of reducing the thickness and / or weight of the glass substrate 16. [ When the thickness is 0.3 mm or less, it is possible to impart good flexibility to the glass substrate 16. When the thickness is 0.15 mm or less, the glass substrate 16 can be rolled up.

또한, 유리 기판(16)의 두께는 유리 기판(16)의 제조가 용이한 점, 유리 기판(16)의 취급이 용이한 점 등의 이유로부터 0.03mm 이상인 것이 바람직하다.The thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.03 mm or more for ease of manufacture of the glass substrate 16 and ease of handling of the glass substrate 16. [

또한, 유리 기판(16)은 2층 이상을 포함하여도 되고, 이 경우 각각의 층을 형성하는 재료는 동종 재료여도 되고, 이종 재료여도 된다. 또한, 이 경우 「유리 기판(16)의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.Further, the glass substrate 16 may include two or more layers. In this case, the materials for forming the respective layers may be the same or different materials. In this case, &quot; the thickness of the glass substrate 16 &quot; means the total thickness of all the layers.

[실리콘 수지층][Silicone resin layer]

유리 적층체(10)에 있어서 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)과 지지 기재(12)를 분리하는 조작이 행하여질 때까지 유리 기판(16)의 위치 어긋남을 방지함과 함께 유리 기판(16) 등이 분리 조작에 의해 파손되는 것을 방지한다. 실리콘 수지층(14)의 유리 기판(16)과 접하는 표면(14a)은 유리 기판(16)의 주면(16a)에 박리 가능하게 밀착된다. 한편, 실리콘 수지층(14)은 지지 기재(12) 상에 고정되어 있다. 즉, 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 약한 결합력으로 결합하고 있고, 그 계면의 박리 강도 (y)는 실리콘 수지층(14)과 지지 기재(12)의 사이의 계면의 박리 강도 (x)보다도 낮다.The silicon resin layer 14 in the glass laminate 10 prevents the positional deviation of the glass substrate 16 until the operation of separating the glass substrate 16 and the supporting substrate 12 is performed, (16) is prevented from being damaged by the separating operation. The surface 14a of the silicon resin layer 14 in contact with the glass substrate 16 is in close contact with the main surface 16a of the glass substrate 16 in a peelable manner. On the other hand, the silicone resin layer 14 is fixed on the supporting substrate 12. [ That is, the silicon resin layer 14 is bonded to the first main surface 16a of the glass substrate 16 with a weak bonding force, and the peel strength y of the interface is higher than the peeling strength y of the silicon resin layer 14 and the support substrate 12. [ Is less than the peel strength (x) of the interface.

즉, 유리 기판(16)과 지지 기재(12)를 분리할 때에는 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)와 실리콘 수지층(14)의 계면에서 박리하고, 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면에서는 박리하기 어렵다. 그 때문에, 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)과 밀착되지만, 유리 기판(16)을 용이하게 박리할 수 있는 표면 특성을 갖는다. 즉, 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 대하여 어느 정도의 결합력으로 결합하여 유리 기판(16)의 위치 어긋남 등을 방지하고 있음과 동시에, 유리 기판(16)을 박리할 때에는 유리 기판(16)을 파괴하지 않고, 용이하게 박리할 수 있는 정도의 결합력으로 결합하고 있다. 본 발명에서는 이 실리콘 수지층(14) 표면의 용이하게 박리할 수 있는 성질을 박리 용이성이라고 한다. 한편, 지지 기재(12)의 제1 주면과 실리콘 수지층(14)은 상대적으로 박리하기 어려운 결합력으로 결합하고 있다.That is, when separating the glass substrate 16 and the supporting substrate 12, the glass substrate 16 is separated from the interface between the first main surface 16a of the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14, It is difficult to peel off from the interface of the layer 14. Therefore, although the silicon resin layer 14 is in close contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16, it has a surface characteristic capable of easily separating the glass substrate 16. That is, the silicon resin layer 14 is bonded to the first main surface 16a of the glass substrate 16 with a certain degree of bonding force to prevent displacement of the glass substrate 16, and the glass substrate 16 The glass substrate 16 is bonded to the glass substrate 16 with a bonding force to such an extent that the glass substrate 16 can easily be peeled off. In the present invention, the property of easily peeling off the surface of the silicone resin layer 14 is referred to as peelability. On the other hand, the first main surface of the supporting substrate 12 and the silicon resin layer 14 are bonded with a bonding force that is relatively difficult to peel off.

또한, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면의 결합력은 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 면(제2 주면(16b)) 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하기 전후에 변화되어도 된다(즉, 박리 강도 (x)나 박리 강도 (y)가 변화되어도 된다). 그러나, 전자 디바이스용 부재를 형성한 후에도 박리 강도 (y)는 박리 강도 (x)보다도 낮다.The bonding force of the interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 is formed by forming the electronic device member on the surface (the second main surface 16b) of the glass substrate 16 of the glass laminate 10 (I.e., the peel strength (x) or the peel strength (y) may be changed). However, even after forming the member for electronic devices, the peel strength (y) is lower than the peel strength (x).

실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층은 약한 접착력이나 반데르발스 힘에 기인하는 결합력으로 결합하고 있다고 생각된다. 실리콘 수지층(14)을 형성한 후 그 표면에 유리 기판(16)을 적층하는 경우, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지가 접착력을 나타내지 않을 만큼 충분히 가교되어 있는 경우에는 반데르발스 힘에 기인하는 결합력으로 결합하고 있다고 생각된다. 그러나, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지는 어느 정도의 약한 접착력을 갖는 경우가 적지 않다. 가령 접착성이 매우 낮은 경우에도 유리 적층체(10) 제조 후 그 적층체 상에 전자 디바이스용 부재를 형성할 때에는 가열 조작 등에 의해 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지는 유리 기판(16)면에 접착하고, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층의 사이의 결합력은 상승된다고 생각된다.It is considered that the layers of the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 are bonded with a bonding force due to weak adhesive force or Van der Waals force. In the case where the glass substrate 16 is laminated on the surface of the silicon resin layer 14 after it is formed, if the silicone resin of the silicone resin layer 14 is sufficiently crosslinked so as not to exhibit the adhesive force, As shown in Fig. However, the silicone resin of the silicone resin layer 14 often has a weak adhesive strength to some extent. Even in the case where the adhesive property is very low, when the electronic device member is formed on the laminated body after the production of the glass laminate 10, the silicone resin of the silicone resin layer 14 is heated on the glass substrate 16 surface And it is considered that the bonding force between the silicon resin layer 14 and the layer of the glass substrate 16 is increased.

경우에 따라 적층 전의 실리콘 수지층(14)의 표면이나 적층 전의 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 양자 간의 결합력을 약화시키는 처리를 행하여 적층할 수도 있다. 적층하는 면에 비접착성 처리 등을 행하고, 그 후 적층함으로써, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층의 계면의 결합력을 약화시키고, 박리 강도 (y)를 낮게 할 수 있다.The bonding strength between the surface of the silicon resin layer 14 before lamination and the first main surface 16a of the glass substrate 16 before lamination may be weakened as the case may be. The bonding strength between the interface of the silicon resin layer 14 and the layer of the glass substrate 16 can be weakened and the peeling strength y can be lowered by performing non-adhesive treatment or the like on the surface to be laminated and then laminating it.

또한, 실리콘 수지층(14)은 접착력이나 점착력 등의 강한 결합력으로 지지 기재(12) 표면에 결합되어 있고, 양자의 밀착성을 높이는 방법으로서는 공지된 방법을 채택할 수 있다. 예를 들어 후술하는 경화성 화합물을 지지 기재(12) 표면에서 경화시킴으로써, 축중합물인 실리콘 수지를 지지 기재(12) 표면에 접착하여 높은 결합력을 얻을 수 있다. 또한, 지지 기재(12) 표면과 실리콘 수지층(14)의 사이에 강한 결합력을 발생시키는 처리(예를 들어 커플링제를 사용한 처리)를 실시하여 지지 기재(12) 표면과 실리콘 수지층(14)의 사이의 결합력을 높일 수 있다.Further, the silicone resin layer 14 is bonded to the surface of the supporting substrate 12 with a strong bonding force such as an adhesive force and an adhesive force, and a known method can be adopted as a method for enhancing the adhesion of the both. For example, by curing the curable compound described below on the surface of the supporting substrate 12, a high bonding force can be obtained by adhering the silicone resin as the axis polymer to the surface of the supporting substrate 12. The surface of the supporting substrate 12 and the surface of the silicon resin layer 14 are subjected to a treatment (for example, a treatment using a coupling agent) that generates a strong bonding force between the surface of the supporting substrate 12 and the silicone resin layer 14, Can be increased.

실리콘 수지층(14)과 지지 기재(12)의 층이 높은 결합력으로 결합하고 있는 것은 양자의 계면의 박리 강도 (x)가 높은 것을 의미한다.The reason why the silicone resin layer 14 and the layer of the supporting substrate 12 are bonded with a high bonding force means that the peel strength x of the interface is high.

실리콘 수지층(14)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 5 내지 5000nm인 것이 바람직하고, 5 내지 2000nm인 것이 보다 바람직하고, 50 내지 2000nm인 것이 더욱 바람직하고, 100 내지 1000nm인 것이 특히 바람직하다. 실리콘 수지층(14)의 두께가 이러한 범위이면, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 사이에 기포나 이물이 개재하는 경우가 있어도 유리 기판(16)의 왜곡 결함의 발생을 억제할 수 있다.The thickness of the silicone resin layer 14 is not particularly limited, but is preferably 5 to 5000 nm, more preferably 5 to 2000 nm, further preferably 50 to 2000 nm, particularly preferably 100 to 1000 nm. When the thickness of the silicon resin layer 14 is within this range, the occurrence of distortion defects in the glass substrate 16 can be suppressed even when bubbles or foreign matter intervene between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 .

상기 두께는 평균 두께를 의도하고, 5점 이상의 임의의 위치에 있어서의 실리콘 수지층(14)의 두께를 측정하고, 이들을 산술 평균한 것이다.The thickness is intended to mean the average thickness, and the thickness of the silicone resin layer 14 is measured at arbitrary positions of 5 points or more, and these are arithmetically averaged.

실리콘 수지층(14)의 유리 기판(16)측의 표면의 표면 조도 Ra는 특별히 제한되지 않지만, 유리 기판(16)의 적층성 및 박리성이 보다 우수한 점에서 0.1 내지 20nm가 바람직하고, 0.1 내지 10nm가 보다 바람직하다.The surface roughness Ra of the surface of the silicon resin layer 14 on the glass substrate 16 side is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 20 nm, more preferably 0.1 to 20 nm, in view of better lamination and releasability of the glass substrate 16. [ More preferably 10 nm.

또한, 표면 조도 Ra의 측정 방법으로서는 JIS B 0601-2001에 준하여 행하여지고, 임의의 5군데 이상의 점에 있어서 측정된 Ra를 산술 평균한 값이 상기 표면 조도 Ra에 해당한다. 또한, JIS B 0601-2001의 내용은 여기에 참조로서 도입된다.The surface roughness Ra is measured according to JIS B 0601-2001, and the value obtained by arithmetically averaging the Ra measured at any five or more points corresponds to the surface roughness Ra. The contents of JIS B 0601-2001 are also incorporated herein by reference.

또한, 실리콘 수지층(14)의 유리 기판(16)측의 표면의 물 접촉각은 특별히 제한되지 않지만, 유리 기판(16)의 적층성 및 박리성이 보다 우수한 점에서 70도 초과 105도 이하가 바람직하다.The water contact angle of the surface of the silicon resin layer 14 on the glass substrate 16 side is not particularly limited, but is preferably 70 degrees or more and 105 degrees or less from the viewpoint of better lamination property and peelability of the glass substrate 16 Do.

또한, 물 접촉각의 측정 방법으로서는 접촉각계(크뤼스사 제조, DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2)를 이용하여 1매의 유리판의 표면에 1μL의 물방울을 정치하여 물 접촉각을 측정한다.As a method of measuring the water contact angle, a water contact angle is measured by placing 1 mu L of water droplet on the surface of one glass plate using a contact angle meter (DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2 manufactured by Krus).

(실리콘 수지층의 실리콘 수지)(Silicone resin in the silicone resin layer)

실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지는 하기 식 (D)로 표시되는 D 단위와 하기 식 (Q)로 표시되는 Q 단위를 갖는 축중합물이다.The silicone resin of the silicone resin layer 14 is a condensation polymer having a D unit represented by the following formula (D) and a Q unit represented by the following formula (Q).

Figure pct00001
Figure pct00001

식 (D) 중, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 4 이하의 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기를 나타낸다.In the formula (D), R a and R b each independently represent an alkyl group having 4 or less carbon atoms or a phenyl group which may have a substituent.

알킬기 중에 포함되는 탄소수는 실리콘 수지층(14)의 내열성 또는 유리 기판(16)의 박리성이 보다 우수한 점에서 1 내지 3이 바람직하다. 보다 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기 등을 들 수 있고, 메틸기가 바람직하다.The number of carbon atoms contained in the alkyl group is preferably 1 to 3 since the heat resistance of the silicone resin layer 14 or the peelability of the glass substrate 16 is more excellent. More specifically, examples thereof include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, and a methyl group is preferable.

축중합물에 있어서는 D 단위와 Q 단위의 몰비(D 단위/Q 단위)는 0.02 내지 2인 것이 바람직하고, 0.1 내지 1.8인 것이 보다 바람직하다. 이 범위이면 내열성 및 박리성이 좋다.In the condensate, the molar ratio (D unit / Q unit) of the D unit to the Q unit is preferably 0.02 to 2, more preferably 0.1 to 1.8. Within this range, heat resistance and peelability are good.

또한, 축중합물에 있어서 D 단위 및 Q 단위의 합계 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 전체 실록산 단위에 대하여 80몰% 이상이 바람직하고, 90몰% 이상이 보다 바람직하고, 100몰%가 특히 바람직하다. 또한, 실록산 단위의 종류로서는 상기 D 단위 및 Q 단위 이외에 M 단위나 T 단위를 들 수 있다.The content of the sum of the D unit and the Q unit in the condensed polymer is not particularly limited, but is preferably 80 mol% or more, more preferably 90 mol% or more, and particularly preferably 100 mol%, based on the total siloxane units. Examples of the siloxane unit include M units and T units in addition to the D units and Q units.

축중합물은 후술하는 식 (X)로 표시되는 규소 화합물 (X) 또는 그 다량체(가수분해 축합물)와 후술하는 식 (Y)로 표시되는 규소 화합물 (Y) 또는 그 다량체(가수분해 축합물)의 혼합물, 또는 해당 혼합물의 부분 축합물을 포함하는 경화성 화합물이 축중합한 경화물인 것이 바람직하다.The condensation polymer is obtained by reacting a silicon compound (X) represented by the following formula (X) or a multimer thereof (hydrolyzed condensate) described below with a silicon compound (Y) represented by the formula (Y) Water), or a cured compound containing a partial condensate of the mixture.

규소 화합물 (X)의 Rx기가 히드록시기이면 규소 화합물 (X)의 분자끼리가 축중합하여 다량체가 된다. 규소 화합물 (X)의 Rx기가 수소 원자 및 가수분해성 기인 경우에는 수소 원자 및 가수분해성 기가 가수분해하여 히드록시기가 생성된 후, 규소 화합물 (X)의 분자끼리가 축중합하여 다량체가 된다. 규소 화합물 (Y)의 다량체도 마찬가지로 하여 얻어진다.When the R x group of the silicon compound (X) is a hydroxy group, molecules of the silicon compound (X) are intensively polymerized to form a multimer. When the R x group of the silicon compound (X) is a hydrogen atom and a hydrolyzable group, the hydrogen atom and the hydrolyzable group are hydrolyzed to generate a hydroxyl group, and then the molecules of the silicon compound (X) are intensively polymerized to become a multimer. The oligomer of the silicon compound (Y) is also obtained in the same manner.

이하에서는 규소 화합물 (X), 규소 화합물 (Y)의 형태에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the form of the silicon compound (X) and the silicon compound (Y) will be described in detail.

(식 (X)로 표시되는 규소 화합물 (X))(Silicon compound (X) represented by the formula (X))

실리콘 수지층(14) 중의 실리콘 수지의 출발 원료의 하나로서 이하의 식 (X)로 표시되는 규소 화합물 (X) 또는 그 다량체(이후, 간단히 「규소 화합물 (X)」라고도 칭함)가 이용되는 것이 바람직하다.(X) or a multimer thereof (hereinafter simply referred to as "silicon compound (X)") represented by the following formula (X) is used as one of starting materials of the silicone resin in the silicone resin layer 14 .

Figure pct00002
Figure pct00002

식 중, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 4 이하의 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기를 나타내고, Rx는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기 또는 가수분해성 기를 나타낸다. 복수 있는 Rx는 동일한 기여도 다른 기여도 된다.In the formulas, R a and R b each independently represent an alkyl group having 4 or less carbon atoms or a phenyl group which may have a substituent, and R x each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or a hydrolyzable group. The plural R x can have the same contribution or different contributions.

Ra 및 Rb는 식 (D)에 있어서의 Ra 및 Rb와 각각 동일하다.R a and R b are the same and each R a and R b in the formula (D).

Rx는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록실기 또는 가수분해성 기를 나타낸다.R x each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or a hydrolyzable group.

가수분해성 기로서는 알콕시기, 염소 원자, 아미노기 등을 들 수 있다. 알콕시기 중에 포함되는 탄소수는 특별히 제한되지 않지만, 실리콘 수지층(14)의 내열성 또는 유리 기판(16)의 박리성이 보다 우수한 점에서 1 내지 3이 바람직하다. 보다 구체적으로는 알콕시기로서는 메톡시기, 에톡시기 등을 들 수 있다. 또한, Rx가 수소 원자인 경우에는 예를 들어 소정의 산성 촉매하(예를 들어 60% 질산 수용액)에서 Si-H기가 Si-OH기로 변환되고, 그 후 후술하는 규소 화합물 (Y)와의 사이에서 가수분해·축합 반응이 진행된다.Examples of the hydrolyzable group include an alkoxy group, a chlorine atom, and an amino group. The number of carbon atoms contained in the alkoxy group is not particularly limited, but is preferably 1 to 3 in view of the heat resistance of the silicone resin layer 14 or the peelability of the glass substrate 16. More specifically, examples of the alkoxy group include a methoxy group and an ethoxy group. When R x is a hydrogen atom, for example, the Si-H group is converted into a Si-OH group under a predetermined acid catalyst (for example, a 60% nitric acid aqueous solution) The hydrolysis / condensation reaction proceeds.

식 (X)로 표시되는 화합물은 다량체여도 되고, n량체의 n의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 합성의 용이함의 관점에서 1500 이하가 바람직하다. 그 중에서도 실리콘 수지층(14)의 내열성 또는 유리 기판(16)의 박리성이 보다 우수한 점에서 n은 10 내지 500이 바람직하다.The compound represented by the formula (X) may be a multimer, and the upper limit of the n value of the n-dimer is not particularly limited. However, from the viewpoint of ease of synthesis, Among them, n is preferably 10 to 500 since heat resistance of the silicone resin layer 14 or releasability of the glass substrate 16 is more excellent.

(식 (Y)로 표시되는 규소 화합물 (Y)(테트라알콕시실란 화합물))(Silicon compound (Y) (tetraalkoxysilane compound) represented by the formula (Y))

실리콘 수지층(14) 중의 실리콘 수지의 출발 원료의 하나로서 이하의 식 (Y)로 표시되는 규소 화합물 (Y) 또는 그 다량체가 이용되는 것이 바람직하다.It is preferable that a silicon compound (Y) represented by the following formula (Y) or a multimer thereof is used as one of starting materials of the silicone resin in the silicone resin layer (14).

Figure pct00003
Figure pct00003

식 (Y) 중, Ry는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기 또는 가수분해성 기를 나타낸다. 복수 있는 Ry는 동일한 기여도 다른 기여도 된다.In the formula (Y), R y each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or a hydrolyzable group. Multiple R y can have the same contribution or different contributions.

가수분해성 기로서는 알콕시기, 할로겐 원자, 아미노기 등을 들 수 있다. 알콕시기 중의 알킬기에 포함되는 탄소수는 특별히 제한되지 않지만, 실리콘 수지층(14)의 내열성 또는 유리 기판(16)의 박리성이 보다 우수한 점에서 1 내지 3이 바람직하다. 보다 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기 등을 들 수 있다.Examples of the hydrolyzable group include an alkoxy group, a halogen atom, and an amino group. The number of carbon atoms contained in the alkyl group in the alkoxy group is not particularly limited, but is preferably 1 to 3 from the viewpoint of the heat resistance of the silicone resin layer 14 or the peelability of the glass substrate 16. More specifically, examples thereof include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group.

식 (Y)로 표시되는 화합물은 다량체여도 되고, n량체의 n의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 합성의 용이함의 관점에서 1500 이하가 바람직하다. 그 중에서도 실리콘 수지층(14)을 형성할 때의 도포성, 실리콘 수지층(14)의 내열성 또는 유리 기판(16)의 박리성이 보다 우수한 점에서 n은 10 내지 500이 바람직하다.The compound represented by the formula (Y) may be a multimer. The upper limit of the n value of the n-dimer is not particularly limited, but is preferably 1500 or less from the viewpoint of ease of synthesis. Among them, n is preferably from 10 to 500 in view of better coating property in forming the silicone resin layer 14, heat resistance of the silicone resin layer 14, or peelability of the glass substrate 16. [

규소 화합물 (X) 또는 그 다량체와 규소 화합물 (Y) 또는 그 다량체의 혼합 몰비는 특별히 제한되지 않고, 실리콘 수지층(14)의 내열성이 보다 우수하고, 유리 기판(16)의 박리가 용이한 점으로부터, 실리콘 수지층(14) 중의 실리콘 수지에 포함되는 상기 D 단위와 상기 Q 단위의 몰비(D 단위/Q 단위)가 전술한 범위를 달성하도록 조정되는 것이 바람직하다.The mixing molar ratio of the silicon compound (X) or a multimer thereof to the silicon compound (Y) or a multimer thereof is not particularly limited, and the silicon resin layer 14 is more excellent in heat resistance and can easily peel off the glass substrate 16 From one point, it is preferable that the molar ratio (D unit / Q unit) of the D unit and the Q unit contained in the silicone resin in the silicone resin layer 14 is adjusted to achieve the above-mentioned range.

축중합물을 얻기 위한 경화성 화합물로서는 상기 식 (X)로 표시되는 규소 화합물 (X) 또는 그 다량체와 상기 식 (Y)로 표시되는 규소 화합물 (Y) 또는 그 다량체의 혼합물이 사용된다.As the curable compound for obtaining the condensate polymer, the silicon compound (X) represented by the formula (X) or a mixture thereof and the silicon compound (Y) represented by the formula (Y) or a mixture thereof is used.

또한, 경화성 화합물로서는 상기 식 (X)로 표시되는 규소 화합물 (X) 또는 그 다량체와, 상기 식 (Y)로 표시되는 규소 화합물 (Y) 또는 그 다량체의 혼합물의 부분 축합물을 사용할 수도 있다.As the curable compound, a partial condensate of a silicon compound (X) represented by the formula (X) or a multimer thereof and a silicon compound (Y) represented by the formula (Y) have.

부분 축합물을 얻는 방법은 특별히 제한되지 않고, 식 (X)로 표시되는 규소 화합물 (X) 또는 그 다량체와 식 (Y)로 표시되는 규소 화합물 (Y) 또는 그 다량체의 사이에서 가수분해·축합 반응(소위 졸-겔 반응)을 진행시켜 제조할 수 있다.The method of obtaining the partial condensate is not particularly limited and may be a method of hydrolyzing the silicon compound (X) represented by the formula (X) or a mass thereof and the silicon compound (Y) represented by the formula (Y) - Condensation reaction (so-called sol-gel reaction) can proceed to proceed.

또한, 가수분해·축합 반응은 무촉매하에서 실시되어도 촉매(예를 들어 산 또는 염기)하에서 실시되어도 된다. 예를 들어 공기하에서 규소 화합물 (X)와 규소 화합물 (Y)를 혼합하여 교반함으로써, 공기 중의 수분을 촉매로 하여 가수분해·축합 반응이 진행되고, 원하는 부분 축합물이 얻어진다.In addition, the hydrolysis-condensation reaction may be carried out in the absence of a catalyst or under a catalyst (for example, an acid or a base). For example, the silicon compound (X) and the silicon compound (Y) are mixed and stirred under air to hydrolyze and condense the water in the air as a catalyst to obtain a desired partial condensate.

식 (X)로 표시되는 규소 화합물 (X) 또는 그 다량체와 식 (Y)로 표시되는 규소 화합물 (Y) 또는 그 다량체의 반응은 용매하에서 행하거나 무용매하에서 행하여도 된다. 사용되는 용매의 종류는 특별히 제한되지 않고, 공지된 용매(예를 들어 알코올계 용매, 탄화수소계 용매)를 사용할 수 있다.The reaction of the silicon compound (X) represented by the formula (X) or the oligomer thereof with the silicon compound (Y) represented by the formula (Y) or a multimer thereof may be carried out under a solvent or under no solvent. The type of the solvent to be used is not particularly limited and a known solvent (for example, an alcohol solvent or a hydrocarbon solvent) can be used.

경화성 화합물을 이용한 실리콘 수지층(14)의 제조 조건은 후단에서 상세하게 설명한다.The production conditions of the silicone resin layer 14 using the curable compound will be described later in detail.

또한, 예를 들어 실리콘 수지층(14)을 형성할 때, 상기 식 (X)로 표시되는 규소 화합물 (X) 또는 그 다량체와 상기 식 (Y)로 표시되는 규소 화합물 (Y) 또는 그 다량체를 소정의 기재(예를 들어 지지 기재) 상에 도포하여 기재 상에서 가수분해·축합 반응을 진행시켜 실리콘 수지층(14)을 형성하여도 되고, 상기 혼합물의 부분 축합물을 제조한 후, 소정의 기재 (예를 들어 지지 기재) 상에 도포하여 실리콘 수지층(14)을 형성하여도 된다.When the silicon resin layer 14 is formed, for example, the silicon compound (X) represented by the formula (X) or a multimer thereof and the silicon compound (Y) represented by the formula (Y) The silicone resin layer 14 may be formed by applying a sieve on the base material (for example, a support substrate) to advance the hydrolysis-condensation reaction on the base material. After the partial condensate of the mixture is prepared, (For example, a supporting substrate) of the silicon resin layer 14 to form the silicone resin layer 14.

[유리 적층체 및 그 제조 방법][Glass laminate and manufacturing method thereof]

본 발명의 유리 적층체(10)는 전술한 바와 같이 지지 기재(12)와 유리 기판(16)과 이들의 사이에 실리콘 수지층(14)이 존재하는 적층체이다.The glass laminate 10 of the present invention is a laminate in which the supporting substrate 12, the glass substrate 16 and the silicon resin layer 14 are present as described above.

본 발명의 유리 적층체(10)의 제조 방법은 특별히 제한되지 않지만, 박리 강도 (x)가 박리 강도 (y)보다도 높은 적층체를 얻기 위해서 지지 기재(12) 표면 상에서 실리콘 수지층(14)을 형성하는 방법이 바람직하다. 그 중에서도 상기 경화성 화합물을 지지 기재(12)의 표면에 도포하여 경화시키고, 지지 기재(12) 표면 상에서 실리콘 수지층(14)을 형성하고, 계속해서 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지면에 유리 기판(16)을 적층하여 유리 적층체(10)를 제조하는 방법이 바람직하다.The method for producing the glass laminate 10 of the present invention is not particularly limited. However, in order to obtain a laminate having a peel strength (x) higher than the peel strength (y), the silicon resin layer 14 is formed on the surface of the support substrate 12 Is preferable. The curable compound is coated on the surface of the supporting substrate 12 and cured to form a silicone resin layer 14 on the surface of the supporting substrate 12. Subsequently, (16) are laminated to form the glass laminate (10).

경화성 화합물을 지지 기재(12) 표면에서 경화시키면, 경화 반응시의 지지 기재(12) 표면과의 상호 작용에 의해 접착하고, 실리콘 수지와 지지 기재(12) 표면의 박리 강도는 높아진다고 생각된다. 따라서, 유리 기판(16)과 지지 기재(12)가 동일한 재질을 포함하는 것이어도 실리콘 수지층(14)과 양자 간의 박리 강도에 차를 둘 수 있다.It is considered that when the curable compound is cured on the surface of the supporting substrate 12, the curing compound is bonded by the interaction with the surface of the supporting substrate 12 during the curing reaction, and the peeling strength of the surface of the silicon resin and the supporting substrate 12 is increased. Therefore, even when the glass substrate 16 and the supporting substrate 12 include the same material, the peeling strength between the silicon resin layer 14 and the both can be made different.

이하, 경화성 화합물의 층을 지지 기재(12)의 표면에 형성하고, 지지 기재(12) 표면 상에서 실리콘 수지층(14)을 형성하는 공정을 수지층 형성 공정, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지면에 유리 기판(16)을 적층하여 유리 적층체(10)로 하는 공정을 적층 공정이라고 하고, 각 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.The step of forming the layer of the curable compound on the surface of the supporting substrate 12 and forming the silicon resin layer 14 on the surface of the supporting substrate 12 is hereinafter referred to as a resin layer forming step, And the glass substrate 16 is laminated to form the glass laminate 10 is referred to as a lamination process, and the procedure of each process will be described in detail.

(수지층 형성 공정)(Resin layer forming step)

수지층 형성 공정에서는 경화성 화합물의 층을 지지 기재(12)의 표면에 형성하고, 지지 기재(12) 표면 상에서 실리콘 수지층(14)을 형성한다.In the resin layer forming step, the layer of the curable compound is formed on the surface of the supporting substrate 12, and the silicon resin layer 14 is formed on the surface of the supporting substrate 12. [

지지 기재(12) 상에 경화성 화합물의 층을 형성하기 위해서는 경화성 화합물을 용매에 용해시킨 코팅용 조성물을 사용하고, 이 조성물을 지지 기재(12) 상에 도포하여 용액의 층을 형성하고, 계속해서 용매를 제거하여 경화성 화합물의 층으로 하는 것이 바람직하다. 조성물 중에 있어서의 경화성 화합물의 농도 조정 등에 의해 층의 두께를 제어할 수 있다.In order to form a layer of the curable compound on the supporting substrate 12, a coating composition obtained by dissolving a curable compound in a solvent is used, the composition is coated on the supporting substrate 12 to form a layer of the solution, It is preferable to remove the solvent to form a layer of the curable compound. The thickness of the layer can be controlled by adjusting the concentration of the curable compound in the composition.

용매로서는 작업 환경하에서 가교물을 용이하게 용해할 수 있고, 또한 용이하게 휘발 제거시킬 수 있는 용매라면 특별히 한정되는 것은 아니다. 구체적으로는 예를 들어 톨루엔, 크실렌, THF, 클로로포름 등을 예시할 수 있다.The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent capable of easily dissolving the crosslinked product in a working environment and capable of easily removing volatilization. Specific examples thereof include toluene, xylene, THF, chloroform, and the like.

지지 기재(12) 표면 상에 경화성 화합물을 도포하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어 스프레이 코팅법, 다이 코팅법, 스핀 코팅법, 딥 코팅법, 롤 코팅법, 바 코팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코팅법 등을 들 수 있다.The method of applying the curable compound on the surface of the support substrate 12 is not particularly limited, and a known method can be used. For example, a spray coating method, a die coating method, a spin coating method, a dip coating method, a roll coating method, a bar coating method, a screen printing method and a gravure coating method.

계속해서 지지 기재(12) 상의 경화성 화합물을 경화시켜 실리콘 수지층(14)을 형성한다. 보다 구체적으로는 도 2의 (A)에 도시한 바와 같이 해당 공정에서는 지지 기재(12)의 적어도 편면의 표면 상에 실리콘 수지층(14)이 형성된다.Subsequently, the curable compound on the supporting substrate 12 is cured to form the silicone resin layer 14. [ More specifically, as shown in Fig. 2A, the silicon resin layer 14 is formed on the surface of at least one surface of the supporting substrate 12 in this step.

경화의 방법은 특별히 제한되지 않지만, 통상 열경화 처리에 의해 행하여진다.The method of curing is not particularly limited, but is usually performed by a heat curing treatment.

열경화시키는 온도 조건은 실리콘 수지층(14)의 내열성을 향상시키고, 유리 기판(16)과 적층 후의 박리 강도 (y)를 상기와 같이 제어할 수 있는 범위 내에서 특별히 제한되지 않지만, 300 내지 475℃가 바람직하고, 350 내지 450℃가 보다 바람직하다. 또한, 가열 시간은 통상 10 내지 300분이 바람직하고, 20 내지 120분이 보다 바람직하다. 열경화의 온도가 너무 낮으면 내열성이나 실리콘 수지층(14)의 평탄성이 저하되고, 한편 온도가 너무 높으면 박리 강도 (y)가 너무 낮아지고, 모두 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)의 밀착성이 약해지는 경우가 있다.The temperature condition for thermally curing is not particularly limited within a range in which the heat resistance of the silicone resin layer 14 is improved and the peeling strength (y) after lamination with the glass substrate 16 can be controlled as described above, And more preferably 350 to 450 ° C. The heating time is preferably 10 to 300 minutes, more preferably 20 to 120 minutes. If the temperature is too low, the heat resistance and the flatness of the silicon resin layer 14 decrease. On the other hand, if the temperature is too high, the peeling strength y becomes too low, May be weakened.

또한, 열경화 처리에 있어서는 프리 큐어(예비 경화)를 행한 후 경화(본 경화)를 행하여 경화시키는 것이 바람직하다. 프리 큐어를 행함으로써 내열성이 우수한 실리콘 수지층(14)을 얻을 수 있다. 프리 큐어는 용매의 제거에 이어서 행하는 것이 바람직하고, 이 경우 층으로부터 용매를 제거하여 경화성 화합물의 층을 형성하는 공정과 프리 큐어를 행하는 공정은 특별히 구별되지 않는다. 용매의 제거는 100℃ 이상으로 가열하여 행하는 것이 바람직하고, 150℃ 이상으로 가열함으로써 계속해서 프리 큐어를 행할 수 있다. 용매의 제거와 프리 큐어를 행하는 온도 및 가열 시간은 100 내지 420℃, 5 내지 60분이 바람직하고, 150 내지 300℃, 10 내지 30분이 보다 바람직하다. 420℃ 이하이면 박리 용이한 실리콘 수지층이 얻어진다.In the heat curing treatment, it is preferable to perform pre-curing (pre-curing) and then curing (final curing) and curing. By performing the pre-curing, the silicone resin layer 14 having excellent heat resistance can be obtained. It is preferable to perform the precure after the removal of the solvent. In this case, the step of forming the layer of the curable compound by removing the solvent from the layer and the step of performing the precure are not particularly distinguished. The removal of the solvent is preferably performed by heating to 100 DEG C or higher, and the precure can be continuously performed by heating to 150 DEG C or higher. The temperature and the heating time for removing the solvent and precuring are preferably 100 to 420 DEG C and 5 to 60 minutes, more preferably 150 to 300 DEG C for 10 to 30 minutes. When the temperature is lower than 420 DEG C, a silicone resin layer which is easy to peel off is obtained.

(적층 공정)(Lamination step)

적층 공정은 상기 수지층 형성 공정에서 얻어진 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지면 상에 유리 기판(16)을 적층하고, 지지 기재(12)의 층과 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층을 이 순으로 구비하는 유리 적층체(10)를 얻는 공정이다. 보다 구체적으로는 도 2의 (B)에 도시한 바와 같이 실리콘 수지층(14)의 지지 기재(12)측과는 반대측의 표면(14a)과, 제1 주면(16a) 및 제2 주면(16b)을 갖는 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)을 적층면으로 하여 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)을 적층하고, 유리 적층체(10)를 얻는다.In the laminating step, the glass substrate 16 is laminated on the silicon resin surface of the silicon resin layer 14 obtained in the resin layer forming step, and the layer of the supporting substrate 12, the silicon resin layer 14, And a layer of a glass laminate 10 in this order. More specifically, as shown in Fig. 2 (B), the surface 14a of the silicon resin layer 14 opposite to the supporting base 12 side and the first main surface 16a and the second main surface 16b The silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 are laminated with the first main surface 16a of the glass substrate 16 having the first main surface 16a as a lamination surface to obtain the glass laminate 10. [

유리 기판(16)을 실리콘 수지층(14) 상에 적층하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채택할 수 있다.A method of laminating the glass substrate 16 on the silicon resin layer 14 is not particularly limited, and a known method can be adopted.

예를 들어 상압 환경하에서 실리콘 수지층(14)의 표면 상에 유리 기판(16)을 포개는 방법을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라 실리콘 수지층(14)의 표면 상에 유리 기판(16)을 포갠 후, 롤이나 프레스를 이용하여 실리콘 수지층(14)에 유리 기판(16)을 압착시켜도 된다. 롤 또는 프레스에 의한 압착에 의해 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층의 사이에 혼입되어 있는 기포가 비교적 용이하게 제거되므로 바람직하다.For example, a method of superimposing the glass substrate 16 on the surface of the silicon resin layer 14 under an atmospheric pressure environment. If necessary, the glass substrate 16 may be placed on the surface of the silicon resin layer 14, and then the glass substrate 16 may be pressed onto the silicon resin layer 14 using a roll or press. The bubbles mixed in between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 are relatively easily removed by pressing by roll or press.

진공 라미네이트법이나 진공 프레스법에 의해 압착하면 기포의 혼입의 억제나 양호한 밀착의 확보가 행하여지므로 보다 바람직하다. 진공하에서 압착함으로써, 미소한 기포가 잔존한 경우에도 가열에 의해 기포가 성장하는 일이 없고, 유리 기판(16)의 왜곡 결함으로 이어지기 어렵다는 이점도 있다.The vacuum lamination method or the vacuum press method is more preferable because it suppresses mixing of bubbles and secures good adhesion. The bubbles do not grow due to heating even when minute bubbles remain, and it is difficult to cause strain defects of the glass substrate 16.

유리 기판(16)을 적층할 때에는 실리콘 수지층(14)에 접촉하는 유리 기판(16)의 표면을 충분히 세정하여 클린도가 높은 환경에서 적층하는 것이 바람직하다. 클린도가 높을수록 유리 기판(16)의 평탄성은 양호해지므로 바람직하다.When the glass substrate 16 is laminated, it is preferable that the surface of the glass substrate 16 contacting the silicon resin layer 14 is sufficiently cleaned and laminated in an environment with high cleanliness. The higher the cleanliness, the better the flatness of the glass substrate 16 is.

또한, 유리 기판(16)을 적층한 후, 필요에 따라 프리 어닐 처리(가열 처리)을 행하여도 된다. 해당 프리 어닐 처리를 행함으로써, 적층된 유리 기판(16)의 실리콘 수지층(14)에 대한 밀착성이 향상되고, 적절한 박리 강도 (y)로 할 수 있고, 후술하는 부재 형성 공정시에 전자 디바이스용 부재의 위치 어긋남 등이 발생하기 어려워지고, 전자 디바이스의 생산성이 향상된다.Further, after the glass substrate 16 is laminated, a pre-annealing treatment (heat treatment) may be carried out if necessary. The adhesion to the silicon resin layer 14 of the laminated glass substrate 16 is improved and the appropriate peeling strength y can be obtained by performing the pre-annealing process, The positional deviation of the member is less likely to occur, and the productivity of the electronic device is improved.

프리 어닐 처리의 조건은 사용되는 실리콘 수지층(14)의 종류에 따라 적절히 최적의 조건이 선택되지만, 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)의 사이의 박리 강도 (y)를 보다 적절한 것으로 하는 점에서 300℃ 이상(바람직하게는 300 내지 400℃)에서 5분간 이상(바람직하게는 5 내지 30분간) 가열 처리를 행하는 것이 바람직하다.Optimum conditions are appropriately selected according to the type of the silicon resin layer 14 to be used, but the peel strength (y) between the glass substrate 16 and the silicon resin layer 14 is more suitable It is preferable to carry out the heat treatment at 300 占 폚 or higher (preferably 300 to 400 占 폚) for 5 minutes or longer (preferably 5 to 30 minutes).

또한, 유리 기판(16)의 제1 주면에 대한 박리 강도와 지지 기재(12)의 제1 주면에 대한 박리 강도에 차를 둔 실리콘 수지층(14)의 형성은 상기 방법에 한정되는 것은 아니다.The formation of the silicone resin layer 14 having a difference in peel strength against the first principal surface of the glass substrate 16 and peel strength against the first principal surface of the supporting substrate 12 is not limited to the above method.

예를 들어 실리콘 수지층(14) 표면에 대한 밀착성이 유리 기판(16)보다도 높은 재질의 지지 기재(12)를 이용하는 경우에는 상기 경화성 화합물을 어떤 박리성 표면 상에서 경화하여 실리콘 수지의 필름을 제조하고, 이 필름을 유리 기판(16)과 지지 기재(12)의 사이에 개재시켜 동시에 적층할 수 있다.For example, when the support base material 12 having a higher adhesion to the surface of the silicon resin layer 14 than the glass substrate 16 is used, the curable compound is cured on a certain peelable surface to produce a film of a silicone resin , And the film can be laminated at the same time with the glass substrate 16 and the supporting substrate 12 interposed therebetween.

또한, 경화성 화합물의 경화에 의한 접착성이 유리 기판(16)에 대하여 충분히 낮고 또한 그 접착성이 지지 기재(12)에 대하여 충분히 높은 경우에는 유리 기판(16)과 지지 기재(12)의 사이에서 경화성 화합물을 경화시켜 실리콘 수지층(14)을 형성할 수 있다.When the adhesion of the curable compound by curing is sufficiently low with respect to the glass substrate 16 and the adhesiveness thereof is sufficiently high with respect to the supporting substrate 12, the adhesion between the glass substrate 16 and the supporting substrate 12 The silicone resin layer 14 can be formed by curing the curable compound.

또한, 지지 기재(12)가 유리 기판(16)과 마찬가지의 유리 재료를 포함하는 경우여도 지지 기재(12) 표면의 접착성을 높이는 처리를 실시하여 실리콘 수지층(14)에 대한 박리 강도를 높일 수도 있다. 예를 들어 실란 커플링제와 같은 화학적으로 고정력을 향상시키는 화학적 방법(프라이머 처리)이나 프레임(화염) 처리와 같이 표면 활성기를 증가시키는 물리적 방법, 샌드블라스트 처리와 같이 표면의 조도를 증가시킴으로써 걸림을 증가시키는 기계적 처리 방법 등이 예시된다.Even in the case where the supporting substrate 12 includes the same glass material as that of the glass substrate 16, the adhesion of the surface of the supporting substrate 12 is enhanced to increase the peeling strength with respect to the silicon resin layer 14 It is possible. For example, physical methods to increase the surface activity such as chemical (primer treatment) or frame (flame) treatment to improve chemical fixation such as silane coupling agent, increase the surface roughness by sandblast treatment, And a mechanical treatment method for imparting a mechanical strength.

(유리 적층체)(Glass laminate)

본 발명의 제1 형태인 유리 적층체(10)는 여러 가지 용도로 사용할 수 있고, 예를 들어 후술하는 표시 장치용 패널, PV, 박막 2차 전지, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품을 제조하는 용도 등을 들 수 있다. 또한, 해당 용도에서는 유리 적층체(10)가 고온 조건(예를 들어 450℃ 이상)에서 노출되는(예를 들어 1시간 이상) 경우가 많다.The glass laminate 10 according to the first embodiment of the present invention can be used for various purposes. For example, the glass laminate 10 can be used as a display panel, a PV, a thin film secondary battery, a semiconductor wafer And the like. Further, in the intended use, the glass laminate 10 is often exposed (for example, 1 hour or more) under high temperature conditions (for example, 450 DEG C or more).

여기서, 표시 장치용 패널이란 LCD, OLED, 전자 페이퍼, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드에미션 패널, 양자 도트 LED 패널, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 셔터 패널 등이 포함된다.Here, the panel for a display device includes an LCD, an OLED, an electronic paper, a plasma display panel, a field mission panel, a quantum dot LED panel, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) shutter panel and the like.

<제2 실시 형태>&Lt; Second Embodiment >

도 3은 본 발명에 따른 유리 적층체의 제2 실시 형태의 모식적 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view of a second embodiment of the glass laminate according to the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이 유리 적층체(100)는 지지 기재(12)의 층과 유리 기판(16)의 층과 이들의 사이에 실리콘 수지층(14)이 존재하는 적층체이다.As shown in Fig. 3, the glass laminate 100 is a laminate in which the layer of the supporting substrate 12, the layer of the glass substrate 16, and the silicon resin layer 14 are present therebetween.

도 3에 도시하는 유리 적층체(100)에 있어서는 전술한 도 1에 도시하는 유리 적층체(10)와는 달리 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16) 상에 고정되어 있고, 수지층 딸린 유리 기판(20)은 수지층 딸린 유리 기판 (20) 중의 실리콘 수지층(14)이 지지 기재(12)에 직접 접하도록 지지 기재(12) 상에 박리 가능하게 적층(밀착)된다. 본 발명에 있어서 해당 고정과 박리 가능한 밀착은 박리 강도(즉 박리에 필요로 하는 응력)에 차이가 있고, 고정은 밀착에 대하여 박리 강도가 높은 것을 의미한다. 즉, 유리 적층체(100)에 있어서는 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면의 박리 강도가 실리콘 수지층(14)과 지지 기재(12)의 계면의 박리 강도보다도 높다.In the glass laminate 100 shown in Fig. 3, unlike the glass laminate 10 shown in Fig. 1 described above, the silicon resin layer 14 is fixed on the glass substrate 16, The substrate 20 is peelably laminated (tightly adhered) on the supporting substrate 12 such that the silicon resin layer 14 in the glass substrate 20 with the resin layer directly contacts the supporting substrate 12. [ In the present invention, the peeling strength (i.e., the stress required for peeling) differs between the fixation and the peelable adhesion, and the fixation means that the peel strength is high with respect to adhesion. That is, in the glass laminate 100, the peel strength at the interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 is higher than the peel strength at the interface between the silicon resin layer 14 and the support base 12.

보다 구체적으로는 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)의 계면은 박리 강도 (z)를 갖고, 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)의 계면에 박리 강도 (z)를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)의 계면이 박리된다. 실리콘 수지층(14)과 지지 기재(12)의 계면은 박리 강도 (w)를 갖고, 실리콘 수지층(14)과 지지 기재(12)의 계면에 박리 강도 (w)를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면 실리콘 수지층(14)과 지지 기재(12)의 계면이 박리된다.More specifically, the interface between the glass substrate 16 and the silicon resin layer 14 has a peeling strength z and the peeling strength z is greater than the peeling strength z at the interface between the glass substrate 16 and the silicon resin layer 14 When the stress in the peeling direction is applied, the interface between the glass substrate 16 and the silicon resin layer 14 is peeled off. The interface between the silicone resin layer 14 and the supporting substrate 12 has a peeling strength w and a stress in the peeling direction exceeding the peeling strength w is applied to the interface between the silicon resin layer 14 and the supporting substrate 12 The interface between the silicon resin layer 14 and the supporting substrate 12 is peeled off.

유리 적층체(100)에 있어서는 상기 박리 강도 (z)는 상기 박리 강도 (w)보다도 높다. 따라서, 유리 적층체(100)에 지지 기재(12)와 유리 기판(16)을 떼는 방향의 응력이 가해지면, 본 발명의 유리 적층체(100)는 실리콘 수지층(14)과 지지 기재(12)의 계면에서 박리되어 수지층 딸린 유리 기판(20)과 지지 기재(12)로 분리된다.In the glass laminate 100, the peel strength z is higher than the peel strength w. The glass laminate 100 of the present invention is formed by stacking the silicon resin layer 14 and the support base material 12 (the glass base material 12) ) And separated into the glass substrate 20 and the supporting substrate 12 with the resin layer.

박리 강도 (z)는 박리 강도 (w)와 비교하여 충분히 높은 것이 바람직하다. 박리 강도 (z)를 높이는 것은 유리 기판(16)에 대한 실리콘 수지층(14)의 부착력을 높이고, 또한 가열 처리 후에 있어서 지지 기재(12)에 대해서 보다도 상대적으로 높은 부착력을 유지할 수 있는 것을 의미한다.The peel strength z is preferably sufficiently high as compared with the peel strength w. Raising the peel strength z means that the adhesion force of the silicone resin layer 14 to the glass substrate 16 is increased and a relatively high adhesion force to the support substrate 12 can be maintained after the heat treatment .

유리 기판(16)에 대한 실리콘 수지층(14)의 부착력을 높이는 방법으로서는, 상기 지지 기재(12)에 대한 실리콘 수지층(14)의 부착력을 높이는 방법을 들 수 있고, 예를 들어 유리 기판(16) 상에서 실리콘 수지층(14)을 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 해당 방법이라면 경화시의 접착력으로 유리 기판(16)에 대하여 높은 결합력으로 결합한 실리콘 수지층(14)을 형성할 수 있다.Examples of a method for increasing the adhesion of the silicone resin layer 14 to the glass substrate 16 include a method of increasing the adhesion of the silicone resin layer 14 to the support substrate 12, A method of forming the silicon resin layer 14 on the substrate 16, and the like. The silicone resin layer 14 bonded to the glass substrate 16 with a high bonding force can be formed by the adhesive force at the time of curing.

한편, 경화 후의 실리콘 수지층(14)의 지지 기재(12)에 대한 결합력은 상기 형성시에 발생하는 결합력보다도 낮은 것이 일반적이다. 따라서, 유리 기판(16) 상에서 실리콘 수지층(14)을 형성하고, 그 후 실리콘 수지층(14)의 표면에 지지 기재(12)를 적층함으로써, 원하는 박리 관계를 만족하는 유리 적층체(100)를 제조할 수 있다.On the other hand, the bonding force of the silicone resin layer 14 after curing with respect to the supporting substrate 12 is generally lower than the bonding force generated at the time of forming. The glass laminate 100 satisfying the desired peeling relationship can be obtained by forming the silicon resin layer 14 on the glass substrate 16 and then laminating the supporting substrate 12 on the surface of the silicon resin layer 14. [ Can be produced.

유리 적층체(100)를 구성하는 각 층(지지 기재(12), 유리 기판(16), 실리콘 수지층(14))은 전술한 유리 적층체(10)를 구성하는 각 층과 동의이고, 여기서는 설명은 생략한다.Each of the layers (the supporting substrate 12, the glass substrate 16, and the silicone resin layer 14) constituting the glass laminate 100 agrees with each layer constituting the above-described glass laminate 10, The description is omitted.

단, 실리콘 수지층(14)의 지지 기재(12)측의 표면의 표면 조도 Ra는 특별히 제한되지 않지만, 유리 기판의 적층성 및 박리성이 보다 우수한 점에서 0.1 내지 20nm가 바람직하고, 0.1 내지 10nm가 보다 바람직하다.The surface roughness Ra of the surface of the silicon resin layer 14 on the side of the supporting substrate 12 is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 20 nm, more preferably 0.1 to 10 nm, in view of better lamination and releasability of the glass substrate Is more preferable.

또한, 표면 조도 Ra의 측정 방법으로서는 JIS B 0601-2001에 준하여 행하여진다.The measurement of the surface roughness Ra is performed in accordance with JIS B 0601-2001.

또한, 실리콘 수지층(14)의 지지 기재(12)측의 표면의 물 접촉각은 특별히 제한되지 않지만, 유리 기판의 적층성 및 박리성이 보다 우수한 점에서 70도 초과 105도 이하가 바람직하다.The water contact angle of the surface of the silicone resin layer 14 on the side of the supporting substrate 12 is not particularly limited, but is preferably 70 degrees or more and 105 degrees or less from the viewpoint of better lamination and releasability of the glass substrate.

또한, 물 접촉각의 측정 방법으로서는 접촉각계(크뤼스사 제조, DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2)를 이용하여 1매의 유리판의 표면에 1μL의 물방울을 정치하여 물 접촉각을 측정한다.As a method of measuring the water contact angle, a water contact angle is measured by placing 1 mu L of water droplet on the surface of one glass plate using a contact angle meter (DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2 manufactured by Krus).

유리 적층체(100)의 제조 방법은 특별히 제한되지 않지만, 전술한 유리 적층체(10)의 제조 방법에 있어서 지지 기재(12) 대신에 유리 기판(16)을 이용하고, 유리 기판(16) 대신에 지지 기재(12)를 이용함으로써, 원하는 유리 적층체(100)를 제조할 수 있다. 보다 구체적으로는 유리 기판(16) 상에서 실리콘 수지층(14)을 형성하고, 계속해서 실리콘 수지층(14) 상에 지지 기재(12)를 적층하여 유리 적층체(100)를 제조할 수 있다.The method for producing the glass laminate 100 is not particularly limited, but the glass substrate 16 may be used instead of the supporting substrate 12 in the above-described method for producing the glass laminate 10, , The desired glass laminate 100 can be manufactured. More specifically, the glass laminate 100 can be manufactured by forming the silicone resin layer 14 on the glass substrate 16 and then laminating the supporting substrate 12 on the silicon resin layer 14. [

(제2 실시 형태의 변형예)(Modification of Second Embodiment)

유리 적층체의 제2 실시 형태의 변형예로서, 지지 기재의 층이 지지 유리판의 층과 지지 유리판의 층 상에 배치된 제2 실리콘 수지층을 구비하는 적층 지지 기재인 형태를 들 수 있다.As a modification of the second embodiment of the glass laminate, there is a form in which the layer of the supporting substrate is a laminated supporting substrate comprising a layer of the supporting glass plate and a second silicon resin layer disposed on the layer of the supporting glass plate.

보다 구체적으로는 도 4에 도시한 바와 같이 유리 적층체(200)에 있어서는 전술한 도 3에 도시하는 유리 적층체(100)와는 달리 적층 지지 기재(120)가 지지 유리판(30)과 지지 유리판(30) 상에 배치된 제2 실리콘 수지층(32)을 구비한다. 여기서, 제2 실시 형태의 변형예에 있어서는 유리 기판측의 실리콘 수지층을 제1 실리콘 수지층, 지지 유리판측의 실리콘 수지층을 제2 실리콘 수지층이라고도 한다. 또한, 제2 실리콘 수지층(32) 중의 실리콘 수지는 후술하는 식 (1)로 표시되는 실록산 단위 (A) 및 식 (2)로 표시되는 실록산 단위 (B)를 포함하는 경화성 오르가노폴리실록산의 경화물인 것이 바람직하다. 해당 유리 적층체(200)에 있어서는 제1 실리콘 수지층(14)이 제2 실리콘 수지층(32)과 직접 접하도록 배치되고, 수지층 딸린 유리 기판(20)이 제2 실리콘 수지층(32) 상에 박리 가능하게 적층(밀착)된다.4, unlike the glass laminate 100 shown in Fig. 3 described above, the laminated supporting substrate 120 is divided into the supporting glass plate 30 and the supporting glass plate And a second silicon resin layer (32) disposed on the second silicon resin layer (30). Here, in the modified example of the second embodiment, the silicon resin layer on the glass substrate side is referred to as a first silicon resin layer, and the silicon resin layer on the support glass plate side is referred to as a second silicon resin layer. The silicone resin in the second silicone resin layer 32 can be cured by curing the curable organopolysiloxane containing the siloxane unit (A) represented by the formula (1) and the siloxane unit (B) represented by the formula (2) Water. The first silicon resin layer 14 is disposed in direct contact with the second silicon resin layer 32 in the glass laminate 200 and the glass substrate 20 with the resin layer is disposed in contact with the second silicon resin layer 32, (Adhered) to each other in a peelable manner.

유리 적층체(200)에 있어서는 제2 실리콘 수지층(32)을 형성함으로써, 유리 적층체 자체의 내열성이 높아짐과 함께 고온 가열 처리 후에도 유리 기판이 박리되기 쉽고, 또한 유리 기판의 적층성도 우수하다(특히 제1 실리콘 수지층과 제2 실리콘 수지층의 적층면에서의 양자(또는 한쪽)의 표면 조도가 거친 경우에도 양호한 적층성이 얻어진다.).By forming the second silicon resin layer 32 in the glass laminate body 200, the heat resistance of the glass laminate itself is increased, and the glass substrate is easily peeled off even after the high-temperature heat treatment, and the laminate property of the glass substrate is also excellent In particular, good lamination properties are obtained even when the surface roughness of both (or both) on the lamination surface of the first silicone resin layer and the second silicone resin layer is rough).

전술한 바와 같이 제2 실리콘 수지층(32)은 한쪽 표면에서 지지 유리판(30) 상에 고정되어 있고, 다른 쪽 표면에서 제1 실리콘 수지층(14)과 박리 가능하게 밀착된다. 즉, 제2 실리콘 수지층(32)과 지지 유리판(30)의 계면의 박리 강도 (v)는 제2 실리콘 수지층(32)과 제1 실리콘 수지층(14)의 계면의 박리 강도 (w)보다도 높다. 또한, 전술한 바와 같이 제1 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면의 박리 강도 (z)는 제1 실리콘 수지층(14)과 적층 지지 기재(120)의 계면(바꿔 말하면 제1 실리콘 수지층(14)과 제2 실리콘 수지층(32)의 계면)의 박리 강도 (w)보다도 높다.As described above, the second silicon resin layer 32 is fixed on the support glass plate 30 on one surface, and is peelably adhered to the first silicone resin layer 14 on the other surface. The peel strength v of the interface between the second silicon resin layer 32 and the supporting glass plate 30 is larger than the peeling strength w of the interface between the second silicon resin layer 32 and the first silicon resin layer 14. [ . As described above, the peel strength z of the interface between the first silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 is the same as the peel strength z of the interface between the first silicon resin layer 14 and the laminated support substrate 120 (The interface between the first silicone resin layer 14 and the second silicone resin layer 32).

따라서, 유리 적층체(200)에 지지 유리판(30)과 유리 기판(16)을 떼는 방향의 응력이 가해지면, 유리 적층체(200)는 제1 실리콘 수지층(14)과 제2 실리콘 수지층(32)의 계면에서 박리되어 수지층 딸린 유리 기판(20)과 적층 지지 기재(120)로 분리된다.Therefore, when a stress in the direction in which the support glass plate 30 and the glass substrate 16 are separated from each other is applied to the glass laminate 200, the glass laminate 200 is separated from the first silicone resin layer 14, And is separated at the interface of the glass substrate 32 and the glass substrate 20 with the resin layer.

제2 실리콘 수지층(32)은 접착력이나 점착력 등의 강한 결합력으로 지지 유리판(30) 표면에 결합되어 있다. 예를 들어 후술하는 바와 같이 경화성 오르가노폴리실록산을 지지 유리판(30) 표면에서 경화시킴으로써, 경화물인 실리콘 수지를 지지 유리판(30)의 표면에 접착하여 높은 결합력을 얻을 수 있다. 또한, 지지 유리판(30) 표면과 제2 실리콘 수지층(32)의 사이에 강한 결합력을 발생시키는 처리(예를 들어 커플링제를 사용한 처리)를 실시하여 지지 유리판(30) 표면과 제2 실리콘 수지층(32)의 사이의 결합력을 높일 수 있다.The second silicone resin layer 32 is bonded to the surface of the supporting glass plate 30 with a strong bonding force such as an adhesive force or an adhesive force. For example, as described later, the curable organopolysiloxane is cured on the surface of the support glass plate 30, so that a silicone resin as a cured product is adhered to the surface of the support glass plate 30 to obtain a high bonding force. The surface of the support glass plate 30 and the second silicon resin layer 32 are subjected to a treatment (for example, a treatment using a coupling agent) that generates a strong bonding force between the surface of the support glass plate 30 and the second silicon resin layer 32, The bonding force between the paper layers 32 can be increased.

한편, 경화성 오르가노폴리실록산의 경화물을 포함하는 제2 실리콘 수지층(32)의 실리콘 수지층(14)에 대한 결합력은 상기 경화시에 발생하는 결합력보다도 낮은 것이 일반적이다. 따라서, 지지 유리판(30) 상에서 경화성 오르가노폴리실록산을 경화시켜 제2 실리콘 수지층(32)을 형성하고, 그 후 제2 실리콘 수지층(32)과 제1 실리콘 수지층(14)이 마주 향하도록 제2 실리콘 수지층(32)의 면에 수지층 딸린 유리 기판(20)을 적층하여 원하는 유리 적층체(200)를 제조할 수 있다.On the other hand, the bonding force of the second silicone resin layer 32 including the curable organopolysiloxane to the silicone resin layer 14 is generally lower than the bonding force generated at the time of curing. Thus, the second silicone resin layer 32 is formed by curing the curable organopolysiloxane on the support glass plate 30, and then the second silicone resin layer 32 and the first silicone resin layer 14 are opposed to each other The desired glass laminate body 200 can be manufactured by laminating the glass substrate 20 with the resin layer on the surface of the second silicon resin layer 32. [

또한, 경우에 따라 적층 전의 제2 실리콘 수지층(32)의 표면이나 적층 전의 제1 실리콘 수지층(14)의 표면에 양자 간의 결합력을 약화시키는 처리를 행하여 적층할 수도 있다. 적층하는 면에 비접착성 처리 등을 행하고, 그 후 적층함으로써 제2 실리콘 수지층(32)과 제1 실리콘 수지층(14)의 계면의 결합력을 약화시키고, 박리 강도 (w)를 낮게 할 수 있다.In some cases, the surface of the second silicone resin layer 32 before lamination or the surface of the first silicone resin layer 14 before lamination may be subjected to a treatment for weakening the bonding force therebetween and laminated. The bonding strength between the interface of the second silicone resin layer 32 and the first silicone resin layer 14 can be weakened and the peeling strength w can be lowered have.

도 4에 도시하는 유리 적층체(200)는 적층 지지 기재(120)를 구비하는 점을 제외하고, 도 3에 도시하는 유리 적층체(100)와 마찬가지의 구성을 갖는 것이므로, 동일한 구성 요소에는 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 설명을 생략하고, 주로 적층 지지 기재(120)에 대하여 설명한다.The glass laminate body 200 shown in Fig. 4 has the same structure as the glass laminate body 100 shown in Fig. 3, except that it has the laminated supporting substrate 120, The description thereof will be omitted and the laminated support base material 120 will be mainly described.

적층 지지 기재(120)는 지지 유리판(30)과 제2 실리콘 수지층(32)을 구비한다.The laminated support substrate 120 includes a support glass plate 30 and a second silicon resin layer 32.

지지 유리판(30)은 지지 기재(12)가 유리판인 경우의 형태에 해당하고, 그 적합 형태는 전술한 바와 같다.The support glass plate 30 corresponds to the case where the support base 12 is a glass plate, and its fit is as described above.

제2 실리콘 수지층(32) 중의 실리콘 수지는 경화성 오르가노폴리실록산의 경화물을 포함하는 것이 바람직하고, 특히 후술하는 식 (1)로 표시되는 실록산 단위 (A) 및 식 (2)로 표시되는 실록산 단위 (B)를 포함하는 경화성 오르가노폴리실록산의 경화물인 것이 바람직하다.The silicone resin in the second silicone resin layer 32 preferably contains a cured organopolysiloxane curing agent. In particular, the siloxane unit (A) represented by the formula (1) and the siloxane unit represented by the formula (2) Is preferably a cured product of the curable organopolysiloxane containing the unit (B).

이하에서는 경화성 오르가노폴리실록산 및 그 경화물의 형태에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the form of the curable organopolysiloxane and its cured product will be described in detail.

(경화성 오르가노폴리실록산 및 그 경화물)(Curable organopolysiloxane and its cured product)

제2 실리콘 수지층(32) 중의 실리콘 수지를 얻기 위한 경화성 오르가노폴리실록산으로서는, 후술하는 식 (1)로 표시되는 실록산 단위 (A)와 후술하는 식 (2)로 표시되는 실록산 단위 (B)를 포함하는 경화성 오르가노폴리실록산이 바람직하다.As the curable organopolysiloxane for obtaining the silicone resin in the second silicone resin layer 32, the siloxane unit (A) represented by the following formula (1) and the siloxane unit (B) represented by the formula (2) Curable organopolysiloxanes are preferred.

통상 오르가노폴리실록산의 기본 구성 단위는 메틸기나 페닐기로 대표되는 1가의 유기기가 규소 원자에 몇 개 결합하고 있는지로 분류되고, 이하에 나타내는 D 단위라고 불리는 유기기가 2개 결합한 2관능성의 실록산 단위, T 단위라고 불리는 유기기가 1개 결합한 3관능성의 실록산 단위, M 단위라고 불리는 유기기가 3개 결합한 1관능성의 실록산 단위, Q 단위라고 불리는 유기기가 1개도 없는 4관능성의 실록산 단위 등을 포함한다. 또한, Q 단위는 규소 원자에 결합한 유기기(규소 원자에 결합한 탄소 원자를 갖는 유기기)를 갖지 않는 단위이지만, 실록산 단위로 간주한다. 이하의 식 중, R은 메틸기나 페닐기로 대표되는 1가의 유기기를 나타낸다.The basic constituent unit of organopolysiloxane is usually a bifunctional siloxane unit classified into a number of monovalent organic groups represented by methyl groups and phenyl groups bonded to silicon atoms and having two organic groups called D units shown below, , A trifunctional siloxane unit bonded with one organic group called a unit, a monofunctional siloxane unit bonded with three organic groups called M unit, and a tetrafunctional siloxane unit having no organic group called Q unit. The Q unit is a unit which does not have an organic group bonded to a silicon atom (an organic group having a carbon atom bonded to a silicon atom), but is regarded as a siloxane unit. In the following formulas, R represents a monovalent organic group represented by a methyl group or a phenyl group.

실록산 단위에 있어서 실록산 결합은 2개의 규소 원자가 1개의 산소 원자를 개재하여 결합한 결합인 점에서, 실록산 결합에 있어서의 규소 원자 1개당 산소 원자는 1/2개로 간주하고, 식 중 O1/2라고 표현된다. 보다 구체적으로는 예를 들어 1개의 D 단위에 있어서는 그 1개의 규소 원자는 2개의 산소 원자와 결합하고, 각각의 산소 원자는 다른 단위의 규소 원자와 결합하고 있음으로써, 그 식은 -O1/2-(R)2Si-O1/2-이 된다. O1 /2가 2개 존재하는 점에서 D 단위는 (R)2SiO2 /2라고 표현되는 것이 통상이다. 그러나, 본 발명에서는 후술하는 A 단위의 표현에 맞춰 이하와 같이 개개의 산소 원자에 대하여 O1/2의 표현을 이용하여 M 단위, D 단위, T 단위, Q 단위를 표현하였다.In the siloxane unit, the siloxane bond is regarded as one half of the silicon atoms per silicon atom in the siloxane bond in that two silicon atoms are bonded through one oxygen atom, and O &lt; 1/2 &gt; Is expressed. More specifically, for example, in one D unit, one silicon atom is bonded to two oxygen atoms, and each oxygen atom is bonded to another silicon atom, so that the formula is -O 1/2 - (R) 2 Si-O 1/2 -. O 1/2 is in that there are two D units will normally be expressed as (R) 2 SiO 2/2 . However, in the present invention, M units, D units, T units, and Q units are expressed using O 1/2 expressions for individual oxygen atoms in accordance with the A unit expression described below.

또한, 중합체쇄의 말단 단위가 M 단위 이외의 단위인 경우, 말단 단위의 O1/2에 결합하는 규소 원자 이외의 원자는 1/2개 상당의 산소 원자이고, 합하여 1개의 산소 원자가 되고, 수산기나 알콕시기 등에 있어서의 산소 원자를 표현한다. 하기 실록산 단위의 표현과 마찬가지로 표현하면, 예를 들어 말단 단위의 규소 원자에 결합하는 수산기는 -O1/2-H가 된다.When the terminal unit of the polymer chain is a unit other than the M unit, the atoms other than the silicon atom bonded to O &lt; 1/2 &gt; of the terminal unit are 1/2 oxygen atoms, Oxygen atom in the group or the alkoxy group. In the same manner as the expression of the siloxane units described below, for example, the hydroxyl group bonded to the silicon atom of the terminal unit is -O 1/2 -H.

Figure pct00004
Figure pct00004

후술하는 실록산 단위 (A)에서는 2개의 규소 원자의 각각이 산소 원자와 결합하고, 각각의 산소 원자는 단위 외의 규소 원자와 결합하고 있기 때문에, 식 (1) 중 O1/2라고 표현된다. 실록산 단위 (A)는 2관능성인 점에서 D 단위라고 간주할 수 있다. 후술하는 실록산 단위 (B)도 마찬가지의 이유로부터 D 단위라고 간주할 수 있다. 이하, 본 발명에 있어서 실록산 단위 (A) 및 실록산 단위 (B)는 D 단위의 1종으로 간주하여 경화성 오르가노폴리실록산을 설명한다.In the siloxane unit (A) to be described later, each of two silicon atoms is bonded to an oxygen atom, and each oxygen atom is bonded to a silicon atom other than the unit, so that it is expressed as O 1/2 in the formula (1). The siloxane unit (A) can be regarded as a D unit in terms of bifunctionality. The siloxane unit (B) described later can also be regarded as a D unit for the same reason. Hereinafter, the siloxane unit (A) and the siloxane unit (B) in the present invention are regarded as one kind of D unit, and the curable organopolysiloxane is explained.

Figure pct00005
Figure pct00005

식 (1)의 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 탄소수 4 이하의 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기를 나타낸다. 탄소수 4 이하의 알킬기로서는 구체적으로는 예를 들어 메틸기, 에틸기, 비닐기, 알릴기, 에티닐기 등을 들 수 있다.Each of R 1 to R 4 in the formula (1) independently represents an alkyl group having 4 or less carbon atoms or a phenyl group which may have a substituent. Specific examples of the alkyl group having 4 or less carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a vinyl group, an allyl group, and an ethynyl group.

치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기로서 치환기로서는 메틸기, 에틸기, 비닐기, 알릴기, 에티닐기 등을 들 수 있다.Examples of the phenyl group which may have a substituent include a methyl group, an ethyl group, a vinyl group, an allyl group and an ethynyl group.

상기 R1 내지 R4로서는 고온 처리 조건하에 있어서의 실리콘 수지의 분해가 보다 억제되는 점에서 메틸기 또는 페닐기인 것이 바람직하다.The above-mentioned R 1 to R 4 are preferably a methyl group or a phenyl group in that decomposition of the silicone resin under high-temperature treatment conditions is further suppressed.

식 (1) 중, Ar은 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐렌기를 나타낸다. 페닐렌기이면 제1 실리콘 수지층(14)에 대한 밀착성 및 박리성이 우수한 점에서 바람직하다.In the formula (1), Ar represents a phenylene group which may have a substituent. The phenylene group is preferred because it is excellent in adhesion to the first silicone resin layer 14 and peelability.

또한, 치환기의 종류는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 할로겐 원자, 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 알콕시기, 아릴알킬기, 아릴옥시기, 복소환기, 아미노기, 니트로기, 시아노기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent include, but are not limited to, a halogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, an alkoxy group, an arylalkyl group, an aryloxy group, a heterocyclic group, an amino group, a nitro group and a cyano group .

경화성 오르가노폴리실록산은 실록산 단위로서 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)만을 포함하는 중합체이거나, 또는 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)와 다른 실록산 단위를 포함하는 공중합체이다. 경화성 오르가노폴리실록산은 선상 중합체인 것이 바람직하고, 다른 실록산 단위로서는 실록산 단위 (A) 또는 실록산 단위 (B) 이외의 D 단위가 바람직하다. 경화성 오르가노폴리실록산이 선상 중합체인 경우, 경화성 오르가노폴리실록산은 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)만을 포함하는 중합체, 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)와 다른 D 단위를 포함하는 중합체, 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)와 M 단위를 포함하는 중합체, 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)와 다른 D 단위와 M 단위를 포함하는 중합체가 있다. 단, 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B), 다른 D 단위, M 단위는 각각 2종 이상 존재하여도 된다.The curable organopolysiloxane is a polymer containing only a siloxane unit (A) and a siloxane unit (B) as a siloxane unit or a copolymer containing a siloxane unit (A) and a siloxane unit (B) and other siloxane units. The curable organopolysiloxane is preferably a linear polymer, and the other siloxane unit is preferably a D unit other than the siloxane unit (A) or the siloxane unit (B). When the curable organopolysiloxane is a linear polymer, the curable organopolysiloxane is a polymer comprising only a siloxane unit (A) and a siloxane unit (B), a polymer comprising a siloxane unit (A) and a siloxane unit (B) , Polymers containing siloxane units (A), siloxane units (B) and M units, polymers containing siloxane units (A) and siloxane units (B) and other D units and M units. However, the siloxane unit (A), the siloxane unit (B), the other D unit, and the M unit may each be present in two or more species.

또한, 경화성 오르가노폴리실록산은 소수의 분지를 갖는 비선상의 중합체여도 된다. 이 경우, 분지를 초래하는 T 단위나 Q 단위를 소수 갖는 것 이외에는 상기 선상 중합체에 있어서의 D 단위나 경우에 따라 M 단위를 더 갖는다.The curable organopolysiloxane may also be a nonlinear polymer having a small number of branches. In this case, D units in the linear polymer or M units in some cases are further provided, except that the T unit or the Q unit resulting in branching is a prime number.

식 (2)로 표시되는 실록산 단위 (B)에 있어서 R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소수 4 이하의 알킬기 또는 탄소수 3 이하의 알케닐기를 나타낸다. 단, 실록산 단위 (B) 중의 적어도 일부는 R5 및 R6 중 적어도 한쪽이 탄소수 3 이하의 알케닐기인 실록산 단위이다.In the siloxane unit (B) represented by the formula (2), R 5 and R 6 each independently represent an alkyl group having 4 or less carbon atoms or an alkenyl group having 3 or less carbon atoms. Provided that at least a part of the siloxane unit (B) is a siloxane unit in which at least one of R 5 and R 6 is an alkenyl group having 3 or less carbon atoms.

R5 및 R6으로서는 고온 처리 조건하에 있어서의 실리콘 수지의 분해가 보다 억제되는 점에서 메틸기 또는 비닐기인 것이 바람직하다.R 5 and R 6 are preferably a methyl group or a vinyl group in that degradation of the silicone resin under high temperature treatment conditions is further suppressed.

실록산 단위 (B)의 적합 형태로서는 경화성 오르가노폴리실록산 간에서의 경화가 보다 진행되고, 고온 처리 조건하에 있어서의 실리콘 수지의 분해가 보다 억제되는 점에서, 실록산 단위 (B)가 R5와 R6 중 적어도 한쪽이 탄소수 3 이하의 알케닐기이고 해당 알케닐기 이외의 경우에는 탄소수 4 이하의 알킬기인 실록산 단위 (B-1), 및 R5와 R6 모두 탄소수 4 이하의 알킬기인 실록산 단위 (B-2)로 이루어지는 군에서 선택되고, 경화성 오르가노폴리실록산 중의 실록산 단위 (B)가 실록산 단위 (B-1)만을 포함하거나 또는 실록산 단위 (B-1)과 실록산 단위 (B-2)를 포함하는 형태를 들 수 있다.As a preferred form of the siloxane unit (B), the siloxane unit (B) is a siloxane unit in which R 5 and R 6 (B-1), which is an alkyl group having 4 or less carbon atoms, and a siloxane unit (B-1) which is an alkyl group having 4 or less carbon atoms in both of R 5 and R 6 , in the case where the alkenyl group is other than the corresponding alkenyl group. 2), and the siloxane unit (B) in the curable organopolysiloxane contains only the siloxane unit (B-1) or contains the siloxane unit (B-1) and the siloxane unit (B-2) .

실록산 단위 (B-1) 중, R5와 R6 중 적어도 한쪽은 탄소수 3 이하의 알케닐기이고, 바람직하게는 비닐기이다. 또한, R5와 R6이 알케닐기 이외인 경우에는 탄소수 4 이하의 알킬기이고, 바람직하게는 메틸기이다.At least one of R 5 and R 6 in the siloxane unit (B-1) is an alkenyl group having 3 or less carbon atoms, preferably a vinyl group. When R 5 and R 6 are other than an alkenyl group, the alkyl group is not more than 4 carbon atoms, and preferably a methyl group.

또한, 실록산 단위 (B-1)의 적합 형태로서는 고온 처리 조건하에 있어서의 실리콘 수지의 분해가 보다 억제되는 점에서, R5 또는 R6의 한쪽이 메틸기이고, 다른 쪽이 비닐기인 형태를 들 수 있다.The preferred form of the siloxane unit (B-1) is a form in which one of R 5 and R 6 is a methyl group and the other is a vinyl group in that decomposition of the silicone resin under high temperature treatment conditions is further suppressed have.

실록산 단위 (B-2) 중, R5와 R6 모두 탄소수 4 이하의 알킬기이고, 바람직하게는 메틸기이다.In the siloxane unit (B-2), both of R 5 and R 6 are alkyl groups having not more than 4 carbon atoms, preferably a methyl group.

실록산 단위 (B)가 실록산 단위 (B-1)과 실록산 단위 (B-2)를 포함하는 경우, 전체 실록산 단위 (B)에 대한 실록산 단위 (B-1)의 비율인 [실록산 단위 (B-1)]/[실록산 단위 (B-1)+실록산 단위 (B-2)]는 특별히 제한되지 않지만, 경화성 오르가노폴리실록산 간에서의 경화가 보다 진행되고, 고온 처리 조건하에 있어서의 실리콘 수지의 분해가 보다 억제됨과 함께 제2 실리콘 수지층(32)의 제1 실리콘 수지층(14)에 대한 밀착성 및 박리성이 보다 우수한 점에서 30 내지 80몰%가 바람직하고, 40 내지 60몰%가 보다 바람직하다.When the siloxane unit (B) contains the siloxane unit (B-1) and the siloxane unit (B-2), the ratio of the siloxane unit (B- 1)] / [siloxane unit (B-1) + siloxane unit (B-2)]] is not particularly limited, but the curing in the curable organopolysiloxane is further progressed, Is preferably from 30 to 80 mol%, more preferably from 40 to 60 mol%, from the viewpoint that the adhesion and releasability of the second silicone resin layer (32) to the first silicone resin layer (14) Do.

또한, 경화성 오르가노폴리실록산은 전술한 실록산 단위 (A) 및 실록산 단위 (B) 이외의 다른 실록산 단위(예를 들어 M 단위, T 단위, Q 단위)를 포함하고 있어도 된다. 그러나, 분지를 갖는 단위(T 단위나 Q 단위)가 많이 존재하면 경화물(실리콘 수지)의 유연성이 저하되고, M 단위가 많이 존재하면 수 평균 분자량이 낮은 중합체가 되어 내열성 등의 물성이 저하될 우려가 있다. 따라서, 이들의 수는 적은 쪽이 바람직하고, 후술하는 바와 같이 D 단위(실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)) 이외의 단위의 함유량은 0 내지 20몰%가 바람직하고, 0 내지 5몰%가 보다 바람직하다.In addition, the curable organopolysiloxane may contain siloxane units (for example, M units, T units and Q units) other than the above-mentioned siloxane unit (A) and siloxane unit (B). However, if there are many units having branches (T units or Q units), the flexibility of the cured product (silicone resin) is lowered, and if a large number of M units are present, a polymer having a low number average molecular weight becomes a polymer, There is a concern. Therefore, as described later, the content of units other than D units (siloxane unit (A) and siloxane unit (B)) is preferably 0 to 20 mol%, more preferably 0 to 5 mol % Is more preferable.

경화성 오르가노폴리실록산으로서 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)를 포함하면 유연성이 높고, 제1 실리콘 수지층(14)에 대한 제2 실리콘 수지층(32)의 밀착성이 양호하다. 또한, 경화성이 향상되고, 고온 처리 조건하에 있어서의 경화물(실리콘 수지)의 분해가 보다 억제된다.When the siloxane unit (A) and the siloxane unit (B) are contained as the curable organopolysiloxane, the flexibility is high and the adhesion of the second silicone resin layer 32 to the first silicone resin layer 14 is good. In addition, the curability is improved and decomposition of the cured product (silicone resin) under high temperature treatment conditions is further suppressed.

경화성 오르가노폴리실록산 중에 있어서의 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)의 합계에 대한 실록산 단위 (A)의 비율은 고온 처리 조건하에 있어서의 실리콘 수지의 분해가 보다 억제됨과 함께 제2 실리콘 수지층(32)의 제1 실리콘 수지층(14)에 대한 밀착성 및 박리성이 보다 우수한 점에서 10 내지 90몰%가 바람직하고, 30 내지 90몰%가 보다 바람직하고, 40 내지 60몰%가 더욱 바람직하다.The ratio of the siloxane unit (A) to the total of the siloxane unit (A) and the siloxane unit (B) in the curable organopolysiloxane is such that the decomposition of the silicone resin under high temperature treatment conditions is further suppressed, Is preferably 10 to 90 mol%, more preferably 30 to 90 mol%, still more preferably 40 to 60 mol% in view of better adhesion and peelability to the first silicone resin layer (14) Do.

또한, 경화성 오르가노폴리실록산 중의 전체 실록산 단위에 대한 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)의 합계의 비율은 고온 처리 조건하에 있어서의 실리콘 수지의 분해가 보다 억제됨과 함께 제2 실리콘 수지층(32)의 제1 실리콘 수지층(14)에 대한 밀착성 및 박리성이 보다 우수한 점에서 80 내지 100몰%가 바람직하고, 95 내지 100몰%가 보다 바람직하다.In addition, the ratio of the sum of the siloxane unit (A) and the siloxane unit (B) to the total siloxane units in the curable organopolysiloxane is such that the decomposition of the silicone resin under the high temperature treatment condition is further suppressed and the second silicone resin layer 32 Is preferably from 80 to 100 mol%, more preferably from 95 to 100 mol%, from the viewpoint of better adhesion to the first silicone resin layer (14) and peelability.

또한, 경화성 오르가노폴리실록산 중에 있어서의 실록산 단위 (A) 및 실록산 단위 (B)의 결합 형식은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 랜덤 공중합체, 블록 공중합체, 교호 공중합체 중 어느 것이어도 된다. 그 중에서도 고온 처리 조건하에 있어서의 실리콘 수지의 분해가 보다 억제되는 점에서 교호 공중합체가 바람직하다.The bonding type of the siloxane unit (A) and the siloxane unit (B) in the curable organopolysiloxane is not particularly limited, and may be, for example, a random copolymer, a block copolymer, or an alternating copolymer. Among them, an alternating copolymer is preferable in that decomposition of the silicone resin under high-temperature treatment conditions is further suppressed.

본 발명에 있어서 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)의 교호 공중합체란 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)의 결합이 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (A)의 결합 및 실록산 단위 (B)와 실록산 단위 (B)의 결합의 합계보다도 훨씬 많은 공중합체를 의미한다. 이들 3종의 결합은 예를 들어 1H NMR 측정 및 29Si NMR 측정에 의해 구별할 수 있고, 그 측정에 의해 이들 결합의 상대적인 수의 비율을 계산할 수 있다. 본 발명에 있어서의 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)의 교호 공중합체는 소수의 랜덤 결합 부분이나 블록 결합 부분을 포함하고 있어도 된다. 교호 공중합체에 있어서의 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)의 결합의 비율은 상기 3종의 결합의 합계에 대하여 80 내지 100몰%가 바람직하고, 90 내지 100몰%가 보다 바람직하고, 95 내지 100몰%가 더욱 바람직하다. 또한, 교호 공중합체인지 여부를 구별하는 것은 아니지만, 본 발명에 있어서의 경화성 오르가노폴리실록산이 교호 공중합체인 경우, 그 교호 공중합체에 있어서의 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)의 합계에 대한 실록산 단위 (A)의 비율은 50±5몰%가 바람직하다.In the present invention, the alternating copolymer of the siloxane unit (A) and the siloxane unit (B) means that the combination of the siloxane unit (A) and the siloxane unit (B) (B) and the siloxane unit (B). The combination of these three species can be distinguished, for example, by 1 H NMR measurement and 29 Si NMR measurement, and by the measurement, the ratio of the relative number of these bonds can be calculated. The alternating copolymer of the siloxane unit (A) and the siloxane unit (B) in the present invention may contain a small number of random bonding portions or block bonding portions. The ratio of the siloxane unit (A) to the siloxane unit (B) in the alternating copolymer is preferably from 80 to 100 mol%, more preferably from 90 to 100 mol% based on the total of the three kinds of bonds, And more preferably 95 to 100 mol%. In the case where the curable organopolysiloxane of the present invention is an alternating copolymer, the siloxane unit (A) and the siloxane unit (B) in the alternate copolymer are not distinguished from each other in terms of the total amount of the siloxane unit The ratio of the unit (A) is preferably 50 ± 5 mol%.

또한, 본 발명에 있어서의 교호 공중합체는 1종의 실리콘 수지여도 되고, 또한 2종 이상의 실리콘 수지를 혼합하여 실록산 단위 (A)와 실록산 단위 (B)의 결합의 비율이 상기한 바람직한 비율이 되도록 조정하여 얻어도 된다.The alternating copolymer in the present invention may be one kind of silicone resin, or two or more kinds of silicone resins may be mixed so that the ratio of the bonding of the siloxane unit (A) to the siloxane unit (B) becomes the above preferable ratio .

경화성 오르가노폴리실록산의 수 평균 분자량은 특별히 제한되지 않지만, 취급성이 우수함과 함께 성막성도 우수하고, 고온 처리 조건하에 있어서의 실리콘 수지의 분해가 보다 억제되는 점에서, GPC(겔 투과 크로마토그래피) 측정에 의한 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량은 5,000 내지 30,000이 바람직하고, 5,000 내지 15,000이 보다 바람직하다.The number average molecular weight of the curable organopolysiloxane is not particularly limited, but it is excellent in handleability, and also has excellent film forming properties and further suppresses decomposition of the silicone resin under high temperature treatment conditions. Thus, the gel permeation chromatography (GPC) The number average molecular weight in terms of polystyrene is preferably 5,000 to 30,000, more preferably 5,000 to 15,000.

경화성 오르가노폴리실록산의 수 평균 분자량의 조절은 반응 조건을 제어함으로써 행할 수 있다. 예를 들어 말단기 양이나 종류, 또한 단량체 혼합 비율을 변경함으로써 분자량을 제어할 수 있다. 말단기 양을 많게 하면 저분자량물이 얻어지고, 양을 적게 하면 고분자량물이 얻어진다. 또한, 단량체 비율을 치우치게 하면 저분자량물이 얻어지고, 비율을 동등하게 하면 고분자량물이 얻어진다.The number average molecular weight of the curable organopolysiloxane can be controlled by controlling the reaction conditions. For example, the molecular weight can be controlled by changing the end group amount, type, and monomer mixture ratio. When the amount of the terminal group is increased, a low molecular weight material is obtained, while when the amount is decreased, a high molecular weight material is obtained. When the monomer ratio is shifted, a low molecular weight material is obtained, and when the ratio is made equal, a high molecular weight material is obtained.

전술한 식 (1)로 표시되는 실록산 단위 (A) 및 식 (2)로 표시되는 실록산 단위 (B)를 포함하는 경화성 오르가노폴리실록산의 제조 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어 식 (3)으로 표시되는 실란 화합물 및 식 (4)로 표시되는 실란 화합물을 축합 반응이나 가수분해·축합 반응으로 중합시켜 제조할 수 있다. 또한 다른 실록산 단위를 갖는 경화성 오르가노폴리실록산은 실라놀기나 가수분해성 기를 1개 이상 갖는 실란 화합물을 사용하여 제조할 수 있다. 중합 반응은 통상 불활성 용매 중에서 행하여지고, 무촉매하, 가열만으로 반응시킬 수 있다. 필요에 따라 반응 촉매를 사용할 수도 있다.The method for producing the curable organopolysiloxane containing the siloxane unit (A) represented by the above-mentioned formula (1) and the siloxane unit (B) represented by the formula (2) is not particularly limited. For example, by polymerizing a silane compound represented by the formula (3) and a silane compound represented by the formula (4) by a condensation reaction or a hydrolysis-condensation reaction. The curable organopolysiloxane having another siloxane unit can also be prepared by using a silanol compound or a silane compound having at least one hydrolyzable group. The polymerization reaction is usually carried out in an inert solvent, and the reaction can be carried out only by heating in the absence of a catalyst. A reaction catalyst may be used if necessary.

상기 경화성 오르가노폴리실록산의 제조 방법은 기본적으로 공지이고, 예를 들어 일본 특허 공개 평9-59387호 공보, 일본 특허 공개 2008-280402호 공보에 기재되어 있다. 본 발명에 있어서의 경화성 오르가노폴리실록산이나 그 제조 방법은 이러한 공지 문헌에 기재된 것을 사용할 수 있다.The production method of the curable organopolysiloxane is basically known, and is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 9-59387 and 2008-280402. The curable organopolysiloxane and its production method in the present invention may be those described in these known documents.

Figure pct00006
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식 (3) 및 식 (4) 중, R1 내지 R6은 식 (1) 및 식 (2) 중의 R1 내지 R6과 동의이다.Formula (3) and (4) of, R 1 to R 6 is R 1 to R 6 and copper in the formula (1) and (2).

식 (3) 중, X, Y는 각각 독립적으로 수산기 또는 가수분해성 기(예를 들어 아미노기, 모노알킬아미노기, 디알킬아미노기 등의 1 내지 3급의 아미노기, 할로겐기, 알콕시기 등)를 나타낸다.In the formula (3), X and Y each independently represent a hydroxyl group or a hydrolysable group (for example, an amino group, a halogen group, an alkoxy group or the like of a primary to tertiary amino group such as an amino group, a monoalkylamino group or a dialkylamino group).

교호 공중합체는 반응성이 상이한 2종의 단량체를 중합시킴으로써 얻을 수 있다. 예를 들어 실록산 단위 (A)가 되는 상기 식 (3)으로 표시되는 실란 화합물의 중합 반응성 기인 X와 실록산 단위 (B)가 되는 상기 식 (4)로 표시되는 실란 화합물의 중합 반응성 기인 Y의 상호의 반응성이, X끼리의 반응성과 Y끼리의 반응성의 어느 것보다도 높아지는 것을 선택하여 상기 2종의 실란 화합물의 실질적으로 등몰량을 반응시킴으로써 교호 공중합체를 제조할 수 있다. X와 Y의 반응성이 X끼리의 반응성과 Y끼리의 반응성의 어느 것보다도 보다 높은 것으로 함으로써, 랜덤 결합 부분이나 블록 결합 부분이 보다 적은 교호 공중합체가 얻어진다.The alternating copolymer can be obtained by polymerizing two kinds of monomers having different reactivity. For example, the ratio X of the polymerization reactive group of the silane compound represented by the formula (3) to be the siloxane unit (A) and the Y of the polymerization reactive group of the silane compound represented by the formula (4) serving as the siloxane unit (B) Is selected to be higher than the reactivity between X and the reactivity between Y, and the alternating copolymer is produced by reacting substantially equimolar amounts of the two silane compounds. When the reactivity of X and Y is higher than that of reactivity between X and Y, reactivity of X and Y is higher than that of reactivity between X and Y, whereby an alternating copolymer with less random bonding portion or less block bonding portion is obtained.

교호 공중합체를 제조하는 경우, X와 Y의 한쪽이 수산기이고, 다른 쪽이 아미노기, 모노알킬아미노기, 디알킬아미노기 등의 1 내지 3급의 아미노기인 것이 바람직하다. 특히, 한쪽이 수산기이고 다른 쪽이 디알킬아미노기인 것이 바람직하고, X가 수산기이고 Y가 디알킬아미노기인 것이 보다 바람직하다. 또한, 모노알킬아미노기나 디알킬아미노기에 있어서의 알킬기는 탄소수 4 이하의 알킬기가 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.When an alternate copolymer is produced, it is preferable that one of X and Y is a hydroxyl group and the other is a primary to tertiary amino group such as an amino group, a monoalkylamino group, and a dialkylamino group. In particular, it is preferable that one is a hydroxyl group and the other is a dialkylamino group, more preferably X is a hydroxyl group and Y is a dialkylamino group. The alkyl group in the monoalkylamino group or dialkylamino group is preferably an alkyl group having 4 or less carbon atoms, and a methyl group is particularly preferable.

오르가노폴리실록산의 교호 공중합체나 그 제조 방법은 기본적으로 공지이고, 예를 들어 Macromolecules 1998, 31, 8501 또는 Journal of Applied Polymer Science, Vol. 106, 1007, 2007에 오르가노폴리실록산의 교호 공중합체나 그 제조 방법이 기재되어 있다. 본 발명에 있어서의 교호 공중합체나 그 제조 방법은 이들 공지 문헌에 기재된 것을 사용할 수 있다.Alternating copolymers of organopolysiloxanes and their preparation are basically known and are described, for example, in Macromolecules 1998, 31, 8501 or Journal of Applied Polymer Science, Vol. 106, 1007, 2007 describes alternating copolymers of organopolysiloxanes and their preparation. The alternate copolymer in the present invention and the production method thereof may be those described in these known documents.

구체적인 제조 방법으로서는 예를 들어 상기 식 (3)으로 표시되는 실란 화합물(X가 수산기인 것)의 유기 용매 용액과 상기 식 (4)로 표시되는 실란 화합물(Y가 디메틸아미노기인 것)의 유기 용매 용액을 양쪽 실란 화합물이 등몰량이 되는 비율로 혼합하여 가열 교반하면서 반응시키는 방법, 한쪽의 유기 용매 용액에 가열 교반하에 다른 쪽의 유기 용매 용액을 분할하여 또는 연속적으로 첨가하면서 반응시키는 방법 등으로 교호 공중합체를 제조할 수 있다.Specific examples of the preparation method include an organic solvent solution of a silane compound (X is a hydroxyl group) represented by the formula (3) and a silane compound (Y is a dimethylamino group) represented by the formula (4) A method in which the two silane compounds are mixed at a ratio equivalent to an equimolar amount and reacted while heating and stirring; and a method in which the other organic solvent solution is dividedly or continuously added to one of the organic solvent solutions under heating and stirring, Coalescence can be produced.

경화성 오르가노폴리실록산은 소정의 경화 반응을 통하여 경화하고, 실리콘 수지인 경화물이 된다. 경화(가교)의 형식은 특별히 제한되지 않고, 경화성 오르가노폴리실록산 중에 포함되는 경화성 기의 종류에 따라 적절히 공지된 형식을 채택할 수 있다. 예를 들어 히드로실릴화 반응, 실라놀기의 축합 반응 또는 가열 처리, 고에너지선 처리 또는 라디칼 중합 개시제에 의한 라디칼 반응 등을 들 수 있다.The curable organopolysiloxane cures through a predetermined curing reaction and becomes a cured product which is a silicone resin. The type of curing (crosslinking) is not particularly limited, and a well-known type can be adopted depending on the kind of the curable group contained in the curable organopolysiloxane. For example, a hydrosilylation reaction, condensation reaction or heat treatment of a silanol group, high energy ray treatment, or radical reaction with a radical polymerization initiator.

보다 구체적으로는 경화성 오르가노폴리실록산이 알케닐기 또는 알키닐기 등의 라디칼 반응성 기를 갖는 경우, 상기 라디칼 반응을 개재한 라디칼 반응성 기끼리의 반응에 의해 가교하여 경화물(실리콘 수지)이 된다.More specifically, when the curable organopolysiloxane has a radical reactive group such as an alkenyl group or an alkynyl group, the radical reactive group through the radical reaction is crosslinked by a reaction between them to form a cured product (silicone resin).

또한, 경화성 오르가노폴리실록산이 실라놀기를 갖는 경우, 실라놀기끼리의 축합 반응에 의해 가교하여 경화물이 된다.When the curable organopolysiloxane has a silanol group, the silanol groups are crosslinked by a condensation reaction to form a cured product.

또한, 경화성 오르가노폴리실록산이 알케닐기 또는 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 경우, 히드로실릴화 촉매(예를 들어 백금계 촉매)의 존재하, 히드로실릴화 반응에 의해 가교하여 경화물이 된다.In addition, when the curable organopolysiloxane has an alkenyl group or a hydrogen atom bonded to a silicon atom, it is crosslinked by a hydrosilylation reaction in the presence of a hydrosilylation catalyst (for example, a platinum catalyst) to form a cured product.

상기 경화 형식 중에서도 반응에 의한 부생성물의 발생이 억제되고, 보다 치밀하고 내열성이 우수한 실리콘 수지가 얻어지는 점에서 라디칼 반응을 개재한 형식이 바람직하다.Among these curing types, a radical reaction type is preferable in that generation of by-products due to the reaction is suppressed, and a more densified and highly heat-resistant silicone resin can be obtained.

또한, 경화 반응시에는 2종 이상의 식 (1)로 표시되는 실록산 단위 (A) 및 식 (2)로 표시되는 실록산 단위 (B)를 포함하는 경화성 오르가노폴리실록산을 병용하여도 되고, 또한 식 (1)로 표시되는 실록산 단위 (A) 및 식 (2)로 표시되는 실록산 단위 (B)를 포함하는 경화성 오르가노폴리실록산 이외의 다른 경화성 오르가노폴리실록산을 병용하여도 된다.At the time of the curing reaction, two or more types of curable organopolysiloxanes containing a siloxane unit (A) represented by the formula (1) and a siloxane unit (B) represented by the formula (2) Other curing organopolysiloxanes other than the curable organopolysiloxane containing the siloxane unit (A) represented by the formula (1) and the siloxane unit (B) represented by the formula (2) may be used in combination.

또한, 이하 경화성 오르가노폴리실록산을 경화시켜 경화물인 실리콘 수지를 형성하는 것을 간단히 경화성 오르가노폴리실록산의 경화라고 한다.Further, the curing of the curable organopolysiloxane to form a cured silicone resin is hereinafter simply referred to as curing of the curable organopolysiloxane.

(제2 실리콘 수지층(32)의 제조 방법)(Manufacturing Method of Second Silicon Resin Layer 32)

제2 실리콘 수지층(32)의 제조 방법은 특별히 제한되지 않지만, 전술한 바와 같이 경화성 오르가노폴리실록산을 지지 유리판(30) 표면에서 경화시키면, 경화 반응시의 지지 유리판(30) 표면과의 상호 작용에 의해 접착하고, 제2 실리콘 수지층(32)과 지지 유리판(30) 표면의 박리 강도는 높아진다고 생각된다.The method of producing the second silicone resin layer 32 is not particularly limited. However, when the curable organopolysiloxane is cured on the surface of the support glass plate 30 as described above, the interaction with the surface of the support glass plate 30 during the curing reaction And the peel strength between the surface of the second silicon resin layer 32 and the surface of the support glass plate 30 is considered to be high.

이하, 경화성 오르가노폴리실록산의 층을 지지 유리판(30)의 표면에 형성하고, 지지 유리판(30) 표면 상에서 경화성 오르가노폴리실록산을 경화시켜 제2 실리콘 수지층(32)을 형성하는 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, with respect to the procedure of the step of forming the layer of the curable organopolysiloxane on the surface of the support glass plate 30 and forming the second silicone resin layer 32 by curing the curable organopolysiloxane on the surface of the support glass plate 30 Will be described in detail.

본 공정에서는 경화성 오르가노폴리실록산의 층을 지지 유리판(30)의 표면에 형성하고, 지지 유리판(30) 표면 상에서 경화성 오르가노폴리실록산을 경화시켜 제2 실리콘 수지층(32)을 형성한다.In this step, a layer of a curable organopolysiloxane is formed on the surface of the support glass plate 30, and a second silicone resin layer 32 is formed by curing the curable organopolysiloxane on the surface of the support glass plate 30.

지지 유리판(30) 상에 경화성 오르가노폴리실록산의 층을 형성하기 위해서는 경화성 오르가노폴리실록산을 용매에 용해시킨 코팅용 조성물을 사용하고, 이 조성물을 지지 유리판(30) 상에 도포하여 용액의 층을 형성하고, 계속해서 용매를 제거하여 경화성 오르가노폴리실록산의 층으로 하는 것이 바람직하다. 조성물 중에 있어서의 경화성 오르가노폴리실록산의 농도 조정 등에 의해 경화성 오르가노폴리실록산의 층의 두께를 제어할 수 있다.In order to form a layer of the curable organopolysiloxane on the supporting glass plate 30, a coating composition in which a curable organopolysiloxane is dissolved in a solvent is used, and this composition is coated on a supporting glass plate 30 to form a layer of a solution And then the solvent is removed to form a curable organopolysiloxane layer. The thickness of the layer of the curable organopolysiloxane can be controlled by adjusting the concentration of the curable organopolysiloxane in the composition.

용매로서는 작업 환경하에서 경화성 오르가노폴리실록산을 용이하게 용해할 수 있고, 또한 용이하게 휘발 제거시킬 수 있는 용매라면 특별히 한정되는 것은 아니다. 구체적으로는 예를 들어 톨루엔, 크실렌, THF, 클로로포름 등을 예시할 수 있다.The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent capable of easily dissolving the curable organopolysiloxane in the working environment and easily removing volatilization. Specific examples thereof include toluene, xylene, THF, chloroform, and the like.

지지 유리판(30) 표면 상에 경화성 오르가노폴리실록산을 포함하는 조성물을 도포하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어 스프레이 코팅법, 다이 코팅법, 스핀 코팅법, 딥 코팅법, 롤 코팅법, 바 코팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코팅법 등을 들 수 있다.The method of applying the composition containing the curable organopolysiloxane on the surface of the support glass plate 30 is not particularly limited and a known method can be used. For example, a spray coating method, a die coating method, a spin coating method, a dip coating method, a roll coating method, a bar coating method, a screen printing method and a gravure coating method.

계속해서, 지지 유리판(30) 상의 경화성 오르가노폴리실록산을 경화시켜 제2 실리콘 수지층(32)을 형성한다.Subsequently, the curable organopolysiloxane on the support glass plate 30 is cured to form the second silicone resin layer 32. [

경화의 방법은 전술한 바와 같이 경화성 오르가노폴리실록산의 경화 형식 (가교 형식)에 따라 적절히 최적의 방법이 선택된다. 그 중에서도 경화성 오르가노폴리실록산이 라디칼 중합성 기를 갖는 경우, 제1 실리콘 수지층(14)에 대한 밀착성 및 내열성이 우수한 실리콘 수지가 얻어지는 점에서 열경화에 의해 제2 실리콘 수지층(32)을 제조하는 것이 바람직하다. 이하, 열경화의 형태에 대하여 상세하게 설명한다.The method of curing is appropriately selected in accordance with the curing type (crosslinking type) of the curable organopolysiloxane as described above. Particularly, when the curable organopolysiloxane has a radically polymerizable group, the second silicone resin layer 32 is produced by thermal curing because a silicone resin excellent in adhesion and heat resistance to the first silicone resin layer 14 can be obtained . Hereinafter, the form of thermosetting will be described in detail.

경화성 오르가노폴리실록산을 열경화시키는 온도 조건은 제2 실리콘 수지층(32)의 내열성을 향상시키고, 제2 실리콘 수지층(32)과 적층 후의 박리 강도를 상기와 같이 제어할 수 있는 범위 내에서 특별히 제한되지 않지만, 300 내지 475℃가 바람직하고, 350 내지 450℃가 보다 바람직하다. 또한, 가열 시간은 통상 10 내지 300분이 바람직하고, 20 내지 120분이 보다 바람직하다.The temperature condition for thermally curing the curable organopolysiloxane is such that the heat resistance of the second silicone resin layer 32 is improved and the peeling strength after lamination with the second silicone resin layer 32 is specifically restricted within the range But is preferably 300 to 475 DEG C, more preferably 350 to 450 DEG C. [ The heating time is preferably 10 to 300 minutes, more preferably 20 to 120 minutes.

또한, 경화성 오르가노폴리실록산은 프리 큐어(예비 경화)를 행한 후 경화(본 경화)를 행하여 경화시키는 것이 바람직하다. 프리 큐어를 행함으로써 내열성이 우수한 제2 실리콘 수지층(32)을 얻을 수 있다. 프리 큐어는 용매의 제거에 이어서 행하는 것이 바람직하고, 이 경우 층으로부터 용매를 제거하여 경화성 오르가노폴리실록산의 층을 형성하는 공정과 프리 큐어를 행하는 공정은 특별히 구별되지 않는다. 용매의 제거는 100℃ 이상으로 가열하여 행하는 것이 바람직하고, 150℃ 이상으로 가열함으로써 계속해서 프리 큐어를 행할 수 있다. 용매의 제거와 프리 큐어를 행하는 온도 및 가열 시간은 100 내지 420℃, 5 내지 60분이 바람직하고, 150 내지 300℃, 10 내지 30분이 보다 바람직하다. 420℃ 이하이면 박리 용이한 제2 실리콘 수지층(32)이 얻어진다.It is also preferable that the curable organopolysiloxane is cured by performing pre-curing (pre-curing) and then curing (final curing). The second silicone resin layer 32 having excellent heat resistance can be obtained by performing the pre-curing. The pre-cure is preferably carried out subsequent to the removal of the solvent. In this case, the step of forming the layer of the curable organopolysiloxane by removing the solvent from the layer and the step of performing the precure are not particularly distinguished. The removal of the solvent is preferably performed by heating to 100 DEG C or higher, and the precure can be continuously performed by heating to 150 DEG C or higher. The temperature and the heating time for removing the solvent and precuring are preferably 100 to 420 DEG C and 5 to 60 minutes, more preferably 150 to 300 DEG C for 10 to 30 minutes. When the temperature is lower than 420 DEG C, the second silicone resin layer 32 is easily peeled off.

[부재 딸린 유리 기판 및 그 제조 방법][Glass substrate with member and method of manufacturing the same]

본 발명에 있어서는 전술한 유리 적층체(유리 적층체(10), 유리 적층체(100) 또는 유리 적층체(200))를 이용하여 전자 디바이스를 제조할 수 있다.In the present invention, the above-described glass laminate (glass laminate (10), glass laminate (100), or glass laminate (200)) can be used to manufacture an electronic device.

이하에서는 전술한 유리 적층체(10)를 이용한 형태에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the mode using the above-described glass laminate 10 will be described in detail.

유리 적층체(10)를 이용함으로써, 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 포함하는 부재 딸린 유리 기판(전자 디바이스용 부재 딸린 유리 기판)이 제조된다.By using the glass laminate 10, a glass substrate (a glass substrate with a member for an electronic device) containing a glass substrate and a member for an electronic device is manufactured.

해당 부재 딸린 유리 기판의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 전자 디바이스의 생산성이 우수한 점으로부터, 상기 유리 적층체 중의 유리 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체를 제조하고, 얻어진 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체로부터 실리콘 수지층의 유리 기판측 계면을 박리면으로 하여 부재 딸린 유리 기판과 수지층 딸린 지지 기재로 분리하는 방법이 바람직하다.The method of manufacturing the glass substrate with the member is not particularly limited. However, from the point of view of the excellent productivity of the electronic device, the electronic device member is formed on the glass substrate in the glass laminate, It is preferable that the glass substrate side of the silicon resin layer is peeled off from the obtained laminated body for electronic devices to separate the glass substrate with the member and the supporting substrate with resin layer.

이하, 상기 유리 적층체 중의 유리 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체를 제조하는 공정을 부재 형성 공정, 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체로부터 실리콘 수지층의 유리 기판측 계면을 박리면으로 하여 부재 딸린 유리 기판과 수지층 딸린 지지 기재로 분리하는 공정을 분리 공정이라고 한다.Hereinafter, the step of forming the electronic device member on the glass substrate in the glass laminate to produce the laminated body for the electronic device is referred to as a member forming step, a step of forming a glass substrate side interface of the silicon resin layer The step of separating the glass substrate with the member into the supporting substrate with the resin layer is referred to as a separation step.

이하에 각 공정에서 사용되는 재료 및 수순에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, materials and procedures used in each step will be described in detail.

(부재 형성 공정)(Member forming process)

부재 형성 공정은 상기 적층 공정에 있어서 얻어진 유리 적층체(10) 중의 유리 기판(16) 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하는 공정이다. 보다 구체적으로는 도 2의 (C)에 도시한 바와 같이 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)(노출 표면) 상에 전자 디바이스용 부재(22)를 형성하고, 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(24)를 얻는다.The member forming step is a step of forming an electronic device member on the glass substrate 16 in the glass laminate 10 obtained in the laminating step. More specifically, as shown in Fig. 2C, the electronic device member 22 is formed on the second main surface 16b (exposed surface) of the glass substrate 16, (24).

먼저, 본 공정에서 사용되는 전자 디바이스용 부재(22)에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.First, the electronic device member 22 used in the present step will be described in detail, and the procedure of the subsequent steps will be described in detail.

(전자 디바이스용 부재(기능성 소자))(Member for electronic device (functional element))

전자 디바이스용 부재(22)는 유리 적층체(10) 중의 유리 기판(16) 상에 형성되어 전자 디바이스의 적어도 일부를 구성하는 부재이다. 보다 구체적으로는 전자 디바이스용 부재(22)로서는 표시 장치용 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지 또는 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품 등에 이용되는 부재(예를 들어 표시 장치용 부재, 태양 전지용 부재, 박막 2차 전지용 부재, 전자 부품용 회로)를 들 수 있다.The member 22 for the electronic device is a member formed on the glass substrate 16 in the glass laminate 10 and constituting at least a part of the electronic device. More specifically, the electronic device member 22 may be a member used for a display device panel, a solar cell, a thin-film secondary battery, or an electronic component such as a semiconductor wafer on which a circuit is formed (for example, Member for a battery, member for a thin film secondary battery, circuit for an electronic part).

예를 들어 태양 전지용 부재로서는 실리콘형에서는 정극의 산화주석 등 투명 전극, p층/i층/n층으로 표시되는 실리콘층 및 부극의 금속 등을 들 수 있고, 그 외에 화합물형, 색소 증감형, 양자 도트형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.For example, as a member for a solar cell, a transparent electrode such as a tin oxide of a positive electrode in a silicon type, a silicon layer and a metal of a negative electrode which are represented by p layer / i layer / n layer, And various members corresponding to a quantum dot type or the like.

또한, 박막 2차 전지용 부재로서는 리튬 이온형에서는 정극 및 부극의 금속 또는 금속 산화물 등의 투명 전극, 전해질층의 리튬 화합물, 집전층의 금속, 밀봉층으로서의 수지 등을 들 수 있고, 그 외에 니켈 수소형, 중합체형, 세라믹스 전해질형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.Examples of members for a thin film secondary battery include a transparent electrode such as a metal or a metal oxide of a positive electrode and a negative electrode in a lithium ion type, a lithium compound in an electrolyte layer, a metal in a current collecting layer, a resin as a sealing layer, Various members corresponding to small size, polymer type, ceramics electrolyte type, and the like.

또한, 전자 부품용 회로로서는 CCD나 CMOS에서는 도전부의 금속, 절연부의 산화규소나 질화규소 등을 들 수 있고, 그 외에 압력 센서·가속도 센서 등 각종 센서나 리지드 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 리지드 플렉시블 프린트 기판 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.As a circuit for an electronic component, a metal of a conductive part, a silicon oxide of an insulating part and silicon nitride can be cited in a CCD or a CMOS. In addition, various sensors such as a pressure sensor and an acceleration sensor, a rigid printed board, a flexible printed board, And the like.

(공정의 수순)(Process procedure)

전술한 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(24)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 전자 디바이스용 부재의 구성 부재의 종류에 따라 종래 공지된 방법으로 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 표면 상에 전자 디바이스용 부재(22)를 형성한다.The method of manufacturing the laminated body 24 for electronic devices described above is not particularly limited and may be carried out by a conventionally known method depending on the type of the constituent members of the electronic device member, And the member 22 for an electronic device is formed on the surface of the second main surface 16b.

또한, 전자 디바이스용 부재(22)는 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 최종적으로 형성되는 부재의 전부(이하, 「전체 부재」라고 함)가 아니라 전체 부재의 일부(이하, 「부분 부재」라고 함)여도 된다. 실리콘 수지층(14)으로부터 박리된 부분 부재 딸린 유리 기판을 그 후의 공정에서 전체 부재 딸린 유리 기판(후술하는 전자 디바이스에 상당)으로 할 수도 있다.The electronic device member 22 is not limited to all of the members finally formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 (hereinafter referred to as &quot;Quot; partial member &quot;). The glass substrate with the partial members peeled off from the silicon resin layer 14 may be made a glass substrate (corresponding to an electronic device described later) with all the members in the subsequent steps.

또한, 실리콘 수지층(14)으로부터 박리된 전체 부재 딸린 유리 기판에는 그 박리면(제1 주면(16a))에 다른 전자 디바이스용 부재가 형성되어도 된다. 또한, 전체 부재 딸린 적층체를 조립하고, 그 후 전체 부재 딸린 적층체로부터 지지 기재(12)를 박리하여 전자 디바이스를 제조할 수도 있다. 또한, 전체 부재 딸린 적층체를 2장 이용하여 조립하고, 그 후 전체 부재 딸린 적층체로부터 2매의 지지 기재(12)를 박리하여 2매의 유리 기판을 갖는 부재 딸린 유리 기판을 제조할 수도 있다.Further, another electronic device member may be formed on the peeling surface (first main surface 16a) of the glass substrate with the entire member peeled off from the silicon resin layer 14. [ Alternatively, the electronic device may be manufactured by assembling the laminated body having the entire members, and thereafter peeling the supporting substrate 12 from the laminated body with the entire members. Further, it is also possible to manufacture a glass substrate with two glass substrates by assembling two glass substrates with two glass substrates, by peeling the two glass substrates from the entire stacked member .

예를 들어 OLED를 제조하는 경우를 예로 들면 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 실리콘 수지층(14)측과는 반대측의 표면 상(유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 해당)에 유기 EL 구조체를 형성하기 위해서 투명 전극을 형성하고, 또한 투명 전극을 형성한 면 상에 홀 주입층·홀 수송층·발광층·전자 수송층 등을 증착하고, 이면 전극을 형성하고, 밀봉판을 이용하여 밀봉하는 등의 각종 층 형성이나 처리가 행하여진다. 이들 층 형성이나 처리로서 구체적으로는 예를 들어 성막 처리, 증착 처리, 밀봉판의 접착 처리 등을 들 수 있다.For example, in the case of manufacturing an OLED, for example, the surface of the glass laminate 10 opposite to the side of the silicon resin layer 14 of the glass substrate 16 (the second main surface 16b of the glass substrate 16) , A hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and the like are deposited on a surface on which a transparent electrode is formed to form an organic EL structure, a back electrode is formed, And various layers such as sealing are formed and processed. Specific examples of such layer formation and treatment include film forming treatment, vapor deposition treatment, and adhesion treatment of a sealing plate.

또한, 예를 들어 TFT-LCD를 제조하는 경우에는 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 상에 레지스트액을 이용하여 CVD법 및 스패터법 등 일반적인 성막법에 의해 형성되는 금속막 및 금속 산화막 등에 패턴 형성하여 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 TFT 형성 공정과, 별도의 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 상에 레지스트액을 패턴 형성에 이용하여 컬러 필터(CF)를 형성하는 CF 형성 공정과, TFT 형성 공정에서 얻어진 TFT 딸린 적층체와 CF 형성 공정에서 얻어진 CF 딸린 적층체를 적층하는 접합 공정 등의 각종 공정을 갖는다.In the case of manufacturing a TFT-LCD, for example, a TFT-LCD may be manufactured by a general film forming method such as a CVD method and a sputtering method using a resist solution on the second main surface 16b of the glass substrate 16 of the glass laminate 10 A TFT forming step of forming a thin film transistor (TFT) by forming a pattern on a metal film and a metal oxide film to be formed on the glass substrate 16; A CF forming step of forming a color filter CF by use of a pattern and a bonding step of laminating the CF deposited laminate obtained in the TFT deposited laminate and the CF forming step obtained in the TFT forming step.

TFT 형성 공정이나 CF 형성 공정에서는 주지의 포토리소그래피 기술이나 에칭 기술 등을 이용하여 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 TFT나 CF를 형성한다. 이때 패턴 형성용 코팅액으로서 레지스트액이 이용된다.In the TFT forming step and the CF forming step, TFTs or CFs are formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 by well-known photolithography or etching techniques. At this time, a resist solution is used as the coating liquid for pattern formation.

또한, TFT나 CF를 형성하기 전에 필요에 따라 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)을 세정하여도 된다. 세정 방법으로서는 주지의 드라이 세정이나 웨트 세정을 이용할 수 있다.Further, the second main surface 16b of the glass substrate 16 may be cleaned before forming the TFT or CF, if necessary. As the cleaning method, well-known dry cleaning or wet cleaning can be used.

접합 공정에서는 TFT 딸린 적층체의 박막 트랜지스터 형성면과 CF 딸린 적층체의 컬러 필터 형성면을 대향시켜 밀봉제(예를 들어 셀 형성용 자외선 경화형 밀봉제)를 이용하여 접합한다. 그 후, TFT 딸린 적층체와 CF 딸린 적층체로 형성된 셀 내에 액정재를 주입한다. 액정재를 주입하는 방법으로서는 예를 들어 감압 주입법, 적하 주입법이 있다.In the bonding step, the thin film transistor formation surface of the TFT-laminated body and the color filter formation surface of the CF laminated body are opposed to each other using a sealing agent (for example, an ultraviolet curing type sealing agent for forming a cell). Thereafter, the liquid crystal material is injected into the cell formed of the stacked body including the TFT and the CF laminated body. As a method of injecting the liquid crystal material, for example, there are a reduced pressure injection method and a dropping injection method.

(분리 공정)(Separation step)

분리 공정은 도 2의 (D)에 도시한 바와 같이 상기 부재 형성 공정에서 얻어진 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(24)로부터 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면을 박리면으로 하여 전자 디바이스용 부재(22)가 적층한 유리 기판(16)(부재 딸린 유리 기판)과 실리콘 수지층(14) 및 지지 기재(12)로 분리하여 전자 디바이스용 부재(22) 및 유리 기판(16)을 포함하는 부재 딸린 유리 기판(26)을 얻는 공정이다.2 (D), the interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 is peeled off from the laminated body 24 for electronic devices, which is obtained in the member forming step The electronic device member 22 and the glass substrate 16 are separated by the glass substrate 16 (the glass substrate with the member) on which the electronic device member 22 is laminated and the silicon resin layer 14 and the supporting substrate 12, To obtain a glass substrate (26) with a member.

박리시의 유리 기판(16) 상의 전자 디바이스용 부재(22)가 필요한 전체 구성 부재의 형성의 일부인 경우에는, 분리 후 나머지 구성 부재를 유리 기판(16) 상에 형성할 수도 있다.If the electronic device member 22 on the glass substrate 16 at the time of peeling is a part of the formation of all the necessary constituent members, the remaining constituent members may be formed on the glass substrate 16 after the detachment.

부재 딸린 유리 기판(26)과 수지층 딸린 지지 기재(18)를 박리하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는 예를 들어 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)의 계면에 예리한 칼날 형상의 것을 삽입하고, 박리의 계기를 부여한 후, 물과 압축 공기의 혼합 유체를 분사하거나 하여 박리할 수 있다. 바람직하게는 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(24)의 지지 기재(12)가 상측, 전자 디바이스용 부재(22)측이 하측이 되도록 정반 상에 설치하고, 전자 디바이스용 부재(22)측을 정반 상에 진공 흡착하고(양면에 지지 기재가 적층되어 있는 경우에는 순차 행함), 이 상태에서 먼저 칼날을 유리 기판(16)-실리콘 수지층(14) 계면에 칼날을 침입시킨다. 그리고, 그 후에 지지 기재(12)측을 복수의 진공 흡착 패드로 흡착하고, 칼날을 삽입한 개소 부근부터 차례로 진공 흡착 패드를 상승시킨다. 이렇게 하면 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면에 공기층이 형성되고, 이 공기층이 계면 전체면에 퍼져 수지층 딸린 지지 기재(18)를 용이하게 박리할 수 있다.The method of peeling the glass substrate 26 with the member and the supporting substrate 18 with the resin layer is not particularly limited. Specifically, for example, a sharp blade-like shape may be inserted into the interface between the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14, and after a moment of peeling is given, a mixed fluid of water and compressed air may be sprayed have. Preferably, the supporting substrate 12 of the laminated body 24 with the electronic device member is provided on the upper surface side and the electronic device member 22 side is disposed on the lower surface side, (In the case where the supporting base material is laminated on both sides), the blade is first introduced into the interface between the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14 in this state. Thereafter, the support substrate 12 side is adsorbed by a plurality of vacuum adsorption pads, and the vacuum adsorption pads are sequentially raised from the vicinity of the position where the blade is inserted. By doing so, an air layer is formed at the interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16, and this air layer spreads over the whole surface of the interface, so that the supporting base material 18 with the resin layer can be easily peeled off.

또한, 수지층 딸린 지지 기재(18)는 새로운 유리 기판과 적층하여 본 발명의 유리 적층체(10)를 제조할 수 있다.In addition, the resin laminated body 18 with the resin layer can be laminated with a new glass substrate to produce the glass laminate 10 of the present invention.

또한, 부재 딸린 유리 기판(26)과 수지층 딸린 지지 기재(18)를 박리할 때에는 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)의 계면에 박리 보조제를 분사하면서 박리하는 것이 바람직하다. 박리 보조제란 전술한 물 등의 용매를 의도한다. 사용되는 박리 보조제로서는 물이나 유기 용매(예를 들어 에탄올) 등 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있다.When peeling the glass substrate 26 with the member and the supporting base material 18 with the resin layer, it is preferable that the peeling is performed while spraying the release auxiliary agent to the interface between the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14. The release aid is intended to be a solvent, such as water, as described above. Examples of the release aid to be used include water, an organic solvent (for example, ethanol), a mixture thereof, and the like.

또한, 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(24)로부터 부재 딸린 유리 기판(26)을 분리할 때에는 이오나이저에 의한 분사나 습도를 제어함으로써 실리콘 수지층(14)의 단편이 부재 딸린 유리 기판(26)에 정전 흡착하는 것을 보다 억제할 수 있다.When separating the glass substrate 26 with the member from the laminated body 24 for electronic devices, the pieces of the silicone resin layer 14 are separated from the glass substrate 26 with the member by controlling the spraying and the humidity by the ionizer, It is possible to further suppress the electrostatic adsorption on the substrate.

전술한 부재 딸린 유리 기판(26)의 제조 방법은 휴대 전화나 PDA와 같은 모바일 단말기에 사용되는 소형의 표시 장치의 제조에 적합하다. 표시 장치는 주로 해서 LCD 또는 OLED이고, LCD로서는 TN형, STN형, FE형, TFT형, MIM형, IPS형, VA형 등을 포함한다. 기본적으로 패시브 구동형, 액티브 구동형의 어느 표시 장치의 경우에나 적용할 수 있다.The above-described method of manufacturing the glass substrate with the member 26 is suitable for manufacturing a small-sized display device used in a mobile terminal such as a cellular phone or a PDA. The display device is mainly an LCD or an OLED, and examples of the LCD include TN type, STN type, FE type, TFT type, MIM type, IPS type, VA type and the like. It can basically be applied to any of passive drive type and active drive type display devices.

상기 방법으로 제조된 부재 딸린 유리 기판(26)으로서는 유리 기판과 표시 장치용 부재를 갖는 표시 장치용 패널, 유리 기판과 태양 전지용 부재를 갖는 태양 전지, 유리 기판과 박막 2차 전지용 부재를 갖는 박막 2차 전지, 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 부품 등을 들 수 있다. 표시 장치용 패널로서는 액정 패널, 유기 EL 패널, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드에미션 패널 등을 포함한다.As the member glass substrate 26 manufactured by the above method, there can be used a display panel having a glass substrate and a display device member, a solar cell having a glass substrate and a member for a solar cell, a thin film 2 having a glass substrate and a member for a thin film secondary battery A secondary battery, an electronic component having a glass substrate and a member for an electronic device, and the like. The display panel includes a liquid crystal panel, an organic EL panel, a plasma display panel, a field emission panel, and the like.

상기에 있어서는 유리 적층체(10)를 이용한 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만, 유리 적층체(100) 또는 유리 적층체(200)를 이용하여 상기와 마찬가지 수순에 따라 전자 디바이스를 제조할 수도 있다.Although the embodiment using the glass laminate 10 has been described in detail above, an electronic device may be manufactured according to the same procedure as above using the glass laminate 100 or the glass laminate 200. [

또한, 유리 적층체(100)를 사용한 경우에는 상기 분리 공정시에 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면을 박리면으로 하여 지지 기재(12)와, 실리콘 수지층(14), 유리 기판(16) 및 전자 디바이스용 부재(22)를 포함하는 전자 디바이스로 분리된다.When the glass laminate 100 is used, the supporting substrate 12 and the silicone resin layer 14 are peeled off at the interface between the supporting substrate 12 and the silicone resin layer 14 in the separating step, And is separated into an electronic device including a glass substrate 16 and a member 22 for an electronic device.

또한, 또는 유리 적층체(200)를 사용한 경우에는 상기 분리 공정시에 적층 지지 기재(120)와 제1 실리콘 수지층(14)의 계면을 박리면으로 하여 적층 지지 기재(120)와, 제1 실리콘 수지층(14), 유리 기판(16) 및 전자 디바이스용 부재(22)를 포함하는 전자 디바이스로 분리된다.Alternatively, in the case of using the glass laminate 200, the laminated support base material 120 and the first and second silicon resin layers 14 and 14 are peeled off at the interface between the laminated support base material 120 and the first silicone resin layer 14 during the separation step, An electronic device including a silicon resin layer 14, a glass substrate 16, and a member 22 for an electronic device.

[실시예][Example]

이하에 실시예 등에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples and the like, but the present invention is not limited to these examples.

(합성예 1: 졸겔 A의 합성)(Synthesis Example 1: synthesis of sol-gel A)

질산(61%) 0.09g, 변성 에탄올 solmix AP-11(닛폰알코올한바이가부시키가이샤) 81.78g, 및 순수 11.85g의 혼합물을 실온에서 교반하면서 테트라에톡시실란 7.20g을 천천히 첨가한 후, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸실록산 0.40g을 1시간에 걸쳐 더 적하하였다. 얻어진 혼합액을 온도를 10 내지 20℃로 유지하면서 3시간 교반하고, 원하는 혼합액(졸겔 A)을 얻었다.7.20 g of tetraethoxysilane was added slowly while stirring a mixture of 0.09 g of nitric acid (61%), 81.78 g of denatured ethanol solmix AP-11 (manufactured by Nippon Alcohol Co., Ltd.) and 11.85 g of pure water at room temperature, 0.40 g of 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethylsiloxane was further added dropwise over 1 hour. The resulting mixed solution was stirred for 3 hours while maintaining the temperature at 10 to 20 占 폚 to obtain a desired mixed solution (sol-gel A).

얻어진 혼합액 중에는 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸실록산과 테트라에톡시실란의 가수분해 축합물(부분 축중합물)이 포함되어 있었다. 또한, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸실록산과 테트라에톡시실란의 혼합 몰비(1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸실록산의 몰량/테트라에톡시실란의 몰량)는 5:95였다.The obtained mixed solution contained a hydrolysis-condensation product (partial condensation polymer) of 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethylsiloxane and tetraethoxysilane. Also, the molar ratio of 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethylsiloxane to tetraethoxysilane (molar ratio of 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethylsiloxane / Mole of tetraethoxysilane) was 5:95.

(합성예 2: 졸겔 B의 합성)(Synthesis Example 2: synthesis of sol-gel B)

질산(61%) 0.09g, 변성 에탄올 solmix AP-11(닛폰알코올한바이가부시키가이샤) 81.78g, 및 순수 11.85g의 혼합물을 실온에서 교반하면서 테트라에톡시실란 2.60g을 천천히 첨가한 후, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸실록산 1.30g을 1시간에 걸쳐 더 적하하였다. 얻어진 혼합액을 온도를 10 내지 20℃로 유지하면서 3시간 교반하고, 원하는 혼합액(졸겔 B)을 얻었다.2.60 g of tetraethoxysilane was added slowly while stirring at room temperature with a mixture of 0.09 g of nitric acid (61%), 81.78 g of denatured ethanol solmix AP-11 (manufactured by Nippon Alcohol Co., Ltd.) and 11.85 g of pure water, 1.30 g of 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethylsiloxane was further added dropwise over 1 hour. The resulting mixed solution was stirred for 3 hours while maintaining the temperature at 10 to 20 占 폚 to obtain a desired mixed solution (sol-gel B).

얻어진 혼합액 중에는 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸실록산과 테트라에톡시실란의 가수분해 축합물(부분 축중합물)이 포함되어 있었다. 또한, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸실록산과 테트라에톡시실란의 혼합 몰비(1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸실록산의 몰량/테트라에톡시실란의 몰량)는 33:67이었다.The obtained mixed solution contained a hydrolysis-condensation product (partial condensation polymer) of 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethylsiloxane and tetraethoxysilane. Also, the molar ratio of 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethylsiloxane to tetraethoxysilane (molar ratio of 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethylsiloxane / Mole of tetraethoxysilane) was 33:67.

(합성예 3: 졸겔 C의 합성)(Synthesis Example 3: synthesis of sol-gel C)

질산(61%) 0.09g, 변성 에탄올 solmix AP-11(닛폰알코올한바이가부시키가이샤) 81.78g, 및 순수 11.85g의 혼합물을 실온에서 교반하면서 테트라에톡시실란 3.10g을 천천히 첨가한 후, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸실록산 2.40g을 1시간에 걸쳐 더 적하하였다. 얻어진 혼합액을 온도를 10 내지 20℃로 유지하면서 3시간 교반, 원하는 혼합액(졸겔 C)을 얻었다.3.10 g of tetraethoxysilane was added slowly while stirring at room temperature with a mixture of 0.09 g of nitric acid (61%), 81.78 g of denatured ethanol solmix AP-11 (manufactured by Nippon Alcohol Co., Ltd.) and 11.85 g of pure water, 2.40 g of 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethylsiloxane was further added dropwise over 1 hour. The resulting mixed solution was stirred for 3 hours while maintaining the temperature at 10 to 20 占 폚 to obtain a desired mixed solution (sol-gel C).

얻어진 혼합액 중에는 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸실록산과 테트라에톡시실란의 가수분해 축합물(부분 축중합물)이 포함되어 있었다. 또한, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸실록산과 테트라에톡시실란의 혼합 몰비(1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸실록산의 몰량/테트라에톡시실란의 몰량)는 43:57이었다.The obtained mixed solution contained a hydrolysis-condensation product (partial condensation polymer) of 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethylsiloxane and tetraethoxysilane. Also, the molar ratio of 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethylsiloxane to tetraethoxysilane (molar ratio of 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethylsiloxane / Mole of tetraethoxysilane) was 43:57.

(합성예 4: 경화성 오르가노폴리실록산(S1)을 포함하는 액상물의 제조)(Synthesis Example 4: Preparation of liquid material containing curable organopolysiloxane (S1)

질소 분위기 중, 1,4-비스(히드록시디메틸실릴)벤젠(35질량부, Gelest사 제조)을 톨루엔(90질량부)에 첨가하였다. 이어서, 반응 용액을 110℃로 가열하여 비스(디메틸아미노)디메틸실란(11질량부, Gelest사 제조) 및 비스(디메틸아미노)메틸비닐실란(12질량부, Gelest사 제조)을 용해시킨 톨루엔(40질량부) 용액을 약 5분에 걸쳐 반응 용액에 적하하였다. 그 후, 반응 용액을 110℃에서 1시간 교반하였다. 교반 종료 후, 반응 용액을 실온까지 자연 냉각하고, 반응 용액을 메탄올(3250질량부) 중에 첨가하여 재침전 처리를 행하였다. 이어서, 침전물을 회수하고, 진공 건조함으로써, 무색 투명하고 액체 상태의 경화성 오르가노폴리실록산(S1)을 얻었다.1,4-bis (hydroxydimethylsilyl) benzene (35 parts by mass, manufactured by Gelest) was added to toluene (90 parts by mass) in a nitrogen atmosphere. Subsequently, the reaction solution was heated to 110 占 폚 and toluene (40 parts), in which bis (dimethylamino) dimethylsilane (11 mass parts, manufactured by Gelest) and bis (dimethylamino) methylvinylsilane Mass part) solution was added dropwise to the reaction solution over about 5 minutes. Thereafter, the reaction solution was stirred at 110 DEG C for 1 hour. After the completion of the stirring, the reaction solution was naturally cooled to room temperature, and the reaction solution was added to methanol (3250 parts by mass) to perform reprecipitation treatment. Subsequently, the precipitate was recovered and vacuum-dried to obtain a curable organopolysiloxane (S1) which was colorless and transparent and in a liquid state.

얻어진 경화성 오르가노폴리실록산(S1)은 GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의한 수 평균 분자량(폴리스티렌 환산)이 1.2×104이었다. 또한, 열중량 분석 장치(티·에이·인스트루먼트사 제조)를 이용하여 승온 속도 15℃/분, 질소 분위기 하(100ml/분)에서 실온 내지 700℃까지 승온함으로써 경화성 오르가노폴리실록산(S1)의 5% 중량 감소 온도를 측정한 결과 535℃였다.The number average molecular weight (in terms of polystyrene) of the curable organopolysiloxane (S1) obtained by GPC (gel permeation chromatography) was 1.2 x 10 4 . Further, the temperature of the curable organopolysiloxane (S1) was elevated from room temperature to 700 ° C at a temperature raising rate of 15 ° C / min and a nitrogen atmosphere (100 ml / min) using a thermogravimetric analyzer (manufactured by T.A. The% weight loss temperature was 535 ° C.

이어서, 경화성 오르가노폴리실록산(S1)(30질량부)을 크실렌(70질량부)에 용해시켜 경화성 오르가노폴리실록산(S1)을 포함하는 액상물을 제작하였다.Subsequently, the curable organopolysiloxane (S1) (30 parts by mass) was dissolved in xylene (70 parts by mass) to prepare a liquid material containing the curable organopolysiloxane (S1).

(실시예 1)(Example 1)

처음에 세로 350mm, 가로 300mm, 판 두께 0.5mm, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 무알칼리 유리판(아사히가라스 가부시키가이샤 제조 「AN100」)을 지지 기재로서 준비하고, 순수 세정, UV 세정하여 표면을 청정화하였다. 이어서, 상기에서 제조한 졸겔 A를 지지 기재의 청정화 처리를 실시한 면(제1 주면) 상에 세로 278mm, 가로 278mm의 크기로 스핀 코터로 도포 시공하였다(도포 시공량 15g/m2). 또한, 350℃에서 30분간 대기 중에서 가열 경화하여 두께 0.2㎛의 실리콘 수지층을 형성하고, 지지체 A를 얻었다.First, a non-alkali glass plate ("AN100" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a length of 350 mm, a width of 300 mm, a plate thickness of 0.5 mm and a linear expansion coefficient of 38 × 10 -7 / ° C was prepared as a supporting substrate, To clean the surface. Subsequently, the sol-gel A prepared above was applied on the surface (first main surface) on which the support substrate had been cleaned (first main surface) with a size of 278 mm in the vertical direction and 278 mm in the horizontal direction with a spin coater (coating amount 15g / m 2 ). Further, the solution was heated and cured at 350 占 폚 in the air for 30 minutes to form a silicone resin layer having a thickness of 0.2 占 퐉 to obtain a support A.

이어서, 지지체 A의 실리콘 수지층의 박리성 표면과, 해당 실리콘 수지층과 동일한 사이즈로 두께 0.2mm의 유리 기판(「AN100」. 아사히가라스 가부시키가이샤 제조)의 제1 주면을 대향시켜 실온하, 대기압하 적층 장치로 양쪽 기판의 무게 중심이 포개지도록 양쪽 기판을 중첩하고, 유리 적층체 S1을 얻었다.Subsequently, the releasable surface of the silicone resin layer of the support A and the first main surface of a glass substrate (&quot; AN100 &quot;, manufactured by Asahi Kasei Corporation) having the same size as the silicon resin layer and having a thickness of 0.2 mm were opposed to each other at room temperature , And both substrates were stacked so that the centers of gravity of both substrates were superimposed with a lamination apparatus under atmospheric pressure to obtain a glass laminate S1.

또한, 얻어진 유리 적층체 S1은 전술한 도 1의 유리 적층체(10)에 해당하고, 유리 적층체 S1에 있어서는 지지 기재의 층과 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (x)가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (y)보다도 높았다.The obtained glass laminate S1 corresponds to the glass laminate 10 of Fig. 1 described above. In the glass laminate S1, the peel strength (x) between the interface of the supporting substrate layer and the silicone resin layer is smaller than the peeling strength Was higher than the peel strength (y) at the interface of the glass substrate.

이어서, 얻어진 유리 적층체 S1을 이용한 이하의 측정을 실시하였다. 이하의 평가 결과는 후술하는 표 1에 정리하여 나타낸다.Then, the following measurements using the obtained glass laminate S1 were carried out. The following evaluation results are summarized in Table 1 to be described later.

[박리성 평가][Evaluation of peelability]

유리 적층체 S1로부터 50mm 각의 샘플을 잘라내고, 이 샘플을 450℃로 가열한 열풍 오븐 내에 적재하고, 60분의 방치 후, 취출하였다. 계속해서, 유리 적층체 S1의 유리 기판 제2 주면을 정반에 진공 흡착시킨 후, 유리 적층체 S1에 1개의 코너부의 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에 두께 0.1mm의 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 상기 유리 기판의 제1 주면과 상기 실리콘 수지층의 박리성 표면의 사이에 박리의 계기를 부여하였다. 그리고, 유리 적층체 S1의 지지 기재의 제2 주면을 90mm 피치로 복수의 진공 흡착 패드로 흡착한 후, 상기 코너부에 가까운 흡착 패드부터 차례로 상승시킴으로써, 유리 기판의 제1 주면과 실리콘 수지층의 박리성 표면을 박리하였다. 유리 적층체 S1이 유리 기판의 깨짐이나 실리콘 수지층의 파괴 없이 박리되었는지를 평가하였다. 또한, 이 처리를 행하였을 때의 인상 최대 강도를 N/25mm 단위로 측정하였다.A 50 mm square sample was cut out from the glass laminate S1. The sample was placed in a hot air oven heated to 450 DEG C, left for 60 minutes, and then taken out. Subsequently, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the glass laminate S1 at the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at one corner, after the second main surface of the glass laminate S1 of the glass laminate S1 was vacuum- A peeling moment was given between the first main surface of the glass substrate and the peelable surface of the silicon resin layer. The second main surface of the supporting substrate of the glass laminate S1 is adsorbed by a plurality of vacuum adsorption pads at a pitch of 90 mm and then sequentially lifted from the adsorption pads nearer to the corner portions to form the first main surface of the glass substrate and the silicon resin layer The peelable surface was peeled off. It was evaluated whether the glass laminate S1 was peeled off without breakage of the glass substrate or breakage of the silicon resin layer. In addition, the maximum pull-up strength at the time of performing this treatment was measured in N / 25 mm units.

또한, 실용상, 박리 강도로서는 10N/25mm 이하가 바람직하다.Practically, the peel strength is preferably 10 N / 25 mm or less.

[내열성 평가][Heat resistance evaluation]

유리 적층체 S1로부터 50mm 각의 샘플을 잘라내고, 이 샘플을 450℃로 가열한 열풍 오븐 내에 적재하고, 60분의 방치 후, 취출하여 샘플 내에 발포 현상이 확인되었는지 여부를 평가하였다.A 50 mm square sample was cut out from the glass laminate S1. The sample was placed in a hot air oven heated at 450 DEG C, left for 60 minutes, and taken out to evaluate whether or not foaming phenomenon was confirmed in the sample.

[평탄성 평가][Flatness evaluation]

유리 적층체 S1의 적층면인 실리콘 수지층의 표면 및 유리 기판의 표면에 있어서의 임의로 선택된 5점에 있어서의 산술 평균 조도 Ra의 평균값을 각각 구하였다. 산술 평균 조도 Ra란 JIS B 0601-2001에 규정되어 있는 산술 평균 조도 Ra를 말하고, 원자간력 현미경에 의해 각 점에 있어서의 5㎛×5㎛의 측정 영역을 측정함으로써 구하였다.The average value of the arithmetic mean roughness Ra at five arbitrarily selected points on the surface of the silicon resin layer as the laminated surface of the glass laminate S1 and the surface of the glass substrate was obtained. The arithmetic average roughness Ra is an arithmetic average roughness Ra defined in JIS B 0601-2001 and is obtained by measuring a measurement area of 5 占 퐉 占 5 占 퐉 at each point by an atomic force microscope.

[막 두께 측정][Measurement of film thickness]

실리콘 수지층의 일부를 깎고, 공지의 촉침식 표면 형상 측정 장치를 이용하여 실리콘 수지층의 단차를 측정함으로써 실리콘 수지층의 막 두께를 확인하였다.A part of the silicon resin layer was cut and the step difference of the silicon resin layer was measured by using a known touch-sensitive surface shape measuring device to confirm the film thickness of the silicone resin layer.

(실시예 2)(Example 2)

처음에 세로 350mm, 가로 300mm, 판 두께 0.2mm, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 무알칼리 유리판(아사히가라스 가부시키가이샤 제조 「AN100」)을 유리 기판으로서 준비하고, 순수 세정, UV 세정하여 표면을 청정화하였다. 이어서, 졸겔 A를 유리 기판의 청정화 처리를 실시한 면(제1 주면) 상에 세로 278mm, 가로 278mm의 크기로 스핀 코터로 도포 시공하였다(도포 시공량 15g/m2). 또한, 350℃에서 30분간 대기 중에서 가열 경화하여 두께 0.2㎛의 실리콘 수지층을 형성하고, 유리 기판 B를 얻었다.First, a non-alkali glass plate ("AN100" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a length of 350 mm, a width of 300 mm, a plate thickness of 0.2 mm and a coefficient of linear expansion of 38 × 10 -7 / ° C was prepared as a glass substrate, To clean the surface. Subsequently, the sol-gel A was coated on the surface (first main surface) subjected to the cleaning treatment of the glass substrate by a spin coater with a size of 278 mm in length and 278 mm in width (coating amount 15 g / m 2 ). Further, it was heated and cured at 350 캜 for 30 minutes in the air to form a 0.2 탆 thick silicone resin layer to obtain a glass substrate B.

이어서, 유리 기판 B의 실리콘 수지층의 박리성 표면과, 해당 실리콘 수지층과 동일한 사이즈로 두께 0.5mm의 지지 기재(「AN100」. 아사히가라스 가부시키가이샤 제조)의 제1 주면을 대향시켜 실온하, 대기압하 적층 장치로 양쪽 기판의 무게 중심이 포개지도록 양쪽 기판을 중첩하고, 유리 적층체 S2를 얻었다.Subsequently, the releasable surface of the silicone resin layer of the glass substrate B and the first main surface of a supporting substrate (&quot; AN100 &quot;, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having the same size as the silicon resin layer and having a thickness of 0.5 mm were opposed to each other at room temperature Both substrates were superimposed on each other so that the centers of gravity of both substrates were superimposed with a lamination device under atmospheric pressure to obtain a glass laminate S2.

또한, 얻어진 유리 적층체 S2는 도 3에 도시하는 유리 적층체(100)에 해당하고, 유리 적층체 S2에 있어서는 유리 기판의 층과 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (z)가 실리콘 수지층과 지지 기재의 계면의 박리 강도 (w)보다도 높았다.The obtained glass laminate S2 corresponds to the glass laminate 100 shown in Fig. 3, and in the glass laminate S2, the peel strength (z) at the interface between the glass substrate layer and the silicone resin layer corresponds to the silicon resin layer Was higher than the peeling strength (w) at the interface of the supporting substrate.

이어서, 얻어진 유리 적층체 S2를 이용하여 상기 각종 측정을 실시하였다. 평가 결과는 후술하는 표 1에 정리하여 나타낸다.Then, various measurements were made using the obtained glass laminate S2. The evaluation results are summarized in Table 1 to be described later.

또한, 유리 적층체 S2를 이용한 [박리성 평가]에 있어서는 지지 기재와 실리콘 수지층의 사이에 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 박리의 계기를 부여하였다. 또한, [평탄성 평가]에 있어서는 유리 적층체 S2의 적층면인 실리콘 수지층의 표면 및 지지 기재의 표면의 표면 조도를 측정하였다.Further, in the evaluation of the peelability using the glass laminate S2, a stainless steel blade was inserted between the supporting substrate and the silicone resin layer, and a peeling period was given. In [Flatness Evaluation], the surface roughness of the surface of the silicon resin layer and the surface of the supporting substrate, which are the laminated surfaces of the glass laminate S2, were measured.

(실시예 3)(Example 3)

졸겔 A를 지지 기재의 청정화 처리를 실시한 면(제1 주면) 상에 세로 278mm, 가로 278mm의 크기로 스핀 코터로 도포 시공한 것(도포 시공량 150g/m2) 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 유리 적층체 S3을 제조하였다.If subjected to the purification treatment of the support for the sol-gel A substrate (first main surface) vertical to the 278mm, was the construction coated with a spin coater to a size of width 278mm (coating construction amount of 150g / m 2), except in Example 1, a procedure similar to To prepare a glass laminate S3.

또한, 형성되는 실리콘 수지층의 두께는 2.0㎛였다.The thickness of the formed silicone resin layer was 2.0 mu m.

또한, 얻어진 유리 적층체 S3은 전술한 도 1의 유리 적층체(10)에 해당하고, 유리 적층체 S1에 있어서는 지지 기재의 층과 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (x)가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (y)보다도 높았다.The obtained glass laminate S3 corresponds to the glass laminate 10 of Fig. 1 described above. In the glass laminate S1, the peel strength (x) between the interface of the supporting substrate layer and the silicone resin layer is smaller than the peeling strength Was higher than the peel strength (y) at the interface of the glass substrate.

이어서, 얻어진 유리 적층체 S3을 이용하여 상기 각종 측정을 실시하였다. 평가 결과는 후술하는 표 1에 정리하여 나타낸다.Then, various measurements were made using the obtained glass laminate S3. The evaluation results are summarized in Table 1 to be described later.

또한, 유리 적층체 S3을 이용한 [박리성 평가]에 있어서는 유리 기판과 실리콘 수지층의 사이에 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 박리의 계기를 부여하였다. 또한, [평탄성 평가]에 있어서는 유리 적층체 S3의 적층면인 실리콘 수지층의 표면 및 유리 기판의 표면의 표면 조도를 측정하였다.Further, in the evaluation of the peelability using the glass laminate S3, a stainless steel blade was inserted between the glass substrate and the silicone resin layer, and a peeling period was given. In the [Flatness evaluation], the surface roughness of the surface of the silicon resin layer and the surface of the glass substrate, which are the laminated surfaces of the glass laminate S3, were measured.

(실시예 4)(Example 4)

처음에 세로 350mm, 가로 300mm, 판 두께 0.5mm, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 무알칼리 유리판(아사히가라스 가부시키가이샤 제조 「AN100」)을 지지 기재로서 준비하고, 순수 세정, UV 세정하여 표면을 청정화하였다. 이어서, 상기에서 제조한 경화성 오르가노폴리실록산(S1)을 지지 기재의 청정화 처리를 실시한 면(제1 주면) 상에 세로 278mm, 가로 278mm의 크기로 스핀 코터로 도포 시공하였다(도포 시공량 120g/m2). 또한, 350℃에서 30분간 대기 중에서 가열 경화하여 두께 6㎛의 수지층 X(제2 실리콘 수지층에 해당)를 형성하고, 지지체 C를 얻었다.First, a non-alkali glass plate ("AN100" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a length of 350 mm, a width of 300 mm, a plate thickness of 0.5 mm and a linear expansion coefficient of 38 × 10 -7 / ° C was prepared as a supporting substrate, To clean the surface. Subsequently, the curable organopolysiloxane (S1) prepared above was coated on the surface (first main surface) to which the support substrate had been subjected to the cleaning treatment (first main surface) in a size of 278 mm in the vertical direction and 278 mm in the horizontal direction by a spin coater 2 ). Further, the resin layer was heated and cured at 350 占 폚 in the air for 30 minutes to form a resin layer X (corresponding to the second silicone resin layer) having a thickness of 6 占 퐉 to obtain a support C.

이어서, 세로 350mm, 가로 300mm, 판 두께 0.2mm, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 무알칼리 유리판(아사히가라스 가부시키가이샤 제조 「AN100」)을 유리 기판으로서 준비하고, 순수 세정, UV 세정하여 표면을 청정화하였다. 이어서, 졸겔 A를 유리 기판의 청정화 처리를 실시한 면(제1 주면) 상에 세로 278mm, 가로 278mm의 크기로 스핀 코터로 도포 시공하였다(도포 시공량 15g/m2). 또한, 350℃에서 30분간 대기 중에서 가열 경화하여 두께 0.2㎛의 실리콘 수지층(제1 실리콘 수지층에 해당)을 형성하고, 유리 기판 C를 얻었다.Subsequently, a non-alkali glass plate ("AN100" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a length of 350 mm, a width of 300 mm, a plate thickness of 0.2 mm and a coefficient of linear expansion of 38 × 10 -7 / ° C was prepared as a glass substrate, To clean the surface. Subsequently, the sol-gel A was coated on the surface (first main surface) subjected to the cleaning treatment of the glass substrate by a spin coater with a size of 278 mm in length and 278 mm in width (coating amount 15 g / m 2 ). The glass substrate C was heated and cured in air at 350 DEG C for 30 minutes to form a 0.2 mu m-thick silicon resin layer (corresponding to the first silicone resin layer) to obtain a glass substrate C. [

지지체 C 중의 수지층 X와 유리 기판 C 중의 실리콘 수지층을 대향시켜 실온하, 대기압하, 적층 장치로 양쪽 기판의 무게 중심이 포개지도록 양쪽 기판을 중첩하고, 유리 적층체 S4를 얻었다.Both substrates were superimposed on each other so that the center of gravity of both substrates was overlapped with a resin layer in the support C opposite to the silicon resin layer in the glass substrate C under a room temperature and an atmospheric pressure with a laminating apparatus to obtain a glass laminate S4.

또한, 얻어진 유리 적층체 S4는 도 4에 도시하는 유리 적층체(200)에 해당하고, 유리 적층체 S4에 있어서는 수지층 X와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (w)가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (z) 및 수지층 X와 지지 기재(지지 유리판)의 계면의 박리 강도 (v)보다도 낮았다.The obtained glass laminate S4 corresponds to the glass laminate 200 shown in Fig. 4, and in the glass laminate S4, the peel strength (w) at the interface between the resin layer X and the silicone resin layer corresponds to the glass resin layer (Z) at the interface of the substrate and the peel strength (v) at the interface between the resin layer X and the support substrate (support glass plate).

이어서, 얻어진 유리 적층체 S4를 이용하여 상기 각종 측정을 실시하였다. 평가 결과는 후술하는 표 1에 정리하여 나타낸다.Then, various measurements were made using the obtained glass laminate S4. The evaluation results are summarized in Table 1 to be described later.

또한, 유리 적층체 S4를 이용한 [박리성 평가]에 있어서는 수지층 X와 실리콘 수지층의 사이에 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 박리의 계기를 부여하였다. 또한, [평탄성 평가]에 있어서는 유리 적층체 S4의 적층면인 수지층의 표면 및 실리콘 수지층의 표면의 표면 조도를 측정하였다.Further, in the evaluation of the peelability using the glass laminate S4, a stainless steel blade was inserted between the resin layer X and the silicone resin layer, and a peeling period was given. In [Flatness Evaluation], the surface roughness of the surface of the resin layer and the surface of the silicone resin layer, which are the laminated surfaces of the glass laminate S4, were measured.

(실시예 5)(Example 5)

졸겔 A 대신에 졸겔 B를 이용한 것 이외에는 실시예 4와 마찬가지의 수순에 따라 유리 적층체 S5를 얻었다.A glass laminate S5 was obtained in the same manner as in Example 4 except that the sol-gel B was used instead of the sol-gel A.

얻어진 유리 적층체 S5를 이용하여 상기 각종 측정을 실시하였다. 평가 결과는 후술하는 표 1에 정리하여 나타낸다.Various measurements were made using the obtained glass laminate S5. The evaluation results are summarized in Table 1 to be described later.

또한, 얻어진 유리 적층체 S5는 도 4에 도시하는 유리 적층체(200)에 해당하고, 유리 적층체 S5에 있어서는 수지층 X와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (w)가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (z) 및 수지층 X와 지지 기재(지지 유리판)의 계면의 박리 강도 (v)보다도 낮았다.The obtained glass laminate S5 corresponds to the glass laminate 200 shown in Fig. 4, and in the glass laminate S5, the peel strength (w) at the interface between the resin layer X and the silicon resin layer corresponds to the glass resin layer (Z) at the interface of the substrate and the peel strength (v) at the interface between the resin layer X and the support substrate (support glass plate).

(실시예 6)(Example 6)

졸겔 A 대신에 졸겔 C를 이용한 것 이외에는 실시예 4와 마찬가지의 수순에 따라 유리 적층체 S6을 얻었다.A glass laminate S6 was obtained in the same manner as in Example 4 except that the sol-gel C was used instead of the sol-gel A.

얻어진 유리 적층체 S6을 이용한 상기 각종 측정을 실시하였다. 평가 결과는 후술하는 표 1에 정리하여 나타낸다.The various measurements using the obtained glass laminate S6 were carried out. The evaluation results are summarized in Table 1 to be described later.

또한, 얻어진 유리 적층체 S6은 도 4에 도시하는 유리 적층체(200)에 해당하고, 유리 적층체 S6에 있어서는 수지층 X와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (w)가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (z) 및 수지층 X와 지지 기재(지지 유리판)의 계면의 박리 강도(v)보다도 낮았다.4, and in the case of the glass laminate S6, the peel strength (w) at the interface between the resin layer X and the silicone resin layer is higher than that of the silicon resin layer and the glass (Z) at the interface of the substrate and the peel strength (v) at the interface between the resin layer X and the support substrate (support glass plate).

(실시예 7)(Example 7)

졸겔 A를 지지 기재의 청정화 처리를 실시한 면(제1 주면) 상에 세로 278mm, 가로 278mm의 크기로 스핀 코터로 도포 시공한 것(도포 시공량 150g/m2) 이외에는 실시예 4와 마찬가지로 하여 두께 2.0㎛의 실리콘 수지층(제1 실리콘 수지층에 해당)을 형성하고, 유리 기판 C를 얻었다.If subjected to a cleaning process in the substrate material for a sol-gel A (first main surface) vertical to the 278mm, was the construction coated with a spin coater to a size of width 278mm (coating construction amount of 150g / m 2), except Example 4 Similarly to the thickness A silicon resin layer (corresponding to the first silicone resin layer) of 2.0 mu m was formed, and a glass substrate C was obtained.

지지체 C 중의 수지층 X와 유리 기판 C 중의 실리콘 수지층을 대향시켜 실온하, 대기압하, 적층 장치로 양쪽 기판의 무게 중심이 포개지도록 양쪽 기판을 중첩하고, 유리 적층체 S7을 얻었다.Both substrates were superimposed on each other so that the center of gravity of both substrates was overlapped with a resin layer in the support C opposite to the silicon resin layer in the glass substrate C under a room temperature and atmospheric pressure with a laminating apparatus to obtain a glass laminate S7.

얻어진 유리 적층체 S7을 이용한 상기 각종 측정을 실시하였다. 평가 결과는 후술하는 표 1에 정리하여 나타낸다.The above-described various measurements were conducted using the obtained glass laminate S7. The evaluation results are summarized in Table 1 to be described later.

또한, 얻어진 유리 적층체 S7은 도 4에 도시하는 유리 적층체(200)에 해당하고, 유리 적층체 S7에 있어서는 수지층 X와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (w)가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (z) 및 수지층 X와 지지 기재(지지 유리판)의 계면의 박리 강도(v)보다도 낮았다.The obtained glass laminate S7 corresponds to the glass laminate 200 shown in Fig. 4, and in the glass laminate S7, the peel strength (w) at the interface between the resin layer X and the silicone resin layer corresponds to the glass resin layer and the glass (Z) at the interface of the substrate and the peel strength (v) at the interface between the resin layer X and the support substrate (support glass plate).

(비교예 1)(Comparative Example 1)

처음에 세로 350mm, 가로 300mm, 판 두께 0.5mm, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 무알칼리 유리판(아사히가라스 가부시키가이샤 제조 「AN100」)을 지지 기재로서 준비하고, 순수 세정, UV 세정하여 표면을 청정화하였다.First, a non-alkali glass plate ("AN100" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a length of 350 mm, a width of 300 mm, a plate thickness of 0.5 mm and a linear expansion coefficient of 38 × 10 -7 / ° C was prepared as a supporting substrate, To clean the surface.

이어서, 지지 기재의 청정화 처리를 실시한 면(제1 주면)과, 지지 기재와 동일한 사이즈로 두께 0.2mm의 유리 기판(「AN100」. 아사히가라스 가부시키가이샤 제조)의 제1 주면을 대향시키고, 실온하, 대기압하, 적층 장치로 지지 기재와 유리 기판의 무게 중심이 포개지도록 양자를 중첩하고, 유리 적층체 C1을 얻었다.Subsequently, the first main surface of the supporting substrate subjected to the cleaning treatment (first main surface) and the first main surface of a glass substrate (&quot; AN100 &quot;, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) Under a room temperature and atmospheric pressure, the glass substrate and the glass substrate were superimposed with the center of gravity of the supporting substrate and the glass substrate stacked together by a lamination apparatus to obtain a glass laminate C1.

얻어진 유리 적층체 C1을 이용하여 상기 각종 측정을 실시하였다. 평가 결과는 후술하는 표 1에 정리하여 나타낸다.Various measurements were made using the obtained glass laminate C1. The evaluation results are summarized in Table 1 to be described later.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

처음에 세로 350mm, 가로 300mm, 판 두께 0.5mm, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 무알칼리 유리판(아사히가라스 가부시키가이샤 제조 「AN100」)을 지지 기재로서 준비하고, 순수 세정, UV 세정하여 표면을 청정화하였다. 이어서, 헥사메틸디실라잔(간토가가쿠가부시키가이샤 제조, 1,1,1,3,3,3-헥사메틸디실라잔)이 기화한 가스를 포함하는 분위기에 상기 지지 기재를 노출시켜 표면 처리를 행하였다.First, a non-alkali glass plate ("AN100" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a length of 350 mm, a width of 300 mm, a plate thickness of 0.5 mm and a linear expansion coefficient of 38 × 10 -7 / ° C was prepared as a supporting substrate, To clean the surface. Subsequently, the supporting substrate was exposed in an atmosphere containing a vaporized gas of hexamethyldisilazane (1,1,1,3,3,3-hexamethyldisilazane manufactured by KANTO CHEMICAL Co., Ltd.) Surface treatment was carried out.

이어서, 지지 기재의 표면 처리를 실시한 면과, 지지 기재와 동일한 사이즈로 두께 0.2mm의 유리 기판(「AN100」. 아사히가라스 가부시키가이샤 제조)의 제1 주면을 대향시켜 실온하, 대기압하, 적층 장치로 지지 기재와 유리 기판의 무게 중심이 포개지도록 양자를 중첩하고, 유리 적층체 C2를 얻었다.Subsequently, the surface of the supporting substrate subjected to the surface treatment and the first main surface of a glass substrate ("AN100" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having the same size as the supporting substrate and having a thickness of 0.2 mm were opposed to each other, The glass substrate and the glass substrate were stacked so that the center of gravity of the supporting substrate and the glass substrate were overlapped with each other by a laminating apparatus to obtain a glass laminate C2.

얻어진 유리 적층체 C2를 이용하여 상기 각종 측정을 실시하였다. 평가 결과는 후술하는 표 1에 정리하여 나타낸다.Various measurements were made using the obtained glass laminate C2. The evaluation results are summarized in Table 1 to be described later.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

처음에 세로 350mm, 가로 300mm, 판 두께 0.5mm, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 무알칼리 유리판(아사히가라스 가부시키가이샤 제조 「AN100」)을 지지 기재로서 준비하고, 순수 세정, UV 세정하여 표면을 청정화하였다. 이어서, 디메틸폴리실록산(도레이·다우실리콘사 제조, SH200)을 헵탄으로 희석한 용액을 스핀 코터(MIKASA사 제조, MS-A100)를 이용하여 상기 지지 기재의 제1 주면에 도포하였다. 계속해서, 핫 플레이트를 이용하여 대기 중 500℃의 온도에서 5분간 가열 처리하였다. 이와 같이 하여 지지 기재의 제1 주면에 실리콘 오일을 베이킹하는 표면 처리를 행하였다.First, a non-alkali glass plate ("AN100" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a length of 350 mm, a width of 300 mm, a plate thickness of 0.5 mm and a linear expansion coefficient of 38 × 10 -7 / ° C was prepared as a supporting substrate, To clean the surface. Subsequently, a solution prepared by diluting dimethylpolysiloxane (SH200, manufactured by Dow Silicone Co., Ltd.) with heptane was applied to the first main surface of the supporting substrate using a spin coater (MIKASA, MS-A100). Subsequently, heat treatment was performed at 500 캜 for 5 minutes in the atmosphere using a hot plate. In this manner, the first main surface of the supporting substrate was subjected to surface treatment for baking silicone oil.

이어서, 표면 처리를 실시한 지지 기재의 제1 주면과, 지지 기재와 동일한 사이즈로 두께 0.2mm의 유리 기판(「AN100」. 아사히가라스 가부시키가이샤 제조)의 제1 주면을 대향시키고, 실온하, 대기압하, 적층 장치로 지지 기재와 유리 기판의 무게 중심이 포개지도록 양자를 중첩하고, 유리 적층체 C3을 얻었다.Subsequently, the first main surface of the surface-treated supporting substrate was faced to the first main surface of a glass substrate (&quot; AN100 &quot;, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having the same size as the supporting substrate and having a thickness of 0.2 mm, Under the atmospheric pressure, the glass substrate and the glass substrate were overlapped with each other such that the center of gravity of the supporting substrate and the glass substrate were superimposed by a laminating apparatus to obtain a glass laminate C3.

얻어진 유리 적층체 C3을 이용하여 상기 각종 측정을 실시하였다. 평가 결과는 후술하는 표 1에 정리하여 나타낸다.Various measurements were made using the obtained glass laminate C3. The evaluation results are summarized in Table 1 to be described later.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

디메틸폴리실록산(도레이·다우실리콘사 제조, SH200)을 헵탄으로 희석하지 않고, 스핀 코터(MIKASA사 제조, MS-A100)를 이용하여 상기 지지 기재의 제1 주면에 도포한 것 이외에는 비교예 3과 마찬가지의 수순에 의해 유리 적층체 C4를 얻었다.Similar to Comparative Example 3, except that dimethylpolysiloxane (SH200, manufactured by Dow Silicone Co., Ltd.) was applied to the first main surface of the supporting substrate using a spin coater (MIKASA, MS-A100) without diluting with heptane To obtain a glass laminate C4.

얻어진 유리 적층체 C4를 이용하여 상기 각종 측정을 실시하였다. 평가 결과는 후술하는 표 1에 정리하여 나타낸다.Various measurements were made using the obtained glass laminate C4. The evaluation results are summarized in Table 1 to be described later.

표 1 중 「유리 적층체의 구성」란에 있어서 실시예 및 비교예에서 사용한 유리 적층체의 구성층이 나타나고, 각 층간에 나타나는 「//」는 적층면을 의도하고, 박리성 평가에 있어서 박리가 발생하는 위치를 의도한다.In Table 1, the constituent layers of the glass laminate used in Examples and Comparative Examples are shown in the column of &quot; Composition of Glass Laminate &quot;. &quot; // &quot; appearing between the respective layers is intended to be a laminate surface, Is intended to occur.

또한, 「적층면의 Ra의 값」은 「유리 적층체의 구성」란의 「//」의 좌우에 위치하는 층의 표면 조도 Ra를 각각 의도한다. 예를 들어 실시예 1에 있어서 유리 적층체의 구성은 「유리 기판//제1 실리콘 수지층/지지 기재」이고, 「//」의 좌측에 있는 「유리 기판」의 제1 실리콘 수지층측의 표면의 Ra가 0.8nm이고, 「//」의 우측에 있는 「제1 실리콘 수지층」의 유리 기판측의 표면의 Ra가 10nm인 것을 나타낸다. 다른 실시예 및 비교예도 마찬가지로 해석한다.The &quot; value of Ra of the laminated surface &quot; also means the surface roughness Ra of the layer located on the right and left of &quot; // &quot; in the column "Composition of glass laminate". For example, in the first embodiment, the constitution of the glass laminate is &quot; glass substrate // first silicon resin layer / supporting substrate &quot;, and on the first silicon resin layer side of the &quot; The Ra of the surface is 0.8 nm and the Ra of the surface of the "first silicone resin layer" on the right side of "//" on the glass substrate side is 10 nm. Other embodiments and comparative examples are similarly interpreted.

또한, 「실리콘 수지층의 막 두께」는 제1 실리콘 수지층의 두께를 의도한다. 또한, 실시예 3 내지 5에 있어서는 「실리콘 수지층의 막 두께」란에 좌측에 제1 실리콘 수지층의 두께를, 우측에 제2 실리콘 수지층의 두께를 나타낸다. 또한, 비교예 2 내지 4에 있어서는 HMDS 또는 SH200의 층 두께를 나타낸다.The &quot; film thickness of the silicone resin layer &quot; also means the thickness of the first silicone resin layer. In Examples 3 to 5, the thickness of the first silicone resin layer is shown on the left side and the thickness of the second silicone resin layer is shown on the right side in the "film thickness of the silicone resin layer". Further, in Comparative Examples 2 to 4, the layer thicknesses of HMDS or SH200 are shown.

또한, 「판정」란에 있어서는 박리 강도의 값이 10N/25mm 이하이고, 발포가 없는 경우를 「○」, 어느 한쪽 또는 양쪽을 만족하지 않는 경우를 「×」로 한다.In the &quot; determination &quot; column, the value of the peel strength is 10 N / 25 mm or less, the case where no foaming is observed is indicated by &quot; &quot;, and the case where either or both of them are not satisfied is &quot; x &quot;.

Figure pct00007
Figure pct00007

표 1에 나타낸 바와 같이 소정의 제1 실리콘 수지층을 포함하는 유리 적층체에 있어서는 박리 강도가 낮고 또한 실리콘 수지층의 발포도 억제되었다. 예를 들어 실시예 3 또는 7에 나타내는 바와 같이 실리콘 수지층(제1 실리콘 수지층)의 두께가 두꺼운 경우에도 발포는 발생하지 않았다.As shown in Table 1, in the glass laminate comprising a predetermined first silicone resin layer, the peeling strength was low and the foaming of the silicone resin layer was also suppressed. For example, as shown in Example 3 or 7, foaming did not occur even when the thickness of the silicone resin layer (first silicone resin layer) was thick.

한편, 소정의 요건을 충족시키지 않는 비교예 1 내지 4에 있어서는 원하는 효과를 얻지 못하였다. 예를 들어 비교예 1에 있어서는 유리 기판을 박리할 수 없었다. 또한, 비교예 2 및 3에서는 실시예 1 내지 7과 비교하여 박리 강도가 높고, 박리성이 떨어졌다.On the other hand, in Comparative Examples 1 to 4, which did not satisfy the predetermined requirements, desired effects were not obtained. For example, in Comparative Example 1, the glass substrate could not be peeled off. In Comparative Examples 2 and 3, the peel strength was higher than that of Examples 1 to 7, and the peelability was lowered.

또한, 실시예 4 내지 7에서 나타낸 유리 적층체는 적층면의 표면 조도(Ra)가 큰 경우에도 양호하게 적층이 가능하였다.Further, the glass laminate shown in Examples 4 to 7 was able to laminate favorably even when the surface roughness (Ra) of the laminate surface was large.

<실시예 8>&Lt; Example 8 >

본 예에서는 실시예 1에서 얻은 유리 적층체 S1을 이용하여 OLED를 제조한다.In this example, an OLED is manufactured using the glass laminate S1 obtained in the first embodiment.

먼저, 유리 적층체 S1에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에 플라즈마 CVD법에 의해 질화 실리콘, 산화 실리콘, 아몰퍼스 실리콘의 순서대로 성막한다. 이어서, 이온 도핑 장치에 의해 저농도의 붕소를 아몰퍼스 실리콘층에 주입하고, 질소 분위기하에서 가열 처리하여 탈수소 처리를 행한다. 이어서, 레이저 어닐 장치에 의해 아몰퍼스 실리콘층의 결정화 처리를 행한다. 이어서, 포토리소그래피법을 이용한 에칭 및 이온 도핑 장치로부터 저농도의 인을 아몰퍼스 실리콘층에 주입하고, N형 및 P형의 TFT 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 플라즈마 CVD법에 의해 산화 실리콘막을 성막하여 게이트 절연막을 형성한 후에 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 포토리소그래피법과 이온 도핑 장치에 의해 고농도의 붕소와 인을 N형, P형 각각의 원하는 에리어에 주입하고, 소스 에리어 및 드레인 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 플라즈마 CVD법에 의한 산화 실리콘의 성막으로 층간 절연막을, 스퍼터링법에 의해 알루미늄의 성막 및 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 TFT 전극을 형성한다. 이어서, 수소 분위기하에서 가열 처리하여 수소화 처리를 행한 후에 플라즈마 CVD법에 의한 질소 실리콘의 성막으로 패시베이션층을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 자외선 경화성 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 평탄화층 및 콘택트 홀을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다.First, a film of silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon is formed in this order on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate S1 by the plasma CVD method. Subsequently, low-concentration boron is implanted into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, and heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere to perform dehydrogenation treatment. Then, the amorphous silicon layer is crystallized by a laser annealing apparatus. Then, low-concentration phosphorus is injected into the amorphous silicon layer from an etching and ion doping apparatus using a photolithography method to form N-type and P-type TFT areas. Subsequently, a silicon oxide film is formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method to form a gate insulating film, and then molybdenum is formed by a sputtering method, and a gate electrode is formed by etching using a photolithography method. Subsequently, boron and phosphorus at a high concentration are implanted into desired areas of N type and P type, respectively, by photolithography and ion doping apparatus to form a source area and a drain area. Subsequently, an interlayer insulating film is formed on the second main surface side of the glass substrate by the plasma CVD method by the silicon oxide film formation, and a TFT electrode is formed by the sputtering method by aluminum film formation and etching by photolithography. Subsequently, a heat treatment is performed in a hydrogen atmosphere to perform a hydrogenation treatment, and then a passivation layer is formed by film formation of nitrogen silicon by the plasma CVD method. Subsequently, an ultraviolet curing resin is applied to the second main surface side of the glass substrate, and a planarization layer and a contact hole are formed by photolithography. Subsequently, indium tin oxide is formed by a sputtering method, and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method.

계속해서, 증착법에 의해 유리 기판의 제2 주면측에 정공 주입층으로서 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민, 정공 수송층으로서 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘, 발광층으로서 8-퀴놀리놀 알루미늄 착체(Alq3)에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보니트릴(BSN-BCN)을 40체적% 혼합한 것, 전자 수송층으로서 Alq3을 이 순서대로 성막한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 알루미늄을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 대향 전극을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 자외선 경화형의 접착층을 개재하여 유리 기판을 1장 더 접합하여 밀봉한다. 상기 수순에 의해 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 형성한다. 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 갖는 유리 적층체 S1(이하, 패널 A라고 함)이 본 발명의 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체이다.Subsequently, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine was used as a hole injection layer on the second main surface side of the glass substrate by vapor deposition, and bis [(N-naphthyl) (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] naphthalene-1-carboxylate was added to 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) , And 5-dicarbononitrile (BSN-BCN) in an amount of 40% by volume, and Alq 3 as an electron transporting layer are formed in this order. Next, aluminum is deposited by a sputtering method and is etched by photolithography Next, one glass substrate is further sealed and sealed with an ultraviolet curable adhesive layer interposed therebetween on the second main surface side of the glass substrate. The organic EL structure is formed on the glass substrate by the above procedure. A glass laminate S1 having an organic EL structure on a substrate (hereinafter referred to as panel A) And is a membered laminate for electronic devices.

계속해서, 패널 A의 밀봉체측을 정반에 진공 흡착시킨 후, 패널 A의 코너부의 유리 기판과 수지층의 계면에 두께 0.1mm의 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 유리 기판과 수지층의 계면에 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 패널 A의 지지 기재 표면을 진공 흡착 패드로 흡착한 후, 흡착 패드를 상승시킨다. 여기서 칼날의 삽입은 이오나이저(키엔스사 제조)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행한다. 이어서, 형성한 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분사하면서, 또한 물을 박리 전선에 쏘면서 진공 흡착 패드를 인상한다. 그 결과, 정반 상에 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판만을 남기고, 수지층 딸린 지지 기재를 박리할 수 있다.Subsequently, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the glass substrate and the resin layer at the corner of the panel A after the sealing member side of the panel A was vacuum-adsorbed on the surface of the plate, Give the instrument. After the surface of the support substrate of the panel A is adsorbed by the vacuum adsorption pad, the adsorption pad is raised. Here, the insertion of the blade is carried out while spraying an antistatic fluid on the interface from an ionizer (manufactured by KYENS). Then, the vacuum adsorption pad is pulled up while spraying the water to the peeling wire while spraying the antistatic fluid continuously from the ionizer toward the formed gap. As a result, only the glass substrate having the organic EL structure formed on the surface thereof can be left, and the supporting substrate with the resin layer can be peeled off.

계속해서, 분리된 유리 기판을 레이저 커터 또는 스크라이브-브레이크법을 이용하여 절단하고, 복수의 셀로 분단한 후, 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판과 대향 기판을 조립하여 모듈 형성 공정을 실시하여 OLED를 제작한다. 이렇게 해서 얻어지는 OLED는 특성상 문제는 발생하지 않는다.Subsequently, the separated glass substrate is cut using a laser cutter or a scribe-break method, and divided into a plurality of cells. Then, a glass substrate on which the organic EL structure is formed and a counter substrate are assembled to form a module, do. The characteristics of the OLED thus obtained do not occur.

<실시예 9>&Lt; Example 9 >

본 예에서는 실시예 1에서 얻은 유리 적층체 S1을 이용하여 LCD를 제조한다.In this example, an LCD is manufactured using the glass laminate S1 obtained in the first embodiment.

먼저, 2매의 유리 적층체 S1을 준비하여 한쪽의 유리 적층체 S1-1에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에 플라즈마 CVD법에 의해 질화 실리콘, 산화 실리콘, 아몰퍼스 실리콘의 순서대로 성막한다. 이어서, 이온 도핑 장치에 의해 저농도의 붕소를 아몰퍼스 실리콘층에 주입하고, 질소 분위기하에서 가열 처리하여 탈수소 처리를 행한다. 이어서, 레이저 어닐 장치에 의해 아몰퍼스 실리콘층의 결정화 처리를 행한다. 이어서, 포토리소그래피법을 이용한 에칭 및 이온 도핑 장치로부터 저농도의 인을 아몰퍼스 실리콘층에 주입하고, N형 및 P형의 TFT 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 플라즈마 CVD법에 의해 산화 실리콘막을 성막하여 게이트 절연막을 형성한 후에 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 포토리소그래피법과 이온 도핑 장치에 의해 고농도의 붕소와 인을 N형, P형 각각의 원하는 에리어에 주입하고, 소스 에리어 및 드레인 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 플라즈마 CVD법에 의한 산화 실리콘의 성막으로 층간 절연막을, 스퍼터링법에 의해 알루미늄의 성막 및 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 TFT 전극을 형성한다. 이어서, 수소 분위기하에서 가열 처리하여 수소화 처리를 행한 후에 플라즈마 CVD법에 의한 질소 실리콘의 성막으로 패시베이션층을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 자외선 경화성 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 평탄화층 및 콘택트 홀을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다.First, two glass laminate S1 are prepared, and a film of silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon is formed in this order on the second main surface of the glass substrate in one glass laminate S1-1 by the plasma CVD method. Subsequently, low-concentration boron is implanted into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, and heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere to perform dehydrogenation treatment. Then, the amorphous silicon layer is crystallized by a laser annealing apparatus. Then, low-concentration phosphorus is injected into the amorphous silicon layer from an etching and ion doping apparatus using a photolithography method to form N-type and P-type TFT areas. Subsequently, a silicon oxide film is formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method to form a gate insulating film, and then molybdenum is formed by a sputtering method, and a gate electrode is formed by etching using a photolithography method. Subsequently, boron and phosphorus at a high concentration are implanted into desired areas of N type and P type, respectively, by photolithography and ion doping apparatus to form a source area and a drain area. Subsequently, an interlayer insulating film is formed on the second main surface side of the glass substrate by the plasma CVD method by the silicon oxide film formation, and a TFT electrode is formed by the sputtering method by aluminum film formation and etching by photolithography. Subsequently, a heat treatment is performed in a hydrogen atmosphere to perform a hydrogenation treatment, and then a passivation layer is formed by film formation of nitrogen silicon by the plasma CVD method. Subsequently, an ultraviolet curing resin is applied to the second main surface side of the glass substrate, and a planarization layer and a contact hole are formed by photolithography. Subsequently, indium tin oxide is formed by a sputtering method, and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method.

이어서, 이제 한쪽의 유리 적층체 S1-2를 대기 분위기하에서 가열 처리한다. 이어서, 유리 적층체 S1에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에 스퍼터링법에 의해 크롬을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 차광층을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 다이 코팅법에 의해 컬러 레지스트를 도포하고, 포토리소그래피법 및 열경화에 의해 컬러 필터층을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하고, 대향 전극을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 다이 코팅법에 의해 자외선 경화 수지액을 도포하고, 포토리소그래피법 및 열경화에 의해 기둥 형상 스페이서를 형성한다. 이어서, 롤 코팅법에 의해 폴리이미드 수지액을 도포하고, 열경화에 의해 배향층을 형성하고, 러빙을 행한다.Then, one of the glass laminate S1-2 is subjected to heat treatment in an air atmosphere. Then, chromium is deposited on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate S1 by the sputtering method, and the light shielding layer is formed by etching by photolithography. Then, a color resist is coated on the second main surface side of the glass substrate by a die coating method, and a color filter layer is formed by photolithography and thermal curing. Subsequently, indium tin oxide is formed by a sputtering method, and an opposite electrode is formed. Subsequently, an ultraviolet curable resin liquid is coated on the second main surface side of the glass substrate by a die coating method, and a columnar spacer is formed by photolithography and thermal curing. Then, a polyimide resin solution is applied by a roll coating method, an orientation layer is formed by thermal curing, and rubbing is performed.

이어서, 디스펜서법에 의해 밀봉용 수지액을 프레임 형상으로 묘화하고, 프레임 내에 디스펜서법에 의해 액정을 적하한 후에 상기에서 화소 전극이 형성된 유리 적층체 S1-1을 이용하여 2매의 유리 적층체 S1의 유리 기판 제2 주면측끼리를 접합하고, 자외선 경화 및 열경화에 의해 LCD 패널을 얻는다.Subsequently, the sealing resin liquid was drawn in a frame shape by the dispenser method, liquid crystal was dropped by the dispenser method in the frame, and then the glass laminate S1-1 on which the pixel electrodes were formed was used to form two glass laminate S1 Are bonded to each other, and an LCD panel is obtained by ultraviolet curing and thermosetting.

계속해서, 유리 적층체 S1-1의 지지 기재의 제2 주면을 정반에 진공 흡착시키고, 유리 적층체 S1-2의 코너부의 유리 기판과 수지층의 계면에 두께 0.1mm의 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 유리 기판의 제1 주면과 수지층의 박리성 표면의 박리의 계기를 부여한다. 여기서 칼날의 삽입은 이오나이저(키엔스사 제조)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행한다. 이어서, 형성한 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분사하면서 물을 박리 전선에 넣으면서 진공 흡착 패드를 인상한다. 그리고, 유리 적층체 S1-2의 지지 기재의 제2 주면을 진공 흡착 패드로 흡착한 후, 흡착 패드를 상승시킨다. 그 결과, 정반 상에 유리 적층체 S1-1의 지지 기재가 붙은 LCD의 빈 셀만을 남기고, 수지층 딸린 지지 기재를 박리할 수 있다.Subsequently, the second main surface of the supporting substrate of the glass laminate S1-1 was vacuum-adsorbed on the surface plate, and a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the glass substrate and the resin layer at the corner of the glass laminate S1-2 , Giving a moment of peeling of the first main surface of the glass substrate and the peelable surface of the resin layer. Here, the insertion of the blade is carried out while spraying an antistatic fluid on the interface from an ionizer (manufactured by KYENS). Subsequently, the vacuum adsorption pad is pulled up while water is injected into the peeling wire while spraying the antistatic fluid from the ionizer toward the formed gap. After the second main surface of the supporting substrate of the glass laminate S1-2 is adsorbed by the vacuum adsorption pad, the adsorption pad is raised. As a result, it is possible to peel off the supporting substrate with the resin layer, leaving only empty cells of the LCD with the supporting base material of the glass laminate S1-1 on the base glass.

이어서, 제1 주면에 컬러 필터가 형성된 유리 기판의 제2 주면을 정반에 진공 흡착시키고, 유리 적층체 S1-1의 코너부의 유리 기판과 수지층의 계면에 두께 0.1mm의 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 유리 기판의 제1 주면과 수지층의 박리성 표면의 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 유리 적층체 S1-1의 지지 기재의 제2 주면을 진공 흡착 패드로 흡착한 후에 유리 기판과 수지층의 사이에 물을 분사하면서 흡착 패드를 상승시킨다. 그 결과, 정반 상에 LCD 셀만을 남기고, 수지층이 고정된 지지 기재를 박리할 수 있다. 이렇게 해서 두께 0.1mm의 유리 기판으로 구성되는 복수의 LCD의 셀이 얻어진다.Subsequently, a second main surface of the glass substrate on which the color filter was formed on the first main surface was vacuum-adsorbed on the surface plate, and a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the glass substrate and the resin layer at the corner of the glass laminate S1-1 , Giving a moment of peeling of the first main surface of the glass substrate and the peelable surface of the resin layer. After the second main surface of the supporting substrate of the glass laminate S1-1 is adsorbed by the vacuum adsorption pad, water is sprayed between the glass substrate and the resin layer to raise the adsorption pad. As a result, the supporting substrate on which the resin layer is fixed can be peeled off, leaving only the LCD cell on the surface of the substrate. Thus, a plurality of LCD cells constituted by a glass substrate having a thickness of 0.1 mm are obtained.

계속해서, 절단하는 공정에 의해 복수의 LCD의 셀로 분단한다. 완성된 각각의 LCD 셀에 편광판을 부착하는 공정을 실시하고, 계속해서 모듈 형성 공정을 실시하여 LCD를 얻는다. 이렇게 해서 얻어지는 LCD는 특성상 문제는 발생하지 않는다.Subsequently, the cells are divided into a plurality of LCD cells by a cutting process. A process of attaching a polarizing plate to each completed LCD cell is performed, and then a module forming process is performed to obtain an LCD. The LCD thus obtained does not cause any problems due to its characteristics.

<실시예 10>&Lt; Example 10 >

본 예에서는 실시예 1에서 얻은 유리 적층체 S1을 이용하여 OLED를 제조한다.In this example, an OLED is manufactured using the glass laminate S1 obtained in the first embodiment.

먼저, 유리 적층체 S1에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 유리 기판의 제2 주면측에 산화알루미늄을 더 성막하여 게이트 절연막을 형성하고, 계속해서 스퍼터링법에 의해 산화인듐갈륨아연을 성막하여 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 산화물 반도체층을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 유리 기판의 제2 주면측에 산화알루미늄을 더 성막하여 채널 보호층을 형성하고, 계속해서 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하여 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다.First, molybdenum is deposited on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate S1 by a sputtering method, and a gate electrode is formed by etching by photolithography. Subsequently, aluminum oxide is further formed on the second main surface side of the glass substrate by sputtering to form a gate insulating film. Subsequently, indium gallium zinc oxide is formed by sputtering and is etched by photolithography to form an oxide semiconductor layer . Subsequently, aluminum oxide is further formed on the second main surface side of the glass substrate by a sputtering method to form a channel protection layer, and subsequently, molybdenum is deposited by sputtering and is etched by photolithography to form a source electrode and a drain electrode .

이어서, 대기 중에서 가열 처리를 행한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 스퍼터링법에 의해 산화알루미늄을 더 성막하여 패시베이션층을 형성하고, 계속해서 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하여 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다.Subsequently, heat treatment is performed in the air. Subsequently, aluminum oxide is further formed on the second main surface side of the glass substrate by a sputtering method to form a passivation layer. Subsequently, indium tin oxide is formed by sputtering and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method do.

계속해서, 증착법에 의해 유리 기판의 제2 주면측에 정공 주입층으로서 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민, 정공 수송층으로서 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘, 발광층으로서 8-퀴놀리놀알루미늄 착체(Alq3)에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보니트릴(BSN-BCN)을 40체적% 혼합한 것, 전자 수송층으로서 Alq3을 이 순서대로 성막한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 알루미늄을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 대향 전극을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 자외선 경화형의 접착층을 개재하여 유리 기판을 1장 더 접합하여 밀봉한다. 상기 수순에 의해 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 형성한다. 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 갖는 유리 적층체 S1(이하, 패널 B라고 함)이 본 발명의 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체(지지 기재를 구비한 표시 장치용 패널)이다.Subsequently, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine was used as a hole injection layer on the second main surface side of the glass substrate by vapor deposition, and bis [(N-naphthyl) (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] naphthalene-1-carboxylate was added to 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) , And 5-dicarbononitrile (BSN-BCN) in an amount of 40% by volume, and Alq 3 as an electron transporting layer are formed in this order. Next, aluminum is deposited by a sputtering method and is etched by photolithography Next, one glass substrate is further sealed and sealed with an ultraviolet curable adhesive layer interposed therebetween on the second main surface side of the glass substrate. The organic EL structure is formed on the glass substrate by the above procedure. A glass laminate S1 having an organic EL structure on a substrate (hereinafter referred to as panel B) (A panel for a display device having a supporting substrate).

계속해서, 패널 B의 밀봉체측을 정반에 진공 흡착시킨 후, 패널 B의 코너부의 유리 기판과 수지층의 계면에 두께 0.1mm의 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 유리 기판과 수지층의 계면에 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 패널 B의 지지 기재 표면을 진공 흡착 패드로 흡착한 후, 흡착 패드를 상승시킨다. 여기서 칼날의 삽입은 이오나이저(키엔스사 제조)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행한다. 이어서, 형성한 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분사하면서, 또한 물을 박리 전선에 넣으면서 진공 흡착 패드를 인상한다. 그 결과, 정반 상에 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판만을 남기고, 수지층 딸린 지지 기재를 박리할 수 있다.Subsequently, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the glass substrate and the resin layer at the corner of the panel B after the sealing member side of the panel B was vacuum-adsorbed on the surface of the panel. Give the instrument. After the surface of the supporting substrate of the panel B is adsorbed by the vacuum adsorption pad, the adsorption pad is raised. Here, the insertion of the blade is carried out while spraying an antistatic fluid on the interface from an ionizer (manufactured by KYENS). Subsequently, the vacuum adsorption pad is pulled up while injecting the antistatic fluid continuously from the ionizer toward the formed gap, and further adding water to the peeling wire. As a result, only the glass substrate having the organic EL structure formed on the surface thereof can be left, and the supporting substrate with the resin layer can be peeled off.

계속해서, 분리된 유리 기판을 레이저 커터 또는 스크라이브-브레이크법을 이용하여 절단하고, 복수의 셀로 분단한 후, 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판과 대향 기판을 조립하고, 모듈 형성 공정을 실시하여 OLED를 제작한다. 이렇게 해서 얻어지는 OLED는 특성상 문제는 발생하지 않는다.Subsequently, the separated glass substrate is cut using a laser cutter or a scribe-break method, and is divided into a plurality of cells. Thereafter, the glass substrate on which the organic EL structure is formed and the counter substrate are assembled, And make them. The characteristics of the OLED thus obtained do not occur.

본 출원은 2013년 12월 27일 출원의 일본 특허 출원 2013-273147에 기초하는 것이고, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.The present application is based on Japanese Patent Application No. 2013-273147 filed on December 27, 2013, the contents of which are incorporated herein by reference.

10, 100, 200 : 유리 적층체
12 : 지지 기재
14 : 제1 실리콘 수지층
16 : 유리 기판
18 : 수지층 딸린 지지 기재
20 : 수지층 딸린 유리 기판
22 : 전자 디바이스용 부재
24 : 전자 디바이스용 부재 딸린 적층체
26 : 부재 딸린 유리 기판
30 : 지지 유리판
32 : 제2 실리콘 수지층
10, 100, 200: Glass laminate
12: support substrate
14: a first silicone resin layer
16: glass substrate
18: Resin support layer
20: glass substrate with resin layer
22: member for electronic device
24: Memberless laminate for electronic device
26: Glass substrate without member
30: Support glass plate
32: a second silicone resin layer

Claims (12)

지지 기재의 층과 실리콘 수지층과 유리 기판의 층을 이 순으로 구비하는 유리 적층체로서,
상기 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 하기 식 (D)로 표시되는 D 단위와 하기 식 (Q)로 표시되는 Q 단위를 갖는 축중합물이고,
상기 실리콘 수지층의 상기 유리 기판의 층에 대한 계면의 박리 강도와 상기 실리콘 수지층의 상기 지지 기재의 층에 대한 계면의 박리 강도가 상이한 유리 적층체:
Figure pct00008

식 중, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 4 이하의 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기를 나타낸다.
A glass laminate comprising a support substrate layer, a silicone resin layer, and a glass substrate layer in this order,
Wherein the silicone resin of the silicone resin layer is a condensation polymer having a D unit represented by the following formula (D) and a Q unit represented by the following formula (Q)
Wherein the peel strength of the interface between the silicon resin layer and the glass substrate layer is different from the peel strength of the interface between the silicon resin layer and the support substrate layer,
Figure pct00008

In the formulas, R a and R b each independently represent an alkyl group having 4 or less carbon atoms or a phenyl group which may have a substituent.
제1항에 있어서, 상기 축중합물에 있어서의 상기 D 단위와 상기 상기 Q 단위의 몰비(D 단위/Q 단위)가 0.02 내지 2인 유리 적층체.The glass laminate according to claim 1, wherein the molar ratio (D unit / Q unit) of the D unit to the Q unit in the axial polymeride is 0.02 to 2. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 식 (D)에 있어서의 Ra 및 Rb가 모두 메틸기인 유리 적층체.The glass laminate according to claim 1 or 2, wherein R a and R b in formula (D) are all methyl groups. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 수지층의 두께가 5 내지 2000nm인 유리 적층체.The glass laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the silicon resin layer has a thickness of 5 to 2000 nm. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 축중합물이 하기 식 (X)로 표시되는 규소 화합물 (X) 또는 그 다량체와 하기 식 (Y)로 표시되는 규소 화합물 (Y) 또는 그 다량체의 혼합물, 또는 상기 혼합물의 부분 축중합물을 포함하는 경화성 화합물이 축중합한 축중합물인 유리 적층체:
Figure pct00009

식 중, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 4 이하의 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기를 나타내고, Rx 및 Ry는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기 또는 가수분해성 기를 나타낸다.
The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the axial polymerisate comprises a silicon compound (X) represented by the following formula (X) or a mass thereof and a silicon compound (Y) represented by the following formula Wherein the mixture of the oligomers or the curable compound containing the partial-axis polymerized product of the mixture is a condensation-polymerized axial polymer,
Figure pct00009

In the formulas, R a and R b each independently represent an alkyl group having 4 or less carbon atoms or a phenyl group which may have a substituent, and R x and R y each independently represent a hydrogen atom, a hydroxy group or a hydrolysable group.
제5항에 있어서, 상기 식 (X)에 있어서의 Ra 및 Rb가 모두 메틸기이고, 가수분해성 기가 탄소수 4 이하의 알콕시기인 유리 적층체.The glass laminate according to claim 5, wherein R a and R b in formula (X) are all methyl groups and the hydrolyzable group is an alkoxy group having 4 or less carbon atoms. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 수지층의 상기 유리 기판의 층에 대한 계면의 박리 강도가 상기 실리콘 수지층의 상기 지지 기재의 층에 대한 계면의 박리 강도보다도 낮은 유리 적층체.The glass substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein a peel strength at an interface of the silicon resin layer with respect to the glass substrate layer is lower than a peel strength at an interface between the silicon resin layer and the support substrate layer Laminates. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 실리콘 수지층의 상기 유리 기판의 층에 대한 계면의 박리 강도가, 상기 실리콘 수지층의 상기 지지 기재의 층에 대한 계면의 박리 강도보다도 높은 유리 적층체.The glass substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein the peel strength of the interface of the first silicon resin layer to the glass substrate layer is higher than the peel strength of the interface of the silicon resin layer to the support substrate layer &Lt; / RTI &gt; 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 기재의 층이 지지 유리판의 층과 제2 실리콘 수지층을 갖는 적층 지지 기재이고, 상기 제2 실리콘 수지층이 상기 실리콘 수지층에 접하고 있는 유리 적층체.The method of manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 8, wherein the layer of the supporting substrate is a laminated support substrate having a layer of a supporting glass plate and a second silicon resin layer, the second silicon resin layer being in contact with the silicon resin layer &Lt; / RTI &gt; 제9항에 있어서, 상기 제2 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 경화성 오르가노폴리실록산의 경화물을 포함하고, 상기 경화성 오르가노폴리실록산이 식 (1)로 표시되는 실록산 단위 (A)와 식 (2)로 표시되는 실록산 단위 (B)를 포함하는 유리 적층체:
Figure pct00010

식 중, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 탄소수 4 이하의 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기를 나타낸다; R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소수 4 이하의 알킬기 또는 탄소수 3 이하의 알케닐기를 나타낸다; Ar은 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐렌기를 나타낸다; 단, 실록산 단위 (B) 중의 적어도 일부는 R5 및 R6 중 적어도 한쪽이 탄소수 3 이하의 알케닐기인 실록산 단위이다.
The curable organopolysiloxane according to claim 9, wherein the silicone resin of the second silicone resin layer comprises a curable organopolysiloxane, and the curable organopolysiloxane comprises a siloxane unit (A) represented by formula (1) (B) represented by the following formula
Figure pct00010

In the formulas, R 1 to R 4 each independently represent an alkyl group having 4 or less carbon atoms or a phenyl group which may have a substituent; R 5 and R 6 each independently represent an alkyl group having 4 or less carbon atoms or an alkenyl group having 3 or less carbon atoms; Ar represents a phenylene group which may have a substituent; Provided that at least a part of the siloxane unit (B) is a siloxane unit in which at least one of R 5 and R 6 is an alkenyl group having 3 or less carbon atoms.
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 제2 실리콘 수지층의 두께가 상기 실리콘 수지층의 두께보다도 두껍고, 또한 50㎛ 이하인 유리 적층체.11. The glass laminate according to claim 9 or 10, wherein the thickness of the second silicon resin layer is larger than the thickness of the silicon resin layer and is 50 m or less. 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항의 유리 적층체의 제조 방법으로서,
유리 기판 및 지지 기재 중 어느 한쪽의 표면 상에 상기 경화성 화합물을 도포하고, 가열 처리를 실시하여 상기 유리 기판 및 상기 지지 기재 중 어느 한쪽의 표면 상에 실리콘 수지층을 형성하는 공정과,
상기 실리콘 수지층 상에 상기 유리 기판 및 상기 지지 기재 중 어느 다른 쪽을 적층하는 공정을 구비하는 유리 적층체의 제조 방법.
9. A method of producing a glass laminate according to any one of claims 5 to 8,
A step of applying the curable compound on the surface of one of the glass substrate and the support substrate and performing heat treatment to form a silicone resin layer on the surface of either the glass substrate or the support substrate,
And a step of laminating the other of the glass substrate and the supporting substrate on the silicon resin layer.
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