KR20110066849A - Semiconductor gas sensor with low power consumption - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 claims description 7
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 6
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 claims description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 3
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 claims description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 78
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/128—Microapparatus
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- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
- G01N27/16—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by burning or catalytic oxidation of surrounding material to be tested, e.g. of gas
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- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
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- G01N27/4071—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases using sensor elements of laminated structure
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0036—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Pathology (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 가스 센서에 관한 것으로, 특히 미세기전집적시스템(MEMS) 기술을 이용한 반도체 가스 센서에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
본 발명은 지식 경제부의 IT성장동력기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호 : 2006-S-006-04, 과제명 : 유비쿼터스 단말용 부품 모듈].The present invention is derived from a study conducted as part of the IT growth engine technology development project of the Ministry of Knowledge Economy [Task Management Number: 2006-S-006-04, Task name: Ubiquitous terminal component module].
가스 센서에 대한 연구는 오래 전부터 이루어져 왔으며, 현재 많은 종류의 가스 센서가 상용화되어 있다. Research on gas sensors has been conducted for a long time, and many kinds of gas sensors are commercially available.
그 중에서 반도체를 이용한 가스 센서는, 기체 성분이 반도체의 표면에 흡착하거나 또는 미리 흡착해 있던 산소 등과 같은 흡착 가스와 반응할 때 흡착 분자와 반도체 표면과의 사이에 전자 수수가 일어나고 이로 인하여 반도체의 도전율과 표면 전위 등이 변화하게 되는데, 이러한 변화를 검출하는 원리이다. Among them, a gas sensor using a semiconductor has electron transfer between the adsorption molecules and the semiconductor surface when the gas component is adsorbed on the surface of the semiconductor or reacts with an adsorbed gas such as oxygen that has been adsorbed in advance. And surface potential change, which is the principle of detecting such changes.
반도체 가스 센서는 측정 대기의 스펙트럼이나 이온 모빌리티(mobility)에 의한 전도성 측정을 통한 광학식 가스 센서나 전기 화학식 가스 센서에 비하여 그 구조가 간단하고 공정이 용이하며, 크기가 작고 전력 소모가 적은 이점들 이 있다. The semiconductor gas sensor is simpler in structure, easier to process, smaller in size, and lower in power consumption than an optical gas sensor or an electrochemical gas sensor through conductivity measurement by spectrum of the measurement atmosphere or ion mobility. have.
하지만 다른 센서, 예를 들어 상용화된 온도나 습도 센서의 소모 전력이 mW 급인데 비해 반도체식 가스 센서는 원활한 가스 감지를 위하여 기판 뒷면에 주변 온도 상승을 위한 히터를 형성하여 사용하므로, 상용화된 반도체식 가스 센서의 소모 전력이 이보다 30 ~ 100 배 정도 더 커서 유비쿼터스 센서 네트워크를 이용한 다양한 서비스나 휴대용 단말에서의 적용에 어려움이 있어, 전력 소모가 적은 반도체 가스 센서가 요구된다.
However, the power consumption of other sensors, such as commercially available temperature or humidity sensors, is mW, whereas semiconductor gas sensors are used by forming heaters to increase the ambient temperature on the back of the substrate for smooth gas detection. Since the power consumption of the gas sensor is about 30 to 100 times larger than this, it is difficult to apply to various services or portable terminals using the ubiquitous sensor network, and thus a semiconductor gas sensor with low power consumption is required.
따라서, 본 발명의 목적은, 소모 전력이 현저히 줄어든 반도체 가스 센서를 제공하는 데에 있다. It is therefore an object of the present invention to provide a semiconductor gas sensor in which power consumption is significantly reduced.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 빠른 응답 특성을 갖는 반도체 가스 센서를 제공하는 데에 있다. Another object of the present invention is to provide a semiconductor gas sensor having fast response characteristics.
그 외의 본 발명에서 제공하고자 하는 목적은, 하기의 설명 및 본 발명의 실시 예들에 의하여 파악될 수 있다. Other objects to be provided by the present invention can be understood by the following description and embodiments of the present invention.
이를 위하여, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 가스 센서는, 상온 상태에서 저차원 반도체 나노 소재에 가스를 흡착시켜 저차원 반도체 나노 소재의 저항 변화를 출력하고, 히터에 전력을 가하여 상기 저차원 반도체 나노 소재에 흡착된 가스를 탈착시켜 상기 저차원 반도체 나노 소재를 초기 저항 상태로 만드는 것을 특징으로 한다.To this end, the semiconductor gas sensor according to an embodiment of the present invention, by adsorbing gas to the low-dimensional semiconductor nanomaterial at room temperature to output a resistance change of the low-dimensional semiconductor nanomaterial, applying a power to the heater to the low-dimensional semiconductor Desorbing the gas adsorbed on the nanomaterial is characterized in that the low-dimensional semiconductor nanomaterial to make the initial resistance state.
상술한 바와 같은 본 발명은, 상온에서도 고감도 특성을 갖는 저차원 반도체 나노 소재를 이용하여 가스 감지 특성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. As described above, the present invention has an advantage of improving gas sensing characteristics by using a low-dimensional semiconductor nanomaterial having high sensitivity even at room temperature.
또한, 본 발명에 의하면 상온에서도 고감도 특성을 나타내므로 주변 온도를 올리는 데 필요한 전력을 줄일 수 있는 이점이 있고, 상온에서 반응하여 흡착된 가스의 탈착에는 훨씬 적은 에너지로 짧은 시간내에 가능하므로 소모전력을 현저히 줄일 수 있고, 고온에서의 동작 시간을 줄임으로써 센서의 수명을 늘릴 수 있는 이점이 있다. In addition, the present invention has the advantage of reducing the power required to increase the ambient temperature because it exhibits a high sensitivity even at room temperature, the power consumption can be reduced in a short time with much less energy for the desorption of the adsorbed gas at room temperature There is an advantage that can be significantly reduced, and to increase the life of the sensor by reducing the operating time at high temperatures.
또한, 본 발명에 의하면 저차원 반도체 나노 소재의 고감도 특성으로 인하여 감지 소재의 부피를 대폭 줄일 수 있어, 흡착된 가스를 탈착시키는 데 필요한 소모 전력을 현저히 줄이고 빠른 응답 특성을 나타낼 수 있는 이점이 있다. In addition, according to the present invention, the volume of the sensing material can be greatly reduced due to the high sensitivity of the low dimensional semiconductor nanomaterial, thereby significantly reducing the power consumption required to desorb the adsorbed gas and exhibiting a quick response characteristic.
또한, 본 발명에 의한 반도체 가스 센서의 저전력 특성으로 인하여 부가 회로가 필요 없으며, 제한된 전지 용량 내에서도 장시간 사용할 수 있는 이점이 있으며, 태양광 소자, 열전 소자 및 압전 소자 등의 에너지 변환 소자의 자가 충전 전원을 이용하여 구동할 수 있는 이점이 있다. In addition, the low power characteristic of the semiconductor gas sensor according to the present invention eliminates the need for an additional circuit, and can be used for a long time even within a limited battery capacity. The self-charging power source of energy conversion elements such as photovoltaic devices, thermoelectric devices, and piezoelectric devices There is an advantage that can be driven using.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 가스 센서의 단면도,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따라 감지 전극 상에 증착된 산화 아연 나노 로드를 보여주는 도면,
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 가스 센서의 측정 감도를 보여주는 그래프,
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 가스 센서의 측정 감도를 보여주는 그래프.1 is a cross-sectional view of a semiconductor gas sensor according to an embodiment of the present invention;
2 illustrates zinc oxide nanorods deposited on a sensing electrode according to an embodiment of the present invention;
3 is a graph showing measurement sensitivity of a semiconductor gas sensor according to an embodiment of the present disclosure;
4 is a graph showing the measurement sensitivity of the semiconductor gas sensor according to another embodiment of the present invention.
하기에서 본 발명을 설명함에 있어 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 그리고 후술하는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자 및 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다.
In the following description of the present invention, when it is determined that a detailed description of a known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. Terms to be described later are terms defined in consideration of functions in the present invention, and may be changed according to intentions or customs of users and operators. Therefore, the definition should be made based on the contents throughout the specification.
전술한 바와 같이, 종래 이용되는 반도체 가스 센서는 고온에서 가스 감지와 흡착된 가스의 탈착이 이루어지므로 소자의 소모전력이 다른 센서들 (예를 들어 온도 센서나 습도 센서 등)에 비해 커서 유비쿼터스 센서 네트워크를 이용한 다양한 서비스에 적용하기 어려웠었고, 고온 동작으로 인해 소자의 수명이 줄어드는 문제점이 예상된다. As described above, the conventionally used semiconductor gas sensor detects gas at high temperature and desorbs the adsorbed gas, so that the power consumption of the device is larger than that of other sensors (for example, a temperature sensor or a humidity sensor). It was difficult to apply to various services using, and the problem that the life of the device is reduced due to the high temperature operation is expected.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 체적에 비하여 표면적이 크고 상온에서도 가스 감지 특성이 좋은 나노 분말(nano powder), 나노 선(nano wire), 나노 로드(nano rod), 탄소 나노 튜브(Carbon Nano Tube; CNT) 및 그라핀(graphene) 등의 저차원 나노 소재를 가스 감지 물질로서 사용하며, 가스의 탈착시에만 히터를 구동하는 반도체 가스 센서를 제공한다. Therefore, in order to solve the above problems, the present invention has a large surface area compared to the volume and good gas detection characteristics even at room temperature, nano powder, nano wire, nano rod, carbon nano Low-dimensional nanomaterials, such as carbon nanotubes (CNT) and graphene, are used as gas sensing materials and provide a semiconductor gas sensor that drives a heater only when gas is desorbed.
즉, 상온 상태에서 저차원 반도체 나노 소재에 가스를 흡착시켜 저차원 반도체 나노 소재의 저항 변화를 출력하고, 히터에 전력을 가하여 저차원 반도체 나노 소재에 흡착된 가스를 탈착시켜 저차원 반도체 나노 소재를 초기 저항 상태로 만드는 반도체 가스 센서를 제공한다. In other words, by adsorbing gas to the low-dimensional semiconductor nanomaterial at room temperature, it outputs the resistance change of the low-dimensional semiconductor nanomaterial, and applies the power to the heater to desorb the gas adsorbed on the low-dimensional semiconductor nanomaterial to produce the low-dimensional semiconductor nanomaterial. It provides a semiconductor gas sensor that makes the initial resistance state.
본 발명에서 제공하는 이러한 반도체 가스 센서는 기존 방식에 비해 저전력 특성 및 빠른 응답 특성을 나타내는 이점이 있다. Such a semiconductor gas sensor provided by the present invention has an advantage of exhibiting low power characteristics and fast response characteristics compared to the conventional method.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 가스 센서의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor gas sensor according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 가스 센서는, 기판(110) 상에 형성된 제 1 산화 실리콘 박막(120), 질화 실리콘 박막(130), 제 2 산화 실리콘 박막(140), 히터(150), 히터 전극 패드(160), 절연막(170), 감지 전극(180) 및 저차원 반도체 나노 소재(190)를 포함한다.
Referring to FIG. 1, a semiconductor gas sensor according to an exemplary embodiment may include a first silicon oxide
기판(110)은 일반적인 반도체 공정에서 사용되는 실리콘 기판을 이용할 수 있으며, 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 마그네슘(MgO), 석영(quartz), 갈륨-질소(GaN) 또는 갈륨-비소(GaAs) 가 도핑된 기판을 이용할 수도 있다. 한편, 히터(150)가 형성된 기판(110)의 중앙 영역 후면은 식각되어 제거된다. 기판(110)의 후면을 식각함에 있어서는 포토레지스트 패턴을 이용한 건식 식각 공정을 이용할 수 있다.
The
제 1 산화 실리콘 박막(120), 질화 실리콘 박막(130) 및 제 2 산화 실리콘 박막(140)은 멤브레인(membrane)을 형성하며, 기판(110) 상에 순차적으로 적층된다. The first silicon oxide
상기 멤브레인은 기판(110)의 후면 식각 시에 식각 방지층의 역할을 하며, 또한 히터(150)의 지지대 역할을 한다. 또한, 상기 멤브레인은 히터(150)의 가열 시에 발열에 의한 소자의 변형이 일어나는 것을 방지하기 위한 것으로서, 산화 실리콘 박막 또는 질화 실리콘 박막으로 형성되거나, 산화 실리콘 박막 및 질화 실리콘 박막의 적층 구조로 형성될 수 있다. 본 도면에서는 멤브레인이 제 1 산화 실리콘 박막(120), 질화 실리콘 박막(130) 및 제 2 산화 실리콘 박막(140)의 적층 구조로 형성된 경우에 대해 도시하고 있는데, 이와 같이 멤브레인은 압축 응력을 갖는 산화 실리콘 박막과 신장 응력을 갖는 질화 실리콘 박막을 도 1과 같은 구조로 형성하는 것이 바람직하다. 물론, 멤브레인은 이들 중 어느 하나의 박막으로만 이루어질 수도 있다. The membrane serves as an etch stop layer during backside etching of the
상기 멤브레인은 열산화법, 스퍼터링법 또는 화학 기상 증착법 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
The membrane may be formed using a method such as thermal oxidation, sputtering or chemical vapor deposition.
히터(150)는 가스 감지 특성 향상을 위하여 주변 온도를 상승시키는 역할을 하며, 금(Au), 텅스텐(W), 백금(Pt) 및 팔라듐(Pd) 등의 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 히터(150)는 기판(110) 중앙 영역의 멤브레인 상에 형성되며, 바람직하게, 인터디지털(inter-digital) 형태 또는 갭(gap) 형태로 형성된다. The
히터(150)는 스퍼터링법(sputtering), 전자빔법(e-beam) 또는 기화법(evaporation) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있다. The
한편, 히터(150) 형성시에 접착력을 더 높이기 위하여 멤브레인 상에 크롬(Cr) 또는 티타늄(Ti) 등을 이용한 부착층(미도시)을 더 형성할 수 있다. 상기 부착층은 스퍼터링법, 전자빔법 또는 기화법 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있다. Meanwhile, an adhesion layer (not shown) using chromium (Cr), titanium (Ti), or the like may be further formed on the membrane in order to further increase the adhesive force when the
히터(150)는 히터 전극 패드(160) 및 본딩 와이어에 의하여 외부 회로(미도시)와 연결될 수 있는데, 감지 소재에 흡착된 가스를 탈착시킬 때만 히터(150)를 가열하도록 외부 회로를 설정함으로써 전력 소모를 줄이고 빠른 응답 특성을 얻을 수 있다. 가스 탈착시뿐만 아니라 계속하여 히터(150)를 가열할 수 있음은 물론이다.
The
히터 전극 패드(160)는 히터(150)에 전력을 전달하는 역할을 하며, 전원 공급원과의 연결을 위한 본딩 와이어(미도시)가 접촉될 수 있다. 바람직하게, 히터 전극 패드(160)는 소자의 양측으로 두 개가 형성된다. 예를 들어, 절연막(170)을 식각하여 히터(150)의 일부 표면을 노출시키고, 식각된 영역에 도전막을 매립하여 히터 전극 패드(160)를 형성할 수 있다.The
한편, 히터 전극 패드(160)는 히터(150)와 동일한 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 스퍼터링법, 전자빔법 또는 기화법 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
Meanwhile, the
절연막(170)은 히터(150)와 히터 전극 패드(160)를 덮는 형태로 멤브레인 상에 형성된다. 이때, 히터 전극 패드(160) 상에 본딩 와이어 등이 접촉될 수 있도록 히터 전극 패드(160)의 상부는 노출되도록 절연막(170)이 형성된다. 절연막(170)은 실리콘 박막 또는 질화 실리콘 박막 등으로 형성하며, 열산화법, 스퍼터링법 또는 화학 기상 증착법 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
The
감지 전극(180)은 감지 소재에서의 가스 흡착 및 탈착에 따른 저항 값 변화를 외부로 출력한다. 감지 전극(180)은 기판(110) 중앙 영역의 절연막(170) 상에 형성되며, 바람직하게는 기판의 중앙 영역을 지나도록 한 쌍이 형성된다. 감지 전극(180)은 백금(Pt), 알루미늄(Al) 또는 금(Au) 등을 이용하여 스퍼터링법, 전자빔법 또는 기화법 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다. 감지 전극(180)의 양단에는 신호 전달을 위한 본딩 와이어(미도시)가 접촉된다.
The
저차원 반도체 나노 소재(190)는 가스를 흡착 또는 탈착시키는 가스 감지 소재로서, 감지 전극(180) 상에 또는 감지 전극(180)을 덮는 형태로 절연막(170) 상에 형성된다. 저차원 반도체 나노 소재(190)로는 나노 분말(nano powder), 나노 선(nano wire), 나노 로드(nano rod), 탄소 나노 튜브(Carbon Nano Tube; CNT) 및 그라핀(graphene) 등의 물질을 이용할 수 있으며, 솔-젤법, 드랍 코팅법, 스크린 프린팅법 또는 화학 기상 증착법 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 감지 전극(180) 상에 산화 아연(ZnO) 나노 로드를 증착한 일 예를 도 2에 도시하였다.
The low
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 가스 센서는, 작은 부피로도 저온, 특히 상온에서 고감도 특성을 갖는 저차원 반도체 나노 소재를 이용하고, 흡착된 가스를 탈착시킬 때에만 히터를 가열시킴으로써 저전력 특성과 빠른 응답 특성을 갖는 이점이 있다.
The semiconductor gas sensor according to an embodiment of the present invention having the above-described configuration uses a low-dimensional semiconductor nanomaterial having high sensitivity at low temperature, especially at room temperature even with a small volume, and uses a heater only when the adsorbed gas is desorbed. Heating has the advantage of having low power characteristics and fast response characteristics.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 가스 센서의 측정 감도를 보여주는 그래프이다. 3 is a graph showing the measurement sensitivity of the semiconductor gas sensor according to an embodiment of the present invention.
실험을 위하여, 히터에 계속적으로 17mW의 전압을 인가한 상태에서 센서를 0.05ppm ~ 5ppm 농도의 이산화 질소(NO2) 가스에 3분씩 노출시키면서 NO2 가스 농도에 따른 센서 저항 변화를 측정하였고, 흡착된 가스의 탈착을 위하여 소모된 시간은 약 3분이었다. 이 때, 감지 물질로는 ZnO 나노 로드를 이용하였다. For the experiment, the sensor was exposed to NO 2 by 3 minutes with a nitrogen dioxide (NO 2 ) gas at a concentration of 0.05 ppm to 5 ppm with a constant voltage of 17 mW applied to the heater. The sensor resistance change with gas concentration was measured, and the time consumed for desorption of the adsorbed gas was about 3 minutes. In this case, ZnO nanorods were used as the sensing material.
일반적으로 ZnO 물질은 산소 공공(oxygen vacancy)의 존재로 인하여 n형 반도체이고 NO2 가스는 산화성 가스이므로 가스 농도가 증가할수록 빼앗기는 전도성 전자의 양이 커서 센서 저항 값의 변화가 더 커지게 되는데, 이를 도 3에서 확인할 수 있다. In general, ZnO materials are n-type semiconductors due to the presence of oxygen vacancies, and NO 2 gas is an oxidizing gas. Therefore, as the gas concentration increases, the amount of conductive electrons deprived increases, so that the change in sensor resistance becomes larger. It can be seen in FIG. 3.
한편, 본 발명에 따른 히터는 CMOS 호환 MEMS 공정으로 만들어진 센서에 내장될 수 있는 초소형 소자로서, 짧은 시간 안에 원하는 온도에 도달할 수 있고 다양한 분위기에서 오랫동안 사용하여도 그 특성이 변하지 않는 내구성을 지닌다. On the other hand, the heater according to the present invention is an ultra-small device that can be embedded in a sensor made by a CMOS-compatible MEMS process, has a durability that can reach the desired temperature in a short time and its characteristics do not change even after long use in various atmospheres.
가스 센서가 대기 환경에 노출되었을 때 대기 중에서 가장 큰 구성비를 차지하는 질소나 산소와 가장 먼저 반응이 일어나는데, 질소는 비활성 가스로서 가스 센서 내의 감지 소재와는 아무런 반응이 일어나지 않고, 산소는 감지 소재 표면에서 흡착되어 O2 -, O2 - 및 O- 등의 이온 형태로 존재하게 되는데, 이 때 감지 소재로부터 전자를 빼앗아 가게 된다. 이렇게 전자가 빼앗긴 전자 공핍층은 수십 nm 정도인데 전도성 경로의 크기가 이와 비슷한 나노 소재의 경우 산화성 가스나 환원성 가스와 반응할 때 전체 전도성 경로의 크기에서 전기 전도가 가능한 영역의 변화가 매우 커서 산화성 가스나 환원성 가스에 노출되었을 때 매우 큰 저항 변화, 즉 고감도 특성이 나타나며 낮은 동작 온도에서도 이러한 특성을 보이게 된다.
When a gas sensor is exposed to the atmosphere, it reacts first with nitrogen or oxygen, which is the largest component in the atmosphere. Nitrogen is an inert gas that does not react with the sensing material in the gas sensor. adsorbed O 2 -, O 2 - and O - there is present in the ionic form, such as, at this time it will go away electrons from the sensing material. The electron depletion layer of electrons is about tens of nm, and in the case of nanomaterials having a similar conductive path size, when the oxidizing gas or the reducing gas reacts with the oxidizing gas or the reducing gas, the change in the area where electric conduction is possible due to the large change of the conductive path is very large. When exposed to a reducing gas, however, a very large resistance change, that is, high sensitivity, is exhibited, and even at low operating temperatures.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 가스 센서의 측정 감도를 보여주는 그래프이다. 4 is a graph showing the measurement sensitivity of the semiconductor gas sensor according to another embodiment of the present invention.
실험을 위하여, 센서를 0.05ppm ~ 5ppm 농도의 이산화 질소(NO2) 가스에 2분씩 노출시키면서 NO2 가스 농도에 따른 센서 저항 변화를 측정하였고, 감지 물질로는 ZnO 나노 로드를 이용하였다. For the experiment, the sensor was exposed to NO 2 with a concentration of 0.05 ppm to 5 ppm of nitrogen dioxide (NO 2 ) for 2 minutes. The sensor resistance change according to the gas concentration was measured, and ZnO nanorods were used as the sensing material.
다만, 도 3에서와 달리 여기에서는 센서를 가스에 노출할 때에는 히터에 전력을 가하지 않은 상온 상태에서 실험을 하였으며, 감지 소재에 흡착된 NO2 가스를 탈착할 때에만 히터에 15mW의 전력을 가하였다. However, unlike in FIG. 3, when the sensor is exposed to gas, the experiment was conducted at room temperature without applying power to the heater, and only 15 mW of power was applied to the heater when the NO 2 gas adsorbed on the sensing material was desorbed. .
또한, 센서를 챔버에 위치시키고 질소나 공기만을 주입하다가 NO2 가스를 조금씩 더 넣어주면서 저항 변화를 측정하였다. In addition, the sensor was placed in the chamber and nitrogen or air was injected, and the NO 2 gas was added little by little to measure the resistance change.
도 4를 살펴보면 상온에서 NO2 가스가 주입되지 않았을 때에는 센서는 일정한 저항 값을 보이다가 NO2 가스에 노출되면서부터 센서 저항 값이 증가하는 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 4, when the NO 2 gas is not injected at room temperature, the sensor shows a constant resistance value and then the sensor resistance value increases from exposure to the NO 2 gas.
또한, NO2 가스 주입을 멈추고 센서에 내장된 히터에 전력을 가하면 흡착되었던 NO2 가스가 탈착되면서 저항이 감소하는 것을 알 수 있다. NO2 가스의 탈착 과정은 2분씩 진행하였다. NO2 가스의 탈착이 완료되면 센서는 NO2 가스와의 반응 전의 초기 저항 상태를 보이는 것을 알 수 있다. In addition, it can be seen that the decrease in resistance as desorbed NO 2 gas stops NO 2 gas was injected into the adsorption Applying power to the heater embedded in the sensor. The desorption process of NO 2 gas was performed for 2 minutes. When the desorption of the NO 2 gas is completed, it can be seen that the sensor shows the initial resistance state before the reaction with the NO 2 gas.
도 3과 도 4에서 센서의 가스 감지용 반응시간을 비교해보면, 가스 감지로 인한 변환된 저항값의 포화에 이르는 시간이 도 4에서의 동작 방식에서 훨씬 적으며, 흡착된 가스의 탈착용 동작 시간도 휠씬 짧음을 확인할 수 있고, 가스 감지용 동작 시간과 흡착된 가스의 탈착용 동작 시간이 같다고 가정할 때에도 센서의 전체 소모 전력이 약 1/2로 줄어드는 이점이 있다.
When comparing the reaction time for gas detection of the sensor in Figures 3 and 4, the time to reach the saturation of the converted resistance value due to gas detection is much less in the operating method of Figure 4, the operating time for the desorption of the adsorbed gas Also, it can be confirmed that the process is much shorter, and assuming that the operation time for detecting gas and the operation time for desorption of the adsorbed gas are the same, the total power consumption of the sensor is reduced to about 1/2.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
While the above has been shown and described with respect to preferred embodiments of the invention, the invention is not limited to the specific embodiments described above, it is usually in the technical field to which the invention belongs without departing from the spirit of the invention claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or prospect of the present invention.
110: 기판 120: 제 1 산화 실리콘 박막
130: 질화 실리콘 박막 140: 제 2 산화 실리콘 박막
150: 히터 160: 히터 전극 패드
170: 절연막 180: 감지 전극
190: 저차원 반도체 나노 소재110: substrate 120: first silicon oxide thin film
130: silicon nitride thin film 140: second silicon oxide thin film
150: heater 160: heater electrode pad
170: insulating film 180: sensing electrode
190: low dimensional semiconductor nanomaterial
Claims (7)
저전력소모형 반도체 가스 센서.
The low dimensional semiconductor nanomaterial is adsorbed at low temperature to output a change in resistance of the low dimensional semiconductor nanomaterial, and a power is applied to a heater to desorb the gas adsorbed on the low dimensional semiconductor nanomaterial to obtain the low dimensional semiconductor nanomaterial. Made into an initial resistance state
Low power consumption semiconductor gas sensor.
멤브레인;
상기 멤브레인의 하부에 위치하며 상기 멤브레인의 하부와 기판사이가 노출되도록 중앙 영역이 식각된 기판;
상기 멤브레인 상의 중앙 영역에 형성되며 상기 저차원 반도체 나노 소재에 흡착된 가스의 탈착 시 구동되는 히터;
상기 히터를 덮는 형태로 상기 멤브레인 상에 형성된 절연막;
상기 절연막 상의 중앙 영역에 형성된 감지 전극; 및
상기 감지 전극 상에 형성된 상기 저차원 반도체 나노 소재
를 포함하는 저전력소모형 반도체 가스 센서.
The method of claim 1,
Membrane;
A substrate positioned below the membrane and having a central region etched to expose the bottom of the membrane and the substrate;
A heater formed in a central region on the membrane and driven when the gas adsorbed on the low dimensional semiconductor nanomaterial is desorbed;
An insulating film formed on the membrane to cover the heater;
A sensing electrode formed in a central region on the insulating film; And
The low dimensional semiconductor nanomaterial formed on the sensing electrode
Low power consumption semiconductor gas sensor comprising a.
상기 저차원 반도체 나노 소재는 나노 분말(nano powder), 나노 선(nano wire), 나노 로드(nano rod), 탄소 나노 튜브(Carbon Nano Tube; CNT) 또는 그라핀(graphene)인
저전력소모형 반도체 가스 센서.
The method of claim 1,
The low-dimensional semiconductor nanomaterial is nano powder, nano wire, nano rod, carbon nano tube (CNT) or graphene (graphene)
Low power consumption semiconductor gas sensor.
상기 저차원 반도체 나노소재는,
솔-젤법, 드랍 코팅법, 스크린 프린팅법 또는 화학 기상 증착법에 의해 형성된 저전력소모형 반도체 가스 센서.
The method of claim 1,
The low dimensional semiconductor nanomaterial,
Low power consumption semiconductor gas sensor formed by sol-gel method, drop coating method, screen printing method or chemical vapor deposition method.
상기 멤브레인은,
상기 히터의 가열시 발열에 의한 소자의 변형을 방지하는
저전력소모형 반도체 가스 센서.
The method of claim 1,
The membrane,
To prevent deformation of the device due to heat generation during heating of the heater
Low power consumption semiconductor gas sensor.
상기 멤브레인은,
산화 실리콘 박막 또는 질화 실리콘 박막으로 형성되거나, 산화 실리콘 박막 및 질화 실리콘 박막의 적층 구조로 형성된
저전력소모형 반도체 가스 센서.
The method of claim 1,
The membrane,
Formed of a silicon oxide thin film or a silicon nitride thin film, or a laminated structure of a silicon oxide thin film and a silicon nitride thin film
Low power consumption semiconductor gas sensor.
상기 멤브레인은,
산화 실리콘 박막 또는 질화 실리콘 박막의 단일 또는 다층 구조로 형성된
저전력소모형 반도체 가스 센서.
The method of claim 1,
The membrane,
Formed of a single or multilayer structure of a silicon oxide thin film or a silicon nitride thin film
Low power consumption semiconductor gas sensor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/965,433 US20110138882A1 (en) | 2009-12-11 | 2010-12-10 | Semiconductor gas sensor having low power consumption |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20090123175 | 2009-12-11 | ||
| KR1020090123175 | 2009-12-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110066849A true KR20110066849A (en) | 2011-06-17 |
Family
ID=44399592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100116063A KR20110066849A (en) | 2009-12-11 | 2010-11-22 | Semiconductor gas sensor with low power consumption |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20110066849A (en) |
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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