KR20100130417A - 하드마스크용 덴드리머 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물 - Google Patents
하드마스크용 덴드리머 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 하드마스크용 덴드리머(dendrimer) 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 공정에 적용 가능한 식각 내성이 우수한 마스크막을 형성하기 위하여, 덴드리머 구조를 가지는 하드마스크용 화합물과, 이를 포함하는 하드마스크용 조성물에 관한 것이다. 본 발명에서는 피식각층 상부에 상기 하드마스크용 조성물을 스핀 코팅법으로 도포한 다음, 경화함으로써, 반도체 소자의 미세 패턴 형성 공정에 적용 가능한 식각 내성이 우수한 유무기 하이브리드계 하드마스크막을 형성할 수 있다.
Description
본 발명은 하드마스크용 덴드리머 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물에 관한 것이다.
반도체 소자의 응용 분야가 확장되어 감에 따라, 집적도가 향상된 대용량 메모리 소자를 제조하기 위한 공정 기술의 개발이 요구되고 있다. 예를 들어, 0.07㎛이하의 선폭(critical dimension; CD)을 가지는 라인 패턴 또는 콘택홀 패턴을 형성하기 위하여, I-line 또는 KrF(248nm)의 장파장 광원을 노광원으로 사용하는 대신 ArF(193nm) 또는 VUV(157nm) 등의 화학증폭형의 원자외선(Deep Ultra Violet; DUV) 단파장 광원을 노광원으로 사용하는 새로운 리소그라피 공정이 개발되었다.
한편, 반도체 소자 크기가 더욱 미세화되어감에 따라, 상기 리소그라피 공정에서 포토레지스트 패턴의 아스펙트비(aspect ratio)의 증가로 후속 세정 공정 시에 포토레지스트 패턴간의 모세관력(capillary force)이 증가하여, 포토레지스트 패턴이 붕괴하는 문제가 있다.
종래에는 포토레지스트 패턴 붕괴를 방지하기 위하여, 100nm 이하의 미세 패턴 형성 공정 시에 적용되는 포토레지스트막의 두께를 200nm 이하로 낮추었다. 하지만, 포토레지스트막의 코팅 두께가 낮아지는 경우, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하부 식각층을 식각할 때, 피식각층에 대한 포토레지스트 패턴의 식각 선택비를 충분히 확보할 수 없기 때문에, 회로 패턴을 형성하는 것이 불가능하다.
특히, 단파장용 포토레지스트 물질의 경우 벤젠과 같은 방향족 화합물 대신 지방족 화합물을 주성분으로 포함하기 때문에, 충분한 식각 내성을 얻을 수 없다. 따라서, 실리콘산화막(SiO2)층으로 이루어진 피식각층 등을 식각할 때, 피식각층 변형이 유발되어 반도체 소자 제조가 거의 불가능하다.
최근 이러한 단점을 개선하기 위해, 반도체 기판상의 피식각층(실리콘산화막)과 포토레지스트막 사이에 포토레지스트막과 유사하거나 상대적으로 큰 식각 선택비를 가지는 절연막이나, 비정질 탄소(amorphous carbon)층으로 이루어진 다층 하드마스크막을 형성하여, 포토레지스트막의 식각 선택비를 개선하는 방법이 도입되었다.
상기 비정질 탄소층은 유기물과 같은 성질을 갖는 물질로서, 얇은 두께로 형성하여도 두꺼운 하부층에 대한 충분한 선택비를 얻을 수 있기 때문에 형성되는 코팅 두께에 제약을 받지 않는다. 하지만, 상기 비정질 탄소층 및 절연막은 포토레지스트 코팅 공정에 사용되는 공정 장비와 별도의 증착 장비를 필요로 한다. 더욱이, 상기 비정질 탄소층 및 절연막의 경우 증착 효율이 낮아 포토레지스트 코팅 공정보다 생산량(throughput)이 낮으므로 제조 공정 비용이 증가힌다. 또한, 상기 비정질 탄소층 및 절연막은 다층을 형성하기 위해 복잡한 공정 단계를 수행해야 한다.
이에 공정의 단순화와 공정 비용 절감을 위하여, 반사방지막의 역할을 수행함과 동시에 증착 방법이 간단하고, 충분한 식각 내성을 가지는 하드마스크막의 개발이 시급하다.
본 발명에서는 피식각층 패턴을 형성하기 위한 패턴 형성 공정 시에, 우수한 식각 선택비를 가지는 마스크막을 형성할 수 있는 하드마스크용 덴드리머 화합물과 이를 포함하는 하드마스크용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명에서는 상기 하드마스크용 조성물을 이용하여 균일한 패턴을 형성할 수 있는 반도체 소자의 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여,
본 발명에서는 실리콘과 탄화수소가 함유된 하기 화학식 1의 화합물로 표시되는 하드마스크용 덴드리머 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 식에서, R1은 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬렌이고, R2는 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬이다.
상기 덴드리머 화합물은 하드마스크막의 식각 선택비를 향상시키는 물질로서, 화합물 전체 중량을 100이라고 할 때, 15∼45% 정도의 실리콘(Si) 성분을 함유해야, 피식각층에 대한 하드마스크막의 식각 선택비를 확보할 수 있다. 상기 덴드리머 화합물은 1,000∼30,000의 분자량을 가지며, 예로 하기 화학식 1a의 화합물로 나타낼 수 있다.
[화학식 1a]
이때, 상기 화학식 1a의 화합물은 하기 화학식 2의 화합물과, 아세토나이트-2,2-비스(메톡시)프로피온산 무수물을 1:10.4 당량으로 염기 분위기하의 메틸렌 클로라이드 용매 내에서 에스테르화(esterification) 반응시킨 후, 산 분위기하에서 아세토나이트 그룹을 2,2-디메톡시프로판으로 분해시켜 얻을 수 있다.
[화학식 2]
또한, 본 발명에서는 상기 화학식 1 및 화학식 2의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 덴드리머 화합물과, 가교제, 가교밀도 보조수지, 촉매제 및 유기용매를 포함하는 하드마스크용 조성물을 제공한다.
이때, 상기 가교제는 벤젠고리 혹은 지방족고리 주쇄에 2개 이상의 메톡시 또는 에폭시 구조의 작용기를 포함하는 분자량 100∼10,000의 고분자 화합물로서, 촉매 존재 하에서 상기 덴드리머 화합물과 반응하여 가교 구조를 형성한다. 바람직하게, 상기 가교제로는 테트라메톡시-메틸글리코루릴 수지(tetramethoxy-methylglycoluril) 또는 O-크레졸 노볼락 에폭시 수지 (O-cresol novolac epoxy resin)를 들 수 있다. 상기 가교제는 상기 덴드리머 화합물 100중량부에 대하여 10∼100중량부로 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 가교밀도 보조수지는 벤젠 고리 주쇄에 하이드록시(-OH) 작용기 를 포함하는 분자량 100∼5,000의 고분자 화합물로서, 바람직하게 폴리(4-히드록시스티렌)을 들 수 있다. 상기 가교밀도 보조수지는 촉매 존재하에서 상기 덴드리머 화합물 및 가교제와 함께 반응하여 경화물의 가교밀도를 높인다. 상기 가교밀도 보조수지는 상기 덴드리머 화합물 100중량부에 대하여 10∼50중량부로 포함되는 것이 바람직하다.
상기 벤젠고리를 주쇄로 가지는 가교제 및 가교밀도 보조수지는 DUV 광원, 특히 193 nm의 ArF 광원에 대해 높은 흡광도를 나타내므로, 하부층으로부터의 반사광 및 정재파 등을 제거하여 상기 광원 파장 영역에서의 광 흡수도를 증가시킬 수 있다. 만약, 상기 가교제 또는 가교밀도 보조수지의 함량이 각각 10 중량부 미만이 되면 본 발명의 하드마스크용 조성물의 코팅 특성이 저하될 뿐만 아니라, 반사방지막 상부에 포토레지스트막을 형성할 때, 포토레지스트 용매에 하드마스크막이 용해된다. 반면, 상기 가교제의 함량이 100중량부를 초과하거나, 가교밀도 보조수지의 함량이 50중량부를 초과하는 경우 조성물 내의 가교 밀도가 높아지기 때문에, 포토레지스트막에 비해 식각 속도가 감소한다.
상기 촉매제는 짧은 베이크 시간 동안 화합물 간의 가교 결합 반응을 활성화하여, 충분한 가교 밀도를 얻기 위한 것으로, 열산발생제 또는 광산발생제를 들 수 있다.
상기 열산발생제는 종래 열산발생제로 사용되는 물질이라면 제한하지 않으며, 구체적으로는 하기 화학식 3 및 화학식 4로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 실시예에서는 열산발생제로서 2- 히드록시헥실파라톨루에닐설포네이트를 사용하였다.
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 식에서, A 는 설포닐 기를 포함하는 작용기로, 바람직하게는 
또는 
이며, n 은 0 또는 1이다.
상기 광산발생제는 프탈이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디설폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디페닐파라메톡시페닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 설포늄트리플레이트, 트리페닐 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 또는 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트 등을 예로 들 수 있다.
상기 촉매제의 함량은 촉매 기능을 수행할 수 있는 범위내에서 적절히 선택할 수 있는데, 예를 들면 상기 덴드리머 화합물 100중량부에 대하여 0.1∼10 중량 부로 첨가할 수 있다. 만약, 촉매제의 함량이 10 중량부를 초과할 경우에는 과도한 가교결합 밀도에 의해 하드마스크층에 크랙이 발생하여, 후속 식각공정 시에 결함을 유발한다. 촉매제 함량이 0.1 중량부 미만일 경우에는 본 발명의 조성물 내에 가교 결합이 충분히 형성되지 않아, 코팅 후 상부에 포토레지스트를 코팅할 때 하드마스크층이 스웰링되어 균일한 하드마스크층을 얻을 수 없다.
상기 유기 용매는 통상적인 반사방지층 조성물 용매로 사용되는 유기 용매라면 특별히 제한을 두지않으며, 예컨대 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 2-헵타논 및 에틸락테이트로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택될 수 있다. 상기 유기용매는 상기 덴드리머 화합물 100중량부에 대하여 300∼10,000 중량부로 포함되는데, 유기용매의 함량이 10,000 중량부를 초과할 경우에는 충분한 두께의 하드마스크막을 얻을 수 없고, 300 중량부 미만일 경우에는 하드마스크막이 두껍게 형성되어 패턴을 안정하게 식각하기 어렵다.
또한, 본 발명에서는
반도체 기판의 피식각층 상부에 본 발명에 따른 하드마스크용 조성물을 도포하는 단계;
상기 하드마스크용 조성물에 대한 경화 공정을 실시하여 하드마스크막을 형성하는 단계;
상기 하드마스크막 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하드마스크막을 식각하여 하드마스크 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 하드마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 피식각층을 식각하여 피식각층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법을 제공한다.
상기 피식각층은 실리콘산화막 또는 산화질화막과 같은 절연막을 이용할 수 있으며, 바람직하게는 실리콘산화막을 이용한다.
또한, 본 발명의 방법에서 상기 하드마스크막에 대한 식각 선택비를 확보하기 위하여 본 발명의 하드마스크용 조성물을 코팅하기 전에, 피식각층 상부에 비정질 카본층이나, 탄소 함량이 높은 폴리머층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 하드마스크 조성물 도포 공정은 종래 포토레지스트막 형성용 장비를 이용하여 수행할 수 있다. 또한, 상기 하드마스크 조성물에 대한 경화 공정은 조성물 내에 포함된 촉매제의 종류에 따라, 노광 또는 베이크 공정을 실시하여 수행된다. 즉, 상기 본 발명의 하드마스크용 조성물을 웨이퍼 상에 도포한 후 베이크 공정 또는 노광 공정 등을 수행하면 조성물에 포함된 산 촉매제로부터 산이 발생하고, 발생한 산 존재 하에서 상기 덴드리머 화합물과 가교 결합용 수지, 가교제, 및 가교밀도 보조수지 간에 가교 결합 반응이 일어나, 포토레지스트 용매에 용해되지 않는 경화된 하드마스크막이 형성된다. 상기 본 발명의 하드마스크막은 통상의 제거 공정, 예를 들면 시너, 알칼리 용매 또는 불소 가스를 이용하는 제거 공정에 의해 제거가 용이하다.
이때, 상기 베이크 공정은 100∼300℃에서 1∼5분간 수행하고, 상기 노광 공 정은 ArF 이머젼 스캐너 장비를 이용하여 1 내지 100mJ/cm2의 노광에너지로 수행된다.
본 발명에 의한 하드마스크용 조성물 및 반도체 소자 제조 방법은 주로 ArF 광원을 사용하는 초미세 패턴 형성 공정에 적용되나, KrF, VUV, EUV, E-빔, X-선 또는 이온빔을 사용하여 수행되는 초미세 패턴 형성 공정에 있어서도 마찬가지로 적용될 수 있다.
또한, 본 발명에서는 상기 패턴 형성 방법을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 의하여 제조된 반도체 소자를 제공한다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 미세 패턴 형성 방법에 있어서, 포토레지스트막 도포 전에 피식각층 상부에 단파장 영역에 대해 높은 광흡수도를 가지는 벤젠 고리 화합물을 포함하는 수지와 실리콘 및 탄화수소가 함유된 상기 덴드리머 고분자 화합물 간의 가교 결합을 유발시켜 피식각층에 대한 식각 선택비를 확보할 수 있는 하드마스크막을 형성함으로써, 후속 포토레지스트 패터닝 공정 시에 피식각층에 대한 식각 마스크 막의 식각 선택비를 높여 균일한 미세 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 하드마스크막의 경우 벤젠 구조의 화합물을 함유하고 있어 노광 공정 시에 포토레지스트 하부층에서 발생하는 난반사광 및 정재파 등을 효과적으로 제거할 수 있는 반사방지막의 역할도 함께 수행할 수 있다. 더욱이, 본 발명의 방법에서는 식각 내성이 우수한 하드마스크막을 단일층으로 형성하므로 공정 단계를 단순화할 수 있을 뿐만 아니라, 제조 공정 시간 및 증착 공정 장비 및 증착용 물질 등에 의한 제조 비용을 감소할 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에서는 덴드리머 화합물을 포함하는 하드마스크용 조성물을 이용하여, 식각 내성이 우수한 단층 구조의 하드마스크막을 형성함으로써, 하드마스크막 형성 공정 단계의 단순화와, 제조 공정 시간 및 비용을 단축하여 생산 효율성을 높일 수 있다.
본 발명의 반도체 소자의 패턴 형성 방법을 도면을 들어 더욱 상세히 설명한다.
도 2a를 참조하면, 기판(21) 상부에 피식각층(23)을 형성한다.
상기 피식각층은 산화질화막 또는 산화막 등을 이용하여 형성한다,
이어서, 상기 피식각층(23) 상부에 본 발명의 하드마스크용 조성물을 코팅한 다음, 노광 또는 베이크에 의한 경화 공정을 수행하여 하드마스크막(25)을 형성한다.
예컨대, 상기 하드마스크용 조성물은 하기 화학식 1a의 화합물, 가교제인 O-크레졸 노볼락 에폭시 수지, 열산발생제인 2-히드록시헥실파라톨루에닐설포네이트 및 프로필렌글리콘 모토메틸에테르 아세테이트를 포함한다.
[화학식 1a]
상기 베이크 공정은 100∼300℃에서 1∼5분간 수행하며, 베이크 공정 동안 열산발생제로부터 발생된 산에 의해 하드마스크막 내에서 가교 밀도가 더 높아진다. 상기 하드마스크막은 약 50∼300nm 두께로 형성된다.
그 다음, 상기 하드마스크막(25) 상부에 통상적인 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 코팅한 다음 베이크하여 포토레지스트막(27)을 형성한다.
상기 포토레지스트막은 50∼200nm 두께로 형성한다.
상기 도 2a의 포토레지스트막(27)에 대한 노광 및 현상 공정을 수행하여 포토레지스트 패턴(27-1)을 형성하고, 다시 상기 포토레지스트 패턴(27-1)을 식각 마스크로 하드마스크막(25)에 대한 식각 공정을 수행하여 도 2b에 도시한 바와 같이 상기 하드마스크막 패턴(25-1)을 형성한다.
상기 도 2b의 포토레지스트 패턴(27-1) 및 하드마스크 패턴(25-1)이 적층되어 있는 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각층(23)에 대한 식각 공정을 수행하여 도 2c에 도시한 바와 같은 피식각층 패턴(23-1)을 형성한다.
이때, 상기 각각의 식각 공정은 Cl2, Ar, N2O2, CF4 및 C2F6 로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 가스를 이용하며, 전력 (power)은 식각 장비, 사용하는 가스 또는 공정 종류 등에 따라 매우 다양하게 적용될 수 있으나 대체로 소스 RF 전력 (source RF power) 300∼1000 W, 바이어스 전력 (bias power) 0∼300 W 정도가 적용될 수 있다.
이어서, 일반적인 시너 조성물, 알칼리 용매 또는 불소 가스를 이용한 제거 공정으로 식각 공정 후 남아있는 포토레지스트 패턴(27-1) 및 하드마스크 패턴(25-1)을 제거하여, 도 2d에 도시한 바와 같이 기판(21) 상부에 균일한 피식각층 패턴(23-1)을 형성한다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
I. 본 발명의 하드마스크용 고분자의 제조
제조예 1
옥타(트리메톡시실릴메틸)로 치환된 피에스에스다이메톡시-실릴메틸-포 스(PSS-octa[(3-hydroxypropyl)dimethylsiloxy]substitute)(CAS NO. 288290-32-4)(3.0g), 아세토나이트-2,2-비스(메톡시)프로피온산 무수물(acetonide-2,2-bis(methoxy)propionic anhydride)(7.0g), 디메틸아미노피리딘(0.3g) 및 피리딘(6.4g)을 메틸렌 클로라이드(50ml)에 첨가한 후, 50℃에서 6시간 교반하였다. 얻어진 혼합 용액에 증류수(200ml)를 넣고 반응을 종결시켰다. 10%의 NaHSO4(500ml), 10% Na2CO3(500ml) 및 소금물(brine, NaCl)(500ml)를 이용하여 결과물을 차례로 세척한 후, 여과 건조하여 보호된 1차 덴드리머 화합물을 얻었다 (수율 95%, Mw. 2732.04).
이어서, 상기 1차 덴드리머 화합물(3.0g)과 이온교환수지(DOWEX 50W-X2)(3.0g)를 메탄올(50ml)에 넣고 상온에서 6시간 동안 교반한 후, 세라이트(celite) 필터를 통과시켰다. 걸러진 용액을 여과 건조하여 정제된 16개 히드록시 그룹을 가진 상기 화학식 1a의 덴드리머 화합물을 얻었다(수율 95%, Mw. 2411.53)(도 1의 NMR 참조).
II. 본 발명의 하드마스크용 고분자의 제조
실시예 1
옥타(트리메톡시실릴메틸)로 치환된 피에스에스다이메톡시-실릴메틸-포스(CAS NO. 288290-32-4)(8.0g), 폴리(4-히드록시스티렌)(poly(4-hydroxystyrene))(2g) 및 테트라메톡시메틸글리코루릴(CAS No.17464-88-9)(1.5g), 2-히드록시헥실파라톨루에닐설포네이트(0.5g)를 프로필렌글리콘 모토메틸에테르 아세테이트(PGMEA)(60g)에 용해시킨 다음 0.2㎛ 미세 필터를 통과시켜 본 발명의 하드마스크 조성물(1)을 제조하였다.
실시예 2
상기 제조예 1의 덴드리머 화합물(8g), 폴리(4-히드록시스티렌)(2g) 및 테트라메톡시메틸글리코루릴(1.5g), 2-히드록시헥실파라톨루에닐설포네이트(0.5g)를 프로필렌글리콘 모토메틸에테르 아세테이트(PGMEA)(60g)에 용해시킨 다음 0.2㎛ 미세 필터를 통과시켜 본 발명의 하드마스크 조성물(2)을 제조하였다.
실시예 3
옥타(트리메톡시실릴메틸)로 치환된 피에스에스다이메톡시-실릴메틸-포스(8.0g), O-크레졸 노볼락 에폭시 수지(3g), 트리페닐설포늄 트리플레이트(0.5g)를 프로필렌글리콘 모토메틸에테르 아세테이트(PGMEA)(60g)에 용해시킨 다음, 0.2㎛ 미세 필터를 통과시켜 본 발명의 하드마스크 조성물(3)을 제조하였다.
실시예 4
상기 제조예 1의 덴드리머 화합물(7g), O-크레졸 노볼락 에폭시 수지(3g), 2-히드록시헥실파라톨루에닐설포네이트(0.5g)를 프로필렌글리콘 모토메틸에테르 아세테이트(PGMEA)(60g)에 용해시킨 다음, 0.2㎛ 미세 필터를 통과시켜 본 발명의 하 드마스크 조성물(4)을 제조하였다.
III. 본 발명의 패턴 형성
실험예 1
헥사메틸디실라잔(HMDS) 처리된 실리콘 웨이퍼에 실리콘질화막, 비정질탄소층, 193nm용 포토레지스트막(Shin-Etsu사, X-121), 실시예 1∼4의 하드마스크 조성물을 이용한 하드마스크막을 각각 형성하였다. 이때, 상기 비정질탄소층은 화학기상증착법(CVD)으로 형성하였다. 상기 포토레지스트막은 포토레지스트 조성물을 스핀 코팅법으로 도포한 후, 120℃에서 90초간 베이크하여 형성하였다. 상기 실시예 1∼4의 하드마스크 조성물을 이용한 하드마스크막은 스핀 코팅법으로 도포한 다음, 200℃ 온도에서 90초간 베이크하여 형성하였다. 상기 식각 공정은 C2F4 및 C4F8의 혼합 식각 가스(RF 전력: 약 700 W, 바이어스 전력: 약 150 W)를 이용하여 120초간 수행되었다.
상기 각각의 막에 대한 동일한 식각 공정을 실시한 다음, 얻어진 각각의 막의 식각 속도를 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
|
|
식각 속도 | 상대식각 속도 | 포토레지스트막에 대한 선택비 |
| 포토레지스트막 | 180nm/120sec | 90nm/min | 1 |
| SiON | 600nm/10sec | 3600/min | 40 |
| 비정질 탄소층 | 140nm/120sec | 70nm/min | 0.77 |
| 실시예 1 | 2000nm/120sec | 1000nm/min | 11.1 |
| 실시예 2 | 2020nm/120sec | 1010nm/min | 11.2 |
| 실시예 3 | 2120nm/120sec | 1060nm/min | 11.8 |
| 실시예 4 | 2300nm/120sec | 1150nm/min | 12.78 |
상기 표 1에 나타낸 결과와 같이 종래 하드마스크막으로 사용되던 비정질 탄소층의 경우, 포토레지스트막에 대한 상대식각 속도가 유사하여 포토레지스트막의 식각 선택비를 높이기 위한 마스크막으로 사용하기 부적합하지만, 본 발명의 실시예 1∼4의 조성물에 의해 형성된 하드마스크막의 경우, 상대식각 속도가 포토레지스트에 비하여 높고, 포토레지스트막에 대한 식각 선택비 또한 우수하므로, 피식각층과 포토레지스트막 사이에 적용하는 마스크막으로 사용하기 적합한 것을 알 수 있었다.
실험예 2
헥사메틸디실라잔(HMDS) 처리된 실리콘 웨이퍼에 실리콘질화막, 실리콘산화막, 비정질탄소층, 193nm용 포토레지스트막(Shin-Etsu사, X-121), 실시예 1∼4의 하드마스크 조성물을 이용한 하드마스크막을 각각 형성하였다. 이때, 상기 비정질탄소층은 화학기상증착법(CVD)으로 형성하였다. 상기 포토레지스트막은 포토레지스트 조성물을 스핀 코팅법으로 도포한 후, 120℃에서 90초간 베이크하여 형성하였다. 상기 실시예 1∼4의 하드마스크 조성물을 이용한 하드마스크막은 스핀 코팅법으로 도포한 다음, 200℃ 온도에서 90초간 베이크하여 형성하였다. 상기 식각 공정은 C2F4 및 C4F8의 혼합 식각 가스(RF 전력: 약 700 W, 바이어스 전력: 약 150 W)를 이용하여 120초간 수행되었다.
상기 각각의 막에 대한 동일한 식각 공정을 실시한 다음, 얻어진 각각의 막의 식각 속도를 하기 표 2에 나타내었다.
[표 2]
| 식각 속도 | 상대식각 속도 | SiO2막에 대한 선택비 | |
| SiO2 | 1600nm/30sec | 3200nm/min | 1.0 |
| SiON | 600nm/10sec | 3600nm/min | 1.1 |
| 비정질 탄소층 | 140nm/120sec | 70nm/min | 0.02 |
| 실시예 1 | 2000nm/120sec | 1000nm/min | 0.31 |
| 실시예 2 | 2020nm/120sec | 1010nm/min | 0.32 |
| 실시예 3 | 2120nm/120sec | 1060nm/min | 0.33 |
| 실시예 4 | 2300nm/120sec | 1150nm/min | 0.36 |
상기 표 2에 나타낸 결과와 같이 종래 하드마스크막으로 사용되던 비정질 탄소층의 경우, 실리콘산화막에 대한 상대식각 속도가 매우 낮아 포토레지스트막의 식각 선택비를 높이기 위한 마스크막으로 사용하기 부적합한 반면, 본 발명의 실시예 1∼4의 조성물에 의해 형성된 하드마스크막의 경우, 피식각층인 실리콘산화막에 대한 상대식각 속도가 모두 낮고, 실리콘 산화막에 대한 식각 선택비 또한 우수하였다. 따라서, 피식각층과 포토레지스트막 사이에 적용하는 마스크막으로 사용하기 적합한 것을 알 수 있었다.
상기 표 1 및 2에 나타낸 결과와 같이, 종래 하드마스크막으로 사용되던 비정질 탄소층의 경우 식각 마스크막인 포토레지스트막과 피식각층인 실리콘산화막에 대한 식각선택비가 낮아 마스크막으로 사용하기 부적합하였다. 또한, 실리콘산화질화막의 경우 피식각층인 실리콘산화막에 비하여 식각선택비가 낮기 때문에, 마스크 막으로 사용하기 부적합하였다. 따라서 포토레지스트막과 실리콘산화막에 대한 마스크막으로 사용되기 위해서는 비정질 탄소층과 실리콘산화질화막을 다층으로 형성해야 한다. 반면, 본 발명의 실시예 1∼4의 조성물에 의해 형성된 하드마스크막의 경우, 식각선택비가 포토레지스트보다 높고, 실리콘산화막 보다 낮아서 포토레지스트막의 식각 선택비를 개선하기 위하여 포토레지스트막과 피식각층 사이에 적용하는 마스크막으로 사용하기 적합한 것을 알 수 있다.
실험예 3
헥사메틸디실라잔(HMDS) 처리된 실리콘 웨이퍼에 피식각층으로 실리콘산화막을 증착하고, 그 상부에 화학기상증착법(CVD)으로 200nm 두께의 비정질 탄소층을 형성한 다음, 그 상부에 실시예 2의 하드마스크 조성물을 3000rpm 속도로 스핀 코팅한 다음, 200℃ 온도에서 90초간 베이크하여 하드마스크막을 형성하였다,
상기 하드마스크막 상부에 193nm용 포토레지스트막(Shin-Etsu사, X-121)를 0.17㎛ 두께로 코팅하고, 120℃에서 90초간 베이크한 다음, ArF 스캐너(NA=0.85, ASML사)를 사용하여 노광하고, 다시 120℃에서 90초간 베이크하였다. 베이크 종료 후, 2.38중량% TMAH 현상액으로 현상하여 80nm L/S 의 포토레지스트 패턴을 형성하였다.
상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 하드마스크를 식각하여 하드마스크 패턴을 형성한 다음, 다시 상기 하드마스크 패턴을 식각 마스크로 동일한 식각 공정 조건으로 피식각층에 대한 식각 공정을 수행하여 균일한 80nm L/S 의 미 세 피식각층 패턴을 형성하였다. 이때 상기 각각의 식각 공정은 C2F4 및 C4F8의 혼합 식각 가스(RF 전력: 약 700 W, 바이어스 전력: 약 150 W)를 이용하였다.
실험예 4
실시예 2의 조성물을 사용하는 대신 실시예 4의 조성물을 사용하는 것을 제외하고, 상기 실험예 3과 동일한 방법을 수행하여 80nm L/S 의 균일한 미세 피식각층 패턴을 형성하였다.
도 1은 본 발명에서 제조된 덴드리머 화합물의 NMR 그래프.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 패턴 형성 방법을 도시한 공정 단면도.
Claims (23)
- 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 덴드리머 화합물:[화학식 1]
상기 식에서, R1은 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬렌이고, R2는 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬이다. - 청구항 1에 있어서,상기 화합물은 전체 중량에 대해 15∼45%의 실리콘(Si) 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 덴드리머 화합물.
- 청구항 1에 있어서,상기 화합물은 1,000∼30,000의 분자량을 가지는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 덴드리머 화합물.
- 청구항 1에 있어서,상기 화합물은 하기 화학식 1a로 표시되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 덴드리머.[화학식 1a]
- 하기 화학식 1의 화합물 및 하기 화학식 2의 화합물로부터 이루어진 군으로부터 선택된 덴드리머 화합물, 가교제, 가교밀도 보조수지, 촉매제 및 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물:[화학식 1]
[화학식 2]
상기 식에서, R1은 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬렌이고, R2는 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬이다. - 청구항 5에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 1a로 표시되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물.[화학식 1a]
- 청구항 5에 있어서,상기 가교제는 벤젠고리 혹은 지방족고리 주쇄에 메톡시 또는 에폭시 구조의 작용기를 포함하는, 분자량 100∼10,000의 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 하 드마스크용 조성물.
- 청구항 7에 있어서,상기 가교제는 테트라메톡시-메틸글리코루릴 수지 또는 O-크레졸 노볼락 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물.
- 청구항 5에 있어서,상기 가교제는 상기 덴드리머 화합물 100중량부에 대하여 10∼100중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물.
- 청구항 5에 있어서,상기 가교밀도 보조수지는 벤젠 고리 주쇄에 하이드록시(-OH) 작용기를 포함하는, 분자량 100∼5,000의 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물.
- 청구항 10에 있어서,상기 가교밀도 보조수지는 폴리(4-히드록시스티렌)인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물.
- 청구항 5에 있어서,상기 가교밀도 보조수지는 상기 덴드리머 화합물 100중량부에 대하여 10∼50중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물.
- 청구항 5에 있어서,상기 촉매제는 열산발생제 또는 광산발생제인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물.
- 청구항 13에 있어서,상기 열산발생제는 하기 화학식 3 및 화학식 4로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물.[화학식 3]
[화학식 4]
상기 식에서, A 는 설포닐기를 포함하는 작용기이고, n 은 0 또는 1 이다. - 청구항 13에 있어서,상기 광산발생제는 프탈이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디설폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디페닐파라메톡시페닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 설포늄트리플레이트, 트리페닐 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 또는 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물.
- 청구항 5에 있어서,상기 촉매제는 상기 덴드리머 화합물 100중량부에 대하여 0.1∼10 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물.
- 청구항 5에 있어서,상기 유기용매는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 2-헵타논 및 에틸락테이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 용매인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물.
- 청구항 5에 있어서,상기 유기용매는 상기 덴드리머 화합물 100중량부에 대하여 500∼10,000 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물.
- 기판의 피식각층 상부에 청구항 5 기재의 하드마스크용 조성물을 도포하는 단계;상기 하드마스크용 조성물에 대한 경화 공정을 실시하여 하드마스크막을 형성하는 단계;상기 하드마스크막 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하드마스크막을 식각하여 하드마스크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 하드마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각층을 식각하여 피식각층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 청구항 19에 있어서,상기 피식각층은 실리콘산화막 또는 산화질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 청구항 19에 있어서,상기 하드마스크용 조성물을 코팅하기 전, 피식각층 상부에 비정질 카본층 또는 탄소 함량이 높은 폴리머층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 청구항 19에 있어서,상기 경화 공정은 노광 또는 베이크 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 청구항 19 기재의 패턴 형성 방법을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 소자.
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