KR20060116133A - 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- (a) 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체;(b) 가교 성분; 및(c) 산 촉매를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물:[화학식 1]상기 식에서, n은 1≤n<190의 범위이고,R1 및 R2는 각각 수소, 히드록시기(-OH), C1 -10의 알킬기, C6 -10의 아릴기, 알릴기 또는 할로겐 원자이며, 및R3 및 R4는 각각 수소이거나 가교 성분과 반응하는 반응성 부위 또는 발색단(chromophore) 부위를 포함한다.[화학식 2]상기 식에서,R6은 수소, C1 -10의 알킬기, C6 -10의 아릴기 또는 알릴기이며, 및n, R1, R2, R3 및 R4는 화학식 1에서 정의한 것과 같다.[화학식 3]상기 식에서, n, R1, R2, R3 및 R4는 화학식 1에서 정의한 것과 같다.
- 제 1항에 있어서, 상기 조성물이(a) 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체 1~20 중량%,(b) 가교 성분 0.1~5 중량%,(c) 산 촉매 0.001~0.05 중량%이고,잔량으로서 유기용매를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 방향족 고리 함유 중합체가 중량 평균 분자량을 기준으로 약 1,000 ~ 30,000인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 조성물이 추가로 용매 또는 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 발색단 부위가 페닐, 크리센(chrysene), 피렌, 플루오르안트렌, 안트론, 벤조페논, 티오크산톤, 안트라센 및 안트라센 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 가교 성분이 멜라민 수지, 아미노 수지, 글리콜루릴 화합물 및 비스에폭시 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제 1항에 있어서, 산 촉매가 p-톨루엔 술폰산 모노 하이드레이트(p-toluenesulfonic acid mono hydrate), 피리딘 p-톨루엔술폰산(Pyridine p-toluenesulfonic acid), 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디엔온, 벤조인 토실레이트, 2-니트로벤질 토실레이트, 및 유기 술폰산의 다른 알킬 에스테르로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
- (a) 기판 상에 재료 층을 제공하는 단계;(b) 재료 층 위로 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 이용한 반사방지 하드마스크 층을 형성시키는 단계;(c) 반사방지 층 위로 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키는 단계;(d) 이미지화 층을 방사선에 패턴 방식으로 노출시킴으로써 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계;(e) 이미지화 층 및 반사방지 층의 부분을 선택적으로 제거하여 재료 층의 부분을 노출시키는 단계; 및(f) 재료 층의 노출된 부분을 에칭함으로써 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 단계를 포함하는 기판 상에 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 방법.
- 제 8항에 따른 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 디바이스(device).
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