KR20000020991A - Cap for checking leak under vacuum - Google Patents
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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Abstract
Description
본 발명은 진공 리크 체크용 캡(Cap)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 캡에 구멍을 형성시켜 진공라인의 진공형성시간을 단축할 수 있는 진공 리크 체크용 캡에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum leak check cap (Cap), and more particularly to a vacuum leak check cap that can form a hole in the cap to shorten the vacuum forming time of the vacuum line.
일반적으로 반도체소자는 반도체기판으로 사용되는 웨이퍼상에 증착공정, 사진공정, 식각공정, 이온주입공정, 확산공정 및 열처리공정 등의 일련의 공정들을 수행하여 제조된다.In general, a semiconductor device is manufactured by performing a series of processes such as a deposition process, a photo process, an etching process, an ion implantation process, a diffusion process, and a heat treatment process on a wafer used as a semiconductor substrate.
즉, 반도체소자의 제조공정은 여러가지 전기적, 광학적 및 화학적 특성을 갖는 얇은 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 여러 층의 박막을 반도체기판상에 순차적으로 형성시키는 과정으로서, 상기 박막의 증착공정, 상기 박막이 원하는 소자적 전기적 특성을 지닐 수 있도록 상기 박막의 일부분을 제거하기 위한 사진식각공정, 상기 박막의 전기적 특성을 바꾸기 위한 확산공정과 이온주입공정 및 상기 박막의 결정특성을 안정화시키는 열처리공정으로 이루어진다.That is, the manufacturing process of the semiconductor device is a process of sequentially forming a thin film of various layers such as a thin polycrystalline film, an oxide film, a nitride film and a metal film having various electrical, optical and chemical properties on the semiconductor substrate, the deposition process of the thin film A photolithography process for removing a portion of the thin film so that the thin film has desired elemental electrical properties, a diffusion process for changing the electrical properties of the thin film, an ion implantation process, and a heat treatment process for stabilizing crystal properties of the thin film. Is done.
상기 증착공정, 확산공정 및 열처리공정은 필요에 따라 수평형(Horizontal) 또는 수직형(Vertical)의 공정튜브를 사용하고 있다.The deposition process, the diffusion process, and the heat treatment process use horizontal or vertical process tubes as necessary.
상기 증착공정, 확산공정 및 열처리공정은 원활한 공정수행을 위하여 상기 공정튜브내를 진공상태로 형성시켜 공정을 수행한다.The deposition process, the diffusion process, and the heat treatment process are performed by forming the inside of the process tube in a vacuum state for smooth process performance.
따라서 상기 공정튜브는 서스(Sus)재질의 진공라인으로 진공펌프와 연결되어 있다. 상기 진공라인상에는 각종 밸브와 센서가 개제되어 있다.Therefore, the process tube is connected to a vacuum pump through a vacuum line made of sus material. Various valves and sensors are provided on the vacuum line.
상기 공정튜브내의 진공상태는 중요한 공정조건으로서 상기 진공라인에 리크(Leak)가 발생하여 공정중 공정튜브내로 외부공기 및 가스가 유입되면 웨이퍼상에 파티클 등을 형성시켜 소자의 특성에 치명적인 손상을 주게된다.The vacuum state in the process tube is an important process condition. If leakage occurs in the vacuum line and external air and gas flow into the process tube during the process, particles are formed on the wafer, which may cause serious damage to device characteristics. do.
상기 리크발생의 확인은 상기 진공라인상에 개제된 진공센서를 통하여 알수 있다. 그러나 상기 리크는 미세한 구멍을 통하여 발생하므로 상기 공정튜브와 진공라인이 연결된 상태에서는 어느곳에서 리크가 발생했는 지를 알 수가 없어, 통상 상기 공정튜브와 진공라인을 분리하여 상기 진공라인에 소정의 캡을 씌어 상기 진공라인만 진공상태로 형성시켜 리크를 체크한다.Confirmation of the occurrence of the leak can be seen through the vacuum sensor placed on the vacuum line. However, since the leak is generated through a minute hole, it is impossible to know where the leak occurs in the state where the process tube and the vacuum line are connected. Only the vacuum line is formed in a vacuum state to check for leaks.
그러나 도1a 및 도1b에서 보는 바와 같이 종래의 캡(2)은 상기 진공라인을 완전히 밀봉하여, 진공상태로 만드는 데 많은 시간이 소요되는 문제점이 있었다. 즉, 상기 종래의 캡(2)으로 상기 진공라인을 밀봉한 상태에서 진공을 만들게 되면 상기 진공라인 측벽에 잔류하는 아웃개싱에 의해 진공형성에 많은 시간이 소요된다.However, as shown in FIGS. 1A and 1B, the conventional cap 2 has a problem in that it takes a long time to completely seal the vacuum line and make the vacuum state. That is, when the vacuum is made in the state in which the vacuum line is sealed with the conventional cap 2, it takes a long time to form the vacuum by the outgassing remaining on the side wall of the vacuum line.
본 발명의 목적은, 진공라인의 리크체크시 진공라인이 진공상태에 도달하는 시간을 단축시킬 수 있는 진공 리크 체크용 캡을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a vacuum leak check cap which can shorten the time for the vacuum line to reach a vacuum state during the leak check of the vacuum line.
도1a는 종래의 진공 리크 체크용 캡을 나타내는 도면이다.Fig. 1A shows a conventional vacuum leak check cap.
도1b는 도1a의 1b - 1b'선의 단면도이다.FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line 1b-1b 'of FIG. 1A.
도2a는 본 발명에 의한 진공 리크 체크용 캡을 나타내는 도면이다.Fig. 2A is a view showing a vacuum leak check cap according to the present invention.
도2b는 도2a의 2b - 2b'선의 단면도이다.FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line 2b-2b 'of FIG. 2A.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing
2, 12 ; 캡 14 ; 구멍2, 12; Cap 14; hole
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조장비의 진공라인의 진공 리크 체크용 캡은 상기 캡의 상부 표면에 소정의 직경을 갖는 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The vacuum leak check cap of the vacuum line of the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention for achieving the above object is characterized in that a hole having a predetermined diameter is formed on the upper surface of the cap.
상기 구멍을 통하여 질소가스를 유입시킬 수 있다.Nitrogen gas may be introduced through the hole.
이하, 본 발명의 구체적인 일 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings a specific embodiment of the present invention will be described in detail.
도2a 본 발명에 의한 진공 리크 체크용 캡을 나타내는 도면이다.Fig. 2A is a view showing a vacuum leak check cap according to the present invention.
도2b는 도2a의 2b - 2b'선의 단면도이다.FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line 2b-2b 'of FIG. 2A.
도2a과 도2b에서 보는 바와 같이, 본 발명에 의한 진공 리크 체크용 캡(12)는 상기 캡(12)의 상부 표면에 소정의 직경을 갖는 구멍(14)이 형성되어 있다.As shown in Figs. 2A and 2B, the vacuum leak check cap 12 according to the present invention has a hole 14 having a predetermined diameter formed on the upper surface of the cap 12.
따라서 진공라인상에 개제된 진공센서를 통하여 리크 발생이 확인되면 공정튜브와 진공라인을 분리하여 상기 진공라인에 상기 진공 리크 체크용 캡(12)을 씌어 상기 진공라인만 진공상태로 형성시켜 리크를 체크한다.Therefore, when leakage is confirmed through a vacuum sensor placed on the vacuum line, the process tube and the vacuum line are separated, and the vacuum line check cap 12 is placed on the vacuum line to form only the vacuum line in a vacuum state. Check it.
이때 상기 캡(12) 상부의 구멍(14)을 통하여 질소가스를 유입시킴으로서 상기 진공라인 측벽에 잔류하는 아웃개싱을 효과적으로 펌핑시켜 상기 진공라인의 진공상태에 도달하는 시간을 단축시킨다.At this time, by introducing nitrogen gas through the hole 14 in the upper portion of the cap 12, the outgassing remaining on the sidewall of the vacuum line is effectively pumped to shorten the time for reaching the vacuum state of the vacuum line.
즉 상기 질소가스는 상기 아웃개싱의 캐리어 가스 역활을 하여 효율적으로 상기 아웃개싱이 펌핑되도록 한다.In other words, the nitrogen gas serves as a carrier gas of the outgassing so that the outgassing can be efficiently pumped.
또한 본 발명에 의한 상기 구멍(14)은 상기 진공라인의 리크 체크가 완료된 후 상기 캡(12)을 상기 진공라인으로부터 제거시 상기 구멍(14)을 단지 오픈시킴으로서 진공상태를 해제시켜 효율적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.In addition, the hole 14 according to the present invention can be efficiently removed by releasing the vacuum by only opening the hole 14 when the cap 12 is removed from the vacuum line after the leak check of the vacuum line is completed. It can be effective.
따라서, 진공라인의 진공상태의 도달시간을 단축함으로서 공정시간을 최소화시키고, 캡의 제거를 쉽게할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the process time can be minimized and the cap can be easily removed by shortening the arrival time of the vacuum line in the vacuum line.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980039879A KR20000020991A (en) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | Cap for checking leak under vacuum |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980039879A KR20000020991A (en) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | Cap for checking leak under vacuum |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000020991A true KR20000020991A (en) | 2000-04-15 |
Family
ID=19551901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980039879A KR20000020991A (en) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | Cap for checking leak under vacuum |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20000020991A (en) |
-
1998
- 1998-09-25 KR KR1019980039879A patent/KR20000020991A/en not_active Application Discontinuation
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Legal Events
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