KR102639301B1 - Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same - Google Patents
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Abstract
(A) 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및 (C) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자가 제공된다.
[화학식 1]
[화학식 2]
(상기 화학식 1 및 화학식 2에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.)(A) an alkali-soluble resin containing a structural unit represented by the following formula (1) and a structural unit represented by the following formula (2); (B) photosensitive diazoquinone compound; and (C) a solvent, a photosensitive resin composition containing the same, a photosensitive resin film manufactured using the same, and an electronic device comprising the photosensitive resin film.
[Formula 1]
[Formula 2]
(In Formula 1 and Formula 2, each substituent is as defined in the specification.)
Description
본 기재는 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자에 관한 것이다.This description relates to photosensitive resin compositions, photosensitive resin films and electronic devices using the same.
종래부터 디스플레이 장치 패널의 소재나 반도체 장치에 사용되는 표면 보호막 및 층간 절연막에는 우수한 내열성, 전기 특성, 기계 특성 등을 겸비하는 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지 등이 널리 사용되고 있다. 이들 수지는, 각종 용제에 대한 용해성이 낮기 때문에, 일반적으로 전구체의 형태로 용제에 용해시킨 조성물로서 제공되는 경우가 많다.Conventionally, polyimide resin, polybenzoxazole resin, etc., which have excellent heat resistance, electrical properties, mechanical properties, etc., have been widely used as surface protective films and interlayer insulating films used in display device panels or semiconductor devices. Since these resins have low solubility in various solvents, they are generally provided as a composition dissolved in a solvent in the form of a precursor.
그런데, 최근의 환경 문제의 고조 등으로부터 탈유기 용제 대책이 요구되고 있으며, 포토레지스트와 동일하게, 알칼리성 수용액으로 현상 가능한 내열성 감광성 수지 재료의 제안이 이루어지고 있다.However, due to the recent increase in environmental problems, measures to eliminate organic solvents are being demanded, and, like photoresists, heat-resistant photosensitive resin materials that can be developed with an alkaline aqueous solution have been proposed.
그 중에서도, 가열 경화 후에 내열성 수지가 되는 알칼리성 수용액 가용성의 하이드록시폴리아미드 수지(폴리벤조옥사졸 전구체)를 나프토퀴논디아지드 화합물 등의 광산 발생제와 혼합한 감광성 수지 조성물로서 사용하는 방법이 제안되어 있다.Among them, a method of using an alkaline aqueous solution-soluble hydroxypolyamide resin (polybenzoxazole precursor), which becomes a heat-resistant resin after heat curing, as a photosensitive resin composition mixed with a photoacid generator such as a naphthoquinonediazide compound has been proposed. It is done.
상기 감광성 수지 조성물의 현상 메커니즘은, 미노광부의 나프토퀴논디아지드 화합물(즉 감광성 디아조퀴논 화합물) 및 폴리벤조옥사졸(PBO) 전구체를 노광함으로써, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 인덴카르복실산 화합물로 변형시켜, 알칼리성 수용액에 대한 용해 속도가 높아지는 점을 이용한 것이다. 상기 노광부와 미노광부 사이의 현상액에 대한 용해 속도차를 이용하여, 미노광부로 이루어지는 릴리프 패턴의 제조가 가능해진다.The development mechanism of the photosensitive resin composition is to expose the naphthoquinonediazide compound (i.e., photosensitive diazoquinone compound) and polybenzoxazole (PBO) precursor in the unexposed area, thereby converting the photosensitive diazoquinone compound into indenecarboxylic acid. By transforming it into a compound, it takes advantage of the fact that the dissolution rate in alkaline aqueous solution increases. By utilizing the difference in dissolution rate in the developer between the exposed portion and the unexposed portion, it becomes possible to manufacture a relief pattern made of the unexposed portion.
상기 감광성 수지 조성물은 노광 및 알칼리성 수용액에 의한 현상에 의해 포지티브형 릴리프 패턴을 형성 가능하다. 또한, 가열에 의해 열 경화막 특성을 갖게 된다.The photosensitive resin composition can form a positive relief pattern by exposure to light and development with an alkaline aqueous solution. In addition, it has thermosetting film properties by heating.
상기 경화막을 표면 보호막 및 층간 절연막으로서 반도체 장치에 적용할 경우, 높은 신뢰성을 가지는 것이 요구된다. 상기 신뢰성을 평가하는 지표는 여러가지가 있으나, 특히나 온도에 따른 막의 신축과 팽창에 반복적으로 견디기 위해서는 경화막의 인장신도(신율), 즉 유연성이 우수한 것이 중요하다. 또한, 경화 릴리프 패턴의 형상이 양호함과 동시에 충분한 알칼리 용해성을 가지고, 현상 시의 잔막이 적고, 기판과의 밀착성이 우수해야 한다.When applying the cured film to a semiconductor device as a surface protective film and an interlayer insulating film, it is required to have high reliability. There are various indicators for evaluating the above reliability, but it is especially important that the tensile elongation (elongation), or flexibility, of the cured film be excellent in order to repeatedly withstand stretching and expansion of the film depending on temperature. In addition, the cured relief pattern must have a good shape, have sufficient alkali solubility, have little residual film during development, and have excellent adhesion to the substrate.
일 구현예는 잔막율, 신율 및 스트레스 특성이 동시에 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.One embodiment is to provide a photosensitive resin composition that has excellent residual film rate, elongation, and stress characteristics at the same time.
다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a photosensitive resin film manufactured using the photosensitive resin composition.
또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide an electronic device including the photosensitive resin film.
일 구현예는 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및 (C) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.One embodiment includes (A) an alkali-soluble resin comprising a structural unit represented by Formula 1 below and a structural unit represented by Formula 2 below; (B) photosensitive diazoquinone compound; and (C) a solvent.
[화학식 1][Formula 1]
[화학식 2][Formula 2]
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,In Formula 1 and Formula 2,
X1은 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 4가의 유기기이고,X 1 is a tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms,
X2, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 2가의 유기기이되, X2는 하기 화학식 3으로 표시되는 디아민 구조로부터 유도되는 잔기이고,X 2 , Y 1 and Y 2 are each independently a divalent organic group having two or more carbon atoms, and X 2 is a residue derived from a diamine structure represented by the following formula (3),
m은 1 내지 1000의 정수이고,m is an integer from 1 to 1000,
n은 1 내지 500의 정수이고,n is an integer from 1 to 500,
m/(m+n) ≥ 0.5 이고,m/(m+n) ≥ 0.5,
[화학식 3][Formula 3]
상기 화학식 3에서,In Formula 3 above,
L1 내지 L5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이다.L 1 to L 5 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenylene group, or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group.
상기 L1, L3 및 L5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기일 수 있다.L 1 , L 3 and L 5 may each independently be a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group.
상기 L1 및 L5는 각각 독립적으로 하기 화학식 L-1로 표시되고, 상기 L3은 하기 화학식 L-2로 표시될 수 있다.L 1 and L 5 may each independently be represented by the following formula L-1, and L 3 may be represented by the following formula L-2.
[화학식 L-1][Formula L-1]
[화학식 L-2][Formula L-2]
상기 화학식 L-1 및 화학식 L-2에서,In Formula L-1 and Formula L-2,
R1은 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 1 is a halogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group,
p는 0 내지 4의 정수이다.p is an integer from 0 to 4.
상기 L2 및 L4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기일 수 있다.L 2 and L 4 may each independently be a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group.
상기 L2 및 L4는 각각 독립적으로 알킬기로 치환된 C1 내지 C20 알킬렌기일 수 있다.L 2 and L 4 may each independently be a C1 to C20 alkylene group substituted with an alkyl group.
상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 g/mol 내지 100,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가질 수 있다.The alkali-soluble resin may have a weight average molecular weight of 3,000 g/mol to 100,000 g/mol.
상기 감광성 수지 조성물은, 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 1 중량부 내지 50 중량부 포함하고, 상기 용매를 100 중량부 내지 800 중량부 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may include 1 to 50 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound and 100 to 800 parts by weight of the solvent, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.
상기 감광성 수지 조성물은 다이애시드, 알카놀아민, 레벨링제, 불소계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further include additives such as diacid, alkanolamine, leveling agent, fluorine-based surfactant, radical polymerization initiator, or a combination thereof.
다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.Another embodiment provides a photosensitive resin film manufactured using the photosensitive resin composition.
또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.Another embodiment provides an electronic device including the photosensitive resin film.
기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.Details of other aspects of the invention are included in the detailed description below.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 특정 구조단위 함유 알칼리 가용성 수지를 포함함으로써, 잔막율, 신율 및 스트레스 특성을 동시에 개선시킬 수 있다. The photosensitive resin composition according to one embodiment can simultaneously improve residual film rate, elongation, and stress characteristics by including an alkali-soluble resin containing a specific structural unit.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, and the present invention is not limited thereby, and the present invention is only defined by the scope of the claims to be described later.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를 의미하고, "사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 사이클로알케닐기를 의미하고, "헤테로사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, "아릴알킬기"란 C7 내지 C20 아릴알킬기를 의미하며, "알킬렌기"란 C1 내지 C20 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C20 아릴렌기를 의미하고, "알킬아릴렌기"란 C7 내지 C20 알킬아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴렌기"란 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기를 의미하고, "알콕실렌기"란 C1 내지 C20 알콕실렌기를 의미한다.Unless otherwise specified herein, “alkyl group” refers to a C1 to C20 alkyl group, “alkenyl group” refers to a C2 to C20 alkenyl group, and “cycloalkenyl group” refers to a C3 to C20 cycloalkenyl group. , “Heterocycloalkenyl group” refers to a C3 to C20 heterocycloalkenyl group, “aryl group” refers to a C6 to C20 aryl group, “arylalkyl group” refers to a C7 to C20 arylalkyl group, and “alkylene group” means a C1 to C20 alkylene group, “arylene group” means a C6 to C20 arylene group, “alkylarylene group” means a C7 to C20 alkylarylene group, and “heteroarylene group” means a C3 to C20 heteroarylene group. It means an arylene group, and “alkoxylene group” means a C1 to C20 alkoxylene group.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C20 아릴기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, C3 내지 C20 사이클로알케닐기, C3 내지 C20 사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless otherwise specified herein, “substitution” means that at least one hydrogen atom is replaced by a halogen atom (F, Cl, Br, I), a hydroxy group, a C1 to C20 alkoxy group, a nitro group, a cyano group, an amine group, an imino group, Azido group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, carbonyl group, carbamyl group, thiol group, ester group, ether group, carboxyl group or its salt, sulfonic acid group or its salt, phosphoric acid or its salt, C1 to C20 alkyl group, C2 to C20 alkenyl group, C2 to C20 alkynyl group, C6 to C20 aryl group, C3 to C20 cycloalkyl group, C3 to C20 cycloalkenyl group, C3 to C20 cycloalkynyl group, C2 to C20 heterocycloalkyl group, C2 to C20 heterocycloalkenyl group, C2 to C20 heterocycloalkynyl group, C3 to C20 heteroaryl group, or a combination thereof.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 화학식 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.Also, unless otherwise specified herein, “hetero” means that at least one hetero atom of N, O, S, and P is included in the chemical formula.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메타)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미한다. Additionally, unless otherwise specified in the specification, “(meth)acrylate” means that both “acrylate” and “methacrylate” are possible.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다. 또한 "공중합"이란 블록 공중합, 교대 공중합 또는 랜덤 공중합을 의미하고, "공중합체"란 블록 공중합체, 교대 공중합체 또는 랜덤 공중합체를 의미한다.Unless otherwise defined herein, “combination” means mixing or copolymerization. Additionally, “copolymer” means block copolymerization, alternating copolymerization, or random copolymerization, and “copolymer” means block copolymer, alternating copolymer, or random copolymerization.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, 불포화 결합은 탄소-탄소원자간의 다중결합 뿐만아니라, 카보닐결합, 아조결합 등과 같이 다른 분자를 포함하는 것도 포함한다.Unless otherwise specified in the specification, unsaturated bonds include not only multiple bonds between carbon and carbon atoms, but also those containing other molecules, such as carbonyl bonds and azo bonds.
본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학 결합이 그려져야 하는 위치에 화학결합이 그려져 있지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.Unless otherwise defined in the chemical formulas in this specification, if a chemical bond is not drawn at a position where a chemical bond should be drawn, it means that a hydrogen atom is bonded at that position.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "＊"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.Unless otherwise defined herein, “*” means a portion connected to the same or different atom or chemical formula.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및 (C) 용매를 포함한다.The photosensitive resin composition according to one embodiment includes (A) an alkali-soluble resin comprising a structural unit represented by the following Chemical Formula 1 and a structural unit represented by the following Chemical Formula 2; (B) photosensitive diazoquinone compound; and (C) a solvent.
[화학식 1][Formula 1]
[화학식 2][Formula 2]
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,In Formula 1 and Formula 2,
X1은 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 4가의 유기기이고,X 1 is a tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms,
X2, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 2가의 유기기이되, X2는 하기 화학식 3으로 표시되는 디아민 구조로부터 유도되는 잔기이고,X 2 , Y 1 and Y 2 are each independently a divalent organic group having two or more carbon atoms, and X 2 is a residue derived from a diamine structure represented by the following formula (3),
m은 1 내지 1000의 정수이고,m is an integer from 1 to 1000,
n은 1 내지 500의 정수이고,n is an integer from 1 to 500,
m/(m+n) ≥ 0.5 이고,m/(m+n) ≥ 0.5,
[화학식 3][Formula 3]
상기 화학식 3에서,In Formula 3 above,
L1 내지 L5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이다.L 1 to L 5 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenylene group, or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 반도체나 디스플레이 장치에서 보호막이나 절연층으로 사용 시, 상기 조성물을 코팅한 후 UV 노광 후 현상 및 경화하여 적용하고 있다. 공정 소재의 특성 상 신뢰성, 특히 신율과 접착력이 매우 중요한데, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물을 특정 구조단위를 가지는 알칼리 가용성 수지를 사용함으로써, 우수한 잔막율을 유지하면서 동시에 신율 및 스트레스 특성을 모두 개선시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 알칼리 가용성 수지에 포함되는 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위는 상기 화학식 3으로 표시되는 디아민 구조로부터 유도되기 때문에, 연신력을 크게 향상시킬 수 있다.When the photosensitive resin composition according to one embodiment is used as a protective film or insulating layer in a semiconductor or display device, the composition is coated, exposed to UV, developed, and cured. Reliability, especially elongation and adhesion, are very important due to the characteristics of the process material. By using an alkali-soluble resin with a specific structural unit in the photosensitive resin composition according to one embodiment, both elongation and stress characteristics are improved while maintaining an excellent residual film rate. You can do it. Specifically, since the structural unit represented by Formula 2 included in the alkali-soluble resin is derived from the diamine structure represented by Formula 3, stretching ability can be greatly improved.
이하에서 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.Below, each component is described in detail.
(A) 알칼리 가용성 수지(A) Alkali soluble resin
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리하이드록시아미드 수지, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, (메타)아크릴레이트 수지 또는 이들의 조합 등일 수 있다. The alkali-soluble resin may be a polyhydroxyamide resin, a polyimide precursor, a novolac resin, a bisphenol A resin, a bisphenol F resin, a (meth)acrylate resin, or a combination thereof.
예컨대, 상기 알칼리 가용성 수지는 폴리하이드록시아미드 수지일 수 있다. 이 경우 상기 알칼리 가용성 수지는 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 및 상기 화학식 3으로 표시되는 디아민 구조로부터 유도된 잔기(X2)를 포함하는 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 모두 포함하기에, 경화 후 코팅면의 연신율을 개선시킬 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다. 상기 화학식 3으로 표시되는 디아민 구조는 종래 알칼리 가용성 수지에 사용되는 디아민 구조와 달리 에테르 연결기를 포함하지 않으며, 디아민 구조를 이루는 모든 아릴렌기 각각을 모두 (알킬기, 구체적으로 2개의 알킬기로) 치환된 알킬렌기로 연결시켜, 매우 유연한 사슬 단위를 형성토록 함으로써, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물의 경화막은 매우 우수한 연신력을 가질 수 있다.For example, the alkali-soluble resin may be a polyhydroxyamide resin. In this case, the alkali-soluble resin contains both the structural unit represented by Formula 1 and the structural unit represented by Formula 2 including a residue (X 2 ) derived from the diamine structure represented by Formula 3, so that curing A photosensitive resin composition capable of improving the elongation of a post-coated surface can be provided. The diamine structure represented by Formula 3 does not contain an ether linkage group, unlike the diamine structure used in conventional alkali-soluble resins, and each of all arylene groups constituting the diamine structure is an alkyl substituted (alkyl group, specifically, two alkyl groups). By linking with a len group to form a very flexible chain unit, the cured film of the photosensitive resin composition according to one embodiment can have very excellent stretching ability.
예컨대, 상기 L1, L3 및 L5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기일 수 있다. For example, L 1 , L 3 and L 5 may each independently be a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group.
예컨대, 상기 L1 및 L5는 각각 독립적으로 하기 화학식 L-1로 표시되고, 상기 L3은 하기 화학식 L-2로 표시될 수 있다.For example, L 1 and L 5 may each independently be represented by the following formula L-1, and L 3 may be represented by the following formula L-2.
[화학식 L-1][Formula L-1]
[화학식 L-2][Formula L-2]
상기 화학식 L-1 및 화학식 L-2에서,In Formula L-1 and Formula L-2,
R1은 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 1 is a halogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group,
p는 0 내지 4의 정수이다.p is an integer from 0 to 4.
예컨대, 상기 L2 및 L4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기일 수 있다.For example, L 2 and L 4 may each independently be a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group.
예컨대, 상기 L2 및 L4는 각각 독립적으로 알킬기로 치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 구체적으로 2개의 알킬기로 치환된 C1 내지 C20 알킬렌기일 수 있다.For example, L 2 and L 4 may each independently be a C1 to C20 alkylene group substituted with an alkyl group, specifically, a C1 to C20 alkylene group substituted with two alkyl groups.
상기 화학식 3으로 표시되는 디아민 구조로부터 유도되는 잔기가 구체적으로 상기와 같은 구성을 가지기에 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물의 경화막은 잔막율 및 스트레스 특성을 저하시키지 않으면서 동시에 연신율을 크게 향상시킬 수 있다.Since the residue derived from the diamine structure represented by Formula 3 has the above-described structure, the cured film of the photosensitive resin composition according to one embodiment can significantly improve elongation without lowering the residual film rate and stress characteristics. there is.
상기 화학식 1에서, X1은 방향족 유기기로서 방향족 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다.In Formula 1, X 1 is an aromatic organic group and may be a residue derived from aromatic diamine.
상기 방향족 디아민의 예로는 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판 및 2-(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판으로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the aromatic diamine include 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis(3-amino- 4-hydroxyphenyl)propane, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)propane, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfone, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)sulfone, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2 ,2-bis(4-amino-3-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)hexafluoro Propane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoro Ethylphenyl)hexafluoropropane, 2-(3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoroethylphenyl)hexafluoro Propropane, 2-(3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2-( 3-Amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-6-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2-(3-amino-4- Hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-2-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2-(3-amino-4-hydroxy-2-tri Fluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane and 2-(3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)-2 At least one selected from -(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane may be used, but is not limited thereto.
상기 X1의 예로는 하기 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of X 1 include a functional group represented by Formula 4 or Formula 5 below, but is not limited thereto.
[화학식 4][Formula 4]
[화학식 5][Formula 5]
상기 화학식 4 및 화학식 5에서,In Formula 4 and Formula 5,
A1은 단일결합, O, CO, CR47R48, SO2 또는 S 일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기이고,A 1 may be a single bond, O, CO, CR 47 R 48 , SO 2 or S, and R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, specifically, C1 to C30 fluoroalkyl group,
R50 내지 R52는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르복실기, 히드록시기 또는 티올기이고,R 50 to R 52 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 carboxyl group, a hydroxy group, or a thiol group,
n10은 0 내지 2의 정수이고, n11 및 n12는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.n10 is an integer from 0 to 2, and n11 and n12 are each independently an integer from 0 to 3.
상기 화학식 1 및 화학식 2에서, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 방향족 유기기, 2가의 지방족 유기기 또는 2가의 지환족 유기기로서, 디카르복시산의 잔기 또는 디카르복시산 유도체의 잔기일 수 있다. 구체적으로 상기 Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2가의 지환족 유기기일 수 있다.In Formulas 1 and 2, Y 1 and Y 2 are each independently an aromatic organic group, a divalent aliphatic organic group, or a divalent alicyclic organic group, and may be the residue of a dicarboxylic acid or a dicarboxylic acid derivative. Specifically, Y 1 and Y 2 may each independently be an aromatic organic group or a divalent alicyclic organic group.
상기 디카르복시산 유도체의 구체적인 예로는 4,4'-옥시디벤조일클로라이드, 디페닐옥시디카르보닐디클로라이드, 비스(페닐카르보닐클로라이드)술폰, 비스(페닐카르보닐클로라이드)에테르, 비스(페닐카르보닐클로라이드)페논, 프탈로일디클로라이드, 테레프탈로일디클로라이드, 이소프탈로일디클로라이드, 디카르보닐디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트디벤조트리아졸 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the dicarboxylic acid derivative include 4,4'-oxydibenzoyl chloride, diphenyloxydicarbonyl dichloride, bis(phenylcarbonylchloride)sulfone, bis(phenylcarbonylchloride)ether, and bis(phenylcarbonylchloride). ) Phenone, phthaloyl dichloride, terephthaloyl dichloride, isophthaloyl dichloride, dicarbonyl dichloride, diphenyloxydicarboxylate dibenzotriazole, or a combination thereof, but is not limited thereto.
상기 Y1 및 Y2의 예로는 하기 화학식 6 내지 화학식 8로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of Y 1 and Y 2 include functional groups represented by the following Chemical Formulas 6 to 8, but are not limited thereto.
[화학식 6][Formula 6]
[화학식 7][Formula 7]
[화학식 8][Formula 8]
상기 화학식 6 내지 화학식 8에서, In Formulas 6 to 8,
R53 내지 R56은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고,R 53 to R 56 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group,
n13 및 n14는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, n15 및 n16은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,n13 and n14 are each independently an integer from 0 to 4, n15 and n16 are each independently an integer from 0 to 3,
A2는 단일결합, O, CR47R48, CO, CONH, S 또는 SO2일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기이다.A 2 may be a single bond, O, CR 47 R 48 , CO, CONH, S or SO 2 , and R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, and specific It is a C1 to C30 fluoroalkyl group.
상기 알칼리 가용성 수지는 3,000g/mol 내지 100,000g/mol의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있고, 구체적으로는 5,000g/mol 내지 50,000g/mol, 보다 구체적으로는 8,000g/mol 내지 30,000g/mol의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균 분자량(Mw)을 가질 경우 알칼리 수용액으로 현상 시 비노광부에서 충분한 잔막율을 얻을 수 있고, 효율적으로 패터닝을 할 수 있다.The alkali-soluble resin may have a weight average molecular weight (Mw) of 3,000 g/mol to 100,000 g/mol, specifically 5,000 g/mol to 50,000 g/mol, more specifically 8,000 g/mol to 30,000 g. It may have a weight average molecular weight (Mw) of /mol. When the weight average molecular weight (Mw) is in the above range, a sufficient residual film ratio can be obtained in the non-exposed area when developed with an aqueous alkaline solution, and patterning can be performed efficiently.
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물(B) Photosensitive diazoquinone compound
상기 감광성 디아조퀴논 화합물로는 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.As the photosensitive diazoquinone compound, a compound having a 1,2-benzoquinonediazide structure or a 1,2-naphthoquinonediazide structure can be preferably used.
상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 9 및 하기 화학식 11 내지 화학식 13로 표현되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Representative examples of the photosensitive diazoquinone compound include compounds represented by the following Chemical Formula 9 and the following Chemical Formulas 11 to 13, but are not limited thereto.
[화학식 9][Formula 9]
상기 화학식 9에서,In Formula 9 above,
R31 내지 R33은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 구체적으로는 CH3일 수 있고,R 31 to R 33 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group, and may specifically be CH 3 ,
D1 내지 D3는 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 수소 원자, 하기 화학식 10a로 표시되는 작용기 또는 하기 화학식 10b로 표시되는 작용기일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소 원자일 수는 없고,D 1 to D 3 may each independently be OQ, and Q may be a hydrogen atom, a functional group represented by Formula 10a below, or a functional group represented by Formula 10b below. In this case, Q cannot be a hydrogen atom at the same time,
n31 내지 n33은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.n31 to n33 may each independently be an integer of 1 to 5.
[화학식 10a][Formula 10a]
[화학식 10b][Formula 10b]
[화학식 11][Formula 11]
상기 화학식 11에서,In Formula 11 above,
R34는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 34 may be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group,
D4 내지 D6은 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 9에서 정의된 것과 동일하고,D 4 to D 6 may each independently be OQ, where Q is the same as defined in Formula 9,
n34 내지 n36은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.n34 to n36 may each independently be an integer of 1 to 5.
[화학식 12] [Formula 12]
상기 화학식 12에서,In Formula 12 above,
A3는 CO 또는 CR500R501 일 수 있고, 상기 R500 및 R501은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 3 may be CO or CR 500 R 501 , and R 500 and R 501 may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group,
D7 내지 D10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ 또는 NHQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 9에서 정의된 것과 동일하고,D 7 to D 10 may each independently be a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, OQ or NHQ, and Q is the same as defined in Formula 9 above,
n37, n38, n39 및 n40은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고,n37, n38, n39 and n40 may each independently be an integer from 1 to 4,
n37+n38 및 n39+n40은 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,n37+n38 and n39+n40 may each independently be an integer of 5 or less,
단, 상기 D7 내지 D10 중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 4개로 포함될 수 있다.However, at least one of D 7 to D 10 is OQ, one aromatic ring may contain 1 to 3 OQs, and the other aromatic ring may contain 1 to 4 OQs.
[화학식 13][Formula 13]
상기 화학식 13에서,In Formula 13 above,
R35 내지 R42는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 35 to R 42 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group,
n41 및 n42는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, 구체적으로는 2 내지 4의 정수일 수 있고,n41 and n42 may each independently be an integer from 1 to 5, and specifically, may be an integer from 2 to 4,
Q는 상기 화학식 9에서 정의된 것과 동일하다.Q is the same as defined in Formula 9 above.
상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 50 중량부, 예컨대 5 중량부 내지 40 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위일 때 노광에 의해 잔사 없이 패턴 형성이 잘 되며, 현상 시 막 두께 손실이 없고, 양호한 패턴을 얻을 수 있다.The photosensitive diazoquinone compound is preferably included in an amount of 1 to 50 parts by weight, for example, 5 to 40 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is within the above range, a pattern can be easily formed without residue by exposure, there is no loss in film thickness during development, and a good pattern can be obtained.
(C) 용매(C) Solvent
상기 감광성 수지 조성물은 상기 알칼리 가용성 수지, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물 등의 각 성분을 용이하게 용해시킬 수 있는 용매를 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may include a solvent that can easily dissolve each component, such as the alkali-soluble resin and the photosensitive diazoquinone compound.
상기 용매는 유기용매를 사용하며, 구체적으로는 N-메틸-2-피롤리돈, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산메틸(메틸락테이트), 락트산에틸(에틸락테이트), 락트산부틸(부틸락테이트), 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸(메틸피루베이트), 피루브산에틸(에틸피루베이트), 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The solvent used is an organic solvent, specifically N-methyl-2-pyrrolidone, gamma-butyrolactone, N,N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl Ethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate (methyl lactate), ethyl lactate (ethyl lactate), butyl lactate (butyl) lactate), methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate (methyl pyruvate), ethyl pyruvate (ethyl pyruvate), methyl-3-methyl Toxypropionate or a combination thereof may be used, but is not limited thereto.
상기 용매는 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.The solvent may be appropriately selected and used depending on the process for forming the photosensitive resin film, such as spin coating or slit die coating.
상기 용매는 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 100 중량부 내지 800 중량부로, 예컨대 100 중량부 내지 500 중량부로 사용되는 것이 좋다. 용매의 함량이 상기 범위일 때는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수할 수 있다.The solvent is preferably used in an amount of 100 to 800 parts by weight, for example, 100 to 500 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the solvent content is within the above range, a film of sufficient thickness can be coated, and solubility and coating properties can be excellent.
(D) 기타 첨가제(D) Other additives
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition according to one embodiment may further include other additives.
상기 감광성 수지 조성물은 코팅 시 얼룩이나 반점 방지, 레벨링 특성, 또는 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 말론산 등의 다이에시드, 3-아미노-1,2-프로판디올 등의 알카놀아민, 레벨링제, 실란계 커플링제, 계면활성제, 에폭시 화합물, 라디칼 중합개시제, 열잠재 산발생제, 또는 이들의 조합의 첨가제 등을 포함할 수 있다. 이들 첨가제의 사용량은 원하는 물성에 따라 용이하게 조절될 수 있다.The photosensitive resin composition contains diecids such as malonic acid and alkanolamines such as 3-amino-1,2-propanediol in order to prevent stains or spots during coating, maintain leveling properties, or prevent the generation of residues due to undeveloped. , a leveling agent, a silane-based coupling agent, a surfactant, an epoxy compound, a radical polymerization initiator, a thermal latent acid generator, or a combination thereof. The amount of these additives used can be easily adjusted depending on the desired physical properties.
예컨대, 상기 실란계 커플링제는 기판과의 밀착성 등을 개선하기 위해 비닐기, 카르복실기, 메타크릴옥시기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 가질 수 있다. For example, the silane-based coupling agent may have a reactive substituent such as a vinyl group, carboxyl group, methacryloxy group, isocyanate group, or epoxy group to improve adhesion to the substrate.
상기 실란계 커플링제의 예로는, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. Examples of the silane-based coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, and γ-gly. Sidoxypropyltrimethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, etc. can be used alone or in combination of two or more.
상기 실란계 커플링제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 상기 실란계 커플링제가 상기 범위 내로 포함될 경우 밀착성, 저장성 등이 우수할 수 있다.The silane-based coupling agent may be included in an amount of 0.01 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the silane-based coupling agent is included within the above range, adhesion, storage, etc. may be excellent.
예컨대, 상기 계면활성제는 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상시키기 위해 첨가하는 것으로, 불소계 계면활성제 및/또는 실리콘계 계면활성제를 포함할 수 있다. For example, the surfactant is added to prevent film thickness unevenness or improve developability, and may include a fluorine-based surfactant and/or a silicone-based surfactant.
상기 불소계 계면활성제로는, BM Chemie社의 BM-1000®, BM-1100® 등; 다이닛폰잉크가가꾸고교(주)社의 메카팩 F 142D®, 메카팩 F 172®, 메카팩 F 173®, 메카팩 F 183®, 메카팩 F 554® 등; 스미토모스리엠(주)社의 프로라드 FC-135®, 프로라드 FC-170C®, 프로라드 FC-430®, 프로라드 FC-431® 등; 아사히그라스(주)社의 사프론 S-112®, 사프론 S-113®, 사프론 S-131®, 사프론 S-141®, 사프론 S-145® 등; 도레이실리콘(주)社의 SH-28PA®, SH-190®, SH-193®, SZ-6032®, SF-8428® 등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.Examples of the fluorine-based surfactants include BM-1000 ® and BM-1100 ® from BM Chemie; Mechapack F 142D ® , Mechapack F 172 ® , Mechapack F 173 ® , Mechapack F 183 ® , Mechapack F 554 ® , etc. from Dainippon Ink Chemicals Co., Ltd.; Sumitomo 3M Co., Ltd.'s Prorad FC-135 ® , Prorad FC-170C ® , Prorad FC-430 ® , Prorad FC-431 ® , etc.; Asahi Grass Co., Ltd.'s Saffron S-112 ® , Saffron S-113 ® , Saffron S-131 ® , Saffron S-141 ® , Saffron S-145 ® , etc.; Those commercially available under names such as SH-28PA ® , SH-190 ® , SH-193 ® , SZ-6032 ® , and SF-8428 ® from Toray Silicone Co., Ltd. can be used.
상기 실리콘계 계면활성제로는 BYK Chem社의 BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, BYK-325 등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.The silicone-based surfactants include BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, manufactured by BYK Chem. One commercially available under a name such as BYK-325 can be used.
상기 계면활성제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 계면활성제가 상기 범위 내로 포함될 경우 코팅 균일성이 확보되고, 얼룩이 발생하지 않으며, ITO 기판 또는 유리기판에 대한 습윤성(wetting)이 우수할 수 있다.The surfactant may be used in an amount of 0.001 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the surfactant is contained within the above range, coating uniformity can be secured, stains cannot occur, and wetting on an ITO substrate or glass substrate can be excellent.
또한 상기 감광성 수지 조성물은 밀착력 등의 향상을 위해 첨가제로서 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 에폭시 화합물로는 에폭시 노볼락 아크릴 카르복실레이트 수지, 오르토 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 테트라메틸 비페닐 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.Additionally, the photosensitive resin composition may further include an epoxy compound as an additive to improve adhesion. The epoxy compound may be epoxy novolac acrylic carboxylate resin, ortho-cresol novolak epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, tetramethyl biphenyl epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin, or a combination thereof. You can.
상기 에폭시 화합물을 더 포함하는 경우 과산화물 개시제 또는 아조비스계 개시제와 같은 라디칼 중합 개시제를 더 포함할 수도 있다.When the epoxy compound is further included, a radical polymerization initiator such as a peroxide initiator or an azobis-based initiator may be further included.
상기 에폭시 화합물은 상기 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 에폭시 화합물이 상기 범위 내로 포함되는 경우 저장성, 밀착력 및 기타 특성을 향상시킬 수 있다.The epoxy compound may be used in an amount of 0.01 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the epoxy compound is included within the above range, storage properties, adhesion, and other properties can be improved.
또한 상기 감광성 수지 조성물은 열잠재 산발생제를 더 포함할 수 있다. 상기 열잠재 산발생제의 예로는 p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 등과 같은 아릴술폰산; 트리플루오로메탄술폰산, 트리플루오로부탄술폰산 등과 같은 퍼플루오로알킬술폰산; 메탄술폰산, 에탄술폰산, 부탄술폰산 등과 같은 알킬술폰산; 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Additionally, the photosensitive resin composition may further include a thermal latent acid generator. Examples of the thermal latent acid generator include arylsulfonic acids such as p-toluenesulfonic acid and benzenesulfonic acid; perfluoroalkylsulfonic acids such as trifluoromethanesulfonic acid, trifluorobutanesulfonic acid, etc.; Alkylsulfonic acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, butanesulfonic acid, etc.; Or a combination thereof may be mentioned, but is not limited thereto.
상기 열잠재 산발생제는 폴리벤조옥사졸 전구체의 페놀성 수산기 함유 폴리아미드의 탈수화 반응과, 고리화 반응을 위한 촉매로써 경화온도를 낮추어도 고리화 반응을 원활히 진행할 수 있다. The thermal latent acid generator is a catalyst for the dehydration reaction of the phenolic hydroxyl group-containing polyamide of the polybenzoxazole precursor and the cyclization reaction, and the cyclization reaction can proceed smoothly even when the curing temperature is lowered.
또한 상기 감광성 수지 조성물은 물성을 저해하지 않는 범위 내에서 산화방지제, 안정제 등의 기타 첨가제가 일정량 첨가될 수도 있다. Additionally, a certain amount of other additives such as antioxidants and stabilizers may be added to the photosensitive resin composition within the range that does not impair the physical properties.
다른 일 구현예는 전술한 감광성 수지 조성물을 노광, 현상 및 경화하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다. Another embodiment provides a photosensitive resin film manufactured by exposing, developing, and curing the photosensitive resin composition described above.
또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.Another embodiment provides an electronic device including the photosensitive resin film.
상기 전자 소자는 반도체 소자일 수 있다.The electronic device may be a semiconductor device.
상기 감광성 수지막 제조 방법은 다음과 같다.The photosensitive resin film manufacturing method is as follows.
(1) 도포 및 도막 형성 단계(1) Application and film formation stage
상기 감광성 수지 조성물을 소정의 전처리를 한 유리 기판 또는 ITO 기판 등의 기판 상에 스핀 또는 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법을 사용하여 원하는 두께로 도포한 후, 70℃ 내지 150℃에서 1분 내지 10분 동안 가열하여 용제를 제거함으로써 도막을 형성한다.The photosensitive resin composition is applied to a desired thickness using a spin or slit coat method, roll coat method, screen printing method, or applicator method on a substrate such as a glass substrate or ITO substrate that has undergone a predetermined pretreatment, and then applied at a desired thickness, 70 A coating film is formed by removing the solvent by heating at ℃ to 150℃ for 1 to 10 minutes.
(2) 노광 단계(2) exposure step
상기 얻어진 감광성 수지막에 필요한 패턴 형성을 위해 마스크를 개재한 뒤, 200nm 내지 500nm의 활성선을 조사한다. 조사에 사용되는 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 금속 할로겐화물 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 사용할 수 있으며, 경우에 따라 X선, 전자선 등도 이용할 수 있다.In order to form the necessary pattern on the obtained photosensitive resin film, a mask is interposed and 200 nm to 500 nm active rays are irradiated. Light sources used for irradiation include low-pressure mercury lamps, high-pressure mercury lamps, ultra-high pressure mercury lamps, metal halide lamps, and argon gas lasers. In some cases, X-rays and electron beams can also be used.
노광량은 조성물 각 성분의 종류, 배합량 및 건조 막 두께에 따라 다르지만, 고압 수은등을 사용하는 경우에는 500mJ/cm2(365nm 센서에 의함) 이하이다.The exposure amount varies depending on the type, mixing amount, and dry film thickness of each component of the composition, but when using a high-pressure mercury lamp, it is 500 mJ/cm 2 (based on a 365 nm sensor) or less.
(3) 현상 단계(3) Development stage
현상 방법으로는 상기 노광 단계에 이어 노광부를 현상액을 이용하여 용해, 제거함으로써 비노광 부분만을 잔존시켜 패턴을 얻는다. In the developing method, following the exposure step, the exposed portion is dissolved and removed using a developing solution, leaving only the non-exposed portion remaining to obtain a pattern.
(4) 후처리 단계(4) Post-processing step
상기 공정에서 현상에 의해 수득된 화상 패턴을 내열성, 내광성, 밀착성, 내크랙성, 내화학성, 고강도 및 저장 안정성 등의 면에서 우수한 패턴을 얻기 위한 후가열 공정이 있다. 예컨대, 현상 후 N2조건 250℃의 퍼니스에서 1시간 동안 가열할 수 있다.There is a post-heating process to obtain a pattern excellent in terms of heat resistance, light resistance, adhesion, crack resistance, chemical resistance, high strength, and storage stability of the image pattern obtained by development in the above process. For example, after development, it can be heated in a furnace at 250°C under N 2 conditions for 1 hour.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. However, the following example is only a preferred example of the present invention, and the present invention is not limited by the following example.
(알칼리 가용성 수지 제조)(Alkali-soluble resin production)
합성예 1Synthesis Example 1
교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 6.2 g, 하기 화학식 E-1로 표시되는 화합물(Merck社) 6.2g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 125 g을 넣어 용해시켰다. 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3, while passing nitrogen through a four-neck flask equipped with a stirrer, temperature control device, nitrogen gas injection device, and condenser. 6.2 g of 3-hexafluoropropane, 6.2 g of a compound represented by the following formula E-1 (Merck), and 125 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) were added and dissolved.
고체가 완전히 용해되면 촉매로서 피리딘을 4.2 g 투입하고 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 1,3-Benzenedicarbonyl dichloride 9.4 g을 NMP 100g에 넣어 용해시킨 용액을 장착된 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시켰다. 적하가 완료된 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 반응을 시켰다.When the solid is completely dissolved, 4.2 g of pyridine is added as a catalyst, and while maintaining the temperature at 0℃ to 5℃, 9.4 g of 1,3-Benzenedicarbonyl dichloride is dissolved in 100g of NMP, and the solution is slowly added dropwise to the equipped four-necked flask over 30 minutes. I ordered it. After the dropwise addition was completed, the reaction was performed at 0°C to 5°C for 1 hour, then the temperature was raised to room temperature and the reaction was performed for 1 hour.
여기에 5-노보렌-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.1 g 투입하고 70℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 종료하였다. 반응 혼합물은 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80℃ 온도의 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 분자량 12,500g/mol의 폴리하이드록시아미드 수지를 얻었다.1.1 g of 5-norborene-2,3-dicarboxyanhydride was added thereto, stirred at 70°C for 24 hours, and then the reaction was terminated. The reaction mixture was added to a solution of water/methanol = 10/1 (volume ratio) to produce a precipitate. The precipitate was filtered, thoroughly washed with water, and dried for more than 24 hours under vacuum at a temperature of 80°C to obtain a product with a molecular weight of 12,500 g/mol. A polyhydroxyamide resin was obtained.
[화학식 E-1][Formula E-1]
비교 합성예 1Comparative Synthesis Example 1
상기 화학식 E-1로 표시되는 화합물 대신 하기 화학식 C-1로 표시되는 화합물(Merck社)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 진행하여, 분자량 15,000g/mol의 폴리하이드록시아미드 수지를 얻을 수 있었다.Proceeding in the same manner as Synthesis Example 1, except that a compound represented by the following formula C-1 (Merck) was used instead of the compound represented by the formula E-1, a polyhydroxyamide resin with a molecular weight of 15,000 g/mol was prepared. was able to get it
[화학식 C-1][Formula C-1]
비교 합성예 2Comparative Synthesis Example 2
상기 화학식 E-1로 표시되는 화합물 대신 하기 화학식 C-2로 표시되는 화합물(Merck社)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 진행하여, 분자량 14,000g/mol의 폴리하이드록시아미드 수지를 얻을 수 있었다.Proceeding in the same manner as Synthesis Example 1, except that a compound represented by the following formula C-2 (Merck) was used instead of the compound represented by the formula E-1, a polyhydroxyamide resin with a molecular weight of 14,000 g/mol was prepared. was able to get it
[화학식 C-2][Formula C-2]
비교 합성예 3Comparative Synthesis Example 3
상기 화학식 E-1로 표시되는 화합물 대신 하기 화학식 C-3으로 표시되는 화합물(Merck社)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 진행하여, 분자량 13,000g/mol의 폴리하이드록시아미드 수지를 얻을 수 있었다.Proceeding in the same manner as Synthesis Example 1, except that a compound represented by the following formula C-3 (Merck) was used instead of the compound represented by the formula E-1, a polyhydroxyamide resin with a molecular weight of 13,000 g/mol was prepared. was able to get it
[화학식 C-3][Formula C-3]
비교 합성예 4Comparative Synthesis Example 4
상기 화학식 E-1로 표시되는 화합물 대신 하기 화학식 C-4로 표시되는 화합물(Merck社)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 진행하여, 분자량 12,000g/mol의 폴리하이드록시아미드 수지를 얻을 수 있었다.Proceeding in the same manner as Synthesis Example 1, except that a compound represented by the following formula C-4 (Merck) was used instead of the compound represented by the formula E-1, a polyhydroxyamide resin with a molecular weight of 12,000 g/mol was prepared. was able to get it
[화학식 C-4][Formula C-4]
비교 합성예 5Comparative Synthesis Example 5
교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 12.4 g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 125 g을 넣어 용해시켰다. While passing nitrogen through a four-neck flask equipped with a stirrer, temperature control device, nitrogen gas injection device, and condenser, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3, 12.4 g of 3-hexafluoropropane and 125 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) were added and dissolved.
고체가 완전히 용해되면 촉매로서 피리딘을 4.2 g 투입하고 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 1,3-Benzenedicarbonyl dichloride 9.4 g을 NMP 100g에 넣어 용해시킨 용액을 장착된 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시켰다. 적하가 완료된 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 반응을 시켰다.When the solid is completely dissolved, 4.2 g of pyridine is added as a catalyst, and while maintaining the temperature at 0°C to 5°C, 9.4 g of 1,3-Benzenedicarbonyl dichloride is dissolved in 100g of NMP, and the solution is slowly added dropwise to the equipped four-necked flask over 30 minutes. I ordered it. After the dropwise addition was completed, the reaction was performed at 0°C to 5°C for 1 hour, then the temperature was raised to room temperature and the reaction was performed for 1 hour.
여기에 5-노보렌-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.1 g 투입하고 70℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 종료하였다. 반응 혼합물은 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80℃ 온도의 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 분자량 15,500g/mol의 폴리하이드록시아미드 수지를 얻었다.1.1 g of 5-norborene-2,3-dicarboxyanhydride was added thereto, stirred at 70°C for 24 hours, and then the reaction was terminated. The reaction mixture was added to a solution of water/methanol = 10/1 (volume ratio) to produce a precipitate. The precipitate was filtered, thoroughly washed with water, and dried for more than 24 hours under vacuum at a temperature of 80°C to obtain a product with a molecular weight of 15,500 g/mol. A polyhydroxyamide resin was obtained.
(감광성 수지 조성물 제조)(Photosensitive resin composition production)
실시예 1Example 1
상기 합성예 1의 알칼리 가용성 수지 100g을 γ(감마)-부티로락톤(GBL) 300g의 용매에 첨가하여 용해시킨 후, 감광성 디아조퀴논 화합물(MIPHOTO TPD425, Miwon Commercial Co., Ltd.) 20g을 넣고 용해한 후, 황색등 하에서 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 이 후, 0.20㎛의 플루오르수지제 필터로 여과하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.100 g of the alkali-soluble resin of Synthesis Example 1 was dissolved in 300 g of γ (gamma)-butyrolactone (GBL) solvent, and then 20 g of a photosensitive diazoquinone compound (MIPHOTO TPD425, Miwon Commercial Co., Ltd.) was added to the solvent. After adding and dissolving, it was stirred under a yellow light until a homogeneous solution was formed. After this, it was filtered through a 0.20 μm fluororesin filter to obtain a photosensitive resin composition.
비교예 1Comparative Example 1
상기 합성예 1의 알칼리 가용성 수지 대신 상기 비교 합성예 1의 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin of Comparative Synthesis Example 1 was used instead of the alkali-soluble resin of Synthesis Example 1.
비교예 2Comparative Example 2
상기 합성예 1의 알칼리 가용성 수지 대신 상기 비교 합성예 2의 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin of Comparative Synthesis Example 2 was used instead of the alkali-soluble resin of Synthesis Example 1.
비교예 3Comparative Example 3
상기 합성예 1의 알칼리 가용성 수지 대신 상기 비교 합성예 3의 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin of Comparative Synthesis Example 3 was used instead of the alkali-soluble resin of Synthesis Example 1.
비교예 4Comparative Example 4
상기 합성예 1의 알칼리 가용성 수지 대신 상기 비교 합성예 4의 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin of Comparative Synthesis Example 4 was used instead of the alkali-soluble resin of Synthesis Example 1.
비교예 5Comparative Example 5
상기 합성예 1의 알칼리 가용성 수지 대신 상기 비교 합성예 5의 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin of Comparative Synthesis Example 5 was used instead of the alkali-soluble resin of Synthesis Example 1.
평가evaluation
실시예 1 및 비교예 1 내지 비교예 5에 따른 감광성 수지 조성물을 알루미늄이 증착된 웨이퍼 위에 코팅한 후, 120℃의 핫플레이트에서 4분간 가열(경화)하여, 10㎛ 두께의 경화막을 형성하고, 상기 경화막을 물에 희석된 10% 염산(또는 1% 불산)에 20분 정도 침지한 후, 도막을 획득한다. The photosensitive resin composition according to Example 1 and Comparative Examples 1 to 5 was coated on a wafer on which aluminum was deposited, and then heated (cured) on a hot plate at 120°C for 4 minutes to form a cured film with a thickness of 10 μm. After immersing the cured film in 10% hydrochloric acid (or 1% hydrofluoric acid) diluted in water for about 20 minutes, a coating film is obtained.
(평가 1: 잔막율)(Evaluation 1: Residual film rate)
경화 전/후의 두께 차이를 %로 산출하였다.The thickness difference before and after curing was calculated as a percentage.
(평가 2: 신율)(Evaluation 2: Elongation)
UTM 설비로 상기 도막의 신율을 측정하였고, 10개의 샘플 측정 후 최대값만 취득하였다.The elongation of the coating film was measured using UTM equipment, and only the maximum value was obtained after measuring 10 samples.
- Grip 간격: 50mm- Grip spacing: 50mm
- Cross head speed: 5mm/min- Cross head speed: 5mm/min
(평가 3: 스트레스 특성)(Assessment 3: Stress characteristics)
실시예 1 및 비교예 1 내지 비교예 5에 따른 감광성 수지 조성물을 8인치 웨이퍼 위에 10㎛ 두께로 코팅하여 경화막을 만든다. Bare wafer stress와 상기 조성물이 도막화된 8인치 웨이퍼의 스트레스 차를 FLX-2320S (TOHO tech.)를 이용하여 측정하였다.The photosensitive resin composition according to Example 1 and Comparative Examples 1 to 5 was coated to a thickness of 10 μm on an 8-inch wafer to form a cured film. The difference between bare wafer stress and the stress of an 8-inch wafer coated with the composition was measured using FLX-2320S (TOHO tech.).
상기 표 1을 통하여, 본 발명의 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 특정 구조 함유 알칼리 가용성 수지를 포함함으로써, 상기 알칼리 가용성 수지를 포함하지 않는 감광성 수지 조성물보다 우수한 잔막율과 낮은 스트레스 특성을 유지하면서 동시에 신율 특성을 크게 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있다.Through Table 1, the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention includes an alkali-soluble resin containing a specific structure, thereby maintaining excellent residual film rate and low stress characteristics compared to the photosensitive resin composition not containing the alkali-soluble resin. At the same time, it can be confirmed that the elongation characteristics can be greatly improved.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but can be manufactured in various different forms, and those skilled in the art will be able to form other specific forms without changing the technical idea or essential features of the present invention. You will be able to understand that this can be implemented. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive.
Claims (10)
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및
(C) 용매
를 포함하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
X1은 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 4가의 유기기이고,
X2, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 2가의 유기기이되, X2는 하기 화학식 3으로 표시되는 디아민 구조로부터 유도되는 잔기이고,
m은 1 내지 1000의 정수이고,
n은 1 내지 500의 정수이고,
m/(m+n) ≥ 0.5 이고,
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
L1 내지 L5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이다.
(A) an alkali-soluble resin containing a structural unit represented by the following formula (1) and a structural unit represented by the following formula (2);
(B) photosensitive diazoquinone compound; and
(C) Solvent
Photosensitive resin composition comprising:
[Formula 1]
[Formula 2]
In Formula 1 and Formula 2,
X 1 is a tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms,
X 2 , Y 1 and Y 2 are each independently a divalent organic group having two or more carbon atoms, and X 2 is a residue derived from a diamine structure represented by the following formula (3),
m is an integer from 1 to 1000,
n is an integer from 1 to 500,
m/(m+n) ≥ 0.5,
[Formula 3]
In Formula 3 above,
L 1 to L 5 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenylene group, or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group.
상기 L1, L3 및 L5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기인 감광성 수지 조성물.
According to paragraph 1,
The photosensitive resin composition wherein L 1 , L 3 and L 5 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group.
상기 L1 및 L5는 각각 독립적으로 하기 화학식 L-1로 표시되고,
상기 L3은 하기 화학식 L-2로 표시되는 감광성 수지 조성물:
[화학식 L-1]
[화학식 L-2]
상기 화학식 L-1 및 화학식 L-2에서,
R1은 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
p는 0 내지 4의 정수이다.
According to paragraph 2,
The L 1 and L 5 are each independently represented by the following formula L-1,
The L 3 is a photosensitive resin composition represented by the following formula L-2:
[Formula L-1]
[Formula L-2]
In Formula L-1 and Formula L-2,
R 1 is a halogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group,
p is an integer from 0 to 4.
상기 L2 및 L4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기인 감광성 수지 조성물.
According to paragraph 2,
The photosensitive resin composition wherein L 2 and L 4 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group.
상기 L2 및 L4는 각각 독립적으로 알킬기로 치환된 C1 내지 C20 알킬렌기인 감광성 수지 조성물.
According to paragraph 4,
The photosensitive resin composition wherein L 2 and L 4 are each independently a C1 to C20 alkylene group substituted with an alkyl group.
상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 g/mol 내지 100,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가지는 감광성 수지 조성물.
According to paragraph 1,
The alkali-soluble resin is a photosensitive resin composition having a weight average molecular weight of 3,000 g/mol to 100,000 g/mol.
상기 감광성 수지 조성물은,
상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해
상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 1 중량부 내지 50 중량부 포함하고,
상기 용매를 100 중량부 내지 800 중량부 포함하는 감광성 수지 조성물.
According to paragraph 1,
The photosensitive resin composition is,
About 100 parts by weight of the alkali-soluble resin
Containing 1 to 50 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound,
A photosensitive resin composition comprising 100 to 800 parts by weight of the solvent.
상기 감광성 수지 조성물은 다이애시드, 알카놀아민, 레벨링제, 불소계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
According to paragraph 1,
The photosensitive resin composition further includes additives such as diacid, alkanolamine, leveling agent, fluorine-based surfactant, radical polymerization initiator, or a combination thereof.
A photosensitive resin film manufactured using the photosensitive resin composition of any one of claims 1 to 8.
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